JPH07249607A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH07249607A JPH07249607A JP4273694A JP4273694A JPH07249607A JP H07249607 A JPH07249607 A JP H07249607A JP 4273694 A JP4273694 A JP 4273694A JP 4273694 A JP4273694 A JP 4273694A JP H07249607 A JPH07249607 A JP H07249607A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 アルミニウム或はアルミニウム合金からなる
配線を浸食することなくエッチングによるデポ物を除去
することにより、アフターコロージョンの発生を防止す
ることができる半導体装置の製造方法を提供することに
ある。 【構成】 アルミニウム或はアルミニウム合金のエッチ
ングにより配線の微細加工をする半導体装置の製造方法
において、エッチング後加熱した硝酸溶液に浸漬する浸
漬工程を有する。
配線を浸食することなくエッチングによるデポ物を除去
することにより、アフターコロージョンの発生を防止す
ることができる半導体装置の製造方法を提供することに
ある。 【構成】 アルミニウム或はアルミニウム合金のエッチ
ングにより配線の微細加工をする半導体装置の製造方法
において、エッチング後加熱した硝酸溶液に浸漬する浸
漬工程を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造方法
に関し、特に、半導体製造過程における配線層の微細加
工に関する。
に関し、特に、半導体製造過程における配線層の微細加
工に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体製造過程において、アルミ
ニウム（Ａｌ）又はアルミニウム合金のエッチングによ
り配線の微細加工をする半導体装置の製造方法が知られ
ている。エッチングは、塩素系ガス又は臭素系ガスによ
る反応性ガスプラズマを用いたドライエッチングにより
行われており、エッチング後の配線は異方性形状が得ら
れる。
ニウム（Ａｌ）又はアルミニウム合金のエッチングによ
り配線の微細加工をする半導体装置の製造方法が知られ
ている。エッチングは、塩素系ガス又は臭素系ガスによ
る反応性ガスプラズマを用いたドライエッチングにより
行われており、エッチング後の配線は異方性形状が得ら
れる。
【０００３】ところで、エッチング後の配線には、通称
デポ物と言われる堆積物等が付着していないことが必要
であり、特に、反応生成物等のデポ物には次のアッシン
グ工程では除去できないものが有ることから、デポ物の
除去は不可欠である。このデポ物は、例えば、希フッ酸
溶液や燐酸溶液に浸すことにより除去することができる
が、希フッ酸溶液は、マスク及び下地のシリコン酸化
（ＳｉＯ2）膜やアルミニウム配線自体を侵食してしま
い、また、燐酸溶液は、アルミニウムを溶かすので配線
自体を侵食してしまう。
デポ物と言われる堆積物等が付着していないことが必要
であり、特に、反応生成物等のデポ物には次のアッシン
グ工程では除去できないものが有ることから、デポ物の
除去は不可欠である。このデポ物は、例えば、希フッ酸
溶液や燐酸溶液に浸すことにより除去することができる
が、希フッ酸溶液は、マスク及び下地のシリコン酸化
（ＳｉＯ2）膜やアルミニウム配線自体を侵食してしま
い、また、燐酸溶液は、アルミニウムを溶かすので配線
自体を侵食してしまう。
【０００４】なお、このデポ物は、ダウンフローアッシ
ング（Ｏ2＋Ｎ2，Ｏ2＋Ｈ2Ｏ，Ｏ2＋ＣＦ4）によって
も、或はエッチングした試料を大気に晒さずに真空搬送
してダウンフローアッシング（Ｏ2＋Ｎ2，Ｏ2＋Ｈ2Ｏ，
Ｏ2＋ＣＦ4）することによっても、除去することはでき
ない。また、エッチング後に純水洗浄するとデポ物が小
さくなるが、これは、アルミニウム又はアルミニウム合
金のエッチングによる反応生成物であるＡｌＣｌ3が純
水に溶けて除去できただけであり、デポ物を完全に除去
することはできない。
ング（Ｏ2＋Ｎ2，Ｏ2＋Ｈ2Ｏ，Ｏ2＋ＣＦ4）によって
も、或はエッチングした試料を大気に晒さずに真空搬送
してダウンフローアッシング（Ｏ2＋Ｎ2，Ｏ2＋Ｈ2Ｏ，
Ｏ2＋ＣＦ4）することによっても、除去することはでき
ない。また、エッチング後に純水洗浄するとデポ物が小
さくなるが、これは、アルミニウム又はアルミニウム合
金のエッチングによる反応生成物であるＡｌＣｌ3が純
水に溶けて除去できただけであり、デポ物を完全に除去
することはできない。
【０００５】更に、常温（２０℃）の硝酸溶液に浸して
もやはりデポ物の完全除去はできない。
もやはりデポ物の完全除去はできない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、デポ物
が完全に除去できないと、エッチング時に吸着したり取
り込んだ塩素（Ｃｌ2）や臭素（Ｂｒ2）が除去しきれな
いのでアフターコロージョンが発生するという問題点が
あった。本発明は、上記問題点に鑑みてなされたもので
あり、その目的は、アルミニウム又はアルミニウム合金
からなる配線を浸食することなくエッチングによるデポ
物を除去することにより、アフターコロージョンの発生
を防止することができる半導体装置の製造方法を提供す
ることにある。
が完全に除去できないと、エッチング時に吸着したり取
り込んだ塩素（Ｃｌ2）や臭素（Ｂｒ2）が除去しきれな
いのでアフターコロージョンが発生するという問題点が
あった。本発明は、上記問題点に鑑みてなされたもので
あり、その目的は、アルミニウム又はアルミニウム合金
からなる配線を浸食することなくエッチングによるデポ
物を除去することにより、アフターコロージョンの発生
を防止することができる半導体装置の製造方法を提供す
ることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的は、アルミニウ
ム又はアルミニウム合金のエッチングにより配線の微細
加工をする半導体装置の製造方法において、前記エッチ
ング後加熱した硝酸溶液に浸漬する浸漬工程を有するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法により達成され
る。
ム又はアルミニウム合金のエッチングにより配線の微細
加工をする半導体装置の製造方法において、前記エッチ
ング後加熱した硝酸溶液に浸漬する浸漬工程を有するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法により達成され
る。
【０００８】また、前記硝酸溶液は、硝酸濃度が４０〜
７０％であることを特徴とする半導体装置の製造方法に
より達成される。また、前記硝酸溶液は、温度が５０〜
７０℃、且つ硝酸濃度が５０〜７０％であることを特徴
とする半導体装置の製造方法により達成される。また、
前記硝酸溶液は、温度が７０〜９０℃、且つ硝酸濃度が
４０〜５０％であることを特徴とする半導体装置の製造
方法により達成される。
７０％であることを特徴とする半導体装置の製造方法に
より達成される。また、前記硝酸溶液は、温度が５０〜
７０℃、且つ硝酸濃度が５０〜７０％であることを特徴
とする半導体装置の製造方法により達成される。また、
前記硝酸溶液は、温度が７０〜９０℃、且つ硝酸濃度が
４０〜５０％であることを特徴とする半導体装置の製造
方法により達成される。
【０００９】また、エッチングされる前記アルミニウム
又はアルミニウム合金を覆うマスクが、シリコン酸化膜
又はレジストからなることを特徴とする半導体装置の製
造方法により達成される。また、エッチングに用いるガ
スは、塩素又は塩素系の混合ガスであることを特徴とす
る半導体装置の製造方法により達成される。
又はアルミニウム合金を覆うマスクが、シリコン酸化膜
又はレジストからなることを特徴とする半導体装置の製
造方法により達成される。また、エッチングに用いるガ
スは、塩素又は塩素系の混合ガスであることを特徴とす
る半導体装置の製造方法により達成される。
【００１０】また、エッチングに用いるガスは、臭素又
は臭素系の混合ガスであることを特徴とする半導体装置
の製造方法により達成される。また、エッチング時の電
極又はステージ温度は、−３０〜２０℃であることを特
徴とする半導体装置の製造方法により達成される。ま
た、エッチング時の電極又はステージ温度は、８０〜１
２０℃であることを特徴とする半導体装置の製造方法に
より達成される。
は臭素系の混合ガスであることを特徴とする半導体装置
の製造方法により達成される。また、エッチング時の電
極又はステージ温度は、−３０〜２０℃であることを特
徴とする半導体装置の製造方法により達成される。ま
た、エッチング時の電極又はステージ温度は、８０〜１
２０℃であることを特徴とする半導体装置の製造方法に
より達成される。
【００１１】
【作用】本発明によれば、アルミニウム又はアルミニウ
ム合金のエッチングにより配線の微細加工をする半導体
装置の製造方法において、エッチング後加熱した硝酸溶
液に浸漬する浸漬工程を有することにより、アルミニウ
ム又はアルミニウム合金層からなる配線自体を侵食する
ことなく、デポ物のみを除去することができる。
ム合金のエッチングにより配線の微細加工をする半導体
装置の製造方法において、エッチング後加熱した硝酸溶
液に浸漬する浸漬工程を有することにより、アルミニウ
ム又はアルミニウム合金層からなる配線自体を侵食する
ことなく、デポ物のみを除去することができる。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例による半導体装置の製
造方法を説明する。 （実施例１）半導体装置の製造方法に使用される試料１
０は、図１に示すように、下地であるＰＳＧ層１１の上
に、窒化チタン／チタン（ＴｉＮ／Ｔｉ）層１２を介し
て、配線層であるアルミニウム合金層１３を有してい
る。アルミニウム合金層１３は、アルミニウム（Ａｌ）
−銅（Ｃｕ）の合金により形成されている。なお、アル
ミニウム合金層１３は、アルミニウム（Ａｌ）により形
成してもよい。
造方法を説明する。 （実施例１）半導体装置の製造方法に使用される試料１
０は、図１に示すように、下地であるＰＳＧ層１１の上
に、窒化チタン／チタン（ＴｉＮ／Ｔｉ）層１２を介し
て、配線層であるアルミニウム合金層１３を有してい
る。アルミニウム合金層１３は、アルミニウム（Ａｌ）
−銅（Ｃｕ）の合金により形成されている。なお、アル
ミニウム合金層１３は、アルミニウム（Ａｌ）により形
成してもよい。
【００１３】この試料１０に対し、平行平板型ＲＩＥ装
置を用いて、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）１４からなる
マスクにより覆われた（マスキングされた）アルミニウ
ム合金層１３を以下の条件でエッチングした。 ［エッチング条件］ Ｃｌ2／ＢＣｌ3＝５０／５０ｓｃｃｍ 圧力 １０ｍＴｏｒｒ ＲＦパワー ７００Ｗ 電極温度 −２０℃ エッチング後の試料１０は、図２に示すように、アルミ
ニウム合金層１３の側壁及びシリコン酸化膜１４の側壁
から上方に側壁デポ物（デポ物）１５が付着している。
置を用いて、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）１４からなる
マスクにより覆われた（マスキングされた）アルミニウ
ム合金層１３を以下の条件でエッチングした。 ［エッチング条件］ Ｃｌ2／ＢＣｌ3＝５０／５０ｓｃｃｍ 圧力 １０ｍＴｏｒｒ ＲＦパワー ７００Ｗ 電極温度 −２０℃ エッチング後の試料１０は、図２に示すように、アルミ
ニウム合金層１３の側壁及びシリコン酸化膜１４の側壁
から上方に側壁デポ物（デポ物）１５が付着している。
【００１４】この試料１０を用いて、以下に示す処理を
行った。 （実施例１−１）試料１０を流水状態で１０分間の純水
洗浄を行った。純水洗浄により、側壁デポ物１５の内で
水に溶けるＡｌＣｌ3だけは除去できているが、側壁デ
ポ物１５を完全に除去することはできない（図３（ａ）
参照）。
行った。 （実施例１−１）試料１０を流水状態で１０分間の純水
洗浄を行った。純水洗浄により、側壁デポ物１５の内で
水に溶けるＡｌＣｌ3だけは除去できているが、側壁デ
ポ物１５を完全に除去することはできない（図３（ａ）
参照）。
【００１５】（実施例１−２）試料１０を、硝酸（ＨＮ
Ｏ3）濃度６１％で液温２０℃の硝酸溶液に１分間及び
３分間浸し、その後１５分間の純水洗浄を行った。硝酸
溶液により、側壁デポ物１５は純水洗浄の場合に比べて
小さくなっているが、完全に除去することはできない
（図３（ｂ）参照）。
Ｏ3）濃度６１％で液温２０℃の硝酸溶液に１分間及び
３分間浸し、その後１５分間の純水洗浄を行った。硝酸
溶液により、側壁デポ物１５は純水洗浄の場合に比べて
小さくなっているが、完全に除去することはできない
（図３（ｂ）参照）。
【００１６】（実施例１−３）試料１０を、フッ酸（Ｈ
Ｆ）濃度５％のフッ酸溶液に５秒間浸し、その後２０分
間の純水洗浄を行った。フッ酸溶液により、側壁デポ物
１５は除去できているが、アルミニウム合金層１３の側
壁等が侵食されている（図３（ｃ）参照）。 （実施例１−４）試料１０を大気に晒した後、Ｏ2＋Ｈ2
Ｏダウンフローに２分間及び５分間晒して、アッシング
処理を行った。しかし、側壁デポ物１５は殆ど除去でき
ずに残っている（図４（ａ）参照）。
Ｆ）濃度５％のフッ酸溶液に５秒間浸し、その後２０分
間の純水洗浄を行った。フッ酸溶液により、側壁デポ物
１５は除去できているが、アルミニウム合金層１３の側
壁等が侵食されている（図３（ｃ）参照）。 （実施例１−４）試料１０を大気に晒した後、Ｏ2＋Ｈ2
Ｏダウンフローに２分間及び５分間晒して、アッシング
処理を行った。しかし、側壁デポ物１５は殆ど除去でき
ずに残っている（図４（ａ）参照）。
【００１７】なお、Ｏ2＋Ｈ2Ｏアッシング条件は以下の
通りであり、ダウンフローアッシング装置を用いた。 ［アッシング条件］ Ｏ2／Ｈ2Ｏ＝９００／１００ｓｃｃｍ 圧力 １．０Ｔｏｒｒ μ波パワー １．５ＫＷ 電極温度 ２００℃ （実施例１−５）試料１０を大気に晒した後、Ｏ2＋Ｃ
Ｆ4ダウンフローに２分間晒して、アッシング処理を行
った。しかし、側壁デポ物１５は殆ど除去できずに残っ
ている（図４（ｂ）参照）。
通りであり、ダウンフローアッシング装置を用いた。 ［アッシング条件］ Ｏ2／Ｈ2Ｏ＝９００／１００ｓｃｃｍ 圧力 １．０Ｔｏｒｒ μ波パワー １．５ＫＷ 電極温度 ２００℃ （実施例１−５）試料１０を大気に晒した後、Ｏ2＋Ｃ
Ｆ4ダウンフローに２分間晒して、アッシング処理を行
った。しかし、側壁デポ物１５は殆ど除去できずに残っ
ている（図４（ｂ）参照）。
【００１８】なお、Ｏ2＋ＣＦ4アッシング条件は以下の
通りであり、ダウンフローアッシング装置を用いた。 ［アッシング条件］ Ｏ2／ＣＦ4＝８００／２００ｓｃｃｍ 圧力 ０．８Ｔｏｒｒ μ波パワー １．５ＫＷ 電極温度 ４０℃ （実施例１−６）試料１０を大気に晒すことなく、真空
搬送してＯ2＋Ｈ2Ｏダウンフローに晒して、エッチング
・アッシングの連続処理を行った。しかし、側壁デポ物
１５は除去できずに残っている（図４（ａ）参照）。ア
ッシング時間は、１，２，４分間と変えたが、何れの場
合も側壁デポ物１５は除去できない。
通りであり、ダウンフローアッシング装置を用いた。 ［アッシング条件］ Ｏ2／ＣＦ4＝８００／２００ｓｃｃｍ 圧力 ０．８Ｔｏｒｒ μ波パワー １．５ＫＷ 電極温度 ４０℃ （実施例１−６）試料１０を大気に晒すことなく、真空
搬送してＯ2＋Ｈ2Ｏダウンフローに晒して、エッチング
・アッシングの連続処理を行った。しかし、側壁デポ物
１５は除去できずに残っている（図４（ａ）参照）。ア
ッシング時間は、１，２，４分間と変えたが、何れの場
合も側壁デポ物１５は除去できない。
【００１９】なお、アッシング条件は以下の通りであ
り、ダウンフローアッシング装置を用いた。 ［アッシング条件］ Ｏ2／Ｈ2Ｏ＝９００／１００ｓｃｃｍ 圧力 １．０Ｔｏｒｒ μ波パワー １．５ＫＷ 電極温度 ２００℃ （実施例１−７）試料１０を大気に晒すことなく、真空
搬送してＯ2＋ＣＦ4ダウンフローに晒して、エッチング
・アッシングの連続処理を行った。しかし、側壁デポ物
１５は除去できずに残っている（図４（ｂ）参照）。ア
ッシング時間は、１，２，４分間と変えて試みたが、何
れの場合も側壁デポ物１５は除去できない。
り、ダウンフローアッシング装置を用いた。 ［アッシング条件］ Ｏ2／Ｈ2Ｏ＝９００／１００ｓｃｃｍ 圧力 １．０Ｔｏｒｒ μ波パワー １．５ＫＷ 電極温度 ２００℃ （実施例１−７）試料１０を大気に晒すことなく、真空
搬送してＯ2＋ＣＦ4ダウンフローに晒して、エッチング
・アッシングの連続処理を行った。しかし、側壁デポ物
１５は除去できずに残っている（図４（ｂ）参照）。ア
ッシング時間は、１，２，４分間と変えて試みたが、何
れの場合も側壁デポ物１５は除去できない。
【００２０】なお、アッシング条件は以下の通りであ
り、ダウンフローアッシング装置を用いた。 ［アッシング条件］ Ｏ2／ＣＦ4＝８００／２００ｓｃｃｍ 圧力 ０．８Ｔｏｒｒ μ波パワー １．５ＫＷ 電極温度 ４０℃ （実施例１−８）試料１０を、６０℃に加熱した硝酸濃
度６１％の硝酸溶液に６０秒間浸した後、純水洗浄を１
０分間行った。この処理により、側壁デポ物１５は完全
に除去することができた。この際、配線自体のアルミニ
ウム合金層１３を侵食することなく、シリコン酸化膜１
４及びＰＳＧ層１１のシリコン酸化膜をエッチングして
膜厚が減少することもない状態で、側壁デポ物１５のみ
を除去することができた（図５参照）。
り、ダウンフローアッシング装置を用いた。 ［アッシング条件］ Ｏ2／ＣＦ4＝８００／２００ｓｃｃｍ 圧力 ０．８Ｔｏｒｒ μ波パワー １．５ＫＷ 電極温度 ４０℃ （実施例１−８）試料１０を、６０℃に加熱した硝酸濃
度６１％の硝酸溶液に６０秒間浸した後、純水洗浄を１
０分間行った。この処理により、側壁デポ物１５は完全
に除去することができた。この際、配線自体のアルミニ
ウム合金層１３を侵食することなく、シリコン酸化膜１
４及びＰＳＧ層１１のシリコン酸化膜をエッチングして
膜厚が減少することもない状態で、側壁デポ物１５のみ
を除去することができた（図５参照）。
【００２１】即ち、試料１０は、６０℃に加熱した硝酸
濃度６１％の硝酸溶液に６０秒間浸した浸漬工程を経る
こととなる。 （実施例１−９）試料１０を、８０℃に加熱した硝酸濃
度４０％の硝酸溶液に２０秒間浸した後、純水洗浄を１
０分間行った。この処理により、側壁デポ物１５は完全
に除去することができた。この際、配線自体のアルミニ
ウム合金層１３を侵食することなく、シリコン酸化膜１
４及びＰＳＧ層１１のシリコン酸化膜をエッチングして
膜厚が減少することもない状態で、側壁デポ物１５のみ
を除去することができた（図５参照）。
濃度６１％の硝酸溶液に６０秒間浸した浸漬工程を経る
こととなる。 （実施例１−９）試料１０を、８０℃に加熱した硝酸濃
度４０％の硝酸溶液に２０秒間浸した後、純水洗浄を１
０分間行った。この処理により、側壁デポ物１５は完全
に除去することができた。この際、配線自体のアルミニ
ウム合金層１３を侵食することなく、シリコン酸化膜１
４及びＰＳＧ層１１のシリコン酸化膜をエッチングして
膜厚が減少することもない状態で、側壁デポ物１５のみ
を除去することができた（図５参照）。
【００２２】即ち、試料１０は、８０℃に加熱した硝酸
濃度４０％の硝酸溶液に２０秒間浸した浸漬工程を経る
こととなる。以上、（実施例１−８）及び（実施例１−
９）に示すように、加熱した硝酸溶液に浸漬する浸漬工
程を経ることにより、配線部であるアルミニウム合金層
１３、シリコン酸化膜１４及び下地であるＰＳＧ層１１
を侵食することなく、側壁デポ物１５のみを完全に除去
することができる。 （実施例２）この実施例に示す試料１０は、アルミニウ
ム（Ａｌ）−銅（Ｃｕ）−チタン（Ｔｉ）の合金である
アルミニウム合金層１３からなる配線層を有している
（図１参照）。
濃度４０％の硝酸溶液に２０秒間浸した浸漬工程を経る
こととなる。以上、（実施例１−８）及び（実施例１−
９）に示すように、加熱した硝酸溶液に浸漬する浸漬工
程を経ることにより、配線部であるアルミニウム合金層
１３、シリコン酸化膜１４及び下地であるＰＳＧ層１１
を侵食することなく、側壁デポ物１５のみを完全に除去
することができる。 （実施例２）この実施例に示す試料１０は、アルミニウ
ム（Ａｌ）−銅（Ｃｕ）−チタン（Ｔｉ）の合金である
アルミニウム合金層１３からなる配線層を有している
（図１参照）。
【００２３】この試料１０に対し、平行平板型ＲＩＥ装
置を用いて、シリコン酸化膜１４によりマスキングされ
たアルミニウム合金層１３を以下の条件でエッチングし
た。 ［エッチング条件］ ＨＢｒ／Ａｒ＝５０／５０ｓｃｃｍ 圧力 ３０ｍＴｏｒｒ ＲＦパワー ５００Ｗ 電極温度 ８０℃ エッチング後の試料１０は、アルミニウム合金層１３の
側壁及びシリコン酸化膜１４の側壁から上方に側壁デポ
物１５が付着している（図２参照）。
置を用いて、シリコン酸化膜１４によりマスキングされ
たアルミニウム合金層１３を以下の条件でエッチングし
た。 ［エッチング条件］ ＨＢｒ／Ａｒ＝５０／５０ｓｃｃｍ 圧力 ３０ｍＴｏｒｒ ＲＦパワー ５００Ｗ 電極温度 ８０℃ エッチング後の試料１０は、アルミニウム合金層１３の
側壁及びシリコン酸化膜１４の側壁から上方に側壁デポ
物１５が付着している（図２参照）。
【００２４】この試料１０を用いて、以下に示す処理を
行った。 （実施例２−１）試料１０を流水状態で１０分間の純水
洗浄を行ったが、側壁デポ物１５を完全に除去すること
はできない（図３（ａ）参照）。 （実施例２−２）試料１０を、硝酸（ＨＮＯ3）濃度６
１％で液温２０℃の硝酸溶液に１分間及び３分間浸し、
その後１５分間の純水洗浄を行った。硝酸溶液により、
側壁デポ物１５は純水洗浄の場合に比べて小さくなって
いるが、完全に除去することはできない（図３（ｂ）参
照）。
行った。 （実施例２−１）試料１０を流水状態で１０分間の純水
洗浄を行ったが、側壁デポ物１５を完全に除去すること
はできない（図３（ａ）参照）。 （実施例２−２）試料１０を、硝酸（ＨＮＯ3）濃度６
１％で液温２０℃の硝酸溶液に１分間及び３分間浸し、
その後１５分間の純水洗浄を行った。硝酸溶液により、
側壁デポ物１５は純水洗浄の場合に比べて小さくなって
いるが、完全に除去することはできない（図３（ｂ）参
照）。
【００２５】（実施例２−３）試料１０を、フッ酸（Ｈ
Ｆ）濃度５％のフッ酸溶液に５秒間浸し、その後２０分
間の純水洗浄を行った。フッ酸溶液により、側壁デポ物
１５は除去できているが、アルミニウム合金層１３の側
壁等が侵食されている（図３（ｃ）参照）。 （実施例２−４）試料１０を大気に晒した後、Ｏ2＋Ｈ2
Ｏダウンフローに２分間及び５分間晒して、アッシング
処理を行った。しかし、側壁デポ物１５は殆ど除去でき
ずに残っている（図４（ａ）参照）。
Ｆ）濃度５％のフッ酸溶液に５秒間浸し、その後２０分
間の純水洗浄を行った。フッ酸溶液により、側壁デポ物
１５は除去できているが、アルミニウム合金層１３の側
壁等が侵食されている（図３（ｃ）参照）。 （実施例２−４）試料１０を大気に晒した後、Ｏ2＋Ｈ2
Ｏダウンフローに２分間及び５分間晒して、アッシング
処理を行った。しかし、側壁デポ物１５は殆ど除去でき
ずに残っている（図４（ａ）参照）。
【００２６】なお、Ｏ2＋Ｈ2Ｏアッシング条件は以下の
通りであり、ダウンフローアッシング装置を用いた。 ［アッシング条件］ Ｏ2／Ｈ2Ｏ＝９００／１００ｓｃｃｍ 圧力 １．０Ｔｏｒｒ μ波パワー １．５ＫＷ 電極温度 ２００℃ （実施例２−５）試料１０を大気に晒した後、Ｏ2＋Ｃ
Ｆ4ダウンフローに２分間晒して、アッシング処理を行
った。しかし、側壁デポ物１５は殆ど除去できずに残っ
ている（図４（ｂ）参照）。
通りであり、ダウンフローアッシング装置を用いた。 ［アッシング条件］ Ｏ2／Ｈ2Ｏ＝９００／１００ｓｃｃｍ 圧力 １．０Ｔｏｒｒ μ波パワー １．５ＫＷ 電極温度 ２００℃ （実施例２−５）試料１０を大気に晒した後、Ｏ2＋Ｃ
Ｆ4ダウンフローに２分間晒して、アッシング処理を行
った。しかし、側壁デポ物１５は殆ど除去できずに残っ
ている（図４（ｂ）参照）。
【００２７】なお、Ｏ2＋ＣＦ4アッシング条件は以下の
通りであり、ダウンフローアッシング装置を用いた。 ［アッシング条件］ Ｏ2／ＣＦ4＝８００／２００ｓｃｃｍ 圧力 ０．８Ｔｏｒｒ μ波パワー １．５ＫＷ 電極温度 ４０℃ （実施例２−６）試料１０を大気に晒すことなく、真空
搬送してＯ2＋Ｈ2Ｏダウンフローに晒して、エッチング
・アッシングの連続処理を行った。しかし、側壁デポ物
１５は除去できずに残っている（図４（ａ）参照）。ア
ッシング時間は、１，２，４分間と変えたが、何れの場
合も側壁デポ物１５は除去できない。
通りであり、ダウンフローアッシング装置を用いた。 ［アッシング条件］ Ｏ2／ＣＦ4＝８００／２００ｓｃｃｍ 圧力 ０．８Ｔｏｒｒ μ波パワー １．５ＫＷ 電極温度 ４０℃ （実施例２−６）試料１０を大気に晒すことなく、真空
搬送してＯ2＋Ｈ2Ｏダウンフローに晒して、エッチング
・アッシングの連続処理を行った。しかし、側壁デポ物
１５は除去できずに残っている（図４（ａ）参照）。ア
ッシング時間は、１，２，４分間と変えたが、何れの場
合も側壁デポ物１５は除去できない。
【００２８】なお、アッシング条件は以下の通りであ
り、ダウンフローアッシング装置を用いた。 ［アッシング条件］ Ｏ2／Ｈ2Ｏ＝９００／１００ｓｃｃｍ 圧力 １．０Ｔｏｒｒ μ波パワー １．５ＫＷ 電極温度 ２００℃ （実施例２−７）試料１０を大気に晒すことなく、真空
搬送してＯ2＋ＣＦ4ダウンフローに晒して、エッチング
・アッシングの連続処理を行った。しかし、側壁デポ物
１５は除去できずに残っている（図４（ｂ）参照）。ア
ッシング時間は、１，２，４分間と変えて試みたが、何
れの場合も側壁デポ物１５は除去できない。
り、ダウンフローアッシング装置を用いた。 ［アッシング条件］ Ｏ2／Ｈ2Ｏ＝９００／１００ｓｃｃｍ 圧力 １．０Ｔｏｒｒ μ波パワー １．５ＫＷ 電極温度 ２００℃ （実施例２−７）試料１０を大気に晒すことなく、真空
搬送してＯ2＋ＣＦ4ダウンフローに晒して、エッチング
・アッシングの連続処理を行った。しかし、側壁デポ物
１５は除去できずに残っている（図４（ｂ）参照）。ア
ッシング時間は、１，２，４分間と変えて試みたが、何
れの場合も側壁デポ物１５は除去できない。
【００２９】なお、アッシング条件は以下の通りであ
り、ダウンフローアッシング装置を用いた。 ［アッシング条件］ Ｏ2／ＣＦ4＝８００／２００ｓｃｃｍ 圧力 ０．８Ｔｏｒｒ μ波パワー １．５ＫＷ 電極温度 ４０℃ （実施例２−８）試料１０を、６０℃に加熱した硝酸濃
度６１％の硝酸溶液に６０秒間浸した後、純水洗浄を１
０分間行った。この処理により、側壁デポ物１５は完全
に除去することができた。この際、配線自体のアルミニ
ウム合金層１３を侵食することなく、シリコン酸化膜１
４及びＰＳＧ層１１のシリコン酸化膜をエッチングして
膜厚が減少することもない状態で、側壁デポ物１５のみ
を除去することができた（図５参照）。
り、ダウンフローアッシング装置を用いた。 ［アッシング条件］ Ｏ2／ＣＦ4＝８００／２００ｓｃｃｍ 圧力 ０．８Ｔｏｒｒ μ波パワー １．５ＫＷ 電極温度 ４０℃ （実施例２−８）試料１０を、６０℃に加熱した硝酸濃
度６１％の硝酸溶液に６０秒間浸した後、純水洗浄を１
０分間行った。この処理により、側壁デポ物１５は完全
に除去することができた。この際、配線自体のアルミニ
ウム合金層１３を侵食することなく、シリコン酸化膜１
４及びＰＳＧ層１１のシリコン酸化膜をエッチングして
膜厚が減少することもない状態で、側壁デポ物１５のみ
を除去することができた（図５参照）。
【００３０】即ち、試料１０は、６０℃に加熱した硝酸
濃度６１％の硝酸溶液に６０秒間浸した浸漬工程を経る
こととなる。 （実施例２−９）試料１０を、８０℃に加熱した硝酸濃
度４０％の硝酸溶液に２０秒間浸した後、純水洗浄を１
０分間行った。この処理により、側壁デポ物１５は完全
に除去することができた。この際、配線自体のアルミニ
ウム合金層１３を侵食することなく、シリコン酸化膜１
４及びＰＳＧ層１１のシリコン酸化膜をエッチングして
膜厚が減少することもない状態で、側壁デポ物１５のみ
を除去することができた（図５参照）。
濃度６１％の硝酸溶液に６０秒間浸した浸漬工程を経る
こととなる。 （実施例２−９）試料１０を、８０℃に加熱した硝酸濃
度４０％の硝酸溶液に２０秒間浸した後、純水洗浄を１
０分間行った。この処理により、側壁デポ物１５は完全
に除去することができた。この際、配線自体のアルミニ
ウム合金層１３を侵食することなく、シリコン酸化膜１
４及びＰＳＧ層１１のシリコン酸化膜をエッチングして
膜厚が減少することもない状態で、側壁デポ物１５のみ
を除去することができた（図５参照）。
【００３１】即ち、試料１０は、８０℃に加熱した硝酸
濃度４０％の硝酸溶液に２０秒間浸した浸漬工程を経る
こととなる。以上、（実施例２−８）及び（実施例２−
９）に示すように、加熱した硝酸溶液に浸漬する浸漬工
程を経ることにより、配線部であるアルミニウム合金層
１３、シリコン酸化膜１４及び下地であるＰＳＧ層１１
を侵食することなく、側壁デポ物１５のみを完全に除去
することができる。 （実施例３）この実施例に係る半導体装置の製造方法に
使用される試料２０は、図６に示すように、下地である
ＰＳＧ層２１の上に、窒化チタン／チタン（ＴｉＮ／Ｔ
ｉ）層２２を介して、配線層であるアルミニウム（Ａ
ｌ）−銅（Ｃｕ）−チタン（Ｔｉ）の合金層（アルミニ
ウム合金層）２３を有している。
濃度４０％の硝酸溶液に２０秒間浸した浸漬工程を経る
こととなる。以上、（実施例２−８）及び（実施例２−
９）に示すように、加熱した硝酸溶液に浸漬する浸漬工
程を経ることにより、配線部であるアルミニウム合金層
１３、シリコン酸化膜１４及び下地であるＰＳＧ層１１
を侵食することなく、側壁デポ物１５のみを完全に除去
することができる。 （実施例３）この実施例に係る半導体装置の製造方法に
使用される試料２０は、図６に示すように、下地である
ＰＳＧ層２１の上に、窒化チタン／チタン（ＴｉＮ／Ｔ
ｉ）層２２を介して、配線層であるアルミニウム（Ａ
ｌ）−銅（Ｃｕ）−チタン（Ｔｉ）の合金層（アルミニ
ウム合金層）２３を有している。
【００３２】この試料２０に対し、平行平板型ＲＩＥ装
置を用いて、レジスト２４によりマスキングされたアル
ミニウム合金層２３を以下の条件でエッチングした。 ［エッチング条件］ ＨＢｒ＝１００ｓｃｃｍ 圧力 ３０ｍＴｏｒｒ ＲＦパワー ５００Ｗ 電極温度 ８０℃ エッチング後の試料２０は、図７に示すように、アルミ
ニウム合金層２３の側壁及びレジスト２４の側壁に側壁
デポ物（デポ物）２５が付着している。
置を用いて、レジスト２４によりマスキングされたアル
ミニウム合金層２３を以下の条件でエッチングした。 ［エッチング条件］ ＨＢｒ＝１００ｓｃｃｍ 圧力 ３０ｍＴｏｒｒ ＲＦパワー ５００Ｗ 電極温度 ８０℃ エッチング後の試料２０は、図７に示すように、アルミ
ニウム合金層２３の側壁及びレジスト２４の側壁に側壁
デポ物（デポ物）２５が付着している。
【００３３】この試料２０を用いて、以下に示す処理を
行った。 （実施例３−１）試料２０を大気に晒した後、Ｏ2＋Ｈ2
Ｏダウンフローに２分間及び５分間晒して、アッシング
処理を行った。しかし、レジスト２４はアッシングされ
ているが側壁デポ物２５は殆ど除去できずに残っている
（図８（ａ）参照）。
行った。 （実施例３−１）試料２０を大気に晒した後、Ｏ2＋Ｈ2
Ｏダウンフローに２分間及び５分間晒して、アッシング
処理を行った。しかし、レジスト２４はアッシングされ
ているが側壁デポ物２５は殆ど除去できずに残っている
（図８（ａ）参照）。
【００３４】なお、Ｏ2＋Ｈ2Ｏアッシング条件は以下の
通りであり、ダウンフローアッシング装置を用いた。 ［アッシング条件］ Ｏ2／Ｈ2Ｏ＝９００／１００ｓｃｃｍ 圧力 １．０Ｔｏｒｒ μ波パワー １．５ＫＷ 電極温度 ２００℃ （実施例３−２）試料２０を大気に晒した後、Ｏ2＋Ｃ
Ｆ4ダウンフローに２分間晒して、アッシング処理を行
った。しかし、レジスト２４はアッシングされているが
側壁デポ物２５は殆ど除去できずに残っている（図８
（ｂ）参照）。
通りであり、ダウンフローアッシング装置を用いた。 ［アッシング条件］ Ｏ2／Ｈ2Ｏ＝９００／１００ｓｃｃｍ 圧力 １．０Ｔｏｒｒ μ波パワー １．５ＫＷ 電極温度 ２００℃ （実施例３−２）試料２０を大気に晒した後、Ｏ2＋Ｃ
Ｆ4ダウンフローに２分間晒して、アッシング処理を行
った。しかし、レジスト２４はアッシングされているが
側壁デポ物２５は殆ど除去できずに残っている（図８
（ｂ）参照）。
【００３５】なお、Ｏ2＋ＣＦ4アッシング条件は以下の
通りであり、ダウンフローアッシング装置を用いた。 ［アッシング条件］ Ｏ2／ＣＦ4＝８００／２００ｓｃｃｍ 圧力 ０．８Ｔｏｒｒ μ波パワー １．５ＫＷ 電極温度 ４０℃ （実施例３−３）試料２０を大気に晒すことなく、真空
搬送してＯ2＋Ｈ2Ｏダウンフローに晒して、エッチング
・アッシングの連続処理を行った。しかし、レジスト２
４はアッシングされているが側壁デポ物２５は除去でき
ずに残っている（図８（ａ）参照）。アッシング時間
は、２，５分間と変えたが、何れの場合も側壁デポ物２
５は除去できない。
通りであり、ダウンフローアッシング装置を用いた。 ［アッシング条件］ Ｏ2／ＣＦ4＝８００／２００ｓｃｃｍ 圧力 ０．８Ｔｏｒｒ μ波パワー １．５ＫＷ 電極温度 ４０℃ （実施例３−３）試料２０を大気に晒すことなく、真空
搬送してＯ2＋Ｈ2Ｏダウンフローに晒して、エッチング
・アッシングの連続処理を行った。しかし、レジスト２
４はアッシングされているが側壁デポ物２５は除去でき
ずに残っている（図８（ａ）参照）。アッシング時間
は、２，５分間と変えたが、何れの場合も側壁デポ物２
５は除去できない。
【００３６】なお、アッシング条件は以下の通りであ
り、ダウンフローアッシング装置を用いた。 ［アッシング条件］ Ｏ2／Ｈ2Ｏ＝９００／１００ｓｃｃｍ 圧力 １．０Ｔｏｒｒ μ波パワー １．５ＫＷ 電極温度 ２００℃ （実施例３−４）試料２０を大気に晒すことなく、真空
搬送してＯ2＋ＣＦ4ダウンフローに晒して、エッチング
・アッシングの連続処理を行った。しかし、レジスト２
４はアッシングされているが側壁デポ物２５は除去でき
ずに残っている（図８（ｂ）参照）。アッシング時間
は、３，４分間と変えて試みたが、何れも側壁デポ物２
５は除去できない。
り、ダウンフローアッシング装置を用いた。 ［アッシング条件］ Ｏ2／Ｈ2Ｏ＝９００／１００ｓｃｃｍ 圧力 １．０Ｔｏｒｒ μ波パワー １．５ＫＷ 電極温度 ２００℃ （実施例３−４）試料２０を大気に晒すことなく、真空
搬送してＯ2＋ＣＦ4ダウンフローに晒して、エッチング
・アッシングの連続処理を行った。しかし、レジスト２
４はアッシングされているが側壁デポ物２５は除去でき
ずに残っている（図８（ｂ）参照）。アッシング時間
は、３，４分間と変えて試みたが、何れも側壁デポ物２
５は除去できない。
【００３７】なお、アッシング条件は以下の通りであ
り、ダウンフローアッシング装置を用いた。 ［アッシング条件］ Ｏ2／ＣＦ4＝８００／２００ｓｃｃｍ 圧力 ０．８Ｔｏｒｒ μ波パワー １．５ＫＷ 電極温度 ４０℃ （実施例３−５）側壁デポ物２５が除去できずに残って
いる試料２０（図８（ａ），（ｂ）参照）を、流水状態
で１０分間の純水洗浄を行ったが、側壁デポ物２５を完
全に除去することはできない（図８（ｃ）参照）。
り、ダウンフローアッシング装置を用いた。 ［アッシング条件］ Ｏ2／ＣＦ4＝８００／２００ｓｃｃｍ 圧力 ０．８Ｔｏｒｒ μ波パワー １．５ＫＷ 電極温度 ４０℃ （実施例３−５）側壁デポ物２５が除去できずに残って
いる試料２０（図８（ａ），（ｂ）参照）を、流水状態
で１０分間の純水洗浄を行ったが、側壁デポ物２５を完
全に除去することはできない（図８（ｃ）参照）。
【００３８】（実施例３−６）側壁デポ物２５が除去で
きずに残っている試料２０（図８（ａ），（ｂ）参照）
を、硝酸（ＨＮＯ3）濃度６１％で液温２０℃の硝酸溶
液に１分間及び３分間浸し、その後１５分間の純水洗浄
を行った。硝酸溶液により、側壁デポ物２５は純水洗浄
のみよりは小さくなっているが、完全に除去することは
できない（図９（ａ）参照）。
きずに残っている試料２０（図８（ａ），（ｂ）参照）
を、硝酸（ＨＮＯ3）濃度６１％で液温２０℃の硝酸溶
液に１分間及び３分間浸し、その後１５分間の純水洗浄
を行った。硝酸溶液により、側壁デポ物２５は純水洗浄
のみよりは小さくなっているが、完全に除去することは
できない（図９（ａ）参照）。
【００３９】（実施例３−７）側壁デポ物２５が除去で
きずに残っている試料２０（図８（ａ），（ｂ）参照）
を、フッ酸（ＨＦ）濃度５％のフッ酸溶液に５秒間浸
し、その後２０分間の純水洗浄を行った。フッ酸溶液に
より、側壁デポ物２５は除去できているが、アルミニウ
ム合金層２３の側壁等が侵食されている（図９（ｂ）参
照）。
きずに残っている試料２０（図８（ａ），（ｂ）参照）
を、フッ酸（ＨＦ）濃度５％のフッ酸溶液に５秒間浸
し、その後２０分間の純水洗浄を行った。フッ酸溶液に
より、側壁デポ物２５は除去できているが、アルミニウ
ム合金層２３の側壁等が侵食されている（図９（ｂ）参
照）。
【００４０】（実施例３−８）側壁デポ物２５が除去で
きずに残っている試料２０（図８（ａ），（ｂ）参照）
を、６０℃に加熱した硝酸濃度６１％の硝酸溶液に６０
秒間浸した後、純水洗浄を１０分間行った。この処理に
より、側壁デポ物２５は完全に除去することができた。
この際、アルミニウム合金層２３からなる配線自体を侵
食することなく、ＰＳＧ層２１のシリコン酸化膜をエッ
チングして膜厚が減少することもない状態で、側壁デポ
物２５のみを除去することができた（図１０参照）。
きずに残っている試料２０（図８（ａ），（ｂ）参照）
を、６０℃に加熱した硝酸濃度６１％の硝酸溶液に６０
秒間浸した後、純水洗浄を１０分間行った。この処理に
より、側壁デポ物２５は完全に除去することができた。
この際、アルミニウム合金層２３からなる配線自体を侵
食することなく、ＰＳＧ層２１のシリコン酸化膜をエッ
チングして膜厚が減少することもない状態で、側壁デポ
物２５のみを除去することができた（図１０参照）。
【００４１】即ち、試料２０は、６０℃に加熱した硝酸
濃度６１％の硝酸溶液に６０秒間浸した浸漬工程を経る
こととなる。 （実施例３−９）側壁デポ物２５が除去できずに残って
いる試料２０（図８（ａ），（ｂ）参照）を、８０℃に
加熱した硝酸濃度４０％の硝酸溶液に２０秒間浸した
後、純水洗浄を１０分間行った。この処理により、側壁
デポ物２５は完全に除去することができた。この際、ア
ルミニウム合金層２３からなる配線自体を侵食すること
なく、ＰＳＧ層２１のシリコン酸化膜をエッチングして
膜厚が減少することもない状態で、側壁デポ物２５のみ
を除去することができた（図１０参照）。
濃度６１％の硝酸溶液に６０秒間浸した浸漬工程を経る
こととなる。 （実施例３−９）側壁デポ物２５が除去できずに残って
いる試料２０（図８（ａ），（ｂ）参照）を、８０℃に
加熱した硝酸濃度４０％の硝酸溶液に２０秒間浸した
後、純水洗浄を１０分間行った。この処理により、側壁
デポ物２５は完全に除去することができた。この際、ア
ルミニウム合金層２３からなる配線自体を侵食すること
なく、ＰＳＧ層２１のシリコン酸化膜をエッチングして
膜厚が減少することもない状態で、側壁デポ物２５のみ
を除去することができた（図１０参照）。
【００４２】即ち、試料２０は、８０℃に加熱した硝酸
濃度４０％の硝酸溶液に２０秒間浸した浸漬工程を経る
こととなる。以上、（実施例３−８）及び（実施例３−
９）に示すように、加熱した硝酸溶液に浸漬する浸漬工
程を経ることにより、配線部であるアルミニウム合金層
２３及び下地であるＰＳＧ層２１を侵食することなく側
壁デポ物２５のみを完全に除去することができる。
濃度４０％の硝酸溶液に２０秒間浸した浸漬工程を経る
こととなる。以上、（実施例３−８）及び（実施例３−
９）に示すように、加熱した硝酸溶液に浸漬する浸漬工
程を経ることにより、配線部であるアルミニウム合金層
２３及び下地であるＰＳＧ層２１を侵食することなく側
壁デポ物２５のみを完全に除去することができる。
【００４３】なお、上記各実施例において、エッチング
装置としてＥＣＲやマグネトロンＲＩＥを用いた場合も
同様の結果が得られる。また、エッチングに用いるガス
は、シリコン酸化膜をマスクとして使用する場合、塩素
（Ｃｌ2）ガス又は塩素（Ｃｌ2）系の混合ガス（Ｃｌ2
＋ＢＣｌ3，Ｃｌ 2＋Ｎ2，Ｃｌ2＋ＢＣｌ3＋ＳｉＣｌ4，
Ｃｌ2＋ＢＣｌ3＋Ｎ2）でもよく、この場合、エッチン
グ時の電極又はステージ温度は、−３０〜２０℃であれ
ばよい。
装置としてＥＣＲやマグネトロンＲＩＥを用いた場合も
同様の結果が得られる。また、エッチングに用いるガス
は、シリコン酸化膜をマスクとして使用する場合、塩素
（Ｃｌ2）ガス又は塩素（Ｃｌ2）系の混合ガス（Ｃｌ2
＋ＢＣｌ3，Ｃｌ 2＋Ｎ2，Ｃｌ2＋ＢＣｌ3＋ＳｉＣｌ4，
Ｃｌ2＋ＢＣｌ3＋Ｎ2）でもよく、この場合、エッチン
グ時の電極又はステージ温度は、−３０〜２０℃であれ
ばよい。
【００４４】更に、シリコン酸化膜又はレジストをマス
クとして使用する場合、臭素系ガス（Ｂｒ2，ＨＢｒ，
ＢＢｒ3）又はこれらの臭素系ガスにＮ2，Ｈｅ，Ａｒ，
Ｃｌ2等のガスを添加した混合ガスでもよく、この場
合、エッチング時の電極又はステージ温度は、８０〜１
２０℃であればよい。このように、アルミニウム又はア
ルミニウム合金を塩素系ガス又は臭素系ガスでエッチン
グした後に生ずるデポ物は、半導体製造過程において、
濃度４０〜７０％で５０℃以上に加熱した硝酸溶液に浸
す浸漬工程を経ることにより、配線部・マスク・下地等
を侵食することなく除去することが可能となる。そし
て、デポ物を完全に除去することにより、アウターコロ
ージョンを抑制することが可能となる。
クとして使用する場合、臭素系ガス（Ｂｒ2，ＨＢｒ，
ＢＢｒ3）又はこれらの臭素系ガスにＮ2，Ｈｅ，Ａｒ，
Ｃｌ2等のガスを添加した混合ガスでもよく、この場
合、エッチング時の電極又はステージ温度は、８０〜１
２０℃であればよい。このように、アルミニウム又はア
ルミニウム合金を塩素系ガス又は臭素系ガスでエッチン
グした後に生ずるデポ物は、半導体製造過程において、
濃度４０〜７０％で５０℃以上に加熱した硝酸溶液に浸
す浸漬工程を経ることにより、配線部・マスク・下地等
を侵食することなく除去することが可能となる。そし
て、デポ物を完全に除去することにより、アウターコロ
ージョンを抑制することが可能となる。
【００４５】
【発明の効果】以上の通り、本発明によれば、アルミニ
ウム又はアルミニウム合金からなる配線を浸食すること
なくエッチングによるデポ物を除去することができる。
更に、デポ物除去により、アフターコロージョンの発生
を防止することができる。
ウム又はアルミニウム合金からなる配線を浸食すること
なくエッチングによるデポ物を除去することができる。
更に、デポ物除去により、アフターコロージョンの発生
を防止することができる。
【図１】本発明の実施例１及び実施例２による半導体装
置の製造方法に使用する試料のエッチング前を示す説明
図である。
置の製造方法に使用する試料のエッチング前を示す説明
図である。
【図２】本発明の実施例１及び実施例２による半導体装
置の製造方法に使用する試料のエッチング後を示す説明
図である。
置の製造方法に使用する試料のエッチング後を示す説明
図である。
【図３】図２の試料に対する実施例１及び実施例２によ
る各処理を示しており、（ａ）は試料を純水洗浄した状
態を示す説明図、（ｂ）は試料をＨＮＯ3（２０℃）処
理した状態を示す説明図、（ｃ）は試料をＨＦ（５％）
処理した状態を示す説明図である。
る各処理を示しており、（ａ）は試料を純水洗浄した状
態を示す説明図、（ｂ）は試料をＨＮＯ3（２０℃）処
理した状態を示す説明図、（ｃ）は試料をＨＦ（５％）
処理した状態を示す説明図である。
【図４】図２の試料に対する実施例１及び実施例２によ
る各処理を示しており、（ａ）は試料をＯ2／Ｈ2Ｏダウ
ンフローアッシングした状態を示す説明図、（ｂ）は試
料をＯ2／ＣＦ4ダウンフローアッシングした状態を示す
説明図である。
る各処理を示しており、（ａ）は試料をＯ2／Ｈ2Ｏダウ
ンフローアッシングした状態を示す説明図、（ｂ）は試
料をＯ2／ＣＦ4ダウンフローアッシングした状態を示す
説明図である。
【図５】図２の試料に対する実施例１及び実施例２によ
る各処理を示しており、試料を加熱ＨＮＯ3処理した状
態を示す説明図である。
る各処理を示しており、試料を加熱ＨＮＯ3処理した状
態を示す説明図である。
【図６】本発明の実施例３による半導体装置の製造方法
に使用する試料のエッチング前を示す説明図である。
に使用する試料のエッチング前を示す説明図である。
【図７】本発明の実施例３による半導体装置の製造方法
に使用する試料のエッチング後を示す説明図である。
に使用する試料のエッチング後を示す説明図である。
【図８】図７の試料に対する実施例３による各処理を示
しており、（ａ）は試料をＯ2／Ｈ2Ｏダウンフローアッ
シングした状態を示す説明図、（ｂ）は試料をＯ2／Ｃ
Ｆ4ダウンフローアッシングした状態を示す説明図、
（ｃ）は試料を純水洗浄した状態を示す説明図である。
しており、（ａ）は試料をＯ2／Ｈ2Ｏダウンフローアッ
シングした状態を示す説明図、（ｂ）は試料をＯ2／Ｃ
Ｆ4ダウンフローアッシングした状態を示す説明図、
（ｃ）は試料を純水洗浄した状態を示す説明図である。
【図９】図７の試料に対する実施例３による各処理を示
しており、（ａ）は試料をＨＮＯ3（２０℃）処理した
状態を示す説明図、（ｂ）は試料をＨＦ（５％）処理し
た状態を示す説明図である。
しており、（ａ）は試料をＨＮＯ3（２０℃）処理した
状態を示す説明図、（ｂ）は試料をＨＦ（５％）処理し
た状態を示す説明図である。
【図１０】図７の試料に対する実施例３による各処理を
示しており、試料を加熱ＨＮＯ3処理した状態を示す説
明図である。
示しており、試料を加熱ＨＮＯ3処理した状態を示す説
明図である。
１０…試料 １１…ＰＳＧ層 １２…窒化チタン／チタン層 １３…アルミニウム合金層 １４…シリコン酸化膜 １５…側壁デポ物（デポ物） ２０…試料 ２１…ＰＳＧ層 ２２…窒化チタン／チタン層 ２３…アルミニウム合金層 ２４…レジスト ２５…側壁デポ物（デポ物）
Claims (9)
- 【請求項１】 アルミニウム又はアルミニウム合金のエ
ッチングにより配線の微細加工をする半導体装置の製造
方法において、 前記エッチング後加熱した硝酸溶液に浸漬する浸漬工程
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記硝酸溶液は、硝酸濃度が４０〜７０％であることを
特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記硝酸溶液は、温度が５０〜７０℃、且つ硝酸濃度が
５０〜７０％であることを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - 【請求項４】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記硝酸溶液は、温度が７０〜９０℃、且つ硝酸濃度が
４０〜５０％であることを特徴とする半導体装置の製造
方法。 - 【請求項５】 請求項１乃至４の何れかに記載の半導体
装置の製造方法において、 エッチングされる前記アルミニウム又はアルミニウム合
金を覆うマスクが、シリコン酸化膜又はレジストからな
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 請求項１乃至５の何れかに記載の半導体
装置の製造方法において、 エッチングに用いるガスは、塩素又は塩素系の混合ガス
であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 請求項１乃至５の何れかに記載の半導体
装置の製造方法において、 エッチングに用いるガスは、臭素又は臭素系の混合ガス
であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 請求項６記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 エッチング時の電極又はステージ温度は、−３０〜２０
℃であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 請求項７記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 エッチング時の電極又はステージ温度は、８０〜１２０
℃であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4273694A JPH07249607A (ja) | 1994-03-14 | 1994-03-14 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4273694A JPH07249607A (ja) | 1994-03-14 | 1994-03-14 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07249607A true JPH07249607A (ja) | 1995-09-26 |
Family
ID=12644325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4273694A Withdrawn JPH07249607A (ja) | 1994-03-14 | 1994-03-14 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07249607A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000033371A1 (fr) * | 1998-11-27 | 2000-06-08 | Showa Denko K.K. | Composition et procede pour eliminer des chants |
| US6627553B1 (en) | 1998-11-27 | 2003-09-30 | Showa Denko K.K. | Composition for removing side wall and method of removing side wall |
| JP4690512B2 (ja) * | 1998-09-15 | 2011-06-01 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | エッチングした垂直金属線上のポリマー沈積、エッチングした金属線の腐食およびエッチングした金属フィーチャの湿式洗浄時における腐食を減少させる方法 |
-
1994
- 1994-03-14 JP JP4273694A patent/JPH07249607A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4690512B2 (ja) * | 1998-09-15 | 2011-06-01 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト | エッチングした垂直金属線上のポリマー沈積、エッチングした金属線の腐食およびエッチングした金属フィーチャの湿式洗浄時における腐食を減少させる方法 |
| WO2000033371A1 (fr) * | 1998-11-27 | 2000-06-08 | Showa Denko K.K. | Composition et procede pour eliminer des chants |
| EP1139401A1 (en) * | 1998-11-27 | 2001-10-04 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Composition for removing sidewall and method of removing sidewall |
| US6627553B1 (en) | 1998-11-27 | 2003-09-30 | Showa Denko K.K. | Composition for removing side wall and method of removing side wall |
| EP1139401B1 (en) * | 1998-11-27 | 2015-01-07 | Showa Denko K.K. | Composition for removing sidewall and method of removing sidewall |
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