WO2011037300A1 - 포토레지스트 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 박리방법 - Google Patents

포토레지스트 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 박리방법 Download PDF

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WO2011037300A1
WO2011037300A1 PCT/KR2009/007003 KR2009007003W WO2011037300A1 WO 2011037300 A1 WO2011037300 A1 WO 2011037300A1 KR 2009007003 W KR2009007003 W KR 2009007003W WO 2011037300 A1 WO2011037300 A1 WO 2011037300A1
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WO
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photoresist
stripper composition
film
photoresist stripper
group
Prior art date
Application number
PCT/KR2009/007003
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English (en)
French (fr)
Inventor
박민춘
민성준
김경준
한희
고완희
Original Assignee
주식회사 엘지화학
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen

Definitions

  • the present invention relates to a photoresist stripper composition and a photoresist stripping method using the same.
  • This application is for the date of filing of Korean Patent Application No. 10-2009-0091184 filed with the Korean Patent Office on September 25, 2009 and Korean Patent Application No. 10-2009-0092072 filed with the Korean Patent Office on September 28, 2009. Claiming benefit, the entire contents of which are incorporated herein by reference.
  • the process of manufacturing a semiconductor integrated circuit or a microcircuit of a liquid crystal display device is performed by applying a photoresist to a conductive metal film such as aluminum, aluminum alloy, copper, copper alloy, molybdenum, molybdenum alloy, or an insulating film such as a silicon oxide film or a silicon nitride film formed on a substrate. Apply uniformly, selectively expose and develop the photoresist pattern, and then wet or dry etch the conductive metal film or the insulating film using the patterned photoresist film as a mask to form a fine circuit pattern underlayer of photoresist. The transfer proceeds to a step of removing the unnecessary photoresist layer after stripping with a stripper (peeling liquid).
  • a conductive metal film such as aluminum, aluminum alloy, copper, copper alloy, molybdenum, molybdenum alloy, or an insulating film such as a silicon oxide film or a silicon nitride film formed on a substrate.
  • the photoresist must be able to delaminate the photoresist in a short time at low temperature and have a good delamination ability that should not leave photoresist residue on the substrate after rinse.
  • it should have low corrosion resistance that should not damage the metal film or insulating film of the photoresist underlayer.
  • the storage stability of the stripper may be a problem and may exhibit different physical properties depending on the mixing sequence in the stripper manufacturing, there should be a non-reactive and high temperature stability between the mixed solvent.
  • it should be low toxicity in consideration of the safety of the worker or environmental problems in disposal.
  • the photoresist stripping proceeds in a high temperature process, if a lot of volatilization occurs, the component ratio changes rapidly, and thus the process stability and work reproducibility of the stripper are lowered, and therefore, it must be low volatility.
  • the number of substrates that can be processed with a certain amount of stripper should be large, the supply of the components constituting the stripper is easy, low cost, and can be recycled through the reprocessing of the waste stripper to be economical.
  • An object of the present invention is to provide a photoresist stripper composition which is excellent in photoresist stripping effect and which does not corrode a lower film of the photoresist even when the photoresist stripping process is repeated.
  • an object of the present invention is to provide a photoresist stripper composition capable of efficiently peeling photoresist without corrosion of the lower film even when a Cu film / Mo film multilayer film is used as the lower photoresist film.
  • Corrosion inhibitors including benzimidazole compounds and triazole compounds
  • photoresist stripper composition comprising a.
  • the present invention also provides a method of peeling a photoresist using the photoresist stripper composition.
  • the lower layer of the photoresist may be a Cu / Mo double layer.
  • the photoresist stripper composition according to the present invention not only has excellent photoresist stripping efficiency but also does not cause problems such as particle contamination even when the lower layer of the photoresist contains Mo, and is galvanic even when the thickness of the Mo layer is 10 nm or less. It is not galvanic-free. Therefore, the photoresist stripper composition of the present invention is useful when using a film containing Mo as a lower film of the photoresist, such as a Cu / Mo double film.
  • FIGS 1 to 3 are diagrams showing the corrosion state of the lower layer after using the photoresist stripper composition and the conventional photoresist stripper composition according to an embodiment of the present invention, respectively.
  • FIG 4 is a view showing a corrosion state of the lower layer after using the photoresist stripper composition according to an embodiment of the present invention.
  • FIGS 5 and 6 are diagrams showing the corrosion state of the lower film after using the photoresist stripper compositions of Comparative Example 5 and Comparative Example 6, respectively.
  • Cu copper
  • Mo molybdenum
  • the photoresist removal composition according to the present invention can solve the problem of corrosion of the photoresist underlayer by simultaneously including a benzimidazole compound and a triazole compound.
  • a benzimidazole compound and a triazole compound Although it was impossible to control galvanic corrosion only with the existing tetrahydrotolutriazole, the present inventors found that the corrosion of the lower layer can be controlled by simultaneously using a benzimidazole compound and a triazole compound. It has been found and reached the present invention.
  • the reduction potential difference is not so great that various problems are caused, such as when Cu is corroded or when Mo is corroded depending on the type of corrosion inhibitor.
  • an appropriate corrosion inhibitor structure was selected so that there was an inversion of the reduction potential and no reduction potential difference occurred on either side, and the galvanic corrosion problem could be controlled through an appropriate amount of the corrosion inhibitor.
  • benzotriazole derivatives are known in various ways, they are easy to access, but there is no known example of controlling Cu / Mo galvanic corrosion by simultaneously adding benzimidazole.
  • the photoresist stripper composition according to the present invention can be applied to a lower film containing Mo, preferably a lower film containing Mo layer, more preferably a lower film including Cu film and Mo film.
  • the Cu film is low resistance, which is advantageous for achieving high resolution and large area, and since the Mo film serves as a diffusion preventing film of the Cu film, it does not generate particle contamination unlike the conventional Mo alloy film. Do.
  • the galvanic phenomenon is too severe at the level of 10 nm or less of the Mo film, the application of the photoresist stripper composition itself is impossible, but the galvanic phenomenon can be controlled in the present invention can be applied even when the Mo film is 10 nm or less.
  • the photoresist stripper composition according to the present invention is characterized in that it comprises a corrosion inhibitor comprising 1) an organic amine compound, 2) a solvent, and 3) a benzimidazole compound and a triazole compound.
  • the 1) organic amine compound is more preferably selected from the group consisting of primary amino alcohol compounds, secondary amino alcohol compounds and tertiary amino alcohol compounds.
  • amino alcohol compounds include monoethanol amine (MEA), 1-aminoisopropanol (AIP), 2-amino-1-propanol, N-methylaminoethanol (N-MAE), 3-amino-1- Propanol, 4-amino-1-butanol, 2- (2-aminoethoxy) -1-ethanol (AEE), 2- (2-aminoethylamino) -1-ethanol, diethanol amine (DEA), triethanol amine (TEA), 1-imidazolidine ethanol, and hydroxyethylpiperazine (HEP) are preferably selected from one or more.
  • MEA monoethanol amine
  • AIP 1-aminoisopropanol
  • 2-amino-1-propanol N-methylaminoethanol
  • N-MAE N-methylaminoethanol
  • 3-amino-1- Propanol 4-amino-1-butanol
  • the content of the 1) organic amine compound is preferably 0.5 to 50% by weight, more preferably 0.5 to 20% by weight of the total weight of the composition. 1) If the content of the organic amine compound is less than 0.5% by weight, the peeling force on the modified photoresist is not sufficient, and when the content of the organic amine compound is higher than 50% by weight, the viscosity value increases and the peeling time is low due to the low photoresist penetration force. In addition, the problem that the corrosion resistance of the photoresist underlayer to the conductive metal film may increase.
  • the solvent is excellent in compatibility between water and the organic compound and serves as a solvent for dissolving the photoresist.
  • the surface tension of the stripper is reduced to improve the wettability of the photoresist film.
  • the solvent 2) may be a solvent known in the art. Specific examples thereof include N-methylpyrrolidone (NMP), 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone (DMI), dimethylsulfoxide (DMSO), dimethylacetamide (DMAc), dimethylformamide (DMF) , N-methylformamide (NMF), tetramethylenesulfone, butyl diglycol (BDG), ethyl diglycol (EDG), methyl diglycol (MDG), triethylene glycol , TEG), diethyleneglycol monoethylether (DEM), diethyleneglycol monoethylether, or a mixture thereof, and the like, but are not limited thereto.
  • NMP N-methylpyrrolidone
  • DMI 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone
  • DMAc dimethylsulfoxide
  • DMAc dimethylacetamide
  • DMF dimethylformamide
  • NMF N-methylformamide
  • NMF
  • the solvent is one or more of the N-acetylmorpholine-based compound represented by the formula (1) and N-acetylpiperidine-based compound represented by the formula (2) It may include.
  • R is hydrogen or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms
  • R ' is hydrogen or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
  • the photoresist stripper composition according to the present invention may include an N-acetylmorpholine compound and / or an N-acetylpiperidine compound as the solvent, an organic amine compound
  • an organic amine compound there is a characteristic that does not exist in its own reactivity with. Accordingly, there is an advantage that the operator can work safely when the stripper application is not produced methylamine causing the odor.
  • there is no self-reactivity with the organic amine compound there is also an advantage that the organic amine compound in the stripper composition can be easily recycled.
  • N-acetylmorpholine-based compound and / or N-acetylpiperidine-based compound have lower volatility than conventional solvents such as DMAc, even at high temperature processes of 60 ° C or higher. It can be used stably. Thereby, there is no problem of an increase in process time due to the low temperature process, and thus productivity can be improved as compared with the prior art.
  • the content of the solvent is preferably 49 to 99% by weight, more preferably 70 to 90% by weight of the total weight of the composition. If the content of the solvent is less than 49% by weight, the viscosity of the stripper may be increased to reduce the peeling force of the stripper.
  • the photoresist stripper composition according to the present invention is characterized in that it comprises a benzimidazole compound and a triazole compound as corrosion inhibitors.
  • the benzimidazole compound may be represented by the following Chemical Formula 3, but is not limited thereto.
  • R1 is hydrogen, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, a thiol group or a hydroxyl group,
  • R2 is hydrogen, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxy group or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms,
  • R3 is hydrogen, an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms, an alkoxy group or a hydroxy group.
  • benzimidazole compound examples include benzimidazole, 2-hydroxybenzimidazole, 2-methylbenzimidazole, 2- (hydroxymethyl) benzimidazole, 2-mercaptobenzimidazole, and the like. , Benzimidazole or 2- (hydroxymethyl) benzimidazole, but is not limited thereto.
  • the triazole-based compound may be represented by the following Formula 4, Formula 5 or Formula 6, but is not limited thereto.
  • R4 is hydrogen or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms
  • R5 and R6 are the same as or different from each other, and each independently a hydroxyalkyl group having 1 to 4 carbon atoms,
  • R7 is hydrogen or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms
  • R8 is hydrogen or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
  • the content of the 3) corrosion inhibitor is preferably 0.01 to 5% by weight, more preferably 0.1 to 1% by weight of the total weight of the composition. If the amount of the corrosion inhibitor is less than 0.01% by weight, partial corrosion may occur in the metal wiring when the substrate to be peeled is in contact with the stripping solution for a long time, and when the amount of the corrosion inhibitor exceeds 5% by weight, the viscosity increases and the peeling occurs. Force can be reduced and the cost of the composition rises, which is inefficient in terms of price / performance.
  • the photoresist stripper composition according to the present invention not only has excellent photoresist peeling ability, but also does not damage the conductive metal film and the insulating film under the photoresist, and has excellent corrosion protection against the conductive metal film or the insulating film under the photoresist. Do.
  • the conductive metal film or insulating film may be a single film made of a metal such as aluminum, copper, neodymium, molybdenum, or an alloy of these metals, or a multilayer film of two or more layers. More preferably, a single film containing aluminum, copper or an alloy thereof, or a multilayer film of two or more layers, or a single film containing aluminum, copper or an alloy thereof, and neodymium, molybdenum or an alloy thereof, or a multilayer film of two or more layers Can be.
  • the peeling method of the photoresist according to the present invention is characterized by using the above-described photoresist stripper composition according to the present invention.
  • a method of peeling a photoresist includes: 1) applying a photoresist to a conductive metal film or an insulating film formed on a substrate, 2) forming a photoresist pattern on the substrate, and 3) Etching the conductive metal film or the insulating film using a patterned photoresist as a mask, and 4) peeling the photoresist using the photoresist stripper composition of the present invention.
  • a method of peeling a photoresist may include: 1) applying a photoresist to the entire surface of a substrate, 2) forming a photoresist pattern on the substrate, and 3) forming a photoresist pattern. Forming a conductive metal film or insulating film on the substrate, and 4) peeling the photoresist using the photoresist stripper composition of the present invention.
  • the conductive metal film or the insulating film may be a single film or a multilayer film made of a metal such as aluminum, copper, neodymium, molybdenum, or an alloy of these metals or two or more layers. Specifically, an Al-Nd / Mo double film, a Cu / Mo double film, or the like is preferable.
  • the method of peeling photoresist from a substrate engraved with a fine circuit pattern using the photoresist stripper composition of the present invention includes a dip method of dipping several sheets of the substrate to be peeled simultaneously in a large amount of stripper liquid and peeling one by one. Both single-layer methods of spraying (spraying) the liquid onto the substrate to remove the photoresist can be used.
  • Examples of the photoresist that can be peeled off using the photoresist stripper composition of the present invention include a positive photoresist, a negative photoresist, and a positive / negative dual tone photoresist.
  • a photoresist that is not restricted but particularly effective is a photoresist composed of a novolak-based phenol resin and a photoactive compound based on diazonaphthoquinone.
  • a liquid crystal display device or a semiconductor device manufactured by peeling a photoresist using the photoresist stripper composition is characterized in that the substrate having a fine pattern does not corrode or be damaged when the photoresist is peeled off, and thus there is little residual photoresist. have.
  • the photoresist film modified during the etching process can be easily removed within a short time even at a high temperature and a low temperature, and a conductive film such as aluminum or aluminum alloy, copper or copper alloy, molybdenum or molybdenum alloy under the photoresist is easily removed. And a photoresist stripper composition having less corrosion on the insulating film.
  • a stripper solution was prepared in the same manner as in Examples 1 to 10 using the components and the composition ratios shown in Table 1 below.
  • HEP hydroxyethylpiperazine (Hydroxyethylpiperazine)
  • NMEA N-methylethanolamine
  • EDG Diethyleneglycol monoethylether
  • THTTA Tetrahydrotolutriazole
  • THBTA Tetrahydrobenzotriazole
  • 1 to 3 show the corrosion state of the lower layer when the photoresist stripping process is repeated once, twice and three times using the photoresist stripper composition and the conventional photoresist stripper composition, respectively, according to an embodiment of the present invention. Is a comparison.
  • the photoresist composition according to the present invention is not only excellent in the photoresist peeling effect, but also excellent in corrosion protection for the photoresist underlayer.
  • the evaluation conditions are after heating the stripper to 50 °C, immersed Cu (200nm) / Mo (10nm) glass for 2 minutes, washed with deionized water and dried using an air gun and then FE-SEM It is a photograph measured.
  • the prior art (1) shows a rapid increase in the lower Mo erosion as the number of strips increases with the composition prescribed only benzotriazole derivatives. Control failed.
  • Figure 1 is a photograph evaluated by the mixed corrosion inhibitor composition of IM and BzI
  • prior art (1) of Figure 2 shows a typical corrosion picture when applying THBTA, THTTA or IM alone as a conventional commercialized triazole derivative
  • Figure 3 The prior art (2) is an example of applying tetrahydroxybutyl benzotriazole as a self-synthesized material, not a commercialized material. Although the hydrophobic alkyl butyl- was introduced to improve the corrosion protection, galvanic corrosion of Mo could not be solved.
  • Comparative Examples 5 to 6 illustrate the corrosion state of the lower layer when the photoresist stripping process is performed using the photoresist stripper composition and Comparative Examples 5 to 6, which are conventional photoresist stripper compositions, according to an embodiment of the present invention. Is a comparison. Comparative example 5 is a case where benzimidazole is included alone as a corrosion inhibitor, and comparative example 6 is a case where 2-mercaptobenzimidazole is included alone as a corrosion inhibitor. As shown in FIG. 5 and FIG. 6, when the benzimidazole-based compound such as benzimidazole or 2-mercaptobenzimidazole alone is included as a corrosion inhibitor, Cu corrosion occurs very severely from 10 minutes, resulting in photoresist. It can be seen that it is difficult to apply as a stripper.
  • the present invention has been able to completely control the galvanic corrosion of Mo by using a benzimidazole compound and a triazole compound together.

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Abstract

본 발명은 포토레지스트 스트리퍼 조성물에 관한 것이다. 보다 구체적으로 본 발명에 따른 포토레지스트 스트리퍼 조성물은 벤즈이미다졸(benzimidazole)계 화합물 및 트리아졸계 화합물을 포함함으로써, 포토레지스트 박리 능력이 우수하고, 포토레지스트 하부막에 몰리브덴(Mo)을 포함시키는 경우에도 포토레지스트 하부막에 대한 부식 방지력이 우수한 효과가 있다.

Description

포토레지스트 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 박리방법
본 발명은 포토레지스트 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 박리방법에 관한 것이다. 본 출원은 2009년 9월 25일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2009-0091184호 및 2009년 9월 28일에 한국특허청에 제출된 한국 특허 출원 제10-2009-0092072호의 출원일의 이익을 주장하며, 그 내용 전부는 본 명세서에 포함된다.
반도체 집적회로 또는 액정 표시 소자의 미세 회로 제조 공정은 기판상에 형성된 알루미늄, 알루미늄 합금, 구리, 구리 합금, 몰리브덴, 몰리브덴 합금 등의 도전성 금속막, 또는 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 등의 절연막에 포토레지스트를 균일하게 도포하고, 이것을 선택적으로 노광, 현상 처리하여 포토레지스트 패턴을 형성한 다음, 패턴화된 포토레지스트막을 마스크로 하여 상기 도전성 금속막이나 절연막을 습식 또는 건식으로 에칭하여 미세 회로 패턴을 포토레지스트 하부층에 전사한 후 불필요해진 포토레지스트층을 스트리퍼(박리액)로 제거하는 공정으로 진행된다.
상기 반도체 소자 및 액정 표시 소자 제조용 포토레지스트를 제거하기 위한 스트리퍼가 갖추어야 할 기본 특성은 다음과 같다.
먼저, 저온에서 단시간 내에 포토레지스트를 박리할 수 있어야 하고, 세척(rinse) 후 기판 상에 포토레지스트 잔류물을 남기지 않아야 하는 우수한 박리 능력을 가져야 한다. 또한, 포토레지스트 하부층의 금속막이나 절연막을 손상시키지 않아야 하는 저부식성을 가져야 한다. 또한, 스트리퍼를 이루는 용제간에 상호반응이 일어나면 스트리퍼의 저장 안정성이 문제되고 스트리퍼 제조시의 혼합순서에 따라 다른 물성을 보일 수 있으므로, 혼합 용제간의 무반응성 및 고온 안정성이 있어야 한다. 또한, 작업자의 안전이나 폐기 처리시의 환경 문제를 고려하여 저독성이어야 한다. 또한, 고온 공정에서 포토레지스트 박리가 진행될 경우 휘발이 많이 일어나면 구성 성분비가 빨리 변하게 되어 스트리퍼의 공정 안정성과 작업 재현성이 저하되므로, 저휘발성이어야 한다. 또한, 일정 스트리퍼 양으로 처리할 수 있는 기판 수가 많아야 하고, 스트리퍼를 구성하는 성분의 수급이 용이하고 저가이며 폐스트리퍼의 재처리를 통한 재활용이 가능하여 경제성이 있어야 한다.
이러한 조건들을 충족시키기 위해 다양한 포토레지스트용 스트리퍼 조성물이 개발되고 있다. 그러나, 보다 우수한 포토레지스트 스트리퍼 조성물로서, 조성물 내 다른 성분들과 반응하지 않고, 불필요한 부산물을 발생시키지 않으며, 특히 포토레지스트 하부층의 금속막이나 절연막을 손상시키지 않아야 하는 저부식성을 갖는 포토레지스트 스트리퍼 조성물의 개발이 필요한 실정이다.
본 발명은 포토레지스트 박리 효과가 우수하면서, 포토레지스트 박리 공정을 반복하는 경우에도 포토레지스트의 하부막을 부식시키지 않는 포토레지스트 스트리퍼 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. 특히, 포토레지스트 하부막으로서 Cu막/Mo막 다층막을 사용하는 경우에도 하부막의 부식 없이 효율적으로 포토레지스트를 박리할 수 있는 포토레지스트 스트리퍼 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은
1) 유기 아민 화합물,
2) 용매, 및
3) 벤즈이미다졸(benzimidazole)계 화합물 및 트리아졸계 화합물을 포함하는 부식 방지제
를 포함하는 포토레지스트 스트리퍼 조성물을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 포토레지스트 스트리퍼 조성물을 이용하여 포토레지스트를 박리하는 방법을 제공한다. 여기서, 상기 포토레지스트의 하부막은 Cu/Mo 이중막일 수 있다.
본 발명에 따른 포토레지스트 스트리퍼 조성물은 포토레지스트 박리 효율이 우수할 뿐만 아니라, 포토레지스트의 하부막이 Mo를 포함하는 경우에도 파티클 오염과 같은 문제를 발생시키지 않고, Mo층의 두께가 10nm 이하인 경우에도 갈바닉(galvanic) 현상을 일으키지 않는다(galvanic-free). 따라서, 포토레지스트의 하부막으로서 Mo를 포함하는 막, 예컨대 Cu/Mo 이중막을 이용하는 경우 본 발명의 포토레지스트 스트리퍼 조성물이 유용하다.
도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 포토레지스트 스트리퍼 조성물 및 종래의 포토레지스트 스트리퍼 조성물을 각각 이용한 후, 하부막의 부식 상태를 나타낸 도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 포토레지스트 스트리퍼 조성물을 이용한 후, 하부막의 부식 상태를 나타낸 도이다.
도 5 및 도 6은 각각 비교예 5 및 비교예 6의 포토레지스트 스트리퍼 조성물을 이용한 후, 하부막의 부식 상태를 나타낸 도이다.
이하에서 본 발명에 대하여 상세히 설명한다.
디스플레이의 고해상도, 대화면화가 진행되면서 저저항인 구리(Cu) 배선이 필수적으로 요구되고 있다. Cu의 경우, 유리와 밀착력이 낮고 하부막으로의 확산이 심하여 확산 방지막으로서 다른 금속막이 필요하다. 일반적으로, 몰리브덴(Mo) 합금을 이용한 Cu/Mo합금의 이중막 구조가 현재 적용되고 있다.
그러나, Mo 합금의 경우, 증착 장치 내 파티클(particle) 오염, 예컨대 Ti 입자에 의한 파티클 오염이 잦아 수율을 저하시키는 단점이 있으며, 또한 타겟(target)의 단가가 높은 단점이 있다.
Mo 합금 대신 Mo를 하부막에 적용하는 경우, Mo가 Cu와 갈바닉 커플(galvanic couple)을 형성하므로, 고온 염기성인 포토레지스트 스트리퍼를 이용하는 경우 부식이 크게 발생될 수 있다. 따라서, 포토레지스트 스트리퍼에 의한 부식 문제로 인하여, 포토레지스트 하부막으로써 아직까지 Cu/Mo를 적용한 업체는 없었다.
그러나, 본 발명에 따른 포토레지스트 제거 조성물은 벤즈이미다졸(benzimidazole)계 화합물 및 트리아졸계 화합물을 동시에 포함함으로써 포토레지스트 하부막의 부식 문제를 해결할 수 있다. 기존에 사용하던 테트라하이드로톨루트리아졸(tetrahydrotolutriazole)만으로는 갈바닉 부식 제어가 불가능하였으나, 본 발명자들은 벤즈이미다졸(benzimidazole)계 화합물 및 트리아졸계 화합물을 동시에 이용함으로써 하부막의 부식을 제어할 수 있다는 사실을 밝혀내고 본 발명에 이르게 된 것이다. Cu와 Mo의 경우 환원 전위차가 그리 크지 않아 부식 방지제의 종류에 따라 Cu가 부식되는 경우, 또는 Mo가 부식되는 경우 등 다양한 문제가 유발된다. 즉, 환원 전위의 역전이 존재하며 어느 한쪽으로 환원 전위차가 발생하지 않도록 적절한 부식 방지제 구조를 선정하고, 상기 부식 방지제의 적절한 함량을 통하여 본 갈바닉 부식 문제를 제어할 수 있었다. 벤조트리아졸 유도체는 다양하게 알려져 있어 접근이 용이하나 벤즈이미다졸을 동시에 첨가하여 Cu/Mo 갈바닉 부식을 제어한 예는 알려진 바 없다.
본 발명에서는 하부막이 Mo를 포함하는 경우에도 하부막의 부식을 제어할 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 포토레지스트 스트리퍼 조성물은 Mo를 포함하는 하부막, 바람직하게는 Mo층을 포함하는 하부막, 더욱 바람직하게는 Cu막 및 Mo막을 포함하는 하부막에도 적용될 수 있다. Cu막 및 Mo막을 포함하는 하부막을 이용하는 경우 Cu막이 저저항이므로 고해상도 및 대면적화를 이루는데 유리하고, Mo막이 Cu막의 확산 방지막 역할을 하면서 종래의 Mo 합금막과는 달리 파티클 오염을 발생시키지 않으므로 유리하다.
종래에는 Mo막의 두께가 10nm 이하인 수준에서는 갈바닉 현상이 너무 심해서, 포토레지스트 스트리퍼 조성물의 적용 자체가 불가능하였으나, 본 발명에서는 갈바닉 현상을 제어할 수 있으므로 Mo막이 10nm 이하인 경우에도 적용이 가능하다.
또한, 공정 중 불량이 발생하면 재작업(rework)을 하게 되는데, 포토레지스트 박리공정의 횟수에 따라 부식이 더 심해져 폐기 처분할 수 밖에 없었으나, 본 발명에서는 포토레지스트 박리공정을 수 회 반복하는 경우에도 부식의 문제를 일으키지 않으므로 재작업이 가능하다.
본 발명에 따른 포토레지스트 스트리퍼 조성물은 1) 유기 아민 화합물, 2) 용매, 및 3) 벤즈이미다졸(benzimidazole)계 화합물 및 트리아졸계 화합물을 포함하는 부식 방지제를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 포토레지스트 스트리퍼 조성물에 있어서, 상기 1) 유기 아민 화합물은 1차 아미노 알콜류 화합물, 2차 아미노 알콜류 화합물 및 3차 아미노 알콜류 화합물로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 것이 더욱 바람직하다.
상기 아미노 알콜류 화합물의 구체적 예를 들면, 모노에탄올 아민(MEA), 1-아미노이소프로판올(AIP), 2-아미노-1-프로판올, N-메틸아미노에탄올(N-MAE), 3-아미노-1-프로판올, 4-아미노-1-부탄올, 2-(2-아미노에톡시)-1-에탄올(AEE), 2-(2-아미노에틸아미노)-1-에탄올, 디에탄올 아민(DEA), 트리에탄올 아민(TEA), 1-이미다졸리딘 에탄올(1-imidazolidine ethanol) 및 히드록시에틸피페라진(HEP)으로 이루어진 군으로부터 1종 이상 선택되는 것이 바람직하다.
상기 1) 유기 아민 화합물의 함량은 전체 조성물 총중량 중 0.5 ~ 50 중량%인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 0.5 ~ 20 중량%이다. 만일, 상기 1) 유기 아민 화합물의 함량이 0.5 중량% 미만인 경우에는 변성된 포토레지스트에 대한 박리력이 충분치 못하고, 50 중량%를 초과하는 경우에는 점도값이 증가하여 포토레지스트 침투력이 낮아 박리시간이 증가하고, 또한 포토레지스트 하부층의 도전성 금속막에 대한 부식성이 커지는 문제점이 발생할 수 있다.
본 발명에 따른 포토레지스트 스트리퍼 조성물에 있어서, 상기 2) 용매는 물과 유기 화합물과의 상용성이 뛰어나고 포토레지스트를 용해시키는 용제 역할을 한다. 또한, 스트리퍼의 표면장력을 저하시켜 포토레지스트막에 대한 습윤성(wetting property)을 향상시켜 준다.
상기 2) 용매는 당 기술분야에 알려진 용매를 이용할 수 있다. 이의 구체적인 예로는 N-메틸피롤리돈(NMP), 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논(DMI), 디메틸설폭사이드(DMSO), 디메틸아세트아마이드(DMAc), 디메틸포름아마이드(DMF), N-메틸포름아마이드(NMF), 테트라메틸렌설폰, 부틸 디글리콜(butyl diglycol, BDG), 에틸 디글리콜(ethyl diglycol, EDG), 메틸 디글리콜(methyl diglycol, MDG), 트리에틸렌 글리콜(triethylene glycol, TEG), 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르(diethyleneglycol monoethylether, DEM), 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르(diethyleneglycol monoethylether), 또는 이들의 혼합물 등을 들 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
또한, 상기 2) 용매는 하기 화학식 1로 표시되는 N-아세틸모폴린(N-acetylmorpholine)계 화합물 및 하기 화학식 2로 표시되는 N-아세틸피페리딘(N-acetylpiperidine)계 화합물 중 1종 이상을 포함할 수 있다.
[화학식 1]
Figure PCTKR2009007003-appb-I000001
상기 화학식 1에서, R은 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고,
[화학식 2]
Figure PCTKR2009007003-appb-I000002
상기 화학식 2에서, R'는 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이다.
본 발명에 따른 포토레지스트 스트리퍼 조성물은, 상기 용매로서 N-아세틸모폴린(N-acetylmorpholine)계 화합물 및/또는 N-아세틸피페리딘(N-acetylpiperidine)계 화합물을 포함할 수 있으므로, 유기 아민 화합물과의 자체 반응성이 존재하지 않는 특징이 있다. 이에 따라, 자극적인 냄새를 유발하는 메틸아민이 생성되지 않아서 스트리퍼 적용시 작업자가 안전하게 작업할 수 장점이 있다. 또한, 유기 아민 화합물과의 자체 반응성이 존재하지 않으므로, 스트리퍼 조성물 중 유기 아민 화합물을 쉽게 재활용할 수 있는 장점도 있다.
또한, 상기 N-아세틸모폴린(N-acetylmorpholine)계 화합물 및/또는 N-아세틸피페리딘(N-acetylpiperidine)계 화합물은 DMAc와 같은 종래의 용매에 비하여 휘발성이 낮기 때문에 60℃ 이상의 고온 공정에서도 안정하게 사용할 수 있다. 이에 의하여 저온 공정에 따른 공정시간 증가의 문제가 없고, 이에 따라 종래 기술에 비하여 생산성을 향상시킬 수 있다.
상기 2) 용매의 함량은 전체 조성물 총중량 중 49 ~ 99 중량%인 것이 바람직하고, 70 ~ 90 중량%인 것이 더욱 바람직하다. 만일 용매의 함량이 49 중량% 미만인 경우에는 스트리퍼의 점도가 상승하여 스트리퍼의 박리력이 저하되는 문제점이 발생할 수 있다.
본 발명에 따른 포토레지스트 스트리퍼 조성물은 3) 부식 방지제로서 벤즈이미다졸계 화합물 및 트리아졸계 화합물을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 벤즈이미다졸계 화합물은 하기 화학식 3으로 표시될 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
[화학식 3]
Figure PCTKR2009007003-appb-I000003
상기 화학식 3에서,
R1은 수소, 탄소수 1 내지 12의 알킬기, 티올기 또는 하이드록시기이고,
R2는 수소, 탄소수 1 내지 12의 알킬기, 알콕시기 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴기이며,
R3는 수소, 탄소수 1 내지 12의 알킬기, 알콕시기 또는 하이드록시기이다.
상기 벤즈이미다졸계 화합물로는 벤즈이미다졸, 2-히드록시벤즈이미다졸, 2-메틸벤즈이미다졸, 2-(히드록시메틸)벤즈이미다졸, 2-머캡토벤즈이미다졸 등을 들 수 있고, 벤즈이미다졸 또는 2-(히드록시메틸)벤즈이미다졸인 것이 바람직하나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
상기 트리아졸계 화합물은 하기 화학식 4, 화학식 5 또는 화학식 6으로 표시될 수 있으나, 이에만 한정되는 것은 아니다.
[화학식 4]
Figure PCTKR2009007003-appb-I000004
상기 화학식 4에서,
R4은 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이며,
R5 및 R6는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 4의 히드록시알킬기이고,
[화학식 5]
Figure PCTKR2009007003-appb-I000005
상기 화학식 5에서, R7은 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고,
[화학식 6]
Figure PCTKR2009007003-appb-I000006
상기 화학식 6에서, R8은 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이다.
본 발명에 따른 포토레지스트 스트리퍼 조성물에 있어서, 상기 3) 부식 방지제의 함량은 전체 조성물 총중량 중 0.01 ~ 5 중량%인 것이 바람직하며, 더욱 바람직하게는 0.1 ~ 1 중량%이다. 만일 상기 부식 방지제의 함량이 0.01 중량% 미만인 경우에는 박리하고자 하는 기판이 장시간 박리액과 접촉할 때 금속 배선에서 부분적인 부식 현상이 일어날 수 있고, 5 중량%를 초과하는 경우에는 점도가 증가하여 박리력을 감소시킬 수 있으며 조성물 가격이 상승하여 가격대비 성능면에서 비효율적이다.
본 발명에 따른 포토레지스트 스트리퍼 조성물은 포토레지스트 박리 능력이 우수할 뿐만 아니라, 포토레지스트 하부의 도전성 금속막 및 절연막에 손상을 주지 않으며, 포토레지스트 하부의 도전성 금속막 또는 절연막에 대한 부식 방지력이 우수하다.
상기 도전성 금속막 또는 절연막은 알루미늄, 구리, 네오디뮴, 몰리브덴 등의 금속 또는 이들 금속의 합금으로 이루어진 단일막 또는 2층 이상의 다층막일 수 있다. 보다 바람직하게는 알루미늄, 구리 또는 이들의 합금을 포함하는 단일막, 또는 2층 이상의 다층막이거나, 알루미늄, 구리 또는 이들의 합금과 네오디뮴, 몰리브덴 또는 이들의 합금을 포함하는 단일막, 또는 2층 이상의 다층막일 수 있다.
본 발명에 따른 포토레지스트의 박리방법은 전술한 본 발명에 따른 포토레지스트 스트리퍼 조성물을 이용하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 하나의 실시상태에 따른 포토레지스트의 박리방법은 1) 기판 상에 형성된 도전성 금속막 또는 절연막에 포토레지스트를 도포하는 단계, 2) 상기 기판에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 3) 상기 패턴이 형성된 포토레지스트를 마스크로 하여, 상기 도전성 금속막 또는 절연막을 에칭하는 단계, 및 4) 본 발명의 포토레지스트 스트리퍼 조성물을 이용하여 포토레지스트를 박리하는 단계를 포함한다.
본 발명의 또 하나의 실시상태에 따른 포토레지스트의 박리방법은 1) 기판 상에 포토레지스를 전면 도포하는 단계, 2) 상기 기판에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 3) 상기 포토레지스트 패턴이 형성된 기판에 도전성 금속막 또는 절연막을 형성하는 단계, 및 4) 본 발명의 포토레지스트 스트리퍼 조성물을 이용하여 포토레지스트를 박리하는 단계를 포함한다.
상기 본 발명에 따른 포토레지스트의 박리방법에 있어서, 상기 도전성 금속막 또는 절연막은 알루미늄, 구리, 네오디뮴, 몰리브덴 등의 금속 또는 이들 금속의 합금으로 이루어진 단일막 또는 2층 이상의 다층막일 수 있다. 구체적으로는 Al-Nd/Mo 이중막, Cu/Mo 이중막 등이 바람직하다.
본 발명의 포토레지스트 스트리퍼 조성물을 이용하여 미세 회로 패턴이 새겨진 기판으로부터 포토레지스트를 박리하는 방법은, 많은 양의 스트리퍼액에 박리하고자 하는 기판을 동시에 여러 장 침지(dipping)하는 딥 방식과 한 장씩 박리액을 기판에 스프레이(분무)시켜 포토레지스트를 제거하는 매엽식 방식 모두 사용할 수 있다.
본 발명의 포토레지스트 스트리퍼 조성물을 이용하여 박리할 수 있는 포토레지스트의 종류로는, 포지형 포토레지스트, 네가형 포토레지스트, 포지형/네가형 겸용 포토레지스트(dual tone photoresist)가 있고, 구성 성분에 제약을 받지 않지만, 특히 효과적으로 적용되는 포토레지스트는 노볼락계 페놀 수지와 디아조나프토퀴논을 근간으로 하는 광활성 화합물로 구성된 포토레지스트이다.
본 발명에 따라 상기 포토레지스트 스트리퍼 조성물을 이용하여 포토레지스트를 박리하여 제조된 액정 표시 장치 또는 반도체 소자는 포토레지스트 박리시 미세 패턴을 갖는 기판이 부식 또는 손상되지 않으면서, 잔류 포토레지스트가 적은 특징이 있다.
이와 같이, 본 발명에 따르면 식각 공정 동안 변성된 포토레지스트막을 고온 및 저온에서도 짧은 시간 내에 용이하게 제거 가능하며, 포토레지스트 하부의 알루미늄 또는 알루미늄 합금, 구리 또는 구리 합금, 몰리브덴 또는 몰리브덴 합금과 같은 도전성막 및 절연막에 대한 부식이 적은 포토레지스트 스트리퍼 조성물을 제공할 수 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 보다 쉽게 이해하기 위하여 제공되는 것일 뿐, 이에 의해 본 발명의 내용이 한정되는 것은 아니다.
<실시예>
<실시예 1 ~ 16>
하기 표 1에 기재되어 있는 성분과 조성비를 이용하고, 상온에서 2시간 동안 교반한 후 0.1㎛로 여과하여 스트리퍼 용액을 제조하였다.
<비교예 1 ~ 8>
하기 표 1에 기재되어 있는 성분과 조성비를 이용하여 상기 실시예 1 ~ 10과 동일한 방법으로 스트리퍼 용액을 제조하였다.
[표 1]
Figure PCTKR2009007003-appb-I000007
Figure PCTKR2009007003-appb-I000008
AEE: 아미노에톡시에탄올(aminoethoxyethanol)
HEP: 히드록시에틸피페라진(Hydroxyethylpiperazine)
DEA: 디에탄올아민(Diethanolamine)
TEA: 트리에탄올아민(Triethanolamine)
AEAE: 아미노에틸아미노에탄올(Aminoethylaminoethanol)
IME: 1-이미다졸리딘 에탄올(1-imidazolidine ethanol)
NMEA: N-메틸에탄올아민(N-methylethanolamine)
NMF: N-메틸포름아미드(N-methylformamide)
DMAc: 디메틸아세트아마이드(Diemethylacetamide)
BDG: 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르(Diethyleneglycol monobutylether)
EDG: 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르(Diethyleneglycol monoethylether)
MDG: 디에닐렌글리콜 모노메틸에테르(Diethyleneglycol monomethylether)
NMP: N-메틸리피롤리돈(N-methylpyrrolidone)
MG: 메틸 갈레이트(Methyl gallate)
THTTA: 테트라하이드로톨루트리아졸(Tetrahydrotolutriazole)
THBTA: 테트라하이드로벤조트리아졸(Tetrahydrobenzotriazole)
BzI: 벤즈이미다졸(benzimidazole)
MBzI: 2-머캡토벤즈이미다졸(2-mercaptobenzimidazole)
HMBzI: 2-(히드록시메틸)벤즈이미다졸(2-(hydroxymethyl)benzimidazole)
IM: 2,2'-[[메틸-1H-벤조트리아졸-1-일) 메틸] 이미노] 비스에탄올(2,2'-[[methyl-1H-benzotriazol-1-yl) methyl] imino] bisethanol)
<실험예> 부식 정도 평가
상기 실시예 1 ~ 16 및 비교예 1 ~ 8에서 제조한 포토레지스트 스트리퍼 조성물을 이용하여, 시편의 표면, 측면 및 단면의 부식 정도를 관찰하고, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다. 이 때, 상기 부식 정도는 하기와 같은 기준으로 평가하였다.
◎: 표면과 측면에 부식이 전혀 없는 경우
○: 표면과 측면에 약간의 부식이 있는 경우
△: 표면과 측면에 부분적인 부식이 있는 경우
×: 표면과 측면에 전체적으로 심한 부식이 일어난 경우
[표 2]
Figure PCTKR2009007003-appb-I000009
도 1 내지 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 포토레지스트 스트리퍼 조성물 및 종래의 포토레지스트 스트리퍼 조성물을 각각 이용하여, 포토레지스트 박리 공정을 1회, 2회 및 3회 반복하였을 때 하부막의 부식 상태를 비교한 것이다.
도 1 내지 도 3의 결과로부터, 본 발명에 따른 포토레지스트 조성물은 포토레지스트 박리 효과가 우수할 뿐만 아니라, 포토레지스트 하부막에 대한 부식 방지력이 우수함을 알 수 있다.
보다 구체적으로, 평가 조건은 스트리퍼를 50℃로 가열 후, Cu(200nm)/Mo(10nm) 글래스(Glass)를 2분간 침적 후, 탈이온수로 세정한 후 Air gun을 이용하여 건조한 다음 FE-SEM을 측정한 사진이다. 종래기술 (1)은 벤조트리아졸 유도체만 처방된 조성으로 스트립 회수가 증가함에 따라 하부의 Mo 침식이 급격히 증가하는 것을 나타내며, 종래기술 (2)는 종래기술(1)보다는 개선이 되었지만 역시 갈바닉 부식 제어에는 실패하였다. 도 1은 IM 및 BzI의 혼합 부식 방지제 조성으로 평가한 사진이고, 도 2의 종래기술 (1)은 기존 상업화된 트리아졸 유도체로 THBTA, THTTA 또는 IM 단독 적용시의 일반적인 부식 사진을 나타내며, 도 3의 종래기술 (2)는 상업화된 물질이 아닌 자체 합성한 물질로 테트라히드록시부틸 벤조트리아졸(tetrahydrobutyl benzotriazole)을 적용한 예이다. 소수성 알킬인 butyl-을 도입하여 부식 방지력을 더 개선하려 하였으나 Mo의 갈바닉 부식은 해결할 수 없었다.
또한, 도 4 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 포토레지스트 스트리퍼 조성물 및 종래의 포토레지스트 스트리퍼 조성물인 비교예 5 ~ 6을 각각 이용하여, 포토레지스트 박리 공정을 수행하였을 때 하부막의 부식 상태를 비교한 것이다. 비교예 5는 부식 방지제로서 벤즈이미다졸을 단독으로 포함하는 경우이고, 비교예 6은 부식 방지제로서 2-머캡토벤즈이미다졸을 단독으로 포함하는 경우이다. 도 5 및 도 6의 결과와 같이 상기 벤즈이미다졸 또는 2-머캡토벤즈이미다졸과 같은 벤즈이미다졸계 화합물을 단독으로 부식 방지제로서 포함하는 경우에는 10분부터 Cu 부식이 매우 심하게 발생하여 포토레지스트 스트리퍼로서 적용하기 어렵다는 것을 알 수 있다.
그러나, 본원발명은 벤즈이미다졸계 화합물 및 트리아졸계 화합물을 함께 이용함으로써, Mo의 갈바닉 부식을 완전히 제어할 수 있게 되었다.

Claims (15)

1) 유기 아민 화합물,
2) 용매 및
3) 벤즈이미다졸(benzimidazole)계 화합물 및 트리아졸계 화합물을 포함하는 부식 방지제
를 포함하는 포토레지스트 스트리퍼 조성물.
청구항 1에 있어서, 상기 1) 유기 아민 화합물은 1차 아미노 알콜류 화합물, 2차 아미노 알콜류 화합물 및 3차 아미노 알콜류 화합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 스트리퍼 조성물.
청구항 1에 있어서, 상기 1) 유기 아민 화합물은 모노에탄올 아민(MEA), 1-아미노이소프로판올(AIP), 2-아미노-1-프로판올, N-메틸아미노에탄올(N-MAE), 3-아미노-1-프로판올, 4-아미노-1-부탄올, 2-(2-아미노에톡시)-1-에탄올(AEE), 2-(2-아미노에틸아미노)-1-에탄올, 디에탄올 아민(DEA), 트리에탄올 아민(TEA), 1-이미다졸리딘 에탄올(1-imidazolidine ethanol) 및 히드록시에틸피페라진(HEP)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 스트리퍼 조성물.
청구항 1에 있어서, 상기 1) 유기 아민 화합물의 함량은 전체 조성물 총중량 중 0.5 ~ 50 중량%인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 스트리퍼 조성물.
청구항 1에 있어서, 상기 2) 용매는 N-메틸피롤리돈(NMP), 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논(DMI), 디메틸설폭사이드(DMSO), 디메틸아세트아마이드(DMAc), 디메틸포름아마이드(DMF), N-메틸포름아마이드(NMF), 테트라메틸렌설폰, 부틸 디글리콜(butyl diglycol, BDG), 에틸 디글리콜(ethyl diglycol, EDG), 메틸 디글리콜(methyl diglycol, MDG), 트리에틸렌 글리콜(triethylene glycol, TEG), 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르(diethyleneglycol monoethylether, DEM), 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르(diethyleneglycol monoethylether), 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 스트리퍼 조성물.
청구항 1에 있어서, 상기 2) 용매의 함량은 전체 조성물 총중량 중 49 ~ 99 중량%인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 스트리퍼 조성물.
청구항 1에 있어서, 상기 벤즈이미다졸계 화합물은 하기 화학식 3으로 표시되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 스트리퍼 조성물:
[화학식 3]
Figure PCTKR2009007003-appb-I000010
상기 화학식 3에서,
R1은 수소, 탄소수 1 내지 12의 알킬기, 티올기 또는 하이드록시기이고,
R2는 수소, 탄소수 1 내지 12의 알킬기, 알콕시기 또는 탄소수 6 내지 20의 아릴기이며,
R3는 수소, 탄소수 1 내지 12의 알킬기, 알콕시기 또는 하이드록시기이다.
청구항 1에 있어서, 상기 벤즈이미다졸계 화합물은 벤즈이미다졸, 2-히드록시벤즈이미다졸, 2-메틸벤즈이미다졸, 2-(히드록시메틸)벤즈이미다졸 및 2-머캡토벤즈이미다졸로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 스트리퍼 조성물.
청구항 1에 있어서, 상기 트리아졸계 화합물은 하기 화학식 4, 화학식 5 또는 화학식 6으로 표시되는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 스트리퍼 조성물:
[화학식 4]
Figure PCTKR2009007003-appb-I000011
상기 화학식 4에서,
R4은 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이며,
R5 및 R6는 서로 동일하거나 상이하고, 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 4의 히드록시알킬기이고,
[화학식 5]
Figure PCTKR2009007003-appb-I000012
상기 화학식 5에서, R7은 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이고,
[화학식 6]
Figure PCTKR2009007003-appb-I000013
상기 화학식 6에서, R8은 수소 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이다.
청구항 1에 있어서, 상기 3) 부식 방지제의 함량은 전체 조성물 총중량 중 0.01 ~ 5 중량%인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 스트리퍼 조성물.
청구항 1에 있어서, 상기 포토레지스트 스트리퍼 조성물은 Al-Nd/Mo 이중막 또는 Cu/Mo 이중막에 대한 스트리퍼용인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 스트리퍼 조성물.
1) 기판 상에 형성된 도전성 금속막 또는 절연막에 포토레지스트를 도포하는 단계,
2) 상기 기판에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계,
3) 상기 패턴이 형성된 포토레지스트를 마스크로 하여, 상기 도전성 금속막 또는 절연막을 에칭하는 단계, 및
4) 청구항 1 내지 청구항 11 중 어느 한 항의 포토레지스트 스트리퍼 조성물을 이용하여 포토레지스트를 박리하는 단계
를 포함하는 포토레지스트의 박리방법.
청구항 12에 있어서, 상기 1) 단계의 도전성 금속막 또는 절연막은 Al-Nd/Mo 이중막 또는 Cu/Mo 이중막인 것을 특징으로 하는 포토레지스트의 박리방법.
1) 기판 상에 포토레지스를 전면 도포하는 단계,
2) 상기 기판에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계,
3) 상기 포토레지스트 패턴이 형성된 기판에 도전성 금속막 또는 절연막을 형성하는 단계, 및
4) 청구항 1 내지 청구항 11 중 어느 한 항의 포토레지스트 스트리퍼 조성물을 이용하여 포토레지스트를 박리하는 단계
를 포함하는 포토레지스트의 박리방법.
청구항 14에 있어서, 상기 1) 단계의 도전성 금속막 또는 절연막은 Al-Nd/Mo 이중막 또는 Cu/Mo 이중막인 것을 특징으로 하는 포토레지스트의 박리방법.
PCT/KR2009/007003 2009-09-25 2009-11-26 포토레지스트 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 박리방법 WO2011037300A1 (ko)

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