KR20230036466A - Pcb 준수계 세정제 조성물 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 PCB 준수계 세정제 조성물에 관한 것으로, 세정제 조성물 총 중량(wt)에 대하여, 실리콘 계면활성제 0.1 내지 5 wt%; 질소 헤테로고리 화합물 10 내지 40 wt%; 알킬 글리콜 에테르 30 내지 70 wt%; 및 물 잔량;을 포함함으로써, 인쇄회로기판(PCB) 제조시 솔더링 공정 중 리플로우 이후 기판 상에 잔류하는 플럭스 및 레진 등의 이물질에 대한 세정력이 뛰어난 PCB 준수계 세정제 조성물에 관한 것이다.
Description
본 발명은 PCB 준수계 세정제 조성물에 관한 것으로, 더욱 상세하게는, 인쇄회로기판(PCB) 제조시 솔더링 공정 중 리플로우 이후 기판 상에 잔류하는 플럭스 및 레진 등의 이물질을 제거할 수 있도록 피세정물의 미세 틈새에 대한 침투력이 높고, 수용성 및 지용성 플럭스 모두에 대한 용해력이 우수하여 세정력이 뛰어난 PCB 준수계 세정제 조성물에 관한 것이다.
전자산업분야에서 인쇄회로기판(이하, PCB) 제조시 솔더링 공정 후 기판 상에 잔류하는 플럭스, 레진 등의 이물질을 제거하기 위한 플럭스 세정제 기술분야에 있어서, 종래에는 전자부품의 크기가 크고 부품의 밀접도가 높지 않아 플럭스 세정제들 간의 성능편차가 크지 않았다.
그러나 최근 전자부품의 기능 향상 및 소형화에 따라 부품의 고집적화로 인해 세정 불량사례가 증가하며 생산수율이 저하되는 현상이 발생되고 있다. 특히 스마트기기 부품의 정밀세정 난이도가 높아지면서, 세정기술의 중요성은 갈수록 증대되고 있다.
PCB 상에서 세정불량으로 제거되지 않은 불순물은 미량일지라도 제품품질 및 생산수율에 영향을 미치며 기존 세정제들의 세정성능 미흡으로 인한 백화현상, 플럭스 잔류 등으로 인해 쇼트(short-circuit) 등의 여러가지 다양한 문제점이 발생한다. 또한 세정시편 재질에 영향을 주어 플라스틱, 금속 소재, 테이프의 변형, 색상변화 등의 재질손상 사례도 발생하기도 한다.
또한 종래에는 솔더링 후 잔류 플럭스를 제거하기 위해서 비인화성 및 빠른 휘발성의 장점을 지닌 염소계 세정제가 널리 사용되어 왔으나 오존층파괴물질과 같은 대기환경오염을 유발하거나 인체 유해성 등의 문제가 대두되었다.
상기 염소계 세정제를 대체하는 수단으로는 알코올계, 탄화수소계, 수계 및 준수계 세정제 등이 있다. 알코올계 혹은 탄화수소계는 휘발성이 뛰어나 작업의 편리성은 있으나, 리플로우 이후 변성플럭스에 대한 용해력이 부족한 경우가 빈번하며 인화점이 낮아 화재 위험성을 지니기도 한다.
또한, 수계 세정제는 상기 세정제들과는 달리 물을 사용하게 되므로, 폐수가 다량 발생하여 수질환경처리에 부담이 되기도 한다.
상기 문제점을 해결하고자, 상기 플럭스를 제거할 수 있는 좁은 공간에도 침투가 용이하여 세정력이 우수한 세정제의 필요성이 대두된다.
상기와 같은 본 발명은 PCB의 미세 틈새에 대한 침투력이 높고 수용성 및 지용성 플럭스 모두에 대한 용해력이 우수하여 세정력이 뛰어나며, 오염수 배출 문제가 적은 새로운 PCB 세정용 준수계 세정제 조성물을 제시하고자 한다.
한편, 본 발명의 기술분야에 존재하는 선행기술로서, 일본공개특허문헌 JP 1996-231989 A는 프린트 기판상의 플럭스 잔사를 용해하여 제거하는 세정제 조성물에 관한 것으로, 탄화수소계 용매와 금속 이온을 배위할 수 있는 유기 화합물로서 1-알킬-2-피롤리디논 등과 실리콘계 계면활성제을 함유하는 세정제 조성물에 관한 기술을 개시하고 있다. 또한, 미국공개특허공보 US 2019-0136159 A1은 반도체 장치의 세정제에 관한 것으로, 부틸피롤리돈과 글리콜 에테르를 포함하는 세정제 조성물에 관한 기술을 개시하고 있다. 또한, 미국등록특허공보 US 5456760 A은 전자 및 전기 장치에서 플럭스를 세정하는 방법에 관한 것으로, N-메틸-2-피롤리돈와 글리콜 에테르를 포함하는 세정제 조성물에 관한 기술을 개시하고 있다.
상기 선행문헌기술에 나타난 바와 같이, 종래기술에서는 질소 헤테로고리 화합물, 글리콜 에테르 화합물, 실리콘 계면활성제를 각각 또는 일부 포함하는 플럭스 세정제 조성물에 관한 기술이 알려져 있으나, 질소 헤테로고리 화합물과 글리콜 에테르 화합물을 포함하는 세정제 조성물에 실리콘 계면활성제를 함께 사용하였을 때 PCB 세정효과가 상기 조성물의 단순 결합하였을 때 예상되는 수준 보다 크게 향상되는 기술내용은 알려진 바가 없었다.
본 발명은 상기된 문제들을 해결하기 위해 창작된 것으로, 솔더링 공정 후 잔류 플럭스를 제거하기 위한 PCB 준수계 세정제로서, PCB 부품의 소형화에 따라 세정해야할 간극이 좁아지고 있어, 이러한 PCB 내 미세틈새에 잔류하는 잔류하는 플럭스 및 유기 오염물이나 불필요한 레진 등을 효과적으로 제거할 수 있는 세정제 조성물을 제공하고자 하는 데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 PCB 표면의 유기성 플럭스와 지용성 플럭스를 모두 제거할 수 있는 플럭스에 대한 용해력이 우수한 세정제 조성물을 제공하고자 하는 데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 PCB 기판 및 표면실장부품을 포함하는 피세정물의 재질을 변형시키지 않는 세정제를 제공하고자 하는 데 그 목적이 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 PCB 준수계 세정제 조성물은, 세정제 조성물 총 중량(wt)에 대하여, 실리콘 계면활성제 0.1 내지 5 wt%; 질소 헤테로고리 화합물 10 내지 40 wt%; 알킬 글리콜 에테르 30 내지 70 wt%; 및 물 잔량;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 일 실시예로서, 상기 실리콘 계면활성제는, 실리콘 고분자에 친수성 극성 그룹이 결합되어 있는 화합물로서, 비이온성인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 일 실시예로서, 상기 실리콘 계면활성제는, Ethoxylated가 부가된 실리콘 계면활성제인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 일 실시예로서, 상기 질소 헤테로고리 화합물은, 5원자 혹은 6원자 고리형 화합물 및 이의 유도체 중에서 선택되는 하나 또는 둘 이상의 화합물인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 일 실시예로서, 상기 질소 헤테로고리 화합물은, N-메틸-2-피롤리돈(N-methyl-2-pyrrolidone), 1-에틸-2-피롤리돈(1-ethyl-2-pyrrolidone), 1-프로필-2-피롤리돈(1-propyl-2-pyrrolidone, N-(2-히드록시 에틸)피페리딘(N-(2-Hydroxy ethyl)piperidine) 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 일 실시예로서, 상기 알킬 글리콜 에테르는, 분자 내 방향족 고리를 포함하지 않으며 알킬체인의 탄소수가 1 내지 6 이내인 에틸렌 글리콜 알킬 에테르 및 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 계열 화합물 중 선택된 하나 또는 둘 이상의 화합물인 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 일 실시예로서, 상기 알킬 글리콜 에테르는, 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(dipropylene glycol monomethyl ether), 디프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르(dipropylene glycol monoethyl ether), 디프로필렌 글리콜 모노프로필 에테르(dipropylene glycol monopropyl ether) 및 디프로필렌 글리콜 모노부틸 에테르(dipropylene glycol monobutyl ether) 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 일 실시예로서, PCB 준수계 세정제 조성물은, pH가 9.0 내지 12.0 인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 PCB 준수계 세정제는 질소 헤테로고리 화합물, 글리콜 에테르 화합물 및 실리콘 계면활성제를 포함함으로써, 플럭스에 대한 용해력이 우수하여 수용성과 지용성 플럭스 모두를 제거하기에 적합하며, 오염원에 대한 침투력이 뛰어나 PCB의 미세틈새에 잔류하는 플럭스 효과적으로 제거할 수 있는 효과가 있다.
또한, 본 발명에 따른 PCB 준수계 세정제는 피세정물의 재질에 변형이나 부식 혹은 산화와 같은 문제를 야기하지 않는다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 PCB 준수계 세정제 조성물과 비교예에 따른 세정제 조성물을 이용하여 세정한 PCB 기판을 촬영한 것이다.
다른 식으로 정의하지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 기술적 및 과학적 용어들은 본 발명이 속하는 기술분야에서 숙련된 전문가에 의해서 통상적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적으로, 본 명세서에서 사용된 명명법은 본 기술분야에서 잘 알려져 있고 통상적으로 사용되는 것이다.
본 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 발명은 전자산업분야에서 인쇄회로기판(PCB) 제조시 솔더링(soldering) 공정 후 기판 상에 잔류하는 플럭스(flux) 등의 이물질을 제거하기 위한 PCB 준수계 세정제 조성물에 관한 것으로, 실리콘 계면활성제, 질소 헤테로고리 화합물, 알킬 글리콜 에테르 및 물을 포함한다.
본 발명의 플럭스 세정제 조성물 중 상기 실리콘 계면활성제는 실리콘 고분자에 친수성 극성 그룹이 결합되어 있는 화합물로서, 비이온성인 것을 특징으로 하는 화합물을 사용한다.
상기 실리콘 계면활성제는 세정제의 표면장력을 낮추어 피세정물의 틈새에 용이하게 침투할 수 있도록 하여 세정력을 증가시키는 효과가 있으며, 본 발명에서와 같이, 질소 헤테로고리 화합물 및 알킬 글리콜 에테르와 함께 사용하였을 때 세정력이 더욱 향상되는 효과를 가진다.
상기 실리콘 계면활성제의 예로는, 이로 제한되지는 않으나, 메틸 에테르 디메티콘(methyl ether dimethicone), PEG-디메티콘(PEG-dimethicone), PEG-폴리디메틸실록시 디메티콘(PEG-polydimethylsiloxy dimethicone), 라우릴 폴리글리세릴 폴리디메틸실록시에틸 디메티콘(lauryl polyglyceryl polydimethylsiloxy dimethicone), 3-(3-Hydroxypropyl)-heptamethyltrisiloxane, Octamethyl Cyclotetrasiloxane, 3-Hydroxypropyl Methyl Ethoxylated Dimethyl Siloxanes, Hexamethyldisiloxane, Decamethyltetrasiloxane, 1,1,1,3,5,7,7,7-Octamethyltetrasiloxane 등을 사용하는 것이 바람직하며, Ethoxylated가 부가된 실리콘 계면활성제를 사용하는 것이 더욱 바람직하다.
상기 실리콘 계면활성제의 함량은 전체 세정제 조성물 중 0.1 내지 5 wt%, 더욱 바람직하게는 0.5 내지 2 wt%를 포함한다. 상기 실리콘 계면활성제의 함량이 0.1 wt% 미만이면 세정제의 표면장력을 충분히 낮추지 못해 PCB 미세틈새에 대한 침투력이 떨어지며, 5 wt%를 초과하면 세정제 조성물 내에 쉽게 용해되지 않아 오염원으로 작용하여 오히려 세정력을 저하시킬 수 있다.
본 발명의 플럭스 세정제 조성물 중 상기 질소 헤테로고리 화합물은 질소를 포함하는 5원자 혹은 6원자 고리형 화합물 및 이의 유도체 중에서 선택되는 하나 또는 둘 이상의 화합물을 사용한다.
상기 질소 헤테로고리 화합물은 지용성 플럭스와 수용성 플럭스 및 유기물 레진 등을 용해시키는 효과를 가진다.
이때, 상기 질소 헤테로고리 화합물로서, 5원자 혹은 6원자 고리형 화합물을 벗어난 질소 헤테로고리 화합물을 사용할 경우, 상대적으로 물에 대한 용해성이 저하되어 세정 후 헹굼 시 세정제가 잔류할 가능성이 있다.
또한, 본 발명에 따른 질소 헤테로고리 화합물은 세정제 조성물 내에서 pH 조절제 역할을 수행한다. 이에 따른 본 발명에 따른 세정제 조성물의 바람직한 pH는 pH 9.0 내지 12.0이며, 더욱 바람직하게는 pH 10 내지 11이다.
본 발명의 세정제 조성물의 pH가 9 미만이면 세정력이 부족한 문제가 발생하고, pH가 12를 초과하면 PCB 재질에 손상이 발생할 가능성이 있다.
상기 질소 헤테로고리 화합물의 예로는, 이에 한정되지는 않으나, N-메틸-2-피롤리돈(N-methyl-2-pyrrolidone), 1-에틸-2-피롤리돈(1-ethyl-2-pyrrolidone), 1-프로필-2-피롤리돈(1-propyl-2-pyrrolidone), 1,5-디메틸-2-피롤리돈(1,5-dimethyl-2-pyrrolidone), 1-부틸-2-피롤리돈(1-butyl-2-pyrrolidone), N-(2-히드록시 에틸)피페리딘(N-(2-Hydroxy ethyl)piperidine), N-(2-히드록시 에틸)피롤리딘(N-(2-Hydroxy ethyl)pyrrolidine), N-포밀 모폴린(N-Formyl morpholine), N-(2-히드록시 에틸)모폴린(N-(2-Hydroxy ethyl)morpholine), N-아세틸 모폴린(N-acetyl morpholine), 피리미딘 등이 있으며, 이 중 바람직하게는 N-메틸-2-피롤리돈(N-methyl-2-pyrrolidone), 1-에틸-2-피롤리돈(1-ethyl-2-pyrrolidone), 1-프로필-2-피롤리돈(1-propyl-2-pyrrolidone, N-(2-히드록시 에틸)피페리딘(N-(2-Hydroxy ethyl)piperidine)를 사용한다.
또한, 상기 질소 헤테로고리 화합물의 함량은 전체 조성물 중 10 내지 40 wt%, 더욱 바람직하게는 20 내지 30 wt% 범위이다. 상기 질소 헤테로고리 화합물의 함량이 10 wt% 미만이면 세정성이 저하되고, 40 wt%를 초과하면 피세정물 재질에 영향을 미칠 수 있다.
더욱 상세하게는, 상기 질소 헤테로고리 화합물의 함량이 10 wt% 미만이면 지용성 플럭스, 레진 및 기타 유기잔류물 등에 대한 세정성이 저하되고, 40 wt%를 초과하면 PCB 소재의 변색 혹은 PCB 소재 내의 금속재질의 부식과 변색을 초래할 수 있다.
본 발명의 플럭스 세정제 조성물 중 상기 알킬 글리콜 에테르는 분자 내 방향족 고리를 포함하지 않으며 알킬체인의 탄소수가 1 내지 6이내인 에틸렌 글리콜 알킬 에테르(ethylene glycol alkyl ether) 및 프로필렌 글리콜 알킬 에테르(propylene glycol alkyl ether) 계열의 화합물을 사용한다.
상기 알킬 글리콜 에테르는 지용성 및 수용성 플럭스를 용해시키는 효과를 가진다.
이때, 상기 알킬 글리콜 에테르로서 탄소수가 7이상인 알킬 에테르 글리콜을 사용할 경우, 물과의 혼합성이 부족할 수 있으며, 헹굼이 용이하지 않을 수가 있고 혹은 방향족 고리를 포함한 알킬 에테르 글리콜을 사용할 경우 화합물의 표면장력이 높아 오염원에 대한 침투력이 부족해지는 문제가 있다.
상기 알킬 글리콜 에테르 화합물의 예로는, 이에 한정되지는 않으나, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르(diethylene glycol monomethyl ether), 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르(diethylene glycol monoethyl ether), 디에틸렌 글리콜 모노프로필 에테르(diethylene glycol monopropyl ether), 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르(diethylene glycol monobutyl ether), 디에틸렌 글리콜 모노헥실 에테르(diethylene glycol monohexyl ether), 트리에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르(triethylene glycol monomethyl ether), 트리에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르(triethylene glycol monoethyl ether), 트리에틸렌 글리콜 모노프로필 에테르(triethylene glycol monopropyl ether), 트리에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르(triethylene glycol monobutyl ether), 트리에틸렌 글리콜 모노헥실 에테르(triethylene glycol monohexyl ether), 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(propylene glycol monomethyl ether), 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르(propylene glycol monoethyl ether), 프로필렌 글리콜 모노프로필 에테르(propylene glycol monopropyl ether), 프로필렌 글리콜 모노부틸 에테르(propylene glycol monobutyl ether), 프로필렌 글리콜 모노헥실 에테르(propylene glycol monohexyl ether), 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(dipropylene glycol monomethyl ether), 디프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르(dipropylene glycol monoethyl ether), 디프로필렌 글리콜 모노프로필 에테르(dipropylene glycol monopropyl ether), 디프로필렌 글리콜 모노부틸 에테르(dipropylene glycol monobutyl ether), 디프로필렌 글리콜 모노헥실 에테르(dipropylene glycol monohexyl ether), 트리프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(tripropylene glycol monomethyl ether), 트리프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르(tripropylene glycol monoethyl ether), 트리프로필렌 글리콜 모노프로필 에테르(tripropylene glycol monopropyl ether), 트리프로필렌 글리콜 모노부틸 에테르(tripropylene glycol monobutyl ether), 트리프로필렌 글리콜 모노헥실 에테르(tripropylene glycol monohexyl ether), 디에틸렌 글리콜디 메틸 에테르(diethylene glycoldi methyl ether), 디에틸렌 글리콜 디에틸 에테르(diethylene glycol diethyl ether), 디에틸렌 글리콜 디프로필 에테르(diethylene glycol dipropyl ether), 디에틸렌 글리콜 디부틸 에테르(diethylene glycol dibutyl ether), 디에틸렌 글리콜 디헥실 에테르(diethylene glycol dihexyl ether), 트리에틸렌 글리콜 디메틸 에테르(triethylene glycol dimethyl ether), 트리에틸렌 글리콜 디에틸 에테르(triethylene glycol diethyl ether), 트리에틸렌 글리콜 디프로필 에테르(triethylene glycol dipropyl ether), 트리에틸렌 글리콜 디부틸 에테르(triethylene glycol dibutyl ether), 트리에틸렌 글리콜 디헥실 에테르(triethylene glycol dihexyl ether), 프로필렌 글리콜 디메틸 에테르(propylene glycol dimethyl ether), 프로필렌 글리콜 디에틸 에테르(propylene glycol diethyl ether), 프로필렌 글리콜 디프로필 에테르(propylene glycol dipropyl ether), 프로필렌 글리콜 디부틸 에테르(propylene glycol dibutyl ether), 프로필렌 글리콜 디헥실 에테르(propylene glycol dihexyl ether), 디프로필렌 글리콜 디메틸 에테르(dipropylene glycol dimethyl ether), 디프로필렌 글리콜 디에틸 에테르(dipropylene glycol diethyl ether), 디프로필렌 글리콜 디프로필 에테르(dipropylene glycol dipropyl ether), 디프로필렌 글리콜 디부틸 에테르(dipropylene glycol dibutyl ether), 디프로필렌 글리콜 디헥실 에테르(dipropylene glycol dihexyl ether), 트리프로필렌 글리콜 디메틸 에테르(tripropylene glycol dimethyl ether), 트리프로필렌 글리콜 디에틸 에테르(tripropylene glycol diethyl ether), 트리프로필렌 글리콜 디프로필 에테르(tripropylene glycol dipropyl ether), 트리프로필렌 글리콜 디부틸 에테르(tripropylene glycol dibutyl ether), 트리프로필렌 글리콜 디헥실 에테르(tripropylene glycol dihexyl ether) 등이 있다.
이 중 바람직하게는, 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(dipropylene glycol monomethyl ether), 디프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르(dipropylene glycol monoethyl ether), 디프로필렌 글리콜 모노프로필 에테르(dipropylene glycol monopropyl ether), 디프로필렌 글리콜 모노부틸 에테르(dipropylene glycol monobutyl ether)등을 사용한다.
상기 알킬 글리콜 에테르의 함량은 전체 세정제 조성물 중 30 내지 70 wt%, 바람직하게는 40 내지 50 wt%의 범위이다.
상기 알킬 글리콜 에테르 함량이 30 wt% 미만이면 세정성이 저하되고, 70 wt%를 초과하면 헹굼성이 저하될 수 있다.
더욱 상세하게는, 상기 글리콜 에테르의 함량이 30 wt% 미만이면 지용성 및 수용성 플럭스 용해력이 감소하여 세정성이 저하될 수 있다.
본 발명의 세정제 조성물 중 상기 물은 증류수 혹은 탈이온수를 의미하며, 상기 물의 함량은 전체 세정제 100 wt% 중 실리콘 계면활성제, 질소 헤테로고리 화합물 및 알킬 글리콜 에테르의 함량을 제외한 잔량으로 한다.
상기 물은 수용성 플럭스 제거를 보조하며 세정제내의 각 화합물의 혼합성을 보조하는 효과를 가진다.
한편, 본 발명에 따른 세정제 조성물은 세정시 PCB 기판에 미치는 영향을 더욱 최소화하기 위하여 부식방지제를 추가로 포함할 수 있다.
본 발명의 플럭스 세정제 조성물 중 부식방지제는 트리아졸 및 이의 유도체 중 하나 이상을 사용하며, 상기 부식방지제는 플럭스 세정 중 금속의 부식을 방지하기 위한 목적으로 사용된다.
상기 부식방지제의 예로는, 비제한적으로, 트리아졸, 벤조트리아졸, 5-펜틸-벤조트리아졸, 5-클로로-벤조트리아졸, N-벤조트리아졸-1-일-(페닐)-메틸렌]-N-페닐-하이드라진, N-[벤조트리아졸-1-일-(4-메톡시-페닐)-메틸렌]-N-페닐-하이드라진, N-(퓨란-2-일메틸)-1H-벤조트리아졸-1-카보티오아미드, 1-(2-피롤 카보닐)-벤조트리아졸 등을 포함하며, 상기 부식방지제의 함량은 전체 세정제 조성물 중 0.1 내지 5 wt%, 바람직하게는 0.1 내지 2 wt%의 범위이다.
상기 세정제 조성물은 실리콘 계면활성제, 질소 헤테로고리 화합물, 알킬 글리콜 에테르 및 물(혹은 이에 상기 부식방지제 추가)을 순차적으로 용기에 투입하고 교반하여 제조할 수 있다. 이 때, 투입순서는 임의의 순서로 선택할 수 있으나, 물을 먼저 투입한 후 나머지 원료를 투입하는 것이 바람직하다.
상기와 같이, 본 발명의 PCB 준수계 세정제 조성물은, 실리콘 계면활성제, 질소 헤테로고리 화합물, 알킬 글리콜 에테르와 물을 모두 포함함으로써, PCB 실장 부품 사이의 미세틈새에 대한 침투성이 크게 향상시킬 수 있어 PCB 세정효과가 크게 향상시킬 수 있고, 유기성 플럭스와 지용성 플럭스 모두에 대한 용해도가 높아 전체적으로 세정성이 더욱 향상시킬 수 있다. 또한, 헹굼성이 뛰어나고 배출되는 오염수 발생량이 낮아 오염수 처리에 소모되는 비용을 절약할 수 있다.
이와 같은 효과는, 본 발명과 같이, 실리콘 계면활성제, 질소 헤테로고리 화합물, 알킬 글리콜 에테르와 물을 모두 포함할 경우에 특이적으로 크게 향상되는 것으로, 실리콘 계면활성제 없이 질소 헤테로고리 화합물, 알킬 글리콜 에테르와 물만 포함할 경우에는 미세틈새에 침투력이 약해 미세정부분이 발생하는 문제가 있고, 질소 헤테로고리 화합물 없이 실리콘 계면활성제, 알킬 글리콜 에테르와 물만 포함할 경우에는 플럭스 외의 레진 등의 유기오염물에 대한 용해력이 부족해지는 문제가 있고, 알킬 글리콜 에테르 없이 실리콘 계면활성제, 질소 헤테로고리 화합과 물만 포함할 경우에는 세정력이 너무 강하여 피세정물인 PCB 소재에 영향을 미치는 문제가 있다.
이하, 본 실시예를 통하여 더욱 상세히 설명하나, 본 발명의 적용 범위가 본 실시예로 인하여 제한되지 않는다.
실시예 1
실리콘 계면활성제로서 메틸 에테르 디메티콘(MED) 0.1 wt%와, 알킬 글리콜 에테르로서 프로필렌 글리콜 프로필 에테르(PGPE) 50 wt%와, 질소 헤테로고리 화합물로서 1-에틸-2-피롤리돈(NEP) 30 wt%와 물 잔량을 혼합 및 교반하여 세정제 조성물을 제조하였다.
실시예 2
실리콘 계면활성제로서 메틸 에테르 디메티콘(MED) 2 wt%와, 알킬 글리콜 에테르로서 프로필렌 글리콜 프로필 에테르(PGPE) 50 wt%와, 질소 헤테로고리 화합물로서 1-에틸-2-피롤리돈(NEP) 30 wt%와 물 잔량을 혼합 및 교반하여 세정제 조성물을 제조하였다.
실시예 3
실리콘 계면활성제로서 메틸 에테르 디메티콘(MED) 5 wt%와, 알킬 글리콜 에테르로서 프로필렌 글리콜 프로필 에테르(PGPE) 50 wt%와, 질소 헤테로고리 화합물로서 1-에틸-2-피롤리돈(NEP) 30 wt%와 물 잔량을 혼합 및 교반하여 세정제 조성물을 제조하였다.
실시예 4
실리콘 계면활성제로서 메틸 에테르 디메티콘(MED) 2 wt%와, 알킬 글리콜 에테르로서 프로필렌 글리콜 프로필 에테르(PGPE) 30 wt%와, 질소 헤테로고리 화합물로서 1-에틸-2-피롤리돈(NEP) 30 wt%와 물 잔량을 혼합 및 교반하여 세정제 조성물을 제조하였다.
실시예 5
실리콘 계면활성제로서 메틸 에테르 디메티콘(MED) 2 wt%와, 알킬 글리콜 에테르로서 프로필렌 글리콜 프로필 에테르(PGPE) 70 wt%와, 질소 헤테로고리 화합물로서 1-에틸-2-피롤리돈(NEP) 20 wt%와 물 잔량을 혼합 및 교반하여 세정제 조성물을 제조하였다.
실시예 6
실리콘 계면활성제로서 메틸 에테르 디메티콘(MED) 2 wt%와, 알킬 글리콜 에테르로서 프로필렌 글리콜 프로필 에테르(PGPE) 50 wt%와, 질소 헤테로고리 화합물로서 1-에틸-2-피롤리돈(NEP) 10 wt%와 물 잔량을 혼합 및 교반하여 세정제 조성물을 제조하였다.
실시예 7
실리콘 계면활성제로서 메틸 에테르 디메티콘(MED) 2 wt%와, 알킬 글리콜 에테르로서 프로필렌 글리콜 프로필 에테르(PGPE) 50 wt%와, 질소 헤테로고리 화합물로서 1-에틸-2-피롤리돈(NEP) 40 wt%와 물 잔량을 혼합 및 교반하여 세정제 조성물을 제조하였다.
비교예 1(계면활성제 미포함)
알킬 글리콜 에테르로서 프로필렌 글리콜 프로필 에테르(PGPE) 50 wt%와, 질소 헤테로고리 화합물로서 1-에틸-2-피롤리돈(NEP) 30 wt%와 물 잔량을 혼합 및 교반하여 세정제 조성물을 제조하였다.
비교예 2(비이온성 실리콘 계면활성제가 아닌 계면활성제 A 포함)
계면활성제로서 라우릴 알코올 에톡실레이트(LAE) 2 wt%, 알킬 글리콜 에테르로서 프로필렌 글리콜 프로필 에테르(PGPE) 50 wt%와, 질소 헤테로고리 화합물로서 1-에틸-2-피롤리돈(NEP) 30 wt%와 물 잔량을 혼합 및 교반하여 세정제 조성물을 제조하였다.
비교예 3(비이온성 실리콘 계면활성제가 아닌 계면활성제 B 포함)
계면활성제로서 알킬 폴리글루코사이드(APG) 2 wt% 알킬 글리콜 에테르로서 프로필렌 글리콜 프로필 에테르(PGPE) 50 wt%와, 질소 헤테로고리 화합물로서 1-에틸-2-피롤리돈(NEP) 30 wt%와 물 잔량을 혼합 및 교반하여 세정제 조성물을 제조하였다.
비교예 4(비이온성 실리콘 계면활성제 적정 함량 범위 밖 포함)
실리콘 계면활성제로서 메틸 에테르 디메티콘(MED) 6 wt%와, 알킬 글리콜 에테르로서 프로필렌 글리콜 프로필 에테르(PGPE) 50 wt%와, 질소 헤테로고리 화합물로서 1-에틸-2-피롤리돈(NEP) 30 wt%와 물 잔량을 혼합 및 교반하여 세정제 조성물을 제조하였다.
비교예 5(알킬 글리콜 에테르 미포함)
실리콘 계면활성제로서 메틸 에테르 디메티콘(MED) 2 wt%와, 질소 헤테로고리 화합물로서 1-에틸-2-피롤리돈(NEP) 30 wt%와 물 잔량을 혼합 및 교반하여 세정제 조성물을 제조하였다.
비교예 6(알킬 글리콜 에테르 함량 미만 포함)
실리콘 계면활성제로서 메틸 에테르 디메티콘(MED) 2 wt%와, 알킬 글리콜 에테르로서 프로필렌 글리콜 프로필 에테르(PGPE) 25 wt%와, 질소 헤테로고리 화합물로서 1-에틸-2-피롤리돈(NEP) 30 wt%와 물 잔량을 혼합 및 교반하여 세정제 조성물을 제조하였다.
비교예 7(알킬 글리콜 에테르 함량 초과 포함)
실리콘 계면활성제로서 메틸 에테르 디메티콘(MED) 2 wt%와, 알킬 글리콜 에테르로서 프로필렌 글리콜 프로필 에테르(PGPE) 75 wt%와, 질소 헤테로고리 화합물로서 1-에틸-2-피롤리돈(NEP) 10 wt%와 물 잔량을 혼합 및 교반하여 세정제 조성물을 제조하였다.
비교예 8(질소 헤테로고리 화합물 미포함)
실리콘 계면활성제로서 메틸 에테르 디메티콘(MED) 2 wt%와, 알킬 글리콜 에테르로서 프로필렌 글리콜 프로필 에테르(PGPE) 50 wt%와 물 잔량을 혼합 및 교반하여 세정제 조성물을 제조하였다.
비교예 9(질소 헤테로고리 화합물 함량 미만 포함)
실리콘 계면활성제로서 메틸 에테르 디메티콘(MED) 2 wt%와, 알킬 글리콜 에테르로서 프로필렌 글리콜 프로필 에테르(PGPE) 50 wt%와, 질소 헤테로고리 화합물로서 1-에틸-2-피롤리돈(NEP) 5 wt%와 물 잔량을 혼합 및 교반하여 세정제 조성물을 제조하였다.
비교예 10(질소 헤테로고리 화합물 함량 초과 포함)
실리콘 계면활성제로서 메틸 에테르 디메티콘(MED) 2 wt%와, 알킬 글리콜 에테르로서 프로필렌 글리콜 프로필 에테르(PGPE) 50 wt%와, 질소 헤테로고리 화합물로서 1-에틸-2-피롤리돈(NEP) 45 wt%와 물 잔량을 혼합 및 교반하여 세정제 조성물을 제조하였다.
상기 실시예 1 내지 7에 따른 세정제 조성물의 조성비와, 비교예 1 내지 10에 따른 세정제 조성물의 조성비를 아래 표 1에 나타내었다.
참고로, 아래 표 1에서 MED는 메틸 에테르 디메티콘,LAE는 라우릴 알코올 에톡실레이트, APG는 알킬 폴리글루코사이드, PGPE는 프로필렌 글리콜 프로필 에테르, NEP는 1-에틸-2-피롤리돈을 의미한다.
| 계면활성제(wt%) | 알킬 글리콜 에테르(wt%) | N헤테로고리 화합물(wt%) | 물 | 합계 (wt%) |
|||
| MEG | LAE | APG | PGPE | NEP | |||
| 실시예 1 | 0.1 | - | - | 50 | 30 | 잔량 | 100 |
| 실시예 2 | 2 | - | - | 50 | 30 | 잔량 | 100 |
| 실시예 3 | 5 | - | - | 50 | 30 | 잔량 | 100 |
| 실시예 4 | 2 | - | - | 30 | 30 | 잔량 | 100 |
| 실시예 5 | 2 | - | - | 70 | 20 | 잔량 | 100 |
| 실시예 6 | 2 | - | - | 50 | 10 | 잔량 | 100 |
| 실시예 7 | 2 | - | - | 50 | 40 | 잔량 | 100 |
| 비교예 1 | - | - | - | 50 | 30 | 잔량 | 100 |
| 비교예 2 | - | 2 | - | 50 | 30 | 잔량 | 100 |
| 비교예 3 | - | - | 2 | 50 | 30 | 잔량 | 100 |
| 비교예 4 | 6 | - | - | 50 | 30 | 잔량 | 100 |
| 비교예 5 | 2 | - | - | - | 30 | 잔량 | 100 |
| 비교예 6 | 2 | - | - | 25 | 30 | 잔량 | 100 |
| 비교예 7 | 2 | - | - | 75 | 10 | 잔량 | 100 |
| 비교예 8 | 2 | - | - | 50 | - | 잔량 | 100 |
| 비교예 9 | 2 | - | - | 50 | 5 | 잔량 | 100 |
| 비교예 10 | 2 | - | - | 50 | 45 | 잔량 | 100 |
상기 표 1에 나타난 세정제 조성물(실시예 1 내지 7, 비교예 1 내지 10)을 사용하여 솔더링 리플로우 이후 플럭스가 잔존하는 PCB를 세정한 후 세정성과 재질영향성을 측정하였다.
시험예 1: 세정성 및 재질영향성 평가
시편 준비 및 세정제 조성물을 이용한 시편 세정
솔더페이스트로 PCB에 패턴을 도포하여 리플로우 작업을 진행하여 피세정물을 준비하였다.
표 1의 세정제 조성물 원액을 70℃로 가열한 뒤, 준비한 피세정물을 세정제에 10분간 초음파 40 kHz를 적용하여 침적 세정하였다. 이후 피세정물을 세정제에서 꺼내어 40℃의 탈이온수로 헹구어 내고 60℃의 오븐에서 건조하였다.
세정성 평가
세정한 시편을 광학현미경 배율 20배 이상에서 관찰하여 플럭스 및 이물질 잔류여부를 확인함으로써 세정력을 평가하였다. 세정평가 결과는 표 2에 기재하였고, 세정이 양호한 경우는 ○, 세정 후 오염원이 일부 잔존한 경우는 △, 세정이 불량한 경우는 X로 표기하였다.
3. 재질영향성 평가
PCB 시편의 외형 및 색상의 변화 여부를 광학현미경을 이용하여 관찰하였다. 세정평가 결과는 표 2에 기재하였고, 재질의 변화가 없는 경우는 ○, 일부 변화가 관찰된 경우는 △, 재질변화가 심한 경우는 X로 표기하였다.
| 세정성 | 재질영향성 | |
| 실시예 1 | O | O |
| 실시예 2 | O | O |
| 실시예 3 | O | O |
| 실시예 4 | O | O |
| 실시예 5 | O | O |
| 실시예 6 | O | O |
| 실시예 7 | O | O |
| 비교예 1 | X | O |
| 비교예 2 | △ | O |
| 비교예 3 | △ | O |
| 비교예 4 | X | O |
| 비교예 5 | X | O |
| 비교예 6 | △ | O |
| 비교예 7 | △ | X |
| 비교예 8 | X | O |
| 비교예 9 | X | O |
| 비교예 10 | O | X |
상기 표 2에서 나타난 바와 같이, 본 발명의 세정제 조성물인 실시예 1 내지 6은 실리콘 계면활성제, 질소 헤테로고리 화합물 및 알킬 글리콜 에테르를 각각 본 발명에 따른 적정 함량범위 내로 포함하는 세정제 조성물로서, 세정력이 우수하고, 재질영향성이 없어 PCB 세정 효과를 가지는 것으로 나타났다.
그러나 세정제 조성물에 실리콘 계면활성제가 포함되지 않거나 과량 함유된 비교예 1 및 4의 경우에는 세정효과가 불량하였으며, 실리콘 계면활성제 외의 계면활성제를 사용한 비교예 2 및 3의 경우에는 세정 후 PCB 기판 상에 잔존 오염물이 일부 발견되었다.
특히, 실시예 2 및 비교예 2에 대한 PCB 시편 세정 후를 촬영한 도 1을 보면 본 발명과 같이 실리콘 계면활성제를 포함한 세정제 조성물의 경우 세정 후의 PCB 시편 상에 잔존 플럭스가 없는 반면 실리콘 계면활성제 외의 계면활성제를 사용한 경우에는 세정 후에도 PCB 시편 상에 플럭스가 다소 잔존하는 것으로 나타났다.
또한, 세정제 조성물에 알킬 글리콜 에테르가 포함되지 않거나 미량 함유된 비교에 5 내지 6의 경우, 세정성이 불량하거나 다소 부족하였으며, 알킬 글리콜 에테르가 과량 포함된 비교예 7의 경우 헹굼성이 미흡하여 세정 후 이물질 재부착이 발생하였으며, 재질 변형이 발생하였다.
또한, 세정제 조성물에 질소 헤테로고리 화합물이 포함되지 않거나 미량 포함된 비교예 8 및 9의 경우에도 세정성이 불량였으며, 헤테로고리 화합물이 과량 포함된 비교예 10의 경우에는 재질의 색상 변화와 금속재질 부식 및 변형이 심하게 나타났다.
상기 표 2의 결과에 나타난 바와 같이, 본 발명에 따른 PCB 세정제 조성물은 실리콘 계면활성제, 질소 헤테로고리 화합물 및 알킬 글리콜 에테르를 모두 포함하며, 각각의 성분비가 실리콘 계면활성제 0.1 내지 5 wt%, 질소 헤테로고리 화합물 10 내지 40 wt% 및 알킬 글리콜 에테르 30 내지 70 wt% 범위 내로 포함하였을 경우에만 높은 세정성 및 재질영향 안정성을 가지는 것으로 나타났다.
실시예 8
알킬 글리콜 에테르로서, 분자 내 방향족 고리를 포함하지 않으며 알킬체인의 탄소수가 2인 디에틸렌 글리콜 에틸 에테르(DPGEE)를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 2와 동일하게 세정제 조성물을 제조하였다.
실시예 9
알킬 글리콜 에테르로서, 분자 내 방향족 고리를 포함하지 않으며 알킬체인의 탄소수가 6인 디프로필렌 글리콜 모노헥실 에테르(DPGMHE)를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 2와 동일하게 세정제 조성물을 제조하였다.
비교예 11
알킬 글리콜 에테르로서, 분자 내 방향족 고리를 포함하지 않으며 알킬체인의 탄소수가 8인 에틸렌 글리콜 모노옥틸 에테르(EGMOE)를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 2와 동일하게 세정제 조성물을 제조하였다.
비교예 12
알킬 글리콜 에테르로서, 분자 내 방향족 고리를 포함하지 않으며 알킬체인의 탄소수가 10인 테트라에틸렌 글리콜 모노데실 에테르(TEGMDE)를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 2와 동일하게 세정제 조성물을 제조하였다.
상기 실시예 8 내지 13에 따른 세정제 조성물의 조성비와, 비교예 11 내지 12에 따른 세정제 조성물의 조성비를 아래 표 3에 나타내었다.
| MED (wt%) |
알킬 글리콜 에테르(wt%) | NEP (wt%) |
물 | 합계 (wt%) |
||||
| C2 | C6 | C8 | C10 | |||||
| 실시예 8 | 2 | 50 | - | - | - | 30 | 잔량 | 100 |
| 실시예 9 | 2 | - | 50 | - | - | 30 | 잔량 | 100 |
| 비교예 11 | 2 | - | - | 50 | - | 30 | 잔량 | 100 |
| 비교예 12 | 2 | - | - | - | 50 | 30 | 잔량 | 100 |
상기 표 3에 나타난 세정제 조성물(실시예 8 내지 9, 비교예 11 내지 12)을 사용하여 솔더링 리플로우 이후 플럭스가 잔존하는 PCB를 세정한 후 세정성과 재질영향성을 상기 표 2와 동일한 방식으로 측정하였고, 그 결과를 아래 표 4에 나타냈었다.
| 세정성 | 재질영향성 | |
| 실시예 8 | O | O |
| 실시예 9 | O | O |
| 비교예 11 | X | O |
| 비교예 12 | X | O |
상기 표 4에 나타난 바와 같이, 본 발명의 세정제 조성물로서, 실리콘 계면활성제, 질소 헤테로고리 화합물 및 알킬 글리콜 에테르를 각각 본 발명에 따른 적정 함량범위 내로 포함하고, 알킬 글리콜 에테르로서 분자 내 방향족 고리를 포함하지 않으며 알킬체인의 탄소수가 1 내지 6 이내인 성분을 사용한 실시예의 경우에는 세정성과 재질영향성에 있어서 모두 우수한 결과를 나타냈었다.
반면, 알킬 글리콜 에테르로서, 알킬체인의 탄소수가 6을 초과한 성분을 사용한 비교예 11 및 12의 경우에는 세정성은 불량하였으며, 재질에는 영향을 미치지 않는 것으로 나타났다.
실시예 10
질소 헤테로고리 화합물로서, 5원자 고리형 화합물인 N-메틸-2-피롤리돈(N-methyl-2-pyrrolidone)를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 2와 동일하게 세정제 조성물을 제조하였다.
실시예 11
질소 헤테로고리 화합물로서, 6원자 고리형 화합물인 N-(2-히드록시 에틸)피페리딘(N-(2-hydroxyethyl)piperidine)를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 2와 동일하게 세정제 조성물을 제조하였다.
비교예 13
질소 헤테로고리 화합물로서, 4원자 고리형 화합물인 아제티틴(Azetidine)을 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 2와 동일하게 세정제 조성물을 제조하였다.
비교예 14
질소 헤테로고리 화합물로서, 6초과원자 고리형 화합물인 디아제핀(diazepine)를 사용한 것을 제외하고는 상기 실시예 2와 동일하게 세정제 조성물을 제조하였다.
상기 실시예 10 내지 11에 따른 세정제 조성물의 조성비와, 비교예 13 내지 14에 따른 세정제 조성물의 조성비를 아래 표 5에 나타내었다.
| MED (wt%) |
PGPE (wt%) |
N헤테로고리 화합물(wt%) | 물 | 합계 (wt%) |
||||
| 4원자 | 5원자 | 6원자 | 6초과 | |||||
| 비교예 13 | 2 | 50 | 30 | - | - | - | 잔량 | 100 |
| 실시예 10 | 2 | 50 | - | 30 | - | - | 잔량 | 100 |
| 실시예 11 | 2 | 50 | - | - | 30 | - | 잔량 | 100 |
| 비교예 14 | 2 | 50 | - | - | - | 30 | 잔량 | 100 |
상기 표 5에 나타난 세정제 조성물을 사용하여 솔더링 리플로우 이후 플럭스가 잔존하는 PCB를 세정한 후 세정성과 재질영향성을 상기 표 2와 동일한 방식으로 측정하였고, 그 결과를 아래 표 6에 나타냈었다.
| 세정성 | 재질영향성 | |
| 비교예 13 | X | X |
| 실시예 10 | O | O |
| 실시예 11 | O | O |
| 비교예 14 | △ | X |
상기 표 6에 나타난 바와 같이, 본 발명의 세정제 조성물로서, 실리콘 계면활성제, 질소 헤테로고리 화합물 및 알킬 글리콜 에테르를 각각 본 발명에 따른 적정 함량범위 내로 포함하고, 질소 헤테로고리 화합물로서 5원자 혹은 6원자 고리형 화합물을 사용한 경우인 실시예는, 세정성과 재질영향성에 있어서 모두 우수한 결과를 나타냈었다.
반면, 질소 헤테로고리 화합물로서, 4원자 고리형 화합물을 사용한 비교예 13의 경우 세정성이 불량하며, 재질영향성에 있어서도 금속부식이 심하게 발생하였으며, 6초과원자 고리형 화합물을 사용한 비교예 14의 경우 세정성은 약간 미흡한 정도이나, 재질영향성은 금속부식이 심하게 발생하는 것으로 나타났다.
이상으로 본 발명 내용의 특정한 부분을 상세히 기술하였는바, 당 업계의 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 이러한 구체적 기술은 단지 바람직한 실시 양태일 뿐이며, 이에 의해 본 발명의 범위가 제한되는 것이 아닌 점은 명백할 것이다. 따라서, 본 발명의 실질적은 범위는 첨부된 청구항들과 그것들의 등가물에 의하여 정의된다고 할 것이다.
Claims (8)
- PCB 준수계 세정제 조성물에 있어서,
세정제 조성물 총 중량(wt)에 대하여,
실리콘 계면활성제 0.1 내지 5 wt%;
질소 헤테로고리 화합물 10 내지 40 wt%;
알킬 글리콜 에테르 30 내지 70 wt%; 및
물 잔량;을 포함하는 것을 특징으로 하는 PCB 준수계 세정제 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 실리콘 계면활성제는,
실리콘 고분자에 친수성 극성 그룹이 결합되어 있는 화합물로서, 비이온성인 것을 특징으로 하는 PCB 준수계 세정제 조성물.
- 제2항에 있어서,
상기 실리콘 계면활성제는,
Ethoxylated가 부가된 실리콘 계면활성제인 것을 특징으로 하는 PCB 준수계 세정제 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 질소 헤테로고리 화합물은,
5원자 혹은 6원자 고리형 화합물 및 이의 유도체 중에서 선택되는 하나 또는 둘 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는 PCB 준수계 세정제 조성물.
- 제4항에 있어서,
상기 질소 헤테로고리 화합물은,
N-메틸-2-피롤리돈(N-methyl-2-pyrrolidone), 1-에틸-2-피롤리돈(1-ethyl-2-pyrrolidone), 1-프로필-2-피롤리돈(1-propyl-2-pyrrolidone, N-(2-히드록시 에틸)피페리딘(N-(2-Hydroxy ethyl)piperidine) 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 PCB 준수계 세정제 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 알킬 글리콜 에테르는,
분자 내 방향족 고리를 포함하지 않으며 알킬체인의 탄소수가 1 내지 6 이내인 에틸렌 글리콜 알킬 에테르 및 프로필렌 글리콜 알킬 에테르 계열 화합물 중 선택된 하나 또는 둘 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는 PCB 준수계 세정제 조성물.
- 제6항에 있어서,
상기 알킬 글리콜 에테르는,
디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르(dipropylene glycol monomethyl ether), 디프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르(dipropylene glycol monoethyl ether), 디프로필렌 글리콜 모노프로필 에테르(dipropylene glycol monopropyl ether) 및 디프로필렌 글리콜 모노부틸 에테르(dipropylene glycol monobutyl ether) 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 PCB 준수계 세정제 조성물.
- 제1항에 있어서,
PCB 준수계 세정제 조성물은,
pH가 9.0 내지 12.0 인 것을 특징으로 하는 PCB 준수계 세정제 조성물.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210119357A KR102672421B1 (ko) | 2021-09-07 | 2021-09-07 | Pcb 준수계 세정제 조성물 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020210119357A KR102672421B1 (ko) | 2021-09-07 | 2021-09-07 | Pcb 준수계 세정제 조성물 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20230036466A true KR20230036466A (ko) | 2023-03-14 |
| KR102672421B1 KR102672421B1 (ko) | 2024-06-05 |
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ID=85502780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020210119357A KR102672421B1 (ko) | 2021-09-07 | 2021-09-07 | Pcb 준수계 세정제 조성물 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102672421B1 (ko) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5456760A (en) | 1991-07-22 | 1995-10-10 | Henkel Kommanditgesellschaft Auf Aktien | Cleaning process for electronic and electrical assemblies |
| JPH08231989A (ja) | 1995-02-23 | 1996-09-10 | Kurita Water Ind Ltd | 洗浄剤組成物及び洗浄方法 |
| KR0168486B1 (ko) * | 1993-05-17 | 1999-01-15 | 야마다 시게아키 | 세정제, 세정방법 및 세정장치 |
| US20190136159A1 (en) | 2017-10-24 | 2019-05-09 | Kyzen Corporation | Butylpyrrolidone based cleaning agent for removal of contaminates from electronic and semiconductor devices |
-
2021
- 2021-09-07 KR KR1020210119357A patent/KR102672421B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
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| JPH08231989A (ja) | 1995-02-23 | 1996-09-10 | Kurita Water Ind Ltd | 洗浄剤組成物及び洗浄方法 |
| US20190136159A1 (en) | 2017-10-24 | 2019-05-09 | Kyzen Corporation | Butylpyrrolidone based cleaning agent for removal of contaminates from electronic and semiconductor devices |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR102672421B1 (ko) | 2024-06-05 |
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