KR102324927B1

KR102324927B1 - 얼룩 발생 방지용 레지스트 박리액 조성물

Info

Publication number: KR102324927B1
Application number: KR1020200127027A
Authority: KR
Inventors: 고경준; 신혜라; 이유진
Original assignee: 동우 화인켐 주식회사
Priority date: 2019-10-01
Filing date: 2020-09-29
Publication date: 2021-11-12
Also published as: KR102324927B9; KR20200116443A

Abstract

본 발명은 (a) 화학식 1로 표시되는 글리콜 에테르(Glycol ether), (b) 알카리계 화합물, (c) 비 양자성 극성용매 및 (d) 부식방지제를 포함하는 얼룩 발생 방지를 위한 레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다.
[화학식 1]
R-(OCH ₂ CH ₂ )n-OH
상기 화학식 1에서, R은 메틸기 또는 에틸기이며,
n은 2 내지 3의 정수이다.

Description

얼룩 발생 방지용 레지스트 박리액 조성물{A RESIST STRIPPER COMPOSITION FOR PREVENTING UNEVENNESS}

본 발명은 플랫 패널 디스플레이 기판의 제조 공정에 있어서 우수한 세정 능력을 가지며, 스트립 공정에서 발생하는 얼룩에 대한 방지 능력이 우수한 레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다.

최근 플랫 패널 디스플레이의 고해상도 구현 요구가 증가함에 따라 단위 면적당의 화소수를 증가시키기 위한 노력이 계속되고 있다. 이러한 추세에 따라 배선 폭의 감소가 요구되고 있으며, 그에 대응하기 위해서 건식 식각 공정이 도입되는 등 공정 조건도 갈수록 가혹해지고 있다. 또한, 평판 표시 장치의 대형화로 인해 배선에서의 신호 속도 증가도 요구되고 있으며, 그에 따라 알루미늄에 비해 비저항이 낮은 구리가 배선 재료로 실용화되고 있다. 이에 발맞추어 레지스트 제거 공정인 박리 공정에 사용되는 박리액에 대한 요구 성능도 높아지고 있다. 구체적으로 건식 식각 공정 이후에 발생하는 식각 잔사에 대한 제거력 및 금속 배선에 대한 부식 억제력 등에 대하여 상당한 수준의 박리 특성이 요구되고 있다. 특히 알루미늄뿐만 아니라 구리에 대한 부식 억제력도 요구되고 있으며, 가격 경쟁력 확보를 위해, 기판의 처리 매수 증대와 같은 경제성도 요구되고 있다. 상기와 같은 업계의 요구에 응하여, 새로운 기술이 공개되고 있다.

예컨대, 대한민국 공개특허 제2006-0028523호에는 금속 배선의 부식을 일으키지 않는 포토레지스트 박리제를 개시하고 있으나, 이는 얼룩 생성 정도가 심한 특정 글리콜 에테르를 사용함으로써, 공정상에서 스트립(strip) 후 기판 상에 얼룩이 발생하는 문제가 남아 있다.

KR 10-2006-0028523 A

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 플랫 패널 디스플레이 기판의 제조 공정 중 건식/습식 식각에 의한 레지스트의 잔사 제거 능력이 우수하고, 금속막의 패턴을 형성하기 위해 도포되는 레지스트를 박리하기 위해 진행 되는 스트립 공정에서 스트립존을 지난 기판이 에어 커튼과 버퍼존을 지나면서 발생할 수 있는 스트리퍼 및 레지스트가 녹아있는 스트리퍼에 의한 기판상의 얼룩을 방지할 수 있는 레지스트 박리액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 (a) 화학식 1로 표시되는 글리콜 에테르(Glycol ether), (b) 알카리계 화합물, (c) 비 양자성 극성용매 및 (d) 부식방지제를 포함하는 얼룩 발생 방지용 레지스트 박리액 조성물을 제공한다.

[화학식 1]

R-(OCH₂CH₂)n-OH

상기 화학식 1에서, R은 메틸기 또는 에틸기이며,

n은 2 내지 3의 정수이다.

또한, 본 발명은 상기 얼룩 발생 방지용 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 플랫 패널 디스플레이 기판을 세정하는 공정을 포함하는 플랫 패널 디스플레이 기판의 제조방법을 제공한다.

본 발명에 따른 얼룩 발생 방지용 레지스트 박리액 조성물은 화학식 1로 표시되는 글리콜 에테르를 사용함으로써, 플랫 패널 디스플레이 기판의 레지스트 박리 공정에서 스트리퍼 및 레지스트를 포함한 스트리퍼에 의한 얼룩 생성에 대한 방지 능력이 뛰어나고, 우수한 세정 능력을 가지며, 처리 매수 향상 효과를 가진다.

또한 본 발명의 널 디스플레이용 레지스트 박리액 조성물을 사용하는 경우, 플랫 패널 디스플레이 장치의 불량률을 감소시켜 전체적인 제조 공정에 소요되는 비용을 절감할 수 있다.

도 1은 본 발명의 실험예 1에 따라 할로겐 램프를 사용하여 관찰한 결과를 나타낸 것으로, (a)는 본 실시예　3의 레지스트 박리액 조성물(포토 레지스트 함량: 0.5%)을 이용하여 Cu 기판을 처리한 결과이며, (b)는 비교예 2의 레지스트 박리액 조성물(포토 레지스트 함량: 0.3%)을 이용하여 Cu 기판을 처리한 결과를 나타낸 것이다.
도 2는 실험예 1에 따라 광학 현미경으로 관찰한 결과를 나타낸 것으로, (a)는 본 실시예 4의 레지스트 박리액 조성물(포토 레지스트 함량: 1%)을 이용하여 Cu 기판을 처리한 결과이며, (b)는 비교예 5의 레지스트 박리액 조성물(포토 레지스트 함량: 0.3%)을 이용하여 Cu 기판을 처리한 결과를 나타낸 것이다.

이하, 본 발명을 보다 상세히 설명한다.

본 발명은 플랫 패널 디스플레이 기판의 얼룩 발생을 방지하는 레지스트 박리액 조성물에 관한 것으로,

(a) 화학식 1로 표시되는 글리콜 에테르(Glycol ether);

(b) 알카리계 화합물;

(c) 비 양자성 극성용매 및

(d) 부식방지제를 포함하는 얼룩 발생 방지용 레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다.

[화학식 1]

R-(OCH ₂ CH ₂ )n-OH

*상기 화학식 1에서, R은 메틸기 또는 에틸기이며,

n은 2 내지 3의 정수이다.

또한, 본 발명의 얼룩 발생 방지용 레지스트 박리액 조성물은 (e)탈이온수를 더 포함할 수 있다.

각 성분에 대하여 구체적으로 설명한다.

(a) 화학식 1로 표시되는 글리콜 에테르(Glycol ether)

본 발명에 포함되는 하기 화학식 1로 표시되는 글리콜 에테르(Glycol ether)는 얼룩 방지 성능 효과를 갖는다.

[화학식 1]

R-(OCH ₂ CH ₂ )n-OH

상기 화학식 1에서, R은 메틸기 또는 에틸기이며,

n은 2 내지 3의 정수이다.

상기 화학식 1로 표시되는 글리콜 에테르의 종류로는 바람직하게는 디에틸렌 글리콜 모노 메틸에테르, 디에틸렌 글리콜 에틸에테르, 트리에틸렌 글리콜 모노메틸에테르, 트리에틸렌 글리콜 모노에틸에테르 등을 들을 수 있으며, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.

그 밖에 TFT용 스트리퍼에서 주로 사용되는 글리콜 에테르로는 에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 및 테트라하이드로퍼푸릴 알코올 등을 들 수 있으나, 이러한 종래에 사용된 글리콜 에테르는 레지스트 박리제의 얼룩 방지 성능에는 효과를 나타내지 못한다.

반면에 본 발명에 포함되는 상기 화학식 1로 표시되는 글리콜 에테르는 포토레지스트를 녹이는 역할을 하는 스트리퍼 내에서 물과의 친화력을 바탕으로 TFT기판상에 잔존하는 스트리퍼 및 포토레지스트, 여타 유기물 등이 물에 잘 씻겨 TFT기판 상에 잔존하는 오염물이 없도록 하는 역할을 한다. 또한 화학식 1을 만족하는 글리콜 에테르는 TFT기판 상에 얼룩이 형성 되는 것을 방지하는 효과를 가지며 이는 옥탄올/물 분배 계수를 통해 분류될 수 있다.

본 발명에 포함되는 화학식 1로 표시되는 글리콜 에테르는 하기 수학식 1에 의해 계산되는 옥탄올/물 분배 계수(Log P)가 음(-)의 값을 가지는 것이 바람직하다.

[수학식 1]

Kow = Co/Cw

(Co: 옥탄올에서의 용질의 농도, Cw: 물에서의 용질의 농도)

Log P (분배계수) = Log (Kow)

상기 (a) 화학식 1로 표시되는 글리콜 에테르는 조성물의 총 중량에 대하여 5 내지 50 중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 10 내지 30 중량%로 포함되는 것이 보다 바람직하다. 상기 (a)화학식 1로 표시되는 글리콜 에테르의 함량이 5 중량% 미만으로 포함될 경우에는 얼룩 발생의 방지에 효과가 없으며, 50 중량%를 초과하여 사용 할 경우 박리제의 누적 매수를 저하시킬 우려가 있다.

(b) 알카리계 화합물

상기 알카리계 화합물은 건식 또는 습식 식각, 애싱(ashing) 또는 이온 주입 공정(ion implant processing) 등의 여러 공정 조건하에서 변질되거나 가교된 레지스트(resist)의 고분자 매트릭스에 강력하게 침투하여 분자 내 또는 분자 간에 존재하는 결합을 깨뜨리는 역할을 하며, 기판에 잔류하는 레지스트 내의 구조적으로 취약한 부분에 빈 공간을 형성시켜 레지스트를 무정형의 고분자 겔(gel)덩어리 상태로 변형시킴으로써 기판 상부에 부착된 레지스트가 쉽게 제거될 수 있게 한다.

본 발명에 포함되는 상기 알카리계 화합물은 수산화칼륨(KOH), 수산화나트륨(NaOH), 테트라메틸 암모늄 하이드록시드(Tetramethyl ammonium hydroxide, TMAH), 테트라에틸 암모늄 하이드록시드(Tetraethyl ammonium hydroxide, TEAH), 탄산염, 인산염, 암모니아 및 아민류로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것이 바람직하다.

상기 아민류는 메틸아민, 에틸아민, 모노이소프로필아민, n-부틸아민, sec-부틸아민, 이소부틸아민, t-부틸아민, 펜틸아민 등의 1차 아민; 디메틸아민, 디에틸아민, 디프로필아민, 디이소프로필아민, 디부틸아민, 디이소부틸아민, 메틸에틸아민, 메틸프로필아민, 메틸이소프로필아민, 메틸부틸아민, 메틸이소부틸아민 등의 2차 아민; 디에틸 히드록시아민, 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리프로필아민, 트리부틸아민, 트리펜틸아민, 디메틸에틸아민, 메틸디에틸아민 및 메틸디프로필아민 등의 3차 아민; 콜린, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 모노프로판올아민, ２-아미노에탄올, ２-(에틸아미노)에탄올, ２-(메틸아미노)에탄올, N-메틸 디에탄올아민, N,N-디메틸에탄올아민, N,N-디에틸아미노에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)-1-에탄올, １-아미노-２-프로판올, 2-아미노-1-프로판올, 3-아미노-1-프로판올, 4-아미노-1-부탄올, 디부탄올아민 등의 알칸올아민; (부톡시메틸)디에틸아민, (메톡시메틸)디에틸아민, (메톡시메틸)디메틸아민, (부톡시메틸)디메틸아민, (이소부톡시메틸)디메틸아민, (메톡시메틸)디에탄올아민, (히드록시에틸옥시메틸)디에틸아민, 메틸(메톡시메틸)아미노에탄, 메틸(메톡시메틸)아미노에탄올, 메틸(부톡시메틸)아미노에탄올, 2-(2-아미노에톡시)에탄올 등의 알콕시아민; 1-(2-히드록시에틸)피페라진, 1-(2-아미노에틸)피페라진, 1-(2-히드록시에틸)메틸피페라진, N-(3-아미노프로필)모폴린, 2-메틸피페라진, 1-메틸피페라진, 1-아미노-4-메틸피페라진, 1-벤질 피페라진, 1-페닐 피페라진, N-메틸모폴린, 4-에틸모폴린, N-포름일모폴린, N-(2-히드록시에틸)모폴린, N-(3-히드록시프로필)모폴린 등의 환을 형성한 고리형아민 등이 있다.

상기 알카리계 화합물은 조성물의 총 중량에 대하여 5 내지 30 중량%를 포함하는 것이 바람직하며, 5 중량% 미만으로 포함될 경우에는 박리제의 박리 성능이 저하되며, 30 중량%을 초과하여 포함될 경우에는 금속 막질에 손상을 줄 수 있다.

(c) 비 양자성 극성용매

본 발명에 포함되는 (c) 비 양자성 극성용매는 식각 등에 의해 변질되거나 가교된 레지스트 고분자의 제거 성능의 발현에도 유리하며 동시에 처리 매수 증가 효과에 유리하다. 상기 비 양자성 극성용매는 적당한 박리력을 위해 비점이 너무 높거나 낮지 않은 것이 바람직하고, 혼합 사용할 수 있다.

상기 비 양자성 극성용매의 바람직한 예로는 Ｎ-메틸 피롤리돈(NMP), Ｎ-에틸 피롤리돈 등의 피롤리돈 화합물; １,3-디메틸-２-이미다졸리디논, 1,３-디프로필-２-이미다졸리디논 등의 이미다졸리디논 화합물; γ―부티로락톤 등의 락톤 화합물; 디메틸술폭사이드(DMSO), 술폴란 등의 설폭사이드 화합물; 트리에틸포스페이트, 트리부틸포스페이트 등의 포스페이트 화합물; 디메틸카보네이트, 에틸렌카보네이트 등의 카보네이트 화합물; 포름아미드, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, 아세트아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-(2-히드록시에틸)아세트아미드, 3-메톡시-N,N-디메틸프로피온아미드, 3-(2-에틸헥실옥시)-N,N-디메틸프로피온아미드, 3-부톡시-N,N-디메틸프로피온아미드 등의 아미드 화합물을 들 수 있으며, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.

상기 비 양자성 극성용매는 조성물의 총 중량에 대하여 20 내지 70 중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 20 중량% 미만을 포함 할 경우, 레지스트를 녹이지 못해 처리 매수 저하의 위험성이 있으며, 70 중량%를 초과하여 사용 할 경우, 경제적이지 못하다.

(d) 부식방지제

본 발명에 포함되는 (d) 부식방지제는 금속 배선의 부식을 억제하는 역할을 한다. 금속의 부식 방지 성능을 향상시키기 위하여 상기 (d) 부식방지제는 화학식 2로 표시되는 벤조트리아졸 유도체인 것이 바람직하다.

[화학식 2]

상기 화학식 2에서 R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소원자, 할로겐원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알릴기, 아릴기, 아미노기, 알킬아미노기, 니트로기, 시아노기, 메르캅토기, 알킬메르캅토기, 히드록실기, 히드록시알킬기, 카르복실기, 카르복시알킬기, 아실기, 알콕시기 또는 복소환을 갖는 1가의 기를 나타낸다.

상기 벤조트리아졸 유도체의 구체적인 예로는 2,2’-[[[벤조트리아졸]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메탄올, 2,2’-[[[에틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스카르복시산, 2,2’- [[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메틸아민, 2,2’-[[[아민-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올 등을 들 수 있다.

상기 (d) 부식 방지제는 조성물의 총 중량에 대하여 0.01 내지 5 중량%를 포함하는 것이 바람직하며, 0.01 중량% 미만을 포함 할 경우 금속의 부식을 방지하지 못하며, 5 중량%을 초과하여 포함 할 경우 경제적이지 못하다.

(e) 탈이온수

본 발명의 레지스트 박리액 조성물은 추가로 (e)탈이온수를 더 포함할 수 있다. 상기 탈이온수는 상기 알카리계 화합물의 활성화를 향상시켜 박리 속도를 증가시키며, 탈이온수를 포함하지 않는 조성물과 비교하여 건식/습식 식각 공정에 의해 가교되거나 변질된 레지스트의 제거력 향상 효과를 얻을 수 있다.

상기 수용성 극성 용매에 혼합되어 탈이온수에 의한 린스 공정 시 기판상에 잔존하는 유기 오염물 및 레지스트 박리액을 빠르고 완전하게 제거시킬 수 있으며, 가격적으로도 생산비 절감(Cost down)에 유리하다.

상기 탈이온수는 레지스트의 종류 및 금속 패턴막의 형성 과정에 따라 포함 할 수도 있고, 포함하지 않을 수도 있다. 상기 탈이온수가 포함될 경우, 조성물 총 중량에 대하여 10 내지 40 중량%를 포함하는 것이 바람직하며, 40 중량%를 초과하여 사용 할 경우 레지스트를 잘 녹이지 못하며 처리 매수 저하의 원인이 되기도 한다.

본 발명의 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 레지스트를 제거하는 방법으로는 침지법이 일반적이지만 기타의 방법, 예를 들면 분무법에 의한 방법을 사용할 수도 있다. 본 발명에 의한 조성물로 처리한 후의 세정제로는 알코올과 같은 유기용제를 사용할 필요 없이 물로 세정하는 것만으로도 충분하다.

본 발명의 레지스트 박리액 조성물은 반도체 또는 전자 제품, 특히 플랫 패널 디스플레이용 레지스트의 제거 공정에서 유용하게 사용될 수 있다.

본 발명은 상기 기재된 얼룩 발생 방지용 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 플랫 패널 디스플레이 기판을 세정하는 공정을 포함하는 플랫 패널 디스플레이 기판의 제조 방법을 제공한다.

*

이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 하기의 실시예는 본 발명의 범위 내에서 당업자에 의해 적절히 수정, 변경될 수 있다.

참조예 1. 글리콜에테르 선정

본 발명의 레지스트 박리액 조성물은 플랫 패널 디스플레이 기판의 레지스트 박리 공정에서 스트리퍼 및 레지스트를 포함한 스트리퍼에 의한 얼룩 생성을 방지하는 능력이 우수하다. 이는 옥탄올/물 분배계수(Log P)에 의해 예측이 가능하고 이를 실험적으로 증명하였다. 이때 옥탄올/물 분배계수는 하기 수학식 1에 의해 계산된다.

[수학식 1]

Kow = Co/Cw

(Co: 옥탄올에서의 용질의 농도, Cw: 물에서의 용질의 농도)

Log P (분배계수) = Log (Kow)

[화학식 1]

R-(OCH ₂ CH ₂ )n-OH

글리콜 에테르	옥탄올/ 물 분배계수 (Log Kow)
디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르	-1.10
디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르	-0.54
트리에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르	-0.70
디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르	+0.15
디에틸렌 글리콜 모노헥실 에테르	+1.70

표 1에 나타난 바와 같이, 본 발명에서 얼룩 방지에 효과를 보이는 글리콜 에테르는 옥탄올/물 분배계수가 음의 값을 가짐을 알 수 있었다. 실시예

실시예 1~7 및 비교예 1~5: 레지스트 박리액 조성물의 제조

하기 표 2에 기재된 성분을 해당 조성비로 혼합하여 실시예 1~7 및 비교예 1~5의 레지스트 박리액 조성물을 제조하였다.

	(a) 글리콜 에테르류		(b) 알카리계 화합물		(c) 비양자성 극성용매		(d) 부식방지제		(e) DIW
	종류	성분 (중량%)	종류	성분 (중량%)	종류	성분 (중량%)	종류	성분 (중량%)	성분 (중량%)
실시예1	MDG	20	MEA	10	NMF	69	d-1	1.0	-
실시예2	EDG	20	MEA	10	NMF	69	d-1	1.0	-
실시예3	MDG EDG	10 10	MEA	10	NMF	69	d-1	1.0	- -
실시예4	MTG	20	MEA	10	NMF	69	d-1	1.0	-
실시예5	ETG	20	MEA	10	NMF	69	d-1	1.0	-
실시예6	EDG	20	MEA	10	NMF	39	d-1	1.0	30
실시예7	MTG	20	MEA	10	NMF	39	d-1	1.0	30
비교예1	-	-	MEA	10	NMF	89	d-1	1.0	-
비교예2	BDG	20	MEA	10	NMF	69	d-1	1.0	-
비교예3	BG	20	MEA	10	NMF	69	d-1	1.0	-
비교예4	iPDG	20	MEA	10	NMF	69	d-1	1.0	-
비교예5	BDG	20	MEA	10	NMF	39	d-1	1.0	30

주) MDG: 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르EDG: 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르MTG: 트리에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르

ETG: 트리에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르

BDG: 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르

BG: 에틸렌 글리콜 부틸 에테르

iPDG: 디에틸렌 글리콜 모노이소프로필 에테르

MEA: 모노에탄올 아민

NMF: N-메틸 포름아마이드

d-1: 2,2’-[[[에틸-1H -벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올

실험예 1. 얼룩 발생 평가

레지스트 박리액 조성물의 얼룩 발생 방지 효과를 확인하기 위하여 통상적인 방법에 따라 유리 기판 상에 박막 스퍼터링법을 사용하여 Cu층을 형성한 기판을 준비하였다. 실험에 필요한 레지스트는 당사 레지스트인 DWG-520을 115℃의 고온에서 3일간 베이킹하여 솔벤트를 모두 제거하고 고형화 하여 준비 하였다.

레지스트 박리액 조성물에 위에서 준비한 레지스트를 0.3%, 0.5%, 1% 추가하여 실온에서 충분히 녹인 후 레지스트가 녹아있는 스트리퍼를 50℃로 온도를 일정하게 유지시킨다. 온도가 일정해진 스트리퍼에 대상 Cu기판을 2분간 침적한 후 꺼내어 일정한 압력의 질소를 이용하여 기판에 남아 있는 스트리퍼 및 레지스트를 어느 정도 제거 후 평평한 바닥에 놓고 DI water를 피펫을 이용하여 각각 다른 위치에 5 방울 떨어뜨리고 1분간 방치 한다. 1분 후 기판을 DIW를 이용해 1분간 린스 후 질소를 이용하여 기판상에 잔류하는 DIW를 완벽하게 제거하였다. 위에서 설명한 실험 방법은 실제 TFT공정을 재현하기 위하여 상기 기판의 얼룩 발생 정도를 판단하기 위하여 할로겐 램프 및 디지털 카메라, 전자 현미경을 사용하였으며, 그 결과를 하기 표 3 및 도 1 내지 2에 나타냈으며 매우 양호는 ◎, 양호는 ○, 보통은 △, 불량은 ×로 표시하였다.

구분	얼룩 발생
구분	Cu 기판
포토레지스트 함량	0.3%	0.5%	1%
실시예1	◎	◎	○
실시예2	◎	◎	○
실시예3	◎	◎	○
실시예4	◎	◎	◎
실시예5	◎	◎	◎
실시예6	◎	○	△
실시예7	◎	○	△
비교예1	△	×	×
비교예2	×	×	×
비교예3	△	×	×
비교예4	×	×	×
비교예5	×	×	×

상기 표 3에 나타난 바와 같이, 본 발명의 레지스트 박리액 조성물인 실시예 1~7의 조성물은 비교예 1~5의 조성물과 비교하여, 얼룩 발생을 방지하는데 우수하였으며, 처리 매수의 증가에서도 얼룩 발생 방지 효과가 훨씬 뛰어나다는 것을 확인할 수 있었다.

Claims

(a) 화학식 1로 표시되는 글리콜 에테르(Glycol ether); 및
(b) 알카리계 화합물; 을 포함하며,
물을 포함하지 않는 레지스트 박리액 조성물로,
상기 (a) 화학식 1로 표시되는 글리콜 에테르(Glycol ether)는 하기 수학식 1로 계산된 옥탄올/물 분배계수(Log P)가 음(-)의 값을 가지며,
기판 상에 얼룩 발생을 방지할 수 있는, 처리 매수 향상용 레지스트 박리액 조성물:
[화학식 1]
R-(OCH₂CH₂)n-OH
상기 화학식 1에서, R은 메틸기 또는 에틸기이며,
n은 2 내지 3의 정수이다.
[수학식 1]
Kow = Co/Cw
(Co: 옥탄올에서의 용질의 농도, Cw: 물에서의 용질의 농도)
Log P (분배계수) = Log (Kow)
청구항 1에 있어서, (c) 비 양자성 극성용매 및 (d) 부식방지제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 처리 매수 향상용 레지스트 박리액 조성물:
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청구항 2에 있어서, 조성물 총 중량에 대하여
(a) 화학식 1로 표시되는 글리콜 에테르(Glycol ether) 5 내지 50 중량%;
(b) 알카리계 화합물 5 내지 30 중량%;
(c) 비 양자성 극성용매 20 내지 70 중량%; 및
(d) 부식방지제 0.01 내지 5 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는, 처리 매수 향상용 레지스트 박리액 조성물.
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청구항 1에 있어서, 상기 수학식 1로 계산된 옥탄올/물 분배계수(Log P)가 음(-)의 값을 가지는 글리콜 에테르(Glycol ether)는 디에틸렌 글리콜 모노 메틸에테르, 디에틸렌 글리콜 에틸에테르, 트리에틸렌 글리콜 모노메틸에테르 및 트리에틸렌 글리콜 모노에틸에테르로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는, 처리 매수 향상용 레지스트 박리액 조성물.
청구항 1에 있어서, 상기 (b) 알카리계 화합물은 수산화칼륨(KOH), 수산화나트륨(NaOH), 테트라메틸 암모늄 하이드록시드(Tetramethyl ammonium hydroxide, TMAH), 테트라에틸 암모늄 하이드록시드(Tetraethyl ammonium hydroxide, TEAH), 탄산염, 인산염, 암모니아 및 아민류로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는, 처리 매수 향상용 레지스트 박리액 조성물.
청구항 2에 있어서, 상기 (c) 비 양자성 극성용매는 Ｎ-메틸 피롤리돈(NMP) 및 Ｎ-에틸 피롤리돈을 포함하는 피롤리돈 화합물; １,3-디메틸-２-이미다졸리디논 및 1,３-디프로필-２-이미다졸리디논을 포함하는 이미다졸리디논 화합물; γ―부티로락톤을 포함하는 락톤 화합물; 디메틸술폭사이드(DMSO) 및 술폴란을 포함하는 설폭사이드 화합물; 트리에틸포스페이트 및 트리부틸포스페이트를 포함하는 포스페이트 화합물; 디메틸카보네이트 및 에틸렌카보네이트를 포함하는 카보네이트 화합물; 포름아미드, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, 아세트아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-(2-히드록시에틸)아세트아미드, 3-메톡시-N,N-디메틸프로피온아미드, 3-(2-에틸헥실옥시)-N,N-디메틸프로피온아미드 및 3-부톡시-N,N-디메틸프로피온아미드를 포함하는 아미드 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는, 처리 매수 향상용 레지스트 박리액 조성물.
청구항 2에 있어서, 상기 (d) 부식방지제는 화학식 2로 표시되는 벤조트리아졸 유도체인 것을 특징으로 하는, 처리 매수 향상용 레지스트 박리액 조성물:
[화학식 2]

상기 화학식 2에서, R2, R3 및 R4는 각각 독립하여 수소원자, 할로겐원자, 알킬기, 시클로알킬기, 알릴기, 아릴기, 아미노기, 알킬아미노기, 니트로기, 시아노기, 메르캅토기, 알킬메르캅토기, 히드록실기, 히드록시알킬기, 카르복실기, 카르복시알킬기, 아실기, 알콕시기 또는 복소환을 갖는 1가의 기이다.
제 1항, 제 2항, 제 4항, 및 제 6항 내지 제 9항 중 어느 한 항의 처리 매수 향상용 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 플랫 패널 디스플레이 기판을 세정하는 공정을 포함하는 플랫 패널 디스플레이 기판의 제조 방법.