KR20150026582A

KR20150026582A - 레지스트 박리액 조성물

Info

Publication number: KR20150026582A
Application number: KR20130105639A
Authority: KR
Inventors: 이유진; 고경준; 김정현
Original assignee: 동우 화인켐 주식회사
Priority date: 2013-09-03
Filing date: 2013-09-03
Publication date: 2015-03-11

Abstract

본 발명은 (A) 하기 화학식 1로 표시되는 화합물; (B) 알칼리계 화합물; 및 (C)극성 유기용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다:
(화학식 1)

상기 화학식 1에서, R1 내지 R4는, 독립적으로 C1~C5의 알킬기, C3~10의 아릴기 또는 C1~C5의 알콕시기이다.

Description

레지스트 박리액 조성물{A RESIST STRIPPER COMPOSITION}

본 발명은 플랫 패널 디스플레이 기판의 제조 공정에 있어서, 레진 용해성을 향상시켜 별도의 방식제 없이도 신속하게 금속을 박리할 수 있을 뿐 아니라 금속의 부식을 최소화 시키는 레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다.

최근 플랫패널디스플레이의 고해상도 구현 요구가 증가함에 따라 단위면적당의 화소수를 증가시키기 위한 노력이 계속되고 있다. 이러한 추세에 따라 배선 폭의 감소가 요구되고 있으며, 그에 대응하기 위해서 건식 식각 공정이 도입되는 등 공정 조건도 갈수록 가혹해지고 있다. 또한, 평판표시장치의 대형화로 인해 배선에서의 신호 속도 증가도 요구되고 있으며, 그에 따라 몰리브덴이나 구리 등의 배선재료가 실용화되고 있다. 이에 발맞추어 레지스트 제거 공정인 박리공정에 사용되는 박리액에 대한 요구 성능도 높아지고 있다. 구체적으로 금속배선에 대한 상당한 수준의 박리력을 보유하면서도, 알루미늄, 구리, 은 등의 금속에 대한 부식억제력도 요구되고 있다. 특히, 가격 경쟁력 확보를 위해, 별도의 부식방지제 없이도, 구리나 알루미늄에 대한 부식을 최소화하는 박리액의 개발이 요청되는 실정이다.

한편, 대한민국 공개특허 제 2004-0014975호에는 아민화합물 및 알칸올아미드 화합물을 포함하는 포토레지스트 박리제 조성물이 개시되어 있다. 그러나 상기 발명의 조성물은, 금속 부식 방지를 위해 흡착성 물질의 방식제가 다량 첨가되어야 하며, 이러한 방식제를 첨가하는 경우 박리 시간이 10분 이상으로 매우 길어지는 문제가 있다.

이에, 위와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위해, 방식제 첨가 없이도 우수한 방식효과를 나타낼 뿐 아니라, 신속하고 우수한 박리 특성을 나타내는 레지스트 박리액 조성물의 개발이 필요하다.

대한민국 공개특허 제 2004-0014975호

상술한 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 방식제 첨가 없이도 우수한 방식효과를 나타낼 뿐 아니라, 신속하고 우수한 박리 특성을 나타내는 레지스트 박리액 조성물을 제공하는데 목적이 있다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 (A) 하기 화학식 1로 표시되는 화합물; (B) 알칼리계 화합물; 및 (C)극성 유기용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물을 제공한다:

(화학식 1)

또한, 본 발명은 상기 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 플랫 패널 디스플레이 기판을 세정하는 공정을 포함하는 플랫 패널 디스플레이 기판의 제조방법을 제공한다.

본 발명의 레지스트 박리액 조성물은 방식제 첨가 없이도 우수한 방식효과를 나타낼 뿐 아니라, 신속하고 우수한 박리 특성을 나타내는 효과를 갖는다.

또한 본 발명의 레지스트 박리액 조성물을 사용하는 경우, 방식제를 별도로 추가할 필요가 없어, 전체적인 제조 공정에 소요되는 비용을 절감할 수 있다.

이하, 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.

본 발명은 (A) 하기 화학식 1로 표시되는 화합물; (B) 알칼리계 화합물; 및 (C)극성 유기용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물에 대한 것이다:

(화학식 1)

위와 같은 구성에 의해, 본 발명의 레지스트 박리액 조성물은 방식제 첨가 없이도 우수한 방식효과를 나타낼 뿐 아니라, 신속하고 우수한 박리 특성을 나타내는 효과를 가짐을 실험적으로 확인하여 본 발명을 완성하였다.

이하, 본 발명의 구성을 구성요소 별로 상세히 설명한다.

(A) 화학식1 화합물

본 발명의 레지스트 박리액 조성물은 하기 (A) 화학식 1 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다.

(화학식 1)

이와 같이, 화학식 1의 화합물은 레지스트에 사용되는 레진을 용해시키는 역할을 하여, 그 박리력이 우수하고, 높은 끓는 점과 낮은 증기압으로 고온에서도 그 박리 효과를 더 최대화 할 수 있다. 유기 아민에도 반응성이 없어, 시간이 경시된 이후에도 박리 능력이 감소하거나 없어지지 않는다. 수용성 용제로 탈 이온수의 린스 후에도 기판에 잔류 하지 않아, FPD Cell 합착 후에 얼룩이나 이물의 원인이 되는 잔사문제가 없다. 또한 구리, 알루미늄, 실버을 포함하는 금속 패턴에 대해 방식효과를 가지고 있어 상기 금속 막질에 대한 부식을 최소화 할 수 있며, 박리액 조성물의 색변화를 야기시키지 않는다.

화학식 1로 나타내어지는 화합물의 종류로는 테트라메틸우레아, 테트라에틸우레아, 1,3-디메톡시-1,3-디메틸우레아 등을 들을 수 있으며, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.

상기 화학식 1 화합물은 조성물 총 중량에 대하여, 5 내지 50 중량%를 사용하는 것이 바람직한데, 5 중량% 미만이면 박리 능력을 돕는 역할을 충분히 하지 못할 수 있으며, 방식능력 또한 떨어지는 문제점이 있다. 또한, 50 중량%를 초과하면 유기 용매의 양이 줄어들어 린스를 위한 역할이나 매수증가 능력에 영향을 미칠 수 있다.

(B) 알칼리계 화합물

상기 (B) 알칼리계 화합물은 건식 또는 습식 식각, 애싱(ashing) 또는 이온주입 공정(ion implant processing) 등의 여러 공정 조건하에서 변질되거나 가교된 레지스트(resist)의 고분자 매트릭스에 강력하게 침투하여 분자 내 또는 분자간에 존재하는 결합을 깨뜨리는 역할을 하며. 기판에 잔류하는 레지스트 내의 구조적으로 취약한 부분에 빈 공간을 형성시켜 레지스트를 무정형의 고분자 겔(gel)덩어리 상태로 변형시킴으로써 기판 상부에 부착된 레지스트가 쉽게 제거될 수 있게 한다.

본 발명에 사용되는 (B) 알칼리계 화합물은 알카리계 화합물은 바람직하게는 KOH, NaOH, TMAH(Tetramethyl ammonium hydroxide), TEAH(Tetraethyl ammonium hydroxide), 탄산염, 인산염, 암모니아 및 아민류 등을 들을 수 있으며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있다.

상기 아민류에는 메틸아민, 에틸아민, 모노이소프로필아민, n-부틸아민, sec-부틸아민, 이소부틸아민, t-부틸아민, 펜틸아민 등의 일급 아민; 디메틸아민, 디에틸아민, 디프로필아민, 디이소프로필아민, 디부틸아민, 디이소부틸아민, 메틸에틸아민, 메틸프로필아민, 메틸이소프로필아민, 메틸부틸아민, 메틸이소부틸아민 등의 2급 아민; 디에틸 히드록시아민, 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리프로필아민, 트리부틸아민, 트리펜틸아민, 디메틸에틸아민, 메틸디에틸아민 및 메틸디프로필아민 등의 3급 아민; 콜린, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 모노프로판올아민, ２-아미노에탄올, ２-(에틸아미노)에탄올, ２-(메틸아미노)에탄올, N-메틸 디에탄올아민, N,N-디메틸에탄올아민, 아미노에틸에탄올아민, N,N-디에틸아미노에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)-1-에탄올, １-아미노-２-프로판올, 2-아미노-1-프로판올, 3-아미노-1-프로판올, 4-아미노-1-부탄올, 디부탄올아민 등의 알칸올아민; (부톡시메틸)디에틸아민, (메톡시메틸)디에틸아민, (메톡시메틸)디메틸아민, (부톡시메틸)디메틸아민, (이소부톡시메틸)디메틸아민, (메톡시메틸)디에탄올아민, (히드록시에틸옥시메틸)디에틸아민, 메틸(메톡시메틸)아미노에탄, 메틸(메톡시메틸)아미노에탄올, 메틸(부톡시메틸)아미노에탄올, 2-(2-아미노에톡시)에탄올 등의 알콕시아민; 1-(2-히드록시에틸)피페라진, 1-(2-아미노에틸)피페라진, 1-(2-히드록시에틸)메틸피페라진, N-(3-아미노프로필)모폴린, 2-메틸피페라진, 1-메틸피페라진, 1-아미노-4-메틸피페라진, 1-벤질 피페라진, 1-페닐 피페라진, N-메틸모폴린, 4-에틸모폴린, N-포름일모폴린, N-(2-히드록시에틸)모폴린, N-(3-히드록시프로필)모폴린 등의 환을 형성한 고리형아민 등의 아민 화합물 등을 들 수 있다.

(B) 알칼리계 화합물의 함량은 전체 조성물 총중량에 대해 1 내지 10 중량%를 사용하는 것이 바람직한데, 1 중량% 미만이면 포토 레지스트의 박리력이 떨어지는 문제점이 있고, 10 중량%를 초과하면 금속 표면의 데미지가 커지는 문제점이 있다.

(C) 극성 유기용매

본 발명의 (C) 극성 유기용매는, 팽윤되고 용제에 의해 분산된 포토레지스트의 용해 속도를 더욱 더 증가시키고 박리액 세정 후 사용되는 DI 린스 공정에서는 린스력 강화에 도움을 준다. 박리 공정 후 분산된 포토레지스트를 머금은 용매를 DI water로 깨끗하게 린스하는 역할에 도움을 주기 때문에, DI 린스 공정 시간을 단축시킬 수 있고, 잔류되는 이물이 없게 되며, 수율 향상에도 도움을 준다. 또한 금속막질에 나타날 수 있는 문제중 하나로 얼룩에 관련되어 양자성 극성용매가 더해졌을 때 DI 린스 공정에서 깨끗하게 제거시키기 때문에 얼룩에 관련되는 문제를 해결할 수 있다.

본 발명의 (C) 극성 유기용매는 양자성 극성용매를 사용하거나, 양자성 극성용매와 비양자성 극성용매를 혼합하여 사용하는 것이 바람직하다.

상기 양자성 극성용매의 바람직한 예로는, 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 등의 알킬렌글리콜 모노알킬 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 및 테트라하이드로퍼푸릴 알코올, 에틸렌글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌글리콜 메틸에틸 에테르, 디에틸렌글리콜 메틸부틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 메틸부틸 에테르 등을 들 수 있으며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있다.

한편, 상기 비양자성 극성 용매는 상기 알카리계 화합물 의해 겔화된 레지스트 고분자를 용해시키는 역할을 하며, 포토레지스트의 분산을 원활하게 하여 Solvation 시키는 역할로, 포토레지스트의 용해에 매우 효과적인 유기 용매로서 빠른 시간 내에 고형화된 포토레지스트에 유기 아민 화합물의 침투를 빠르게 하여 박리 성능을 향상시키는 성분이다. 또한 레지스트 박리 이후 탈이온수의 린스 과정에서 물에 의한 박리액의 제거를 수월하게 하여 박리액 및 용해된 레지스트의 재흡착/재부착을 최소화 한다. 상기 수용성 극성용매는 적당한 박리력을 위해 비점이 너무 높거나 낮지 않은 것이 바람직하고, 혼합 사용할 수 있다. 상기 비양자성 극성용매의 바람직한 예로는 Ｎ-메틸 피롤리돈(NMP), Ｎ-에틸 피롤리돈 등의 피롤리돈 화합물; １,3-디메틸-２-이미다졸리디논, 1,３-디프로필-２-이미다졸리디논 등의 이미다졸리디논 화합물; γ―부티로락톤 등의 락톤 화합물; 디메틸술폭사이드(DMSO), 술폴란 등의 설폭사이드 화합물; 트리에틸포스페이트, 트리부틸포스페이트 등의 포스페이트 화합물; 디메틸카보네이트, 에틸렌카보네이토 등의 카보네이트 화합물; 포름아미드, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, 아세트아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-(2-히드록시에틸)아세트아미드, 3-메톡시-N,N-디메틸프로피온아미드, 3-(2-에틸헥실옥시)-N,N-디메틸프로피온아미드, 3-부톡시-N,N-디메틸프로피온아미드 등의 아미드 화합물을 들 수 있으며, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.

본 발명의 (C) 극성 유기용매의 함량은 전체 조성물 총 중량에 대해 40 내지 80 중량%를 사용하는 것이 바람직하며, 40 중량% 미만이면 용액내에서 용해된 포토레지스트를 함유하는 능력이 떨어져 매수처리 능력이 떨어지는 문제점이 있다. 또한, 80 중량%를 초과하면 다른 성분의 함량을 줄어들게 하여, 데미지 및 박리력에 영향을 미치는 문제점이 있다.

본 발명의 플랫 패널 디스플레이용 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 레지스트를 제거하는 방법으로는 침지법이 일반적이지만 기타의 방법, 예를 들면 분무법에 의한 방법을 사용할 수도 있다. 본 발명에 의한 조성물로 처리한 후의 세정제로는 알코올과 같은 유기용제를 사용할 필요가 없고 물로 세정하는 것만으로도 충분하다.

본 발명의 레지스트 박리액 조성물은 반도체 또는 전자제품, 특히 플랫 패널 디스플레이용 레지스트의 제거 공정에서 유용하게 사용될 수 있다.

이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 하기의 실시예는 본 발명의 범위 내에서 당업자에 의해 적절히 수정, 변경될 수 있다.

실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 3. 레지스트 박리액 조성물 제조

하기 표 1에 기재된 성분을 해당 조성비로 혼합하여 실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 3의 레지스트 박리액 조성물을 제조하였다.

	(A) 화학식1 화합물		(B) 알칼리계 화합물		(C) 극성 유기용매		(d) 추가 첨가제
	종류	성분 (중량%)	종류	성분 (중량%)	종류	성분 (중량%)	종류	성분 (중량%)
실시예1	(a)	25	(c)	5	EDG	70
실시예2	(a)	30	(d)	5	MTG	65
실시예3	(b)	35	(e)	5	BDG	60
실시예4	(b)	40	(f)	5	EDG NMP	40 15
실시예5	(a)	30	(g)	5	BDG NMF	50 15
비교예1			(c)	10	EDG	90
비교예2	(b)	30			MTG	70
비교예3	(a)	80	(e)	20
비교예4			(e)	5	BDG	60	(f)	35
비교예5			(d)	5	MTG	65	(g)	30

(a) 테트라메틸우레아

(b) 테트라에틸우레아

(c) 아미노에틸에탄올아민

(d) 히드록시에틸 피페라진

(e) N-메틸디에탄올아민

(f) 모노에탄올아민

(g) 2-(2-아미노에톡시)에탄올

(f) 우레아

(g) N-(1-히드록시에틸)아세트아미드

실험예 : 레지스트 박리액 조성물의 특성 평가

실험예 1. 박리액 조성물의 박리력 평가

레지스트 박리액 조성물의 박리효과를 확인하기 위하여 통상적인 방법에 따라 유리 기판상에 박막 스퍼터링법을 사용하여 경화된 Mo 막질 및 Cu막질을 각각 형성한 후, 포토 레지스트 패턴을 형성시킨 이후, 습식 식각 및 건식 식각 방식에 의해 금속막을 에칭한 기판을 각각 준비하였다. 레지스트 박리용 조성물을 50℃로 온도를 일정하게 유지시킨 후, 시간을 나누어 배부한 뒤 각기 침적하여 박리력을 평가하였다. 이후 기판상에 잔류하는 박리액의 제거를 위해서 순수로 1분간 세정을 실시하였으며, 세정 후 기판 상에 잔류하는 순수를 제거하기 위하여 질소를 이용하여 기판을 완전히 건조시켰다. 상기 기판의 변성 또는 경화 레지스트 및 건식 식각 잔사 제거 성능은 주사 전자현미경(SEM, Hitach S-4700)을 이용하여 확인하고, 그 결과를 하기 표 2에 나타냈으며 제거 시간과 시간에 따른 박리력 정도를 매우 양호는 ◎, 양호는 ○, 보통은 △, 불량은 ×로 표시하였다.

실험예 2. 박리액 조성물의 금속 배선 방식력 평가

레지스트 박리액 조성물의 금속배선에 대한 부식 방지능력을 평가는 Mo/Al/(X), Cu/Ti/(X), ITO/Ag/(X) 배선이 노출된 기판을 사용하였으며 박리액 조성물을 50℃로 온도를 일정하게 유지시키고 상기 기판을 30분간 침적시킨 후, 세정 및 건조를 거쳐 주사 전자현미경(SEM, Hitach S-4700)을 이용하여 평가하였다. 그 결과를 하기의 표 2에 나타냈으며 매우 양호는 ◎, 양호는 ○, 보통은 △, 불량은 ×로 표시하였다.

구분	박리 시간		박리 정도		방식력
구분	경화된 Mo 기판	Cu 기판	경화된 Mo 기판	Cu 기판	Al	Cu	Ag
실시예1	2min	<1min	◎	◎	◎	◎	◎
실시예2	1min	<1min	◎	◎	◎	◎	◎
실시예3	1min	<1min	◎	◎	◎	◎	◎
실시예4	<1min	<1min	◎	◎	◎	◎	◎
실시예5	<1min	<1min	◎	◎	◎	◎	◎
비교예1	6min	3min	○	○	X	X	X
비교예2	7min	3min	○	○	◎	◎	◎
비교예3	5min	3min	○	○	○	○	○
비교예4	6min	3min	△	△	△	△	△
비교예5	3min	1min	○	○	X	X	X

상기 표 2의 실험 결과에 나타난 바와 같이, 본 발명의 박리액 조성물인 실시예 1 내지5의 조성물은 경화된 Mo기판 및 Cu 기판 모두에서 2분 이내에 우수한 효율로 박리되어, 매우 신속하고 우수한 박리 효과를 가짐을 확인하였으며, Al, Cu, 및 Ag에 대한 방식효과 역시 매우 우수하였다.

이에 반하여, 비교예의 조성물은, 경화된 Mo기판 및 Cu 기판 모두에서의 박리효과가 본원 발명에 비하여 좋지 못할 뿐 아니라, 박리 시간도 오래 걸렸으며, 특히 비교예 1과 5의 조성물의 경우에는 Al, Cu, 및 Ag에 대한 방식효과 역시 매우 떨어지는 결과를 나타내었다.

Claims

(A) 하기 화학식 1로 표시되는 화합물;
(B) 알칼리계 화합물; 및
(C)극성 유기용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물:
(화학식 1)

상기 화학식 1에서, R1 내지 R4는, 독립적으로 C1~C5의 알킬기, C3~10의 아릴기 또는 C1~C5의 알콕시기이다.
청구항 1에 있어서, 상기 조성물 총 중량에 대하여,
상기 (A) 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 5 내지 50 중량%;
상기 (B) 알칼리계 화합물 1 내지 10 중량%; 및
상기 (C)극성 유기용매 40 내지 80 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
청구항 1에 있어서,
상기 (A) 화학식 1로 표시되는 화합물은 테트라메틸우레아, 테트라에틸우레아, 및 1,3-디메톡시-1,3-디메틸우레아로 구성되는 군에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
청구항 1에 있어서,
상기 (B) 알칼리계 화합물은 KOH, NaOH, TMAH(Tetramethyl ammonium hydroxide), TEAH(Tetraethyl ammonium hydroxide), 탄산염, 인산염, 암모니아 및 아민류 로 구성되는 군에서 선택되는 하나 이상이며,
상기 아민류는 메틸아민, 에틸아민, 모노이소프로필아민, n-부틸아민, sec-부틸아민, 이소부틸아민, t-부틸아민, 펜틸아민, 디메틸아민, 디에틸아민, 디프로필아민, 디이소프로필아민, 디부틸아민, 디이소부틸아민, 메틸에틸아민, 메틸프로필아민, 메틸이소프로필아민, 메틸부틸아민, 메틸이소부틸아민, 디에틸 히드록시아민, 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리프로필아민, 트리부틸아민, 트리펜틸아민, 디메틸에틸아민, 메틸디에틸아민, 메틸디프로필아민, 콜린, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 모노프로판올아민, ２-아미노에탄올, ２-(에틸아미노)에탄올, ２-(메틸아미노)에탄올, N-메틸 디에탄올아민, N,N-디메틸에탄올아민, 아미노에틸에탄올아민, N,N-디에틸아미노에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)-1-에탄올, １-아미노-２-프로판올, 2-아미노-1-프로판올, 3-아미노-1-프로판올, 4-아미노-1-부탄올, 디부탄올아민, (부톡시메틸)디에틸아민, (메톡시메틸)디에틸아민, (메톡시메틸)디메틸아민, (부톡시메틸)디메틸아민, (이소부톡시메틸)디메틸아민, (메톡시메틸)디에탄올아민, (히드록시에틸옥시메틸)디에틸아민, 메틸(메톡시메틸)아미노에탄, 메틸(메톡시메틸)아미노에탄올, 메틸(부톡시메틸)아미노에탄올, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, 1-(2-히드록시에틸)피페라진, 1-(2-아미노에틸)피페라진, 1-(2-히드록시에틸)메틸피페라진, N-(3-아미노프로필)모폴린, 2-메틸피페라진, 1-메틸피페라진, 1-아미노-4-메틸피페라진, 1-벤질 피페라진, 1-페닐 피페라진, N-메틸모폴린, 4-에틸모폴린, N-포름일모폴린, N-(2-히드록시에틸)모폴린 및 N-(3-히드록시프로필)모폴린으로 구성되는 군에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
청구항 1에 있어서,
상기 (C)극성 유기용매는 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 테트라하이드로퍼푸릴 알코올, 에틸렌글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 디메틸 에테르, 디에틸렌글리콜 메틸에틸 에테르, 디에틸렌글리콜 메틸부틸 에테르 및 트리에틸렌글리콜 메틸부틸 에테르로 구성되는 군에서 선택되는 하나 이상인 양자성 극성용매인 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
청구항 5에 있어서,
상기 (C)극성 유기용매는 Ｎ-메틸 피롤리돈(NMP), Ｎ-에틸 피롤리돈, １,3-디메틸-２-이미다졸리디논, 1,３-디프로필-２-이미다졸리디논, γ―부티로락톤, 디메틸술폭사이드(DMSO), 술폴란, 트리에틸포스페이트, 트리부틸포스페이트, 디메틸카보네이트, 에틸렌카보네이토, 포름아미드, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, 아세트아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-(2-히드록시에틸)아세트아미드, 3-메톡시-N,N-디메틸프로피온아미드, 3-(2-에틸헥실옥시)-N,N-디메틸프로피온아미드 및 3-부톡시-N,N-디메틸프로피온아미드 로 구성되는 군에서 선택되는 하나 이상인 비양자성 극성용매를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 기재된 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 플랫 패널 디스플레이 기판을 세정하는 공정을 포함하는 플랫 패널 디스플레이 기판의 제조방법.