JP2007536566A - (フォト)レジスト除去用組成物 - Google Patents
(フォト)レジスト除去用組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007536566A JP2007536566A JP2007511290A JP2007511290A JP2007536566A JP 2007536566 A JP2007536566 A JP 2007536566A JP 2007511290 A JP2007511290 A JP 2007511290A JP 2007511290 A JP2007511290 A JP 2007511290A JP 2007536566 A JP2007536566 A JP 2007536566A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- weight
- resist
- composition
- group
- polar solvent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/426—Stripping or agents therefor using liquids only containing organic halogen compounds; containing organic sulfonic acids or salts thereof; containing sulfoxides
Abstract
Description
化学式1
(前記化学式1で、AはOまたはNであり、R1は炭素数1乃至5のアルキルまたは炭素数1乃至5のアリル基であり、R2及びR3は各々独立的または同時に炭素数1乃至5のアルキル、炭素数1乃至5のアリル、炭素数1乃至5のアルキルアミノ、炭素数1乃至5のヒドロキシアルキル(アルキルアルコール)、または炭素数1乃至5のアルキル基を有するベンゼンである。)
また、沸点が180℃以上であるグリコールエーテル系溶剤は、レジスト及び下部の金属膜質での表面力が低いのでレジストの除去効率が向上し、また凝固点が低く、発火点が高いため、保存安定性の面でも有利である。
各溶媒に対するレジストの除去力、及びアルミニウム、モリブデン、及び銅の腐食特性を評価し、その結果を下記の表2に示した。
*レジストの除去
◎(レジストが完全に除去された)、○(若干のレジスト残留物あり)、△(レジスト残留物が大量である)、×(レジストが全く除去されない)
*腐食
◎(全く腐食されない)、○(若干腐食あり)、△(腐食が激しい)、×(完全に腐食された)
従来から使用されたモノエタノールアミン及び本発明で使用されるアミンに対して金属の腐食程度を実験した。単独での評価では各々の金属に対して全て若干ずつ腐食が存在するので、グリコールエーテル45重量%、極性溶剤45重量%、及びアミン10重量%に統一した液を使用して実験し、その結果を表3に示した。
◎(全く腐食されない)、○(若干腐食あり)、△(腐食が激しい)、×(完全に腐食された)
(1)ガラス上にDTFR−3650B(東進セミケム、ポジティブレジスト)を塗布し、そして170℃で25分ベーキングした後レジストを除去し、試験片の大きさは2cm×4cmとした。
(2)ガラス上にアルミニウム、モリブデン、銅を2000Åの厚さに塗布し、試験片の大きさは2cm×4cmとした。
HEP:1−(2−ヒドロキシエチル)ピペラジン
AEP:1−(2−アミノエチル)ピペラジン
2−MP:2−メチルピペラジン
1−MP:1−メチルピペラジン
BP:ベンジルピペラジン
PP:フェニルピペラジン
MMB:メルカプトメチルベンズイミダゾル
MMI:メルカプトメチルイミダゾル
TT:トリルトリアゾル
BT:ベンゾトリアゾル
CBT:カルボキシルベンゾトリアゾル
NMP:n−メチル−2−ピロリドン
DMAc:ジメチルアセトアミド
DMSO:ジメチルスルホキシド
DEGEE:ジエチレングリコールエチルエーテル
DEGBE:ジエチレングリコールブチルエーテル
MTHB:メチルトリヒドロキシベンゾエート
HP:ヒドロキシピリジン
DHP:ジヒドロキシピリジン
前記実施例1乃至25及び比較例1乃至6を使用して、前記試験片(1)のレジスト層に対する除去力を評価した。特に、揮発によるレジストの除去力の変化を知るために、各除去溶剤を強制排気状態で48時間70℃に維持し続けた。表5に試験片(3)の結果を示す。
*◎(レジストが完全に除去された)、○(若干のレジスト残留物あり)、△(レジスト残留物が大量である)、×(レジストが全く除去されない)
試験片(2)を利用して、実施例1乃至25及び比較例1乃至6の剥離液組成物100重量部に純水3重量部を添加して70℃に維持し、各金属膜質に対する腐食特性を評価し、その結果を表6に示した。
*◎(全く腐食されない)、○(若干腐食あり)、△(腐食が激しい)、×(完全に腐食された)
Claims (11)
- アミン、溶剤、及び腐食防止剤を含み、
前記腐食防止剤は、トリアゾル類化合物、メルカプト類化合物、ヒドロキシル基を含むベンゼン類化合物、及びこれらの混合物からなる群より選択される1種以上であるレジスト除去用組成物。 - 前記腐食防止剤の含有量は、アミン及び溶剤の総組成100重量部に対して0.5乃至10重量部である請求項1記載のレジスト除去用組成物。
- 前記アミンは、下記の化学式1で示される環状アミン化合物からなる群より選択される1種以上である請求項1記載のレジスト除去用組成物。
化学式1
前記化学式1で、AはOまたはNであり、
R1は炭素数1乃至5のアルキル基または炭素数1乃至5のアリル基であり、
R2及びR3は各々独立的または同時に炭素数1乃至5のアルキル基、炭素数1乃至5のアリル基、炭素数1乃至5のアルキルアミノ基、炭素数1乃至5のヒドロキシアルキル基(アルキルアルコール)、または炭素数1乃至5のアルキル基を有するベンゼンである。 - 前記アミンは、1−(2−ヒドロキシエチル)ピペラジン、4−(3−アミノプロピル)モルホリン、1−ピペラジンエタンアミン(1−(2−アミノエチル)ピペラジン)、及び1−(2−ヒドロキシエチル)−4−エチルピペラジンからなる群より選択される1種以上の環状アミン化合物である請求項1記載のレジスト除去用組成物。
- 前記アミンの含有量は、アミン及び溶剤の総組成100重量部に対して5乃至30重量%である請求項1記載のレジスト除去用組成物。
- 前記溶剤は、プロトン性極性溶剤、非プロトン性極性溶剤、またはこれらの混合物である請求項1記載のレジスト除去用組成物。
- 前記プロトン性極性溶剤は、エチレングリコールメチルエーテル、エチレングリコールエチルエーテル、エチレングリコールブチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテル、ジエチレングリコールブチルエーテル、及びジエチレングリコールプロピルエーテルからなる群より選択される1種以上の化合物である請求項6記載のレジスト除去用組成物。
- 前記非プロトン性極性溶剤は、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、又はN,N−ジメチルイミダゾルである請求項6記載のレジスト除去用組成物。
- 腐食防止剤の含有量は、環状アミン化合物5乃至30重量%及びプロトン性極性溶剤70乃至95重量%を含む組成物100重量部に対して0.5乃至10重量部である請求項1記載のレジスト除去用組成物。
- 腐食防止剤の含有量は、環状アミン化合物5乃至30重量%及び非プロトン性極性溶剤70乃至95重量%を含む組成物100重量部に対して0.5乃至10重量部である請求項1記載のレジスト除去用組成物。
- 腐食防止剤の含有量は、環状アミン化合物5乃至30重量%、プロトン性極性溶剤10乃至80重量%、及び非プロトン性極性溶剤15乃至70重量%を含む組成物100重量部に対して0.5乃至10重量部である請求項1記載のレジスト除去用組成物。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20040032111 | 2004-05-07 | ||
PCT/KR2005/001327 WO2005109108A1 (en) | 2004-05-07 | 2005-05-06 | Composition for removing a (photo) resist |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007536566A true JP2007536566A (ja) | 2007-12-13 |
Family
ID=35320363
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007511290A Pending JP2007536566A (ja) | 2004-05-07 | 2005-05-06 | (フォト)レジスト除去用組成物 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007536566A (ja) |
KR (1) | KR101167240B1 (ja) |
CN (1) | CN1950755B (ja) |
TW (1) | TWI385159B (ja) |
WO (1) | WO2005109108A1 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009527126A (ja) * | 2006-02-15 | 2009-07-23 | マリンクロット ベーカー, インコーポレイテッド | 超小型電子基板のための、安定化された非水性洗浄組成物 |
JP2012514765A (ja) * | 2009-11-26 | 2012-06-28 | エルジー・ケム・リミテッド | フォトレジストストリッパー組成物及びこれを利用したフォトレジストの剥離方法 |
TWI405053B (zh) * | 2009-11-27 | 2013-08-11 | Lg Chemical Ltd | 光阻剝離組成物及剝離光阻之方法 |
JP2014194016A (ja) * | 2013-03-12 | 2014-10-09 | Air Products And Chemicals Inc | タングステン含有基材のための化学機械平坦化 |
JP2016511843A (ja) * | 2013-05-07 | 2016-04-21 | エルジー・ケム・リミテッド | フォトレジスト除去用ストリッパー組成物およびこれを用いたフォトレジストの剥離方法 |
WO2016084860A1 (ja) * | 2014-11-27 | 2016-06-02 | 富士フイルム株式会社 | 除去液、これを用いた除去方法および半導体基板製品の製造方法 |
WO2016163384A1 (ja) * | 2015-04-10 | 2016-10-13 | 富士フイルム株式会社 | レジスト除去液、レジスト除去方法、再生半導体基板の製造方法 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100893279B1 (ko) * | 2006-08-03 | 2009-04-17 | 테크노세미켐 주식회사 | 반도체 제조용 감광성수지 제거제 조성물 |
KR101251594B1 (ko) * | 2006-03-23 | 2013-04-08 | 주식회사 동진쎄미켐 | 레지스트 스트리퍼 제거용 케미칼 린스 조성물 |
JP4902299B2 (ja) * | 2006-09-11 | 2012-03-21 | 三星電子株式会社 | 表示装置の製造方法 |
KR101292497B1 (ko) * | 2007-01-12 | 2013-08-01 | 동우 화인켐 주식회사 | 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의박리방법 |
WO2011037300A1 (ko) * | 2009-09-25 | 2011-03-31 | 주식회사 엘지화학 | 포토레지스트 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 박리방법 |
KR101008373B1 (ko) * | 2009-11-26 | 2011-01-13 | 주식회사 엘지화학 | 포토레지스트 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 박리방법 |
KR101679030B1 (ko) * | 2009-12-16 | 2016-11-23 | 주식회사 동진쎄미켐 | 레지스트 제거용 조성물 |
WO2012166902A1 (en) * | 2011-06-01 | 2012-12-06 | Avantor Performance Materials, Inc. | SEMI-AQUEOUS POLYMER REMOVAL COMPOSITIONS WITH ENHANCED COMPATIBILITY TO COPPER, TUNGSTEN, AND POROUS LOW-ĸ DIELECTRICS |
CN103425001A (zh) * | 2013-07-19 | 2013-12-04 | 杨桂望 | 抗蚀剂膜清洗组合物 |
KR102572751B1 (ko) | 2016-03-15 | 2023-08-31 | 동우 화인켐 주식회사 | 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법 |
Citations (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60131535A (ja) * | 1983-12-20 | 1985-07-13 | エッチエムシー・パテンツ・ホールディング・カンパニー・インコーポレーテッド | ポジのホトレジスト用のストリツピング組成物 |
JPS6442653A (en) * | 1987-08-10 | 1989-02-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Peeling solution for positive type photoresist |
JPH07219241A (ja) * | 1993-10-07 | 1995-08-18 | J T Baker Inc | 金属腐食を減少させるための還元剤を含有しているフォトレジストストリッパー |
JP2000056480A (ja) * | 1998-08-10 | 2000-02-25 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト用剥離液組成物およびこれを用いたレジスト剥離方法 |
JP2000250231A (ja) * | 1999-03-03 | 2000-09-14 | Nagase Denshi Kagaku Kk | フォトレジスト剥離剤組成物及びその使用方法 |
JP2002116558A (ja) * | 2000-10-11 | 2002-04-19 | Tosoh Corp | レジスト剥離剤 |
JP2002244310A (ja) * | 2001-02-21 | 2002-08-30 | Tosoh Corp | レジスト剥離剤 |
JP2003270801A (ja) * | 2002-03-13 | 2003-09-25 | Nippon Zeon Co Ltd | レジスト用剥離液組成物及びそれを用いた剥離方法 |
JP2003292993A (ja) * | 2002-04-03 | 2003-10-15 | Tosoh Corp | 洗浄剤 |
JP2004511917A (ja) * | 2000-10-16 | 2004-04-15 | マリンクロッド・ベイカー・インコーポレイテッド | マイクロエレクトロニクス基板洗浄用の安定化アルカリ性組成物 |
WO2004107056A1 (en) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Air Products And Chemicals, Inc. | Compositions suitable for removing photoresist, photoresist byproducts and etching residue, and use thereof |
JP2005077526A (ja) * | 2003-08-28 | 2005-03-24 | Sony Corp | 銀及び/又は銀合金を含む基板のフォトレジスト剥離液組成物、それを用いたパターンの製造方法ならびにそれを含む表示装置 |
WO2005085957A1 (en) * | 2004-03-03 | 2005-09-15 | Advanced Technology Materials, Inc. | Composition and process for post-etch removal of photoresist and/or sacrificial anti-reflective material deposited on a substrate |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5798323A (en) * | 1997-05-05 | 1998-08-25 | Olin Microelectronic Chemicals, Inc. | Non-corrosive stripping and cleaning composition |
CN1196032C (zh) * | 1998-08-11 | 2005-04-06 | 东进世美肯株式会社 | 剥离剂和使用该剥离剂的剥离方法 |
JP2002062668A (ja) | 2000-08-14 | 2002-02-28 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | フォトレジストの剥離方法 |
TW554258B (en) * | 2000-11-30 | 2003-09-21 | Tosoh Corp | Resist stripper |
KR100438015B1 (ko) * | 2001-10-10 | 2004-06-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 구리용 레지스트 제거용 조성물 |
US20030138737A1 (en) * | 2001-12-27 | 2003-07-24 | Kazumasa Wakiya | Photoresist stripping solution and a method of stripping photoresists using the same |
-
2005
- 2005-05-06 JP JP2007511290A patent/JP2007536566A/ja active Pending
- 2005-05-06 CN CN200580014564XA patent/CN1950755B/zh active Active
- 2005-05-06 WO PCT/KR2005/001327 patent/WO2005109108A1/en active Application Filing
- 2005-05-07 KR KR1020050038213A patent/KR101167240B1/ko active IP Right Grant
- 2005-05-09 TW TW094114945A patent/TWI385159B/zh active
Patent Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60131535A (ja) * | 1983-12-20 | 1985-07-13 | エッチエムシー・パテンツ・ホールディング・カンパニー・インコーポレーテッド | ポジのホトレジスト用のストリツピング組成物 |
JPS6442653A (en) * | 1987-08-10 | 1989-02-14 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | Peeling solution for positive type photoresist |
JPH07219241A (ja) * | 1993-10-07 | 1995-08-18 | J T Baker Inc | 金属腐食を減少させるための還元剤を含有しているフォトレジストストリッパー |
JP2000056480A (ja) * | 1998-08-10 | 2000-02-25 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト用剥離液組成物およびこれを用いたレジスト剥離方法 |
JP2000250231A (ja) * | 1999-03-03 | 2000-09-14 | Nagase Denshi Kagaku Kk | フォトレジスト剥離剤組成物及びその使用方法 |
JP2002116558A (ja) * | 2000-10-11 | 2002-04-19 | Tosoh Corp | レジスト剥離剤 |
JP2004511917A (ja) * | 2000-10-16 | 2004-04-15 | マリンクロッド・ベイカー・インコーポレイテッド | マイクロエレクトロニクス基板洗浄用の安定化アルカリ性組成物 |
JP2002244310A (ja) * | 2001-02-21 | 2002-08-30 | Tosoh Corp | レジスト剥離剤 |
JP2003270801A (ja) * | 2002-03-13 | 2003-09-25 | Nippon Zeon Co Ltd | レジスト用剥離液組成物及びそれを用いた剥離方法 |
JP2003292993A (ja) * | 2002-04-03 | 2003-10-15 | Tosoh Corp | 洗浄剤 |
WO2004107056A1 (en) * | 2003-05-23 | 2004-12-09 | Air Products And Chemicals, Inc. | Compositions suitable for removing photoresist, photoresist byproducts and etching residue, and use thereof |
JP2007531902A (ja) * | 2003-05-23 | 2007-11-08 | エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド | フォトレジスト、フォトレジスト副生成物及びエッチング残渣を除去するのに好適な組成物、並びに、その使用 |
JP2005077526A (ja) * | 2003-08-28 | 2005-03-24 | Sony Corp | 銀及び/又は銀合金を含む基板のフォトレジスト剥離液組成物、それを用いたパターンの製造方法ならびにそれを含む表示装置 |
WO2005085957A1 (en) * | 2004-03-03 | 2005-09-15 | Advanced Technology Materials, Inc. | Composition and process for post-etch removal of photoresist and/or sacrificial anti-reflective material deposited on a substrate |
JP2007526523A (ja) * | 2004-03-03 | 2007-09-13 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | 基板上に付着したフォトレジスト及び/又は犠牲反射防止材料のエッチング後除去のための組成物並びにプロセス |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009527126A (ja) * | 2006-02-15 | 2009-07-23 | マリンクロット ベーカー, インコーポレイテッド | 超小型電子基板のための、安定化された非水性洗浄組成物 |
JP2012514765A (ja) * | 2009-11-26 | 2012-06-28 | エルジー・ケム・リミテッド | フォトレジストストリッパー組成物及びこれを利用したフォトレジストの剥離方法 |
TWI405053B (zh) * | 2009-11-27 | 2013-08-11 | Lg Chemical Ltd | 光阻剝離組成物及剝離光阻之方法 |
JP2014194016A (ja) * | 2013-03-12 | 2014-10-09 | Air Products And Chemicals Inc | タングステン含有基材のための化学機械平坦化 |
JP2016511843A (ja) * | 2013-05-07 | 2016-04-21 | エルジー・ケム・リミテッド | フォトレジスト除去用ストリッパー組成物およびこれを用いたフォトレジストの剥離方法 |
WO2016084860A1 (ja) * | 2014-11-27 | 2016-06-02 | 富士フイルム株式会社 | 除去液、これを用いた除去方法および半導体基板製品の製造方法 |
JPWO2016084860A1 (ja) * | 2014-11-27 | 2017-07-27 | 富士フイルム株式会社 | 除去液、これを用いた除去方法および半導体基板製品の製造方法 |
WO2016163384A1 (ja) * | 2015-04-10 | 2016-10-13 | 富士フイルム株式会社 | レジスト除去液、レジスト除去方法、再生半導体基板の製造方法 |
JPWO2016163384A1 (ja) * | 2015-04-10 | 2018-02-01 | 富士フイルム株式会社 | レジスト除去液、レジスト除去方法、再生半導体基板の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI385159B (zh) | 2013-02-11 |
CN1950755A (zh) | 2007-04-18 |
KR101167240B1 (ko) | 2012-07-23 |
KR20060045957A (ko) | 2006-05-17 |
WO2005109108A8 (en) | 2007-01-11 |
TW200536836A (en) | 2005-11-16 |
WO2005109108A1 (en) | 2005-11-17 |
CN1950755B (zh) | 2011-05-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2007536566A (ja) | (フォト)レジスト除去用組成物 | |
JP5236217B2 (ja) | レジスト除去用組成物 | |
JP2007536565A (ja) | (フォト)レジスト除去用組成物 | |
TWI402636B (zh) | 光阻劑剝離液組成物 | |
KR101403515B1 (ko) | 포토레지스트 제거용 조성물 | |
JP6006711B2 (ja) | 1級アルカノールアミンを含むlcd製造用フォトレジスト剥離液組成物 | |
JP2007256955A (ja) | レジストストリッパー洗浄用ケミカルリンス組成物 | |
KR101880308B1 (ko) | Tft 제조용 레지스트 박리제 조성물 및 이를 이용한 tft의 제조방법 | |
JP2005043873A (ja) | フォトレジスト剥離液組成物及びそれを用いたフォトレジストの剥離方法 | |
TWI406112B (zh) | 光阻清除組成物及清除光阻之方法 | |
TWI529503B (zh) | 抗蝕劑剝離劑組成物 | |
JP2001022095A (ja) | ポジ型レジスト用剥離液 | |
CN105824201A (zh) | 抗蚀剂剥离剂组合物 | |
JP2004287288A (ja) | レジスト剥離用組成物及びレジスト剥離方法 | |
JP2002244310A (ja) | レジスト剥離剤 | |
JP4165208B2 (ja) | レジスト剥離方法 | |
KR101213735B1 (ko) | 포토레지스트 박리액 조성물 | |
KR20120022195A (ko) | 레지스트 박리액 조성물 및 그를 이용한 박리방법 | |
JP5533383B2 (ja) | レジスト剥離剤及びそれを用いた剥離方法 | |
JP4470328B2 (ja) | レジスト剥離剤 | |
JP4411623B2 (ja) | レジスト剥離剤組成物 | |
KR102528302B1 (ko) | 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트 박리 방법 | |
KR20170002933A (ko) | 스트리퍼 조성액 | |
TW202414120A (zh) | Igzo基板用剝離液組合物、其製備方法及半導體元件 | |
KR20170002932A (ko) | 스트리퍼 조성액 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071114 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100303 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100519 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100526 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100630 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100707 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100802 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100824 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20101122 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20101130 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20101222 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110105 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110118 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110301 |