JP2006276885A - レジスト剥離剤 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 レジスト剥離剤を、少なくとも2−ベンズイミダゾールチオールを10〜50000ppmの範囲内で含有するアルカリ性水溶液とすることにより、レジスト剥離剤中に溶出した銅イオンが引き起こす銅上へのすず再析出を防止する。
【選択図】 なし
Description
本発明は、上述のような実情に鑑みてなされたものであり、銅上にすずめっき被膜を形成した後に、銅上へのすず再析出を生じさせることなくレジストを剥離することが可能なレジスト剥離剤を提供することを目的とする。
本発明のレジスト剥離剤は、下記式(1)で示される構造を分子内に有する複素環化合物を少なくとも含有するアルカリ性水溶液である。
また、本発明のレジスト剥離剤には、他の添加剤としてポリエーテル系の非イオン界面活性剤からなる消泡剤等を必要に応じて添加することができる。このような添加剤の含有量は1g/L以下とすることが好ましい。
本発明のレジスト剥離剤を用いてレジスト剥離を行う場合、レジスト剥離剤の温度には特に制限はないが、例えば、40〜50℃の範囲で設定することが好ましい。レジスト剥離剤とレジストとの接触は、浸漬法、噴射法等いずれであってもよい。
<試験片の作製>
両面樹脂付き銅箔(銅厚18μm、ガラスエポキシ基材)上に、ドライフィルムレジスト(日立化成工業(株)製 PHOTEC HN240)を用いてパターンを形成した後、膜厚5μmのすずめっき被膜を銅箔上に形成し、次いで、5cm×5cmの大きさに切り出して試験片を作製した。
上記式(1)で示される構造を分子内に有する複素環化合物として、上記構造式(A)〜(E)で示される2−ベンズイミダゾールチオール、2−メルカプト−1−メチルイミダゾール、2−チオウラシル、2,4−ジチオピリミジン、2−メルカプト−4−メチルピリミジン塩酸塩を、それぞれ3%水酸化ナトリウム水溶液(液量200mL、液温45℃)に2000ppm添加して5種のレジスト剥離剤(試料1〜5)を調製した。また、これらのレジスト剥離剤(試料1〜5)に銅−アンミン錯体水溶液を微量添加して下記の表1に示す濃度で銅イオンを含有させた。
試験片を各レジスト剥離剤(試料1〜5、比較試料1〜7)に5分間浸漬してレジスト剥離を行った。
その後、液温50℃のアンモニア性アルカリエッチャント(銅濃度=138g/L、塩素濃度=160g/L、アンモニア濃度=8.7N、pH=8.4)をスプレー圧1.5kg/cm2にて約30秒間噴射して試験片の銅箔のエッチング処理を行った。
エッチング処理後の試験片を目視で観察し、下記の基準で評価して結果を下記表1に示した。
(評価基準)
○ : 残銅が見られず均一に銅箔が除去されている
× : 銅箔の除去が不均一であり、すずの置換析出に基づく局部的な残銅
が見られる
<試験片の作製>
実施例1と同様にして試験片を作製した。
<レジスト剥離剤の調製>
上記式(1)で示される構造を分子内に有する複素環化合物として、上記構造式(A)〜(E)で示される2−ベンズイミダゾールチオール、2−メルカプト−1−メチルイミダゾール、2−チオウラシル、2,4−ジチオピリミジン、2−メルカプト−4−メチルピリミジン塩酸塩を、下記表2に示される濃度(10〜2000ppmの8段階)となるように、それぞれ3%水酸化ナトリウム水溶液(液量200mL、液温45℃)に添加して40種のレジスト剥離剤を調製した。また、これらのレジスト剥離剤に銅−アンミン錯体水溶液を微量添加することにより、50ppmで銅イオンを含有させた。
実施例1と同様にして、試験片のレジスト剥離を行い、その後、銅箔のエッチング処理を行った。
<評 価>
エッチング処理後の試験片を実施例1と同様の基準で評価して結果を下記表2に示した。
<試験片の作製>
実施例1と同様にして試験片を作製した。
<レジスト剥離剤の調製>
上記式(1)で示される構造を分子内に有する複素環化合物として、上記構造式(D)で示される2,4−ジチオピリミジンを準備した。また、3%モノエタノールアミン+0.5%水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液(液量200mL、液温45℃)を準備した。この水溶液に上記の2,4−ジチオピリミジンを2000ppm添加してレジスト剥離剤(試料6)を調製した。また、このレジスト剥離剤に銅−アンミン錯体水溶液を微量添加して下記の表3に示す濃度で銅イオンを含有させた。
実施例1と同様にして、試験片のレジスト剥離を行い、その後、銅箔のエッチング処理を行った。
<評 価>
エッチング処理後の試験片を実施例1と同様の基準で評価して結果を下記表3に示した。
これに対して、上記式(1)で示される構造を分子内に有する複素環化合物を含有しないレジスト剥離剤(比較試料8〜10)は、銅イオンが存在しない場合、銅上へのすず再析出を生じさせることなくレジストを剥離することが可能であった。しかし、銅イオンが存在することにより銅上へのすず再析出が見られ、実用に供し得ないものであった。
<試験片の作製>
実施例1と同様にして試験片を作製した。
<レジスト剥離剤の調製>
上記式(1)で示される構造を分子内に有する複素環化合物として、上記構造式(D)で示される2,4−ジチオピリミジンを、下記表4に示される濃度(10〜2000ppmの8段階)となるように、それぞれ3%モノエタノールアミン+0.5%水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液(液量200mL、液温45℃)に添加して8種のレジスト剥離剤を調製した。また、これらのレジスト剥離剤に銅−アンミン錯体水溶液を微量添加することにより、50ppmで銅イオンを含有させた。
実施例1と同様にして、試験片のレジスト剥離を行い、その後、銅箔のエッチング処理を行った。
<評 価>
エッチング処理後の試験片を実施例1と同様の基準で評価して結果を下記表4に示した。
Claims (1)
- 少なくとも2−ベンズイミダゾールチオールを10〜50000ppmの範囲内で含有するアルカリ性水溶液であることを特徴とするレジスト剥離剤。
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JP2008216296A (ja) * | 2007-02-28 | 2008-09-18 | Nagase Chemtex Corp | フォトレジスト剥離剤組成物 |
WO2011037300A1 (ko) * | 2009-09-25 | 2011-03-31 | 주식회사 엘지화학 | 포토레지스트 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 박리방법 |
JP2018503127A (ja) * | 2014-12-30 | 2018-02-01 | フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー.エス.エー., インコーポレイテッド | 半導体基板からフォトレジストを除去するための剥離組成物 |
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