JP2006229196A - エッチング液と補給液及びこれを用いた導体パターンの形成方法 - Google Patents

エッチング液と補給液及びこれを用いた導体パターンの形成方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2006229196A
JP2006229196A JP2005356551A JP2005356551A JP2006229196A JP 2006229196 A JP2006229196 A JP 2006229196A JP 2005356551 A JP2005356551 A JP 2005356551A JP 2005356551 A JP2005356551 A JP 2005356551A JP 2006229196 A JP2006229196 A JP 2006229196A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
etching
etching solution
conductor pattern
copper
group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2005356551A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4580331B2 (ja
Inventor
Masayo Kuriyama
雅代 栗山
Daisaku Akiyama
大作 秋山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
MEC Co Ltd
Original Assignee
MEC Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by MEC Co Ltd filed Critical MEC Co Ltd
Priority to JP2005356551A priority Critical patent/JP4580331B2/ja
Publication of JP2006229196A publication Critical patent/JP2006229196A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4580331B2 publication Critical patent/JP4580331B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/04Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10Etching compositions
    • C23F1/14Aqueous compositions
    • C23F1/16Acidic compositions
    • C23F1/28Acidic compositions for etching iron group metals
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604Chemical etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105After-treatment
    • H01L21/311Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31105Etching inorganic layers
    • H01L21/31111Etching inorganic layers by chemical means
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C11ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11DDETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D2111/00Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
    • C11D2111/10Objects to be cleaned
    • C11D2111/14Hard surfaces
    • C11D2111/22Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

【課題】Ni、Cr、Ni−Cr合金及びPdから選ばれる少なくとも一つの金属を速やかにエッチングすることができるエッチング液と補給液、及びこれを用いた導体パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】本発明のエッチング液は、Ni、Cr、Ni−Cr合金及びPdから選ばれる少なくとも一つの金属をエッチングするエッチング液であって、NO、N2O、NO2、N23及びこれらのイオンから選ばれる少なくとも一の成分と、酸成分とを含む水溶液である。本発明の導体パターン(1)の形成方法は、Ni、Cr、Ni−Cr合金及びPdから選ばれる少なくとも一つの金属を、前記エッチング液によりエッチングして導体パターン(1)を形成する。
【選択図】図2

Description

本発明は、Ni、Cr、Ni−Cr合金及びPdから選ばれる少なくとも一つの金属をエッチングするエッチング液と補給液、及びこれを用いた導体パターンの形成方法に関する。
従来から、電気製品や電子機器の配線用部材としてプリント配線基板が広く用いられている。プリント配線基板は、電気絶縁性基材の表面に配線パターンが形成された基板である。その中でも、ポリイミドフィルム等の可撓性フィルムを電気絶縁性基材として用いたフレキシブル基板は、薄さや軽さ等の点においてリジッド基板よりも優位である上、折り曲げ可能ゆえにモーター周辺部等の可動部分にも使用できるため、需要が増大している。また、液晶モジュール用のパッケージ基材としてもフレキシブル基板の需要が増大している。フレキシブル基板の製法としては種々の製法が知られているが、これらの中で、微細配線を形成しやすい等の点でスパッタ−めっき法が注目されている(例えば、特許文献1参照)。
前記スパッタ−めっき法は、次の工程からなる。まず、ポリイミドフィルム等の基材上に、例えばNi、Cr、Ni−Cr合金、Pd等からなる下地層を形成し、この下地層上の配線を構成する部分にのみ電解めっきにより銅層を形成する。ここで、前記下地層は、基材と銅層との密着性を高めるための接着層としての役割を果たす。次いで、銅層が形成されていない部分の下地層をエッチングにより除去して、銅層及び下地層からなる配線を形成する。下地層のエッチングには、一般に、塩化第二鉄を主成分とするエッチング液が使用されている。
特開2000−252625号公報
しかし、塩化第二鉄を主成分とする従来のエッチング液では、下地層を構成する金属のエッチング速度が遅いため、下地層をエッチングしている間に、前記エッチング液によって銅層が溶解するおそれがある。銅層が溶解すると、配線の高さや幅が減少し、配線の電気抵抗が増大したり、断線が生じたりする可能性がある。
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、Ni、Cr、Ni−Cr合金及びPdから選ばれる少なくとも一つの金属を速やかにエッチングすることができるエッチング液と補給液、及びこれを用いた導体パターンの形成方法を提供する。
本発明のエッチング液は、Ni、Cr、Ni−Cr合金及びPdから選ばれる少なくとも一つの金属をエッチングするエッチング液であって、
NO、N2O、NO2、N23及びこれらのイオンから選ばれる少なくとも一の成分と、酸成分とを含む水溶液であることを特徴とする。
本発明の第1の補給液は、上述した本発明のエッチング液を繰り返し使用する際に、このエッチング液に添加する補給液であって、
NO、N2O、NO2、N23及びこれらのイオンから選ばれる少なくとも一の成分を含む水溶液であることを特徴とする。
本発明の第2の補給液は、上述した本発明のエッチング液を繰り返し使用する際に、このエッチング液に添加する補給液であって、
アミノ基、イミノ基、カルボキシル基、カルボニル基、スルホ基及び水酸基から選ばれる少なくとも一種の基と、硫黄原子とを有し、かつ炭素原子数が7以下である化合物を含むことを特徴とする。
本発明の第3の補給液は、上述した本発明のエッチング液を繰り返し使用する際に、このエッチング液に添加する補給液であって、
チアゾール及びチアゾール系化合物から選ばれる少なくとも一種を含むことを特徴とする。
本発明の導体パターンの形成方法は、Ni、Cr、Ni−Cr合金及びPdから選ばれる少なくとも一つの金属をエッチングして導体パターンを形成する導体パターンの形成方法であって、
前記金属を、上述した本発明のエッチング液を用いてエッチングすることを特徴とする。
本発明のエッチング液によれば、Ni、Cr、Ni−Cr合金及びPdから選ばれる少なくとも一つの金属を速やかにエッチングすることができるため、例えば銅等の他の金属の過剰な溶解を防ぐことができる。また、本発明の補給液によれば、上述した本発明のエッチング液のエッチング性能を維持することができる。また、本発明の導体パターンの形成方法によれば、上述した本発明のエッチング液を使用するため、例えば銅等の他の金属の過剰な溶解を防ぐことができる。
本発明のエッチング液は、Ni、Cr、Ni−Cr合金及びPdから選ばれる少なくとも一つの金属(以下、単に「被処理金属」ともいう。)をエッチングするエッチング液であって、NO、N2O、NO2、N23及びこれらのイオンから選ばれる少なくとも一の成分(以下、単に「含窒素成分」ともいう。)と、酸成分とを含む水溶液である。本発明のエッチング液は、前記構成を有することにより、被処理金属を速やかにエッチングすることができる。よって、本発明のエッチング液を用いて、被処理金属と銅等の他の金属とが共存する被処理材から被処理金属をエッチングすると、本発明のエッチング液と被処理材とが接触する時間を短縮できるため、銅等の他の金属の溶解を防ぐことができる。そのため、本発明のエッチング液によれば、被処理材から被処理金属を選択的にエッチングすることができる。
本発明のエッチング液の処理対象である被処理金属は、上述したとおりNi、Cr、Ni−Cr合金及びPdから選ばれる少なくとも一つの金属である。Ni−Cr合金を被処理金属とする場合、Ni−Cr合金におけるNiとCrとの原子比は特に制限されない。例えば原子比(Ni/Cr)が、6/1、7/1、1/3等のNi−Cr合金を被処理金属とすることができる。本発明のエッチング液によれば、Ni、Cr及びNi−Cr合金を速やかにエッチングできる上、銅の溶解が極めて少なくなる。更に、本発明のエッチング液によれば、Pdについても速やかにエッチングできる。Pdは、プリント配線基板の製造において無電解銅めっきの触媒として使用されているが、電気絶縁性基材の表面に残存したPdが電気絶縁性を低下させたり、後工程における金めっき処理の際、不要な部分に金を析出させたりする問題があった。本発明のエッチング液によれば、Pdを速やかにエッチングすることができるため、上述した問題についても解決することができる。
本発明のエッチング液に含まれる含窒素成分は、上述したとおりNO、N2O、NO2、N23及びこれらのイオンから選ばれる少なくとも一の成分である。なかでも亜硝酸イオンは、エッチング液中での濃度管理が容易であるため、本発明のエッチング液のエッチング性能を安定して維持することができる。
本発明のエッチング液に含まれる酸成分としては、例えば、硫酸、塩酸、硝酸、フッ酸、有機酸等が挙げられる。中でも、硫酸、塩酸が好ましく、特に好ましくは、硫酸及び塩酸を併用することである。硫酸及び塩酸を併用する場合、硫酸のエッチング液全体に対する割合は、エッチング速度の観点から1〜60質量%の範囲が好ましく、より好ましくは3〜30質量%の範囲であり、特に好ましくは12.5〜20質量%の範囲である。また、塩酸のエッチング液全体に対する割合は、エッチング速度の観点から0.1〜20質量%の範囲が好ましく、より好ましくは0.5〜15質量%の範囲であり、特に好ましくは7〜10質量%の範囲である。
上述した各成分を配合する方法としては、例えば、予め上述した酸性分を含む水溶液(酸性溶液)を調製しておいて、この酸性溶液に、亜硝酸塩を溶解させたり、NOガスやN2Oガス等の含窒素ガスを吹き込んだりして含窒素成分を添加する方法等が挙げられる。また、上述と同様の添加方法によって水に含窒素成分を添加した後、これらに上述した酸性分を添加してもよい。亜硝酸塩としては、亜硝酸ナトリウム、亜硝酸リチウム、亜硝酸カリウム等が挙げられ、これらの一つを単独で用いてもよいし、これらを複数種混合して用いてもよい。なお、本発明のエッチング液に使用される水としては、イオン性物質や不純物を除去した水が好ましい。具体的には、イオン交換水、純水、超純水等の水を使用することが好ましい。
本発明のエッチング液に含まれる前記含窒素成分の濃度は、0.0001〜10質量%の範囲が好ましく、より好ましくは0.001〜1質量%の範囲であり、特に好ましくは0.01〜0.5質量%の範囲である。含窒素成分の濃度が0.0001質量%未満では、被処理金属をエッチングすることが困難となる場合がある。一方、含窒素成分の濃度が10質量%を超えると、含窒素成分の自己分解が激しくなり、濃度の増加に見合うエッチング性能の向上がみられず、不経済となる場合がある。なお、亜硝酸塩を酸性溶液(又は水)に溶解させて本発明のエッチング液を調製する場合は、亜硝酸イオンの濃度として、好ましくは0.0001〜10質量%の範囲、より好ましくは0.001〜1質量%の範囲、特に好ましくは0.01〜0.5質量%の範囲となるように亜硝酸塩を添加すればよい。
本発明のエッチング液には、アミノ基、イミノ基、カルボキシル基、カルボニル基、スルホ基及び水酸基から選ばれる少なくとも一種の基と、硫黄原子とを有し、かつ炭素原子数が7以下である化合物(以下、単に「含硫黄化合物」ともいう。)が更に含まれていてもよい。被処理金属と銅とが共存する被処理材から、従来のエッチング液を用いて被処理金属をエッチングすると、被処理金属とともに銅がエッチング液中に溶解し、溶解した銅イオンが更に銅の溶解を促進することとなる。本発明のエッチング液に上述した含硫黄化合物が含まれていると、この含硫黄化合物がエッチング液中の銅イオンを捕捉するため、銅の溶解をより効果的に抑制できる。
アミノ基を有する含硫黄化合物の具体例としては、例えばチオ尿素、二酸化チオ尿素、N−メチルチオ尿素、1,3−ジメチルチオ尿素、1,3−ジエチルチオ尿素等が挙げられる。イミノ基を有する含硫黄化合物の具体例としては、例えばエチレンチオ尿素等が挙げられる。カルボキシル基を有する含硫黄化合物の具体例としては、例えばチオサリチル酸、チオグリコール酸、β−メルカプトプロピオン酸、2−メルカプトプロピオン酸、2,2'−チオジグリコール酸、チオリンゴ酸、メルカプトコハク酸、L−システイン、L(−)−シスチン等の硫黄原子含有カルボン酸、及びこれらのカリウム塩、ナトリウム塩等が挙げられる。カルボニル基を有する含硫黄化合物の具体例としては、例えば2−チオバルビツール酸等が挙げられる。スルホ基を有する含硫黄化合物の具体例としては、例えば、2−メルカプトエタンスルホン酸、3−メルカプト−1−プロパンスルホン酸、2−メルカプトベンゼンスルホン酸、及びこれらのカリウム塩、ナトリウム塩等が挙げられる。水酸基を有する含硫黄化合物の具体例としては、チオグリコール等の硫黄原子含有アルコール等が挙げられる。また、エッチング液中の前記含硫黄化合物の含有量は、エッチング液全体に対し、例えば、0.01〜20質量%の範囲であり、好ましくは0.05〜10質量%の範囲であり、より好ましくは0.1〜1質量%の範囲である。含硫黄化合物の含有量が20質量%より多いと、それ以上の効果が期待できず不経済となる可能性があり、0.01質量%未満であると、充分な効果が得られなくなる可能性がある。なお、本発明のエッチング液には、上述した含硫黄化合物のうちの1種類のみ含まれていてもよいし、2種類以上含まれていてもよい。
また、本発明のエッチング液に、チアゾール及びチアゾール系化合物から選ばれる少なくとも一種が更に含まれている場合も、上述した含硫黄化合物を含む場合と同様の効果を発揮させることができる。チアゾール系化合物の具体例としては、例えばベンゾチアゾール、2−メルカプトベンゾチアゾール等が挙げられる。エッチング液中の前記化合物(チアゾール及びチアゾール系化合物から選ばれる少なくとも一種)の含有量は、エッチング液全体に対し、例えば、0.01〜20質量%の範囲であり、好ましくは0.05〜10質量%の範囲であり、より好ましくは0.1〜1質量%の範囲である。
また、本発明のエッチング液に、銅の溶解を抑制する成分として、ベンザルコニウム及びアルキロールアミドから選ばれる少なくとも一種が更に含まれていてもよい。ベンザルコニウムの具体例としては、例えば塩化アルキルジメチルベンジルアンモニウム等の塩化ベンザルコニウム、臭化ベンザルコニウム等が挙げられる。アルキロールアミドの具体例としては、例えばラウリン酸モノエタノールアミド、ステアリン酸モノエタノールアミド、オレイン酸モノエタノールアミド、ラウリン酸ジエタノールアミド、ステアリン酸ジエタノールアミド、オレイン酸ジエタノールアミド等の脂肪族アルキロールアミドや芳香族アルキロールアミド等が挙げられる。これらは、アンモニウム塩やナトリウム塩であってもよい。また、これらの化合物の一つが単独で含まれていてもよく、これらの化合物が複数種含まれていてもよい。なお、前記化合物の分子量は、溶解性の観点から300以下であることが好ましく、200以下であることがより好ましい。また、前記化合物が脂肪族の側鎖を有する場合、溶解性の観点から前記側鎖の炭素数が22以下であることが好ましく、前記側鎖の炭素数が18以下であることがより好ましい。
本発明のエッチング液には、ニトロ基を有する化合物、硝酸及び硝酸塩から選ばれる少なくとも一種が更に含まれていてもよい。これらは、エッチング液中の前記酸成分と同様に、被処理金属を溶解させるための成分となり得る。ニトロ基を有する化合物としては、例えば芳香族ニトロ化合物等が挙げられ、具体的には、ニトロベンゼンスルホン酸、ニトロ安息香酸、ニトロアニリン、ニトロフェノール、それらの塩等が挙げられる。硝酸塩としては、例えば硝酸アンモニウム、硝酸ナトリウム、硝酸カリウム、硝酸鉄、硝酸ニッケル等が挙げられる。
本発明のエッチング液には、必要に応じて種々の添加剤が更に含まれていてもよい。添加剤としては、例えば、被処理材に対する濡れ性を向上させる界面活性剤、本発明のエッチング液をスプレー法で使用する際の泡立ちを抑制する消泡剤、銅の変色を防止する防錆剤等が挙げられる。
本発明のエッチング液の使用方法は特に限定されず、例えば、浸漬法、スプレー法等により使用することができる。また、前記エッチング液の使用温度は、通常20〜65℃の範囲である。なお、エッチング装置を用いてエッチングする際は、例えば前記エッチング液の全成分を所定の組成になるように調製した後、エッチング装置に供給してもよく、前記エッチング液の各成分を個別にエッチング装置に供給し、エッチング装置内で前記各成分を混合して所定の組成になるように調製してもよく、前記エッチング液の成分の一部を予め混合してエッチング装置に供給し、更に他の成分をエッチング装置に供給して前記エッチング液の各成分を混合して所定の組成になるように調製してもよい。なお、前記エッチング液の各成分をエッチング装置に供給する際において、前記各成分の濃度は特に限定されず、例えば、高濃度の前記各成分をエッチング装置に供給し、エッチング装置内で水を用いて希釈し、所定の濃度に調製してもよい。
本発明の第1の補給液は、上述した本発明のエッチング液を繰り返し使用する際に、このエッチング液に添加する補給液であって、NO、N2O、NO2、N23及びこれらのイオンから選ばれる少なくとも一の成分(即ち上述した含窒素成分)を含む水溶液である。前記補給液によれば、前記エッチング液中の含窒素成分の濃度が低下しても、適当なタイミングでこの補給液を前記エッチング液に添加することで、前記エッチング液のエッチング性能を維持することができる。
前記補給液は、例えば前記含窒素成分を水又は弱アルカリ性水溶液に溶解させることにより、容易に調製することができる。特に、前記含窒素成分として亜硝酸イオンを使用する場合は、亜硝酸イオンが水又は弱アルカリ性水溶液中で安定して存在するため、前記補給液中の前記含窒素成分(亜硝酸イオン)の濃度を安定して維持することができる。前記補給液中の前記含窒素成分の濃度は、例えば0.1〜75質量%、好ましくは10〜70質量%、より好ましくは30〜50質量%である。前記含窒素成分の濃度が0.1質量%未満では、本発明のエッチング液のエッチング性能を維持するために、多量に前記補給液を添加しなければならなくなる可能性がある。
前記補給液の添加量は、エッチング液に最初に含まれていた前記含窒素成分の量、エッチングする金属の種類や厚み、添加するタイミング等によって異なる。例えば、エッチング液のエッチング速度が所定の速度より低下した際に、エッチング液中の前記含窒素成分の濃度が、必要なエッチング速度が得られる濃度となるまで、エッチング液に前記補給液を添加すればよい。なお、前記「所定の速度」については特に限定されず、生産性等を考慮して適宜設定すればよい。
本発明の第2の補給液は、アミノ基、イミノ基、カルボキシル基、カルボニル基、スルホ基及び水酸基から選ばれる少なくとも一種の基と、硫黄原子とを有し、かつ炭素原子数が7以下である化合物(含硫黄化合物)を含む。前記含硫黄化合物を含む本発明のエッチング液を繰り返し使用すると、前記エッチング液中の前記含硫黄化合物が消費されるため、銅の溶解の抑制力が低下する可能性がある。そのような場合、前記補給液を前記エッチング液に添加すると、前記含硫黄化合物の含有量を適正な範囲に保つことができるため、銅の溶解の抑制力を維持することができる。この場合、前記補給液の添加量は、前記エッチング液中の前記含硫黄化合物の含有量によって異なるが、例えば前記エッチング液中の前記含硫黄化合物の含有量が、前記エッチング液全体に対し、例えば、0.01〜20質量%の範囲、好ましくは0.05〜10質量%の範囲、より好ましくは0.1〜1質量%の範囲となるように添加すればよい。なお、前記補給液中の前記含硫黄化合物の含有量は、前記エッチング液中の前記含硫黄化合物の含有量を適正な範囲に維持できる限り特に限定されないが、例えば、前記補給液全体に対し0.5〜95質量%の範囲であり、好ましくは0.8〜30質量%の範囲であり、より好ましくは1〜15質量%の範囲である。
本発明の第2の補給液は、例えば前記含硫黄化合物を水、酸性溶液又はアルカリ性溶液に溶解させることにより調製することができる。特に、酸性溶液を用いると、本発明のエッチング液中の酸濃度を低下させることがないため好ましい。なお、本発明の第2の補給液には、前記含窒素化合物や、安定性向上剤、界面活性剤、消泡剤、防錆剤等の添加剤が添加されていてもよい。
本発明の第3の補給液は、チアゾール及びチアゾール系化合物から選ばれる少なくとも一種を含む。この補給液は、チアゾール及びチアゾール系化合物から選ばれる少なくとも一種を含む本発明のエッチング液を繰り返し使用する際に添加する補給液である。その効果や、調製方法等については上述した本発明の第2の補給液と同様である。
本発明の導体パターンの形成方法は、Ni、Cr、Ni−Cr合金及びPdから選ばれる少なくとも一つの金属(即ち上述した被処理金属)をエッチングして導体パターンを形成する導体パターンの形成方法であって、被処理金属を、上述した本発明のエッチング液を用いてエッチングすることを特徴とする。本発明の導体パターンの形成方法によれば、上述したように被処理金属を速やかにエッチングすることができるため、例えば被処理金属と銅等の他の金属とが共存する被処理材から被処理金属を選択的にエッチングすることができる。
前記導体パターンとしては、例えば配線パターンやランドパターン、又はこれらが組み合わされたもの等が挙げられる。導体パターンの層構成としては、例えばNi、Cr、Ni−Cr合金又はPdからなる下地層と、この下地層上に形成された銅層とからなる構成が例示できる。なお、本発明の導体パターンの形成方法により形成される導体パターンは、上述した被処理金属と銅等の他の金属とが共存する導体パターン以外にも、例えば上述した被処理金属、即ちNi、Cr、Ni−Cr合金及びPdから選ばれる少なくとも一つの金属からなる導体パターンであってもよい。
本発明の導体パターンの形成方法の具体例としては、例えば下記の方法が挙げられる。
(a)電気絶縁性基材上に下地層としてNi、Cr又はNi−Cr合金層を形成し、その上にめっきレジストを形成し、ついで電解銅めっきにより導体パターンを構成する部分にのみ銅層を形成し、ついでめっきレジストを除去した後、これらに本発明のエッチング液を接触させて銅層が形成されていない部分の下地層を溶解して導体パターンを形成する。
(b)電気絶縁性基材上に下地層としてNi、Cr又はNi−Cr合金層を形成し、その上に銅層を形成し、ついで導体パターンを構成する部分をエッチングレジストで被覆し、ついでこれらに銅エッチング液を接触させてエッチングレジストで被覆されていない部分の銅をエッチングし、ついでこれらに本発明のエッチング液を接触させて前記銅のエッチングにより露出した下地層を溶解して導体パターンを形成する。
(c)電気絶縁性基材上に無電解めっき触媒(Pd)を付与したのち無電解銅めっきし、ついで電解銅めっきし、ついで導体パターンを構成する部分をエッチングレジストで被覆し、ついでこれらに銅エッチング液を接触させてエッチングレジストで被覆されていない部分の銅(無電解銅めっき層及び電解銅めっき層)をエッチングし、ついでこれらに本発明のエッチング液を接触させて前記銅のエッチングにより露出した電気絶縁性基材上に残存する無電解めっき触媒(Pd)を除去して導体パターンを形成する。
上記いずれの場合でも、本発明のエッチング液を用いてエッチングする際のエッチング方法は特に限定されず、例えば、浸漬法、スプレー法等によりエッチングすることができる。本発明の導体パターンの形成方法によれば、上記(a)又は(b)の場合においては、下地層となるNi、Cr又はNi−Cr合金層の厚さが厚くても(例えば0.1μm以上の厚さであっても)、導体パターンを構成する銅層の形状をほとんど変化させることなく、下地層を速やかに溶解することができる。また、上記(c)の場合においても、導体パターンを構成する銅層の形状をほとんど変化させることなく、電気絶縁性基材上に残存する無電解めっき触媒(Pd)を速やかに除去することができる。
また、上述のようなエッチングを繰り返し行う際に、本発明のエッチング液を繰り返し使用する場合は、本発明のエッチング液中の含窒素成分が減少してエッチング液のエッチング速度が低下するおそれがある。このような場合、上述した本発明の補給液を前記エッチング液に添加して、前記エッチング液による被処理金属のエッチング速度を所定の速度以上に維持しながら被処理金属をエッチングするのが好ましい。これにより、前記エッチング液のエッチング性能を維持することができるため、前記エッチング液を頻繁に交換する必要がなくなり、低コストで導体パターンを形成することができる。
次に、本発明の導体パターンの形成方法の一実施形態について図面を参照して説明する。参照する図1A〜C及び図2A〜Cは、本発明の導体パターンの形成方法の一実施形態を説明するための工程別断面図である。
まず、図1Aに示すように、ポリイミドフィルムからなる電気絶縁性基材10上に、Ni−Cr合金層からなる下地層11をスパッタリングにより形成する。電気絶縁性基材10及び下地層11の厚みは、例えばそれぞれ20〜50μm及び0.005〜0.1μmの範囲とすればよい。
次に、図1Bに示すように、下地層11上に銅層12を形成する。銅層12の形成方法としては、スパッタリングにより0.2〜0.3μmの厚さの銅薄膜層を形成した後、この銅薄膜層上に例えば2〜10μmの厚みの電解銅めっき層を形成する方法が例示できる。
続いて、図1Cに示すように、銅層12上における導体パターンを構成する部分をエッチングレジスト13で被覆する。エッチングレジスト13の形成方法としては、例えば銅層12上にドライフィルムレジストを貼り合せた後、公知のフォトリソグラフィ法を用いてドライフィルムレジストをパターニングする方法が例示できる。
次に、例えば塩化銅又は塩化鉄を含有する銅エッチング液を用いて、エッチングレジスト13で被覆されていない銅層12aをエッチングし、図2Aに示すように銅層12をパターニングする。
続いて、図2Bに示すように、例えば水酸化ナトリウム水溶液等の剥離液を用いてエッチングレジスト13を剥離した後、本発明のエッチング液を用いて、前記銅のエッチングにより露出した下地層11aを溶解する。これにより、図2Cに示すような配線パターンからなる導体パターン1が得られる。
以下、本発明のエッチング液の実施例について比較例と併せて説明する。なお、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
(エッチング液の調製)
表1に示す成分を混合して、実施例1〜8のエッチング液を調製した。また、表2に示す成分を混合して、比較例1〜3のエッチング液を調製した。なお、実施例5及び8のエッチング液は、酸化窒素(NO)以外の成分を混合した後、この混合溶液1kgに対し3リットルのNOガスを吹き込んで調製した。
(Ni−Cr合金のエッチング)
ポリイミドフィルム上にスパッタリング法によってNi−Cr合金膜が形成された被処理材を用意した。この被処理材は、ポリイミドフィルム及びNi−Cr合金膜の厚みが、それぞれ50μm及び0.1μmで、Ni−Cr合金膜におけるNiとCrとの原子比(Ni/Cr)が、88/12であった。そして、この被処理材を、表1及び表2に示される各エッチング液(40℃)中に浸漬し、蛍光X線分析装置による測定でポリイミドフィルム表面のNi及びCrが検出されなくなる時間(Ni−Cr合金の溶解時間)を測定した。結果を表1及び表2に示す。また、参照データとして、縦40mm、横40mm、厚さ35μm、重さ0.50gの銅箔を、表1及び表2に示される各エッチング液(40℃)中に前記溶解時間と同じ時間だけ浸漬し、浸漬前後の重量変化により銅の溶解量を調べた。結果を表1及び表2の括弧内に示す。
(Pdのエッチング)
エポキシ樹脂含浸ガラス布基材上に無電解めっき触媒(Pd)が付与された被処理材を用意した。この被処理材には、基材1m2あたり20mgのPdが付着していた。そして、この被処理材を、表1及び表2に示される各エッチング液(40℃)中に浸漬し、X線光電子分光法(ESCA)による測定で基材表面のPdが検出されなくなる時間(Pdの溶解時間)を測定した。結果を表1及び表2に示す。また、参照データとして、縦40mm、横40mm、厚さ35μm、重さ0.50gの銅箔を、表1及び表2に示される各エッチング液(40℃)中に前記溶解時間と同じ時間だけ浸漬し、浸漬前後の重量変化により銅の溶解量を調べた。結果を表1及び表2の括弧内に示す。
Figure 2006229196
Figure 2006229196
表1に示すように、本発明のエッチング液を用いた実施例1〜8では、Ni−Cr合金およびPdが速やかに溶解し、かつ、銅箔の溶解はほとんど確認できなかった。これに対し、表2に示す比較例1〜3では、Ni−Cr合金およびPdの溶解時間が長くなり、その結果、比較例2及び比較例3においては、実施例1〜8に比べエッチング液への銅箔の溶解量が増加した。
また、前記実施例2のエッチング液を用いて前記条件でNi−Cr合金のエッチングを繰り返し行ったところ、最初はNi−Cr合金の溶解時間が20秒だったが、繰り返すうちに前記溶解時間が300秒になるまでエッチング速度が低下した。そこで、亜硝酸ナトリウムをイオン交換水に溶解させた補給液(亜硝酸イオンとして60質量%含む)を、エッチング液1リットルに対し17ミリリットル添加して更にエッチングを行った。すると、Ni−Cr合金の溶解時間が当初の溶解時間である20秒となり、エッチング速度が回復した。
また、前記補給液の添加前後におけるエッチング液中の亜硝酸イオン濃度を以下に示す方法で測定した。測定方法は、まず所定量のエッチング液をサンプリングし、このサンプルにグリース試薬(スルファニルアミドと、オルト−(1−ナフチル)エチレンジアミンとを含む試薬)を加え、室温で5〜10分間放置した(この間に赤紫色に変色した)。次に、このサンプルについて、520〜550nmの可視光の吸光度を測定し、亜硝酸イオン濃度が予め分かっている標準サンプルの前記吸光度と比較して濃度換算を行った。その結果、前記補給液の添加前(Ni−Cr合金の溶解時間が300秒)の亜硝酸イオン濃度は0.00005質量%で、前記補給液の添加後(Ni−Cr合金の溶解時間が20秒)の亜硝酸イオン濃度は0.01質量%であった。
(チアゾールの含有量の調整)
更に、エッチング液中のチアゾールの影響を観察するために以下の実験を行った。
実施例3のエッチング液(100g)を40℃に保持し、このエッチング液中に前述したNi−Cr合金膜が形成された被処理材を1分間浸漬した。次に、前記被処理材をエッチング液から取り出し、縦40mm、横40mm、厚さ35μm、重さ0.50gの銅箔を前記エッチング液(40℃)中に1分間浸漬し、浸漬前後の重量変化により銅の溶解量を調べた。この操作を1サイクルとして30サイクル繰り返したところ、30枚目の銅箔で0.03gの銅の減少が見られた。この時点で、前記エッチング液中のチアゾールの含有量を測定したところ、0.002質量%(初期値:0.01質量%)まで減少していた。そこで、チアゾールの含有量が減少した前記エッチング液に、イオン交換水中に塩酸(塩化水素として)20質量%、硫酸20質量%及びチアゾール1質量%を溶解させた補給液(1g)を添加した。これにより、エッチング液中のチアゾールの含有量は0.01質量%となった。そして、このエッチング液に、上述と同様に銅箔を浸漬したところ、銅箔の重量変化は0.00gとなった。
(β-メルカプトプロピオン酸の含有量の調整)
更に、エッチング液中のβ-メルカプトプロピオン酸の影響を観察するために以下の実験を行った。
実施例5のエッチング液(100g)を用いて、上記実施例3のエッチング液と同様の浸漬処理を30サイクル繰り返した。その結果、30枚目の銅箔で上記と同様に0.03gの銅の減少が見られた。この時点で、前記実施例5のエッチング液中のβ-メルカプトプロピオン酸の含有量を測定したところ、0.005質量%(初期値:0.3質量%)まで減少していた。そこで、β-メルカプトプロピオン酸の含有量が減少した前記エッチング液に、イオン交換水中に塩酸(塩化水素として)20質量%、硫酸20質量%及びβ-メルカプトプロピオン酸20質量%を溶解させた補給液(1.6g)を添加した。これにより、エッチング液中のβ-メルカプトプロピオン酸の含有量は0.3質量%となった。そして、このエッチング液に、上述と同様に銅箔を浸漬したところ、銅箔の重量変化は0.00gとなった。
(導体パターンの形成方法)
次に、本発明の導体パターンの形成方法の実施例について、比較例と併せて説明する。なお、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
まず、上述した実施例においてNi−Cr合金のエッチングに使用した被処理材と同様の被処理材を用意した。次に、この被処理材のNi−Cr合金膜(下地層)上に、スパッタリングにより0.2〜0.3μmの厚さの銅薄膜層を形成した後、この銅薄膜層上に電解銅めっき層を形成し、銅薄膜層と電解銅めっき層とからなる銅層(合計厚み:8μm)を形成した。
次に、この銅層上における導体パターンを構成する部分をエッチングレジストで被覆した。エッチングレジストは、銅層上に厚さ15μmのドライフィルムレジストを貼付し、公知のフォトリソグラフィ法を用いて、ライン/スペース=15μm/15μm(ラインの幅が15μmで、ラインとラインの隙間が15μm)のラインパターンとなるように、前記ドライフィルムレジストをパターニングして形成した。
続いて、塩化銅を含有する銅エッチング液(40℃)を用いて、エッチングレジストで被覆されていない銅層を、スプレー圧0.15MPaの条件でエッチングして除去した後、3質量%の水酸化ナトリウム水溶液をスプレーしてエッチングレジストを剥離した。
そして、前記実施例2のエッチング液(40℃)中に、エッチングレジストを剥離した後の被処理材を、前記銅のエッチングにより露出したNi−Cr合金膜が溶解するまで揺動させながら浸漬した。この際のNi−Cr合金膜の溶解時間(即ちエッチング時間)は20秒であった。なお、Ni−Cr合金膜が除去されたかどうかは、配線間のポリイミドフィルム表面を金属顕微鏡によって400倍に拡大して観察することにより確認した。これにより、上述した図2Cに示すような配線パターンからなる導体パターンが得られた(実施例9)。
また、比較例4及び比較例5として、それぞれ前記比較例1及び前記比較例2のエッチング液を用いたこととエッチング時間以外は前記実施例9と同様の条件により導体パターンを形成した。なお、比較例のNi−Cr合金膜の溶解時間(即ちエッチング時間)は、比較例4が300秒であり、比較例5が180秒であった。
表3に、上述した実施例9及び比較例4,5において、Ni−Cr合金膜を除去する前後の銅層の高さH(図2C参照)、銅層の頂部の幅W1(図2C参照)、銅層の基部の幅W2(図2C参照)及び配線のピッチをそれぞれ示す。表3に示すように、比較例5については、Ni−Cr合金のエッチング速度よりも銅のエッチング速度が速いため、Ni−Cr合金膜を除去する間に銅層がほとんど除去されてしまい、導体パターンを形成することができなかった。また、実施例9と比較例4とを比較すると、得られた導体パターンの形状については差異が生じなかったが、Ni−Cr合金膜の溶解時間、即ちエッチング時間については、比較例4では300秒であったのに対し、実施例9では20秒であった。この結果から、本発明の導体パターンの形成方法によれば、Ni−Cr合金膜を速やかに除去できることがわかった。
Figure 2006229196
本発明のエッチング液は、プリント配線基板の配線の形成工程における下地層や無電解めっき触媒を除去するエッチング液等に適用できる。
A〜Cは、本発明の導体パターンの形成方法の一実施形態を説明するための工程別断面図である。 A〜Cは、本発明の導体パターンの形成方法の一実施形態を説明するための工程別断面図である。
符号の説明
1 導体パターン
10 電気絶縁性基材
11 下地層
12 銅層
13 エッチングレジスト
H 銅層の高さ
1 銅層の頂部の幅
2 銅層の基部の幅

Claims (11)

  1. Ni、Cr、Ni−Cr合金及びPdから選ばれる少なくとも一つの金属をエッチングするエッチング液であって、
    NO、N2O、NO2、N23及びこれらのイオンから選ばれる少なくとも一の成分と、酸成分とを含む水溶液であることを特徴とするエッチング液。
  2. 前記NO、N2O、NO2、N23及びこれらのイオンから選ばれる少なくとも一の成分の濃度は、0.0001〜10質量%である請求項1に記載のエッチング液。
  3. 前記NO、N2O、NO2、N23及びこれらのイオンから選ばれる少なくとも一の成分は、亜硝酸イオンである請求項1又は2に記載のエッチング液。
  4. アミノ基、イミノ基、カルボキシル基、カルボニル基、スルホ基及び水酸基から選ばれる少なくとも一種の基と、硫黄原子とを有し、かつ炭素原子数が7以下である化合物を更に含む請求項1〜3のいずれか1項に記載のエッチング液。
  5. チアゾール及びチアゾール系化合物から選ばれる少なくとも一種を更に含む請求項1〜3のいずれか1項に記載のエッチング液。
  6. 請求項1〜5のいずれか1項に記載のエッチング液を繰り返し使用する際に、前記エッチング液に添加する補給液であって、
    NO、N2O、NO2、N23及びこれらのイオンから選ばれる少なくとも一の成分を含む水溶液であることを特徴とする補給液。
  7. 前記NO、N2O、NO2、N23及びこれらのイオンから選ばれる少なくとも一の成分は、亜硝酸イオンである請求項6に記載の補給液。
  8. 請求項4に記載のエッチング液を繰り返し使用する際に、前記エッチング液に添加する補給液であって、
    アミノ基、イミノ基、カルボキシル基、カルボニル基、スルホ基及び水酸基から選ばれる少なくとも一種の基と、硫黄原子とを有し、かつ炭素原子数が7以下である化合物を含むことを特徴とする補給液。
  9. 請求項5に記載のエッチング液を繰り返し使用する際に、前記エッチング液に添加する補給液であって、
    チアゾール及びチアゾール系化合物から選ばれる少なくとも一種を含むことを特徴とする補給液。
  10. Ni、Cr、Ni−Cr合金及びPdから選ばれる少なくとも一つの金属をエッチングして導体パターンを形成する導体パターンの形成方法であって、
    前記金属を、請求項1〜5のいずれか1項に記載のエッチング液を用いてエッチングすることを特徴とする導体パターンの形成方法。
  11. 前記エッチング液を繰り返し使用する際に、請求項6〜9のいずれか1項に記載の補給液を前記エッチング液に添加して、前記エッチング液による前記金属のエッチング速度を所定の速度以上に維持しながら前記金属をエッチングする請求項10に記載の導体パターンの形成方法。

JP2005356551A 2005-01-20 2005-12-09 エッチング液と補給液及びこれを用いた導体パターンの形成方法 Active JP4580331B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005356551A JP4580331B2 (ja) 2005-01-20 2005-12-09 エッチング液と補給液及びこれを用いた導体パターンの形成方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005013007 2005-01-20
JP2005356551A JP4580331B2 (ja) 2005-01-20 2005-12-09 エッチング液と補給液及びこれを用いた導体パターンの形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006229196A true JP2006229196A (ja) 2006-08-31
JP4580331B2 JP4580331B2 (ja) 2010-11-10

Family

ID=36919367

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005356551A Active JP4580331B2 (ja) 2005-01-20 2005-12-09 エッチング液と補給液及びこれを用いた導体パターンの形成方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP4580331B2 (ja)
KR (1) KR100927068B1 (ja)
CN (1) CN1819748B (ja)
TW (1) TW200626750A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008106354A (ja) * 2006-09-25 2008-05-08 Mec Kk 金属除去液及びこれを用いた金属除去方法
US8570240B2 (en) 2008-06-27 2013-10-29 Teijin Fibers Limited Communication sheet structure
KR20240076723A (ko) 2022-11-22 2024-05-30 멕크 가부시키가이샤 에칭액 세트, 에칭 방법 및 도체 패턴의 형성 방법

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101243847B1 (ko) * 2011-08-18 2013-03-20 주식회사 이엔에프테크놀로지 식각액의 식각 용량이 증대된 구리/몰리브데늄 합금막의 식각 방법
CN103107085B (zh) * 2013-01-31 2016-02-10 电子科技大学 一种NiCr薄膜的干法刻蚀工艺
KR101324678B1 (ko) * 2013-06-20 2013-11-04 주식회사 에이씨엠 금속 할로겐 화합물을 포함하는 시드 에칭제
KR101475892B1 (ko) * 2013-07-29 2014-12-23 주식회사 에이씨엠 고 종횡비의 배선 형성을 위한 시드 에칭제
CN106245030A (zh) * 2016-09-14 2016-12-21 佛山科学技术学院 一种钯镍合金镀层退镀的化学退镀液及退镀方法
CN111334298B (zh) * 2020-02-26 2021-10-01 江阴润玛电子材料股份有限公司 一种钼铝钼和ITO/Ag/ITO兼容蚀刻液及制备方法
CN112064028B (zh) * 2020-09-14 2022-09-16 深圳市志凌伟业光电有限公司 复合铜膜结构用蚀刻药水

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1091084A (ja) * 1996-09-12 1998-04-10 Asahi Glass Co Ltd 透明導電膜のパターニング方法と透明電極付き基体
JP2001140084A (ja) * 1999-08-27 2001-05-22 Mec Kk ニッケルまたはニッケル合金のエッチング液
JP2001164373A (ja) * 1999-12-07 2001-06-19 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 貴金属系触媒除去液
JP2004190054A (ja) * 2002-12-06 2004-07-08 Mec Kk エッチング液
JP2005350708A (ja) * 2004-06-09 2005-12-22 Okuno Chem Ind Co Ltd エッチング処理用組成物

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6117795A (en) * 1998-02-12 2000-09-12 Lsi Logic Corporation Use of corrosion inhibiting compounds in post-etch cleaning processes of an integrated circuit
KR100319161B1 (ko) * 2000-02-15 2001-12-29 한의섭 크롬 금속막의 선택적 에칭 용액
JP2003155586A (ja) 2001-11-16 2003-05-30 Sumitomo Chem Co Ltd 電子部品用洗浄液
JP2004277576A (ja) 2003-03-17 2004-10-07 Daikin Ind Ltd エッチング用又は洗浄用の溶液の製造法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1091084A (ja) * 1996-09-12 1998-04-10 Asahi Glass Co Ltd 透明導電膜のパターニング方法と透明電極付き基体
JP2001140084A (ja) * 1999-08-27 2001-05-22 Mec Kk ニッケルまたはニッケル合金のエッチング液
JP2001164373A (ja) * 1999-12-07 2001-06-19 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 貴金属系触媒除去液
JP2004190054A (ja) * 2002-12-06 2004-07-08 Mec Kk エッチング液
JP2005350708A (ja) * 2004-06-09 2005-12-22 Okuno Chem Ind Co Ltd エッチング処理用組成物

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008106354A (ja) * 2006-09-25 2008-05-08 Mec Kk 金属除去液及びこれを用いた金属除去方法
US8570240B2 (en) 2008-06-27 2013-10-29 Teijin Fibers Limited Communication sheet structure
JP5432139B2 (ja) * 2008-06-27 2014-03-05 帝人株式会社 通信用シート構造体
KR20240076723A (ko) 2022-11-22 2024-05-30 멕크 가부시키가이샤 에칭액 세트, 에칭 방법 및 도체 패턴의 형성 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP4580331B2 (ja) 2010-11-10
TW200626750A (en) 2006-08-01
TWI379924B (ja) 2012-12-21
KR100927068B1 (ko) 2009-11-13
KR20060084809A (ko) 2006-07-25
CN1819748A (zh) 2006-08-16
CN1819748B (zh) 2012-11-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4580331B2 (ja) エッチング液と補給液及びこれを用いた導体パターンの形成方法
US20050109734A1 (en) Etchant and replenishment solution therefor, and etching method and method for producing wiring board using the
US4687545A (en) Process for stripping tin or tin-lead alloy from copper
US20160348246A1 (en) Pre-treatment process for electroless plating
JP2001140084A (ja) ニッケルまたはニッケル合金のエッチング液
TWI745603B (zh) 銅蝕刻液
JPS63183445A (ja) 水溶性レジストフイルム用剥離剤
JP4241018B2 (ja) エッチング液
US4957653A (en) Composition containing alkane sulfonic acid and ferric nitrate for stripping tin or tin-lead alloy from copper surfaces, and method for stripping tin or tin-lead alloy
JP2008106354A (ja) 金属除去液及びこれを用いた金属除去方法
JP2006199987A (ja) エッチング液及びエッチング方法
JP2005187945A (ja) 銅および銅合金用のマイクロエッチング剤
TWI460311B (zh) 用於撓性配線基板之鎳-鉻合金剝離劑
JP4429141B2 (ja) エッチング液セット、これを用いるエッチング方法及び配線基板の製造方法
JPWO2008111389A1 (ja) エッチング液及びエッチング方法
KR101298766B1 (ko) 니켈, 크롬, 니켈-크롬 합금의 에칭 용액 조성물 및 이를 이용한 에칭 방법
JP4418916B2 (ja) エッチング処理用組成物
JP2011166028A (ja) Cof基板の製造方法
JP4632038B2 (ja) 銅配線基板製造方法
JP2005105411A (ja) 銅エッチング液及びエッチング方法
JP4431860B2 (ja) 銅および銅合金の表面処理剤
JP4395148B2 (ja) レジスト剥離剤
JP2004003005A (ja) エッチング液及びエッチング方法
JP4113846B2 (ja) 樹脂表面に付着した金属析出触媒の除去液および除去方法ならびにこれを用いたプリント配線板の製造方法
JP3281436B2 (ja) 水溶性レジストの剥離方法及び剥離液

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071030

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100309

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100427

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20100824

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100827

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130903

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4580331

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250