CN105824201B - 抗蚀剂剥离剂组合物 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种抗蚀剂剥离剂组合物，该抗蚀剂剥离剂组合物能使剥离过程中金属线的腐蚀最小化，显示出优异的抗蚀剂去除性能，并且提高了能处理的基板数。

Description

抗蚀剂剥离剂组合物

技术领域

本发明涉及一种抗蚀剂剥离剂组合物，并且更具体地涉及一种在抗蚀剂剥离过程中能表现出优异的剥离能力同时使金属线的腐蚀最小化的抗蚀剂剥离剂组合物。

背景技术

抗蚀剂(光致抗蚀剂)基本上用于光刻工艺。这种光刻工艺通常用于制造：半导体器件，诸如集成电路(IC)、大规模集成(LSI)、超大规模集成(VLSI)等；和图像显示器，诸如液晶显示器(LCD)和平板显示器(例如，等离子体显示器(PDP))。

随着近来对表现出高的分辨率和高的线上信号速度的LCD的需求，其处理条件已经变得更加严格。因此，在去除抗蚀剂的剥离过程中使用的剥离剂必须表现出改进的性能。

在光刻处理之后，在高温下使用剥离液去除抗蚀剂。当以这种方式在高温下去除抗蚀剂时，下层金属膜会由于剥离液而不利地快速腐蚀。因此，为了在蚀刻过程之后去除蚀刻残留物并且抑制金属线的腐蚀，需要相当高的剥离能力。特别是，需要同时对Al和Cu的耐腐蚀性，并且也存在盈利需求(包括提高能处理的基板数)以保证价格竞争力。

为了去除抗蚀剂，通常有用的是：水溶性有机胺，诸如单乙醇胺或单异丙醇胺；有机溶剂，诸如γ-丁内酯和DMSO。而且，为了抑制由胺造成的金属腐蚀，可以应用任何类型的腐蚀抑制剂，诸如儿茶酚、间苯二酚或苯并三唑，并且设计出包含上述腐蚀抑制剂的光致抗蚀剂剥离剂组合物。

然而，已知传统的光致抗蚀剂剥离剂组合物在耐腐蚀性、能处理的基板数以及处理稳定性和储存稳定性方面有问题。例如，公布号为10-2006-0117666的韩国专利申请公开了必需使用两种或更多种腐蚀抑制剂来防止金属线腐蚀。因此，在剥离过程之后剥离剂留在线上的可能性可能会增加，并且，在长期储存时，剥离剂可能会褪色，并且剥离时间可能会增加，从而不利地使剥离剂的性能变差。

[引用列表]

[专利文献]

(专利文献1)韩国专利申请公布号10-2006-0117666

发明内容

因此，考虑到相关技术中遇到的问题作出了本发明，并且本发明的一个目的是提供一种抗蚀剂剥离剂组合物，该抗蚀剂剥离剂组合物在抗蚀剂剥离过程中可表现出对包括Al、Cu等的金属线突出的耐腐蚀性，并且还具有高的抗蚀剂去除性能。

本发明的另一个目的是提供一种抗蚀剂剥离剂组合物，该抗蚀剂剥离剂组合物能够处理大量基板，并且在冲洗过程中具有优异的冲洗能力。

为了实现上述目的，本发明提供一种抗蚀剂剥离剂组合物，包含：(A)N-乙基甲酰胺；和(B)由下面化学式1表示的胺化合物：

[化学式1]

在化学式1中，R₁和R₂各自独立地为C1～C5烷基、C1～C5羟烷基或C1～C5氨烷基，并且R₁和R₂能连接以形成进一步含有N或O的环。

根据本发明，抗蚀剂剥离剂组合物在去除抗蚀剂时非常有效，从而有利于去除抗蚀剂残留物。此外，包含Al和/或Cu的金属线在剥离过程中不被破坏，并且腐蚀能被最小化。并且，能处理大量基板，从而显著有助于降低成本。

具体实施方式

在下文中，将给出本发明的详细描述。

本发明涉及一种抗蚀剂剥离剂组合物，包含：(A)N-乙基甲酰胺；和(B)由下面化学式1表示的胺化合物：

[化学式1]

在化学式1中，R₁和R₂各自独立地为C1～C5烷基、C1～C5羟烷基或C1～C5氨烷基，并且R₁和R₂能连接以形成进一步含有N或O的环。

下面是各个成分的描述。

(A)N-乙基甲酰胺

根据本发明，抗蚀剂剥离剂组合物包含N-乙基甲酰胺(A)。N-乙基甲酰胺的功能是溶解由化学式1表示的胺化合物(B)凝胶化的抗蚀剂聚合物。而且，N-乙基甲酰胺是水溶性的，有利于在冲洗过程中使用去离子水(DIW)去除抗蚀剂剥离剂，并且使剥离剂和已溶解的抗蚀剂的再吸附和再附着最小化。N-乙基甲酰胺能够溶解过量的抗蚀剂，从而提高能处理的基板数。此外，N-乙基甲酰胺具有200℃或更高的沸点，其特征在于挥发度低，因而在长期处理中减少剥离剂的损失，从而产生经济效益。

在N-乙基甲酰胺(A)与除根据本发明的由化学式1表示的胺化合物(B)之外的胺化合物混合的情况下，抗蚀剂剥离能力可能会随时间推移而变差。然而，当N-乙基甲酰胺(A)与根据本发明的由化学式1表示的胺化合物一起使用时，剥离能力不会随时间推移而变差。即使当使用少量的这种成分时，也可以确保快速剥离能力。

N-乙基甲酰胺(A)的量没有特别限制，但基于抗蚀剂剥离剂组合物的总重量，优选设置为10～99.9wt％，并更优选为50～99wt％。如果其量少于10wt％，则抗蚀剂溶解度可能会降低，使得难以提高能处理的基板数。相反，如果其量超过99.9wt％，则其它成分的相对含量可能会降低，使得不能保证剥离性能。

(B)由化学式1表示的胺化合物

根据本发明，抗蚀剂剥离剂组合物包括由下面化学式1表示的胺化合物(B)。

[化学式1]

在化学式1中，R₁和R₂各自独立地为C1～C5烷基、C1～C5羟烷基或C1～C5氨烷基，并且R₁和R₂能连接以形成进一步含有N或O的环。

由化学式1表示的胺化合物(B)可以很容易地渗入抗蚀剂的聚合物基体中，该聚合物基体在干蚀刻、湿蚀刻、灰化或离子注入的工艺条件下降解或交联，从而破坏分子内键或分子间键。另外，残留在基板上的抗蚀剂的结构上弱的部分中形成空位(empty space)，由此抗蚀剂可被转变成无定形聚合物凝胶块，因而可被容易地去除掉。

与当仅使用伯胺化合物时相比，当由化学式1表示的胺化合物(B)与N-乙基甲酰胺(A)一起使用时，剥离能力没有降低。因此，可以提供具有高剥离能力的抗蚀剂剥离剂。

由化学式1表示的胺化合物的具体实例可以包括，但不限于：选自N,N-二甲胺、N,N-二乙胺、N,N-二丙胺、二亚乙基三胺、2-(羟甲基)氨基乙醇、2-(甲氨基)乙醇、2-(乙氨基)乙醇、N,N-二乙醇胺、哌啶、哌嗪、N-(2-氨乙基)甲醇胺、N-(2-氨乙基)乙醇胺、N-(2-氨乙基)丙醇胺、N-(2-氨乙基)丁醇胺和N-(3-氨丙基)乙醇胺中的至少一种。

基于抗蚀剂剥离剂组合物的总重量，由化学式1表示的胺化合物(B)的使用量优选为0.1～10wt％，更优选为0.3～5wt％。如果由化学式1表示的胺化合物的量低于0.1wt％，则抗蚀剂剥离剂的剥离能力可能会降低，使得难以确保快速剥离性能。相反，如果其量超过10wt％，则金属线可能会被腐蚀。

根据本发明，除上面的成分之外，抗蚀剂剥离剂组合物还可以包含选自(C)腐蚀抑制剂、(D)极性溶剂和(E)去离子水中的至少一种。

将腐蚀抑制剂(C)添加到抗蚀剂剥离剂组合物，因此可以增强防止包括Al和/或Cu的金属线腐蚀的能力。而且，在冲洗过程中防止抗蚀剂残留物的再吸附，从而提高冲洗能力。虽然腐蚀抑制剂没有特别限制，但优选有用的是由下面化学式2表示的叔胺腐蚀抑制剂：

[化学式2]

在化学式2中，R₃～R₅各自独立地为羟基、C1～C5烷基或C1～C5羟烷基。

在化学式2中，R₃～R₅中的至少一个优选为羟基或羟烷基。这样，抗蚀剂剥离剂组合物的挥发度可能会降低，由此即使当长时间使用时抗蚀剂剥离剂也可以是稳定的并具有成本效益。

由化学式2表示的叔胺腐蚀抑制剂的具体实例可以包括，但不限于：选自N-甲基二乙醇胺、二甲基乙醇胺、三乙醇胺、N,N-二乙基羟胺、N,N-二乙基乙醇胺和3-二甲氨基-1-丙醇中的至少一种。

根据本发明，除由化学式2表示的叔胺腐蚀抑制剂之外，抗蚀剂剥离剂组合物的腐蚀抑制剂(C)还可以包括另外的腐蚀抑制剂。上述另外的腐蚀抑制剂的具体实例包括，但不限于：

单羧酸，诸如甲酸、乙酸和丙酸；

二羧酸，诸如草酸、丙二酸、琥珀酸、谷氨酸、己二酸、庚二酸、马来酸、富马酸和戊烯二酸；

三羧酸，诸如偏苯三酸(trimellitic acid)和丙三酸；

有机酸，诸如羟基乙酸、乳酸、水杨酸、苹果酸、酒石酸、柠檬酸、葡糖酸和羟基羧酸；

有机酸酰胺酯，诸如琥珀酸酰胺酯、苹果酸酰胺酯、马来酸酰胺酯、富马酸酰胺酯、草酸酰胺酯、丙二酸酰胺酯、戊二酸酰胺酯、乙酸酰胺酯、乳酸酰胺酯、柠檬酸酰胺酯、酒石酸酰胺酯、乙醇酸酰胺酯(glucolic amide ester)、甲酸酰胺酯和尿酸酰胺酯；

唑化合物，诸如苯并三唑、甲苯基三唑、甲基甲苯基三唑、2,2’-[[[苯并三唑]甲基]亚氨基]双乙醇、2,2’-[[[甲基-1H-苯并三唑-1-基]甲基]亚氨基]双甲醇、2,2’-[[[乙基-1H-苯并三唑-1-基]甲基]亚氨基]双乙醇、2,2’-[[[甲基-1H-苯并三唑-1-基]甲基]亚氨基]双乙醇、2,2’-[[[甲基-1H-苯并三唑-1-基]甲基]亚氨基]双羧酸、2,2’-[[[甲基-1H-苯并三唑-1-基]甲基]亚氨基]双甲胺、2,2’-[[[胺-1H-苯并三唑-1-基]甲基]亚氨基]双乙醇、4-甲基-1H-苯并三唑、6-甲基-4,5,6,7-四氢-1H-苯并[1,2,3]三唑、4-甲基-4,5,6,7-四氢-1H-苯并[1,2,3]三唑、5-甲基-4,5,6,7-四氢-1H-苯并[1,2,3]三唑、5,6-二甲基-4,5,6,7-四氢-1H-苯并[1,2,3]三唑、4,6-二甲基-4,5,6,7-四氢-1H-苯并[1,2,3]三唑和5-甲基-1H-苯并三唑；以及

对称的酚化合物，诸如2,6-二甲基苯酚、2,4,6-三甲基苯酚、2,6-二乙基苯酚、2,6-二乙基-4-甲基苯酚、2,6-二丙基苯酚、2,6-三丙基-4-甲基苯酚、2,6-二叔丁基苯酚、2,4,6-三叔丁基苯酚和2,6-二叔丁基-4-甲基苯酚。

上述腐蚀抑制剂可以单独使用或以两种或更多种的组合使用。

基于根据本发明的抗蚀剂剥离剂组合物的总重量，腐蚀抑制剂(C)的使用量优选为5wt％或更少但超过0wt％，更优选为0.001～3wt％。当其量落入上面范围内时，可以在剥离过程或DIW冲洗过程中防止包括Al或Al合金、Cu或Cu合金和其它金属的金属线腐蚀，而且，不会留下残留物。

极性溶剂(D)可以包括质子极性溶剂和非质子极性溶剂，它们可单独使用或组合使用。极性溶剂的功能是与N-乙基甲酰胺一起溶解凝胶化的抗蚀剂聚合物，并且提高已溶胀并分散的抗蚀剂的溶解速率。在抗蚀剂剥离后的DIW冲洗过程中，极性溶剂有利于用水去除剥离剂，从而使剥离剂和抗蚀剂的再吸附和再附着最小化。也就是说，可提高冲洗能力，从而缩短DIW冲洗处理时间并防止杂质残留。

为了解决金属膜上可能出现的污染(staining)问题，当添加质子极性溶剂时，可以在DIW冲洗过程中完全排除这样的污染。极性溶剂优选具有既不过高也不过低的沸点以获得合适的剥离能力，并且可以以混合物的形式使用。

质子极性溶剂的优选实例包括，但不限于：

亚烷基二醇单烷基醚，诸如乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单异丙醚、乙二醇单丁醚、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单异丙醚、二乙二醇单丁醚、三乙二醇单甲醚、三乙二醇单乙醚、三乙二醇单异丙醚、三乙二醇单丁醚、聚乙二醇单甲醚、聚乙二醇单丁醚、丙二醇单甲醚、二丙二醇单甲醚和三丙二醇甲基醚；

亚烷基二醇二烷基醚，诸如乙二醇二甲醚、二乙二醇二甲醚和三乙二醇二甲醚；

醇，诸如聚乙二醇、聚丙二醇、4-羟甲基-1,3-二氧戊环、4-羟甲基-2,2-二甲基-1,3-二氧戊环和四氢糠醇；以及

亚烷基二醇烷基醚乙酸酯，诸如丙二醇单甲醚乙酸酯。

上述质子极性溶剂可以单独使用或以两种或更多种的组合使用。

同时，非质子极性溶剂的功能是溶解由化学式1表示的胺化合物(B)凝胶化的抗蚀剂聚合物，并且有效地分散和溶解光致抗蚀剂。非质子极性溶剂是使光致抗蚀剂高效溶解，并且使由化学式1表示的胺化合物快速渗入固化的光致抗蚀剂中的有机溶剂，从而提高剥离性能。

非质子极性溶剂的优选实例可以包括：吡咯烷酮化合物，诸如N-甲基吡咯烷酮(NMP)和N-乙基吡咯烷酮；咪唑啉酮化合物，诸如1,3-二甲基-2-咪唑啉酮和1,3-二丙基-2-咪唑啉酮；内酯化合物，如γ-丁内酯；亚砜化合物，诸如二甲基亚砜(DMSO)和环丁砜；磷酸酯化合物，诸如磷酸三乙酯和磷酸三丁酯；碳酸酯化合物，诸如碳酸二甲酯和碳酸亚乙酯；以及酰胺化合物，诸如甲酰胺、N-甲基甲酰胺、N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二乙基甲酰胺、乙酰胺、N-甲基乙酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-(2-羟乙基)乙酰胺、3-甲氧基-N,N-二甲基丙酰胺、3-(2-乙基己氧基)-N,N-二甲基丙酰胺和3-丁氧基-N,N-二甲基丙酰胺，其中，它们可以单独使用或以两种或更多种组合使用。

在本发明中，极性溶剂的量没有特别限制，但基于抗蚀剂剥离剂组合物的总重量，优选设置为5～85wt％，并更优选为10～70wt％。如果其量少于5wt％，则将已溶解的抗蚀剂混入溶液中的能力可能会降低，从而不利地减少可处理的基板数。相反，如果其量超过85wt％，则其它成分的量可能会减少，从而不利地损坏基板并对剥离能力产生负面影响。

去离子水(E)有利于由化学式1表示的胺化合物(B)的活化，从而提高剥离速率；并且可以与N-乙基甲酰胺(A)和极性溶剂(D)混合，从而在DIW冲洗过程中快速并完全地从基板上去除抗蚀剂剥离剂和有机杂质。

在本发明中，基于抗蚀剂剥离剂组合物的总重量，DIW的量优选为50w％或更少，但超过0wt％，并且更优选为5～30wt％。如果DIW的量超过50wt％，则溶解的抗蚀剂的量可能会减少，从而不利地减少能处理的基板数。在基板长时间浸入其中的情况中，金属线可能会被腐蚀。

在本发明中，可以通过以预定量混合上述成分来制备抗蚀剂剥离剂组合物。混合方法没有特别限制，并且在本发明的范围内可以应用各种已知的方法。

通过以下实施例和比较例可以更好地理解本发明，以下实施例和比较例用于说明而提出，不应解释为限制本发明。

<实施例和比较例>

实施例1～13和比较例1～8：抗蚀剂剥离剂组合物的制备

通过以下面表1所示的量混合成分来制备抗蚀剂剥离剂组合物。

[表1]

(单位：wt％)

注解)在表1中，

AEEA：N-(2-氨乙基)乙醇胺

APEA：N-(3-氨丙基)乙醇胺

MAE：2-(甲胺基)乙醇

HMAE：2-(羟甲基)氨基乙醇

PRZ：哌嗪

MEA：单乙醇胺

AEE：2-(2-氨乙氧基)乙醇

MIPA：单异丙醇胺

MDEA：N-甲基二乙醇胺

TEA：三乙醇胺

DEHA：N,N-二乙基羟胺

DMEA：N,N-二甲基乙醇胺

BTA：苯并三唑

TTA：甲苯基三唑

MTBT：4-甲基-4,5,6,7-四氢-1H-苯并[1,2,3]三唑

DMTBT：5,6-二甲基-4,5,6,7-四氢-1H-苯并[1,2,3]三唑

NMP：N-甲基吡咯烷酮

NMF：N-甲基甲酰胺

MDG：二乙二醇单甲醚

HMDM：4-羟甲基-2,2-二甲基-1,3-二氧戊环

THFA：四氢糠醇

EDG：二乙二醇单乙醚

DMAc：N,N-二甲基乙酰胺

DEF：N,N-二乙基甲酰胺

DMPA：N,N-二甲基丙酰胺

<测试例>抗蚀剂剥离剂组合物的性能评估

测试例1：剥离能力的评估

为了评估实施例1～13和比较例1～8的抗蚀剂剥离剂组合物的剥离效果，进行了以下测试。

根据典型的方法，使用旋涂器将抗蚀剂涂布在玻璃基板上。在170℃下使涂覆有抗蚀剂的基板硬化烘烤10分钟，从而制备2cm×2cm大小的试样。使各剥离剂组合物保持在50℃，将试样浸入其中，并用肉眼观察从试样上剥离抗蚀剂所需的时间，从而测量剥离能力。结果示于下面表2。

<剥离能力的评估标准>

◎：抗蚀剂去除时间少于3分钟

○：抗蚀剂去除时间少于3～5分钟

△：抗蚀剂去除时间少于5～8分钟

×：抗蚀剂去除时间为8分钟或更长

测试例2：随着时间推移剥离均匀性的评估

为了评估抗蚀剂剥离剂组合物的剥离均匀性，进行了以下测试。

将实施例1～13和比较例1～8的抗蚀剂剥离剂在室温下储存10天，然后测量它们的剥离能力。以下面方式评估表明剥离能力保持的程度的剥离均匀性：将测试例1中使用的基板浸入保持在50℃下的抗蚀剂剥离剂组合物中，并用肉眼观察从其上剥离抗蚀剂所需的时间。结果示于下面表2。

<剥离均匀性的评估标准>

◎：抗蚀剂去除时间少于3分钟

○：抗蚀剂去除时间少于3～5分钟

△：抗蚀剂去除时间少于5～8分钟

×：抗蚀剂去除时间为8分钟或更长

测试例3：金属线的耐腐蚀性的评估

为了评估使用实施例1～13和比较例1～8的抗蚀剂剥离剂组合物时金属线的耐腐蚀性，进行了以下测试。

使用具有暴露的Mo/Al/Mo线和Cu/Ti线的基板，使各抗蚀剂剥离剂组合物的温度保持在50℃，并且将基板浸入其中达30分钟，随后冲洗并干燥。此后，使用扫描电子显微镜(SEM，日立S-4700)来评估耐腐蚀性。结果示于下面表2。

<耐腐蚀性的评估标准>

◎：优异

○：良好

△：一般

×：不好

测试例4：溶解度(能处理的基板数)的评估

为了评估实施例1～13和比较例1～8的抗蚀剂剥离剂组合物的溶解度(能处理的基板数)，进行了以下测试。

将5wt％的固化光致抗蚀剂(PR)添加到各抗蚀剂剥离剂组合物中，然后以300rpm溶解30分钟，其后使用滤纸过滤残留的PR并随后称重，由此计算出溶解量。5wt％的PR完全溶解并没有任何残留的情况被评估为100％。数值上升表明PR的溶解量更大，因而认为能处理的基板数更多。结果示于下面表2。

测试例5：冲洗能力的评估

为了评估冲洗能力，进行了以下测试，其中冲洗能力表示由DIW与剥离剂(在剥离过程后含有已溶解的抗蚀剂残留物)之间的接触而造成的在基板上的污染程度。

准备抗蚀剂图案化的基板，将其浸入50℃的实施例1～13和比较例1～8的剥离剂组合物中达5分钟，从剥离剂组合物中取出，进行气刀处理，与DIW接触，静置1分钟，然后用DIW冲洗1分钟。其后，为了从经冲洗的基板上去除DIW，使用氮气完全干燥基板，并且使用卤灯检查它们的污染程度。结果示于下面表2。

<冲洗能力的评估标准>

◎：优异

○：良好

△：一般

×：不好

测试例6：挥发度的评估

为了评估由长期使用时的挥发造成的抗蚀剂剥离剂的消失，进行了以下的测试。

使实施例1～13和比较例1～8的剥离剂组合物保持在50℃下，并静置24小时，其后测量它们的挥发量，随后计算它们的消失，即，挥发度。所得到的数值越低，认为挥发度就越低，从而预计处理损失就越少，从而确保抗蚀剂剥离剂的稳定性和成本效益。结果示于下面表2。

挥发度(％)＝{(抗蚀剂剥离剂的初始质量)-(24小时后抗蚀剂剥离剂的质量)/抗蚀剂剥离剂的初始质量}*100

[表2]

从表2的测试结果看出，根据本发明的实施例1～13的抗蚀剂剥离剂组合物显示出适当的剥离能力和剥离均匀性。而且，用于评估能处理的基板数的溶解度、冲洗能力和挥发度被评估为优异。而且，诸如Al、Mo、Cu和Ti的金属线的耐腐蚀性优异。

然而，比较例1～8的剥离剂组合物表现出不好或不合适的剥离能力和剥离均匀性。此外，对于Al线和Cu线的金属线的耐腐蚀性特别不好。在比较例4中，用于评估能处理的基板数的溶解度被测定为80％或更低，这被认为是非常不好。与实施例的结果相比，冲洗能力和挥发度不好或在一些情况下非常不合适。

虽然本发明的优选实施方式已被公开用于说明的目的，但本领域技术人员将理解不脱离所附权利要求书中公开的本发明的范围和精神下的各种修改、增加和替换都是可能的。

Claims (11)

1.一种抗蚀剂剥离剂组合物，包含：

(A)N-乙基甲酰胺；和

(B)由下面化学式1表示的胺化合物：

[化学式1]

在化学式1中，R₁和R₂各自独立地为C1～C3烷基、C1～C3羟烷基或C1～C3氨烷基，并且

R₁和R₂能连接以形成进一步含有N或O的环。

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂剥离剂组合物，还包含(C)腐蚀抑制剂。

3.根据权利要求1所述的抗蚀剂剥离剂组合物，基于所述抗蚀剂剥离剂组合物的总重量，包含：10～99.9wt％的N-乙基甲酰胺(A)；和0.1～10wt％的由化学式1表示的胺化合物(B)。

4.根据权利要求2所述的抗蚀剂剥离剂组合物，其中，所述腐蚀抑制剂(C)包括由下面化学式2表示的叔胺腐蚀抑制剂：

[化学式2]

在化学式2中，R₃～R₅各自独立地为羟基、C1～C5烷基或C1～C5羟烷基。

5.根据权利要求2所述的抗蚀剂剥离剂组合物，其中，基于所述抗蚀剂剥离剂组合物的总重量，所述腐蚀抑制剂的使用量为5wt％或更少，但超过0wt％。

6.根据权利要求1所述的抗蚀剂剥离剂组合物，还包含选自极性溶剂和去离子水中的至少一种。

7.根据权利要求4所述的抗蚀剂剥离剂组合物，其中，除由化学式2表示的所述叔胺腐蚀抑制剂之外，所述腐蚀抑制剂(C)还包括另外的腐蚀抑制剂。

8.根据权利要求6所述的抗蚀剂剥离剂组合物，其中，基于所述抗蚀剂剥离剂组合物的总重量，所述极性溶剂的使用量为5～85wt％。

9.根据权利要求6所述的抗蚀剂剥离剂组合物，其中，基于所述抗蚀剂剥离剂组合物的总重量，所述去离子水的使用量为50wt％或更少，但超过0wt％。

10.根据权利要求7所述的抗蚀剂剥离剂组合物，其中，所述另外的腐蚀抑制剂包括选自有机酸、有机酸酰胺酯、唑化合物和对称的酚化合物中的至少一种。

11.根据权利要求6所述的抗蚀剂剥离剂组合物，其中，所述极性溶剂包括选自亚烷基二醇单烷基醚、亚烷基二醇二烷基醚、醇、亚烷基二醇烷基醚乙酸酯、吡咯烷酮化合物、咪唑啉酮化合物、内酯化合物、亚砜化合物、磷酸酯化合物、碳酸酯化合物和酰胺化合物中的至少一种。