JPS60247928A - 半導体基板の洗浄方法 - Google Patents

半導体基板の洗浄方法

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JPS60247928A
JPS60247928A JP10433584A JP10433584A JPS60247928A JP S60247928 A JPS60247928 A JP S60247928A JP 10433584 A JP10433584 A JP 10433584A JP 10433584 A JP10433584 A JP 10433584A JP S60247928 A JPS60247928 A JP S60247928A
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JP
Japan
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cleaning
semiconductor substrate
silicon substrate
h2so4
impurities
Prior art date
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Pending
Application number
JP10433584A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshiaki Ito
伊藤　吉昭
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Seiko Instruments Inc
Original Assignee
Seiko Instruments Inc
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Filing date
Publication date
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only

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  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • Power Engineering (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、半導体表面、半導体に接する膜表面のうち少
なくとも一つの表面を洗浄化する半導体基板の洗浄方法
の改良に関する。
現在、トランジスタ、ダイオード、集積回路整流素子等
の半導体デバイスは殆んどがシリコンデバイスｒあり、
これらのシリコンウエハハ気相成長、酸化膜形成、不純
物拡散、電極、金属膜蒸着等の工程を加えることによっ
て製造されている。
しかも、半導体は不純物によって著しい影響を受けるた
め、前記各工程の前にはシリコンウェハ・の表面をでき
るだけ清浄化して不所望の不純物に基づく汚染を除いて
いる。
従来、シリコンウニ・・の洗浄には、有機洗浄酸あるい
は、アルカリ溶液による洗浄を行なった後、シリコン基
板表面に生成している自然酸化膜（１５〜６０Ｘ程度）
は、空気中あるいは溶液中の不所望の不純物によって汚
染されているために、純水により薄めたフッ酸溶液によ
り、エツチングして、シリコン基板をむき出しにし、し
かる後に、熱処理、気相成長等の処理を飛していた。
しかし、従来の方法では、洗浄後のシリコンウェハはシ
リコンがむき出しとなっているため、（１）乾燥時ある
いはウェハの搬送時等にゴミが付着し易いということと
、（２）シリコン基板に故意に添加しである不純物（た
とえば、リン・ボロン等）が熱酸化工程のときに、基板
から飛び出し、不所望の基板領域（たとえば、ＭＯ８Ｆ
’ＥＴにおけるゲートとなる領域）に添加され、素子の
電気特性を不安定にする要因となっていた。
本発明は、上記（１）　、　（２）の従来のシリコン基
板洗浄方法の欠点を改良することを目的とする。
本発明は、まずシリコン基板を有機溶済、酸あるいはア
ルカＩＪ　ｉ液で洗浄後純水で薄めたフッ酸溶液でシリ
コン基板表面の自然酸化膜ｔエツチング除去する。
次に、最終洗浄としてもう１度、酸化性の超清浄溶液、
たとえば、０２μｍのオールテフロン製フィルタで使用
面前にフィルタリングした、塩酸溶液、過酸化水素溶液
及び超純水を容積比で１：１：５で混合した溶液で洗浄
し、表面に清浄な自然酸化膜を残すようにする。本発明
では自然酸化膜を基板表面に生成したまま、洗浄を終え
るので、（１）ゴミ不着のシリコン基板への減少、（２
）熱酸化時、不所望領域への不純物の添加の防止の効果
が得られ、下記のような特性の同上が得られる。
（１）　Ｍ　ＯＳ　Ｆ　Ｅ　Ｔ　Ｋおけるしきい値電圧
のバッチ内、バッチ間のバラツキの低減 （２）酸化、拡散工程におけるゴミ等に起因するシリコ
ン基板表面に元生する欠陥の減少。
（３）気相成長工程におけるゴミ等に起因する気相成長
膜の欠陥、異常成長領域の減少。
特性向上の例として、（１）の１７きい値電圧のロット
間バラツキの低減の状況を図に示す。
図より、しきい値電圧のロット間のバラツキが、Ａ−晃
程度になることがわかる、
【図面の簡単な説明】
図は、しきい値電圧のロ、ット間バラツキの低減の状況
を示す特性図である、 以上 出願人　セイコー電子工業株式会社 代理人　弁理士　最　上　務

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）半導体基板または、半導体に接する膜表面の洗浄
    において、最終薬液を酸化性の溶液にすることを特徴と
    する半導体基板の洗浄方法。
  2. （２）前記酸化性の溶液が、Ｈ２ＢＯ３゜ＨＩＳＯ４＋
    　）Ｔ２０２　、　）ＴＯ工＋Ｈ２Ｏ２＋　Ｈ２Ｏ。 ＨＮＯ３、ＨＮＯｇ−１−Ｈｇｓｏ＝　、ＩＪＨ４０Ｈ
    ＋Ｈ２Ｏ２＋ｕ２ｏ　のうちいずれ〃為であることを特
    徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体基板の洗浄
    方法。
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