KR900001065B1 - 실리콘 반도체 장치의 표면 메탈증착전 처리방법 - Google Patents
실리콘 반도체 장치의 표면 메탈증착전 처리방법 Download PDFInfo
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Abstract
내용 없음.
Description
제1도는 일반적인 메틸증착전 처리방법의 공정도.
제2도는 제1도의 공정에 의해 제조된 실리콘 반도체의 메탈 증착 상태도.
제3도는 본 발명 메탈 증착전 처리방법의 공정도.
제4도는 제3도의 공정에 의해 제조된 실리콘 반도체의 메탈 증착 상태도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 실리콘 내에 ＂보론＂이 주입된 영역
2 ; 실리콘 내에 ＂인＂이 주입된 영역
본 발명은 실리콘 단결정으로 반도체 장치를 제작함에 있어서, 웨이퍼의 표면 메탈 증착전에 웨이퍼에 오염된 중금속이나 유기물질 및 실리콘 표면에 얇게 생성된 산화막을 제거하기 위한 세정 및 에칭(이하부터는 ＂메틸 증착전 처리＂라 칭함)방법에 관한 것이다.
일반적인 실리콘 반도체 장치의 표면 메탈 증착전 처리방법은, 제1도에 도시한 공정도와 같이 실리콘 웨이퍼에 오염된 중금속 또는 유기물질의 제거를 위하여 암모니아수(NH4OH)와 과산화수소(H2O2) 및 순수(順水) 혼합용액(이하 부터는 ＂용액A＂라 칭함)과, 염화수소(Hcl) 및 과산화수소(H2O2)와 순수 혼합용액(이하부터는 ＂용액B＂라칭함)으로 세정한 후, 실리콘 표면에 얇게 생성된 산화막의 제거를 위하여 불화수소(HF)액에 에칭하고 웨이퍼의 표면을 메탈 증착하는 공정으로 되어 있었으나, 이와 같은 공정의 메탈 증착전 처리방법은 불산과 불산에 존재하는 불순물이 실리콘에 주입된 보론(붕소)과 반응하여 실리콘 표면에 이상막을 형성하게 되어 웨이퍼 표면에 메탈 증착이 완료된 후, 보론이 주입된 실리콘 영역(1)과 인이 주입된 실리콘영역(2)의 메탈증착 상태가 제2도에 도시한 바와 같이 판이하게 달리 나타나게 되어 메탈 증착후의 공정인 조 공정의 와이어 본딩 공정에서 인식이 곤란해지는 문제가 발생되었다.
본 발명은 이와 같은 문제점을 감안하여 실리콘 웨이퍼에 보론이 주입된 영역과 인이 주입된 영역의 메탈 증착상태를 동일하도록 착안한 것으로 이를 첨부된 도면에 의하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
제3도는 본 발명 메탈 증착전 처리방법의 공정도로서, 불화수소(HF)용액에 실리콘 웨이퍼를 에칭하여 실리콘 표면에 얇게 생성된 산화막을 제거하고, 용액＂A＂와 용액＂B＂의 세정으로 불화수소(HF)용액의 에칭에 의하여 형성된 보론이 주입된 실리콘 영역(1)의 이상막을 제거한 후 실리콘 웨이퍼의 표면을 메탈 증폭함을 도시한 것으로, 이를 예를 들어 설명하면 50불화수소(50HF) 용액에서 실리콘 웨이퍼를 40초간 에칭하고 순수로 세정한 후 용액 ＂A＂를 70℃로 하여 15분 동안 처리하고 순수로 세정한 후 용액 ＂B＂를 70℃로 하여 15분 처리하고 순수로 세정한후 알루미늄 진공 증착기에서 알루미늄을 증착시켜, 제4도에 도시한 바와 같이 메탈 증착 상태가 동일한 실리콘 웨이퍼의 표면을 제조하게 되는 것이다.
용액 A : NH4OH(900CC)+H2O2(1800CC)+ 순수(7200CC)
용액 B : Hcl(900CC)+H2O2(1800CC)+순수(7200CC)
이상에서와 같이 본 발명의 공정에 의하여 웨이퍼에 오염된 중금속과 유기물질의 제거 및 자연 산화막을 제거하여 메탈 증착의 상태를 동일하게 함으로써, 와이어 본딩 공정에서 인식 능력을 크게 향상시켜 와이어 본딩 공정의 생산성을 크게 향상시킬 수 있는 것이다.
Claims (1)
- 반도체 제조공정중 실리콘 웨이퍼의 메탈 증착전 처리방법에 있어서, 실리콘 웨이퍼를 불화수소(HF)용액으로 에칭하고, 암모니아수(NH4OH)와 과산화수소(H2O2) 및 순수혼합용액(A용액)과 염산(Hcl) 및 과산화수소(H2O2)와 순수혼합용액(B용액)으로 세정함을 특징으로 한 실리콘 반도체 장치의 표면 메탈 증착전 처리방법.
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