JP3540887B2 - 選択的ニッケル剥離液およびこれを用いる剥離方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、選択的なニッケル剥離液に関し、更に詳細には、銅または銅合金および錫または錫合金を殆ど侵すことなくニッケルのみを選択的に剥離することのできる剥離液に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、プリント基板では電気ニッケルめっきや無電解ニッケルめっきが施されており、その不要なニッケル皮膜を剥離するためにニッケル剥離液が使用されている。 しかし、最近の電子材料としてのプリント基板や電子部品としての半導体は、ファイン化が進むにつれその形成する素材も複合素材化し、従来のような比較的シンプルな処理薬品では不可能となってきた。
【０００３】
すなわち、従来の剥離液は、下地素材上の皮膜を剥離するいわゆる単一素材上の剥離液であり、複合素材化した電子材料、例えば、プリント基板、セラミックス基板や半導体分野であるＴＡＢ（テープオートマテックボンディング）、ＰＧＡ（ピングリッドアレー）、ＢＧＡ（ボールグリッドアレー）などでは、数種類の素材から特定の金属のみを選択的に剥離するには、幾つかの問題点があり使用に適さなかった。
【０００４】
例えば、硝酸系のニッケル剥離液では、剥離すべき金属の他、その下地素材である銅またはその合金や錫またはその合金が侵されてしまうという問題があった。また、過酸化水素とフッ化物系のニッケル剥離液の場合でも、錫または錫合金が侵されてしまう。 更に、シアンアルカリやアミンアルカリに酸化剤を添加した物は、複合素材の有機レジストを膨潤し溶解してしまうので不適であり、また、シアン系ニッケル剥離液は毒性が高い問題があり、アミン錯体系のニッケル剥離液は廃水処理性に難点があり、公害性が高いという問題があった。
【０００５】
また、特開昭５８−１０８７８５号公報では、硫酸とｍ−ニトロベンゼンスルホン酸を含む液で電解剥離を行う方法が、特開昭５８−５８２８０号公報では、鉄イオンとヒドロキシカルボン酸を主成分とする硝酸と過酸化水素の混合物が、特開平６−３２２５５９号公報では、硝酸、硫酸、過酸化水素およびケトン化合物を含有する剥離液がそれぞれ開示、報告されている。
【０００６】
更に、市販のニッケルおよびニッケル合金の剥離液（エッチング液）としては、アルカリ性のエンストリップＮＰ（メルテックス社製）、メテックスＳＣＢ（マグダーミット社製）、トップリップＡＺ（奥野製薬社製）、オキシストリップＯＳ−４５６（荏原ユージライト社製）や酸性のエバストリップＳＴ−４１（荏原ユージライト社製）、メルストリップＮ−９５０（メルテックス社製）、メルストリップＨＮ−８４１（メルテックス社製）などの浸漬剥離法が知られている。
【０００７】
ところで、従来の処理方法で行うと次のような欠点が見られ、いずれも複合素材からの選択的ニッケル剥離液としては十分なものといい難かった。 例えば、特開昭５８−１０８７８５号公報の硫酸とｍ−ニトロベンゼンスルホン酸を含む液で電解剥離を行う方法は、ニッケルを剥離する部分に電解のための通電接点を新たに形成しなければ成らないという基本的な欠点があり、不適である。 また、特開昭５８−５８２８０号公報では、鉄イオンとヒドロキシカルボン酸を主成分とする硝酸と過酸化水素の混合物が、特開平６−３２２５５９号公報では、硝酸、硫酸、過酸化水素およびケトン化合物を含有する剥離液で、いずれもが硝酸を含むため処理複合素材の錫または錫合金を溶解する欠点がある。
【０００８】
更に、上記市販ニッケル剥離液のうち、アルカリ性のものは、処理複合素材のレジストを膨潤溶解してしまい不適である。 また、酸性のタイプは、上記問題はないが、無電解ニッケル（Ｎｉ−Ｐ）の剥離で黒色のスマットが残り、スマット除去に後処理としてシアンやクロム酸などの毒性の高い処理薬品を必要としするため、実用性に乏しいものであった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
従って、複合素材素材上から、他の金属あるいは素材に影響を与えず、ニッケルのみを選択的に剥離できる剥離液の提供が求められていた。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、ニッケル金属の選択的剥離液について、鋭意研究を行った結果、酸性成分および酸化剤を主成分とし、これに特定な金属溶解抑制剤を添加すれば、他の金属やレジスト等に影響することなくニッケルまたはその合金皮膜を選択的に剥離できることを見出し、本発明を完成した。
【００１１】
すなわち本発明の目的は、複合素材から、ニッケルまたはその合金を剥離し、銅またはその合金、錫またはその合金を剥離することなく、更に、複合素材の有機レジストも侵さないことを特徴とする選択的ニッケル剥離液を提供することである。
また、本発明の他の目的は、上記剥離液の一例である成分（ａ）〜（ｄ）
（ａ） ハロゲンイオン成分を含まない無機酸または有機酸、
（ｂ） 酸化剤、
（ｃ） 芳香族ニトロ化合物、
（ｄ） 金属溶解抑制剤、
を含有する選択的ニッケル剥離液を提供することである。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の選択的ニッケル剥離液において、使用される（ａ）成分としては、硫酸、リン酸、ホウ酸、炭酸等の無機酸およびギ酸、酢酸、プロピオン酸、シュウ酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、グリコール酸、スルファミン酸、アルカンスルホン酸であるメタンスルホン酸、エタンスルホン酸、アルカノールスルホン酸、芳香族スルホン酸とその誘導体であるフェノールスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、イセチオン酸等のアルカノールスルホン酸等の有機酸が挙げられる。
【００１３】
これらの（ａ）成分のうち、好ましいものとしては、硫酸およびクエン酸が挙げられる。
【００１４】
この（ａ）成分は、（ｂ）成分である酸化剤や（ｃ）成分である芳香族ニトロ化合物で酸化されたニッケルを溶解する作用をするものであり、例えば、硫酸を使用する場合、その使用量は５０ｇ／ｌ〜３００ｇ／ｌである。 この硫酸の濃度が５０ｇ／ｌより少ないと剥離作用が弱く、３００ｇ／ｌより多いと酸度が強過ぎて複合素材のレジストにダメージを与え、また、銅の配線や銅合金フレームを過度にエッチングする場合がある。
【００１５】
更に、クエン酸は本発明の酸化剤と金属抑制剤との組合せにより、ニッケルを選択的に溶解し、また、酸化剤で酸化された無電解ニッケルの剥離に効果があり、これを使用する場合の量は１００ｇ／ｌ〜５００ｇ／ｌである。 この濃度が、１００ｇ／ｌより少ないと剥離作用が弱く、５００ｇ／ｌを越える場合には、それ以上の効果が期待できず実用上不経済である。
【００１６】
また、成分（ｂ）である酸化剤は、ニッケルを酸化してニッケルの剥離を促進するが、特に、成分（ｃ）である芳香族ニトロ化合物の作用を助長する作用を有するものである。 この酸化剤としては、過酸化水素およびペルオキソ化合物であるペルオキソ２硫塩酸、ペルオキソホウ酸塩等が挙げられる。 これらの配合量は過酸化水素では２０ｍｌ／ｌ〜１５０ｍｌ／ｌが好ましく、配合量が２０ｍｌ／ｌ以下ではニッケルの黒色酸化皮膜を十分に除去できず、また、１５０ｍｌ／ｌを越えると複合素材の銅の配線や銅合金フレームを過度にエッチングする場合がある。
【００１７】
更に、成分（ｃ）である芳香族ニトロ化合物は、ニッケルを酸化してニッケルの剥離を促進するものである。 この芳香族ニトロ化合物の例としては、ｏ−、ｍ−、ｐ−ニトロベンゼンスルホン酸、ｏ−、ｍ−、ｐ−ニトロ安息香酸、ｏ−、ｍ−、ｐ−ニトロアニリン、ｏ−、ｍ−、ｐ−ニトロフェノールおよびこれらの塩が挙げられる。 この成分（ｃ）の配合量としては、２０ｇ／ｌ〜１５０ｇ／ｌが好ましい。配合量が２０ｇ／ｌ以下では、酸化効果が十分に発揮されずニッケルの剥離速度が遅く、１５０ｇ／ｌを越えるとニッケルが酸化され過ぎて黒色化し、剥離速度が遅くなることがある。
【００１８】
本発明の（ｄ）成分である金属抑制剤のうち、第１抑制剤である有機染料は、酸性溶液に溶解可能なものであり、特に、錫−鉛合金と銅−銅合金に作用して腐食抑制作用を奏する。有機染料の例としては、アゾ染料（アゾ基：−Ｎ＝Ｎ−）、アントラキノン染料、インジゴ系染料、フタロシアニン染料、ジおよびトリフェニルメタン染料、キサンテン染料、アクリジン染料、アジン系染料、スチルベン染料、メチン系染料（メチン結合：−ＣＨ＝、アゾメチン結合：−ＣＨ＝Ｎ−）、ニトロ及びニトロソ染料およびチアゾール染料が挙げられる。このうち、塩基性染料のカチオン系染料が好ましく、例えば、アイゼン・カチロン・イエロー ＧＬＨ（ Aisen Cathilon Yellow GLH ；保土谷化学）、アイゼン・カチロン・ピンクＦＧＨ（ Aisen Cathilon Pink FGH ；保土谷化学）等の商品名で販売されているアゾ系染料やアイゼン・カチロン・オレンジＲＨ（ Aisen Cathilon Orange RH ；保土谷化学）、アイゼン・アストラ・フロキシン ＦＦ（ Aisen Astra Phloxine FF ；保土谷化学）などの商品名で販売されているメチン系染料が好ましい。
【００１９】
上記有機染料の添加量は１０〜１００ｍｇ／ｌが好ましく、添加量を１０〜１００ｍｇ／ｌにするのは、１０ｍｇ／ｌ以下では、複合素材の錫−鉛合金および銅合金フレームの腐食抑制効果が小さく、１００ｍｇ／ｌを越える場合には、それ以上の効果が期待できず実用上不経済であるからである。
【００２０】
また、（ｄ）成分のうち、第２の金属抑制剤となるアゾール類としては、ピラゾール、イミダゾール、ベンゾトリアゾール、トリトリアゾール、ナフトトリアゾール、メルカプトベンゾチアゾール、メルカプトトリアゾールまたはベンズイミダゾール等が挙げられる。 このアゾール類の配合量は、０.５〜１０.０ｇ／ｌが好ましく、配合量が０.５ｇ／ｌ以下では、複合素材の銅配線や銅合金フレームおよび錫−鉛合金の腐食抑制効果が小さく、１０.０ｇ／ｌを越える場合には、それ以上の効果が期待できず実用上不経済である。
【００２１】
本発明の選択的ニッケル剥離液の使用方法は、成分（ａ）〜（ｄ）を上記の量で配合した水溶液に、ニッケルを剥離する対象物を浸漬すれば良い。 この浸漬の条件としては、３０〜４５℃程度の温度で、撹拌は１５〜６０ｃｍ／ｍｉｎ程度の揺動撹拌とすれば良い。 剥離液の寿命は、ニッケルの剥離速度の低下により判断することができ、一般には、ニッケル剥離液中のニッケル濃度が５０ｇ／ｌ以上となった時点を目安とすればよい。
【００２２】
また、本発明の選択的ニッケル剥離液は、単にニッケルを剥離するのみでなく、その選択的なニッケル剥離能を生かして積極的に電子部品や回路の形成に利用することもできる。 例えば、まず、銅合金フレームの表面にニッケルまたはニッケル合金皮膜を形成させ、レジストで配線パターンを形成後、この上に電気銅めっきにより銅配線パターンを得る。 次いで、先のレジストを剥離除去後、２回目のレジストを施し、錫−鉛合金めっきで電極ボールを形成する。 更に、この配線と反対側（裏面）から銅合金フレーム面をエッチングし、前述のニッケルめっき皮膜を露出させ、最後に、このニッケルまたはニッケル合金皮膜を本発明の選択的ニッケル剥離液に浸漬することにより、選択的に剥離し、微細配線の電子部品、例えばＢＧＡフレームを製造することができる。
【００２３】
更に、絶縁基材表面に銅箔を接着した銅箔板、または化学的処理後無電解銅めっき上に電気銅めっきを施し導電膜を形成した絶縁基材表面に、有機レジストで配線パターンを形成後、露出した銅配線パターン部分に電気ニッケルめっきまたは無電解ニッケルめっきを施した配線パターンを形成する。同時に、このめっき配線パターンには、電子部品を搭載する端子パターンが形成されており、有機めっきレジストを使ってこの端子パターン部のみに錫−鉛合金（はんだ）めっきを行った後、有機めっきレジストを除去するとニッケルめっきと錫−鉛合金による配線パターンが形成される。更に、このめっきによる配線パターンをエッチングレジストとして用い、露出した銅箔のみをエッチング除去すると必要な回路の形状が形成できる。
最後に、ニッケルめっきのみを選択的に除去し、電子部品の端子パターン部分には、錫−鉛合金めっきを残し、ニッケル下地の銅や錫−鉛合金の下地銅をサイドエッチングせずに配線回路を形成できる。
【００２４】
【作用】
本発明の選択的ニッケル剥離液が、選択的にニッケルを剥離する作用機序は、金属溶解抑制剤である有機染料とアゾール類が銅やその合金あるいは錫やその合金に吸着して保護するため、剥離液の有効成分である酸類、酸化剤および芳香族ニトロ化合物がニッケルのみを酸化し、この酸化ニッケルを有効成分の酸類で溶解するものと解されている。
【００２５】
【実施例】
次に実施例を挙げ、更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例等になんら制約されるものではない。
【００２６】
実 施 例 １
下記組成により、ニッケル剥離液を調製した。
（ 組 成 ）
硫酸（９８％） １００ｇ／ｌ
クエン酸 １００ｇ／ｌ
過酸化水素（３５％） ５０ｍｌ／ｌ
ｍ−ニトロベンゼンスルホン酸 ６５ｇ／ｌ
ナトリウム
ベンゾトリアゾール ５ｇ／ｌ
【００２７】
実 施 例 ２
下記組成により、ニッケル剥離液を調製した。
硫 酸（９８％） １００ｇ／ｌ
クエン酸 １００ｇ／ｌ
過酸化水素（３５％） ５０ｍｌ／ｌ
ｍ−ニトロベンゼンスルホン酸ナトリ ６５ｇ／ｌ
ウム
アイゼン・アストラ・フロキシン ＦＦ ５０ｍｇ／ｌ
【００２８】
実 施 例 ３
下記組成により、ニッケル剥離液を調製した。
硫酸（９８％） １００ｇ／ｌ
クエン酸 １００ｇ／ｌ
過酸化水素（３５％） ５０ｍｌ／ｌ
ｍ−ニトロベンゼンスルホン酸 ６５ｇ／ｌ
ナトリウム
ベンゾトリアゾール ５ｇ／ｌ
アイゼン・アストラ・フロキシン ＦＦ ５０ｍｇ／ｌ
【００２９】
実 施 例 ４
下記組成により、ニッケル剥離液を調製した。
硫酸（９８％） １００ｇ／ｌ
過酸化水素（３５％） ５０ｍｌ／ｌ
ｍ−ニトロベンゼンスルホン酸 ６５ｇ／ｌ
ナトリウム
ベンゾトリアゾール ５ｇ／ｌ
【００３０】
実 施 例 ５
下記組成により、ニッケル剥離液を調製した。
クエン酸 １００ｇ／ｌ
過酸化水素（３５％） ５０ｍｌ／ｌ
ｍ−ニトロベンゼンスルホン酸 ６５ｇ／ｌ
ナトリウム
ベンゾトリアゾール ５ｇ／ｌ
【００３１】
実 施 例 ６
下記組成により、ニッケル剥離液を調製した。
イセチオン酸（７０％） １００ｇ／ｌ
過酸化水素（３５％） ５０ｍｌ／ｌ
ｍ−ニトロベンゼンスルホン酸 ６５ｇ／ｌ
ナトリウム
ベンゾトリアゾール ５ｇ／ｌ
アイゼン・アストラ・フロキシンＦＦ ５０ｍｇ／ｌ
【００３２】
実 施 例 ７
下記組成により、ニッケル剥離液を調製した。
イセチオン酸（７０％） １００ｇ／ｌ
クエン酸（９８％） １００ｇ／ｌ
過酸化水素（３５％） ５０ｍｌ／ｌ
ｍ−ニトロベンゼンスルホン酸 ６５ｇ／ｌ
ナトリウム
ベンゾトリアゾール ５ｇ／ｌ
アイゼン・アストラ・フロキシンＦＦ ５０ｍｇ／ｌ
【００３３】
実 施 例 ８
下記組成により、ニッケル剥離液を調製した。
イセチオン酸（７０％） １００ｇ／ｌ
グリコール酸（９８％） １００ｇ／ｌ
過酸化水素（３５％） ５０ｍｌ／ｌ
ｍ−ニトロベンゼンスルホン酸 ６５ｇ／ｌ
ナトリウム
ベンゾトリアゾール ５ｇ／ｌ
アイゼン・アストラ・フロキシンＦＦ ５０ｍｇ／ｌ
【００３４】
実 施 例 ９
下記組成により、ニッケル剥離液を調製した。
リン酸（９８％） １００ｇ／ｌ
イセチオン酸（７０％） １００ｇ／ｌ
過酸化水素（３５％） ５０ｍｌ／ｌ
ｍ−ニトロベンゼンスルホン酸 ６５ｇ／ｌ
ナトリウム
ベンゾトリアゾール ５ｇ／ｌ
アイゼン・アストラ・フロキシンＦＦ ５０ｍｇ／ｌ
【００３５】
実 施 例 １０
下記組成により、ニッケル剥離液を調製した。
硫 酸（９８％） １００ｇ／ｌ
イセチオン酸（７０％） １００ｇ／ｌ
過酸化水素（３５％） ５０ｍｌ／ｌ
ｍ−ニトロベンゼンスルホン酸 ６５ｇ／ｌ
ナトリウム
ベンゾトリアゾール ５ｇ／ｌ
アイゼン・アストラ・フロキシンＦＦ ５０ｍｇ／ｌ
【００３６】
比 較 例 １
ニッケル剥離液（特公平３−７７８７８号、実施例１）
リ ン 酸（９０％） ５００ｍｌ／ｌ
硝 酸（６２％） １００ｍｌ／ｌ
ｏ−ニトロソフェノール ０.５ｇ／ｌ
（ 温 度 ６０℃ ）
【００３７】
比 較 例 ２
ニッケル剥離液（特公平３−７７８７８号、実施例３）
硫 酸（９８％） ３００ｍｌ／ｌ
硝 酸（６２％） ３０ｍｌ／ｌ
酢 酸（９９％） ５０ｍｌ
シュウ酸 １００ｇ／ｌ
ｐ−ニトロフェニルヒドラジン ０.５ｇ／ｌ
（ 温 度 ６０℃ ）
【００３８】
比 較 例 ３
ニッケル剥離液（特開平６−５７４５４号、実施例３）
硝 酸（６７.５％） ２００ｇ／ｌ
過酸化水素（３５％） １０ｍｌ／ｌ
酢 酸（９９％） １００ｇ／ｌ
ベンズトリアゾール ５ｇ／ｌ
（ 温 度 ５０℃ ）
【００３９】
比 較 例 ４
ニッケル剥離液（特開平６−５７４５４号、実施例２）
硝 酸（６７.５％） ２００ｇ／ｌ
過酸化水素（３５％） １０ｍｌ／ｌ
プロピオン酸 １００ｇ／ｌ
ベンズトリアゾール ５ｇ／ｌ
（ 温 度 ５０℃ ）
【００４０】
試 験 例
ニッケル剥離性試験：
銅平板（２０×１０×０.５ｍｍ）上に電気ニッケルめっきおよび錫−鉛合金めっきを施したものを試料として、ニッケルの剥離試験を行った。
試料は、銅上にニッケルめっきを１０μｍの厚みで施し、更にこのニッケル皮膜の半分をマスキングテープでマスキングしてから錫−鉛合金（９：１ はんだ）めっきを１０μｍ施し、マスキングテープを除去したものを試験片とした。
【００４１】
試験は、この試験片を実施例の剥離液に、温度３５℃で５分間浸漬し、ニッケル皮膜の剥離の程度、錫−鉛めっき層および銅素材の侵食の程度を目視で観察した。 また、各剥離液の銅、錫および鉛の溶解性を、銅平板あるいは錫−鉛合金めっき皮膜を直接浸漬し（３５℃、５分間）、浸漬後の剥離液中の銅、錫および鉛の量を原子吸光光度法により測定することにより行った。 また、比較例１〜４のニッケル剥離剤についても、温度を指定の温度に変更する以外は同様にしてニッケル剥離性試験を行った。 この結果を下の表に示す。
【００４２】

【００４３】
この結果から明らかなように、本発明のニッケル剥離液によれば、複合材料中からニッケルを選択的に剥離することが可能である。
【００４４】
【発明の効果】
本発明によれば、複合素材上から選択的にニッケルのみを剥離する剥離液が提供される。 この剥離液は、単に不要なニッケル金属を剥離するために利用できるのみならず、ファイン化した電子部品や回路を製作するために、最もコストメリットがあり量産性の高いウエット処理を提供することができるものである。
【００４５】
例えば、従来の半導体ＢＧＡ（ボールグリッドアレー）は主にドライ法で製作されていたが、この方法は真空チャンバーを用いる枚葉処理となり、処理ごとに真空チャンバーへ処理物挿入、真空チャンバー排気、真空チャンバー大気開放、処理物取り出しの工程をとるため、大掛かりな真空設備を必要とし、量産向きでなく高コストであった。
【００４６】
これに対し、本発明の選択的ニッケル剥離液を用いるウエット法によれば、大気下、４０℃付近の温度で半導体ＢＧＡを製作することが可能になり、コストを大幅に引き下げることが可能となる。 従って、ファイン化の限界が見えてきたＱＦＰ半導体パッケージに対し、生産コスト面で不利であったＢＧＡパッケージを経済的に製造することが可能となった。
【００４７】
同様に、電子分野であるプリント基板、セラミックス基板や半導体分野であるＴＡＢ（テープオートマテックボンディング）、ＰＧＡ（ピングリッドアレー）などで、数種類の素材からなる複合材で回路パターンやバンプ形成をするときに、ニッケルまたはその合金のみを選択的、優先的に溶解剥離し、所望の電子部品の配線回路を形成することも可能となった。
以 上

Claims (10)

1. 次の成分（ａ）〜（ｄ）
   （ａ） ハロゲンイオン成分を含まない無機酸または有機酸、
   （ｂ） 酸化剤、
   （ｃ） 芳香族ニトロ化合物、
   （ｄ） 次の第１抑制剤または第２抑制剤から選ばれる金属溶解抑制剤、 アゾ染料、アントラキノン染料、インジゴ系染料、フタロシアニン染料、 ジおよびトリフェニルメタン染料、キサンテン染料、アクリジン染料、ア ジン系染料、スチルベン染料、メチン系染料、ニトロ及びニトロソ染料、 チアゾール染料から選ばれた第１抑制剤、 アゾール類またはトリアゾール類から選ばれた第２抑制剤
   を含有する選択的ニッケル剥離液。
2. 成分（ａ）のハロゲンイオン成分を含まない無機酸または有機酸が、硫酸、リン酸、ホウ酸、炭酸、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、シュウ酸、乳酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸、グリコール酸、スルファミン酸、アルカンスルホン酸、芳香族スルホン酸またはアルカノールスルホン酸から選ばれたものである請求項第１項記載の選択的ニッケル剥離液。
3. 成分（ｂ）の酸化剤が、過酸化水素またはペルオキソ化合物である請求項第１項または請求項第２項記載の選択的ニッケル剥離液。
4. 成分（ｃ）の芳香族ニトロ化合物が、ｏ−、ｍ−、ｐ−ニトロベンゼンスルホン酸、ｏ−、ｍ−、ｐ−ニトロ安息香酸、ｏ−、ｍ−、ｐ−ニトロアニリン、ｏ−、ｍ−、ｐ−ニトロフェノールまたはこれらの塩から選ばれたものである請求項第１項ないし第３項の何れかの項記載の選択的ニッケル剥離液。
5. 成分（ｄ）の金属溶解抑制剤が、第１抑制剤と第２抑制剤よりなるものである請求項第１項ないし第４項の何れかの項記載の選択的ニッケル剥離液。
6. 第１抑制剤が、アゾ染料であるアイゼン・カチロン・イエロー ＧＬＨ（ Aisen Cathilon Yellow GLH ）もしくはアイゼン・カチロン・ピンク ＦＧＨ（ Aisen Cathilon Pink FGH ）またはメチン系染料であるアイゼン・カチロン・オレンジ ＲＨ（ Aisen Cathilon Orange RH ）ＲＨもしくはアイゼン・アストラ・フロキシン ＦＦ（ Aisen Astra Phloxine FF ）である請求項第１項ないし第５項の何れかの項記載の選択的ニッケル剥離液。
7. 第２抑制剤が、ピラゾール、イミダゾール、ベンゾトリアゾール、トリトリアゾール、ナフトトリアゾール、メルカプトベンゾチアゾール、メルカプトトリアゾールまたはベンズイミダゾールから選ばれたものである請求項第１項ないし第６項の何れかの項記載の選択的ニッケル剥離液。
8. 請求項第１項ないし第７項の何れかの項記載の選択的ニッケル剥離液を用い、銅または銅合金、錫または錫合金およびニッケルからなる複合素材から、実質的に銅または銅合金および錫または錫合金を侵すことなく、ニッケルまたはその合金皮膜を０.５〜１.０μｍ／分の速度で剥離する選択的ニッケル剥離方法。
9. 次の工程を順次行うことを特徴とする電子回路の作製方法。
   （i）絶縁基材表面に銅箔を接着した銅箔板に、有機めっきレジストで第一の配線パター ンを形成後、ニッケルめっきを施す、
   （ii）（i）で得られたニッケルめっき後の表面に、有機めっきレジストを使って第二の 配線パターンを形成し、錫−鉛合金めっきを行なう、
   （iii）露出した銅部分をエッチング除去する、
   （iv）（iii）で得られたニッケルめっきと錫−鉛合金による回路配線を作成後、請求項 第１項ないし第７項の何れかの項記載の選択的ニッケル剥離液に浸漬し、ニッケル皮膜を選択的に剥離する。
10. 次の工程を順次行うことを特徴とする電子部品もしくは電子回路の作製方法。
    （i）銅または銅合金フレーム上にニッケルまたはニッケル合金めっきを施す、
    （ii）（i）で得られたニッケルまたはニッケル合金皮膜上に、有機めっきレジストで第 一の配線パターンを形成後、銅めっきを施す、
    （iii）（ii）で得られた銅めっき後の表面から、有機めっきレジストを除去し、更に別 の有機めっきレジストを使って第二の配線パターンを形成し、錫−鉛合金めっきを行 なう、
    （iv） 裏側の銅または銅合金フレーム部分をエッチング除去する、
    （v）（iv）で露出したニッケルめっきを、請求項第１項ないし第７項の何れかの項に記 載の選択的ニッケル剥離液に浸漬し、ニッケル皮膜を選択的に剥離する、
    （vi） 有機めっきレジストを除去する。