JP3048207B2 - 還元及び酸化電位を有する求核アミン化合物を含む洗浄剤組成物およびこれを使用した基板の洗浄方法 - Google Patents

還元及び酸化電位を有する求核アミン化合物を含む洗浄剤組成物およびこれを使用した基板の洗浄方法

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    • C11D2111/22—

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、還元及び酸化電位を有
する少なくとも１つの求核アミン化合物と、該求核アミ
ン化合物と混和可能な少なくとも１つの有機溶剤と、水
と、及び任意選択的に１つ又は複数のキレート剤とを含
むレジスト及びエッチング残留物の除去用組成物を対象
とする。この溶液は、組立工程中、マイクロ回路からレ
ジスト及びエッチング残留物を除去する際に有用であ
る。
【０００２】
【従来の技術】マイクロ回路の組立工程において、半導
体スライス上に複数の適切なドーピング領域を正確に位
置決めし、続いて、その半導体上に１個以上の接続回路
パターンを設定する必要がある。基板にエッチングその
他の方法で該回路パターンを形成し得るよう基板上にパ
ターン形成用のマスキング材としてポジ型のホトレジス
トが広く使用されてきた。そのために工程の最終段階に
おいては、露出されない非回路部分のレジスト及びエッ
チング残留物を基板から除去する工程が含まれる。しか
しながら、基板の回路パターン形成のためのエッチング
に、プラズマエッチング法、反応性イオンエッチング
法、またはイオンミリング法の使用が盛んに行われるよ
うになるにつれて、従来からレジスト除去の目的で一般
的に使用されていろレジスト剥離剤、例えば塩化メチレ
ン主たはテトラクロルエチレンなどのハロゲン化炭化水
素、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ピ
ロリドン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミ
ン、などのアミン及びその誘導体、エチレングリコール
モノエチルエーテル、２−ブトキシエタノール、２−
（ブトキシ−エトキシ）エタノールなどのグリコールエ
ーテル、ジメチルスルホンなどのアルキルスルホンの１
種以上の溶剤を含む剥離剤によってレジストマスクを除
去することは実質的に不可能である。
【０００３】又、上記したようなエッチング工程中に、
基板材料の側壁に副生成物として、有機金属ポリマーが
形成される可能性があるが、上記した溶剤にはそのよう
な有機金属ポリマーを溶解除去する作用はない。ホトレ
ジストの除去に効果があるとして最近開発された技術に
プラズマアッシング法として知られるプラズマ酸化法が
ある。しかし、この方法もホトレジストの除去には効果
があるが、エッチング工程中に基板側壁に形成される有
機金属ポリマーに対する除去効果はない。
【０００４】更に、近年マイクロエレクトロニクスにお
ける組立補助材、絶縁基板、層間絶縁材などとしてポリ
イミドの使用が盛んになってきた。組立補助材としての
ポリイミドの使用には、ホトレジスト、多層ホトレジス
ト構造における平坦化層及びイオンインプラントマスク
への応用が含まれる。これらの適用例においては、ポリ
イミドポリマーがウェファーまたは基板上に付与され、
適当な方法で硬化され、パターン化され、使用後は除去
される。この場合においても多くの従来の剥離剤は厳し
い硬化工程に一旦付されたポリイミドの除去に十分効果
的であるとはいえないので、通常はヒドラジン又は酸素
プラズマ内で基板を沸騰させるなどの繁雑な操作を施す
ことによってポリイミドの除去が行われる。
【０００５】従って、レジストを迅速かつ完全に除去す
るのに適した組成物であれば、従来の剥離剤に優る優れ
た利点が得られることになる。更に、レジスト及び有機
金属副生成物の双方を除去可能な組成物であれば、更に
大きな利点が得られることになる。明らかなことである
が、エッチング残留物が基板から完全に除去されない場
合、その残留物が、基板に関するそれ以降の工程を妨害
する可能性がある。
【０００６】特に、ウェファーを形成するためのサブミ
クロン処理技術の導入に伴って、レジスト材料を完全に
除去することに加えて、レジスト除去後に残るエッチン
グ残留物を除去するための洗浄技術も要望されている。
アルミニウム、アルミニウム／シリコン／銅、チタン、
窒化チタン、チタン／タングステン、タングステン、酸
化ケイ素、ポリシリコン結晶など、各種の金属のプラズ
マエッチングの結果として生成されるあらゆる種類の残
留物を除去するための洗浄剤が要望されている結果、処
理分野でより効果的な洗浄剤の開発が課題とされてい
る。
【０００７】より具体的には、マイクロ回路の組立時に
は、基板表面をアルミニウム、チタン、酸化ケイ素、又
はポリシリコンとすることができ、パターンは、化学的
エッチング法によって基板上に描かれる。プラズマエッ
チング、反応性イオンエッチング、又はイオンエッチン
グまたはイオンミリングが益々使用されるようになって
おり、そのようなエッチング処理によって、プラズマガ
ス、反応種、及びホトレジストの相互作用によって好ま
しくない副生成物が生成されている。そのような副生成
物の組成物は、一般に、エッチング処理基板、下層基
板、ホトレジスト、及びエッチングガスから構成されて
いる。そのような副生成物の形成は、エッチング装置の
種類、工程条件、及び使用される基板によって影響を受
ける。これらの副生成物は、一般に、「側壁ポリマ
ー」、「ベイル」、「ピケットフェンス」、「ウサギの
耳」、又は「ヤギの角」と呼ばれ、酸素プラズマや、従
来レジストの除去に使用されているＮ−メチル−２−ピ
ロリドン、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、
ジメチルアセトアミドなどの従来の溶剤では完全には除
去することはできない。エッチング残留物などを全て除
去し、その後にマイクロ回路で使用するのに十分な一体
性を備えたウェファーを提供することが非常に重要であ
る。
【０００８】ホトレジスト剥離剤としては有効である
が、必ずしも洗浄剤ではない剥離用の公知のアルカリ／
溶剤混合物の例としては、米国特許第４，７７０，７１
３号及び米国特許第４，４０３，０２９号に開示された
ジメチルアセトアミド及びアルカノールアミン、又はジ
メチルホルムアミド及びアルカノールアミンと、米国特
許第４，４２８，８７１号、米国特許第４，４０１，７
４７号及び米国特許第４，３９５，４７９号に開示され
た２−ピロリドン、ジアルキルスルホン及びアルカノー
ルアミンと、米国特許第４，７４４，８３４号に開示さ
れた２−ピロリドン及び水酸化テトラメチルアンモニウ
ムなどの組成物がある。しかし、そのような剥離剤組成
物が効果的に作用することが立証されたのは、金属の単
一層を伴う単純なマイクロ回路製造において金属構造が
主として、Ａｌ−Ｓｉ、又はＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕであり、
「側壁ポリマー」残留物にアルミニウムを含む有機金属
が存在するだけである場合に、接触開口部及び金属のエ
ッチング部分から「側壁ポリマー」を洗浄除去するとき
のみであった。このような材料の洗浄の機構について
は、本出願人及びインテル社（Ｉｎｔｅｌ Ｉｎｃ．）
によって研究が行われている。この研究は、１９８９年
のＫ．Ｔ．Ｉ．会議（Ｋ．Ｔ．Ｉ．Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃ
ｅ）において、Ｐ．Ｌ．パイ（Ｐａｉ）、Ｃ．Ｈ．ティ
ング（Ｔｉｎｇ）、Ｗ．Ｍ．リー（Ｌｅｅ）及びＲ．黒
田によって「ウエットレジスト剥離方法における金属の
腐食（Ｍｅｔａｌ Ｃｏｒｒｏｓｉｏｎ ｉｎ Ｗｅｔ
Ｒｅｓｉｓｔ Ｓｔｒｉｐｐｉｎｇ Ｐｒｏｃｅｓ
ｓ）」という論文で発表されている。この論文に記載さ
れているように、上記した剥離剤は腐食性を有するの
で、「側壁ポリマー」は、有機アルミニウム化合物又は
金属表面自体を腐食して「側壁ポリマー」残留物を浮か
すようにして剥離除去されている。更に、「側壁ポリマ
ー」を完全に除去するためには、剥離剤組成物を使用す
るのみでなく、超音波振動などの機械的手段をも使用す
る必要があるとされた。
【０００９】業界において実施されている多層金属及び
多層接続回路形成技術を伴う最新のサブミクロン処理に
おいては、一般にＴｉＮ、ＴｉＷ、Ｔｉ、ＴｉＳｉ、
Ｗ、Ｗｓｉなどを含む金属材料が使用されている。この
ような金属材料を使用する場合には、意図的であるか否
か問わず、プラズマエッチングにおいて新しい有機金属
物質の副生成物が生成するので、既存の入手可能な剥離
剤製品または洗浄剤製品を使用した場合に洗浄が不完全
になる。そのような知見は、１９９１年開催のマイクロ
リソグラフィに関するＳＰＩＥシンポジウム（Ｓｙｍｐ
ｏｓｉｕｍ ｏｆＭｉｃｒｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）
で、ジョンＷ．コバーン（Ｊｏｈｎ Ｗ．Ｃｏｂｕｒ
ｎ）により「プラズマエッチング及び反応性イオンエツ
チング（Ｐｌａｓｍａ Ｅｔｃｈｉｎｇ ａｎｄ Ｒｅ
ａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）」という標題
の発表で説明されている。特に、プラズマアッシング法
でレジストを除去した後に基板表面に残る残留物により
有機金属がＴｉＯ２などの弱アルカリ性剥離剤に対して
化学的に不活性な酸化物に変化することがわかった。そ
のような不十分な洗浄が行われる結果、回路基板の生産
歩留り、信頼性及び性能の低下を招く恐れを生じた。
【００１０】上述したように、従来の剥離剤組成物は、
現行の技術を使用してレジストの除去を行った後に存在
する基板側壁の有機金属ポリマー及びその他の金属酸化
物による残留物を除去するのには効果的でないことがわ
かった。また、ホトレジストの除去に有効であるとされ
るプラズマアッシング法でさえ、側壁有機金属ポリマー
や、エッチング工程中において生成するその他の金属酸
化物残留物の除去には殆ど効果がないことがわかった。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、レジストと
エッチング残留物のいずれもを効果的に除去し得るよう
な組成物を目的とするものである。さらに具体的には、
酸化及び還元電位を有する少なくとも１種の求核アミン
化合物と、該求核アミン化合物と混和可能な少なくとも
１種の有機溶剤と、水、さらに任意選択的に少なくとも
１種のキレート剤を含む洗浄剤組成物を提供すること、
及びこれを用いてレジストを完全に除去し、マイクロ基
板を洗浄する方法を提供することを目的とする。
【００１２】本発明の別の目的は、酸化及び還元電位を
有する少なくとも１種の求核アミン化合物と、該求核ア
ミン化合物と混和可能な少なくとも１種の有機溶剤と、
水、さらに任意選択的に少なくとも１種のキレート剤を
含む組成物を提供することによって、長時間の安定性を
備えたレジスト及びエッチング残留物の除去用の組成物
を提供することにある。
【００１３】本発明の更に他の目的は、酸化及び還元電
位を有する少なくとも１種の求核アミン化合物と、該求
核アミン化合物と混和可能な少なくとも１種の有機溶剤
と、水、さらに任意選択的に少なくとも１種のキレート
剤を含む組成物であって、求核アミン化合物と、該求核
アミン化合物と混和可能な有機溶剤とをそれぞれ別々に
保存しておいて、使用直前に混ぜ合わせ、有効寿命が短
いため使い捨てできるレジスト及びエッチング残留物の
除去用組成物を提供することにある。又、この組成物
は、上記のように成分を混合形成されたこの組成物にキ
レート剤を添加して再活性化することもできる。
【００１４】本発明の更に他の目的は、基板表面を損傷
したり、事後の基板作成工程を阻害したりすることな
く、基板からエッチング中に形成される残留物を除去
し、レジストを除去するプロセスに使われる組成物を提
供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明は、後において詳細に示すような還元及び酸
化電位を有する特定の求核アミン化合物の１種以上と、
該求核アミン化合物と混和可能な少なくとも１種の有機
溶剤と、水、さらに任意選択的に少なくとも１種のキレ
ート剤を含むレジスト及びエッチング残留物の除去用組
成物及びこれを用いた洗浄方法を特徴とするものであ
る。本発明の組成物において、水は、別個に加えてもよ
く、或いは求核アミン化合物の担体として、即ち、該求
核アミン化合物が水溶液として存在するようにしてもよ
い。
【００１６】欧州特許出願第４８５，１６１ Ａ１号に
対応する１９９０年１１月５日出願の米国特許出願第６
１０，０４４号には、ヒドロキシルアミンと混和可能な
アルカノールアミンとヒドロギシルアミンとの組み合わ
せによる組成物が基板からのレジストの除去に有効であ
ることが記載されている。しかし、アルカノールアミン
やヒドロキシルアミン以外の化合物が、レジストの除去
に有効である上に、特に基板からのエッチング残留物の
除去にも効果があることが見出された。即ち、酸化及び
還元電位を有する求核アミン化合物は、該求核アミン化
合物及び水と混和可能な有機溶剤と混合させた場合に、
基板からレジストのみならずエッチング残留物を効果的
に除去し得ることがわかった。該求核アミン化合物は、
還元及び酸化電位を有する必要があるが、これにより得
られた組成物を使用するときに実際に酸化、還元作用を
行わせる必要はない。本発明に有効な求核アミン化合物
の例としては、ヒドロキシルアミン、ヒドラジンのほか
特定のアミン及びこれらの誘導体が挙げられるが、これ
については後に詳述する。有機溶剤は、必ずしもアミン
である必要はないが、アミン溶剤が存在する方が好まし
い。
【００１７】更に、還元及び酸化電位を有する少なくと
も１つの求核アミン化合物と、求核アミン化合物と混和
可能な少なくとも１つの有機溶剤とを含有する水溶液に
キレート剤が存在するときに少なくとも２つの別の驚異
的な利点が得られることがわかった。即ち、（１）キレ
ート剤は、洗浄中にエッチング残留物を洗浄液中に保持
して、基板上に残留物が再沈殿するのを回避することに
より、洗浄を支援する。（２）キレート剤は、安定剤と
して作用し、組成物に長期的な効果を提供する。より具
体的には、キレート剤は、求核アミン化合物が基板から
残留物を除去した後に洗浄剤内でエッチング残留物を保
持し、或いは「固定」することによって、組成物の洗浄
機能を増強する。この作用は、基板上への残留物の再沈
殿を最低限に抑える。キレート剤が存在するので、長期
的に活性であり、従って保存寿命の長い組成物が得られ
る。求核アミン化合物及び有機溶剤の水溶液内にキレー
ト剤が存在しないとき、溶液は、短期間しか安定してい
ない。即ち、一般に活性寿命は、約１週間である。従っ
て、キレート剤が存在しないとき、使用直前まで、求核
アミン化合物と有機溶剤を別々に保存することが好まし
い。組成物を混合し、溶剤を使用した後、残りの溶剤を
処分することができる。或いは、活性が低下した後、キ
レート剤を添加することによって溶剤を再活性化するこ
ともできる。更に以下で説明するように、好ましいキレ
ート剤は、ジヒドロキシベンゼン及びその誘導体であ
る。
【００１８】この洗浄組成物は、チタン（Ｔｉ）、タン
グステン（Ｗ）、ケイ素（Ｓｉ）、酸化ケイ素（ＳｉＯ
２）のような、アルミニウム以外の金属元素を含有する
基板からエッチング残留物を除去する際に、特に有用で
ある。本発明の組成物は、基板からレジストを除去する
ことが出来るが、基板表面からレジストを除去した後、
該表面から、エッチング残留物、特に有機金属及び金属
酸化物エッチング残留物をきれいに除去することができ
る。現在、業界では、基板を損傷することなく、エッチ
ング残留物を完全に除去することは極めて難しいことで
ある。
【００１９】本発明の洗浄組成物は、特に、ミクロン以
下（即ち、０．８ミクロン未満）の集積回路の組立時
に、基板を伴う以後の製造操作、又は製造工程に悪影響
を及ぼさずに、基板から有機金属及び金属酸化物残留物
を除去するのに特に適している。更に、本発明の洗浄組
成物は、処理に使用されるエッチング装置の各部に堆積
した有機金属残留物を除去するのに効果的である。この
装置は、ポリカーボネート、セラミック、又はアルミニ
ウムで形成することができる。
【００２０】本発明の組成物を使用した場合には、基板
からレジストやエッチング残留物を同時に洗浄除去する
ことができるので、その後に複雑な処理装置や処理工程
を設ける必要がなくなる点で好都合である。本発明によ
る洗浄方法においては、存在しているレジストやエッチ
ング残留物を除去するのに十分な時間、適切な温度で、
基板を本発明による洗浄剤組成物と接触させる工程が含
まれる。
【００２１】
【作用】基板からエッチング残留物及びレジストを除去
するための本発明の洗浄及び剥離組成物は、洗浄環境に
おいて酸化及び還元電位を有する少なくとも１つの求核
アミン化合物と、求核アミン化合物と混和可能な少なく
とも１つの有機溶剤と、水と、及び任意選択的に１つ又
は複数のキレート剤とを含有している。組成物に水を独
立的に提供するか、或いは、求核アミン化合物と混合し
て提供することができる。例えば、求核アミン化合物は
５０％の水溶液として追加することができる。
【００２２】本発明による組成物において、該組成物は
好ましくはキレート剤を含有する。キレート剤は、長期
安定性及び活性を組成に提供するように機能する。従っ
て、組成物は、貯蔵寿命が長いという好ましい実用的な
属性を有している。
【００２３】又、還元及び酸化電位を持つ少なくとも１
つの求核アミン化合物と、有機溶剤と、及び水とを含有
する組成物を提供することができる。しかし、この組成
物の効果は、短期的なものに過ぎないので、求核アミン
化合物と有機溶剤は、使用直前まで、別々に保存するこ
とが好ましい。上述のように、水は、求核アミン化合物
と組み合わせて存在させることができる。この場合、水
溶液内の求核アミン化合物は、使用直前まで、有機溶剤
と別々に保存される。使用するときには、組成物が混合
され、必要に応じて組成物が使用される。一般に、キレ
ート剤を含有しない組成物は、有効活性寿命が約１週間
である。寿命が尽きたならば、組成物の未使用部分を、
単に処分するか、或いは、溶液へのキレート剤の添加に
よって再活性化することができる。
【００２４】本発明の組成物は、剥離組成物としてレジ
ストの除去に使用するか、或いは、洗浄組成物として基
板からのエッチング残留物の除去に使用することが出来
る。エッチング残留物を効果的に除去する能力は、従来
の技術で効果的なエッチング残留物除去剤を作成する際
に経験される困難性を鑑みると特に、驚異的である。
【００２５】本発明の洗浄組成物は、基板上に形成され
る有機金属及び金属酸化物残留物などのエッチング残留
物、特にプラズマエッチング工程中に形成される残留物
の除去に適している。基板には、アルミニウムや、チタ
ン、タングステン、ケイ素、酸化ケイ素などの非アルミ
ニウム金属元素を含めることが出来る。エッチング後に
残留する残留物の量及び種類は、使用するエッチング装
置、工程条件、及び使用する基板によって決まる。
【００２６】洗浄組成物には、還元及び酸化電位を持
つ、約５乃至５０重量％の少なくとも１つの求核アミン
化合物と、求核アミン化合物と混和可能な、約１０乃至
８０重量％の少なくとも１つの有機溶剤と、任意選択的
に約５乃至３０重量％の少なくとも１つのキレート剤と
を含め、残部は水、好ましくは、高純度の脱イオン水で
構成することが好ましい。
【００２７】以下に説明するように、酸化及び還元電位
を持つ求核アミン化合物としての使用に適している化合
物には、特定のアミン、ヒドロキシルアミン、ヒドラジ
ン、及びこれらの誘導体がある。本発明で使用される求
核アミン化合物は、洗浄工程又はレジスト剥離工程中、
実際に、酸化又は還元を行う必要はない。求核アミン化
合物が持たなければいけない特性は、洗浄環境又はレジ
スト剥離環境における酸化及び還元電位を有することの
みである。本発明において特に有用である適切な求核ア
ミン化合物は、次の化学式１７を持つ化合物により得ら
れる。
【００２８】
【化１７】 ［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、それぞれ独立
に、水素、ヒドロギシル基、置換されたＣ１−Ｃ６直鎖
アルキル、分枝鎖アルキル、またはシクロアルキル、ア
ルケニルまたはアルキニル基、置換されたアシル基、直
鎖アルコキシまたは分枝鎖アルコキシ基、アミジル基、
カルボキシル基、アルコキシアルキル基、アルキルアミ
ノ基、アルキルスルホニル基、スルホン酸基、またはそ
れらの塩であり、ｙ＝１のときｘ＝０、ｙ＝０のときｘ
＝０または１であり、ｘ＝１のときｙ＝０、ｘ＝０のと
きｙ＝０または１であり、Ｒ４が配位されるのは、ｘ＝
１のときのみである。］求核アミン化合物の特定の例に
ついては、以下に更に説明する。
【００２９】本発明において使用に適した酸化及び還元
電位を有する求核アミン化合物は以下に示す化学式１
８、１９及び２０で示される化合物からなる群から選択
される。次の化学式１８で示される求核アミン化合物は
前記した一般化学式１７においてｘ＝０、ｙ＝１とした
ときの化合物である。なお、上記のとおり、ｘ＝０のと
きＲ４は配位されない。
【００３０】
【化１８】 ［式中、Ｒ５、Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、水
素、ヒドロキシル基、選択的には置換されたＣ１−Ｃ６
直鎖アルキル、分枝鎖アルキル、またはシクロアルキ
ル、アルケニルまたはアルキニル基、置換されたアシル
基、直鎖アルコキシまたは分枝鎖アルコキシ基、アミジ
ル基、カルボキシル基、アルコキシアルキル基、アルキ
ルスルホニル基、又はスルホン酸基、またはそれらの塩
であり、かつ式中のＲ５、Ｒ６及びＲ７の全部が水素で
あることはない。」アミドのようなこれらの化合物の誘
導体も使用に適している。
【００３１】又、次の化学式１９で示される求核アミン
化合物ぱ前記した一般化学式１７においてｘ＝０、ｙ＝
０としたときの化合物である。
【００３２】
【化１９】 ［式中、Ｒ８、Ｒ９及びＲ１０は、それぞれ独立に、水
素、選択的には置換されたＣ１−Ｃ６直鎖アルキル、分
枝鎖アルキル、またはシクロアルキル、アルケニルまた
はアルキニル基、選択的には置換されたアシル基、直鎖
アルコキシまたは分枝鎖アルコキシ基、アミジル基、カ
ルボキシル基、アルコキシアルキル基、アルキルアミノ
基、アルキルスルホニル基、又はスルホン酸基、または
それらの塩であり、かつ式中のＲ８、Ｒ９及びＲ１０の
全部が水素であることはない。］
【００３３】又、次の化学式２０で示される求核アミン
化合物は前記した一般化学式１７においてｘ＝１、ｙ＝
０としたときの化合物である。
【００３４】
【化２０】 ［式中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４は、それぞ
れ独立に、水素、ヒドロキシル基、選択的には置換され
たＣ１−Ｃ６直鎖アルキル、分枝鎖アルキル、またはシ
クロアルキル、アルケニルまたはアルキニル基、選択的
には置換されたアシル基、直鎖アルコキシまたは分枝鎖
アルコキシ基、アミジル基、カルボキシル基、アルコキ
シアルキル基、アルキルスルホニル基、又はスルホン酸
基、またはそれらの塩であり、かつ式中のＲ１１、Ｒ
１２、Ｒ１３及びＲ１４の全部が水素であることはな
い。］
【００３５】還元及び酸化電位を持つ好ましい求核アミ
ン化合物は、アルコキシ置換アミン、ヒドロキシルアミ
ン、アルキル又はカルボキシル置換ヒドロキシルアミ
ン、及びアルキル又はカルボキシル置換ヒドラジンであ
る。最も好ましい化合物は、ヒドロキシルアミン、Ｎ−
メチル−ヒドロキシルアミン塩酸塩、Ｎ，Ｎ−ジエチル
ヒドロキシルアミン、及びメチルヒドラジンである。本
発明での使用に適した有機溶剤は、求核アミン化合物と
混和可能であり、水溶性であることが好ましい。又、本
発明に有効な有機溶剤は、例えば１００℃又はそれ以上
のような比較的高沸点と、例えば４５℃以上のような高
引火点を有することが好ましい。
【００３６】適切な有機溶剤には、アルカノールアミン
及びその誘導体が含まれる。又、ジメチルスルホキシド
（ＤＭＳＯ）などの非アミン溶剤も使用に適している。
アミン溶剤が単独で、又は別の溶剤と混合して存在する
ことが好ましい。従来は、アルカノールアミン溶剤を使
用する必要があると考えられていた。アルカノールアミ
ンは依然として好ましい溶剤であるが、今、還元及び酸
化電位を持つ少なくとも１つの求核アミン化合物と組み
合わせて使用するときは、他の溶剤が使用に適している
ことがわかった。
【００３７】適切なアルカノールアミンは、第一アミ
ン、第二アミン、又は第三アミンであり、モノアミン、
ジアミン、又はトリアミンであることが好ましく、モノ
アミンが最も好ましい。アミンのアルカノール基は、１
つ乃至５つの炭素原子を有している。
【００３８】本発明での使用に適した好ましいアルカノ
ールアミンは、R1R2-N-CH2CH2-O-R3という化学式で表す
ことができる[式中、R1及びR2は、H、CH3、CH3CH2、又
はCH2CH2OHとすることができ、R3はCH2CH2OHである]。
適切なアルカノールアミンの例には、モノエタノールア
ミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、第
三ブチルジエタノールアミン、イソプロパノールアミ
ン、2-アミノ-1-プロパノール、3-アミノ-1-プロパノー
ル、イソブタノールアミン、2-アミノ-2-エトキシ-プロ
パノール、及びジグリコールアミンとしても知られてい
る2-（2-アミノエトキシ）エタノールがある。
【００３９】本発明の組成物への使用に適した有機溶剤
の別の例には、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン、Ｎ，Ｎ
−ジメチルプロパンアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムア
ミド、エチレングリコール、エチレングリコールアルキ
ルエーテル、ジエチレングリコールアルキルエーテル、
トリエチレングリコールアルキルエーテル、プロピレン
グリコール、プロピレングリコールアルキルエーテル、
ジプロピレングリコールアルキルエーテル、トリプロピ
レングリコールアルキルエーテル、Ｎ−置換ピロリド
ン、エチレンジアミン、及びエチレントリアミンがあ
る。従来の技術で知られている別の極性溶剤も本発明の
組成物に使用することができる。
【００４０】本発明の組成に有効な好ましいキレート剤
は、次の化学式２１に従ったヒドロキシベンゼンであ
る。
【００４１】
【化２１】 ［式中、ｎ＝１乃至４、ｍ＝２乃至５であり、Ｒは独立
に水素、任意選択的に、置換されたＣ１−Ｃ６直鎖アル
キル、分岐アルキル、もしくはシクロアルキル、アルケ
ニル、もしくはアルキニル基、任意選択的に、置換され
たアシル基、直鎖アルコキシもしくは分岐アルコキシ
基、アミジル基、カルボキシル基、アルコキシアルキル
基、アルキルアミノ基、アルキルスルホニル基、又はス
ルホン酸基、或いはそれらの化合物の塩である。］好ま
しい化合物は、ジヒドロキシベンゼン異性体とアルキル
置換ジヒドロキシベンゼンである。化学式２１に従った
ヒドロキシベンゼンの中で、より好ましいキレート剤
は、次の化学式２２により表されるヒドロキシベンゼン
である。
【化２２】 ［式中、Ｒ１５及びＲ１６は、いずれも水素、ｔ−ブチ
ル、ＯＨ、またはＣＯＯＨである。］最も好ましい化合
物は、１，２−ジヒドロキシベンゼンと１，２−ジヒド
ロ−４−ｔ−ブチルベンゼンである。
【００４２】従来の技術で公知の別のキレート剤も、本
発明の組成物に使用することができる。例えば次の化学
式２３によって表されるチオフェノール及びその誘導体
又は次の化学式２４で示されるエチレンジアミンテトラ
カルボキシル酸のような金属イオンの存在しないキレー
ト剤も使用することができる。
【００４３】
【化２３】 ［式中、Ｒ１７は、ＯＨまたはＣＯＯＨである。］
【００４４】
【化２４】 ［式中、Ｒ１８、Ｒ１９、Ｒ２０及びＲ２１は、Ｈまた
はＮＨ４、またはこれらのアンモニウム塩である。］な
お、ナトリウム、カリウム等の塩は、洗浄によりマイク
ロ回路内にイオン汚染物質を発生させる傾向があるとい
う認識に基づき、使用に適さないと考えられている。上
記の化学式から明らかなように、カルボン酸は、４置換
体ではなく、１置換、２置換又は３置換体である。
【００４５】別の適切なキレート剤には、Ｒ１Ｒ２Ｒ３
Ｒ４ＮＯＨという化学式で表すことができるアルキルア
ンモニウム水酸化物がある［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、
及びＲ４は、短鎖アルギル基であり、１つ乃至５つの炭
素原子を持つことが好ましい。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及び
Ｒ４は同一のもの又は異なるものとすることができ
る］。好ましいアルキルアンモニウム水酸化物はテトラ
メチルアンモニウム水酸化物である。
【００４６】本発明において、最も好ましいとされる洗
浄剤組成物はＮ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミンを５
乃至５０重量％、前記Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルア
ミンに混和可能な有機溶剤の１種以上を１０乃至８０重
量％、残部が水からなる組成物か、又はヒドロキシルア
ミンを５乃至５０重量％、前記ヒドロキシルアミンに混
和可能な有機溶剤の１種以上を１０乃至８０重量％、前
記化学式２２で示す化合物を２．５乃至３０重量％、残
部水からなる組成物であり、より具体的には、Ｎ，Ｎ−
ジエチルヒドロキシルアミンを少なくとも１７．５重量
％、ジグリコールアミンを少なくとも６０重量％、水を
約１７．５重量％含ませた組成物か、又はヒドロキシル
アミンを少なくとも１７．５重量％、ジグリコールアミ
ンを少なくとも６０重量％、カテコールを少なくとも
２．５重量％、水を約１７．５重量％含む組成物であ
る。
【００４７】本発明の剥離組成物及び洗浄組成物が基板
自体を腐食せずにホトレジストを除去する基板の例に
は、アルミニウム、チタン／タングステン、アルミニウ
ム／シリコン、アルミニウム／シリコン／銅などの金属
基板、酸化ケイ素、窒化ケイ素、ガリウム／ヒ化物等の
基板、並びにポリカーボネートなどのプラスチック基板
がある。
【００４８】本発明の洗浄組成物は、エッチング基板に
使用されるエッチング装置からのエッチング残留物の除
去にも効果的である。市場で入手可能なエッチング装置
の例には、ラムリサーチ（Ｌａｍ Ｒｅｓｅａｒｃ
ｈ）、テガル（Ｔｅｇａｌ）、エレクトロテック（Ｅｌ
ｅｃｔｒｏｔｅｃｈ）、アプライド・マテリアル（Ａｐ
ｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌ）、トーキョー・エレク
トロン（Ｔｏｋｙｏ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ）、日立等があ
る。
【００４９】本発明の組成物を使用して基板からレジス
トを除去する方法、又は基板からエッチング残留物を洗
浄する方法において、除去する材料を持つ基板と本発明
の組成物が、残留物を除去するのに十分な時間及び温度
で接触される。基板は、この組成物に浸漬させる。一般
に、この温度は、略周囲温度、又は室温乃至１００℃の
範囲であり、接触時間は、約２分乃至６０分である。好
ましい方法では、基板のサンプルを浸漬させる段階を含
む。例えば、ウェファーが本発明の溶液に約６５℃の温
度で３０分間浸漬された後、基板サンプルを溶剤槽内に
約８０乃至８５℃で１０分間、配置し、次に、基板サン
プルを水槽内で水洗いする。
【００５０】
【実施例】基板からのエッチング残留物の除去を示す例
について以下に説明する。次の例は、本発明を更に例示
するために記載したものであり、本発明の範囲を限定す
ることを意図するものではない。
【００５１】これらの例では、基板は、本発明の組成物
で処理する前に従来知られた方法で処理される。
【００５２】以下の例１乃至例１１で、基板からエッチ
ング残留物を除去するために使用されている、本発明に
従った洗浄組成物の例を、以下の表１で説明する。表１
において、洗浄組成物Ｃ、Ｄ、Ｅ及びＦは本発明の洗浄
組成物であり、洗浄組成物Ａ、Ｂ及びＧは比較例であ
る。
【００５３】
【表１】 洗浄組成物 ヒドロキシルアミン重量% 有機溶剤重量% A 25% 50%の2-（2-アミノエトキシ）エタノール B 20% 60%の2-（2-アミノエトキシ）エタノール C 20% 55%の2-（2-アミノエトキシ）エタノール D 17.5% 50%のモノエタノールアミン E 8.75% 30%の2-（2-アミノエトキシ）エタノール F 15% 60%のモノエタノールアミン G 15% 70%の2-（2-アミノエトキシ）エタノール 洗浄組成物 水重量% 1, 2-ジヒドロキシベンゼン重量% A 25% 0% B 20% 0% C 20% 5% D 17.5% 15% E 63.5% 2.5% F 20% 5% G 15% 0% 例1 例1は、プラズマエッチング及びプラズマアッシング
(灰分除去) の後にウェファー基板上に残留物が残留す
るという問題に関するものである。図1は、プラズマア
ッシングの後、エッチング済み基板上に存在するエッチ
ング済みウェファー残留物を示す。より具体的には、誘
電層として使用される酸化ケイ素は、標準プラズマエッ
チング工程に従った多重層相互接続用にエッチングされ
たパターンを有する。マスキング材料として使用された
ホトレジストは、酸素プラズマアッシングによって既に
除去されている。エッチング済みウェファー上に存在す
る残留物は、イオン質量分光分析 (LIMA) で分析した。
分析結果が図2に示してある。この分析は、残留物が、
酸化金属及び痕跡量の有機材料を含有していることを確
認する。
【００５４】例２ 例２は、Ｃ／Ｖ試験方法で求められた、ウェファーに対
する本発明の洗浄組成物の効果を示すものである。Ｃ／
Ｖシフト測定方法は、ウェファーの洗浄に使用された化
学薬剤の効果を判断するために使用される手段である。
高い電圧へのシフトは、主として、可動イオンがウェフ
ァーを汚染することにより生ずる。そのような汚染は、
以後の工程段階に悪影響を及ぼし、結果的にマイクロ回
路のコショウを招く虞れがある。
【００５５】試験評価によって、各種の従来のホトレジ
スト剥離組成物と本発明の洗浄組成物のＣ／Ｖシフトと
を比較する。使用した全てのウェファーは、良質の酸化
ケイ素基板であることが既知である。全ての化学剤は、
パイレックス（Ｐｙｒｅｘ）ビーカーを使用して、ホッ
トプレート上で製造業者の提案する作用（ｏｐｅｒａｔ
ｉｎｇ）温度まで加熱した。使用したビーカーの各々
は、新品であり、それ以前にいかなる化学剤の処理に使
用したことがなかった。各製品ごとに別個のビーカーを
使用した。上記の組成物に酸化ケイ素ウェファーを浸漬
させた後、ウェファーをゆすいで乾燥させた。表２に
は、作用条件、及びＣ／Ｖシフト試験の結果が示してあ
る。
【００５６】表２は、次の通りである。
【００５７】
【表２】 負の測定値は、Ｃ／Ｖシフトに変化がなかったことを意
味する。上述の本発明に従った洗浄組成物Ｃは、試験し
た何れのポジ型のホトレジスト剥離剤よりも清浄な表面
が得られることがわかった。
【００５８】例３ 例３には、上記の本発明の組成物Ｆと、米国特許第４，
４０３，０２９号に記載された、Ｊ．Ｔ．ベーカー（Ｂ
ａｋｅｒ）によって「ＰＲＳ−２０００」（商品名）で
販売されている剥離組成物との比較試験の結果が示して
ある。この比較試験の結果は、図３（Ａ）及び図３
（Ｂ）において１．２ミクロンの寸法の開口部に対して
示したものである。各開口部は、標準酸化ケイ素プラズ
マエッチング工程を使用してエッチングされた酸化ケイ
素誘電層上に存在するものとした。酸素プラズマアッシ
ング法によるエッチング処理後、誘電層からホトレジス
トを除去した。次に、上述の組成物Ｆに６５℃で１０分
間、浸漬させて基板を処理した。図３（Ａ）に示す走査
顕微鏡による顕微鏡写真は、組成物Ｆが全ての有機金属
残留物を除去したことを示す。図３（Ｂ）に示すよう
に、同一の工程条件で製造したエッチング処理済みウェ
ファーを「ＰＲＳ−２０００」に６５℃で１０分間、浸
漬して処理したとき、基板上に残留物が残った。
【００５９】例４ 例４には、上述の組成物Ｃと、米国特許第４，７７０，
７１３号に記載した、「ＡＣＴ−１５０Ｉ」（商品名）
で販売されている剥離組成物との比較試験の結果が示し
てある。この「ＡＣＴ−１５０Ｉ」は、ジメチルアセト
アミド溶剤ベースのホトレジスト剥離剤である。
【００６０】比較試験の結果は、図４（Ａ）及び図４
（Ｂ）において、１．０ミクロンの寸法の開口部に対す
るものが示してある。各開口部は、標準酸化ケイ素プラ
ズマエッチング処理工程を使用してエッチング処理した
酸化ケイ素誘電層上に存在するものとした。ホトレジス
トは、酸素プラズマアッシング方法によって除去した。
次に、上述の組成物Ｃに４５℃で３０分間浸漬すること
で基板を処理した。図４（Ａ）に示す走査電子顕微鏡に
よる顕微鏡写真は、組成物Ｃが、酸化ケイ素基板を損傷
せずに、全ての有機金属残留物を完全に除去したことを
示す。図４（Ｂ）には、「ＡＣＴ−１５０Ｉ」に４５℃
で３０分間、浸漬させた後の、同一の工程条件で製造し
たエッチング処理済みウェファーが示してある。図４
（Ｂ）に示すように、この剥離組成物は、エッチング処
理残留物の一部を除去したに過ぎなかった。
【００６１】例５ 例５には、ポリシリコンエッチング処理残留物の洗浄結
果が示してある。エッチング処理ガスとしてＨＢｒを使
用し、プラズマエッチング処理装置で酸化ケイ素上のポ
リシリコンから成るマイクロ回路パターンをエッチング
処理した。ホトレジストは、酸素プラズマアッシング法
によって除去した。エッチング残留物は、主としてＳｉ
−Ｃ−Ｂｒである。図５（Ａ）には、ホトレジストの除
去後、ポリシリコン回路線上にエッチング残留物が残る
ことが示されている。ウェファーを本発明の組成物Ｃに
６５℃で２０分間、浸漬して更に処理したとき、図５
（Ｂ）に示すように、基板から全てのエッチング残留物
が除去された。
【００６２】例６ 例６には、基板からの金属エッチング残留物の洗浄結果
が示してある。ＴｉＷ／Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ／ＴｉＷから
成る積層金属基板をパターン化し、プラズマ金属エッチ
ャー、即ち、アプライドマテリアル８３３０メタルエッ
チャー（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌ ８３３０
Ｍｅｔａｌ Ｅｔｃｈｅｒ）でエッチング処理した。
この金属エッチャーは、バッチエッチング処理装置であ
るため、一度に複数のウェファーを処理することが出来
る。そのようなエッチング処理装置で実施されるエッチ
ング方法のために、エッチング処理時に堆積される「ポ
リマー」残留物の量は少なくなる。図６（Ａ）に示すよ
うに、酸素プラズマアッシング法によってホトレジスト
を除去した後、金属線上に残留物が残った。次に、ウェ
ファーを上述の組成物Ｂに６５℃で３０分間、浸漬して
処理した。図６（Ｂ）に示すように、組成物Ｂは、基板
から全ての有機金属残留物を除去する機能を果たした。
【００６３】例７ 例７には、穴、又は開口部を介してミクロン以下の回路
の洗浄結果が示してある。即ち、穴、又は開口部は、基
板上の誘電被覆層における開口部上の穴であり、基板上
の導電材料への接近を可能にし、標準酸化ケイ素プラズ
マエッチング処理を利用して、エッチング処理された酸
化ケイ素誘電層上の寸法が０．６ミクロンである。特
に、ラムリサーチ社（Ｌａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ）が販
売している酸化エッチャーを使用した。この工程では、
エッチング残留物は、主として、組成物中の金属含有率
の小さいポリマーを含有するケイ素である。下部層は、
ＴｉＮ／Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕから成る金属基板である。ホ
トレジストマスキング材料は、酸素プラズマアッシング
によって除去した。次に、基板を上述の組成物Ａに６０
℃で３０分間、浸漬させて処理した。図７（Ａ）、図７
（Ｂ）に示す走査顕微鏡による断面の顕微鏡写真は、組
成物Ａが全ての有機金属残留物を除去したことを示す。
しかし、図７（Ｃ）、図７（Ｄ）に示すように、同一条
件で処理したエッチング済みウェファーは、超音波槽に
おいて、Ｎ−メチル−２−ピロリドン溶媒／アルカノー
ルアミンベースの剥離剤によって９０℃で６０分間、処
理したとき、開口部内部に残留物が残った。
【００６４】例８ 洗浄するため、大きい寸法のアルミニウムから成る酸化
ケイ素エッチング装置の部分をエッチング装置から取り
外した。エッチング装置上に堆積した排ガス残留物を除
去するために使用された従来の方法は、サンドブラスト
法とした。しかし、サンドブラスト法は、時間のかかる
方法である。本発明の組成物に浸漬すれば、エッチング
装置のアルミニウム部分に堆積された残留物は容易に、
除去可能であることがわかった。エッチング装置のアル
ミニウム部分は、組成物Ｅに４０℃で３０分間、浸漬さ
せた。水洗い及び乾燥後、残留物が除去されたことが観
測された。
【００６５】例９ 金属エッチング装置の一部を形成するセラミックリング
を洗浄する従来の方法は、サンドブラスト法、又は手操
作によるこすり洗い（ｓｃｒｕｂｂｉｎｇ）工程を伴
う。組成物Ａを使用し、セラミックリングを超音波槽に
おいて３５℃で４５分間、浸漬することによって洗浄し
た。セラミックリング上の堆積物が完全に除去されたこ
とが分かった。
【００６６】例１０ 例１０には、金属エッチング残留物の洗浄結果が示して
ある。プラズマ強化ＴＥＯＳ上のＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ／Ｗ
／ＴｉＷ金属パターンを使用した。ウェファーには、５
０％の過剰エッチング処理を施した。Ａｐｐｌｉｅｄ
Ｍａｔｅｒｉａｌ により売られている「Ｐ−５００
０」を金属エッチングに使用した。「Ｐ−５０００」
は、単一のウェファーエッチャーであり、このエッチン
グ装置の処理技術のため、エッチング処理後に残るポリ
マーの堆積物は、上述の例６及び例７で説明した堆積物
よりも多く、除去は、より困難である。Ａｌ−Ｓｉ−Ｃ
ｕ／Ｗ／ＴｉＷから成る積層金属基板をパターン化し、
プラズマ金属エッチャー「Ｐ−５０００」でエッチング
処理した。ホトレジストを酸素プラズアッシング法で除
去し、組成物Ｂを使用して６５℃で３０分間、洗浄した
後、金属線の隅に少量の残留物が残った。そのように洗
浄された基板が図８（Ａ）に示してある。組成物Ｂで
は、残留物は完全には除去されなかった。次に、上述の
組成物Ｄに６５℃で３０分間、浸漬させることによって
同様なエッチング済みウェファーを処理した。図８
（Ｂ）に示すように、組成物Ｄは、全ての有機金属残留
物を表面から除去した。組成物Ｂは、キレート剤を含有
しない一方、組成物Ｄはキレート剤を含有している。キ
レート剤が存在しないことに基づく短かい有効期間のた
め、組成物Ｂの活性が低下し始めていたことが分かる。
【００６７】例１１ 例１１には、キレート剤を含有しない洗浄用溶液と比較
して、キレート剤を含有する洗浄用溶液は、安定性が増
していることが示してある。表１に示した組成物Ａ、組
成物Ｃ、及び組成物Ｇをそれぞれ、別々の密封されたパ
イレックスフラスコに入れ、室温で８０日間、保存し
た。各フラスコから一定の間隔でサンプルを採取し、そ
の活性度を分析した。洗浄用溶液組成物の活性は、ヒド
ロキシルアミンの還元電位によって測定する。図９か
ら、キレート剤を含有しない組成物Ｇ及び組成物Ａの方
が組成物Ｃよりもはるかに短時間のうちに活性を失った
ことが分かる。
【００６８】以下の例１２乃至例２６は、本発明に従っ
て配合された洗浄用溶液を更に示している。例１２乃至
例２０は、カテコール、又はジヒドロキシベンゼンをキ
レート剤として含むために長期に亘る効果を持つ洗浄用
溶液について説明している。例２１乃至例２６は、キレ
ート剤を含有しないために短期的な効果を持つ洗浄用溶
液を示している。
【００６９】例１２乃至例２６に関して使用した方法
は、組成物の成分を混合した後、混合物を６５℃まで加
熱する段階を含む。次に、ウェファーサンプルを洗浄用
溶液に３０分間、浸漬し、時々、撹拌した。次に、温度
が８０℃乃至８５℃のＮ−メチル−２−ピロリジノン槽
に１０分間、ウェファーサンプルを入れた。次に、ウェ
ファーサンプルを水槽内で水洗いした。一部の例では、
次に、洗浄用溶液を２０重量部の水を添加することによ
って希釈し、比較を目的とした同一の方法を使用して、
新鮮なウェファーサンプルをこの洗浄用溶液内で処理し
た。乾燥したウェファーはＳＥＭ分光計によって評価し
た。
【００７０】これらの例で使用したように、「DGA」
は、2-（2-アミノエトキシ）エタノールとしても知られ
ているジグリコールアミンを表す。「DMSO」は、ジメチ
ルスルホキシドを表し、カテコールは1, 2-ジヒドロキ
シベンゼンである。
【００７１】例１２ ３５重量部のヒドロキシルアミン（５０％水溶液）、２
７重量部のＤＧＡ、５重量部のカテコール、及び３３重
量部のＤＭＳＯを含む洗浄用溶液を用意し、これを使用
してウェファーを洗浄した。ウェファーは、ポリシリコ
ン構造を有し、洗浄用溶液によって構造に損傷を与えず
に、完全に洗浄した。又、ビア（ｖｉａ）ホールを含む
ウェファーから、プラズマエッチング残留物を除去し
た。
【００７２】次に、洗浄用溶液を２０重量部の水で希釈
し、この溶液を使用して、新鮮なウェファーサンプルを
洗浄した。水を添加しても、溶液のポリシリコン構造を
洗浄する能力は劣化しなかった。エッチング残留物は、
ウェファーサンプルから良好に除去された。
【００７３】例１３ ３４重量部のヒドロキシルアミン（５０％水溶液）、５
重量部のカテコール、５４重量部のＮ−メチル−２−ピ
ロリジノン、及び７重量部のテトラメチルアンモニウム
水酸化物（２５％水溶液）を含む洗浄用溶液を用意し、
この溶液を使用して、金属構造を持つウェファーを洗浄
した。エッチング残留物がウェファーから除去された
が、腐食の痕跡は無かった。
【００７４】その後、洗浄用溶液を２０重量部の水で希
釈した。ウェファーにおけるビアホールを希釈済み溶液
で洗浄したが、基板にアンダーカットの痕跡は無かっ
た。
【００７５】例１４ ３５重量部のヒドロキシルアミン（５０％水溶液）、５
９重量部のＤＧＡ、５重量部のｔ−ブチル−カテコー
ル、及び１重量部の水を含有する洗浄用溶液を用意し
た。この溶液を使用して、ポリシリコン構造を持つウェ
ファーを洗浄した。ウェファーは、基板に孔食を発生さ
せることなく、洗浄された。
【００７６】次に、洗浄用溶液に２０重量部の水を添加
した。希釈済み溶液を使用して、新鮮なウェファーサン
プルを洗浄した。洗浄用溶液を希釈しても、ポリシリコ
ン構造に対する溶液の洗浄効果は、劣化しなかった。例
１４の各溶液は、ビアホールに対して良好な効果を持
ち、ウェファー基板にアンダーカットの痕跡は無かっ
た。
【００７７】例１５ ３５重量部のヒドロキシルアミン（５０％水溶液）、４
５重量部のＤＧＡ、５重量部のカテコール、及び１５重
量部のテトラメチルアンモニウム水酸化物（２５％水溶
液）を含む洗浄用溶液を用意した。この洗浄用溶液では
ポリシリコン構造が良好に洗浄され、基板に孔食は生じ
なかった。
【００７８】例１６ ６０重量部のＤＧＡ、５重量部のカテコール、及び３５
重量部のＮ，Ｏ−ジメチルヒドロキシルアミン（５０％
水溶液）を含有する洗浄用溶液を用意した。この洗浄用
溶液では、ポリシリコン構造が良好に洗浄され、ビアホ
ールの洗浄において極めて良好な結果が得られた。
【００７９】次に、洗浄用溶液を２０重量部の水で希釈
し、この溶液を使用して、新鮮なウェファーを洗浄し
た。洗浄用溶液を希釈しても、溶液の洗浄効果は、劣化
しなかった。
【００８０】例１７ ５１重量部のＤＧＡ、５重量部のカテコール、３１重量
部のメトキシルアミン塩酸塩、及び１３重量部の水を含
有する洗浄用溶液を用意した。この洗浄用溶液で金属構
造を洗浄したとき、構造に腐食の痕跡は無かった。
【００８１】次に、洗浄用溶液に２０重量部の水を添加
して希釈すると、希釈済み溶液がポリシリコン及びビア
ホール構造を洗浄し、金属構造にはっきりした腐食は、
生じないことが判明した。
【００８２】例１８ ６０重量部のＤＧＡ、５重量部のカテコール、及び３５
重量部のＮ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミンを含有す
る洗浄用溶液を用意した。この洗浄用溶液は、金属構造
を洗浄し、構造にはっきりした腐食は生じなかった。
【００８３】洗浄用溶液を２０重量部の水で希釈したと
き、溶液は、ビアホール及び金属構造を十分に洗浄し
た。
【００８４】例１９ ６１重量部のＤＧＡ、５重量部のカテコール、及び３４
重量部のアセトヒドロキサム酸を含有する洗浄用溶液を
用意した。この洗浄用溶液は、ポリシリコンウェファー
を許容可能に洗浄した。
【００８５】次に、２０重量部の水で洗浄用溶液を希釈
したとき、溶液のウェファーにおけるビアホール構造を
洗浄する能力に影響はなかった。
【００８６】例２０ ６０重量部のＤＧＡ、５重量部のカテコール、３５重量
部のメチルヒドラジンを含有する洗浄用溶液を配合し
た。この洗浄用溶液では、ウェファービアホールの洗浄
に良好な結果が得られた。
【００８７】次に、２０重量部の水で洗浄用溶液を希釈
したとき、プラズマエッチング残留物を持つビアホール
を洗浄する溶液の能力はそれほど劣化しなかった。
【００８８】例２１ ４９重量部のＤＧＡ、４重量部のカテコール、２９重量
部のメチルヒドラジンカルボキシレート、及び１８重量
部の水を含有する洗浄用溶液を用意した。この洗浄用溶
液は、ポリシリコン及びビアホール構造の洗浄に有効で
あった。
【００８９】例２２ ３５重量部のヒドロキシルアミン（５０％水溶液）、６
０重量部のＤＧＡ、及び５重量部のジメチルグリオキシ
ムを含有する、短期的な効果を持つ洗浄用溶液を用意し
た。洗浄用溶液は、配合直後に使用したとき、ビアホー
ルの洗浄に許容可能であった。
【００９０】次に、洗浄用溶液に１８重量部の水を添加
しても、希釈済み溶液によってビアホールからプラズマ
エッチング残留物が効果的に除去された。
【００９１】例２３ ６０重量部のＤＧＡ及び４０重量部のＮ，Ｏ−ジメチル
ヒドロキシルアミン（５０％水溶液）を含有する洗浄用
溶液を用意した。この洗浄用溶液は、用意した直後に使
用したとき、ポリシリコン構造体を何の問題もなく洗浄
した。
【００９２】例２４ ５３重量部のＤＧＡ、３３重量部のＮ−メチルヒドロキ
シルアミン塩酸塩、及び１４重量部の水を含有する洗浄
用溶液を配合した。この洗浄用溶液は、配合した直後に
使用したとき、悪影響を及ぼさずにポリシリコン構造及
びビアホールを洗浄した。
【００９３】例２５ ６０重量部のＤＧＡ及び４０重量部のＮ，Ｎ−ジエチル
ヒドロキシルアミン及び２０重量部の水を含有する洗浄
用溶液を用意した。この洗浄用溶液は、用意した直後に
使用したとき、腐食を発生させずにポリシリコン構造体
を洗浄した。
【００９４】例２６ ６０重量部のＤＧＡ及び４０重量部のヒドロキシルアミ
ン（５０％水溶液）を含有する洗浄用溶液を用意した。
この洗浄用溶液は、ポリシリコン構造体、ビアホール、
及び金属構造を十部分に洗浄した。しかし、約１週間
後、組成物は変化しなかつたが、この溶液は洗浄効果を
失った。次に、この溶液に５重量部のカテコールを添加
し、溶液を再活性化した。再活性化した溶液は、ビアホ
ールを含むウェファー構造を再度、洗浄することができ
た。
【００９５】再活性化した洗浄用溶液を１８重量部の水
で希釈しても、溶液の洗浄能力は劣化しないことがわか
った。
【００９６】
【発明の効果】本発明の洗浄剤は、上記した例に記載し
た各種の試験結果から、新規で且つ驚異的な結果を提供
することが分かる。本発明の組成物は、単純な使用法が
可能であり、所望の結果を提供しつつ、各種の修正に適
合可能である。従って、本発明の組成物は、軽微な修正
により広範な適用例に使用可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】プラズマアッシング法を使用して、既にプラズ
マエッチングした酸化ケイ素誘電層からレジストを除去
した後のエッチング済みウェファー残留物を示す。
【図２】図１に示した残留物をイオン質量分光分析（Ｌ
ＩＭＡ）を使用して分析した結果であり、残留物が金属
酸化物と痕跡量の有機材料を含有することを示す図であ
る。
【図３】プラズマアッシング法によってレジストを除去
した後に存在するエッチング残留物を含有する酸化ケイ
素誘電層に関連して、本発明の洗浄組成物（Ａ）と、米
国特許第４，４０３，０２９号で開示された剥離組成物
（Ｂ）とを使用した比較試験の結果を示す図である。
（Ａ）と（Ｂ）を比較することにより、本発明の組成物
を使用することにより、全ての有機金属残留物が除去さ
れるが、米国特許第４，４０３，０２９号で開示された
剥離組成物の使用後には残留物が残留することがわかっ
た。
【図４】プラズマアッシング法によってレジストを除去
した後にエッチング残留物を含有していたケイ素誘電層
に関係して、本発明の洗浄剤組成物（Ａ）と、米国特許
第４，７７０，７１３号に開示された剥離組成物（Ｂ）
を使用した比較試験の結果を示す図である。（Ａ）と
（Ｂ）の比較で明らかなように、本発明の組成物は全て
の有機金属残留物を除去したが、他の組成物は除去しな
かった。
【図５】（Ａ）は、プラズマエッチング後に基板上に残
ったエッチング残留物を含有する酸化ケイ素上のポリシ
リコンのマイクロ回路パターンを示す。（Ｂ）は本発明
の組成物で洗浄した後の同一のマイクロ回路パターンを
示す図である。（Ａ）と（Ｂ）の比較から明らかなよう
に、残留物が除去されたことがわかった。
【図６】（Ａ）は、プラズマアッシング法によって基板
からホトレジストを除去した後に金属基板上に残った残
留物を示す。（Ｂ）は本発明の組成物で洗浄した後の同
一の基板を示す図である。
【図７】酸化ケイ素誘電層上の開口部に対して各洗浄剤
組成物を使用した比較試験の結果を示す写真で、（Ａ）
と（Ｂ）は本発明の洗浄剤組成物を使用した場合を示す
図、（Ｃ）と（Ｄ）はＮ−メチル−２−ピロリドン溶液
／アルカノールアミンベース剥離剤を使用した場合を示
す図である。（Ａ）及び（Ｂ）に示されるように、本発
明の組成物を使用することにより、全ての有機金属残留
物が除去されたが、（Ｃ）及び（Ｄ）から明らかなよう
に、剥離剤で処理された基板上には、残留物が残留し
た。
【図８】（Ａ）はエッチングを施し、ホトレジストを除
去した後にウェファー上に残っている残留物を示す写真
で、（Ｂ）は本発明の組成物で洗浄を行った後の同一の
ウェファーを示す図である。ウェファー上の全ての残留
物は除去された。
【図９】洗浄剤組成物Ａ、組成物Ｂ、及び組成物Ｇの安
定性を比較した、例１１の結果を示す図である。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ //(Ｃ１１Ｄ 7/60 7:32 7:50） (72)発明者 チャールズ．ユー．ピットマン．ジュニ ア アメリカ合衆国．39759．ミシシッピー 州．スタークヴィリー．ハイウェイ．. 25．トライアングル．タウンハウスィ ズ．18 (72)発明者 ロバート．ジュイ．スモール アメリカ合衆国．36572．アラバマ州. サツーマ．ティークウッド．ドライヴ. 354 (56)参考文献 特開 平４−289866（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−241545（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−2325（ＪＰ，Ａ) 特開 昭49−111975（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−52379（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−24254（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−95531（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−183445（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−49355（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−105949（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−21088（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−5899（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−159388（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−259066（ＪＰ，Ａ) 欧州特許出願公開485161（ＥＰ，Ａ １) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 7/00 - 7/42 H01L 21/027

Claims (40)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 下記(a)、(b)、(c)及び(d)を含む、レジ
    スト及びエッチング残留物の少なくとも一種を除去する
    ための組成物であって、 (a)化学式1を有する化合物、化学式2を有する化合物、
    化学式3を有するヒドラジンからなる群から選ばれた酸
    化および還元電位を有する1種または2種以上の求核アミ
    ン化合物を約5〜約50重量%、 【化１】 [式中、R5、R6及びR7は、それぞれ独立に、水素、ヒド
    ロキシル基、置換されたC1-C6直鎖アルキル、分枝鎖ア
    ルキル、又はシクロアルキル、アルケニル又はアルキニ
    ル基、置換されたアシル基、直鎖アルコキシ又は分枝鎖
    アルコキシ基、アミジル基、カルボキシル基、アルコキ
    シアルキル基、アルキルアミノ基、アルキルスルホニル
    基、又はスルホン酸基、又はそれらの塩及びそれらの誘
    導体である] 【化２】 [式中、R8、R9及びR10は、それぞれ独立に、水素、置換
    されたC1-C6直鎖アルキル、分枝鎖アルキル、又はシク
    ロアルキル、アルケニル又はアルキニル基、置換された
    アシル基、直鎖アルコキシ又は分枝鎖アルコキシ基、ア
    ミジル基、カルボキシル基、アルコキシアルキル基、ア
    ルキルアミノ基、アルキルスルホニル基、又はスルホン
    酸基、又はそれらの塩であり、かつ式中のR8、R9及びR
    10の全部が水素であることはない]及び 【化３】 [式中、R11、R12、R13及びR14は、それぞれ独立に、水
    素、ヒドロキシル基、置換されたC1-C6直鎖アルキル、
    分枝鎖アルキル、又はシクロアルキル、アルケニル又は
    アルキニル基、置換されたアシル基、直鎖アルコキシ又
    は分枝鎖アルコキシ基、アミジル基、カルボキシル基、
    アルコキシアルキル基、アルキルアミノ基、アルキルス
    ルホニル基、又はスルホン酸基、又はそれらの塩であ
    る]； (b)前記求核アミン化合物と混和可能な1種または2種以
    上の有機溶剤を約10〜約80重量%； (c)化学式4を有する化合物、化学式5を有する化合物、
    化学式6を有するエチレンジアミンテトラカルボン酸及
    び下記化学式7で示すアルキルアンモニウム水酸化物か
    らなる群の1種または2種以上を約2.5〜約30重量%、 【化４】 [式中、R15及びR16は、水素、t-ブチル、OH、又はCOOH
    のいずれかである] 【化５】 [式中、R17は、OH又はCOOHである] 【化６】 [式中、R18、R19、R20及びR21は、H又はNH4のいずれか
    であり、又はこれらのアンモニウム塩である] 【化７】R1R2R3R4NOH [式中、R1、R2、R3及びR4は、それぞれ独立に、水素、
    または炭素原子1から5を有する短鎖アルキル基である]
    及び(d)水、 であって、前記求核アミン化合物、有機溶剤及び化合物
    (c)が、基板からレジスト及びエッチング残留物の少な
    くとも一種を除去するのに十分な量で存在している組成
    物。
  2. 【請求項２】 前記求核アミン化合物がヒドロキシルア
    ミン又はその誘導体である請求項1記載の組成物。
  3. 【請求項３】 前記求核アミン化合物がヒドラジン又は
    その誘導体である請求項1記載の組成物。
  4. 【請求項４】 前記1種または2種以上の化合物(c)がジ
    ヒドロキシベンゼン又はその誘導体である請求項1記載
    の組成物。
  5. 【請求項５】 前記1種または2種以上の化合物(c)が下
    記化学式; R1R2R3R4NOH [式中、R1、R2、R3及びR4は、それぞれ独立に、水素、
    又は炭素原子1から5個を有する短鎖アルキル基である]
    で示されるアルキルアンモニウム水酸化物である請求項
    1記載の組成物。
  6. 【請求項６】 前記有機溶剤がアルカノールアミンであ
    る請求項1記載の組成物。
  7. 【請求項７】 前記アルカノールアミンが炭素分子1か
    ら5個を有する少なくとも1種のアルカノール基を含有す
    る請求項6記載の組成物。
  8. 【請求項８】 前記アルカノールアミンがモノアミンま
    たはジアミンである請求項6記載の組成物。
  9. 【請求項９】 前記アルカノールアミンが下記化学式; R1R2-N-CH2CH2-O-CH2CH2OH [式中R1及びR2は、H、CH3、CH3CH2、またはCH2CH2OHで
    ある]を有する請求項6記載の組成物。
  10. 【請求項１０】 前記アルカノールアミンがアミノアル
    コキシアルカノールである請求項6記載の組成物。
  11. 【請求項１１】 前記有機溶剤がモノエタノールアミン
    である請求項1記載の組成物。
  12. 【請求項１２】 基板からレジスト及びエッチング残留
    物の少なくとも一種を除去する、レジスト及びエッチン
    グ残留物の少なくとも一種を有する基板に下記(a)、
    (b)、(c)及び(d)を含む組成物を接触させることを含む
    方法であって、 (a)化学式8を有する化合物、化学式9を有する化合物、
    化学式10を有するヒドラジンからなる群から選ばれた酸
    化及び還元電位を有する1種または2種以上の求核アミン
    化合物を約5〜約50重量%、 【化８】 [式中、R5、R6及びR7は、それぞれ独立に、水素、ヒド
    ロキシル基、置換されたC1-C6直鎖アルキル、分枝鎖ア
    ルキル、又はシクロアルキル、アルケニル又はアルキニ
    ル基、置換されたアシル基、直鎖アルコキシ又は分枝鎖
    アルコキシ基、アミジル基、カルボキシル基、アルコキ
    シアルキル基、アルキルアミノ基、アルキルスルホニル
    基、又はスルホン酸基、又はそれらの塩及びそれらの誘
    導体である] 【化９】 [式中、R8、R9及びR10は、それぞれ独立に、水素、置換
    されたC1-C6直鎖アルキル、分枝鎖アルキル、又はシク
    ロアルキル、アルケニル又はアルキニル基、置換された
    アシル基、直鎖アルコキシ又は分枝鎖アルコキシ基、ア
    ミジル基、カルボキシル基、アルコキシアルキル基、ア
    ルキルアミノ基、アルキルスルホニル基、又はスルホン
    酸基、又はそれらの塩であり、かつ式中のR8、R9及びR
    10の全部が水素であることはない]及び 【化１０】 [式中、R11、R12、R13及びR14は、それぞれ独立に、水
    素、ヒドロキシル基、置換されたC1-C6直鎖アルキル、
    分枝鎖アルキル、又はシクロアルキル、アルケニル又は
    アルキニル基、置換されたアシル基、直鎖アルコキシ又
    は分枝鎖アルコキシ基、アミジル基、カルボキシル基、
    アルコキシアルキル基、アルキルアミノ基、アルキルス
    ルホニル基、又はスルホン酸基、又はそれらの塩であ
    る]； (b)前記求核アミン化合物と混和可能な1種または2種以
    上の有機溶剤を約10〜約80重量%； (c)化学式11を有する化合物、化学式12を有する化合
    物、化学式13を有するエチレンジアミンテトラカルボン
    酸及び化学式14を有するアルキルアンモニウム水酸化物
    からなる群の1種または2種以上を約2.5〜約30重量%、 【化１１】 [式中、R15及びR16は、水素、t-ブチル、OH、又はCOOH
    のいずれかである] 【化１２】 [式中、R17は、OH又はCOOHである。] 【化１３】 [式中、R18、R19、R20及びR21は、H又はNH4、又はこれ
    らのアンモニウム塩である]； 【化１４】R1R2R3R4NOH [式中、R1、R2、R3及びR4は、それぞれ独立に、水素、
    又は炭素原子1から5個を有する短鎖アルキル基である]
    及び(d)水、 であって、前記組成物をレジスト及びエッチング残留物
    の少なくとも一種を基板から除去するのに十分な温度及
    び時間で前記基板と接触させる方法。
  13. 【請求項１３】 前記求核アミン化合物がヒドロキシル
    アミンまたはその誘導体である請求項12記載の方法。
  14. 【請求項１４】 前記求核アミン化合物がヒドラジンま
    たはその誘導体である請求項12記載の方法。
  15. 【請求項１５】 前記1種又は2種以上の化合物(c)がジ
    ヒドロキシベンゼンまたはその誘導体である請求項12記
    載の方法。
  16. 【請求項１６】 前記1種又は2種以上の化合物(c)が下
    記化学式; R1R2R3R4NOH [式中、R1、R2、R3及びR4は、それぞれ独立に、水素、
    または炭素原子1から5を有する短鎖アルキル基である]
    で示されるアルキルアンモニウム水酸化物である請求項
    12記載の方法。
  17. 【請求項１７】 前記有機溶剤がアルカノールアミンで
    ある請求項12記載の方法。
  18. 【請求項１８】 前記アルカノールアミンがアミノアル
    コキシアルカノールである請求項17記載の方法。
  19. 【請求項１９】 前記アルカノールアミンが炭素分子1
    から5個を有する少なくとも1種のアルカノール基を含む
    請求項17記載の方法。
  20. 【請求項２０】 前記アルカノールアミンがモノアミン
    又はジアミンである請求項17記載の方法。
  21. 【請求項２１】 前記アルカノールアミンが下記化学
    式; R1R2-N-CH2CH2-O-CH2CH2OH [式中、R1及びR2は、H、CH3、CH3CH2、又はCH2CH2OHで
    ある]を有する請求項17記載の方法。
  22. 【請求項２２】 前記溶剤がモノエタノールアミンであ
    る請求項12記載の方法。
  23. 【請求項２３】 前記基板が半導体ウエファーである請
    求項12記載の方法。
  24. 【請求項２４】 前記温度が室温から約100℃の範囲で
    ある請求項12記載の方法。
  25. 【請求項２５】 前記時間が約2分から約60分の範囲で
    ある請求項12記載の方法。
  26. 【請求項２６】 ヒドロキシルアミンを約5〜約50重量
    %、前記ヒドロキシルアミンに混和可能な少なくとも1種
    の有機溶剤を約10〜約80重量%、化学式15で示す少なく
    とも1種の化合物を約2.5〜約30重量％、 【化１５】 [式中、R15及びR16は、水素、t-ブチル、OH、又はCOOH
    のいずれかである]及び水を含むレジスト及びエッチン
    グ残留物少なくとも一種を除去するための組成物であっ
    て、前記ヒドロキシルアミン、少なくとも1種の有機溶
    剤及び化学式15で示す少なくとも1種の化合物が、基板
    からレジスト及びエッチング残留物の少なくとも一種を
    除去するのに十分な量で存在する組成物。
  27. 【請求項２７】 有機溶剤はジグリコールアミンであ
    り、化学式15で示す前記化合物がカテコールである請求
    項26記載の組成物。
  28. 【請求項２８】 前記ヒドロキシルアミンと水とが約5
    0:50の割合で存在する請求項26記載の組成物。
  29. 【請求項２９】 前記ジグリコールアミンが約60重量%
    又はそれ以上の量で存在し、前記カテコールが約2.5重
    量%又はそれ以上の量で存在する請求項27記載の組成
    物。
  30. 【請求項３０】 前記ヒドロキシルアミンが約17.5重量
    %の量で存在し、前記ジグリコールアミンが約60重量%又
    はそれ以上の量で存在し、前記カテコールが約2.5重量%
    又はそれ以上の量で存在し、及び前記水が約17.5重量%
    の量で存在する請求項27又は請求項28記載の組成物。
  31. 【請求項３１】 前記有機溶剤はモノエタノールアミン
    である請求項26記載の組成物。
  32. 【請求項３２】 前記有機溶剤はモノイソプロパノール
    アミンである請求項26記載の組成物。
  33. 【請求項３３】 基板からレジスト及びエッチング残留
    物の少なくとも一種を 除去する方法であって、レジスト
    及びエッチング残留物の少なくとも一種を有する基板
    に、ヒドロキシルアミンを約5〜約50重量%、前記ヒドロ
    キシルアミンに混和可能な少なくとも1種の有機溶剤を
    約10〜約80重量%、化学式16で示す少なくとも1種の化合
    物を約2.5〜約30重量%、 【化１６】 [式中、R15及びR16は、水素、t-ブチル、OH、又はCOOH
    のいずれかである]及び水を含む組成物を接触させるこ
    とを含み、前記組成物を基板からレジストまたはエッチ
    ング残留物の少なくとも一つを除去するのに十分な温度
    及び時間で基板と接触させる方法。
  34. 【請求項３４】 前記ヒドロキシルアミンと水とが約5
    0:50の割合で存在する請求項33記載の方法。
  35. 【請求項３５】 有機溶剤がジグリコールアミンであ
    り、化学式16で示す前記化合物がカテコールである請求
    項33記載の方法。
  36. 【請求項３６】 前記ジグリコールアミンが約60重量%
    又はそれ以上の量で存在し、及び前記カテコールが約2.
    5重量%又はそれ以上存在する請求項35記載の方法。
  37. 【請求項３７】 前記ヒドロキシルアミンが約17.5重量
    %の量で存在し、前記ジグリコールアミンが約60重量%又
    はそれ以上の量で存在し、前記カテコールが約2.5重量%
    又はそれ以上の量で存在し、及び前記水が約17.5重量%
    の量で存在する請求項35記載の方法。
  38. 【請求項３８】 前記有機溶剤がモノエタノールアミン
    である請求項33記載の方法。
  39. 【請求項３９】 前記有機溶剤がモノイソプロパノール
    アミンである請求項33記載の組成物。
  40. 【請求項４０】 下記(a)、(b)、(c)及び(d)を含む組成
    物。 (a)化学式17を有する化合物、化学式18を有する化合
    物、化学式19を有するヒドラジンからなる群から選ばれ
    た酸化および還元電位を有する1種または2種以上の求核
    アミン化合物を約5〜約50重量%、 【化１７】 [式中、R5、R6及びR7は、それぞれ独立に、水素、ヒド
    ロキシル基、置換されたC1-C6直鎖アルキル、分枝鎖ア
    ルキル、又はシクロアルキル、アルケニル又はアルキニ
    ル基、置換されたアシル基、直鎖アルコキシ又は分枝鎖
    アルコキシ基、アミジル基、カルボキシル基、アルコキ
    シアルキル基、アルキルアミノ基、アルキルスルホニル
    基、又はスルホン酸基、又はそれらの塩及びそれらの誘
    導体である] 【化１８】 [式中、R8、R9及びR10は、それぞれ独立に、水素、置換
    されたC1-C6直鎖アルキル、分枝鎖アルキル、又はシク
    ロアルキル、アルケニル又はアルキニル基、置換された
    アシル基、直鎖アルコキシ又は分枝鎖アルコキシ基、ア
    ミジル基、カルボキシル基、アルコキシアルキル基、ア
    ルキルアミノ基、アルキルスルホニル基、又はスルホン
    酸基、又はそれらの塩であり、かつ式中のR8、R9及びR
    10の全部が水素であることはない]及び 【化１９】 [式中、R11、R12、R13及びR14は、それぞれ独立に、水
    素、ヒドロキシル基、置換されたC1-C6直鎖アルキル、
    分枝鎖アルキル、又はシクロアルキル、アルケニル又は
    アルキニル基、置換されたアシル基、直鎖アルコキシ又
    は分枝鎖アルコキシ基、アミジル基、カルボキシル基、
    アルコキシアルキル基、アルキルアミノ基、アルキルス
    ルホニル基、又はスルホン酸基、又はそれらの塩であ
    る]； (b)前記求核アミン化合物と混和可能な1種または2種以
    上の有機溶剤を約10〜約80重量%； (c)化学式20を有する化合物、化学式21を有する化合
    物、化学式22を有するエチレンジアミンテトラカルボン
    酸及び下記化学式23で示すアルキルアンモニウム水酸化
    物からなる群の1種または2種以上を約2.5〜約30重量%、 【化２０】 [式中、R15及びR16は、水素、t-ブチル、OH、又はCOOH
    のいずれかである] 【化２１】 [式中、R17は、OH又はCOOHである] 【化２２】 [式中、R18、R19、R20及びR21は、H又はNH4のいずれか
    であり、又はこれらのアンモニウム塩である] 【化２３】R1R2R3R4NOH [式中、R1、R2、R3及びR4は、それぞれ独立に、水素、
    または炭素原子1から5を有する短鎖アルキル基である]
    及び(d)水。
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Families Citing this family (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6121217A (en) * 1990-11-05 2000-09-19 Ekc Technology, Inc. Alkanolamine semiconductor process residue removal composition and process
US5981454A (en) * 1993-06-21 1999-11-09 Ekc Technology, Inc. Post clean treatment composition comprising an organic acid and hydroxylamine
US7205265B2 (en) 1990-11-05 2007-04-17 Ekc Technology, Inc. Cleaning compositions and methods of use thereof
US6546939B1 (en) 1990-11-05 2003-04-15 Ekc Technology, Inc. Post clean treatment
US6110881A (en) * 1990-11-05 2000-08-29 Ekc Technology, Inc. Cleaning solutions including nucleophilic amine compound having reduction and oxidation potentials
US5279771A (en) 1990-11-05 1994-01-18 Ekc Technology, Inc. Stripping compositions comprising hydroxylamine and alkanolamine
US5417802A (en) * 1994-03-18 1995-05-23 At&T Corp. Integrated circuit manufacturing
JP3074634B2 (ja) * 1994-03-28 2000-08-07 三菱瓦斯化学株式会社 フォトレジスト用剥離液及び配線パターンの形成方法
US5472830A (en) * 1994-04-18 1995-12-05 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Non-corrosion photoresist stripping composition
US5466389A (en) * 1994-04-20 1995-11-14 J. T. Baker Inc. PH adjusted nonionic surfactant-containing alkaline cleaner composition for cleaning microelectronics substrates
US5498293A (en) * 1994-06-23 1996-03-12 Mallinckrodt Baker, Inc. Cleaning wafer substrates of metal contamination while maintaining wafer smoothness
JPH08231989A (ja) * 1995-02-23 1996-09-10 Kurita Water Ind Ltd 洗浄剤組成物及び洗浄方法
US5885362A (en) * 1995-07-27 1999-03-23 Mitsubishi Chemical Corporation Method for treating surface of substrate
JP3236220B2 (ja) * 1995-11-13 2001-12-10 東京応化工業株式会社 レジスト用剥離液組成物
US5911836A (en) 1996-02-05 1999-06-15 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Method of producing semiconductor device and rinse for cleaning semiconductor device
JP3614242B2 (ja) * 1996-04-12 2005-01-26 三菱瓦斯化学株式会社 フォトレジスト剥離剤及び半導体集積回路の製造方法
AU3661997A (en) * 1996-07-25 1998-02-20 Ekc Technology, Inc. Chemical mechanical polishing composition and process
JP2008277848A (ja) * 1996-07-26 2008-11-13 Ekc Technol Inc 化学機械研磨組成物及び化学機械研磨方法
US5989353A (en) * 1996-10-11 1999-11-23 Mallinckrodt Baker, Inc. Cleaning wafer substrates of metal contamination while maintaining wafer smoothness
JP4386968B2 (ja) * 1996-12-24 2009-12-16 アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド 半導体基板から残留物をストリッピングするための１，３−ジカルボニル化合物キレート剤を含む処方物
JPH10289891A (ja) * 1997-04-11 1998-10-27 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 半導体回路用洗浄剤及びそれを用いた半導体回路の製造方法
DE19733391C2 (de) 1997-08-01 2001-08-16 Siemens Ag Strukturierungsverfahren
JP3773227B2 (ja) 1997-10-16 2006-05-10 東京応化工業株式会社 レジスト用剥離液組成物およびこれを用いたレジスト剥離方法
JPH11323394A (ja) 1998-05-14 1999-11-26 Texas Instr Japan Ltd 半導体素子製造用洗浄剤及びそれを用いた半導体素子の製造方法
AU4189599A (en) * 1998-05-18 1999-12-06 Mallinckrodt, Inc. Silicate-containing alkaline compositions for cleaning microelectronic substrates
KR100286860B1 (ko) * 1998-12-31 2001-07-12 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트 리무버 조성물
JP4224651B2 (ja) 1999-02-25 2009-02-18 三菱瓦斯化学株式会社 レジスト剥離剤およびそれを用いた半導体素子の製造方法
FR2792737B1 (fr) * 1999-04-26 2001-05-18 Atochem Elf Sa Compositions pour le decapage de photoresists dans la fabrication de circuits integres
KR100366974B1 (ko) * 1999-12-30 2003-01-14 유니켐스 (주) 드라이필름용 박리액 조성물 및 이를 이용한 드라이필름의박리방법
JP5058405B2 (ja) * 2000-02-04 2012-10-24 東友ファインケム株式会社 電子部品洗浄液
US6475966B1 (en) * 2000-02-25 2002-11-05 Shipley Company, L.L.C. Plasma etching residue removal
GB0009112D0 (en) * 2000-04-12 2000-05-31 Ekc Technology Ltd Inhibition of titanium corrosion
TW554258B (en) 2000-11-30 2003-09-21 Tosoh Corp Resist stripper
WO2002095502A1 (en) 2001-05-21 2002-11-28 Dongjin Semichem Co., Ltd. Resist remover composition
US6861210B2 (en) 2001-05-21 2005-03-01 Dongjin Semichen Co., Ltd. Resist remover composition
MY139607A (en) * 2001-07-09 2009-10-30 Avantor Performance Mat Inc Ammonia-free alkaline microelectronic cleaning compositions with improved substrate compatibility
JP4122171B2 (ja) * 2002-04-22 2008-07-23 Ｋｉｓｃｏ株式会社 レジスト残渣除去剤または半導体デバイスあるいは液晶デバイス製造プロセス用洗浄剤
JP2004101849A (ja) * 2002-09-09 2004-04-02 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 洗浄剤組成物
US7384900B2 (en) 2003-08-27 2008-06-10 Lg Display Co., Ltd. Composition and method for removing copper-compatible resist
CA2544198C (en) 2003-10-29 2011-07-26 Mallinckrodt Baker, Inc. Alkaline, post plasma etch/ash residue removers and photoresist stripping compositions containing metal-halide corrosion inhibitors
TWI365491B (en) 2003-12-24 2012-06-01 Kao Corp Composition for cleaning semiconductor device
US20060094613A1 (en) * 2004-10-29 2006-05-04 Lee Wai M Compositions and processes for photoresist stripping and residue removal in wafer level packaging
EP1913448B1 (en) * 2005-08-13 2010-10-13 Techno Semichem Co., Ltd. Photoresist stripper composition for semiconductor manufacturing
JP5101046B2 (ja) * 2006-06-14 2012-12-19 三洋化成工業株式会社 液晶パネル用配向膜の剥離液
CN101528665B (zh) * 2006-09-28 2012-09-19 巴斯夫欧洲公司 制备电子级2-(2-氨基乙氧基)乙醇的方法
US7655608B2 (en) * 2007-08-03 2010-02-02 Dynaloy, Llc Reduced metal etch rates using stripper solutions containing a copper salt
US8518865B2 (en) 2009-08-31 2013-08-27 Air Products And Chemicals, Inc. Water-rich stripping and cleaning formulation and method for using same
JPWO2012073909A1 (ja) * 2010-11-29 2014-05-19 和光純薬工業株式会社 銅配線用基板洗浄剤及び銅配線半導体基板の洗浄方法
CN105190846A (zh) * 2013-04-10 2015-12-23 和光纯药工业株式会社 金属配线用基板清洗剂和半导体基板的清洗方法
JP6233779B2 (ja) * 2013-11-18 2017-11-22 富士フイルム株式会社 変性レジストの剥離方法、これに用いる変性レジストの剥離液および半導体基板製品の製造方法
JP2015118125A (ja) * 2013-11-18 2015-06-25 富士フイルム株式会社 変性レジストの剥離液、これを用いた変性レジストの剥離方法および半導体基板製品の製造方法
KR101966674B1 (ko) 2016-01-05 2019-04-09 후지필름 가부시키가이샤 처리액, 기판의 세정 방법, 및 반도체 디바이스의 제조 방법
JP6742748B2 (ja) * 2016-02-17 2020-08-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 現像ユニット、基板処理装置、現像方法および基板処理方法
CN108255025A (zh) * 2016-12-28 2018-07-06 安集微电子（上海）有限公司 一种清洗液
JP2020150126A (ja) * 2019-03-13 2020-09-17 東京エレクトロン株式会社 混合装置、混合方法および基板処理システム
JPWO2022176663A1 (ja) * 2021-02-22 2022-08-25

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS53788B2 (ja) * 1973-02-27 1978-01-12
US4187140A (en) * 1978-10-11 1980-02-05 International Business Machines Corporation Method for etching silicon and a residue and oxidation resistant etchant therefor
US4276186A (en) * 1979-06-26 1981-06-30 International Business Machines Corporation Cleaning composition and use thereof
US4617251A (en) * 1985-04-11 1986-10-14 Olin Hunt Specialty Products, Inc. Stripping composition and method of using the same
JPH0612455B2 (ja) * 1985-08-10 1994-02-16 長瀬産業株式会社 剥離剤組成物
DE3537441A1 (de) * 1985-10-22 1987-04-23 Hoechst Ag Loesemittel zum entfernen von photoresists
JP2571375B2 (ja) * 1987-01-27 1997-01-16 奥野製薬工業 株式会社 水溶性レジストフイルム用剥離剤
EP0299166A1 (en) * 1987-07-17 1989-01-18 Mitsubishi Jukogyo Kabushiki Kaisha Method for removing scale on inner surfaces of boiler tube members
JP2625132B2 (ja) * 1987-12-16 1997-07-02 三菱重工業株式会社 難溶性スケールの化学的洗浄方法
JP2625123B2 (ja) * 1987-07-17 1997-07-02 三菱重工業株式会社 難溶性スケールの化学的洗浄方法
JP2553872B2 (ja) * 1987-07-21 1996-11-13 東京応化工業株式会社 ホトレジスト用剥離液
US4824763A (en) * 1987-07-30 1989-04-25 Ekc Technology, Inc. Triamine positive photoresist stripping composition and prebaking process
US5279771A (en) * 1990-11-05 1994-01-18 Ekc Technology, Inc. Stripping compositions comprising hydroxylamine and alkanolamine
JPH05259066A (ja) * 1992-03-13 1993-10-08 Texas Instr Japan Ltd ポジ型フォトレジスト用剥離液および半導体装置の製造方法

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