JPH0974080A - 半導体基板のオゾン洗浄方法 - Google Patents
半導体基板のオゾン洗浄方法Info
- Publication number
- JPH0974080A JPH0974080A JP22667795A JP22667795A JPH0974080A JP H0974080 A JPH0974080 A JP H0974080A JP 22667795 A JP22667795 A JP 22667795A JP 22667795 A JP22667795 A JP 22667795A JP H0974080 A JPH0974080 A JP H0974080A
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- Japan
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- cleaning
- ozone
- semiconductor substrate
- cleaning liquid
- acid
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 粗れのない表面を得るオゾンによる洗浄方
法。 【構成】 半導体基板の裏面を固定して洗浄を行う。 【効果】 ガスの流れによる表面粗れを抑える。
法。 【構成】 半導体基板の裏面を固定して洗浄を行う。 【効果】 ガスの流れによる表面粗れを抑える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウエハ等の洗浄に
関するものである。
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子の製造プロセスでは、
熱酸化工程等の各工程の前に半導体基板表面に付着した
汚染物質を除去するために洗浄処理が行われている。例
えば、ＲＣＡ洗浄であるアンモニアと過酸化水素の混合
水溶液、塩酸と過酸化水素の混合水溶液や硫酸と過酸化
水素の混合水溶液による洗浄が行われている。また、オ
ゾンを用いると紫外線、機会的攪拌等との組み合わせに
よって有機物の除去効果があるため、最近では過酸化水
素の代わりにオゾンを用いた洗浄も行われている。
熱酸化工程等の各工程の前に半導体基板表面に付着した
汚染物質を除去するために洗浄処理が行われている。例
えば、ＲＣＡ洗浄であるアンモニアと過酸化水素の混合
水溶液、塩酸と過酸化水素の混合水溶液や硫酸と過酸化
水素の混合水溶液による洗浄が行われている。また、オ
ゾンを用いると紫外線、機会的攪拌等との組み合わせに
よって有機物の除去効果があるため、最近では過酸化水
素の代わりにオゾンを用いた洗浄も行われている。
【０００３】このオゾンを用いた洗浄方法としては、あ
らかじめオゾンを洗浄液中に溶解させてから洗浄に用い
る方法やオゾンをバブリング等の方法で洗浄液中に導入
しながら洗浄する方法が用いられるが、オゾンの水溶液
への溶解度はあまり高くないため、溶解オゾンとオゾン
ガスの両方を活用できる後者の方法の方が効率的な洗浄
方法である。
らかじめオゾンを洗浄液中に溶解させてから洗浄に用い
る方法やオゾンをバブリング等の方法で洗浄液中に導入
しながら洗浄する方法が用いられるが、オゾンの水溶液
への溶解度はあまり高くないため、溶解オゾンとオゾン
ガスの両方を活用できる後者の方法の方が効率的な洗浄
方法である。
【０００４】
【発明が解決しようとする問題点】しかし、オゾンを導
入しながら洗浄する場合にはオゾンガスの流れに沿って
洗浄液が流れるため、半導体基板の洗浄面を流れるオゾ
ンガスを含んだ洗浄液の流れを乱すような半導体基板固
定治具の部位が存在するとオゾンガスの接触時間が場所
によって変動するためオゾンによる酸化力が不十分とな
り、半導体基板の表面に表面粗れが出来てしまうという
問題点が発生する。特に洗浄液がアンモニア等のアルカ
リ水溶液とオゾンガス単独の組合せにおいて、オゾンだ
けでは酸化能力が弱いために半導体基板の表面粗れが起
きる。本発明は、この問題点を解決し表面粗れを抑えた
高度に洗浄された被洗浄物を得る方法を提案することを
目的としている。
入しながら洗浄する場合にはオゾンガスの流れに沿って
洗浄液が流れるため、半導体基板の洗浄面を流れるオゾ
ンガスを含んだ洗浄液の流れを乱すような半導体基板固
定治具の部位が存在するとオゾンガスの接触時間が場所
によって変動するためオゾンによる酸化力が不十分とな
り、半導体基板の表面に表面粗れが出来てしまうという
問題点が発生する。特に洗浄液がアンモニア等のアルカ
リ水溶液とオゾンガス単独の組合せにおいて、オゾンだ
けでは酸化能力が弱いために半導体基板の表面粗れが起
きる。本発明は、この問題点を解決し表面粗れを抑えた
高度に洗浄された被洗浄物を得る方法を提案することを
目的としている。
【０００５】
【問題を解決するための手段】本発明者らは上記の目的
を達成すべく鋭意検討した結果、洗浄する半導体基板を
洗浄面の裏側で固定することが極めて有効であることを
見いだし、本発明を完成するに至った。即ち、従来のカ
セット式の治具を用いた場合ではウエハの表面側も一部
治具に覆われてしまい、その部位にオゾンガスが当たら
ず表面にむらが生じるが、本発明のウエハの裏面を固定
する方法を用いれば、表面にガスは均一にあたり表面粗
れがなくなる。
を達成すべく鋭意検討した結果、洗浄する半導体基板を
洗浄面の裏側で固定することが極めて有効であることを
見いだし、本発明を完成するに至った。即ち、従来のカ
セット式の治具を用いた場合ではウエハの表面側も一部
治具に覆われてしまい、その部位にオゾンガスが当たら
ず表面にむらが生じるが、本発明のウエハの裏面を固定
する方法を用いれば、表面にガスは均一にあたり表面粗
れがなくなる。
【０００６】本発明においては、裏面で固定する方法と
しては特に制限はないが、真空ピンセットを用いる方法
がより好ましい。これは裏面を微小部位で固定すること
が可能でガスの流れに大きな影響を与えないことから好
ましい。
しては特に制限はないが、真空ピンセットを用いる方法
がより好ましい。これは裏面を微小部位で固定すること
が可能でガスの流れに大きな影響を与えないことから好
ましい。
【０００７】このオゾンを含む洗浄液に関しては特に制
限はないが、塩基性液体としては水酸化テトラメチルア
ンモニウム（以下、ＴＭＡＨと略称）、アンモニア、コ
リンの一種以上が、酸性液体としてはフッ酸、硫酸、塩
酸、硝酸の一種以上が含まれていることが好ましい。ま
た、オゾンの酸化力の弱さを補うために過酸化水素を添
加することもより好ましい。
限はないが、塩基性液体としては水酸化テトラメチルア
ンモニウム（以下、ＴＭＡＨと略称）、アンモニア、コ
リンの一種以上が、酸性液体としてはフッ酸、硫酸、塩
酸、硝酸の一種以上が含まれていることが好ましい。ま
た、オゾンの酸化力の弱さを補うために過酸化水素を添
加することもより好ましい。
【０００８】この時、洗浄に使用する薬液の濃度は特に
制限はないが、塩基性液体がアンモニアの場合にはオゾ
ンによりアンモニアが酸化されて硝酸イオンへと変化す
るためにアンモニア濃度のコントロールが必要である。
制限はないが、塩基性液体がアンモニアの場合にはオゾ
ンによりアンモニアが酸化されて硝酸イオンへと変化す
るためにアンモニア濃度のコントロールが必要である。
【０００９】オゾンガスの導入方法としてはバブラーで
吹き込む方法や、ジェットノズル等を用いる方法がある
が、ウエハ表面に均一に薬液が当たるようにする方法で
あれば特に限定はしない。
吹き込む方法や、ジェットノズル等を用いる方法がある
が、ウエハ表面に均一に薬液が当たるようにする方法で
あれば特に限定はしない。
【００１０】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳細に説明す
る。 実施例１ 図１は、本発明の洗浄装置の一実施例を示す図面であ
る。まず、洗浄槽２に洗浄液５として０．２５重量％の
ＴＭＡＨをを供給する。次いでオゾンガス３をバブラー
４により洗浄液５中に均一になるように導入する。この
洗浄槽２にテフロン製真空ピンセット７を用いて裏面の
みを固定したウエハ１を浸漬する。この時、洗浄液の温
度は６０℃で１０分洗浄を行った。得られた洗浄後のウ
エハ表面には粗れが見られず均一な表面が得られた。
る。 実施例１ 図１は、本発明の洗浄装置の一実施例を示す図面であ
る。まず、洗浄槽２に洗浄液５として０．２５重量％の
ＴＭＡＨをを供給する。次いでオゾンガス３をバブラー
４により洗浄液５中に均一になるように導入する。この
洗浄槽２にテフロン製真空ピンセット７を用いて裏面の
みを固定したウエハ１を浸漬する。この時、洗浄液の温
度は６０℃で１０分洗浄を行った。得られた洗浄後のウ
エハ表面には粗れが見られず均一な表面が得られた。
【００１１】比較例１ 洗浄治具に通常ウエハキャリア等に用いられるテフロン
製カセット式治具を用いた以外は実施例１と同じに洗浄
を行った。得られた洗浄後のウエハ表面には治具に覆わ
れた部位に２０００オングストロームの表面粗れが確認
された。
製カセット式治具を用いた以外は実施例１と同じに洗浄
を行った。得られた洗浄後のウエハ表面には治具に覆わ
れた部位に２０００オングストロームの表面粗れが確認
された。
【００１２】実施例２ 洗浄液５として１．０重量％のＨＦを用い、室温で１０
分洗浄を行った以外は実施例１と同じ。洗浄後のウエハ
表面には粗れが見られず均一な表面が得られた。
分洗浄を行った以外は実施例１と同じ。洗浄後のウエハ
表面には粗れが見られず均一な表面が得られた。
【００１３】比較例２ 洗浄治具に通常ウエハキャリア等に用いられるテフロン
製カセット式治具を用いた以外は実施例２と同じに洗浄
を行った。得られた洗浄後のウエハ表面には治具に覆わ
れた部位に１００オングストロームの表面粗れが確認さ
れた。
製カセット式治具を用いた以外は実施例２と同じに洗浄
を行った。得られた洗浄後のウエハ表面には治具に覆わ
れた部位に１００オングストロームの表面粗れが確認さ
れた。
【００１４】
【発明の効果】本発明のオゾン洗浄において被洗浄物の
裏面を固定して洗浄を行うことによって、表面粗れを抑
えた高度に洗浄された被洗浄物を得ることが可能とな
り、半導体素子の歩留まりを向上させることが出来る。
裏面を固定して洗浄を行うことによって、表面粗れを抑
えた高度に洗浄された被洗浄物を得ることが可能とな
り、半導体素子の歩留まりを向上させることが出来る。
【図１】洗浄装置およびウエハ治具
１：ウエハ ２：洗浄槽 ３：オゾンガス ４：バブラー ５：洗浄液 ６：カセット式治具 ７：真空ピンセット
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体基板をオゾンを導入しながら洗浄
する方法において、半導体基板の裏面を固定して洗浄す
ることを特徴とする洗浄方法。 - 【請求項２】 洗浄液が塩基性液体であることを特徴と
する請求項１記載の洗浄方法。 - 【請求項３】 塩基性液体が水酸化テトラメチルアンモ
ニウム、アンモニア、コリンの内、少なくとも一つを含
むことを特徴とする請求項２記載の洗浄方法。 - 【請求項４】 洗浄液が酸性液体であることを特徴とす
る請求項１記載の洗浄方法。 - 【請求項５】 酸性液体がフッ酸、硫酸、塩酸、硝酸の
内、少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項４記
載の洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22667795A JPH0974080A (ja) | 1995-09-04 | 1995-09-04 | 半導体基板のオゾン洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22667795A JPH0974080A (ja) | 1995-09-04 | 1995-09-04 | 半導体基板のオゾン洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0974080A true JPH0974080A (ja) | 1997-03-18 |
Family
ID=16848929
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22667795A Pending JPH0974080A (ja) | 1995-09-04 | 1995-09-04 | 半導体基板のオゾン洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0974080A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999003140A1 (en) * | 1997-07-10 | 1999-01-21 | Merck Patent Gmbh | Solutions for cleaning silicon semiconductors or silicon oxides |
| WO2002027776A1 (fr) * | 2000-09-28 | 2002-04-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Procede et appareil de traitement de substrat |
| US6471735B1 (en) * | 1999-08-17 | 2002-10-29 | Air Liquide America Corporation | Compositions for use in a chemical-mechanical planarization process |
| US6664196B1 (en) | 1999-03-15 | 2003-12-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of cleaning electronic device and method of fabricating the same |
-
1995
- 1995-09-04 JP JP22667795A patent/JPH0974080A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999003140A1 (en) * | 1997-07-10 | 1999-01-21 | Merck Patent Gmbh | Solutions for cleaning silicon semiconductors or silicon oxides |
| US6664196B1 (en) | 1999-03-15 | 2003-12-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of cleaning electronic device and method of fabricating the same |
| US6471735B1 (en) * | 1999-08-17 | 2002-10-29 | Air Liquide America Corporation | Compositions for use in a chemical-mechanical planarization process |
| WO2002027776A1 (fr) * | 2000-09-28 | 2002-04-04 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Procede et appareil de traitement de substrat |
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