JPH0521595A - 半導体基板の洗浄方法 - Google Patents
半導体基板の洗浄方法Info
- Publication number
- JPH0521595A JPH0521595A JP16954491A JP16954491A JPH0521595A JP H0521595 A JPH0521595 A JP H0521595A JP 16954491 A JP16954491 A JP 16954491A JP 16954491 A JP16954491 A JP 16954491A JP H0521595 A JPH0521595 A JP H0521595A
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- JP
- Japan
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- element isolation
- acid
- semiconductor substrate
- hcl
- cleaning
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- Pending
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- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Element Separation (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 素子分離工程におけるシリコン酸化膜、シリ
コン窒化膜等のプラズマエッチング後に、硝酸（ＨＮＯ
3）＋フッ酸（ＨＦ）系の洗浄に引続き、塩酸（ＨＣ
ｌ）又は塩酸（ＨＣｌ）＋過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）系の
洗浄を続けて行う。 【効果】 本発明の半導体基板の洗浄方法により、素子
分離領域間、素子分離領域周辺のリーク電流を低減でき
る。
コン窒化膜等のプラズマエッチング後に、硝酸（ＨＮＯ
3）＋フッ酸（ＨＦ）系の洗浄に引続き、塩酸（ＨＣ
ｌ）又は塩酸（ＨＣｌ）＋過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）系の
洗浄を続けて行う。 【効果】 本発明の半導体基板の洗浄方法により、素子
分離領域間、素子分離領域周辺のリーク電流を低減でき
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路製造工
程における素子分離工程の半導体基板洗浄方法に関する
ものである。
程における素子分離工程の半導体基板洗浄方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路製造工程に於けるＬＯＣ
ＯＳ，ＯＳＥＬＯ等の素子分離形成工程では、シリコン
酸化膜、シリコン窒化膜等のプラズマによるエッチング
が行われるが、この際、半導体基板にエッチングダメー
ジや金属汚染が導入される。これらのダメージ、金属汚
染は、素子分離膜形成後の素子分離領域間のリーク電流
増加の原因になることが知られている。このようなダメ
ージ層を除去するために、硝酸（ＨＮＯ3）＋フッ酸
（ＨＦ）系の洗浄によってシリコン基板を数百Åエッチ
ングする方法がある。
ＯＳ，ＯＳＥＬＯ等の素子分離形成工程では、シリコン
酸化膜、シリコン窒化膜等のプラズマによるエッチング
が行われるが、この際、半導体基板にエッチングダメー
ジや金属汚染が導入される。これらのダメージ、金属汚
染は、素子分離膜形成後の素子分離領域間のリーク電流
増加の原因になることが知られている。このようなダメ
ージ層を除去するために、硝酸（ＨＮＯ3）＋フッ酸
（ＨＦ）系の洗浄によってシリコン基板を数百Åエッチ
ングする方法がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の硝酸（ＨＮ
Ｏ3）＋フッ酸（ＨＦ）系の洗浄によるシリコン基板エ
ッチングでは、プラズマエッチングにより導入されるダ
メージ層の除去が可能であるが、金属汚染を効果的に除
去できないために、素子分離領域間や素子分離領域周辺
のリーク電流を十分に低減できない。
Ｏ3）＋フッ酸（ＨＦ）系の洗浄によるシリコン基板エ
ッチングでは、プラズマエッチングにより導入されるダ
メージ層の除去が可能であるが、金属汚染を効果的に除
去できないために、素子分離領域間や素子分離領域周辺
のリーク電流を十分に低減できない。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明の方法は、素子分離工程におけるシリコン酸化
膜、シリコン窒化膜等のプラズマエッチング後に、硝酸
（ＨＮＯ3）＋フッ酸（ＨＦ）系の洗浄に引続き、塩酸
（ＨＣｌ）又は塩酸（ＨＣｌ）＋過酸化水素水（Ｈ
2Ｏ2）系の洗浄を続けて行うものである。
の本発明の方法は、素子分離工程におけるシリコン酸化
膜、シリコン窒化膜等のプラズマエッチング後に、硝酸
（ＨＮＯ3）＋フッ酸（ＨＦ）系の洗浄に引続き、塩酸
（ＨＣｌ）又は塩酸（ＨＣｌ）＋過酸化水素水（Ｈ
2Ｏ2）系の洗浄を続けて行うものである。
【０００５】
【作用】素子分離工程に於いて、プラズマエッチング後
に半導体基板に導入されるエッチングダメージを、硝酸
（ＨＮＯ3）＋フッ酸（ＨＦ）系の洗浄で除去し、さら
に、金属元素を、塩酸（ＨＣｌ）又は塩酸（ＨＣｌ）＋
過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）系の洗浄で効率よく除去するこ
とで、素子分離膜形成後のリーク電流を低減できる。
に半導体基板に導入されるエッチングダメージを、硝酸
（ＨＮＯ3）＋フッ酸（ＨＦ）系の洗浄で除去し、さら
に、金属元素を、塩酸（ＨＣｌ）又は塩酸（ＨＣｌ）＋
過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）系の洗浄で効率よく除去するこ
とで、素子分離膜形成後のリーク電流を低減できる。
【０００６】
【実施例】本発明の半導体基板洗浄方法を、素子分離工
程の１つであるＯＳＥＬＯ工程に適用した実施例を以下
に示す。ＯＳＥＬＯ工程は、図１に示すように、（ａ）
酸化膜、シリコン窒化膜、ＣＶＤ酸化膜形成、（ｂ）３
層膜のプラズマエッチング、（ｃ）シリコン窒化膜、Ｃ
ＶＤ酸化膜堆積、（ｄ）２層膜のプラズマエッチング、
（ｅ）イオン注入、（ｆ）ＣＶＤ酸化膜除去、（ｇ）素
子分離酸化、（ｈ）シリコン窒化膜、酸化膜除去、の各
工程から成る。
程の１つであるＯＳＥＬＯ工程に適用した実施例を以下
に示す。ＯＳＥＬＯ工程は、図１に示すように、（ａ）
酸化膜、シリコン窒化膜、ＣＶＤ酸化膜形成、（ｂ）３
層膜のプラズマエッチング、（ｃ）シリコン窒化膜、Ｃ
ＶＤ酸化膜堆積、（ｄ）２層膜のプラズマエッチング、
（ｅ）イオン注入、（ｆ）ＣＶＤ酸化膜除去、（ｇ）素
子分離酸化、（ｈ）シリコン窒化膜、酸化膜除去、の各
工程から成る。
【０００７】このＯＳＥＬＯ工程に於いて、（ｂ），
（ｄ）のプラズマエッチング後に、（ｉ）硝酸＋フッ酸
（ＨＮＯ3：ＨＦ：Ｈ2Ｏ＝４３：１：７０）によるシリ
コン基板のエッチング（１００Å）処理、（ｉｉ）硝酸
＋フッ酸によるシリコン基板エッチング（１００Å）に
引続き、塩酸＋過酸化水素水（ＨＣｌ：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ
＝１：１：５）による洗浄（１０分）を行い、素子分離
形成後に、素子分離領域で囲まれた部分にＰＮダイオー
ドを形成し、ＰＮダイオードの逆方向電圧印加時のリー
ク電流を比較した。（面積１ｍｍ2、素子分離の周囲長
３ｍ、逆方向電圧５Ｖでのリーク電流を測定）。図２に
示すように、硝酸＋フッ酸によるエッチングだけでは、
プラズマエッチング後に何も処理をしない場合
（（Ａ））に比べ、リーク電流分布は殆ど変化しないが
（（Ｂ））、硝酸＋フッ酸によるエッチングに引き続
き、塩酸＋過酸化水素水で洗浄した場合には、リーク電
流の減少がみられる（（Ｃ））。
（ｄ）のプラズマエッチング後に、（ｉ）硝酸＋フッ酸
（ＨＮＯ3：ＨＦ：Ｈ2Ｏ＝４３：１：７０）によるシリ
コン基板のエッチング（１００Å）処理、（ｉｉ）硝酸
＋フッ酸によるシリコン基板エッチング（１００Å）に
引続き、塩酸＋過酸化水素水（ＨＣｌ：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ
＝１：１：５）による洗浄（１０分）を行い、素子分離
形成後に、素子分離領域で囲まれた部分にＰＮダイオー
ドを形成し、ＰＮダイオードの逆方向電圧印加時のリー
ク電流を比較した。（面積１ｍｍ2、素子分離の周囲長
３ｍ、逆方向電圧５Ｖでのリーク電流を測定）。図２に
示すように、硝酸＋フッ酸によるエッチングだけでは、
プラズマエッチング後に何も処理をしない場合
（（Ａ））に比べ、リーク電流分布は殆ど変化しないが
（（Ｂ））、硝酸＋フッ酸によるエッチングに引き続
き、塩酸＋過酸化水素水で洗浄した場合には、リーク電
流の減少がみられる（（Ｃ））。
【０００８】
【発明の効果】本発明の半導体基板の洗浄方法により、
素子分離領域間、素子分離領域周辺のリーク電流を低減
できる。
素子分離領域間、素子分離領域周辺のリーク電流を低減
できる。
【図１】ＯＳＥＬＯ工程の説明図である。
【図２】本発明の方法と従来方法で、プラズマエッチン
グ後に洗浄を行った場合の、ＰＮダイオード逆方向リー
ク電流分布を示す図である。
グ後に洗浄を行った場合の、ＰＮダイオード逆方向リー
ク電流分布を示す図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 半導体素子の素子分離工程に於いて、半
導体基板のプラズマエッチング処理後に、硝酸（ＨＮＯ
3）＋フッ酸（ＨＦ）系の洗浄、および塩酸（ＨＣｌ）
又は塩酸（ＨＣｌ）＋過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）系の洗浄
を連続して行うことを特徴とする、半導体基板の洗浄方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16954491A JPH0521595A (ja) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | 半導体基板の洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16954491A JPH0521595A (ja) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | 半導体基板の洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0521595A true JPH0521595A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=15888451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16954491A Pending JPH0521595A (ja) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | 半導体基板の洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0521595A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5940719A (en) * | 1996-04-22 | 1999-08-17 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method for forming element isolating film of semiconductor device |
| US6448139B2 (en) | 2000-06-09 | 2002-09-10 | Denso Corporation | Manufacturing method of semiconductor device |
| JP2002270813A (ja) * | 2001-03-08 | 2002-09-20 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| KR100714311B1 (ko) * | 2006-01-27 | 2007-05-02 | 삼성전자주식회사 | 실리콘 표면의 세정용액 및 이를 사용하는 반도체 소자의제조방법들 |
| US7306681B2 (en) * | 2004-05-12 | 2007-12-11 | United Microelectronics Corp. | Method of cleaning a semiconductor substrate |
| US7442652B2 (en) | 2002-02-04 | 2008-10-28 | Nec Electronics Corporation | Method for removing contamination and method for fabricating semiconductor device |
| CN102361018A (zh) * | 2011-10-13 | 2012-02-22 | 上海华力微电子有限公司 | 一种改善浅沟槽隔离衬底制程中小球状缺陷的方法 |
| WO2014057861A1 (ja) * | 2012-10-11 | 2014-04-17 | セントラル硝子株式会社 | ガラス基板の洗浄方法 |
-
1991
- 1991-07-10 JP JP16954491A patent/JPH0521595A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5940719A (en) * | 1996-04-22 | 1999-08-17 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method for forming element isolating film of semiconductor device |
| US6027985A (en) * | 1996-04-22 | 2000-02-22 | Hyundai Electronics Industries Co., Inc. | Method for forming element isolating film of semiconductor device |
| US6448139B2 (en) | 2000-06-09 | 2002-09-10 | Denso Corporation | Manufacturing method of semiconductor device |
| JP2002270813A (ja) * | 2001-03-08 | 2002-09-20 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US7442652B2 (en) | 2002-02-04 | 2008-10-28 | Nec Electronics Corporation | Method for removing contamination and method for fabricating semiconductor device |
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| KR100714311B1 (ko) * | 2006-01-27 | 2007-05-02 | 삼성전자주식회사 | 실리콘 표면의 세정용액 및 이를 사용하는 반도체 소자의제조방법들 |
| US7879735B2 (en) | 2006-01-27 | 2011-02-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Cleaning solution for silicon surface and methods of fabricating semiconductor device using the same |
| CN102361018A (zh) * | 2011-10-13 | 2012-02-22 | 上海华力微电子有限公司 | 一种改善浅沟槽隔离衬底制程中小球状缺陷的方法 |
| WO2014057861A1 (ja) * | 2012-10-11 | 2014-04-17 | セントラル硝子株式会社 | ガラス基板の洗浄方法 |
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