JPS63183445A - 水溶性レジストフイルム用剥離剤 - Google Patents
水溶性レジストフイルム用剥離剤Info
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- JPS63183445A JPS63183445A JP1637787A JP1637787A JPS63183445A JP S63183445 A JPS63183445 A JP S63183445A JP 1637787 A JP1637787 A JP 1637787A JP 1637787 A JP1637787 A JP 1637787A JP S63183445 A JPS63183445 A JP S63183445A
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- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 title claims abstract description 46
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title abstract description 4
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 51
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M potassium hydroxide Substances [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 29
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims abstract description 10
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 15
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims description 10
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 15
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 abstract description 14
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 abstract description 14
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 abstract description 9
- GEHJYWRUCIMESM-UHFFFAOYSA-L sodium sulfite Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])=O GEHJYWRUCIMESM-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract description 9
- 235000010265 sodium sulphite Nutrition 0.000 abstract description 5
- 238000005507 spraying Methods 0.000 abstract description 4
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N thiourea Chemical compound NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- BYMHXIQVEAYSJD-UHFFFAOYSA-M sodium;4-sulfophenolate Chemical compound [Na+].OC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1 BYMHXIQVEAYSJD-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 3
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 abstract 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 abstract 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 4
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 3
- DXYYSGDWQCSKKO-UHFFFAOYSA-N 2-methylbenzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC(C)=NC2=C1 DXYYSGDWQCSKKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- -1 thiodiethylamine Chemical compound 0.000 description 2
- RAIPHJJURHTUIC-UHFFFAOYSA-N 1,3-thiazol-2-amine Chemical compound NC1=NC=CS1 RAIPHJJURHTUIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IPSVDERFJPMANL-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethylthiourea Chemical compound NC(=S)NCCO IPSVDERFJPMANL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUSNOPLQVRUIIM-UHFFFAOYSA-N 4-amino-2-(4,4-dimethyl-2-oxoimidazolidin-1-yl)-n-[3-(trifluoromethyl)phenyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C1NC(C)(C)CN1C(N=C1N)=NC=C1C(=O)NC1=CC=CC(C(F)(F)F)=C1 FUSNOPLQVRUIIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010011732 Cyst Diseases 0.000 description 1
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical compound ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLCDUOXHFNUCKK-UHFFFAOYSA-N N,N'-Dimethylthiourea Chemical compound CNC(=S)NC VLCDUOXHFNUCKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- BIVUUOPIAYRCAP-UHFFFAOYSA-N aminoazanium;chloride Chemical compound Cl.NN BIVUUOPIAYRCAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005228 aryl sulfonate group Chemical group 0.000 description 1
- RJTANRZEWTUVMA-UHFFFAOYSA-N boron;n-methylmethanamine Chemical compound [B].CNC RJTANRZEWTUVMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003421 catalytic decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 208000031513 cyst Diseases 0.000 description 1
- PFVJLGPIYRQLHP-UHFFFAOYSA-L disodium benzene-1,4-disulfonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S(=O)(=O)C1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1 PFVJLGPIYRQLHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012493 hydrazine sulfate Substances 0.000 description 1
- 229910000377 hydrazine sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- BRWIZMBXBAOCCF-UHFFFAOYSA-N hydrazinecarbothioamide Chemical compound NNC(N)=S BRWIZMBXBAOCCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N methanone Chemical compound O=[14CH2] WSFSSNUMVMOOMR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-M phosphinate Chemical compound [O-][PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 description 1
- DSYVTLPHGJLVKD-UHFFFAOYSA-M sodium 1,5-dimethylcyclohexa-2,4-diene-1-sulfonate Chemical compound [Na+].C1(CC(=CC=C1)C)(C)S(=O)(=O)[O-] DSYVTLPHGJLVKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000012279 sodium borohydride Substances 0.000 description 1
- 229910000033 sodium borohydride Inorganic materials 0.000 description 1
- HYHCSLBZRBJJCH-UHFFFAOYSA-M sodium hydrosulfide Chemical compound [Na+].[SH-] HYHCSLBZRBJJCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052979 sodium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- GRVFOGOEDUUMBP-UHFFFAOYSA-N sodium sulfide (anhydrous) Chemical compound [Na+].[Na+].[S-2] GRVFOGOEDUUMBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L sodium thiosulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=S AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000019345 sodium thiosulphate Nutrition 0.000 description 1
- UTEKQAXKLLQOHW-UHFFFAOYSA-M sodium;1-aminonaphthalene-2-sulfonate Chemical compound [Na+].C1=CC=C2C(N)=C(S([O-])(=O)=O)C=CC2=C1 UTEKQAXKLLQOHW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- IAAKNVCARVEIFS-UHFFFAOYSA-M sodium;4-hydroxynaphthalene-1-sulfonate Chemical compound [Na+].C1=CC=C2C(O)=CC=C(S([O-])(=O)=O)C2=C1 IAAKNVCARVEIFS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KVCGISUBCHHTDD-UHFFFAOYSA-M sodium;4-methylbenzenesulfonate Chemical compound [Na+].CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1 KVCGISUBCHHTDD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000013024 troubleshooting Methods 0.000 description 1
- DGVVWUTYPXICAM-UHFFFAOYSA-N β‐Mercaptoethanol Chemical compound OCCS DGVVWUTYPXICAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
・本発明は、水溶性レジストフィルム用剥離剤に関する
。
。
従来の技術及びその問題点
プリント配線板等の製造工程において、回路パターンの
作製に用いられるレジストフィルムは、メッキ処理終了
後、剥離除去することが必要である。レジストフィルム
の剥離方法としては、フィルムの種類に依って、剥離剤
として水溶液を用いる方法と有機溶剤を用いる方法とが
知られており、水溶液を用いる方法は、剥離剤が安価で
あり、しかも廃障処理が容易である点で有利である。
作製に用いられるレジストフィルムは、メッキ処理終了
後、剥離除去することが必要である。レジストフィルム
の剥離方法としては、フィルムの種類に依って、剥離剤
として水溶液を用いる方法と有機溶剤を用いる方法とが
知られており、水溶液を用いる方法は、剥離剤が安価で
あり、しかも廃障処理が容易である点で有利である。
水溶液タイプの剥離剤としては、一般に水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウム等を２〜５重量重量％台むアルカリ
水溶液が用いられている。しかしながら、この様なアル
カリ水溶液によりレジストフィルムの剥離を行なう場合
には、銅板上にスズメッキやハンダメッキを行なった基
板では、スズやハンダと、銅板との自然電極電位の差に
よって局部電池が生じ、その結果メッキ皮膜が腐食され
るという欠点がある。
ム、水酸化カリウム等を２〜５重量重量％台むアルカリ
水溶液が用いられている。しかしながら、この様なアル
カリ水溶液によりレジストフィルムの剥離を行なう場合
には、銅板上にスズメッキやハンダメッキを行なった基
板では、スズやハンダと、銅板との自然電極電位の差に
よって局部電池が生じ、その結果メッキ皮膜が腐食され
るという欠点がある。
問題点を解決するための手段
本発明者は、上記した如き問題点に鑑みて、水溶性レジ
ストフィルムに対する剥離性能が良好であり、かつメッ
キ皮膜の腐食を抑制できる水溶性レジストフィルム用剥
離剤を見出すべく、鋭意研究を重ねてきた。その結果、
水酸化ナトリウム及び／又は水酸化カリウムを含有する
アルカリ水溶液中に、還元性物質を添加して得られる剥
離剤を用いて、レジストフィルムの剥離を行なう場合に
は、レジストフィルムに対する剥離性能は、非常に良好
となり、しかもスズやハンダメッキ皮膜の腐食を抑制す
ることが可能となることを見出した。
ストフィルムに対する剥離性能が良好であり、かつメッ
キ皮膜の腐食を抑制できる水溶性レジストフィルム用剥
離剤を見出すべく、鋭意研究を重ねてきた。その結果、
水酸化ナトリウム及び／又は水酸化カリウムを含有する
アルカリ水溶液中に、還元性物質を添加して得られる剥
離剤を用いて、レジストフィルムの剥離を行なう場合に
は、レジストフィルムに対する剥離性能は、非常に良好
となり、しかもスズやハンダメッキ皮膜の腐食を抑制す
ることが可能となることを見出した。
また、上記した剥離剤に、更にインヒビターとして、ア
リールスルホン酸ナトリウム及び／又はイオウ化合物を
添加した剥離剤を用いる場合には、レジストフィルムに
対する剥離性能及びメッキ皮膜の腐食抑制効果がともに
より一層向上することを見出した。
リールスルホン酸ナトリウム及び／又はイオウ化合物を
添加した剥離剤を用いる場合には、レジストフィルムに
対する剥離性能及びメッキ皮膜の腐食抑制効果がともに
より一層向上することを見出した。
即ち本発明は、以下に示す水溶性レジストフィルム用剥
離剤を提供するものである。
離剤を提供するものである。
■ 水酸化ナトリウム及び／又は水酸化カリウム２０〜
５０ ｇ ／ Ｑ 、並びに還元性物質０．０１〜０．
３モル／ｌを含有する水溶液からなることを特徴とする
水溶性レジストフィルム用剥離剤（以下、本願第１発明
という）。
５０ ｇ ／ Ｑ 、並びに還元性物質０．０１〜０．
３モル／ｌを含有する水溶液からなることを特徴とする
水溶性レジストフィルム用剥離剤（以下、本願第１発明
という）。
■ 水酸化ナトリウム及び／又は水酸化カリウム２０〜
５０ ｇ／ｌ 、還元性物質０．０１〜０．３モル／ｌ
、並びにアリールスルホン酸ナトリウム及び／又ははイ
オウ化合物 ０．０００１〜０．０５モル／ｌを含有する水溶液から
なることを特徴とする水溶性レジストフィルム用剥離剤
（以下、本願第２発明という）。
５０ ｇ／ｌ 、還元性物質０．０１〜０．３モル／ｌ
、並びにアリールスルホン酸ナトリウム及び／又ははイ
オウ化合物 ０．０００１〜０．０５モル／ｌを含有する水溶液から
なることを特徴とする水溶性レジストフィルム用剥離剤
（以下、本願第２発明という）。
本発明の剥離剤は、基板上に施した水溶性レジストフィ
ルムの剥離のために用いることができ、特に銅板上にス
ズメッキやハンダメッキを施したプリント配線基板上の
水溶性レジストフィルムの剥離に有効である。ここで水
溶性レジストフィルムとは、水酸化ナトリウム等のアル
カリ性水溶液により、膨潤して基板から除去されるよう
なレジストフィルムをいい、組成は特に限定されるもの
ではない。
ルムの剥離のために用いることができ、特に銅板上にス
ズメッキやハンダメッキを施したプリント配線基板上の
水溶性レジストフィルムの剥離に有効である。ここで水
溶性レジストフィルムとは、水酸化ナトリウム等のアル
カリ性水溶液により、膨潤して基板から除去されるよう
なレジストフィルムをいい、組成は特に限定されるもの
ではない。
本願第１発明の剥離剤では、基本成分として、水酸化ナ
トリウム及び／又は水酸化カリウムを２０〜５０ ｇ
／ Ｑ程度含有するアルカリ水溶液を用いる。水酸化ナ
トリウム及び／又は水酸化カリウムの添加量が２０ ｇ
／ ９未満では剥離能力が不充分であり、一方５０
ｇ ／ Ｑを上回ると、銅板上に酸化皮膜が生じ易くな
り、外観がそこなわれ、また後処理にも悪影響を及ぼす
ので好ましくない。
トリウム及び／又は水酸化カリウムを２０〜５０ ｇ
／ Ｑ程度含有するアルカリ水溶液を用いる。水酸化ナ
トリウム及び／又は水酸化カリウムの添加量が２０ ｇ
／ ９未満では剥離能力が不充分であり、一方５０
ｇ ／ Ｑを上回ると、銅板上に酸化皮膜が生じ易くな
り、外観がそこなわれ、また後処理にも悪影響を及ぼす
ので好ましくない。
本願第１発明の剥離剤では上記したアルカリ水溶液に還
元性物質を添加することが必要である。
元性物質を添加することが必要である。
この様な還元性物質を添加した剥離剤は、メッキ皮膜の
腐食を抑制でき、かつ、レジストフィルムに対する優れ
た剥離能力を有する。還元性物質の添加量は、０．０１
〜０．３モル／ｌ程度が適当であり、この範囲を下回る
とメッキ皮膜の腐食抑制効果が不足し、一方この範囲を
上回ると還元性物質の空気による接触分解が増大するの
で好ましくない。
腐食を抑制でき、かつ、レジストフィルムに対する優れ
た剥離能力を有する。還元性物質の添加量は、０．０１
〜０．３モル／ｌ程度が適当であり、この範囲を下回る
とメッキ皮膜の腐食抑制効果が不足し、一方この範囲を
上回ると還元性物質の空気による接触分解が増大するの
で好ましくない。
本願第１発明での使用に適する還元性物質としては、還
元性を有し、かつ上記アルカリ水溶液に対する溶解性の
あるものであれば特に限定はないが、好ましくは、無機
系還元性物質、例えば亜硫酸ナトリウム、チオ硫酸ナト
リウム、ハイドロサルファイドナトリウム、ホルムアル
デヒド、ヒドロキシルアミン、硫酸ヒドラジン、塩酸ヒ
ドラジン、ヒドラジン、ジメチルアミンボラン、水素化
ホウ素ナトリウム、次亜リン酸す１ヘリウム等を用いる
ことができる。
元性を有し、かつ上記アルカリ水溶液に対する溶解性の
あるものであれば特に限定はないが、好ましくは、無機
系還元性物質、例えば亜硫酸ナトリウム、チオ硫酸ナト
リウム、ハイドロサルファイドナトリウム、ホルムアル
デヒド、ヒドロキシルアミン、硫酸ヒドラジン、塩酸ヒ
ドラジン、ヒドラジン、ジメチルアミンボラン、水素化
ホウ素ナトリウム、次亜リン酸す１ヘリウム等を用いる
ことができる。
本願第１発明の剥離剤を用いて水溶性レジストフィルム
の剥離を行なう方法としては、水溶性しシストフィルム
を施した基板に上記剥離剤を接触できる方法であれば特
に限定はなく、例えば水溶性レジストフィルムを施した
基板を剥離剤中に浸漬する方法、水溶性レジストフィル
ムを施した基板に剥離剤をスプレーする方法等を例示で
きる。
の剥離を行なう方法としては、水溶性しシストフィルム
を施した基板に上記剥離剤を接触できる方法であれば特
に限定はなく、例えば水溶性レジストフィルムを施した
基板を剥離剤中に浸漬する方法、水溶性レジストフィル
ムを施した基板に剥離剤をスプレーする方法等を例示で
きる。
剥離剤中に基板を浸漬する方法では、例えば液温２０〜
８０℃程度の剥離剤を用いて、空気撹拌または機械撹拌
を行ないながら基板の浸漬を行なえばよい。
８０℃程度の剥離剤を用いて、空気撹拌または機械撹拌
を行ないながら基板の浸漬を行なえばよい。
剥離剤を基板にスプレーする方法では、例えば、液温２
０〜８０℃程度の剥離剤を、０．５〜３ｋｇ／ ｃｒＢ
程度の圧力で基板に噴射すればよい。
０〜８０℃程度の剥離剤を、０．５〜３ｋｇ／ ｃｒＢ
程度の圧力で基板に噴射すればよい。
上記した剥離方法のうち、剥離剤の噴射による方法は、
処理時間が短かく、また基板にフィルム残渣が残り難い
点で有利である。
処理時間が短かく、また基板にフィルム残渣が残り難い
点で有利である。
本発明の剥離剤を用いる場合には、剥離剤中の各成分を
適宜補給して、初期濃度の７０〜１００％程度の範囲内
に維持することによって剥離効果及びメッキ皮膜の腐食
抑制効果を長期間持続することができる。
適宜補給して、初期濃度の７０〜１００％程度の範囲内
に維持することによって剥離効果及びメッキ皮膜の腐食
抑制効果を長期間持続することができる。
本願第２発明の剥離剤では、上記した本願第１発明で用
いる剥離剤に、更に、インヒビターとして、アリールス
ルホン酸ナトリウム及び／又はイオウ化合物を加えるこ
とが必要である。この様なインヒビターを加えた剥離剤
では、水溶性レジストフィルムに対する剥離性能がより
向上するとともに、スズまたはハンダメッキ皮膜に対す
る腐食抑制効果がより一層大きくなる。アリールスルホ
ン酸ナトリウム及び／又はイオウ化合物の添加量は、０
．０００１〜０．０５モル／ｌ程度が適当であり、好ま
しくは、０．０００５〜０．０２モル／ｌ程度とする。
いる剥離剤に、更に、インヒビターとして、アリールス
ルホン酸ナトリウム及び／又はイオウ化合物を加えるこ
とが必要である。この様なインヒビターを加えた剥離剤
では、水溶性レジストフィルムに対する剥離性能がより
向上するとともに、スズまたはハンダメッキ皮膜に対す
る腐食抑制効果がより一層大きくなる。アリールスルホ
ン酸ナトリウム及び／又はイオウ化合物の添加量は、０
．０００１〜０．０５モル／ｌ程度が適当であり、好ま
しくは、０．０００５〜０．０２モル／ｌ程度とする。
添加量が０．０００１モル／ｌを下回ると添加効果が不
足し、一方０．０５モル／ｌを上回ると剥離剤中での酸
化・還元反応で沈澱が生じ易くなるので好ましくない。
足し、一方０．０５モル／ｌを上回ると剥離剤中での酸
化・還元反応で沈澱が生じ易くなるので好ましくない。
本願第２発明での使用に適するアリールスルホ−只
− ン酸ナトリウムとしては、例えばｐ−フェノールスルホ
ン酸ナトリウム、ｐ−トルエンスルホン酸ナトリウム、
ｍ−キシレンスルホン酸ナトリウム、１．４−ベンゼン
ジスルホン酸ナトリウム、４−ヒドロキシナフタレンス
ルホン酸ナトリウム、２゜６−ナフタレンジスルホン酸
ナトリウム、１−アミノ−２−ナフタレンスルホン酸ナ
トリウム、１−ジアゾ−２−ナフトール−４−スルホン
酸ナトリウム等を例示でき、これらを単独又は適宜複合
して用いることができる。イオウ化合物としては、硫化
ナトリウム、チオ尿素、ジメチルチオ尿素、チオジエチ
ルアミン、チオエチレングリコール、チオセミカルバジ
ド、チオカルボアニリド、メチルベンゾチアゾール、２
−メルカプトベンゾチアゾール、１−アリル−３−β−
ヒドロキシエチル−２−チオ尿素、２−アミノチアゾー
ル等を例示でき、これらを単独又は適宜複合して用いる
ことができる。
− ン酸ナトリウムとしては、例えばｐ−フェノールスルホ
ン酸ナトリウム、ｐ−トルエンスルホン酸ナトリウム、
ｍ−キシレンスルホン酸ナトリウム、１．４−ベンゼン
ジスルホン酸ナトリウム、４−ヒドロキシナフタレンス
ルホン酸ナトリウム、２゜６−ナフタレンジスルホン酸
ナトリウム、１−アミノ−２−ナフタレンスルホン酸ナ
トリウム、１−ジアゾ−２−ナフトール−４−スルホン
酸ナトリウム等を例示でき、これらを単独又は適宜複合
して用いることができる。イオウ化合物としては、硫化
ナトリウム、チオ尿素、ジメチルチオ尿素、チオジエチ
ルアミン、チオエチレングリコール、チオセミカルバジ
ド、チオカルボアニリド、メチルベンゾチアゾール、２
−メルカプトベンゾチアゾール、１−アリル−３−β−
ヒドロキシエチル−２−チオ尿素、２−アミノチアゾー
ル等を例示でき、これらを単独又は適宜複合して用いる
ことができる。
本願第２発明の剥離剤を用いて水溶性レジストフィルム
の剥離を行なう方法は、本願第１発明の剥離剤による剥
離法と同様でよい。
の剥離を行なう方法は、本願第１発明の剥離剤による剥
離法と同様でよい。
発明の効果
本発明の剥離剤は、水溶性レジストフィルムに対する剥
離性能が良好であり、かつスズ、ハンダ等のメッキ皮膜
に対する腐食性が少ない。
離性能が良好であり、かつスズ、ハンダ等のメッキ皮膜
に対する腐食性が少ない。
実施例
以下、実施例を示して本発明を更に詳細に説明する。
実施例１
銅張基板上に、水溶性ドライフィルム（商標名：ＡＬＰ
ＨＯ１１５０Ｔ、日本合成化学■製）を用いて回路パタ
ーンを形成し、次いでスズメッキまたはハンダメッキを
約２μｍ厚に形成した。続いて、水酸化ナトリウム（９
５％）を３５ ｇ ／ Ｑ含有し、更に下記第１表に示
す還元性物質を含有する水溶液からなる剥離剤を、温度
５０℃、スプレー圧１． ５ｋｇ／ｃＪの条件で上記基
板に３分間スプレーして、レジストフィルムの剥離を行
なった。
ＨＯ１１５０Ｔ、日本合成化学■製）を用いて回路パタ
ーンを形成し、次いでスズメッキまたはハンダメッキを
約２μｍ厚に形成した。続いて、水酸化ナトリウム（９
５％）を３５ ｇ ／ Ｑ含有し、更に下記第１表に示
す還元性物質を含有する水溶液からなる剥離剤を、温度
５０℃、スプレー圧１． ５ｋｇ／ｃＪの条件で上記基
板に３分間スプレーして、レジストフィルムの剥離を行
なった。
その結果、いずれの剥離剤を用いた場合にも基板」二の
レジストフィルムはほぼ完全に剥離された。
レジストフィルムはほぼ完全に剥離された。
処理前後のスズメッキまたはハンダメッキ皮膜の断面を
金属顕微鏡を用いて観察することによって、メッキ皮膜
の腐食速度を求めた結果を第１表に示す。
金属顕微鏡を用いて観察することによって、メッキ皮膜
の腐食速度を求めた結果を第１表に示す。
第 １ 表
１１一
実施例２
下記第２表に示す還元性物質を用いる以外は、実施例１
と同様にして、銅張基板上のレジストフィルムを剥離し
たところ、いずれの剥離液を用いた場合にも、銅板基板
上のレジストフィルムはほぼ完全に剥離された。メッキ
皮膜の腐食速度を実施例１と同様にして測定した結果を
第２表に示す。
と同様にして、銅張基板上のレジストフィルムを剥離し
たところ、いずれの剥離液を用いた場合にも、銅板基板
上のレジストフィルムはほぼ完全に剥離された。メッキ
皮膜の腐食速度を実施例１と同様にして測定した結果を
第２表に示す。
第 ２ 表
１２一
実施例３
水酸化ナトリウム（９５％）３５ｇ／ｌ及び亜硫酸ナト
リウム０．０２モル／ｌを含有する水溶液に、更に下記
第３表に示すアリールスルホン酸ナトリウムを加えて、
剥離剤を得た。この剥離剤を用いる以外は、実施例１と
同様にして銅張基板上のレジストフィルムを剥離したと
ころ、レジストフィルムはほぼ完全に剥離された。メッ
キ皮膜の腐食速度を実施例１と同様にして測定した結果
を第３表に示す。
リウム０．０２モル／ｌを含有する水溶液に、更に下記
第３表に示すアリールスルホン酸ナトリウムを加えて、
剥離剤を得た。この剥離剤を用いる以外は、実施例１と
同様にして銅張基板上のレジストフィルムを剥離したと
ころ、レジストフィルムはほぼ完全に剥離された。メッ
キ皮膜の腐食速度を実施例１と同様にして測定した結果
を第３表に示す。
第 ３ 表
実施例４
水酸化ナトリウム（９５％）３５ｇ／１２及び亜硫酸ナ
トリウム０．０２モル／ｌを含有する水溶液に、更に下
記第４表に示すイオウ化合物を加えて、剥離剤を得た。
トリウム０．０２モル／ｌを含有する水溶液に、更に下
記第４表に示すイオウ化合物を加えて、剥離剤を得た。
この剥離剤を用いる以外は、実施例１と同様にして銅張
基板上のレジストフィルムを剥離したところ、レジスト
フィルムはほぼ完全に剥離された。メッキ皮膜の腐食速
度を実施例１と同様にして測定した結果を第４表に示す
。
基板上のレジストフィルムを剥離したところ、レジスト
フィルムはほぼ完全に剥離された。メッキ皮膜の腐食速
度を実施例１と同様にして測定した結果を第４表に示す
。
第 ４ 表
−１：）一
実施例５
水酸化ナトリウム（９５％）３５ｇ／ｌ及び亜硫酸ナト
リウム０．０２モル／ｌを含有する水溶液に、更に下記
第５表に示すアリールスルホン酸ナトリウム及びイオウ
化合物を加えて、剥離剤を得た。この剥離剤を用いる以
外は、実施例１と同様にして銅張基板上のレジストフィ
ルムを剥離したところ、レジストフィルムはほぼ完全に
剥離され、た。メッキ皮膜の腐食速度を実施例１と同様
にして測定した結果を第５表に示す。
リウム０．０２モル／ｌを含有する水溶液に、更に下記
第５表に示すアリールスルホン酸ナトリウム及びイオウ
化合物を加えて、剥離剤を得た。この剥離剤を用いる以
外は、実施例１と同様にして銅張基板上のレジストフィ
ルムを剥離したところ、レジストフィルムはほぼ完全に
剥離され、た。メッキ皮膜の腐食速度を実施例１と同様
にして測定した結果を第５表に示す。
実施例６
水酸化ナトリウムに代えて、水酸化カリウム（８５重量
％）５０ｇ／ｌを用いる以外は、実施例１〜５と同様に
して、銅張基板上のレジストフィルムを剥離したところ
、レジストフィルムは、はぼ完全に剥離され、またスズ
メッキ皮膜及びハンダメッキ皮膜の腐食速度は実施例１
〜５と同様であった。
％）５０ｇ／ｌを用いる以外は、実施例１〜５と同様に
して、銅張基板上のレジストフィルムを剥離したところ
、レジストフィルムは、はぼ完全に剥離され、またスズ
メッキ皮膜及びハンダメッキ皮膜の腐食速度は実施例１
〜５と同様であった。
実施例７
水溶性ドライフィルム（商標名：ＡＬＰＨＯ１１５０Ｔ
、日本合成化学■製）を用いて銅張基板の全面にレジス
トフィルムを形成した。次いで、水酸化ナトリウム３５
ｇ ／ Ｑ水溶液に下記第６表に示す還元性物質を添
加した剥離剤を用いて、実施例１と同様にしてレジスト
フィルムの剥離を行なった。その後、銅張基板をよく水
洗し、続いて、０．５％硝酸銀溶液に２分間浸漬して、
基板表面に銀を析出させた。銀の析出した面積を下記箱
６表に示す。 第 。 表 第６表から、還元性物質の添加によって、レジストフィ
ルムに対する剥離性能が向上することが判る。
、日本合成化学■製）を用いて銅張基板の全面にレジス
トフィルムを形成した。次いで、水酸化ナトリウム３５
ｇ ／ Ｑ水溶液に下記第６表に示す還元性物質を添
加した剥離剤を用いて、実施例１と同様にしてレジスト
フィルムの剥離を行なった。その後、銅張基板をよく水
洗し、続いて、０．５％硝酸銀溶液に２分間浸漬して、
基板表面に銀を析出させた。銀の析出した面積を下記箱
６表に示す。 第 。 表 第６表から、還元性物質の添加によって、レジストフィ
ルムに対する剥離性能が向上することが判る。
（以 上）
Claims (2)
- （１）水酸化ナトリウム及び／又は水酸化カリウム２０
〜５０ｇ／ｌ、並びに還元性物質０．０１〜０．３モル
／ｌを含有する水溶液からなることを特徴とする水溶性
レジストフイルム用剥離剤。 - （２）水酸化ナトリウム及び／又は水酸化カリウム２０
〜５０ｇ／ｌ、還元性物質０．０１〜０．３モル／ｌ、
並びにアリールスルホン酸ナトリウム及び／又ははイオ
ウ化合物０．０００１〜０．０５モル／ｌを含有する水
溶液からなることを特徴とする水溶性レジストフイルム
用剥離剤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62016377A JP2571375B2 (ja) | 1987-01-27 | 1987-01-27 | 水溶性レジストフイルム用剥離剤 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62016377A JP2571375B2 (ja) | 1987-01-27 | 1987-01-27 | 水溶性レジストフイルム用剥離剤 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63183445A true JPS63183445A (ja) | 1988-07-28 |
| JP2571375B2 JP2571375B2 (ja) | 1997-01-16 |
Family
ID=11914597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62016377A Expired - Lifetime JP2571375B2 (ja) | 1987-01-27 | 1987-01-27 | 水溶性レジストフイルム用剥離剤 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2571375B2 (ja) |
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| JPH06266119A (ja) * | 1992-07-09 | 1994-09-22 | Ekc Technol Inc | 還元及び酸化電位を有する求核アミン化合物を含む洗浄剤 |
| EP0647884A1 (en) * | 1993-10-07 | 1995-04-12 | MALLINCKRODT BAKER, Inc. | Photoresist strippers containing reducing agents to reduce metal corrosion |
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-
1987
- 1987-01-27 JP JP62016377A patent/JP2571375B2/ja not_active Expired - Lifetime
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