JPH08231989A - 洗浄剤組成物及び洗浄方法 - Google Patents
洗浄剤組成物及び洗浄方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【構成】炭化水素系溶媒と金属イオンを配位し得る有機
化合物を含有することを特徴とする洗浄剤組成物、及
び、被洗浄物を該洗浄剤組成物と接触させたのち、溶媒
と接触させることを特徴とする洗浄方法。 【効果】本発明の洗浄剤組成物及び洗浄方法によれば、
オゾン層破壊の原因となる有機ハロゲン系溶媒を使用す
ることなく、プリント基板上のフラックス残渣を溶解
し、効果的に除去することができる。
化合物を含有することを特徴とする洗浄剤組成物、及
び、被洗浄物を該洗浄剤組成物と接触させたのち、溶媒
と接触させることを特徴とする洗浄方法。 【効果】本発明の洗浄剤組成物及び洗浄方法によれば、
オゾン層破壊の原因となる有機ハロゲン系溶媒を使用す
ることなく、プリント基板上のフラックス残渣を溶解
し、効果的に除去することができる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、洗浄剤組成物及び洗浄
方法に関する。さらに詳しくは、本発明は、ハロゲン化
合物を含まない、洗浄効果の優れた有機溶媒系洗浄剤組
成物、特にプリント基板の洗浄に適した洗浄剤組成物及
び該組成物を用いた洗浄方法に関する。
方法に関する。さらに詳しくは、本発明は、ハロゲン化
合物を含まない、洗浄効果の優れた有機溶媒系洗浄剤組
成物、特にプリント基板の洗浄に適した洗浄剤組成物及
び該組成物を用いた洗浄方法に関する。
【0002】
【従来の技術】プリント基板に電子部品をハンダ付けす
る際には、ハンダ表面の酸化物皮膜を除去したり、ハン
ダの再酸化を防止する目的で、フラックスが使用され
る。フラックスがハンダ付け後に変性した残渣にはイオ
ン性物質が含まれており、これが基板配線の腐食や電気
絶縁性劣化の原因となる。このため、プリント基板はハ
ンダ付け後に、充分洗浄して残渣を除去する必要があ
る。従来、残渣を除去する洗浄剤としては、1,1,1−
トリクロロエタンのような有機塩素系溶媒や、CFC−
113等のいわゆるフロン系溶媒が広く使用されてき
た。しかし、これらの溶媒は、成層圏のオゾン層を破壊
することが明らかになり、1995年末までに使用が全
廃されることが決定されている。このため、これらの溶
媒に替わり得る新規な洗浄剤、いわゆるフロン代替洗浄
剤の開発が急務になっている。フロン代替洗浄剤が、水
系あるいは炭化水素系溶媒等を中心として普及しつつあ
るが、前者は廃水処理や乾燥工程が必要なため、コスト
面での負担が大きい。また、後者は溶媒系洗浄剤の中で
は低毒性で、プリント基板樹脂材料に対する影響も小さ
く、比較的安価な点等で有利であるが、イオン性物質の
溶解性が低いために、フラックス残渣の洗浄力が小さ
く、これまであまり使用されていない。また平均炭素数
8〜20の脂肪族炭化水素にアルコール、エーテル、エ
ステル、カルボン酸、ケトン等の極性基を有する有機化
合物を添加して洗浄力を強化する方法も提案されている
が(特開平3−146597号公報)、洗浄力は必ずし
も十分ではない。
る際には、ハンダ表面の酸化物皮膜を除去したり、ハン
ダの再酸化を防止する目的で、フラックスが使用され
る。フラックスがハンダ付け後に変性した残渣にはイオ
ン性物質が含まれており、これが基板配線の腐食や電気
絶縁性劣化の原因となる。このため、プリント基板はハ
ンダ付け後に、充分洗浄して残渣を除去する必要があ
る。従来、残渣を除去する洗浄剤としては、1,1,1−
トリクロロエタンのような有機塩素系溶媒や、CFC−
113等のいわゆるフロン系溶媒が広く使用されてき
た。しかし、これらの溶媒は、成層圏のオゾン層を破壊
することが明らかになり、1995年末までに使用が全
廃されることが決定されている。このため、これらの溶
媒に替わり得る新規な洗浄剤、いわゆるフロン代替洗浄
剤の開発が急務になっている。フロン代替洗浄剤が、水
系あるいは炭化水素系溶媒等を中心として普及しつつあ
るが、前者は廃水処理や乾燥工程が必要なため、コスト
面での負担が大きい。また、後者は溶媒系洗浄剤の中で
は低毒性で、プリント基板樹脂材料に対する影響も小さ
く、比較的安価な点等で有利であるが、イオン性物質の
溶解性が低いために、フラックス残渣の洗浄力が小さ
く、これまであまり使用されていない。また平均炭素数
8〜20の脂肪族炭化水素にアルコール、エーテル、エ
ステル、カルボン酸、ケトン等の極性基を有する有機化
合物を添加して洗浄力を強化する方法も提案されている
が(特開平3−146597号公報)、洗浄力は必ずし
も十分ではない。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来の有機
ハロゲン系洗浄剤に替わる、オゾン層を破壊せず、しか
もフラックス残渣の洗浄効果に優れた、プリント基板用
洗浄剤を提供することを目的としてなされたものであ
る。
ハロゲン系洗浄剤に替わる、オゾン層を破壊せず、しか
もフラックス残渣の洗浄効果に優れた、プリント基板用
洗浄剤を提供することを目的としてなされたものであ
る。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の課題
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、炭化水素系溶媒と
金属イオンに配位し得る有機化合物を併用することによ
って、フロンやトリクロロエタン等の有機ハロゲン系溶
媒と同等以上の洗浄効果が得られることを見いだし、こ
の知見に基づいて本発明を完成するに至った。すなわ
ち、本発明は、(1)炭化水素系溶媒と金属イオンに配
位し得る有機化合物を含有することを特徴とする洗浄剤
組成物、(2)被洗浄物を第(1)項記載の洗浄剤組成物
と接触させたのち、溶媒と接触させることを特徴とする
洗浄方法、を提供するものである。さらに、本発明の好
ましい態様として、(3)炭化水素系溶媒が、炭素数5
〜20の脂肪族炭化水素である第(1)項記載の洗浄剤組
成物、(4)金属イオンに配位し得る有機化合物が、酸
素原子を配位原子とする配位性化合物である第(1)項又
は第(3)項記載の洗浄剤組成物、(5)酸素原子を配位
原子とする配位性化合物が、1−アルキル−2−ピロリ
ジノン、トリアルキルホスフィンオキシド及びジアルキ
ルスルホキシドよりなる群より選ばれた1種又は2種以
上の化合物である第(4)項記載の洗浄剤組成物、(6)
1−アルキル−2−ピロリジノン、トリアルキルホスフ
ィンオキシド及びジアルキルスルホキシドのアルキル基
が、炭素数3〜18の直鎖状のアルキル基である第(5)
項記載の洗浄剤組成物、(7)金属イオンに配位し得る
有機化合物の添加量が、炭化水素系溶媒1リットル当た
り10〜300gである第(1)、(3)、(4)、(5)又
は(6)項記載の洗浄剤組成物、及び、(8)被洗浄物が
フラックス残渣の付着したプリント基板である第(2)項
記載の洗浄方法、を挙げることができる。
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、炭化水素系溶媒と
金属イオンに配位し得る有機化合物を併用することによ
って、フロンやトリクロロエタン等の有機ハロゲン系溶
媒と同等以上の洗浄効果が得られることを見いだし、こ
の知見に基づいて本発明を完成するに至った。すなわ
ち、本発明は、(1)炭化水素系溶媒と金属イオンに配
位し得る有機化合物を含有することを特徴とする洗浄剤
組成物、(2)被洗浄物を第(1)項記載の洗浄剤組成物
と接触させたのち、溶媒と接触させることを特徴とする
洗浄方法、を提供するものである。さらに、本発明の好
ましい態様として、(3)炭化水素系溶媒が、炭素数5
〜20の脂肪族炭化水素である第(1)項記載の洗浄剤組
成物、(4)金属イオンに配位し得る有機化合物が、酸
素原子を配位原子とする配位性化合物である第(1)項又
は第(3)項記載の洗浄剤組成物、(5)酸素原子を配位
原子とする配位性化合物が、1−アルキル−2−ピロリ
ジノン、トリアルキルホスフィンオキシド及びジアルキ
ルスルホキシドよりなる群より選ばれた1種又は2種以
上の化合物である第(4)項記載の洗浄剤組成物、(6)
1−アルキル−2−ピロリジノン、トリアルキルホスフ
ィンオキシド及びジアルキルスルホキシドのアルキル基
が、炭素数3〜18の直鎖状のアルキル基である第(5)
項記載の洗浄剤組成物、(7)金属イオンに配位し得る
有機化合物の添加量が、炭化水素系溶媒1リットル当た
り10〜300gである第(1)、(3)、(4)、(5)又
は(6)項記載の洗浄剤組成物、及び、(8)被洗浄物が
フラックス残渣の付着したプリント基板である第(2)項
記載の洗浄方法、を挙げることができる。
【0005】本発明に使用する炭化水素系溶媒には、フ
ラックス残渣を溶解するものであれば特に制限はなく、
例えば、n−ペンタン、n−ヘキサン、イソヘキサン、
n−ヘプタン、イソヘプタン、イソオクタン、デカン、
ドデカン、ヘキサデカン、イコサン等のパラフィン系炭
化水素、1−デセン、1−ドデセン等のオレフィン系炭
化水素、シクロヘキサン、デカリン等のナフテン系炭化
水素、リモネン、ピネン等のテルペン系炭化水素、ベン
ゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、テトラリ
ン等の芳香族炭化水素等のほか、石油エーテル、石油ベ
ンジン、リグロイン、ソルベントナフサ等を挙げること
ができる。本発明において、これらの炭化水素系溶媒
は、1種を使用することができ、2種以上を混合して使
用することができる。これらの炭化水素系溶媒のうち、
炭素数5〜20の脂肪族炭化水素は特に洗浄効果に優れ
好適に使用することができる。安全性を重視する場合に
は、これらのうち、引火点が70℃以上の溶媒(消防法
第四類第三石油類)を使用することが望ましい。また、
本発明方法において、金属イオンに配位し得る有機化合
物を添加した洗浄剤組成物に用いる炭化水素系溶媒と、
被洗浄物を洗浄剤組成物と接触させたのち接触させる溶
媒は、同一であっても異なっていてもよい。本発明に使
用する金属イオンに配位し得る有機化合物は、炭化水素
系溶媒に可溶のものであれば特に制限はないが、このよ
うな金属イオンに配位し得る有機化合物(以下「配位性
化合物」という。)としては、酸素原子を配位原子とす
る化合物が挙げられ、例えば、1−アルキル−2−ピロ
リジノン、トリアルキルホスフィンオキシド、ジアルキ
ルスルホキシド等を挙げることができる。これらの化合
物において、アルキル基は炭素数3〜18の直鎖状アル
キル基であることが好ましいが、アルキル基が短い側鎖
を有する化合物であっても使用することができる。この
ような配位性化合物としては、具体的には、例えば、1
−n−オクチル−2−ピロリジノン(NOP)、1−n
−ドデシル−2−ピロリジノン(NDP)、トリ−n−
オクチルホスフィンオキシド(TOPO)、ジ−n−ブ
チルスルホキシド(DBSO)、トリ−n−ブチルホス
フィンオキシド(TBPO)等を挙げることができる。
これらの配位性化合物は炭化水素系溶媒に1種のみを添
加することができ、あるいは2種以上を添加することが
できる。これら配位性化合物は、炭化水素系溶媒1リッ
トルに対して、10〜300g添加することが好まし
く、30〜250g添加することがさらに好ましい。配
位性化合物の添加量が炭化水素系溶媒1リットルに対し
て10g未満であると、十分な洗浄効果が得られないお
それがある。配位性化合物の添加量が炭化水素系溶媒1
リットルに対して300gを超えても、配位性化合物の
量の増加に見合って洗浄効果は向上せず、かえって洗浄
効果が低下する場合もあり、プリント基板樹脂に悪影響
を及ぼすおそれがあり、さらに洗浄後のリンス液の必要
量が多くなる。
ラックス残渣を溶解するものであれば特に制限はなく、
例えば、n−ペンタン、n−ヘキサン、イソヘキサン、
n−ヘプタン、イソヘプタン、イソオクタン、デカン、
ドデカン、ヘキサデカン、イコサン等のパラフィン系炭
化水素、1−デセン、1−ドデセン等のオレフィン系炭
化水素、シクロヘキサン、デカリン等のナフテン系炭化
水素、リモネン、ピネン等のテルペン系炭化水素、ベン
ゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、テトラリ
ン等の芳香族炭化水素等のほか、石油エーテル、石油ベ
ンジン、リグロイン、ソルベントナフサ等を挙げること
ができる。本発明において、これらの炭化水素系溶媒
は、1種を使用することができ、2種以上を混合して使
用することができる。これらの炭化水素系溶媒のうち、
炭素数5〜20の脂肪族炭化水素は特に洗浄効果に優れ
好適に使用することができる。安全性を重視する場合に
は、これらのうち、引火点が70℃以上の溶媒(消防法
第四類第三石油類)を使用することが望ましい。また、
本発明方法において、金属イオンに配位し得る有機化合
物を添加した洗浄剤組成物に用いる炭化水素系溶媒と、
被洗浄物を洗浄剤組成物と接触させたのち接触させる溶
媒は、同一であっても異なっていてもよい。本発明に使
用する金属イオンに配位し得る有機化合物は、炭化水素
系溶媒に可溶のものであれば特に制限はないが、このよ
うな金属イオンに配位し得る有機化合物(以下「配位性
化合物」という。)としては、酸素原子を配位原子とす
る化合物が挙げられ、例えば、1−アルキル−2−ピロ
リジノン、トリアルキルホスフィンオキシド、ジアルキ
ルスルホキシド等を挙げることができる。これらの化合
物において、アルキル基は炭素数3〜18の直鎖状アル
キル基であることが好ましいが、アルキル基が短い側鎖
を有する化合物であっても使用することができる。この
ような配位性化合物としては、具体的には、例えば、1
−n−オクチル−2−ピロリジノン(NOP)、1−n
−ドデシル−2−ピロリジノン(NDP)、トリ−n−
オクチルホスフィンオキシド(TOPO)、ジ−n−ブ
チルスルホキシド(DBSO)、トリ−n−ブチルホス
フィンオキシド(TBPO)等を挙げることができる。
これらの配位性化合物は炭化水素系溶媒に1種のみを添
加することができ、あるいは2種以上を添加することが
できる。これら配位性化合物は、炭化水素系溶媒1リッ
トルに対して、10〜300g添加することが好まし
く、30〜250g添加することがさらに好ましい。配
位性化合物の添加量が炭化水素系溶媒1リットルに対し
て10g未満であると、十分な洗浄効果が得られないお
それがある。配位性化合物の添加量が炭化水素系溶媒1
リットルに対して300gを超えても、配位性化合物の
量の増加に見合って洗浄効果は向上せず、かえって洗浄
効果が低下する場合もあり、プリント基板樹脂に悪影響
を及ぼすおそれがあり、さらに洗浄後のリンス液の必要
量が多くなる。
【0006】本発明の組成物には、必要に応じて他の成
分を含有せしめることができる。含有せしめる他の成分
としては、例えば、界面活性剤や腐食抑制剤等を挙げる
ことができる。界面活性剤としては、HLBの低い親油
性の非イオン性界面活性剤を好適に使用することがで
き、このような界面活性剤としては、例えば、ポリオキ
シエチレンアルキルエーテル、アルキルアミンオキシド
等のほか、ポリエーテル変性シリコーン等のシリコーン
系界面活性剤等を挙げることができる。腐食抑制剤とし
ては、例えば、メルカプトベンゾチアゾール、ベンゾト
リアゾール等を挙げることができる。本発明方法におい
ては、被洗浄物をまず炭化水素系溶媒と配位性化合物を
含有する洗浄剤組成物と接触せしめる。本発明方法は、
被洗浄物がフラックスを塗布しハンダ付けしたプリント
基板であるとき特に効果を発揮し、プリント基板上に付
着するフラックス残渣を効率的に除去することができ
る。被洗浄物と洗浄剤組成物を接触させる方法には特に
制限はなく、例えば、被洗浄物を洗浄剤組成物に浸漬
し、あるいは、被洗浄物に洗浄剤組成物をスプレーする
ことができる。被洗浄物を洗浄剤組成物に浸漬したとき
には、必要に応じて、撹拌、揺動、超音波の作用等によ
り、洗浄を促進することができる。被洗浄物がフラック
ス残渣の付着したプリント基板である場合には、フラッ
クス残渣中の金属成分が配位性化合物と金属錯体を形成
して溶解し、プリント基板表面より除去される。本発明
方法においては、洗浄剤組成物と接触させた被洗浄物
は、次いで溶媒と接触させる。溶媒との接触により、被
洗浄物に洗浄剤組成物とともに付着残留する配位性化合
物及びその金属錯体等は、溶媒のリンス効果により除去
される。本発明方法において、洗浄剤組成物と接触させ
た被洗浄物を続いて接触させる溶媒としては、洗浄剤組
成物中の炭化水素系溶媒と相溶性を有し、配位化合物を
溶解することができる溶媒であれば特に制限はなく、こ
のような溶媒としては、例えば、本発明の洗浄剤組成物
に使用することができる炭化水素系溶媒をはじめとし
て、エタノール、イソプロパノール等のアルコール系溶
媒、ギ酸エチル、酢酸エチル等のエステル系溶媒、アセ
トン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒等を挙げる
ことができる。溶媒との接触方法には特に制限はなく、
例えば、浸漬、スプレー、蒸気洗浄等により行うことが
できる。本発明の洗浄剤組成物が、フラックス残渣の付
着したプリント基板に対して特に優れた洗浄効果を発揮
するのは、配位性化合物がプリント基板上及びフラック
ス残渣中に存在する金属化合物に作用して炭化水素系溶
媒に可溶性の錯体を形成し、残渣の溶解度を増大させる
ためと考えられる。
分を含有せしめることができる。含有せしめる他の成分
としては、例えば、界面活性剤や腐食抑制剤等を挙げる
ことができる。界面活性剤としては、HLBの低い親油
性の非イオン性界面活性剤を好適に使用することがで
き、このような界面活性剤としては、例えば、ポリオキ
シエチレンアルキルエーテル、アルキルアミンオキシド
等のほか、ポリエーテル変性シリコーン等のシリコーン
系界面活性剤等を挙げることができる。腐食抑制剤とし
ては、例えば、メルカプトベンゾチアゾール、ベンゾト
リアゾール等を挙げることができる。本発明方法におい
ては、被洗浄物をまず炭化水素系溶媒と配位性化合物を
含有する洗浄剤組成物と接触せしめる。本発明方法は、
被洗浄物がフラックスを塗布しハンダ付けしたプリント
基板であるとき特に効果を発揮し、プリント基板上に付
着するフラックス残渣を効率的に除去することができ
る。被洗浄物と洗浄剤組成物を接触させる方法には特に
制限はなく、例えば、被洗浄物を洗浄剤組成物に浸漬
し、あるいは、被洗浄物に洗浄剤組成物をスプレーする
ことができる。被洗浄物を洗浄剤組成物に浸漬したとき
には、必要に応じて、撹拌、揺動、超音波の作用等によ
り、洗浄を促進することができる。被洗浄物がフラック
ス残渣の付着したプリント基板である場合には、フラッ
クス残渣中の金属成分が配位性化合物と金属錯体を形成
して溶解し、プリント基板表面より除去される。本発明
方法においては、洗浄剤組成物と接触させた被洗浄物
は、次いで溶媒と接触させる。溶媒との接触により、被
洗浄物に洗浄剤組成物とともに付着残留する配位性化合
物及びその金属錯体等は、溶媒のリンス効果により除去
される。本発明方法において、洗浄剤組成物と接触させ
た被洗浄物を続いて接触させる溶媒としては、洗浄剤組
成物中の炭化水素系溶媒と相溶性を有し、配位化合物を
溶解することができる溶媒であれば特に制限はなく、こ
のような溶媒としては、例えば、本発明の洗浄剤組成物
に使用することができる炭化水素系溶媒をはじめとし
て、エタノール、イソプロパノール等のアルコール系溶
媒、ギ酸エチル、酢酸エチル等のエステル系溶媒、アセ
トン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒等を挙げる
ことができる。溶媒との接触方法には特に制限はなく、
例えば、浸漬、スプレー、蒸気洗浄等により行うことが
できる。本発明の洗浄剤組成物が、フラックス残渣の付
着したプリント基板に対して特に優れた洗浄効果を発揮
するのは、配位性化合物がプリント基板上及びフラック
ス残渣中に存在する金属化合物に作用して炭化水素系溶
媒に可溶性の錯体を形成し、残渣の溶解度を増大させる
ためと考えられる。
【0007】
【実施例】以下に、実施例を挙げて本発明をさらに詳細
に説明するが、本発明はこれらの実施例によりなんら限
定されるものではない。 実施例1 小型プリント基板[サンハヤト(株)、ICB−86G、
寸法36×46mm]にフラックス[日本ハンダ(株)、ラ
ピックスRA]を0.2mlずつ2回塗布し、自然乾燥し
た。これを260℃のハンダ槽でハンダ付けしたものを
被洗浄物とした。n−ヘキサン1,000mlに、1−n
−オクチル−2−ピロリジノン(NOP)46.0g
(0.233モル)を加えて撹拌し、完全に溶解して洗
浄剤とした。この洗浄剤75mlをステンレス製容器にい
れ、25℃の恒温水槽に浸漬し、洗浄剤の温度が25℃
となったのち被洗浄物を浸漬し、スターラーで撹拌しつ
つ2分間洗浄した。被洗浄物を取り出し、n−ヘキサン
中に30秒浸漬してリンスし、ドライヤーで乾燥した。
洗浄、乾燥した小型プリント基板を、イソプロピルアル
コールの75容量%水溶液75mlに浸漬し、超音波を作
用させて5分間残渣の抽出を行った。この抽出液の電気
伝導率を測定したところ、0.85μS/cmであった。 実施例2 1−n−オクチル−2−ピロリジノン(NOP)の添加
量を92.1g(0.467モル)とした以外は、実施例
1と全く同じ操作を繰り返した。抽出液の電気伝導率は
0.62μS/cmであった。 実施例3 1−n−オクチル−2−ピロリジノン(NOP)46.
0gの代わりに、1−n−ドデシル−2−ピロリジノン
(NDP)59.0g(0.233モル)を用いた以外
は、実施例1と全く同じ操作を繰り返した。抽出液の電
気伝導率は0.81μS/cmであった。 実施例4 1−n−ドデシル−2−ピロリジノン(NDP)の添加
量を118.3g(0.467モル)とした以外は、実施
例3と全く同じ操作を繰り返した。抽出液の電気伝導率
は0.65μS/cmであった。 実施例5 1−n−オクチル−2−ピロリジノン(NOP)46.
0gの代わりに、トリ−n−オクチルホスフィンオキシ
ド(TOPO)36.0g(0.093モル)を用いた以
外は、実施例1と全く同じ操作を繰り返した。抽出液の
電気伝導率は0.79μS/cmであった。 実施例6 トリ−n−オクチルホスフィンオキシド(TOPO)の
添加量を90.1g(0.233モル)とした以外は、実
施例5と全く同じ操作を繰り返した。抽出液の電気伝導
率は0.65μS/cmであった。 実施例7 トリ−n−オクチルホスフィンオキシド(TOPO)の
添加量を180.6g(0.467モル)とした以外は、
実施例5と全く同じ操作を繰り返した。抽出液の電気伝
導率は0.59μS/cmであった。 実施例8 1−n−オクチル−2−ピロリジノン(NOP)46.
0gの代わりに、ジ−n−ブチルスルホキシド(DBS
O)37.8g(0.233モル)を用いた以外は、実施
例1と全く同じ操作を繰り返した。抽出液の電気伝導率
は0.81μS/cmであった。 実施例9 ジ−n−ブチルスルホキシド(DBSO)の添加量を7
5.8g(0.467モル)とした以外は、実施例8と全
く同じ操作を繰り返した。抽出液の電気伝導率は0.7
9μS/cmであった。 実施例10 1−n−オクチル−2−ピロリジノン(NOP)46.
0gの代わりに、トリ−n−ブチルホスフィンオキシド
(TBPO)50.9g(0.233モル)を用いた以外
は、実施例1と全く同じ操作を繰り返した。抽出液の電
気伝導率は0.70μS/cmであった。 実施例11 n−ヘキサン1,000mlの代わりに、n−ドデカン1,
000mlを用い、1−n−オクチル−2−ピロリジノン
(NOP)46.0gの代わりに、1−n−ドデシル−
2−ピロリジノン(NDP)59.0g(0.233モ
ル)を用いた以外は、実施例1と全く同じ操作を繰り返
した。抽出液の電気伝導率は0.87μS/cmであっ
た。 実施例12 n−ヘキサン1,000mlの代わりに、1−ドデセン1,
000mlを用い、1−n−オクチル−2−ピロリジノン
(NOP)46.0gの代わりに、トリ−n−オクチル
ホスフィンオキシド(TOPO)90.1g(0.233
モル)を用いた以外は、実施例1と全く同じ操作を繰り
返した。抽出液の電気伝導率は0.81μS/cmであっ
た。 実施例13 n−ヘキサン1,000mlの代わりに、デカリン1,00
0mlを用い、1−n−オクチル−2−ピロリジノン(N
OP)の添加量を92.1g(0.467モル)とした以
外は、実施例1と全く同じ操作を繰り返した。抽出液の
電気伝導率は0.71μS/cmであった。 実施例14 n−ヘキサン1,000mlの代わりに、テクリーンN−
20[日本石油(株)製、ナフテン系溶媒]1,000ml
を用い、1−n−オクチル−2−ピロリジノン(NO
P)の添加量を92.1g(0.467モル)とした以外
は、実施例1と全く同じ操作を繰り返した。抽出液の電
気伝導率は0.75μS/cmであった。 実施例15 n−ヘキサン1,000mlの代わりに、1−ドデセン1,
000mlを用い、1−n−オクチル−2−ピロリジノン
(NOP)の添加量を92.1g(0.467モル)とし
た以外は、実施例1と全く同じ操作を繰り返した。抽出
液の電気伝導率は0.83μS/cmであった。 比較例1 CFC−113を95重量%とエタノールを5重量%含
有する洗浄剤75mlをステンレス製容器にいれ、25℃
の恒温水槽に浸漬し、洗浄剤の温度が25℃となったの
ち実施例1で用いたものと同じ被洗浄物を浸漬し、スタ
ーラーで撹拌しつつ2分間洗浄した。被洗浄物を取り出
し、CFC−113中に30秒浸漬してリンスし、ドラ
イヤーで乾燥した。洗浄、乾燥した小型プリント基板
を、イソプロピルアルコールの75容量%水溶液75ml
に浸漬し、超音波を作用させて5分間残渣の抽出を行っ
た。この抽出液の電気伝導率を測定したところ、0.8
6μS/cmであった。 比較例2 1,1,1−トリクロロエタン75mlをステンレス製容器
にいれ、25℃の恒温水槽に浸漬し、1,1,1−トリク
ロロエタンの温度が25℃となったのち実施例1で用い
たものと同じ被洗浄物を浸漬し、スターラーで撹拌しつ
つ2分間洗浄した。被洗浄物を取り出し、1,1,1−ト
リクロロエタン中に30秒浸漬してリンスし、ドライヤ
ーで乾燥した。洗浄、乾燥した小型プリント基板を、イ
ソプロピルアルコールの75容量%水溶液75mlに浸漬
し、超音波を作用させて5分間残渣の抽出を行った。こ
の抽出液の電気伝導率を測定したところ、0.88μS
/cmであった。 比較例3 n−ヘキサン75mlをステンレス製容器にいれ、25℃
の恒温水槽に浸漬し、n−ヘキサンの温度が25℃とな
ったのち実施例1で用いたものと同じ被洗浄物を浸漬
し、スターラーで撹拌しつつ2分間洗浄した。被洗浄物
を取り出し、n−ヘキサンン中に30秒浸漬してリンス
し、ドライヤーで乾燥した。洗浄、乾燥した小型プリン
ト基板を、イソプロピルアルコールの75容量%水溶液
75mlに浸漬し、超音波を作用させて5分間残渣の抽出
を行った。この抽出液の電気伝導率を測定したところ、
1.81μS/cmであった。 比較例4 実施例1で用いたものと同じ被洗浄物を、洗浄剤で洗浄
することなく、直接イソプロピルアルコールの75容量
%水溶液75mlに浸漬し、超音波を作用させて5分間残
渣の抽出を行った。この抽出液の電気伝導率を測定した
ところ、2.37μS/cmであった。実施例1〜15及
び比較例1〜4の結果をまとめて第1表に示す。
に説明するが、本発明はこれらの実施例によりなんら限
定されるものではない。 実施例1 小型プリント基板[サンハヤト(株)、ICB−86G、
寸法36×46mm]にフラックス[日本ハンダ(株)、ラ
ピックスRA]を0.2mlずつ2回塗布し、自然乾燥し
た。これを260℃のハンダ槽でハンダ付けしたものを
被洗浄物とした。n−ヘキサン1,000mlに、1−n
−オクチル−2−ピロリジノン(NOP)46.0g
(0.233モル)を加えて撹拌し、完全に溶解して洗
浄剤とした。この洗浄剤75mlをステンレス製容器にい
れ、25℃の恒温水槽に浸漬し、洗浄剤の温度が25℃
となったのち被洗浄物を浸漬し、スターラーで撹拌しつ
つ2分間洗浄した。被洗浄物を取り出し、n−ヘキサン
中に30秒浸漬してリンスし、ドライヤーで乾燥した。
洗浄、乾燥した小型プリント基板を、イソプロピルアル
コールの75容量%水溶液75mlに浸漬し、超音波を作
用させて5分間残渣の抽出を行った。この抽出液の電気
伝導率を測定したところ、0.85μS/cmであった。 実施例2 1−n−オクチル−2−ピロリジノン(NOP)の添加
量を92.1g(0.467モル)とした以外は、実施例
1と全く同じ操作を繰り返した。抽出液の電気伝導率は
0.62μS/cmであった。 実施例3 1−n−オクチル−2−ピロリジノン(NOP)46.
0gの代わりに、1−n−ドデシル−2−ピロリジノン
(NDP)59.0g(0.233モル)を用いた以外
は、実施例1と全く同じ操作を繰り返した。抽出液の電
気伝導率は0.81μS/cmであった。 実施例4 1−n−ドデシル−2−ピロリジノン(NDP)の添加
量を118.3g(0.467モル)とした以外は、実施
例3と全く同じ操作を繰り返した。抽出液の電気伝導率
は0.65μS/cmであった。 実施例5 1−n−オクチル−2−ピロリジノン(NOP)46.
0gの代わりに、トリ−n−オクチルホスフィンオキシ
ド(TOPO)36.0g(0.093モル)を用いた以
外は、実施例1と全く同じ操作を繰り返した。抽出液の
電気伝導率は0.79μS/cmであった。 実施例6 トリ−n−オクチルホスフィンオキシド(TOPO)の
添加量を90.1g(0.233モル)とした以外は、実
施例5と全く同じ操作を繰り返した。抽出液の電気伝導
率は0.65μS/cmであった。 実施例7 トリ−n−オクチルホスフィンオキシド(TOPO)の
添加量を180.6g(0.467モル)とした以外は、
実施例5と全く同じ操作を繰り返した。抽出液の電気伝
導率は0.59μS/cmであった。 実施例8 1−n−オクチル−2−ピロリジノン(NOP)46.
0gの代わりに、ジ−n−ブチルスルホキシド(DBS
O)37.8g(0.233モル)を用いた以外は、実施
例1と全く同じ操作を繰り返した。抽出液の電気伝導率
は0.81μS/cmであった。 実施例9 ジ−n−ブチルスルホキシド(DBSO)の添加量を7
5.8g(0.467モル)とした以外は、実施例8と全
く同じ操作を繰り返した。抽出液の電気伝導率は0.7
9μS/cmであった。 実施例10 1−n−オクチル−2−ピロリジノン(NOP)46.
0gの代わりに、トリ−n−ブチルホスフィンオキシド
(TBPO)50.9g(0.233モル)を用いた以外
は、実施例1と全く同じ操作を繰り返した。抽出液の電
気伝導率は0.70μS/cmであった。 実施例11 n−ヘキサン1,000mlの代わりに、n−ドデカン1,
000mlを用い、1−n−オクチル−2−ピロリジノン
(NOP)46.0gの代わりに、1−n−ドデシル−
2−ピロリジノン(NDP)59.0g(0.233モ
ル)を用いた以外は、実施例1と全く同じ操作を繰り返
した。抽出液の電気伝導率は0.87μS/cmであっ
た。 実施例12 n−ヘキサン1,000mlの代わりに、1−ドデセン1,
000mlを用い、1−n−オクチル−2−ピロリジノン
(NOP)46.0gの代わりに、トリ−n−オクチル
ホスフィンオキシド(TOPO)90.1g(0.233
モル)を用いた以外は、実施例1と全く同じ操作を繰り
返した。抽出液の電気伝導率は0.81μS/cmであっ
た。 実施例13 n−ヘキサン1,000mlの代わりに、デカリン1,00
0mlを用い、1−n−オクチル−2−ピロリジノン(N
OP)の添加量を92.1g(0.467モル)とした以
外は、実施例1と全く同じ操作を繰り返した。抽出液の
電気伝導率は0.71μS/cmであった。 実施例14 n−ヘキサン1,000mlの代わりに、テクリーンN−
20[日本石油(株)製、ナフテン系溶媒]1,000ml
を用い、1−n−オクチル−2−ピロリジノン(NO
P)の添加量を92.1g(0.467モル)とした以外
は、実施例1と全く同じ操作を繰り返した。抽出液の電
気伝導率は0.75μS/cmであった。 実施例15 n−ヘキサン1,000mlの代わりに、1−ドデセン1,
000mlを用い、1−n−オクチル−2−ピロリジノン
(NOP)の添加量を92.1g(0.467モル)とし
た以外は、実施例1と全く同じ操作を繰り返した。抽出
液の電気伝導率は0.83μS/cmであった。 比較例1 CFC−113を95重量%とエタノールを5重量%含
有する洗浄剤75mlをステンレス製容器にいれ、25℃
の恒温水槽に浸漬し、洗浄剤の温度が25℃となったの
ち実施例1で用いたものと同じ被洗浄物を浸漬し、スタ
ーラーで撹拌しつつ2分間洗浄した。被洗浄物を取り出
し、CFC−113中に30秒浸漬してリンスし、ドラ
イヤーで乾燥した。洗浄、乾燥した小型プリント基板
を、イソプロピルアルコールの75容量%水溶液75ml
に浸漬し、超音波を作用させて5分間残渣の抽出を行っ
た。この抽出液の電気伝導率を測定したところ、0.8
6μS/cmであった。 比較例2 1,1,1−トリクロロエタン75mlをステンレス製容器
にいれ、25℃の恒温水槽に浸漬し、1,1,1−トリク
ロロエタンの温度が25℃となったのち実施例1で用い
たものと同じ被洗浄物を浸漬し、スターラーで撹拌しつ
つ2分間洗浄した。被洗浄物を取り出し、1,1,1−ト
リクロロエタン中に30秒浸漬してリンスし、ドライヤ
ーで乾燥した。洗浄、乾燥した小型プリント基板を、イ
ソプロピルアルコールの75容量%水溶液75mlに浸漬
し、超音波を作用させて5分間残渣の抽出を行った。こ
の抽出液の電気伝導率を測定したところ、0.88μS
/cmであった。 比較例3 n−ヘキサン75mlをステンレス製容器にいれ、25℃
の恒温水槽に浸漬し、n−ヘキサンの温度が25℃とな
ったのち実施例1で用いたものと同じ被洗浄物を浸漬
し、スターラーで撹拌しつつ2分間洗浄した。被洗浄物
を取り出し、n−ヘキサンン中に30秒浸漬してリンス
し、ドライヤーで乾燥した。洗浄、乾燥した小型プリン
ト基板を、イソプロピルアルコールの75容量%水溶液
75mlに浸漬し、超音波を作用させて5分間残渣の抽出
を行った。この抽出液の電気伝導率を測定したところ、
1.81μS/cmであった。 比較例4 実施例1で用いたものと同じ被洗浄物を、洗浄剤で洗浄
することなく、直接イソプロピルアルコールの75容量
%水溶液75mlに浸漬し、超音波を作用させて5分間残
渣の抽出を行った。この抽出液の電気伝導率を測定した
ところ、2.37μS/cmであった。実施例1〜15及
び比較例1〜4の結果をまとめて第1表に示す。
【0008】
【表1】
【0009】抽出液の電気伝導率は、洗浄後のプリント
基板上に残存するフラックス残渣の指標となるものであ
り、抽出液の電気伝導率が小さいほど、フラックス残渣
の洗浄が良好に行われたことになる。抽出液の電気伝導
率から、洗浄効果が従来から用いられている洗浄剤であ
るCFC−113又は1,1,1−トリクロロエタンより
も優れているものを○、同程度であるものを△、劣って
いるものを×として、第1表に併せて示した。従来の有
機ハロゲン系洗浄剤であるフロン系溶媒CFC−113
を主成分とする洗浄剤で洗浄した比較例1及び1,1,1
−トリクロロエタンで洗浄した比較例2では、抽出液の
電気伝導率はそれぞれ0.86μS/cmと0.88μS/
cmであった。炭化水素系溶媒の1種であるn−ヘキサン
のみで洗浄した比較例3では、抽出液の電気伝導率が
1.81μS/cmで洗浄効果が劣っていることが分か
る。しかし、n−ヘキサンに配位性化合物を濃度が0.
093〜0.467モル/リットルになるよう添加した
本発明の洗浄剤組成物を用いた実施例1〜10では洗浄
効果が著しく向上し、従来の有機ハロゲン系溶媒に比し
て、同等以上の洗浄効果が得られた。また、n−ヘキサ
ン以外の炭化水素系溶媒であるn−ドデカン(実施例1
1)、1−ドデセン(実施例12及び15)、デカリン
(実施例13)及びナフテン系溶媒(実施例14)で
も、配位性化合物を加えることにより、従来の有機ハロ
ゲン系溶媒と同等以上の洗浄効果が得られた。 比較例5 1−n−オクチル−2−ピロリジノン(NOP)46.
0gの代わりに、シクロヘキサノール23.4g(0.2
33モル)を添加した以外は、実施例1と全く同じ操作
を繰り返した。抽出液の電気伝導率は1.41μS/cm
であった。 比較例6 シクロヘキサノールの添加量を73.3g(0.732モ
ル)とした以外は、比較例4と全く同じ操作を繰り返し
た。この混合液中のシクロヘキサノールの含量は、10
重量%である。抽出液の電気伝導率は1.19μS/cm
であった。 比較例7 1−n−オクチル−2−ピロリジノン(NOP)46.
0gの代わりに、ジエチレングリコールモノエチルエー
テル31.3g(0.233モル)を添加した以外は、実
施例1と全く同じ操作を繰り返した。抽出液の電気伝導
率は1.27μS/cmであった。 比較例8 1−n−ドデシル−2−ピロリジノン(NDP)59.
0gの代わりに、シクロヘキサノール23.4g(0.2
33モル)を用いた以外は、実施例11と全く同じ操作
を繰り返した。抽出液の電気伝導率は1.50μS/cm
であった。 比較例9 1−n−ドデシル−2−ピロリジノン(NDP)59.
0gの代わりに、ジエチレングリコールモノエチルエー
テル31.3g(0.233モル)を用いた以外は、実施
例11と全く同じ操作を繰り返した。抽出液の電気伝導
率は1.42μS/cmであった。比較例5〜9の結果を
まとめて第2表に示す。
基板上に残存するフラックス残渣の指標となるものであ
り、抽出液の電気伝導率が小さいほど、フラックス残渣
の洗浄が良好に行われたことになる。抽出液の電気伝導
率から、洗浄効果が従来から用いられている洗浄剤であ
るCFC−113又は1,1,1−トリクロロエタンより
も優れているものを○、同程度であるものを△、劣って
いるものを×として、第1表に併せて示した。従来の有
機ハロゲン系洗浄剤であるフロン系溶媒CFC−113
を主成分とする洗浄剤で洗浄した比較例1及び1,1,1
−トリクロロエタンで洗浄した比較例2では、抽出液の
電気伝導率はそれぞれ0.86μS/cmと0.88μS/
cmであった。炭化水素系溶媒の1種であるn−ヘキサン
のみで洗浄した比較例3では、抽出液の電気伝導率が
1.81μS/cmで洗浄効果が劣っていることが分か
る。しかし、n−ヘキサンに配位性化合物を濃度が0.
093〜0.467モル/リットルになるよう添加した
本発明の洗浄剤組成物を用いた実施例1〜10では洗浄
効果が著しく向上し、従来の有機ハロゲン系溶媒に比し
て、同等以上の洗浄効果が得られた。また、n−ヘキサ
ン以外の炭化水素系溶媒であるn−ドデカン(実施例1
1)、1−ドデセン(実施例12及び15)、デカリン
(実施例13)及びナフテン系溶媒(実施例14)で
も、配位性化合物を加えることにより、従来の有機ハロ
ゲン系溶媒と同等以上の洗浄効果が得られた。 比較例5 1−n−オクチル−2−ピロリジノン(NOP)46.
0gの代わりに、シクロヘキサノール23.4g(0.2
33モル)を添加した以外は、実施例1と全く同じ操作
を繰り返した。抽出液の電気伝導率は1.41μS/cm
であった。 比較例6 シクロヘキサノールの添加量を73.3g(0.732モ
ル)とした以外は、比較例4と全く同じ操作を繰り返し
た。この混合液中のシクロヘキサノールの含量は、10
重量%である。抽出液の電気伝導率は1.19μS/cm
であった。 比較例7 1−n−オクチル−2−ピロリジノン(NOP)46.
0gの代わりに、ジエチレングリコールモノエチルエー
テル31.3g(0.233モル)を添加した以外は、実
施例1と全く同じ操作を繰り返した。抽出液の電気伝導
率は1.27μS/cmであった。 比較例8 1−n−ドデシル−2−ピロリジノン(NDP)59.
0gの代わりに、シクロヘキサノール23.4g(0.2
33モル)を用いた以外は、実施例11と全く同じ操作
を繰り返した。抽出液の電気伝導率は1.50μS/cm
であった。 比較例9 1−n−ドデシル−2−ピロリジノン(NDP)59.
0gの代わりに、ジエチレングリコールモノエチルエー
テル31.3g(0.233モル)を用いた以外は、実施
例11と全く同じ操作を繰り返した。抽出液の電気伝導
率は1.42μS/cmであった。比較例5〜9の結果を
まとめて第2表に示す。
【0010】
【表2】
【0011】n−ヘキサン1,000mlに配位化合物を
添加する代わりに、シクロヘキサノール又はジエチレン
グリコールモノエチルエーテル0.233モルを添加し
た洗浄剤を用いた比較例5及び7では、同じモル数の配
位化合物を添加した洗浄剤を用いた実施例1、3、6、
8及び10と比較すると、抽出液の電気伝導率が高く、
フラックス残渣の洗浄が十分でないことが分かる。さら
に、比較例6ではシクロヘキサノールの添加量を増加
し、洗浄剤中のシクロヘキサノールの含量を10重量%
としたが、洗浄効果の改善は顕著ではなく、従来の有機
ハロゲン系溶媒に劣る結果となっている。洗浄剤組成物
の溶媒をn−ヘキサンからn−ドデカンに変えた比較例
8及び9においては、抽出液の電気伝導率は比較例5及
び7よりむしろ高く、溶媒としてn−ドデカンを用いて
もシクロヘキサノール又はジエチレングリコールモノエ
チルエーテルとの組み合わせでは十分な洗浄効果が得ら
れないことが分かる。
添加する代わりに、シクロヘキサノール又はジエチレン
グリコールモノエチルエーテル0.233モルを添加し
た洗浄剤を用いた比較例5及び7では、同じモル数の配
位化合物を添加した洗浄剤を用いた実施例1、3、6、
8及び10と比較すると、抽出液の電気伝導率が高く、
フラックス残渣の洗浄が十分でないことが分かる。さら
に、比較例6ではシクロヘキサノールの添加量を増加
し、洗浄剤中のシクロヘキサノールの含量を10重量%
としたが、洗浄効果の改善は顕著ではなく、従来の有機
ハロゲン系溶媒に劣る結果となっている。洗浄剤組成物
の溶媒をn−ヘキサンからn−ドデカンに変えた比較例
8及び9においては、抽出液の電気伝導率は比較例5及
び7よりむしろ高く、溶媒としてn−ドデカンを用いて
もシクロヘキサノール又はジエチレングリコールモノエ
チルエーテルとの組み合わせでは十分な洗浄効果が得ら
れないことが分かる。
【0012】
【発明の効果】本発明の洗浄剤組成物及び洗浄方法によ
れば、オゾン層破壊の原因となる有機ハロゲン系溶媒を
使用することなく、プリント基板上のフラックス残渣を
溶解し、効果的に除去することができる。
れば、オゾン層破壊の原因となる有機ハロゲン系溶媒を
使用することなく、プリント基板上のフラックス残渣を
溶解し、効果的に除去することができる。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/304 341 H01L 21/304 341L
Claims (2)
- 【請求項1】炭化水素系溶媒と金属イオンに配位し得る
有機化合物を含有することを特徴とする洗浄剤組成物。 - 【請求項2】被洗浄物を請求項1記載の洗浄剤組成物と
接触させたのち、溶媒と接触させることを特徴とする洗
浄方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7059803A JPH08231989A (ja) | 1995-02-23 | 1995-02-23 | 洗浄剤組成物及び洗浄方法 |
SG1995001592A SG43669A1 (en) | 1995-02-23 | 1995-10-18 | Composition for cleaning and process for cleaning |
TW084110950A TW343996B (en) | 1995-02-23 | 1995-10-18 | Composition for cleaning residue of a flux and process for cleaning residue of a flux the invention relates to a composition for cleaning residue of a flux comprising a hydrocarbon solvent and an organic compound which can coordinate to metal ions. |
EP95116401A EP0728838A3 (en) | 1995-02-23 | 1995-10-18 | Composition for cleaning and process for cleaning |
CN95115999A CN1129734A (zh) | 1995-02-23 | 1995-10-19 | 清洗组合物及清洗方法 |
KR1019950036319A KR960031584A (ko) | 1995-02-23 | 1995-10-20 | 세정제조성물 및 세정방법 |
US08/864,443 US5767048A (en) | 1995-02-23 | 1997-05-28 | Cleaning process |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7059803A JPH08231989A (ja) | 1995-02-23 | 1995-02-23 | 洗浄剤組成物及び洗浄方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08231989A true JPH08231989A (ja) | 1996-09-10 |
Family
ID=13123797
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7059803A Pending JPH08231989A (ja) | 1995-02-23 | 1995-02-23 | 洗浄剤組成物及び洗浄方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5767048A (ja) |
EP (1) | EP0728838A3 (ja) |
JP (1) | JPH08231989A (ja) |
KR (1) | KR960031584A (ja) |
CN (1) | CN1129734A (ja) |
SG (1) | SG43669A1 (ja) |
TW (1) | TW343996B (ja) |
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WO2007066915A1 (en) * | 2005-12-06 | 2007-06-14 | Sk Energy Co., Ltd. | Environment-friendly hydrocarbon solvent composition removed normal hexane |
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KR20230036466A (ko) | 2021-09-07 | 2023-03-14 | 이호열 | Pcb 준수계 세정제 조성물 |
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KR20060006503A (ko) * | 2004-07-16 | 2006-01-19 | 박창진 | 모터용 권선 세척 및 코팅제 조성물 |
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US8309502B2 (en) * | 2009-03-27 | 2012-11-13 | Eastman Chemical Company | Compositions and methods for removing organic substances |
US8444768B2 (en) * | 2009-03-27 | 2013-05-21 | Eastman Chemical Company | Compositions and methods for removing organic substances |
EP2572814B1 (de) * | 2011-09-20 | 2016-03-30 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Paste und Verfahren zum Verbinden von elektronischem Bauelement mit Substrat |
US9029268B2 (en) | 2012-11-21 | 2015-05-12 | Dynaloy, Llc | Process for etching metals |
Family Cites Families (18)
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