KR100242144B1 - 반도체 기판으로부터의 드라이 에칭 및 포토레지스트 잔류물 제거용 박리액, 및 이 박리액을 사용하는 배선 패턴의 형성방법 - Google Patents

반도체 기판으로부터의 드라이 에칭 및 포토레지스트 잔류물 제거용 박리액, 및 이 박리액을 사용하는 배선 패턴의 형성방법 Download PDF

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Abstract

드라이 에칭 포토레지스트 잔류물 제거용 박리액 및 이 박리액을 사용하는 알루미늄 기재 배선 패턴의 형성방법. 박리액은(a) 5 내지 50 중량 % 의 구조식 [R1]m[COONHp(R2)q]n(식중, R1은 수소, 또는 탄소수 1 내지 18의 알킬 또는 아릴기이고; R2는 수소, 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이며, m 및 n 은 각각 1 내지 4의 정수이고, p는 1 내지 4의 정수이며, q는 1 내지 3의 정수이고, p + q = 4이다)으로 표시되는 유기 카르복실산 암모늄염 또는 유기 카르복실산 아민염; (b) 0.5 내지 15 중량 % 의 불소 화합물을 함유한다. 본 발명의 방법은 드라이 에칭된 반도체 기판을 박리액으로 처리하는데 이롭게 사용된다. 반도체 기판은 알루미늄을 함유하는 전도성층이 위에 있는 반도체 웨이퍼로 구성된다. 전도성층은 패턴화된 포토레지스트 마스크를 사용하여 드라이 에칭되어 에칭된 측면을 갖는 배선체를 형성한다.
드라이 에칭은 측벽에 측벽 보호막을 형성한다. 본 발명의 방법에 따르면, 측벽 보호막 및 기타 레지스트 잔류물이 배선체를 부식시킴이 없이 완전하게 제거된다.

Description

반도체 기판으로부터의 드라이 에칭 및 포토레지스트 잔류물 제거용 박리액, 및 이 박리액을 사용하는 배선 패턴의 형성방법
제1도는 반도체 기판의 드라이 에칭후의 단면도의 첫 번째 예이다.
제2도는 드라이 에칭하고 레지스트 막을 제거한 후의 제1도의 반도체 기판의 단면도이다.
제3도는 반도체 기판의 드라이 에칭후의 단면도의 두 번째 예이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1, 11 : 반도체 웨이퍼 3 : A1 배선체
2, 13 : 산화막 4, 14 : 레지스트막
5, 15 : 측벽 보호막 10, 20 : 반도체 기판
12 : A1 합금층
본 발명은 반도체 기판의 표면처리 방법에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 드라이 에칭 포토레지스트 잔류물 제거용 박리액, 및 드라이 에칭 단계시에 형성된 측벽 보호막을 반도체 기판상으로부터 제거하는 것을 특징으로 하는 알루미늄 기재 배선 패턴의 형성방법에 관한 것이다.
최근, 규소 단결정으로 구성된 반도체 웨이퍼상에 논리 LSI나 메모리 KSI를 형성하는 알루미늄 배선 기술에 있어서, 회로의 고직접화에 따라 일렉트로 - 마이그레이션(electro - migration) 및 스트레스 마이그레이션(stress migration) 등이 발생한다. 이러한 마이그레이션은 미량의 Cu 등을 함유하는 배선체의 재료로서 알루미늄 합금(Al - Si - Cu 등)을 사용함으로써 억제된다.
알루미늄 합금을 배선체로 제조하는 방법은 다음과 같다:
먼저, (1) 확산층 및 전기 절연층이 형성된 반도체 웨이퍼상에 상기 Al - Si - Cu 합금막 또는 층을 스퍼터 증착법에 의해 형성한다.
다음에, (2) Al - Si - Cu 층상에 레지스트막 또는 층을 도포한다. 그후에, 미세한 패턴을 포토리쏘그래피(photolithography) 법에 의해 형성한다.
이어서, (3) 반도체 기판의 전면상에 UV 광을 조사하여 레지스트 막을 경화시켜서 레지스트 패턴에 드라이 에칭성 저항성을 향상시킨다.
또한, 레지스트 패턴을 마스크로하여 상기 Al - Si - Cu 합금층을 드라이 에칭하여 배선 패턴을 형성한다.
이 방법에서, BCl3- Cl2등과 같은 염소함유기체, 또는 이에 CF4및 CHF3등과 같은 프레온계 기체를 더 함유하는 기체가 통상적으로 드라이 에칭 기체로서 사용된다. 에칭단계의 반응 생성물인 측벽 보호막은 레지스트 필름 패턴 및 Al - Si - Cu 합금층의 측벽에 부착된다. 한편, 드라이 에칭 단계시에 사용된 염소 기체는 배선체중의 알루미늄과 반응하여 측벽 보호막중에 염화 알루미늄과 같은 화합물을 형성한다. 염화 알루미늄은 공기중의 물과 반응하여 염화 수소를 형성한다. 염화 수소는 Al - Si - Cu 합금을 부식시키고 이는 단선을 야기한다. 이러한 부식은 Monthly SEMICON NEWS, 1988년 10월호, 44면에 기술되어 있다. 이러한 부식을 방지하기 위하여, 에칭단계후에 웨이퍼를 가열하는 방법, 또는 세정에 정제수를 사용하는 것이 제안되었다. 그러나, 이들 방법으로는 양호한 결과를 얻을 수 없었다. 즉, 상기 부식을 방지하기 위해서는, 측벽 보호막을 완전히 제거해야 한다.
측벽 보호막을 제거하기 위해 제안된 방법들은 통상적으로 유기 박리액, 산성 박리액 및 알칼리성 박리액과 같은 웨트 박리액의 사용을 포함한다.
그러나, 이러한 박리액을 사용하여 측벽 보호막을 완전히 제거하는 것은 어렵다. 또한, 유기 박리액의 경우에, 고온 가열이 필수적이며 이소프로판올 등과 같은 유기 용매가 세정액으로서 필수적이다. 그러므로, 이 기술은 복잡하고 또한 안전성의 문제가 있다.
산성 및 알칼리성 박리액의 경우에, 알루미늄 합금층은 부식되는 경향이 있다. 따라서, 이들 박리액은 극도로 미세한 배선 패턴을 가공하는 데에는 사용될 수 없다.
그러므로, 알루미늄을 포함하는 배선체를 부식시키지 않는 박리액 및 측벽 보호막을 완전히 유리시키는 용액을 사용한 배선 패턴 형성 방법이 요구되고 있다.
본 발명은 상기 선행 기술의 문제점을 해결하였으며, 알루미늄 배선체를 부식시키지 않는 박리액 및 이 박리액을 사용하여 초미세 배선 패턴을 형성하는 방법을 제공한다. 또한, 측벽 보호막은 안전하고, 효율적으로 완전히 제거된다.
본 발명자들은 상기 문제점들을 집중적으로 연구한 결과, 상기한 목적을 알루미늄을 함유하는 전도성층이 그 위에 있는 반도체 웨이퍼로 구성된 반도체 기판을 형성하고, 전도성층을 패턴화된 포토레지스트 마스크를 통하여 드라이 에칭하여 에칭된 측벽 및 상기 측벽상에 측벽 보호막을 갖는 배선체를 형성하고; 드라이 에칭된 반도체 기판을: (a) 유기 카르복실산 암모늄 염 또는 유기 카르복실산 아민염 및 (b) 불소화합물의 수용액으로 구성된 박리액으로 처리하여 측벽 보호막을 제거함으로써 달성된다는 것을 발견하였다.
바람직한 구현예에서, 박리액은 아미드, 락톤, 니트릴, 알콜 및 에스테르로 구성된 군으로부터 선택된 유기용매를 더 포함한다. 본 발명의 박리액은 알루미늄 배선체를 부식시키지 않는다. 또한, 드라이 에칭 단계도중에 형성된 측벽 보호막은 완전히 제거되어 초미세 패턴이 수득된다.
본 발명은 하기에 보다 상세히 기술된다.
본 발명의 유기 카르복실산의 암모늄염 또는 유기 카르복실산의 아민염은 하기 구조식으로 표시된다:
[R1]m[COONHp(R2)q]n
[상기식에서, R1은 수소, 또는 탄소수 1 내지 18의 알킬 또는 아릴기이고; R2는 수소, 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이며, m 및 n 은 각각 1 내지 4의 정수이고, p는 1 내지 4의 정수이며, q는 1 내지 3의 정수이고, p + q = 4이다]
본 발명의 유기 카르복실산의 암모늄 염은, 예를 들면, 지방족 카르복실산의 암모늄 화합물, 예컨대 암모늄 포르메이트, 암모늄 아세테이트, 암모늄 프로피오네이트, 암모늄 부티레이트, 암모늄 발러레이트, 암모늄 헵타네이트, 암모늄 라우레이트, 암모늄 팔미테이트, 암모늄 스테아레이트, 암모늄 아크릴레이트, 암모늄 크로토네이트, 암모늄 메타크릴레이트, 암모늄 옥살레이트, 암모늄 말로네이트, 암모늄 말레이트, 암모늄 푸마레이트, 암모늄 숙시네이트, 암모늄 아디페이트, 암모늄 아젤레이트, 암모늄 세바케이트; 및 방향족 카르복실산의 암모늄 화합물, 예컨대 암모늄 벤조에이트, 암모늄 톨루에이트, 암모늄 프탈레이트, 암모늄 트리멜리테이트 및 암모늄 피로델리테이트를 포함한다.
본 발명의 유기 카르복실산의 아민염은 예를 들면 유기 카르복실산의 아민염, 예컨대 모노메틸아민 포르메이트, 디메틸아민 포르메이트, 트리메틸아민 포르메이트, 모노에틸아민 포르메이트, 디에틸아민 포르메이트, 트리에틸아민 포르메이트, 모노메틸아민 아세테이트, 디메틸아민 아세테이트, 트리메틸아민 아세테이트, 모노에틸아민 아세테이트, 디에틸아민 아세테이트, 트리에틸아민 아세테이트, 모노메틸아민 벤조에이트, 디메틸아민 벤조에이트, 트리메틸아민 벤조에이트, 모노에틸아민 벤조에이트, 디에틸아민 벤조에이트 및 트리에틸아민 벤조에이트를 포함한다.
유기카르복실산 암모늄염 또는 아민 카르복실산 염은 바람직하게는 박리액의 5 내지 50 중량 % 의 농도로 사용된다. 농도가 5 중량 % 이하이면, 알루미늄 배선체는 과도하게 부식된다. 농도가 50 중량 % 이상이면, 측벽 보호막의 제거성능이 감소된다.
본 발명에서 사용하기 위한 불소화합물의 예는 히드로플루오르산, 암모늄 플루오라이드, 암모늄 히드로플루오라이드, 암모늄 보로플루오라이드등을 포함한다. 불소 화합물의 박리액의 0.5 내지 15 중량 % 의 농도로 사용된다. 불소 화합물의 농도가 0.5 중량 % 이하이면, 측벽 보호막의 제거 성능이 감소된다. 농도가 15 중량 % 이상이면, 알루미늄 배선체는 극도로 부식된다.
본 발명에서 사용하기 위한 유기 용매의 예는, 예를 들면, 아미드, 예컨대 디메틸포름아미드, 디메틸아세토아미드, N - 메틸피롤리돈; 니트릴, 예컨대 γ- 부티로락톤; 알콜, 예컨대 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 에틸렌글리콜등; 및 에스테르, 예컨대 메틸 아세테이트, 에틸 아세테이트등을 포함한다. 유기용매는 바람직하게는 박리액의 1 내지 50중량%의 농도로 사용된다. 농도가 1 중량 % 이하이면, 알루미늄 배선체는 극도로 부식된다. 농도가 50 중량 % 이하이면, 측벽 보호막의 제거성능이 저하된다.
또한, 유기카르복실산 암모늄염 또는 아민 카르복실산 염과 유기 용매의 총사용량은 박리액의 10 내지 80 중량 % 이다. 유기용매의 농도가 낮거나, 유기 용매가 첨가되지 않고, 동시에 유기 카르복실산 암모늄염 또는 유기 카르복실산 아민 염의 농도가 낮다면, 알루미늄 배선체는 극도로 부식되고, 측벽 보호막의 제거 성능이 저하된다.
본 발명에서 사용하기 위한 드라이 에칭 기체는 예를 들면, 염소, 브롬화수소, 및 삼염화 붕소로부터 선택된 기체이다. 드라이 에칭 기체는 불소 함유 기체, 예컨대 카본 테트라플루오라이드, 황 헥사플루오라이드, 붕소 트리플루오라이드등; 및 염소 함유 기체, 예컨대 염화 수소, 사염화 탄소 및 사염화 규소를 포함한다.
본 발명에 따르면, 제거단계는 실온부근의 온도에서 수행될 수 있다. 그러나, 제거 단계를 실온에서 수행하기 어렵다면, 제거단계는 고온에서 수행될 수 있다. 본 발명의 방법을 수행하기 위해 필요한 시간은 특별하게 제한되지 않는다. 가공 시간은 측벽 보호막의 상태, 알루미늄계 배선체의 조성등에 따라서 선택될 수 있다.
또한, 본 발명의 박리액은 애슁 (ashing) 후의 레지스트 잔류물을 완전히 제거할 수 있으며, 알루미늄계 배선체를 부식시키지 않기 때문에, 본 발명의 박리액은 또한 알루미늄 기재 배선의 세척단계시 마이크로스트리퍼로서 사용될 수 있다.
본 발명은 하기 실시예를 참고로하여 보다 상세히 기술되나, 본 발명이 이로 제한되는 것은 아니다.
[실시예]
[실시예 1]
제1도는 반도체 기판(10) 첫 번째 예의 드라이 에칭후의 단면도를 나타낸다. (1)은 규소 웨이퍼일 수 있는 반도체 웨이퍼이고, (2)는 반도체 웨이퍼(1)에 형성된 산화된 막 또는 산화물층이며, (3)은 Al 기재 배선체 또는 산화물층(2)상에 형성된 Al 메탈라이제이션 패턴이고, (4)는 포토리쏘그래피 기술을 사용하여 패턴화된 포토레지스트 막 또는 층이다. Al 배선체는 Al 합금층을 산화물층(2)에 증착하여 형성한다. 그후 포토레지스트를 산화물 층에 코팅하고, 노출하고 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성한다.
패턴화된 웨이퍼를 에칭 마스크로서 포토레지스트 패턴을 사용하여 HBr 함유 기체로 드라이 에칭하여 노출된 Al 합금(제1도에 도시안됨)을 에칭한다. 이 단계에서, 포토레지스트 잔류물 및 에칭 잔류물 (측벽 보호막)을 포함하는 잔류물(5)이 Al 배선체(3) 및 레지스트 필름(4)의 측벽에 부착된다. 제2도에 나타낸 바와 같이, 레지스트막(4)을 산소계 플라즈마를 사용하여 포토레지스트 애슁법에 의해 제거한다. 이때, 상기 전류물(5)은 산소 플라즈마에 의해 제거되지 않고, 잔류물(측벽 보호막) 상부는 Al 배선체(3)의 중심에 대해 벌어지도록 변형된다.
제2도에 나타낸 바와 같이 레지스트 애슁을 수행한 후에, 잔류물(측벽 보호막)(5)이 잔존하는 기판(10)을 25℃에서 5분간 50 중량 % 의 암모늄 아세테이트, 5 중량 % 의 암모늄 플루오라이드 및 나머지가 물인 박리액에 침지한다. 침지후에, 웨이퍼를 초순수로 세정하고, 건조한 다음 주사 전자 현미경(SEM)으로 관찰한다.
그 결과, 패턴화된 배선체의 측벽 보호막(5)이 완전히 제거되고, 알루미늄 배선체의 부식이 관찰되지 않는다. 또한, 측벽 보호막뿐만이 아니라 레지스트 잔류물도 또한 완전히 제거된다.
[실시예 2]
잔류물(측벽 보호막)(5)을 포함하는 제2도의 구조를 갖는 애슁후의 실시예 1의 기판(10)을 23℃에서 5 분간 40 중량 % 의 벤조산의 모노메틸 아민염, 5 중량 % 의 암모늄 보로플루오라이드 및 나머지의 물을 포함하는 박리액에 침지한다. 침지후에, 웨이퍼를 탈이온수로 세정하고, 건조한 다음 SEM으로 관찰한다.
그 결과, 측벽 보호막(5)은 완전히 제거되었으며, 알루미늄 배선체(3) 또는 산화물 층(2)의 부식은 관찰되지 않는다. 또한, 측벽보호막뿐만이 아니라 레지스트 잔류물도 완전히 제거된다.
[실시예 3]
제3도는 반도체 기판의 드라이 에칭후의 단면도의 두 번째 예를 나타낸다. (11)은 반도체 웨이퍼이고, (12)는 Al 합금층 또는 반도체 웨이퍼(11)상에 형성된 층이고, (13)은 Al 합금층 상에 형성된 산화된 막 또는 산화물 층이고, (14)는 산화물층상에 제공된 패턴화된 포토레지스트 필름 또는 층이다. 마스크로서 포토레지스트 필름(14)을 사용하여, HBr 기체 함유 에칭 기체를 사용하는 드라이 에칭을 수행하여 바이아홀(viahole)(16)을 형성한다. 드라이 에칭 도중에, 레지스트 잔류물 및 드라이 에칭 잔류물을 포함하는 잔류물(측벽 보호막)(15)이 바이아홀(16)의 측벽에 부착되는데 이는 이후의 포토레지스트 애슁 단계도중에 제거되지 않는다. 잔류물(측벽 보호막)(15)이 잔류하는 기판을 25℃에서 5분간 10 중량 % 의 암모늄 아세테이트, 5 중량 % 의 암모늄 플루오라이드, 40 중량 % 의 디메틸포름아미드 및 나머지의 물로 구성된 박리액에 침지한다. 침지한 후에, 웨이퍼를 초순수로 세정하고, 건조한 다음, SEM으로 관찰한다.
그 결과, 측벽 보호막(5)이 완전히 제거되었으며, 알루미늄 합금층(12) 및 산화물층(13)의 부식은 관찰되지 않는다. 또한, 측벽 보호막뿐만이 아니라 레지스트 잔류물도 완전히 제거된다.
[실시예 4]
잔류물(측벽 보호막)(5)을 포함하는 제2도의 구조를 갖는 애슁후의 실시예 1의 기판(10)을 0.8 중량 % 의 암모늄 히드로겐 플루오라이드, 10 중량 % 의 트리메틸 아민 포르메이트, 40 중량 % 의 에틸렌글리콜 및 나머지의 물로 구성된 박리액에 20℃에서 5 분간 침지한다. 침지후에, 웨이퍼를 초순수로 세정하고, 건조하고, SEM으로 관찰한다.
그 결과, 측벽 보호막(5)은 완전히 제거되며, 알루미늄 배선체(3) 및 산화물 층(2)의 부식은 관찰되지 않는다. 또한, 측벽 보호막뿐만이 아니라 레지스트 잔류물도 또한 완전히 제거된다.
[실시예 5]
잔류물(측벽 보호막)(5)을 포함하는 제2도의 구조를 갖는 애슁후의 실시예 1의 기판(10)을 15 중량 % 의 암모늄 포르메이트, 5 중량 % 의 암모늄 플루오라이드, 30 중량 % 의 디메틸 아세토아미드 및 나머지의 물로 구성된 박리액에 23℃에서 10 분간 침지한다. 침지후에, 웨이퍼를 초순수로 세정하고, 건조하고, SEM으로 관찰한다.
그 결과, 측벽 보호막(5)은 완전히 제거되며, 알루미늄 배선체(3) 및 산화물 층(2)의 부식은 관찰되지 않는다. 또한, 측벽 보호막뿐만이 아니라 레지스트 잔류물도 완전히 제거된다.
[실시예 6]
잔류물(측벽 보호막)(5)을 포함하는 제2도의 구조를 갖는 애슁후의 실시예 1의 기판(10)을 30중량 %의 암모늄 프탈레이트, 3 중량 % 의 암모늄 플루오라이드, 20 중량 % 의 N - 메틸 피롤리돈 및 나머지의 물로 구성된 박리액에 23℃에서 10 분간 침지한다. 침지후에, 웨이퍼를 초순수로 세정하고, 건조하고, SEM 으로 관찰한다.
그 결과 측벽 보호막(5)은 완전히 제거되며, 알루미늄 배선체(3) 및 산화물 층(2)의 부식은 관찰되지 않는다. 또한, 측벽 보호막뿐만이 아니라 레지스트 잔류물도 완전히 제거된다.
[실시예 7]
잔류물(측벽 보호막)(15)을 포함하는 제3도의 구조를 갖는 애슁후의 실시예 3의 기판(10)을 40 중량 % 의 트리메틸아민 아세테이트, 3 중량 % 의 암모늄 플루오라이드, 7 중량 % 의 디메틸 포름아미드 및 나머지의 물로 구성된 박리액에 25℃에서 10분간 침지한다. 침지후에, 웨이퍼를 초순수로 세정하고, 건조하고, SEM 으로 관찰한다.
그 결과, 측벽 보호막(15)은 완전히 제거되며, 알루미늄 합금층(12) 또는 산화물층(13)의 부식은 관찰되지 않는다. 또한, 측벽 보호막뿐만이 아니라 레지스트 잔류물도 완전히 제거된다.
[비교예 1]
잔류물(측벽 보호막)(5)을 포함하는 제2도의 구조를 갖는 애슁후의 실시예 1의 기판(10)을 5 중량 % 의 암모늄 플루오라이드 및 나머지의 물을 포함하는 박리액에 25℃에서 5 분간 침지한다. 침지후에, 웨이퍼를 초순수로 세정하고, 건조하고, SEM 으로 관찰한다.
그 결과, 측벽 보호막(5)은 완전히 제거된다. 그러나, 알루미늄 배선체(3) 및 산화물 층(2)의 광범위한 부식이 관찰된다.
[비교예 2]
잔류물(측벽 보호막)(15)을 포함하는 제3도의 구조를 갖는 애슁후의 실시예 3의 기판(10)을 10 중량 % 의 암모늄 아세테이트, 40 중량 % 의 디메틸 포름아미드 및 나머지의 물로 구성된 박리액에 25℃에서 10분간 침지한다. 침지후에, 웨이퍼를 초순수로 세정하고, 건조하고, SEM 으로 관찰한다.
그 결과, 측벽 보호막(15)은 알아볼 수 있을 정도로까지 제거되지는 않는다.
상기한 바와 같이, 본 발명의 박리액 및 방법은 포토레지스트 패턴을 마스크로서 사용하는 드라이 에칭에 의해 패턴화된 알루미늄 배선체의 측벽 보호막을 알루미늄 합금층 및 그 아래의 산화물층을 부식시킴이 없이 완전히 제거한다. 또한, 측벽 보호막뿐만이 아니라 레지스트 잔류물도 완전하게 제거된다.
본 발명이 구체적인 구현예를 참고로하여 기술되었으나, 본 발명의 주제를 벗어나지 않는 다양한 변형이 가능함은 당분야 숙련인에게 명백할 것이다.

Claims (24)

  1. (a) 5 내지 50 중량 % 의 구조식 [R1]m[COONHp(R2)q]n(식중, R1은 수소, 또는 탄소수 1 내지 18의 알킬 또는 아릴기이고; R2는 수소, 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이며, m 및 n 은 각각 1 내지 4의 정수이고, p는 1 내지 4의 정수이며, q는 1 내지 3의 정수이고, p + q = 4이다)으로 표시되는 유기 카르복실산 암모늄염 또는 유기 카르복실산염; 및 (b) 0.5 내지 15 중량 % 의 불소 화합물을 포함하는, 포토레지스트 패턴을 에칭 마스크로서 사용하는 드라이 에칭 단계시에 형성된 알루미늄 기재 배선체가 그위에 있는 반도체 기판으로부터 드라이 에칭 포토레지스트 잔류물을 제거하기 위한 박리액.
  2. (a) 5 내지 50 중량 % 의 구조식 [R1]m[COONHp(R2)q]n(식중, R1은 수소, 또는 탄소수 1 내지 18의 알킬 또는 아릴기이고; R2는 수소, 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이며, m 및 n 은 각각 1 내지 4의 정수이고, p는 1 내지 4의 정수이며, q는 1 내지 3의 정수이고, p + q = 4이다)으로 표시되는 유기 카르복실산 암모늄염 또는 아민 카르복실레이트; (b) 0.5 내지 15 중량 % 의 불소 화합물; 및 (c) 1 내지 50 중량 % 의 아미드, 락톤, 니트릴, 알콜 및 에스테르로 구성된 군으로 부터 선택된 1 종 이상의 유기 용매를 포함하는, 포토레지스트 패턴을 에칭 마스크로서 사용하는 드라이 에칭 단계시에 형성된 알루미늄 기재 배선체가 그위에 있는 반도체 기판으로부터 드라이 에칭 포토레지스트 잔류물을 제거하기 위한 박리액.
  3. 알루미늄을 함유하는 전도성층이 그위에 있는 반도체 웨이퍼로 구성된 반도체 기판을 형성하고; 전도성 층을 패턴화된 포토레지스트 마스크를 통하여 드라이 에칭하여 에칭된 측벽 및 상기 측벽상의 측벽 보호막을 갖는 배선체를 형성하고; 드라이 에칭된 반도체 기판을: (a) 5 내지 50 중량 % 의 구조식 [R1]m[COONHp(R2)q]n(식중, R1은 수소, 또는 탄소수 1 내지 18의 알킬 또는 아릴기이고; R2는 수소, 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이며, m 및 n 은 각각 1 내지 4의 정수이고, p는 1 내지 4의 정수이며, q는 1 내지 3의 정수이고, p + q = 4이다)으로 표시되는 유기 카르복실산 암모늄염 또는 아민 카르복실레이트; (b) 0.5 내지 15 중량 % 의 불소 화합물을 포함하는 박리액으로 처리하여 측벽 보호막을 제거하는 것으로 구성되는 배선 패턴 형성방법.
  4. 제3항에 있어서, 박리액이 (c) 1 내지 50 중량 % 의 아미드, 락톤, 니트릴, 알콜 및 에스테르로 구성된 군으로부터 선택된 일종이상의 유기 용매를 더 포함하는 방법.
  5. 제3항에 있어서, 드라이 에칭기체가 염소 기체, 브롬화 수소, 기체 및 삼염화 붕소 기체로 구성된 군으로 부터 선택되는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 유기 카르복실산 암모늄 염이 암모늄 포르메이트, 암모늄 아세테이트, 암모늄 프로피오테이트, 암모늄 부티레이트, 암모늄 발러레이트, 암모늄 헵타네이트, 암모늄 라우레이트, 암모늄 팔미테이트, 암모늄 스테아레이트, 암모늄 아크릴레이트, 암모늄 크로토네이트, 암모늄 메타크릴레이트, 암모늄 옥살레이트, 암모늄 말로네이트, 암모늄 말레이트, 암모늄 푸마레이트, 암모늄 숙시네이트, 암모늄 아디페이트, 암모늄 아젤레이트, 암모늄 세바케이트; 암모늄 벤조에이트, 암모늄 톨루에이트, 암모늄 프탈레이트, 암모늄 트리멜리테이트 및 암모늄 피로델리테이트로 구성된 군으로 부터 선택되는 박리액.
  7. 제2항에 있어서, 유기 카르복실산 암모늄 염이 암모늄 포르메이트, 암모늄 아세테이트, 암모늄 프로피오네이트, 암모늄 부티레이트, 암모늄 발러레이트, 암모늄 헵타네이트, 암모늄 라우레이트, 암모늄 팔미테이트, 암모늄 스테아레이트, 암모늄 아크릴레이트, 암모늄 크로토테이트, 암모늄 메타크릴레이트, 암모늄 옥살레이트, 암모늄 말로네이트, 암모늄 말레이트, 암모늄 푸마레이트, 암모늄 숙시네이트, 암모늄 아디페이트, 암모늄 아젤레이트, 암모늄 세바케이트; 암모늄 벤조에이트, 암모늄 톨루에이트, 암모늄 프탈레이트, 암모늄 트리멜리테이트 및 암모늄 피로멜리테이트로 구성된 군으로 부터 선택되는 박리액.
  8. 제1항에 있어서, 유기 카르복실산의 아민염이 모노메틸아민 포르메이트, 디메틸아민 포르메이트, 트리메틸아민 포르메이트, 모노에틸아민 포르메이트, 디에틸아민 포르메이트, 트리에틸아민 포르메이트, 모노메틸아민 아세테이트, 디메틸아민 아세테이트, 트리메틸아민 아세테이트, 모노에틸아민 아세테이트, 디에틸아민 아세테이트, 트리에틸아민 아세테이트, 모노메틸아민 벤조에이트, 디메틸아민 벤조에이트, 트리메틸아민 벤조에이트, 모노에틸아민 벤조에이트, 디에틸아민 벤조에이트 및 트리에틸아민 벤조에이트로 구성된 군으로부터 선택되는 박리액.
  9. 제2항에 있어서, 유기 카르복실산의 아민염이 모노메틸아민 포르메이트, 디메틸아민 포르메이트, 트리메틸아민 포르메이트, 모노에틸아민 포르메이트, 디에틸아민 포르메이트, 트리에틸아민 포르메이트, 모노메틸아민 아세테이트, 디메틸아민 아세테이트, 트리메틸아민 아세테이트, 모노에틸아민 아세테이트, 디에틸아민 아세테이트, 트리에틸아민 아세테이트, 모노메틸아민 벤조에이트, 디메틸아민 벤조에이트, 트리메틸아민 벤조에이트, 모노에틸아민 벤조에이트, 디에틸아민 벤조에이트 및 트리에틸아민 벤조에이트로 구성된 군으로부터 선택되는 박리액.
  10. 제1항에 있어서, 유기 카르복실산 암모늄 염이 암모늄 아세테이트, 암모늄 프로피오네이트, 암모늄 프탈레이트 및 암모늄 포르메이트로 구성된 군으로부터 선택되는 박리액.
  11. 제2항에 있어서, 유기 카르복실산 암모늄 염이 암모늄 아세테이트 암모늄 프로피오네이트, 암모늄 프탈레이트 및 암모늄 포르메이트로 구성된 군으로부터 선택되는 박리액.
  12. 제1항에 있어서, 유기 카르복실산 아민 염이 모노메틸아민 포르메이트, 트리에틸아민 포르메이트 및 모노메틸아민 벤조에이트로 구성된 군으로부터 선택되는 박리액.
  13. 제2항에 있어서, 유기 카르복실산 아민 염이 모노메틸아민 포르메이트, 트리에틸아민 포르메이트 및 모노메틸아민 벤조에이트로 구성된 군으로부터 선택되는 박리액.
  14. 제1항에 있어서, 불소 화합물이 히드로플루오르산, 암모늄 플루오라이드, 암모늄 히드로플루오라이드 및 암모늄 보로플루오라이드로 구성된 군으로 부터 선택되는 박리액.
  15. 제2항에 있어서, 불소 화합물이 히드로플루오르산, 암모늄 플루오라이드, 암모늄 히드로플루오라이드 및 암모늄 보로플루오라이드로 구성된 군으로 부터 선택되는 박리액.
  16. 제2항에 있어서, 유기 용매가 디메틸포름아미드, 디메틸아세토아미드, N - 메틸피롤리돈, γ - 부티로락톤, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 에틸렌글리콜, 메틸 아세테이트 및 에틸 아세테이트로 구성된 군으로부터 선택되는 박리액.
  17. 제2항에 있어서, 유기 용매가 디메틸 포름아미드, 에틸렌글리콜 디메틸아세토아미드 및 N - 메틸 피롤리돈으로 구성된 군으로부터 선택되는 박리액.
  18. 제3항에 있어서, 유기 카르복실산 암모늄 염이 암모늄 포르메이트, 암모늄 아세테이트, 암모늄 프로피오네이트, 암모늄 부티레이트, 암모늄 발러레이트, 암모늄 헵타네이트, 암모늄 라우레이트, 암모늄 팔미테이트, 암모늄 스테아레이트, 암모늄 아크릴레이트, 암모늄 크로토테이트, 암모늄 메타크릴레이트, 암모늄 옥살레이트, 암모늄 말로네이트, 암모늄 말레이트, 암모늄 푸마레이트, 암모늄 숙시네이트, 암모늄 아디페이트, 암모늄 아젤레이트, 암모늄 세바케이트; 암모늄 벤조에이트, 암모늄 톨루에이트, 암모늄 프탈레이트, 암모늄 트리멜리테이트 및 암모늄 피로멜리테이트로 구성된 군으로 부터 선택되는 방법.
  19. 제3항에 있어서, 유기 카르복실산의 아민염이 모노메틸아민 포르메이트, 디메틸아민 포르메이트, 트리메틸아민 포르메이트, 모노에틸아민 포르메이트, 디에틸아민 포르메이트, 트리에틸아민 포르메이트, 모노메틸아민 아세테이트, 디메틸아민 아세테이트, 트리메틸아민 아세테이트, 모노에틸아민 아세테이트, 디에틸아민 아세테이트, 트리에틸아민 아세테이트, 모노메틸아민 벤조에이트, 디메틸아민 벤조에이트, 트리메틸아민 벤조에이트, 모노에틸아민 벤조에이트, 디에틸아민 벤조에이트 및 트리에틸아민 벤조에이트로 구성된 군으로부터 선택되는 방법.
  20. 제3항에 있어서, 유기 카르복실산 암모늄 염이 암모늄 아세테이트, 암모늄 프로피오네이트, 암모늄 프탈레이트 및 암모늄 포르메이트로 구성된 군으로부터 선택되는 방법.
  21. 제3항에 있어서, 유기 카르복실산 아민 염이 모노 메틸아민 포르메이트, 트리에틸아민 포르메이트 및 모노메틸아민 벤조에이트로 구성된 군으로부터 선택되는 방법.
  22. 제3항에 있어서, 불소 화합물이 히드로플루오르산, 암모늄 플루오라이드, 암모늄 히드로플루오라이드 및 암모늄 보로플루오라이드로 구성된 군으로 부터 선택되는 방법.
  23. 제4항에 있어서, 유기 용매가 디메틸포름아미드, 디메틸아세토아미드, N - 메틸피롤리돈, γ - 부티로락톤, 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 에틸렌글리콜, 메틸 아세테이트 및 에틸 아세테이트로 구성된 군으로부터 선택되는 방법.
  24. 제4항에 있어서, 유기 용매가 디메틸 포름아미드, 에틸렌글리콜 디메틸아세토아미드 및 N - 메틸 피롤리돈으로 구성된 군으로부터 선택되는 방법.
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