KR101213735B1 - 포토레지스트 박리액 조성물 - Google Patents

포토레지스트 박리액 조성물 Download PDF

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Abstract

본 발명은 포토레지스트 박리액 조성물에 관한 것으로, 고리형 아민, 용제 및 박리 촉진제를 포함하는 포토레지스트 박리액 조성물을 제공한다. 또한, 본 발명은 고리형 아민, 용제, 부식 방지제 및 박리 촉진제를 포함하는 포토레지스트 박리액 조성물을 제공한다.
본 발명의 포토레지스트 박리액 조성물은 현재 LCD 모듈 제작에서 이소프로필알콜(이하,'IPA'라 함) 린스를 적용하는 일반적인 공정뿐만 아니라, IPA 린스 공정을 생략하는 최근의 공정에 적용시 금속배선에 대한 추가적인 부식 영향이 없으면서, 특히 박리력을 크게 향상시킬 수 있다.

Description

포토레지스트 박리액 조성물 {Composition for removing a photoresist}
본 발명은 금속 배선 형성을 위해 사용되어지는 포토레지스트를 제거하기 위한 고리형 아민, 용제를 포함하는 2성분계 이상의 박리액 또는 상기 조성에 갈바닉 효과에 의한 부식 등을 막기 위한 부식방지제를 포함하는 3성분계 이상의 박리액에 박리 촉진제를 첨가함으로써 박리액 조성물의 박리력을 향상시킬 수 있는 포토레지스트 제거용 박리액 조성물에 관한 것이다.
집적회로(IC), 고집적회로(LSI), 초고집적회로(VLSI) 등의 반도체 디바이스와 액정표시장치(LCD) 등의 제조 공정에는 금속 배선의 형성을 위하여 포토리소그라피(Photo-lithography) 공정이 사용되어지고 있다.
이러한 포토레지스트 공정에 사용되어진 레지스트를 제거하기 위하여 산업 초기에는 페놀 및 그 유도체와 알킬벤젠설폰산 및 염화계 유기용제로 구성된 용액이 이용되었다. 그러나 이러한 박리제는 페놀계 화합물과 염소계 유기용제를 함유하고 있기 때문에 독성이 있고 하부 메탈층에 부식이 있으며 폐액 처리가 어렵고 비수용성이므로 박리 후 린스 공정이 복잡해지는 것을 면하기 어려웠다.
또한 가공되는 금속 배선의 미세화 경향으로 금속과 산화막의 에칭조건이 가혹해지고 있어 포토레지스트의 손상이 커지며 레지스트가 변질된다. 이러한 이유로 유기용제로 처리해도 레지스트가 기판상에 남아있기 때문에 잔류물이 없도록 높은 박리력을 가진 조성물이 요구된다.
이러한 단점을 개선하기 위해 유기 아민과 용제로 구성되는 수용성 박리제가 제안되어 사용되고 있다.
유기 아민과 용제로 구성되는 박리액의 경우 현재 대부분의 공정에서 사용되어지고 있는 박리액의 기본 조합으로 알려져 있다. 그러나 금속 배선의 변화는 시시각각 빠른 속도로 이루이지고 있으며 이에 따른 박리액의 변화를 요구하고 있다.
또한, 현재 액정표시장치 제조 공정에서는 사슬형 아민과 고리형 아민이 사용되어지고 있다. 사슬형 아민은 강한 알칼리성으로 건식 또는 습식 식각, 애싱 또는 이온 주입 공정 등의 여러 공정 조건하에서 변질되거나 가교된 레지스트의 고분자 매트릭스에 강력하게 침투하여 분자내 또는 분자간에 존재하는 결합을 끊거나 약하게 함으로써 박리액에 의한 제거를 용이하게 하는 역할을 나타내는 것으로 산업 초기부터 사용되어 왔다.
그런데, 금속 배선의 미세화는 에칭 공정에 의한 포토레지스트의 변성을 촉진하여 박리력의 향상을 요하게 되었으며 사용되어지는 금속 배선류의 변화 및 금속 배선의 이중 또는 삼중 구조로의 변화는 배선에 대한 부식 영향을 최소할 것을 요하고 있다.
따라서, 기존 사슬형 아민이 가지고 있던 금속 배선에 대한 부식을 최소화하기 위하여 고리형 아민이 제안되었고, 단일막 금속 배선이 아닌 2중 또는 삼중의 금속 배선에서 발생하는 갈바닉 부식을 막기 위한 부식 방지제 등이 쓰이고 있다.
그러나, 상기 종래 기술은 부식 방지 측면에서는 소기의 성과를 이루었으나 박리력의 향상이라는 측면에서는 뚜렷한 개선이 없는 상황이다.
상기와 같은 종래기술에서의 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명의 목적은 고리형 아민의 활성화를 촉진하여 박리력의 향상을 이룰 수 있는 포토레지스트 박리액 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 고리형 아민의 활성화를 촉진하여 박리력의 향상을 이루며 동시에 금속 배선에 대한 부식 영향성을 최소화하는 포토레지스트 제거용 박리액 조성물을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 고리형 아민, 용제 및 박리 촉진제를 포함하는 레지스트 제거용 박리액 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은 고리형 아민, 용제, 부식방지제 및 박리 촉진제를 포함하는 레지스트 제거용 박리액 조성물을 제공한다.
본 발명의 레지스트 제거용 조성물은 고리형 아민 1 내지 50 중량%, 및 양자성 극성용제 50 내지 99 중량%를 포함하는 조성물 100 중량부에 대하여, 박리력 촉진제 0.1 내지 5 중량부의 양으로 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 레지스트 제거용 조성물은 고리형 아민 1 내지 50 중량%, 및 양자성 극성용제 50 내지 99 중량%를 포함하는 조성물 100 중량부에 대하여, 부식방지제 0.1 내지 10 중량부의 양으로 포함하고, 박리 촉진제 0.1 내지 5 중량부의 양으로 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 레지스트 제거용 조성물은 고리형 아민 1 내지 50 중량%, 및 비양자성 극성용제 50 내지 99 중량%를 포함하는 조성물 100 중량부에 대하여, 박리 촉진제 0.1 내지 5 중량부의 양으로 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 레지스트 제거용 조성물은 고리형 아민 1 내지 50 중량%, 및 비양자성 극성용제 50 내지 99 중량%를 포함하는 조성물 100 중량부에 대하여, 부식방지제 0.1 내지 10 중량부의 양으로 포함하고, 박리 촉진제 0.1 내지 5 중량부의 양으로 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 레지스트 제거용 조성물은 고리형 아민 1 내지 50 중량%, 및 양자성 극성용제 10 내지 80 중량% 및 비양자성 극성용제 15 내지 75 중량%를 포함하는 조성물 100 중량부에 대하여, 박리 촉진제 0.1 내지 5 중량부의 양으로 포함하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 레지스트 제거용 조성물은 고리형 아민 1 내지 50 중량%, 및 양자성 극성용제 10 내지 80 중량% 및 비양자성 극성용제 15 내지 75 중량%를 포함하는 조성물 100 중량부에 대하여, 부식방지제 0.1 내지 10 중량부의 양으로 포함하고, 박리 촉진제 0.1 내지 5 중량부의 양으로 포함하는 것이 바람직하다.
이하에서 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다.
본 발명은 포토레지스트 박리액 조성물에 관한 것으로, 고리형 아민, 용제로 이루어진 2성분계 이상의 박리액에 레지스트에 대한 박리력을 높이기 위한 소량의 박리 촉진제를 포함하는 포토레지스트 박리액 조성물을 제공하는 것이다. 또한, 본 발명은 고리형 아민, 용제로 이루어진 박리액에 패턴된 금속배선에 대한 부식을 최소화하기 위한 부식 방지제를 포함하는 3성분계 이상의 조성에 레지스트에 대한 박리력을 높이기 위해 소량의 박리 촉진제를 포함하는 포토레지스트 박리액 조성물을 제공한다. 본 발명은 박리액 조성물에 박리 촉진제를 소량 첨가함으로써 고리형 아민이 지니고 있는 제거능을 향상시킴과 동시에 고리형 아민이 지니고 있는 금속 배선에 대한 부식특성을 유지시켜준다.
본 발명에서 사용하는 고리형 아민은 사슬형 아민이 지니고 있는 금속 배선에 대한 부식 특성을 개선하고 높은 비점으로 인해 공정의 안정성이 높아지는 특징을 지닌다.
상기 고리형 아민은 1-(2-하이드록시에틸)피페라진, 1-(2-아미노에틸)피페라진, 1-(2-하이드록시에틸)메틸피페라진, N-(3-아미노프로필)몰포린, 2-메틸피페라진, 1-메틸피페라진, 1-아미노-4-메틸피페라진, 1-벤질 피페라진, 1-페닐 피페라진 등이 있으며, 이들은 단독 또는 2종 이상 서로 혼합사용할 수 있다.
본 발명에서 상기 고리형 아민의 함량은 단독 또는 상기 화합물 중에서 2종 이상 선택될 경우 아민과 용제의 총량에 대하여 1 내지 50 중량%로 사용하는 것이 가장 바람직하다. 이때, 아민의 함량이 1 중량% 미만이면 레지스트 제거성능이 저하되는 문제가 있고, 아민의 함량이 50 중량%를 초과하게 되면 부식이 심해지기도 한다.
또한, 본 발명에서 사용되는 용제는 양자성 극성용제, 비양자성 극성용제 또는 이들의 혼합물인 것이 바람직하다.
본 발명에서 양자성 극성 용제는 고온 조건하에서 레지스트 제거 공정을 진행하는 경우, 높은 비점으로 인하여 휘발 현상이 잘 일어나지 않아 박리액 사용 초기의 조성비를 유지하여 박리액의 성능이 지속적으로 나타날 수 있도록 하는 역할을 한다. 또한 고온 조건하에서 레지스트의 하부막질에 대한 표면력을 낮게 하여 제거가 용이하도록 한다. 낮은 어는점과 높은 발화점은 저장 안정성 측면에서도 유리하게 작용할 수 있다.
이러한 양자성 극성용제는 아민류에 혼합가능하고 물과의 용해성이 거의 무한대인 화합물로 디에틸렌글리콜모노알킬에테르류로 디에틸렌글리콜메틸에테르, 디에틸렌글리콜에틸에테르, 디에틸렌글리콜부틸에테르 등이 있으며 이들은 단독 또는 1종 이상 선택하여 혼합 사용할 수 있다.
본 발명에서 상기 양자성 극성용제의 함량은 2성분계 조성일 경우, 아민과 용제의 총량에 대하여 50 내지 99 중량%로 사용하는 것이 바람직하며, 이때 그 함량이 50 중량% 미만이면 상대적으로 아민의 함량이 늘어나 부식이 심해지고, 99 중량%를 초과하게 되면 제거 성능이 저하된다. 또한, 3성분계 이상의 조성일 경우 양자성 극성용제의 함량은 아민과 용제의 총량에 대하여 10 내지 80 중량%로 사용하는 것이 바람직하며, 이때 그 함량이 10 중량% 미만이면 상대적으로 비양자서 극성용제 및 아민화합물의 중량%가 늘어가면서 금속 배선의 부식이 심해지며 아민화합물 및 비양자성 극성용제에 의해 겔(gel)화된 고분자를 용해시키는 능력이 부족해 레지스트 제거능력이 떨어지는 문제가 있고, 80 중량%를 초과하게 되면 상대적으로 비양자성 극성용제의 중량%가 떨어져 레지스트 제거능력이 떨어지는 문제가 있다.
본 발명에서 상기 비양자성 극성용제는 아민 화합물에 의하여 박리된 고분자 겔 덩어리를 단위 분자 수준으로 잘게 용해시키는 작용을 한다. 특히 세정공정에서 주로 발생되는 레지스트 재부착성 불량현상을 방지할 수 있다. 상기 비양자성 극성용제로는 디메틸설폭사이드, N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아마이드, N,N-디메틸포름아마이드, N,N-디메틸이미다졸, γ-부티로락톤, 설포란 등이 있으며, 이들은 단독 또는 1종 이상 선택하여 혼합 사용되어질 수 있다.
본 발명에서 상기 비양자성 극성용제의 함량은 2성분계 조성일 경우, 아민과 용제의 총량에 대하여 50 내지 99 중량%로 사용하는 것이 바람직하며, 이때 그 함량이 50 중량% 미만이면 상대적으로 아민의 함량이 늘어나 부식이 심해지고, 99 중량%를 초과하게 되면 레지스트 제거성능이 저하된다. 또한, 3성분계 이상의 조성일 경우 비양자성 극성용제의 함량은 아민과 용제의 총량에 대하여 10 내지 80 중량%로 사용하는 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 15 내지 70 중량%이고, 이때 그 함량이 10 중량% 미만이면 레지스트 제거능력이 떨어지는 문제가 있고, 80 중량%를 초과하게 되면 금속배선의 부식이 심해지며 상대적으로 양자성 극성용제인 글리콜 에테르의 중량%가 떨어져 레지스트 제거능력 및 세정능력이 떨어지는 문제가 있다.
상기 부식방지제는 비공유 전자쌍이 있는 -N-, -S-, -O- 등의 원소를 포함하는 화합물을 사용하는 것이 부식방지에 효과가 있으며, 특히 -OH, -SH 기의 경우 금속과의 물리적, 화학적 흡착에 의한 부식방지 성능이 뛰어나다.
본 발명에서 부식방지제는 C1 ~ C12의 알킬기를 갖는 알킬 갈레이트류의 화합물, 머캅토벤즈이미다졸, 머캅토메틸이미다졸 등의 머캅토류의 화합물; 및 톨리트리아졸, 벤조트리아졸, 및 카르복실릭벤조트리아졸 등의 트리아졸류 화합물로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택하여 사용될 수 있다.
본 발명에서 상기 부식방지제의 함량은 아민과 용제의 총 조성 100 중량부에 대하여 0.1 내지 10 중량부로 포함될 수 있다. 이때 그 함량이 0.1 중량부 미만이면 금속배선에 부식이 발생할 수 있고, 10 중량부를 초과하면 박리력의 저하와 막질등의 표면에 변화가 발생할 수 있다.
상기 박리 촉진제는 박리액 조성물들의 활성화를 높여줌과 동시에 금속 배선에 대한 부식 방지라는 현상을 유지하는 특징을 갖는다.
본 발명에서 박리 촉진제는 하기 화학식 1, 화학식 2, 및 화학식 3으로 표시되는 화합물로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택하여 사용할 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112012006989245-pat00001
[화학식 2]
Figure 112012006989245-pat00002
[화학식 3]
Figure 112012006989245-pat00003
(상기 화학식 1, 및 2에서 R은 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고, R'은 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 하이드록시 알킬(알킬 알코올)이다.)
본 발명의 포토레지스트 제거용 박리액 조성물은 박리 촉진제를 포함하여 포토리소그라피 공정에 사용시 레지스트를 제거하는 제거력이 매우 우수하고, 부식방지제를 포함하는 경우 우수한 박리력 뿐 아니라 패턴된 금속배선의 부식을 최소화할 수 있다.
본 발명에 따른 포토레지스트 제거용 박리액 조성물은 레지스트 제거력이 뛰어나고, 동시에 공정 중 발생하는 원치 않는 금속배선의 부식이 없이 레지스트를 완전히 제거, 세정해 줄 수 있는 효과가 있으며, 가열시 휘발에 의한 조성변화가 적어 공정 안정성을 확보할 수 있다.
이하, 실시예와 비교예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 단, 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이지 이들만으로 한정하는 것이 아니다.
[실시예]
하기 표 1과 같은 조성으로 이루어진 본 발명의 포토레지스트 박리액 조성물을 평가하기 위한 부식성, 박리성 시험은 다음과 같은 방법을 이용하였다.
a) 박리성 시험
포토레지스트 박리액 조성물에 박리 촉진제를 첨가하였을 경우 변화되는 박리력의 양상을 확인하기 위하여 시험을 진행하였다.
포토레지스트 박리액 조성물의 제거 효율을 시험하기 위해서, 통상 사용되는 포지형 레지스트 조성물(DTFR-3650B, 동진쎄미켐 상품명)을 2500 rpm에서 베어-글래스(bare-glass)에 스핀코팅하고 핫 플레이트(Hot plate) 상에서 100 ℃의 온도로 90 sec간 열처리하였다. 1.5 ㎛의 피복막 두께를 나노미터(nanometer) 단위로 측정하고, 이어서 노광, 현상후 웨이퍼를 170 ℃에서 20분간 열처리하여 레지스트막을 얻었다. 이 웨이퍼를 박리액 온도를 70 ℃로 유지시키면서 실시예 및 비교예에 기재된 박리액에 침지시켜 박리성능을 아래의 평가기준에 의거 평가하였다. 침지는 제조 직후와 70 ℃로 24시간 휘발 후에 시행하여 박리성능을 평가하였다.
◎ … 침잠 후 2분 이내에 제거
○ … 침잠 후 3분 이내에 제거
△ … 침잠 후 4분 이내에 제거
× … 침잠 후 6분 이내에 제거 불가
여기서 사용한 포지타입 레지스트 조성물은 막형성 성분으로서 알카리 가용성 수지, 감광성 성분으로서 퀴논디아지드계 화합물 및 이들을 용해시킬 수 있는 유기용매로 이루어진 것이다.
알카리 가용성 수지로는 포름알데히드 및 크레졸 이성체 혼합물을 산촉매하에서 축합반응시켜 노볼락수지를 합성하여 사용하였다. 크레졸 이성체 혼합물에서 크레졸 이성체의 비율은 m-크레졸이 60 중량%, p-크레졸이 40 중량%이었다.
상기 감광성 성분인 퀴논디아지드계 화합물로는 2,3,4,4-테트라하이드록시벤조페논과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포닐 클로라이드를 트리에틸아민 촉매 존재하에서 에스테르화하여 2,3,4,4-데트라하이드룩시벤조페논-1,2-나프토퀴논디아지드-5-설폰산에스테르를 합성하여 사용하였다.
상기에서 합성한 노볼락 수지 20 g과 감광성 화합물 5 g을 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 75 g에 용해시키고 0.2㎛ 필터를 통해 여과시켜 포지형의 감광성 레지스트 조성물을 얻었다.
박리액의 조성(중량부) 평가
아민 극성용제 글리콜에테르 부식방지제 박리력촉진제 박리성
종류 양 종류 양 종류 양 종류 양 종류 양 ◎






실

시

예		 1 HEP 5 NMP 35 DEGBE 60 MG 1 ADD-1 0.5 ◎
2 AEP 5 NMP 35 DEGBE 60 MG 1 ADD-1 0.5 ◎
3 BP 10 DMSO 30 DEGBE 60 MG 1 ADD-1 1 ◎
4 PP 10 DMAc 30 DEGBE 60 MG 0.5 ADD-2 3 ◎
5 HEP 20 DMSO 30 DEGBE 50 MG 0.5 ADD-2 0.1 ◎
6 AEP 20 DMAc 30 DEGBE 50 MG 0.5 ADD-2 0.1 ◎
7 BP 20 NMP 30 DEGBE 50 MMB 0.5 ADD-3 1 ◎
8 PP 20 NMP 30 DEGBE 50 MMB 0.5 ADD-3 3 ◎
9 HEP 10 DMSO 30 DEGBE 60 ADD-1 0.5 ◎
10 AEP 10 DMAc 30 DEGBE 60 ADD-1 0.5 ◎
11 BP 10 NMP 30 DEGBE 60 ADD-1 3 ◎
12 PP 10 NMP 30 DEGBE 60 ADD-2 5 ◎
13 HEP 10 NMP 30 DEGEE 60 ADD-2 0.1 ◎
14 AEP 10 NMP 30 DEGEE 60 ADD-2 0.1 ◎
15 BP 10 NMP 30 DEGEE 60 ADD-3 5 ◎
16 PP 10 NMP 30 DEGEE 60 ADD-3 5 ◎
17 HEP 20 NMP 80 MG 1 ADD-1 0.5 ◎
18 AEP 20 NMP 80 MG 1 ADD-2 0.5 ◎
19 HEP 20 NMP 80 ADD-2 0.1 ◎
20 AEP 20 NMP 80 ADD-2 0.1 ◎
21 HEP 30 DEGBE 70 MG 0.5 ADD-1 0.5 ◎
22 AEP 30 DEGBE 70 MG 0.5 ADD-3 0.5 ◎
23 HEP 40 DEGBE 60 ADD-2 0.1 ◎
24 AEP 40 DEGBE 60 ADD-3 0.1 ◎


비

교

예		 1 HEP 10 NMP 30 DEGBE 60 MG 1 ×
2 AEP 10 NMP 30 DEGBE 60 MG 1 △
3 BP 10 DMSO 30 DEGBE 60 MG 1 ×
4 PP 10 DMAc 30 DEGBE 60 MG 0.5 ×
5 HEP 20 DMSO 30 DEGBE 50 MG 0.5 ○
6 AEP 20 DMAc 30 DEGBE 50 MG 0.5 △
7 BP 40 NMP 10 DEGBE 50 MG 0.5 ×
8 PP 40 NMP 30 DEGBE 30 MG 0.5 ×
9 MEA 10 NMP 30 DEGBE 60 △
10 MIPA 10 NMP 30 DEGBE 60 ×
11 NMEA 10 NMP 30 DEGBE 60 △
12 AEE 10 NMP 30 DEGBE 60 ×
주) 부식성 평가는 박리력 촉진제 첨가 전후의 비교이므로 비교예의 평가는 표기하지 않음. 상기 표에서 약어는 다음과 같다.
MEA : 모노에탄올아민(Monoethanolamine)
NMEA : N-메틸에탄올아민(N-methylethanolamine)
MIPA : 메틸이소프로필아민(1-Amino-2-propanol)
AEE : 2-(2-아미노에톡시에탄올)(2-(2-Aminoethoxy)ethanol)
HEP:1-(2-하이드록시에틸)피페라진(1-(2-Hydroxyethyl)piperazine)
AEP : 1-(2-아미노에틸)피페라진(1-(2-Aminoethyl)piperazine)
PP : 페닐피페라진(Phenyl piperazine)
BP : 벤질 피페라진(Benzyl piperazine)
DEGBE : 디에틸렌글리콜부틸에테르(Diethyleneglycolethylether)
DEGEE : 디에틸렌글리콜에틸에테르(Diethyleneglycolethylether)
NMP : N-메틸-필로리돈(N-methyl-pyrrolydone)
DMSO : 디메틸설폭사이드(Dimethylsulfoxide)
DMAc : 디메틸아세트아마이드(Dimethylacetamide)
MG : 메틸 갈레이트(Methyl gallate)
MMB : 머캅도메틸벤즈이미다졸(Mercapto methyl benzimidazole)
ADD-1 : 상기 화학식 1로 표현되는 케미칼
ADD-2 : 상기 화학식 2로 표현되는 케미칼
ADD-3 : 상기 화학식 3로 표현되는 케미칼

Claims (17)

  1. 고리형 아민, 용제 및 박리 촉진제를 포함하며,
    상기 박리 촉진제는 하기 화학식 1 및 화학식 2로 표시되는 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 레지스트 제거용 박리액 조성물.
    [화학식 1]
    Figure 112012052781943-pat00004

    [화학식 2]
    Figure 112012052781943-pat00005

    (상기 화학식 1에서, R은 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고, R'은 탄소수 1 내지 10의 하이드록시 알킬(알킬 알코올)이고,
    화학식 2에서, R'은 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 하이드록시 알킬(알킬 알코올)이다.)
  2. 고리형 아민, 용제, 부식방지제 및 박리 촉진제를 포함하며,
    상기 박리 촉진제는 하기 화학식 1 및 화학식 2로 표시되는 화합물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상이고,
    상기 부식방지제는 머캅토류 화합물, C1 ~ C12의 알킬기를 갖는 알킬갈레이트류 화합물 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 레지스트 제거용 박리액 조성물.
    [화학식 1]
    Figure 112012052781943-pat00006

    [화학식 2]
    Figure 112012052781943-pat00007

    (상기 화학식 1에서, R은 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고, R'은 탄소수 1 내지 10의 하이드록시 알킬(알킬 알코올)이고,
    화학식 2에서, R'은 탄소수 1 내지 10의 알킬기 또는 하이드록시 알킬(알킬 알코올)이다.)
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 고리형 아민이 1-(2-하이드록시에틸)피페라진, 1-(2-아미노에틸)피페라진, 1-(2-하이드록시에틸)메틸피페라진, N-(3-아미노프로필)몰포린, 2-메틸피페라진, 1-메틸피페라진, 1-아미노-4-메틸피페라진, 1-벤질 피페라진, 및 1-페닐 피페라진으로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 것인 레지스트 제거용 박리액 조성물.
  4. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 고리형 아민의 함량은 고리형 아민과 용제의 총량에 대하여 1 내지 50 중량%의 양으로 포함하는 레지스트 제거용 박리액 조성물.
  5. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 용제가 양자성 극성용제, 비양자성 극성용제 또는 이들의 혼합물인 레지스트 제거용 박리액 조성물.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 양자성 극성용제가 에틸렌글리콜 메틸에테르, 에틸렌글리콜 에틸에테르, 에틸렌글리콜 부틸에테르, 디에틸렌글리콜 메틸에테르, 디에틸렌글리콜 에틸에테르, 디에틸렌글리콜 부틸에테르, 및 디에틸렌글리콜 프로필에테르로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 글리콜 에테르 화합물인 레지스트 제거용 박리액 조성물.
  7. 제 5항에 있어서, 상기 비양자성 극성용제가 N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아마이드, N,N-디메틸포름아마이드, 디메틸설폭사이드 및 N,N-디메틸이미다졸, γ-부티로락톤, 및 설포란으로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 레지스트 제거용 박리액 조성물.
  8. 삭제
  9. 제 2항에 있어서, 상기 부식방지제는 고리형 아민과 용제의 총 조성 100 중량부에 대하여 0.1 내지 10 중량부의 양으로 포함하는 레지스트 제거용 박리액 조성물.
  10. 삭제
  11. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 박리 촉진제는 고리형 아민과 용제의 총 조성 100 중량부에 대하여 0.01 내지 10 중량부의 양으로 포함하는 레지스트 제거용 박리액 조성물.
  12. 제 1항에 있어서,
    고리형 아민 1 내지 50 중량%, 및 양자성 극성용제 50 내지 99 중량%를 포함하는 조성물 100 중량부에 대하여 박리 촉진제 0.01 내지 10 중량부를 포함하는 레지스트 제거용 박리액 조성물.
  13. 제 2항에 있어서,
    고리형 아민 1 내지 50 중량%, 및 양자성 극성용제 50 내지 99 중량%를 포함하는 조성물 100 중량부에 대하여 부식 방지제 0.1 내지 10 중량부 및 박리 촉진제 0.01 내지 10 중량부를 포함하는 레지스트 제거용 박리액 조성물.
  14. 제 1항에 있어서,
    고리형 아민 1 내지 50 중량%, 및 비양자성 극성용제 50 내지 99 중량%를 포함하는 조성물 100 중량부에 대하여 박리 촉진제 0.01 내지 10 중량부를 포함하는 레지스트 제거용 박리액 조성물.
  15. 제 2항에 있어서,
    고리형 아민 1 내지 50 중량%, 및 비양자성 극성용제 50 내지 99 중량%를 포함하는 조성물 100 중량부에 대하여 부식 방지제 0.1 내지 10 중량부 및 박리 촉진제 0.01 내지 10 중량부를 포함하는 레지스트 제거용 박리액 조성물.
  16. 제 1항에 있어서,
    고리형 아민 1 내지 50 중량%, 양자성 극성용제 10 내지 80 중량% 및 비양자성 극성 용제 15 내지 70 중량%를 포함하는 조성물 100 중량부에 대하여 박리 촉진제 0.01 내지 10 중량부를 포함하는 레지스트 제거용 박리액 조성물.
  17. 제 2항에 있어서,
    고리형 아민 5 내지 30 중량%, 양자성 극성용제 10 내지 80 중량% 및 비양자성 극성 용제 15 내지 70 중량%를 포함하는 조성물 100 중량부에 대하여 부식 방지제 0.1 내지 10 중량부 및 박리 촉진제 0.01 내지 10 중량부를 포함하는 레지스트 제거용 박리액 조성물.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6140027A (en) 1998-12-31 2000-10-31 Dongjin Semichem Co., Ltd. Photoresist remover composition

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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