JP2548881B2 - 半導体素子製造におけるバイアコンタクト形成方法 - Google Patents
半導体素子製造におけるバイアコンタクト形成方法Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体素子製造における
バイアコンタクト(VIA CONTACT)形成方法に関するもの
で、特にバイアコンタクトエッチング処理を完了した
後、バイアコンタクトホールに形成される残存ポリマー
及び感光膜を除去する処理に関するものである。
バイアコンタクト(VIA CONTACT)形成方法に関するもの
で、特にバイアコンタクトエッチング処理を完了した
後、バイアコンタクトホールに形成される残存ポリマー
及び感光膜を除去する処理に関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般的に半導体素子製造におけるバイア
コンタクト形成処理では、エッチング処理中にバイアホ
ールに形成される残存ポリマーを除去する処理が大変重
要である。また、半導体素子の集積度が高められるほど
多様の素子構造が要求されるので、上述の処理は更に難
しくなる。
コンタクト形成処理では、エッチング処理中にバイアホ
ールに形成される残存ポリマーを除去する処理が大変重
要である。また、半導体素子の集積度が高められるほど
多様の素子構造が要求されるので、上述の処理は更に難
しくなる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】半導体素子製造におけ
るバイアコンタクト製造処理において、バイアコンタク
トエッチング後の処理は、O2 プラズマ ストリッパ
(stripper) で感光膜を除去する処理と、脱イオン水洗
浄及びストリッパ溶液でポリマー膜を除去する処理を含
む。この際、大部分のバイアコンタクトエッチング処理
では過剰エッチング(OVER ETCH)が行われるため、酸化
膜(SiO2 )だけエッチングされるのみならず、酸化
膜下部の金属層の一部もエッチングされ、酸化膜上部の
感光膜の側壁及びバイアコンタクトホール内部側壁に感
光膜、酸化膜と金属層が反応して生成されたポリマー膜
が形成される。上記ポリマー膜は上述したO2 プラズマ
ストリッパとして感光膜を除去する間、変更又は硬化
されるので、次の処理のポリマー膜除去処理でも良く除
去されない。上記ポリマー膜を除去するためには、金属
層もエッチングできるエッチング溶液又は強いストリッ
パ溶液を使用されることになる。しかし、この際、ポリ
マー膜のみならず、金属層の一部もエッチングされるの
で、バイアコンタクトでの短絡が生ずる問題点があっ
た。
るバイアコンタクト製造処理において、バイアコンタク
トエッチング後の処理は、O2 プラズマ ストリッパ
(stripper) で感光膜を除去する処理と、脱イオン水洗
浄及びストリッパ溶液でポリマー膜を除去する処理を含
む。この際、大部分のバイアコンタクトエッチング処理
では過剰エッチング(OVER ETCH)が行われるため、酸化
膜(SiO2 )だけエッチングされるのみならず、酸化
膜下部の金属層の一部もエッチングされ、酸化膜上部の
感光膜の側壁及びバイアコンタクトホール内部側壁に感
光膜、酸化膜と金属層が反応して生成されたポリマー膜
が形成される。上記ポリマー膜は上述したO2 プラズマ
ストリッパとして感光膜を除去する間、変更又は硬化
されるので、次の処理のポリマー膜除去処理でも良く除
去されない。上記ポリマー膜を除去するためには、金属
層もエッチングできるエッチング溶液又は強いストリッ
パ溶液を使用されることになる。しかし、この際、ポリ
マー膜のみならず、金属層の一部もエッチングされるの
で、バイアコンタクトでの短絡が生ずる問題点があっ
た。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は上述した問題点
を解決するため、バイアコンタクトをエッチングすると
き、感光膜の側壁及びバイアコンタクトホールの内部側
壁に形成されるポリマー膜を金属層のエッチングなしに
除去することを目的とする。
を解決するため、バイアコンタクトをエッチングすると
き、感光膜の側壁及びバイアコンタクトホールの内部側
壁に形成されるポリマー膜を金属層のエッチングなしに
除去することを目的とする。
【0005】上記目的を達成するため、本発明は金属層
を形成する第1工程と、上記金属層の上部に酸化膜を形
成する第2工程と、上記酸化膜上部に感光膜を塗布して
感光膜パターンを形成する第3工程と、上記感光膜パタ
ーンを利用してバイアコンタクトエッチングを利用する
バイアコンタクトホールを形成する第4工程と、上記バ
イアコンタクトエッチング処理を施した後、CO2 ガス
を脱イオン水に稀釈して脱イオン水洗浄をすることによ
り、上記バイアコンタクトホールの下部壁に保護膜を形
成する第5工程と、上記脱イオン水洗浄処理を完了した
後、上記バイアコンタクトホール側壁のポリマー膜及び
上記酸化膜上部の感光膜の一部をストリッパ溶液で除去
する第6工程と、上記酸化膜の上部に残存する感光膜を
除去する第7工程を含むことを特徴とする。
を形成する第1工程と、上記金属層の上部に酸化膜を形
成する第2工程と、上記酸化膜上部に感光膜を塗布して
感光膜パターンを形成する第3工程と、上記感光膜パタ
ーンを利用してバイアコンタクトエッチングを利用する
バイアコンタクトホールを形成する第4工程と、上記バ
イアコンタクトエッチング処理を施した後、CO2 ガス
を脱イオン水に稀釈して脱イオン水洗浄をすることによ
り、上記バイアコンタクトホールの下部壁に保護膜を形
成する第5工程と、上記脱イオン水洗浄処理を完了した
後、上記バイアコンタクトホール側壁のポリマー膜及び
上記酸化膜上部の感光膜の一部をストリッパ溶液で除去
する第6工程と、上記酸化膜の上部に残存する感光膜を
除去する第7工程を含むことを特徴とする。
【0006】また、本発明はCO2 ガスを脱イオン水に
稀釈して脱イオン水洗浄をする第5工程後に上記脱イオ
ン水を除去するため、イソプロピルアルコール(Isopro
pylAlcohol)で常温にて1分乃至10分間洗浄する工程
を更に含むことを特徴とする。
稀釈して脱イオン水洗浄をする第5工程後に上記脱イオ
ン水を除去するため、イソプロピルアルコール(Isopro
pylAlcohol)で常温にて1分乃至10分間洗浄する工程
を更に含むことを特徴とする。
【0007】さらに、本発明は上記バイアコンタクトホ
ール側壁のポリマー膜及び上記酸化膜上部の感光膜の一
部をストリッパ溶液で除去する第6工程後に、上記スト
リッパ溶液を除去するためイソプロピルアルコールで常
温にて1分乃至10分間洗浄する工程と、上記洗浄処理
の後、流量0.2乃至3リットル/分のCO2 ガスを稀
釈した脱イオン水にて1分乃至10分間の洗浄する工程
と、スピンドライでウェハーを乾燥させる工程を更に含
むことを特徴とする。
ール側壁のポリマー膜及び上記酸化膜上部の感光膜の一
部をストリッパ溶液で除去する第6工程後に、上記スト
リッパ溶液を除去するためイソプロピルアルコールで常
温にて1分乃至10分間洗浄する工程と、上記洗浄処理
の後、流量0.2乃至3リットル/分のCO2 ガスを稀
釈した脱イオン水にて1分乃至10分間の洗浄する工程
と、スピンドライでウェハーを乾燥させる工程を更に含
むことを特徴とする。
【0008】
【実施例】以下、添付された図面を参照してで本発明を
説明する。
説明する。
【0009】図1及び図2は従来の半導体素子製造工程
のバイアコンタクト形成方法に関するものである。図1
(a)は従来のアルミニウム金属層1上部の酸化膜3
(SiO2 )上に感光膜5を塗布した後、マスクパター
ンを形成する工程を示す半導体素子の断面図である。
のバイアコンタクト形成方法に関するものである。図1
(a)は従来のアルミニウム金属層1上部の酸化膜3
(SiO2 )上に感光膜5を塗布した後、マスクパター
ンを形成する工程を示す半導体素子の断面図である。
【0010】図1(b)は上記マスクパターンを利用し
て金属層1上部の酸化膜3の所定部分をエッチングし
て、バイアコンタクトホールAを形成する処理を示す半
導体素子の断面図であって、大部分のバイアコンタクト
エッチング処理では通常過剰エッチングをすることによ
り、エッチング物質の酸化膜3のみならず、アルミニウ
ム金属層の一部分もエッチングする。この際、図示され
た如く、感光膜5の内部側壁5a及びバイアコンタクト
ホールAの内部側壁3aに感光膜、酸化膜、金属層がお
互いに反応してポリマー膜7が形成される。
て金属層1上部の酸化膜3の所定部分をエッチングし
て、バイアコンタクトホールAを形成する処理を示す半
導体素子の断面図であって、大部分のバイアコンタクト
エッチング処理では通常過剰エッチングをすることによ
り、エッチング物質の酸化膜3のみならず、アルミニウ
ム金属層の一部分もエッチングする。この際、図示され
た如く、感光膜5の内部側壁5a及びバイアコンタクト
ホールAの内部側壁3aに感光膜、酸化膜、金属層がお
互いに反応してポリマー膜7が形成される。
【0011】図2(c)は図1(b)に図示された如
く、上記酸化膜3上部に形成されている感光膜5を除去
する工程を示す半導体素子の断面図である。ここで、図
1(b)に図示された上記ポリマー膜7は、O2 プラズ
マストリッパで上記感光膜5を除去する間、変更又は硬
化されるので次のポリマー膜除去工程では除去すること
が大変難しくなる。
く、上記酸化膜3上部に形成されている感光膜5を除去
する工程を示す半導体素子の断面図である。ここで、図
1(b)に図示された上記ポリマー膜7は、O2 プラズ
マストリッパで上記感光膜5を除去する間、変更又は硬
化されるので次のポリマー膜除去工程では除去すること
が大変難しくなる。
【0012】図2(d)は上記バイアコンタクトホール
A側壁に形成されたポリマー膜7を除去するとき、酸化
膜及び下部の金属層1の一部も除去され、金属層除去部
Bが形成される処理を示す半導体素子の断面図である。
即ち、上記ポリマー膜7を除去するためには金属層1も
エッチング溶液を使用するとか、又は強いストリッパ溶
液を使用する。しかし、上述したエッチング溶液又はス
トリッパ溶液を使用して上記ポリマー膜7を除去すると
き、上記ポリマー膜7が除去される反面に金属層1の一
部もエッチング又は腐食されバイアコンタクトで短絡が
発生する。したがって、上記バイアコンタクトホールA
側壁に形成されたポリマー膜7を除去するためには、金
属層1の一部が腐食されるか又はポリマーが残存する状
態で半導体素子の製造処理を進行させなければならない
という問題点があった。
A側壁に形成されたポリマー膜7を除去するとき、酸化
膜及び下部の金属層1の一部も除去され、金属層除去部
Bが形成される処理を示す半導体素子の断面図である。
即ち、上記ポリマー膜7を除去するためには金属層1も
エッチング溶液を使用するとか、又は強いストリッパ溶
液を使用する。しかし、上述したエッチング溶液又はス
トリッパ溶液を使用して上記ポリマー膜7を除去すると
き、上記ポリマー膜7が除去される反面に金属層1の一
部もエッチング又は腐食されバイアコンタクトで短絡が
発生する。したがって、上記バイアコンタクトホールA
側壁に形成されたポリマー膜7を除去するためには、金
属層1の一部が腐食されるか又はポリマーが残存する状
態で半導体素子の製造処理を進行させなければならない
という問題点があった。
【0013】図3(a)乃至図3(c)は本発明の一実
施例に伴う半導体素子製造におけるバイアコンタクト形
成方法に関するものである。図3(a)は本発明により
アルミニウム金属層1上部に酸化膜3と、感光膜5を形
成してバイアコンタクトエッチング後、CO2 ガスを稀
釈した脱イオン水で表面全体を洗浄をすることにより、
この脱イオン水をバイアコンタクトホールAの下部壁に
接触させ、これにより保護膜9が形成される状態を示す
半導体素子の断面図である。この際、バイアコンタクト
エッチング後、CO2 ガスを脱イオン水に稀釈して半導
体素子を5分乃至30分間洗浄する。この場合、CO2
ガスの流量は0.2乃至1リットル/分が適切である。
なお、半導体素子を洗浄した後、脱イオン水を除去する
ため、イソプロピルアルコ−ルで常温にて1分から10
分間洗浄してもよい。
施例に伴う半導体素子製造におけるバイアコンタクト形
成方法に関するものである。図3(a)は本発明により
アルミニウム金属層1上部に酸化膜3と、感光膜5を形
成してバイアコンタクトエッチング後、CO2 ガスを稀
釈した脱イオン水で表面全体を洗浄をすることにより、
この脱イオン水をバイアコンタクトホールAの下部壁に
接触させ、これにより保護膜9が形成される状態を示す
半導体素子の断面図である。この際、バイアコンタクト
エッチング後、CO2 ガスを脱イオン水に稀釈して半導
体素子を5分乃至30分間洗浄する。この場合、CO2
ガスの流量は0.2乃至1リットル/分が適切である。
なお、半導体素子を洗浄した後、脱イオン水を除去する
ため、イソプロピルアルコ−ルで常温にて1分から10
分間洗浄してもよい。
【0014】上記工程では水(H2 O)と金属反応物
(AlF3 ,Al(OH)3 )が反応して酸化膜3下部
の金属層1が腐食される現状を抑制させ、かつ、CO2
ガスと水が反応して生成されたH2 CO3 により金属層
1表面に薄く均一のAl2 O3の保護膜9が形成され
る。
(AlF3 ,Al(OH)3 )が反応して酸化膜3下部
の金属層1が腐食される現状を抑制させ、かつ、CO2
ガスと水が反応して生成されたH2 CO3 により金属層
1表面に薄く均一のAl2 O3の保護膜9が形成され
る。
【0015】上記工程後、常温のイソプロピルアルコー
ルで1乃至3分間洗浄することになるが、本工程は脱イ
オン水洗浄工程後ウェハーについた水がストリッパ溶液
に稀釈されることを防止するため、ストリッパ溶液と良
好に稀釈され揮発性の良いアルコールで洗浄を実施す
る。
ルで1乃至3分間洗浄することになるが、本工程は脱イ
オン水洗浄工程後ウェハーについた水がストリッパ溶液
に稀釈されることを防止するため、ストリッパ溶液と良
好に稀釈され揮発性の良いアルコールで洗浄を実施す
る。
【0016】図3(b)は本発明によりバイアコンタク
トホールA側壁に形成されたポリマー膜7を除去する工
程を示す半導体素子の断面図であって、50乃至100
℃のストリッパ溶液で5分乃至30分間上記バイアコン
タクトホールA側壁に形成されたポリマー膜7及び感光
膜5の一部を除去する。上記工程では図3(a)で図示
された如き金属表面の薄く均一のAl2 O3 の保護膜9
によりストリッパによる金属層1のエッチングが防止さ
れながら、短い時間にポリマー膜7を除去し、かつ、感
光膜の大部分も除去する。この際、上記工程はストリッ
パ溶液が循環ポンプで循環される中で進行されることが
望ましい。何故なら、ストリッパ溶液はポリマー膜7及
び感光膜5がウェハー表面及びバイアコンタクトホール
Aで良く反応し脱着されるよう促進させるからである。
上記処理後、イソプロピルアルコールで上記ストリッパ
溶液を1分から10分間洗浄することにより脱イオン水
洗浄処理を容易にする。その後、洗浄処理の最終工程で
流量0.2乃至1リットル/分のCO2 ガスを脱イオン
水に稀釈してストリッパ溶液及びイソプロピルアルコー
ルで洗浄する。その次にスピンドライでウェハーを乾燥
させる。
トホールA側壁に形成されたポリマー膜7を除去する工
程を示す半導体素子の断面図であって、50乃至100
℃のストリッパ溶液で5分乃至30分間上記バイアコン
タクトホールA側壁に形成されたポリマー膜7及び感光
膜5の一部を除去する。上記工程では図3(a)で図示
された如き金属表面の薄く均一のAl2 O3 の保護膜9
によりストリッパによる金属層1のエッチングが防止さ
れながら、短い時間にポリマー膜7を除去し、かつ、感
光膜の大部分も除去する。この際、上記工程はストリッ
パ溶液が循環ポンプで循環される中で進行されることが
望ましい。何故なら、ストリッパ溶液はポリマー膜7及
び感光膜5がウェハー表面及びバイアコンタクトホール
Aで良く反応し脱着されるよう促進させるからである。
上記処理後、イソプロピルアルコールで上記ストリッパ
溶液を1分から10分間洗浄することにより脱イオン水
洗浄処理を容易にする。その後、洗浄処理の最終工程で
流量0.2乃至1リットル/分のCO2 ガスを脱イオン
水に稀釈してストリッパ溶液及びイソプロピルアルコー
ルで洗浄する。その次にスピンドライでウェハーを乾燥
させる。
【0017】図3(c)は本発明により上記酸化膜3上
部に残存する感光膜5を完全に除去する工程を示す半導
体素子の断面図であって、上記処理でO2 プラズマスト
リッパで残存感光膜5を完全に除去させ、バイアコンタ
クト処理は完全に完了させる。
部に残存する感光膜5を完全に除去する工程を示す半導
体素子の断面図であって、上記処理でO2 プラズマスト
リッパで残存感光膜5を完全に除去させ、バイアコンタ
クト処理は完全に完了させる。
【0018】即ち、バイアコンタクト工程でCO2 稀釈
した脱イオン水洗浄処理を優先的に実施し、金属層1の
上部に保護膜9を形成し、ストリッパ溶液でポリマー膜
7及び感光膜5の大部分を除去し、最終的にO2 プラズ
マストリッパで残留感光膜5を除去する。したがって、
金属層1の腐食を防止し、ポリマー膜7の除去も容易に
なる。
した脱イオン水洗浄処理を優先的に実施し、金属層1の
上部に保護膜9を形成し、ストリッパ溶液でポリマー膜
7及び感光膜5の大部分を除去し、最終的にO2 プラズ
マストリッパで残留感光膜5を除去する。したがって、
金属層1の腐食を防止し、ポリマー膜7の除去も容易に
なる。
【0019】
【発明の効果】以上のように、本発明の方法によれば、
既存の装備にCO2 ガスだけ利用して使用することによ
り、効果的にポリマー膜7を除去すると同時に金属層1
も損傷を受けないことになるため、ウェハー水率及び信
頼性を向上させることができ、装備投資費の節減効果も
得られる。
既存の装備にCO2 ガスだけ利用して使用することによ
り、効果的にポリマー膜7を除去すると同時に金属層1
も損傷を受けないことになるため、ウェハー水率及び信
頼性を向上させることができ、装備投資費の節減効果も
得られる。
【図1】図1は、従来のバイアコンタクト形成方法を示
す工程図(a)及び(b)であり、図1(a)は従来の
アルミニウム金属層上部の酸化膜上に感光膜を塗布し、
マスクパターンを形成する工程を示す半導体素子の断面
図、図1(b)は図1(a)に形成されたマスクパター
ンを利用してバイアコンタクトエッチングでバイアコン
タクトホールを形成するとき、コンタクトホール側壁に
ポリマー膜が形成されている状態を示す半導体素子の断
面図である。
す工程図(a)及び(b)であり、図1(a)は従来の
アルミニウム金属層上部の酸化膜上に感光膜を塗布し、
マスクパターンを形成する工程を示す半導体素子の断面
図、図1(b)は図1(a)に形成されたマスクパター
ンを利用してバイアコンタクトエッチングでバイアコン
タクトホールを形成するとき、コンタクトホール側壁に
ポリマー膜が形成されている状態を示す半導体素子の断
面図である。
【図2】図2は、従来のバイアコンタクト形成方法を示
す工程図(c)及び(d)であり、図2(c)は上記酸
化膜上部に形成されている感光膜を除去する工程を示す
半導体素子の断面図、図2(d)は上記バイアコンタク
トホール側壁に形成されたポリマー膜を除去するとき、
金属層の一部も除去される状態に示す半導体素子の断面
図である。
す工程図(c)及び(d)であり、図2(c)は上記酸
化膜上部に形成されている感光膜を除去する工程を示す
半導体素子の断面図、図2(d)は上記バイアコンタク
トホール側壁に形成されたポリマー膜を除去するとき、
金属層の一部も除去される状態に示す半導体素子の断面
図である。
【図3】図3は、本発明の一実施例に係るバイアコンタ
クト形成方法を示す工程図であり、図3(a)は本発明
によりバイアコンタクトエッチング後、CO2 ガスを脱
イオン水に稀釈して半導体素子を洗浄することによりバ
イアコンタクトホール下部壁に保護膜が形成される状態
を示す半導体素子の断面図、図3(b)は本発明により
バイアコンタクトホール側壁に形成されたポリマー膜を
除去する工程を示す半導体素子の断面図、図3(c)は
本発明により上記酸化膜の上部に残存する感光膜を除去
する工程を示す半導体素子の断面図である。
クト形成方法を示す工程図であり、図3(a)は本発明
によりバイアコンタクトエッチング後、CO2 ガスを脱
イオン水に稀釈して半導体素子を洗浄することによりバ
イアコンタクトホール下部壁に保護膜が形成される状態
を示す半導体素子の断面図、図3(b)は本発明により
バイアコンタクトホール側壁に形成されたポリマー膜を
除去する工程を示す半導体素子の断面図、図3(c)は
本発明により上記酸化膜の上部に残存する感光膜を除去
する工程を示す半導体素子の断面図である。
1…金属膜、3…酸化膜、5…感光膜、7…ポリマー
膜、9…保護膜、A…バイアコンタクトホール、B…金
属層除去部。
膜、9…保護膜、A…バイアコンタクトホール、B…金
属層除去部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平3−295257(JP,A) 特開 昭54−79574(JP,A) 特開 平1−41218(JP,A) 特開 昭59−47577(JP,A) 米国特許5175124(US,A)
Claims (8)
- 【請求項1】半導体素子製造におけるバイアコンタクト
形成方法において、 金属層を形成する工程と、 前記金属層の上部に酸化膜を形成する工程と、 前記酸化膜の上部に感光膜を塗布して感光膜パターンを
形成する工程と、 前記感光膜パターンを利用してバイアコンタクトエッチ
ングを施してバイアコンタクトホールを形成する工程
と、 上記バイアコンタクトエッチング処理を施した後、CO
2 ガスを脱イオン水に稀釈して脱イオン水洗浄をするこ
とにより、この脱イオン水を前記バイアコンタクトホー
ルの下部壁に接触させ、これによって前記下部壁に保護
膜を形成する工程と、 前記脱イオン水洗浄に伴う前記保護膜形成処理を完了し
た後、前記バイアコンタクトホール形成工程において前
記バイアコンタクトホール側壁に形成されたポリマー膜
及び前記酸化膜上部の感光膜の一部をストリッパ溶液で
除去する工程と、 前記酸化膜の上部に残存する感光膜を除去する工程を含
むことを特徴とする半導体素子製造におけるバイアコン
タクト形成方法。 - 【請求項2】 前記脱イオン水洗浄に伴う前記保護膜形
成処理工程後に、前記脱イオン水を除去するため、イソ
プロピルアルコールで常温にて1分乃至10分間洗浄す
る工程を更に含むことを特徴とする請求項1記載の半導
体素子製造におけるバイアコンタクト形成方法。 - 【請求項3】 前記バイアコンタクトホール側壁のポリ
マー膜及び前記酸化膜上部の感光膜の一部をストリッパ
溶液で除去する工程後、上記ストリッパ溶液を除去する
ためにイソプロピルアルコールで常温にて1分乃至10
分間洗浄する工程と、流量0. 2乃至3リットル/分の
CO2 ガスを希釈した脱イオン水で1分乃至10分間洗
浄を行う工程と、スピンドライにてウェハーを乾燥させ
る工程を更に含むことを特徴とする請求項1記載の半導
体素子製造におけるバイアコンタクト形成方法。 - 【請求項4】 前記バイアコンタクトホール側壁のポリ
マー膜及び前記酸化膜上部の感光膜の一部をストリッパ
溶液で除去する工程後、上記ストリッパ溶液を除去する
ためにイソプロピロアルコールで常温にて1分乃至10
分間洗浄する工程と、流量0.2乃至3リットル/分の
CO2 ガスを脱イオン水に稀釈して1分乃至10分間洗
浄を行う工程と、スピンドライにてウェハーを乾燥させ
る工程を更に含むことを特徴とする請求項2記載の半導
体素子製造におけるバイアコンタクト形成方法。 - 【請求項5】 前記バイアコンタクトホール側壁のポリ
マー膜及び前記酸化膜上部の感光膜の一部をストリッパ
溶液で除去する工程にて、ストリッパ溶液の温度は50
℃乃至100℃であることを特徴とする請求項1記載の
半導体素子製造におけるバイアコンタクト形成方法。 - 【請求項6】 前記バイアコンタクトホール側壁のポリ
マー膜及び前記酸化膜上部の感光膜の一部をストリッパ
溶液で除去する工程で、上記ポリマー膜及び感光膜の一
部を除去する時間は5乃至30分であることを特徴とす
る請求項1記載の半導体素子製造におけるバイアコンタ
クト形成方法。 - 【請求項7】 前記金属層がアルミニウムであることを
特徴とする請求項1記載の半導体素子製造におけるバイ
アコンタクト形成方法。 - 【請求項8】 前記バイアコンタクトの下部壁に形成さ
れる保護膜がAl2O3 であることを特徴とする請求項
1記載の半導体素子製造におけるバイアコンタクト形成
方法。
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1993
- 1993-03-26 US US08/038,155 patent/US5451291A/en not_active Expired - Lifetime
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