JP3405371B2 - 半導体基板のオゾン洗浄方法 - Google Patents
半導体基板のオゾン洗浄方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体基板等の洗浄に関
するものである。
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体基板の製造プロセスでは、
熱酸化工程等の各工程の前に半導体基板表面に付着した
汚染物質を除去するための洗浄処理が行われている。洗
浄処理においては、例えば、ＲＣＡ洗浄であるアンモニ
アと過酸化水素の混合水溶液、塩酸と過酸化水素の混合
水溶液や硫酸と過酸化水素の混合水溶液が使用されてい
る。また、オゾンを紫外線の照射、機械的攪拌等と組み
合わせることによって有機物を除去することができるた
め、最近では過酸化水素の代わりにオゾンを用いた洗浄
処理も開発されている。
熱酸化工程等の各工程の前に半導体基板表面に付着した
汚染物質を除去するための洗浄処理が行われている。洗
浄処理においては、例えば、ＲＣＡ洗浄であるアンモニ
アと過酸化水素の混合水溶液、塩酸と過酸化水素の混合
水溶液や硫酸と過酸化水素の混合水溶液が使用されてい
る。また、オゾンを紫外線の照射、機械的攪拌等と組み
合わせることによって有機物を除去することができるた
め、最近では過酸化水素の代わりにオゾンを用いた洗浄
処理も開発されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする問題点】しかし、オゾンを用
いた洗浄処理ではオゾンの強い酸化力のために同時に加
えた薬品が酸化されるという問題が発生する。特に洗浄
薬品としてアンモニアを含有する水溶液を用いた場合に
は、アンモニアがオゾンにより酸化されて硝酸イオンと
なる反応が起こるためにアンモニア成分の濃度低下を生
じ、これにより洗浄作用力が低下し、製品の歩留りが低
下するという問題を生じる。本発明は、この問題点を解
決し高度に洗浄された半導体基板を得る方法を提供する
ことを目的としている。
いた洗浄処理ではオゾンの強い酸化力のために同時に加
えた薬品が酸化されるという問題が発生する。特に洗浄
薬品としてアンモニアを含有する水溶液を用いた場合に
は、アンモニアがオゾンにより酸化されて硝酸イオンと
なる反応が起こるためにアンモニア成分の濃度低下を生
じ、これにより洗浄作用力が低下し、製品の歩留りが低
下するという問題を生じる。本発明は、この問題点を解
決し高度に洗浄された半導体基板を得る方法を提供する
ことを目的としている。
【０００４】
【問題を解決するための手段】本発明者らは前記の目的
を達成すべく鋭意検討した結果、洗浄薬品として水酸化
テトラメチルアンモニウムを選択することが極めて有効
であることを見いだし、本発明を完成するに至った。即
ち、被洗浄物を水酸化テトラメチルアンモニウム（以
下、ＴＭＡＨと略称）及びオゾンで洗浄することによっ
て、安定した薬液濃度で洗浄を行うことが可能となっ
た。
を達成すべく鋭意検討した結果、洗浄薬品として水酸化
テトラメチルアンモニウムを選択することが極めて有効
であることを見いだし、本発明を完成するに至った。即
ち、被洗浄物を水酸化テトラメチルアンモニウム（以
下、ＴＭＡＨと略称）及びオゾンで洗浄することによっ
て、安定した薬液濃度で洗浄を行うことが可能となっ
た。
【０００５】本発明は、ＴＭＡＨを含有する薬液に半導
体基板を浸漬し、これにオゾンを吹き込むことによりな
される。ＴＭＡＨを含有する薬液にオゾンを吹き込みオ
ゾンを溶存させた後、半導体基板を浸漬してもよい。Ｔ
ＭＡＨを含有する薬液の溶媒には、水が好適に使用され
る。
体基板を浸漬し、これにオゾンを吹き込むことによりな
される。ＴＭＡＨを含有する薬液にオゾンを吹き込みオ
ゾンを溶存させた後、半導体基板を浸漬してもよい。Ｔ
ＭＡＨを含有する薬液の溶媒には、水が好適に使用され
る。
【０００６】本発明においては、薬液成分であるＴＭＡ
Ｈの濃度は、薬液中、好ましくは0.05〜20重量％、より
好ましくは0.1 〜10重量％である。この範囲より高濃度
だと半導体基板の表面粗れのおそれがあり、この範囲よ
り低濃度だと効果が低い。
Ｈの濃度は、薬液中、好ましくは0.05〜20重量％、より
好ましくは0.1 〜10重量％である。この範囲より高濃度
だと半導体基板の表面粗れのおそれがあり、この範囲よ
り低濃度だと効果が低い。
【０００７】本発明においては、薬液成分として過酸化
水素をＴＭＡＨと併用することも好ましい。過酸化水素
をＴＭＡＨと併用することによりオゾン効率を上げるこ
とができる。薬液中の過酸化水素の濃度は、好ましくは
0.1 〜20重量％、より好ましくは0.5 〜10重量％であ
る。
水素をＴＭＡＨと併用することも好ましい。過酸化水素
をＴＭＡＨと併用することによりオゾン効率を上げるこ
とができる。薬液中の過酸化水素の濃度は、好ましくは
0.1 〜20重量％、より好ましくは0.5 〜10重量％であ
る。
【０００８】本発明を実施する温度に関しては特に制限
は無いが、半導体基板表面を効率的にエッチングするた
めに好ましくは０〜90℃、より好ましくは20〜80℃で洗
浄処理が行われる。
は無いが、半導体基板表面を効率的にエッチングするた
めに好ましくは０〜90℃、より好ましくは20〜80℃で洗
浄処理が行われる。
【０００９】オゾンの吹き込み方法は、バブラーやジェ
ットノズル等を用いる方法、或いは機械的攪拌と組み合
わせる方法等、半導体基板表面に均一に薬液成分及びオ
ゾンが接触する方法であれば限定されない。
ットノズル等を用いる方法、或いは機械的攪拌と組み合
わせる方法等、半導体基板表面に均一に薬液成分及びオ
ゾンが接触する方法であれば限定されない。
【００１０】本発明に使用されるオゾンとしては、オゾ
ン発生機によりオゾンを含有せしめられた酸素または空
気が好適である。更に、本発明に紫外線の照射、機械的
攪拌等を組み合わせることも好適に実施される。
ン発生機によりオゾンを含有せしめられた酸素または空
気が好適である。更に、本発明に紫外線の照射、機械的
攪拌等を組み合わせることも好適に実施される。
【００１１】
【実施例】次に実施例により本発明を具体的に説明す
る。 実施例１ ＴＭＡＨを0.25重量％含む30℃の水溶液からなる半導体
基板の洗浄液に攪拌下、160g/m3の濃度のオゾンを0.8L/
minの速度でバブラーを用いて吹き込んだ。60分後、Ｔ
ＭＡＨの濃度は0.25重量％であり、濃度低下は見られな
かった。
る。 実施例１ ＴＭＡＨを0.25重量％含む30℃の水溶液からなる半導体
基板の洗浄液に攪拌下、160g/m3の濃度のオゾンを0.8L/
minの速度でバブラーを用いて吹き込んだ。60分後、Ｔ
ＭＡＨの濃度は0.25重量％であり、濃度低下は見られな
かった。
【００１２】比較例１
アンモニアを0.25重量％含む30℃の水溶液からなる半導
体基板の洗浄液に攪拌下、160g/m3の濃度のオゾンを0.8
L/minの速度でバブラーを用いて吹き込んだ。60分後、
アンモニアの濃度は0.15重量％に低下した。
体基板の洗浄液に攪拌下、160g/m3の濃度のオゾンを0.8
L/minの速度でバブラーを用いて吹き込んだ。60分後、
アンモニアの濃度は0.15重量％に低下した。
【００１３】実施例２
ＴＭＡＨを２重量％及び過酸化水素を５重量％含む50℃
の水溶液からなる半導体基板の洗浄液に攪拌下、140g/m
3の濃度のオゾンを0.8L/minの速度でジェットノズルを
用いて吹き込んだ。60分後、ＴＭＡＨの濃度は２重量％
であり、濃度低下は見られなかった。
の水溶液からなる半導体基板の洗浄液に攪拌下、140g/m
3の濃度のオゾンを0.8L/minの速度でジェットノズルを
用いて吹き込んだ。60分後、ＴＭＡＨの濃度は２重量％
であり、濃度低下は見られなかった。
【００１４】比較例２
アンモニアを２重量％及び過酸化水素を５重量％含む50
℃の水溶液からなる半導体基板の洗浄液に攪拌下、140g
/m3の濃度のオゾンを0.8L/minの速度でジェットノズル
を用いて吹き込んだ。60分後、アンモニアの濃度は1.1
重量％に低下した。
℃の水溶液からなる半導体基板の洗浄液に攪拌下、140g
/m3の濃度のオゾンを0.8L/minの速度でジェットノズル
を用いて吹き込んだ。60分後、アンモニアの濃度は1.1
重量％に低下した。
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、薬液成分であるＴＭＡ
Ｈがオゾンによる酸化を受けにくいため、薬液濃度の低
下を生じること無く半導体基板の洗浄を行うことがで
き、高度に洗浄された半導体基板を得る方法が提供され
る。
Ｈがオゾンによる酸化を受けにくいため、薬液濃度の低
下を生じること無く半導体基板の洗浄を行うことがで
き、高度に洗浄された半導体基板を得る方法が提供され
る。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭50−147284（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−275405（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−179225（ＪＰ，Ａ)
特開 平８−22945（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−102117（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/304
C11D 7/02
C11D 7/32
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板を、水酸化テトラメチルアン
モニウム溶液及びオゾンを使用して洗浄することを特徴
とする半導体基板の洗浄方法。 - 【請求項２】 半導体基板を、水酸化テトラメチルアン
モニウム及び過酸化水素を含有する溶液、並びにオゾン
を使用して洗浄することを特徴とする半導体基板の洗浄
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25382294A JP3405371B2 (ja) | 1994-10-19 | 1994-10-19 | 半導体基板のオゾン洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25382294A JP3405371B2 (ja) | 1994-10-19 | 1994-10-19 | 半導体基板のオゾン洗浄方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08124888A JPH08124888A (ja) | 1996-05-17 |
| JP3405371B2 true JP3405371B2 (ja) | 2003-05-12 |
Family
ID=17256625
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25382294A Expired - Lifetime JP3405371B2 (ja) | 1994-10-19 | 1994-10-19 | 半導体基板のオゾン洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3405371B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000007220A2 (en) * | 1998-07-29 | 2000-02-10 | Cfmt, Inc. | Wet processing methods for the manufacture of electronic components using ozonated process fluids |
| TW554258B (en) * | 2000-11-30 | 2003-09-21 | Tosoh Corp | Resist stripper |
| US6861720B1 (en) | 2001-08-29 | 2005-03-01 | Amkor Technology, Inc. | Placement template and method for placing optical dies |
| US6784534B1 (en) | 2002-02-06 | 2004-08-31 | Amkor Technology, Inc. | Thin integrated circuit package having an optically transparent window |
| CN1302096C (zh) * | 2003-12-27 | 2007-02-28 | 上海华虹（集团）有限公司 | 闪烁存储器控制栅堆积结构淀积侧壁介质预清洗溶液及使用方法 |
| TWI638034B (zh) * | 2015-11-14 | 2018-10-11 | 東京威力科創股份有限公司 | 使用稀釋的氫氧化四甲基銨處理微電子基板的方法 |
-
1994
- 1994-10-19 JP JP25382294A patent/JP3405371B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08124888A (ja) | 1996-05-17 |
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