KR102009532B1 - 레지스트 박리액 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 (a) 하기 화학식 1로 표시되는 1차 아미노알코올: 및 (b) 극성 유기용제를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다:
(화학식 1)
Figure 112013077497901-pat00005

상기 화학식 1에서, R1 및 R2는 C1~C5의 알킬기이다.

Description

레지스트 박리액 조성물{A RESIST STRIPPER COMPOSITION}
본 발명은 플랫 패널 디스플레이 기판의 제조 공정에 있어서, 별도의 부식방지제 없이도 구리 및 알루미늄 금속을 포함하는 막질에 대한 부식을 최소화 할 뿐 아니라, 고형화된 레지스트의 용해도를 극대화 시키는 레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다.
최근 플랫패널디스플레이의 고해상도 구현 요구가 증가함에 따라 단위면적당의 화소수를 증가시키기 위한 노력이 계속되고 있다. 이러한 추세에 따라 배선 폭의 감소가 요구되고 있으며, 그에 대응하기 위해서 건식 식각 공정이 도입되는 등 공정 조건도 갈수록 가혹해지고 있다. 또한, 평판표시장치의 대형화로 인해 배선에서의 신호 속도 증가도 요구되고 있으며, 그에 따라 알루미늄이나 구리 등의 비저항이 낮은 배선재료가 실용화되고 있다. 이에 발맞추어 레지스트 제거 공정인 박리공정에 사용되는 박리액에 대한 요구 성능도 높아지고 있다. 구체적으로 금속배선에 대한 상당한 수준의 박리력을 보유하면서도, 알루미늄뿐만 아니라 구리에 대한 부식억제력도 요구되고 있다. 특히, 가격 경쟁력 확보를 위해, 별도의 부식방지제 없이도, 구리나 알루미늄에 대한 부식을 최소화하는 박리액의 개발이 요청되는 실정이다. 또한, 기판의 처리매수가 향상되어, 경제성이 우수한 박리액을 제공하기 위해서는 고형화된 레지스트의 용해도를 극대화 시키는 박리액의 개발 역시 필요하다.
한편, 대한민국 공개특허 제 2006-0117666호에는 (a) 수용성 유기아민 화합물, (b) 양자성 알킬렌글리콜 모노알킬에테르 화합물, (c) 극성 비양자성 용매 및 (d) 부식방지제를 포함하는 레지스트용 스트리퍼 조성물이 개시되어 있다. 그러나 상기 발명의 조성물은, 부식방지제가 포함되지 않는 경우 구라나 알루미늄에 대한 부식성이 지나치게 클 뿐 아니라, 레지스트의 용해도가 저조한 단점이 있다.
이에, 위와 같은 종래기술의 문제점을 해결하는 레지스트 박리액 조성물의 개발이 필요하다.
대한민국 공개특허 제 2006-0117666호
상술한 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 별도의 부식방지제 없이도 구리 및 알루미늄 금속을 포함하는 막질에 대한 부식을 최소화 할 뿐 아니라, 고형화된 레지스트의 용해도를 극대화 시키는 레지스트 박리액 조성물을 제공하는데 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 (a) 하기 화학식 1로 표시되는 1차 아미노알코올: 및 (b) 극성 유기용제를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물을 제공한다:
(화학식 1)
Figure 112013077497901-pat00001
상기 화학식 1에서, R1 및 R2는 C1~C5의 알킬기이다
또한, 본 발명은 상기 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 플랫 패널 디스플레이 기판을 세정하는 공정을 포함하는 플랫 패널 디스플레이 기판의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 레지스트 박리액 조성물은 별도의 부식방지제 없이도 구리 및 알루미늄 금속을 포함하는 막질에 대한 부식을 최소화 할 뿐 아니라, 고형화된 레지스트의 용해도를 극대화 시키는 효과를 갖는다.
또한 본 발명의 레지스트 박리액 조성물을 사용하는 경우, 부식방지제를 별도로 추가할 필요가 없어, 전체적인 제조 공정에 소요되는 비용을 절감할 수 있다.
도 1은 실시예 3에 대한 용해력 평가 결과로 필터페이퍼에 남은 잔량의 레지스트를 디지털 카메라로 촬영한 것이다.
도 2는 비교예 2에 대한 용해력 평가 결과로 필터페이퍼에 남은 잔량의 레지스트를 디지털 카메라로 촬영한 것이다.
이하, 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.
본 발명은 (a) 하기 화학식 1로 표시되는 1차 아미노알코올: 및 (b) 극성 유기용제를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다:
(화학식 1)
Figure 112013077497901-pat00002
상기 화학식 1에서, R1 및 R2는 C1~C5의 알킬기이다
위와 같은 구성에 의해, 본 발명의 레지스트 박리액 조성물은 별도의 부식방지제 없이도 구리 및 알루미늄 금속을 포함하는 막질에 대한 부식을 최소화 할 뿐 아니라, 고형화된 레지스트의 용해도를 극대화 시키는 효과를 나타냄을 실험적으로 확인하여 본 발명을 완성하였다.
본 발명의 레지스트 박리액 조성물은 상기 (c) 염기성 화합물, (d) 부식방지제 또는 이들의 혼합물을 더 포함할 수 있다.
이하, 본 발명의 구성을 구성요소 별로 상세히 설명한다.
(a) 화학식 1로 표현되는 1차 아미노알코올
본 발명의 레지스트 박리액 조성물은 하기 화학식 1로 표현되는 1차 아미노알코올을 포함하는 것을 특징으로 한다.
(화학식 1)
Figure 112013077497901-pat00003
이와 같이, 화학식 1로 표현되는 1차 아미노알코올은 건식 또는 습식 식각, 애싱(ashing) 또는 이온주입 공정(ion implant processing) 등의 여러 공정 조건하에서 변질되거나 가교된 레지스트(resist)의 고분자 매트릭스에 강력하게 침투하여 분자 내 또는 분자간에 존재하는 결합을 깨뜨리는 역할을 하며. 기판에 잔류하는 레지스트 내의 구조적으로 취약한 부분에 빈 공간을 형성시켜 레지스트를 무정형의 고분자 겔(gel)덩어리 상태로 변형시킴으로써 기판 상부에 부착된 레지스트가 쉽게 제거될 수 있게 함을 알아내었다. 또한 구리 및 알루미늄을 포함하는 금속 막질에 대해 부식성이 적어 상기 금속 막질에 대한 부식을 최소화 할 수 있으며, 적은 양으로도 겔화된 레지스트 고분자의 용해력을 극대화 시킬 수 있어 (b) 극성 유기용매와 함께 높은 용해력을 구현하여 레지스트가 도포된 기판의 처리용량을 증가 시킬 수 있다.
상기 화학식 1에서 R1 및 R2는 탄소수 1 내지 5의 알킬기의 1차 아미노알코올이다. 그 예로서 3-아미노-2-부탄올, 2-아미노-3-펜탄올, 2-아미노-3-헥산올, 3-아미노-4-헵탄올, 2-아미노-3-헵탄올 및 3-아미노-4-옥탄올 등을 들을 수 있으며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있다.
상기 (a) 화학식 1로 표현되는 1차 아미노알코올의 함량은 전체 조성물 총중량 중 1 내지 40 중량%를 사용하는 것이 바람직하며, 1 중량% 미만이면 용해력 상승 효과를 얻기 어렵고 박리력이 약해지는 문제점이 있다. 40 중량%를 초과하면 함량 증가에 따른 용해력 상승효과가 미비하여 경제적이지 못하게 된다.
(b) 극성 유기용매
상기 (b) 극성 유기용매는 상기 (a) 화학식 1로 나타내어지는 1차 아미노알코올과 함께 겔화된 레지스트 고분자를 용해 시키는 역할을 하며, 또한 레지스트 박리 이후 탈이온수의 린스 과정에서 물에 의한 박리액의 제거를 수월하게 하여 박리액 및 용해된 레지스트의 재흡착/재부착을 최소화 한다. 상기 극성 유기용매는 적당한 박리력을 위해 비점이 너무 높거나 낮지 않은 것이 바람직하고, 혼합 사용할 수 있다. 상기 극성유기용매는 박리 공정에서 추가 요청되는 성능에 따라 추가 될 수 있다
본 발명에 사용되는 (b) 극성유기용매는 양자성 극성용매와 비양자성 극성용매를 들 수 있으며, 이들은 각각 단독으로 또는 혼합하여 사용할 수 있다. 상기 양자성 극성용매의 바람직한 예로는, 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 등의 알킬렌글리콜 모노알킬 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 및 테트라하이드로퍼푸릴 알코올 등을 들 수 있으며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있다.
상기 비양자성 극성용매의 바람직한 예로는 Ｎ-메틸 피롤리돈(NMP), Ｎ-에틸 피롤리돈 등의 피롤리돈 화합물; １,3-디메틸-２-이미다졸리디논, 1,３-디프로필-２-이미다졸리디논 등의 이미다졸리디논 화합물; γ―부티로락톤 등의 락톤 화합물; 디메틸술폭사이드(DMSO), 술폴란 등의 설폭사이드 화합물; 트리에틸포스페이트, 트리부틸포스페이트 등의 포스페이트 화합물; 디메틸카보네이트, 에틸렌카보네이토 등의 카보네이트 화합물; 포름아미드, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, 아세트아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-(2-히드록시에틸)아세트아미드, 3-메톡시-N,N-디메틸프로피온아미드, 3-(2-에틸헥실옥시)-N,N-디메틸프로피온아미드, 3-부톡시-N,N-디메틸프로피온아미드 등의 아미드 화합물을 들 수 있으며, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
(b) 극성 유기 용매의 함량은 전체 조성물 총중량에 대해 60 내지 99 중량%를 사용하는 것이 바람직하다. 60 중량% 미만이면 용해력 저하가 발생할 수 있으며 탈이온수에 의한 린스 공정에서 레지스트의 재흡착/재부착이 발생할 수 있다. 또한 99 중량%를 초과하면 상대적으로 (a) 화학식 1로 나타내어지는 1차 아미노알코올의 함량이 줄어들어 박리력이 저하될 수 있다.
(c) 염기성 화합물
본 발명의 레지스트 박리액 조성물에 추가적으로 (c) 염기성 화합물이 포함 될 수 있다. 상기 (c) 염기성 화합물 (a) 화학식 1로 나타내어지는 1차 아미노알코올과 함께 사용되어 변질되거나 가교된 레지스트(resist)의 고분자 매트릭스에 강력하게 침투하여 분자 내 또는 분자간에 존재하는 결합을 깨뜨리는 역할을 도와주며, 기판에 잔류하는 레지스트 내의 구조적으로 취약한 부분에 빈 공간을 형성시켜 레지스트를 무정형의 고분자 겔(gel)덩어리 상태로 변형시킴으로써 기판 상부에 부착된 레지스트를 빠르게 제거 시킬 수 있도록 도와준다.
추가로 포함되는 (c) 염기성 화합물은 바람직하게는 KOH, NaOH, TMAH(Tetramethyl ammonium hydroxide), TEAH(Tetraethyl ammonium hydroxide), 탄산염, 인산염, 암모니아 및 아민류 등을 들을 수 있으며, 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상이 함께 사용될 수 있다.
상기 아민류에는 메틸아민, 에틸아민, 모노이소프로필아민, n-부틸아민, sec-부틸아민, 이소부틸아민, t-부틸아민, 펜틸아민 등의 1차 아민; 디메틸아민, 디에틸아민, 디프로필아민, 디이소프로필아민, 디부틸아민, 디이소부틸아민, 메틸에틸아민, 메틸프로필아민, 메틸이소프로필아민, 메틸부틸아민, 메틸이소부틸아민 등의 2차 아민; 디에틸 히드록시아민, 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리프로필아민, 트리부틸아민, 트리펜틸아민, 디메틸에틸아민, 메틸디에틸아민 및 메틸디프로필아민 등의 3차 아민; 콜린, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 모노프로판올아민, ２-아미노에탄올, ２-(에틸아미노)에탄올, ２-(메틸아미노)에탄올, N-메틸 디에탄올아민, N,N-디메틸에탄올아민, N,N-디에틸아미노에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)-1-에탄올, １-아미노-２-프로판올, 2-아미노-1-프로판올, 3-아미노-1-프로판올, 4-아미노-1-부탄올, 디부탄올아민 등의 알칸올아민; (부톡시메틸)디에틸아민, (메톡시메틸)디에틸아민, (메톡시메틸)디메틸아민, (부톡시메틸)디메틸아민, (이소부톡시메틸)디메틸아민, (메톡시메틸)디에탄올아민, (히드록시에틸옥시메틸)디에틸아민, 메틸(메톡시메틸)아미노에탄, 메틸(메톡시메틸)아미노에탄올, 메틸(부톡시메틸)아미노에탄올, 2-(2-이미노에톡시)-1-에탄올, 2-(2-아미노에톡시)에탄올 등의 알콕시아민; 디에틸히드록실아민, 디프로필히드록실아민, N-에틸-N-메틸히드록실아민 등의 히드록실아민; 1-(2-히드록시에틸)피페라진, 1-(2-아미노에틸)피페라진, 1-(2-히드록시에틸)메틸피페라진, N-(3-아미노프로필)모폴린, 2-메틸피페라진, 1-메틸피페라진, 1-아미노-4-메틸피페라진, 1-벤질 피페라진, 1-페닐 피페라진, N-메틸모폴린, 4-에틸모폴린, N-포름일모폴린, N-(2-히드록시에틸)모폴린, N-(3-히드록시프로필)모폴린 등의 환을 형성한 고리형아민 등이 있다.
상기 (c) 염기성 화합물은 전체 조성물 총중량 중 0.1 내지 20 중량%를 사용하는 것이 바람직하며, 0.1중량% 미만이면 (a) 화학식 1로 나타내어지는 1차 아미노알코올과 함께 박리력 개선 효과가 없으며, 20중량% 초과하면 구리 및 알루미늄을 포함하는 금속 막질에 대한 부식 정도가 심해진다.
(d) 부식 방지제
본 발명의 레지스트 박리액 조성물에 추가적으로 (d) 부식방지제가 포함 될 수 있다.
추가로 포함될 수 있는 (d) 부식 방지제는 벤조트리아졸, 톨리트리아졸, 메틸 톨리트리아졸, 2,2’-[[[벤조트리아졸]메틸]이미노]비스에탄올,2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메탄올, 2,2’-[[[에틸-1수소 벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스카르복시산, 2,2’- [[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메틸아민, 2,2’-[[[아민-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올과 같은 아졸계화합물과 1,2-벤조퀴논, 1,4-벤조퀴논, 1,4-나프토퀴논, 안트라퀴논과 같은 퀴논계화합물 그리고 카테콜, 파이로갈롤, 메틸갈레이트, 프로필갈레이트, 도데실갈레이트, 옥틸갈레이트, 및 갈릭산 등과 같은 알킬 갈레이트류 등이 있으며 이들은 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 d) 부식 방지제는 전체 조성물 총중량 중 0.001 내지 10 중량%를 사용하는 것이 바람직하며, 0.001 중량% 미만이면 구리 및 알루미늄을 포함하는 막질의 부식 방지력 효과를 얻기 어려우며, 10 중량% 초과하면 부식 방지제 증량에 따른 부식방지 효과의 상승을 얻을 수 없음으로 경제적으로 비효율적이다.
본 발명의 플랫 패널 디스플레이용 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 레지스트를 제거하는 방법으로는 침지법이 일반적이지만 기타의 방법, 예를 들면 분무법에 의한 방법을 사용할 수도 있다. 본 발명에 의한 조성물로 처리한 후의 세정제로는 알코올과 같은 유기용제를 사용할 필요가 없고 물로 세정하는 것만으로도 충분하다.
본 발명의 레지스트 박리액 조성물은 반도체 또는 전자제품, 특히 플랫 패널 디스플레이용 레지스트의 제거 공정에서 유용하게 사용될 수 있다.
이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 하기의 실시예는 본 발명의 범위 내에서 당업자에 의해 적절히 수정, 변경될 수 있다.
실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 4. 레지스트 박리액 조성물 제조
하기 표 1에 기재된 성분을 해당 조성비로 혼합하여 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 내지 4의 플랫 패널 디스플레이용 레지스트 박리액 조성물을 제조하였다.
구분 (a) 화학식 1의 아미노알코올 (b) 극성 유기용매 (c) 염기성 화합물 (d) 부식 방지제
종류 함량
(중량%)		 종류 함량
(중량%)		 종류 함량
(중량%)		 종류 함량
(중량%)
실시예1 3A4O 10 NMP 90 - - - -
실시예2 2A3H 10 NMF 90 - - - -
실시예3 3A4O 10 NMP
BDG		 60
30		 - - - -
실시예4 3A4O 10 NMP
EDG		 50
30		 MDEA 10 - -
실시예5 3A4O 10 NMP
EDG		 54.5
30		 AEE 5 BTA 0.5
실시예6 3A4O 10 NMP
EDG		 54
30		 MEA 5 BTA
MG		 0.5
0.5
비교예1 - - NMP
EDG		 60
30		 MDEA 10 - -
비교예 2 - - NMP
EDG		 64.5
30		 AEE 5 BTA 0.5
비교예 3 - - NMP
EDG		 64
30		 MEA 5 BTA
MG		 0.5
0.5
비교예4 - - NMP
EDG		 65
30		 MEA 5 - -
3A4O: 3-아미노-4-옥탄올
2A3H: 2-아미노-3-헥산올
NMP: N-메틸 피롤리돈
NMF: N-메틸 포름아미드
BDG: 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르
EDG: 디에틸렌글리콜 모노에틸 에테르
MDEA: N-메틸디에탄올아민
AEE: 2-(2-이미노에톡시)-1-에탄올
MEA: 모노에탄올아민
BTA: 벤조트리아졸
MG: 메틸갈레이트
실험예 : 레지스트 박리액 조성물의 특성 평가
실험예 1. 박리액의 박리력 평가
레지스트 박리용 조성물의 박리효과를 확인하기 위하여 통상적인 방법에 따라 유리 기판상에 박막 스퍼터링법을 사용하여 Mo/Al, Cu/Ti층을 형성한 후, 포토 레지스트 패턴을 형성시킨 이후, 습식 식각 및 건식 식각 방식에 의해 금속막을 에칭한 기판을 각각 준비하였다. 레지스트 박리용 조성물을 50℃로 온도를 일정하게 유지시킨 후, 1분간 대상물을 침적하여 박리력을 평가하였다. 이후 기판상에 잔류하는 박리액의 제거를 위해서 순수로 1분간 세정을 실시하였으며, 세정 후 기판 상에 잔류하는 순수를 제거하기 위하여 질소를 이용하여 기판을 완전히 건조시켰다. 상기 기판의 변성 또는 경화 레지스트 및 건식 식각 잔사 제거 성능은 주사 전자현미경(SEM, Hitach S-4700)을 이용하여 확인하고, 그 결과를 하기 표 2에 나타냈으며 매우 양호는 ◎, 양호는 ○, 보통은 △, 불량은 ×로 표시하였다.
실험예 2. 박리액 금속 배선 방식력 평가
레지스트 박리액 조성물의 금속배선에 대한 부식 방지능력을 평가는 Mo/Al과 Cu/Ti 배선이 노출된 기판을 사용하였으며 박리액 조성물을 50℃로 온도를 일정하게 유지시키고 상기 기판을 30분간 침적시킨 후, 세정 및 건조를 거쳐 주사 전자현미경(SEM, Hitach S-4700)을 이용하여 평가하였다. 그 결과를 하기의 표 2에 나타냈으며 매우 양호는 ◎, 양호는 ○, 보통은 △, 불량은 ×로 표시하였다.
실험예 3. 박리액의 레지스트 용해력 평가
레지스트 박리액의 성능을 표현하는 방법 중의 하나로 얼마나 많은 양의 레지스트가 도포된 기판을 박리할 수 있는지를 처리매수/처리용량 평가라 한다. 이를 위한 평가 방법으로 고형화된 레지스트(130?에서 3일간 열처리를 통해 용매를 모두 제거시켜 고형화 시킨 레지스트) 5 중량%를 50?에서 1시간 동안 500rpm 동일 조건으로 용해 시킨 후 남은 잔량을 필터페이퍼로 여과하여 무게를 측정 후 용해된 용해도를 %로 계산하였다. 그 수치가 높을수록 높은 레지스트 용해력을 나타내며 처리매수/처리용량이 높다라고 판단할 수 있다. 그 결과를 하기 표 2, 도 1 및 도 2에 나타내었다.
구분 박리력 방식력 용해도(%)
Al Cu
실시예1 ○ ◎ ◎ 98.5%
실시예2 ○ ◎ ◎ 98.6%
실시예3 ○ ◎ ◎ 98.5%
실시예4 ○ ○ ○ 98.7%
실시예5 ◎ ◎ ◎ 98.7%
실시예6 ◎ ◎ ◎ 98.6%
비교예1 X ○ ○ 82.5%
비교예2 ◎ ◎ ◎ 83.0%
비교예3 ◎ ◎ ◎ 81.9%
비교예4 ◎ X X 82.4%
상기 표 2의 실험 결과로부터, 본 발명의 박리액 조성물인 실시예 1 내지6 의 조성물은 비교예 1 내지 4의 조성물과 비교하여, 레지스트 제거력이 우수할 뿐만 아니라, 알루미늄 및 구리에 대한 방식성도 모두 우수하며, 고형화된 레지스트에 대한 용해력도 매우 우수한 것을 확인할 수 있었다.

Claims (8)

  1. (a) 하기 화학식 1로 표시되는 1차 아미노알코올: 및
    (b) 극성 유기용제를 포함하며,
    상기 (a) 화학식 1로 표시되는 1차 아미노알코올은 3-아미노-2-부탄올, 2-아미노-3-펜탄올, 2-아미노-3-헥산올, 2-아미노-3-헵탄올 및 3-아미노-4-옥탄올로 구성되는 군에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물:
    (화학식 1)
    Figure 112019021358249-pat00004

    상기 화학식 1에서, R1 및 R2는 C1~C5의 알킬기이다.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 조성물 총 중량에 대하여,
    상기 (a) 화학식 1로 표시되는 1차 아미노알코올 1 내지 40 중량%: 및
    상기 (b) 극성 유기용제 60 내지 99 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  3. 삭제
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 극성 유기용제는 양자성 극성용매, 비양자성 극성용매 또는 이들의 혼합물이며,
    상기 양자성 극성용매는, 에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 디에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노에틸 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노이소프로필 에테르, 트리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜 모노메틸 에테르, 폴리에틸렌글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 트리프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 및 테트라하이드로퍼푸릴 알코올로 구성되는 군에서 선택되는 하나 이상이며,
    상기 비양자성 극성용매는, Ｎ-메틸 피롤리돈(NMP), Ｎ-에틸 피롤리돈, １,3-디메틸-２-이미다졸리디논, 1,３-디프로필-２-이미다졸리디논, γ―부티로락톤, 디메틸술폭사이드(DMSO), 술폴란, 트리에틸포스페이트, 트리부틸포스페이트, 디메틸카보네이트, 에틸렌카보네이토, 포름아미드, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, 아세트아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-(2-히드록시에틸)아세트아미드, 3-메톡시-N,N-디메틸프로피온아미드, 3-(2-에틸헥실옥시)-N,N-디메틸프로피온아미드 및 3-부톡시-N,N-디메틸프로피온아미드로 구성되는 군에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  5. 청구항 1에 있어서,
    (c) 염기성 화합물, (d) 부식방지제 또는 이들의 혼합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 (c) 염기성 화합물은 KOH, NaOH, TMAH(Tetramethyl ammonium hydroxide), TEAH(Tetraethyl ammonium hydroxide), 탄산염, 인산염, 암모니아 및 아민류로 구성된 군에서 선택되는 하나 이상이며,
    상기 아민류는 메틸아민, 에틸아민, 모노이소프로필아민, n-부틸아민, sec-부틸아민, 이소부틸아민, t-부틸아민, 펜틸아민, 디메틸아민, 디에틸아민, 디프로필아민, 디이소프로필아민, 디부틸아민, 디이소부틸아민, 메틸에틸아민, 메틸프로필아민, 메틸이소프로필아민, 메틸부틸아민, 메틸이소부틸아민, 디에틸 히드록시아민, 트리메틸아민, 트리에틸아민, 트리프로필아민, 트리부틸아민, 트리펜틸아민, 디메틸에틸아민, 메틸디에틸아민, 메틸디프로필아민, 콜린, 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 모노프로판올아민, ２-아미노에탄올, ２-(에틸아미노)에탄올, ２-(메틸아미노)에탄올, N-메틸 디에탄올아민, N,N-디메틸에탄올아민, N,N-디에틸아미노에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)-1-에탄올, １-아미노-２-프로판올, 2-아미노-1-프로판올, 3-아미노-1-프로판올, 4-아미노-1-부탄올, 디부탄올아민, (부톡시메틸)디에틸아민, (메톡시메틸)디에틸아민, (메톡시메틸)디메틸아민, (부톡시메틸)디메틸아민, (이소부톡시메틸)디메틸아민, (메톡시메틸)디에탄올아민, (히드록시에틸옥시메틸)디에틸아민, 메틸(메톡시메틸)아미노에탄, 메틸(메톡시메틸)아미노에탄올, 메틸(부톡시메틸)아미노에탄올, 2-(2-이미노에톡시)-1-에탄올, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, 디에틸히드록실아민, 디프로필히드록실아민, N-에틸-N-메틸히드록실아민, 1-(2-히드록시에틸)피페라진, 1-(2-아미노에틸)피페라진, 1-(2-히드록시에틸)메틸피페라진, N-(3-아미노프로필)모폴린, 2-메틸피페라진, 1-메틸피페라진, 1-아미노-4-메틸피페라진, 1-벤질 피페라진, 1-페닐 피페라진, N-메틸모폴린, 4-에틸모폴린, N-포름일모폴린, N-(2-히드록시에틸)모폴린 및 N-(3-히드록시프로필)모폴린으로 구성된 군에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  7. 청구항 5에 있어서,
    상기 (d) 부식 방지제는 벤조트리아졸, 톨리트리아졸, 메틸 톨리트리아졸, 2,2’-[[[벤조트리아졸]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메탄올, 2,2’-[[[에틸-1수소 벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2’-[[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스카르복시산, 2,2’- [[[메틸-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메틸아민, 2,2’-[[[아민-1수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 1,2-벤조퀴논, 1,4-벤조퀴논, 1,4-나프토퀴논, 안트라퀴논, 카테콜, 파이로갈롤, 메틸갈레이트, 프로필갈레이트, 도데실갈레이트, 옥틸갈레이트 및 갈릭산으로 구성된 군에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 조성물.
  8. 청구항 1, 2, 4 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 기재된 레지스트 박리액 조성물을 사용하여 플랫 패널 디스플레이 기판을 세정하는 공정을 포함하는 플랫 패널 디스플레이 기판의 제조방법.
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