KR100761608B1 - 팔라듐 제거액 및 팔라듐 제거방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 팔라듐 제거액은 (a) 질산염, (b) 팔라듐 산화물을 수용화하기 위한 수용화제 및 (c) 물을 함유한다. 상기 팔라듐 제거액은 경우에 따라 (4) 습윤제 및/또는 (5) 킬레이트제를 추가로 포함한다. 상기 팔라듐 제거액은 구리선을 부식하지 않고 또한 절연성 기판의 표면을 거칠게 하지 않고, 이 표면에 잔류하는 팔라듐을 제거하므로써 회로패턴의 절연성을 향상시킨다.

Description

팔라듐 제거액 및 팔라듐 제거방법{PALLADIUM REMOVING SOLUTION AND METHOD FOR REMOVING PALLADIUM}
본 발명은 팔라듐 제거액 및 이를 이용한 팔라듐 제거방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 처리될 기판의 표면상에 잔류하는 팔라듐을 이 기판에 손상을 가하지 않고 제거하기 위한 제거액 및 팔라듐 제거방법에 관한 것이다.
회로 패턴을 형성하는 한 방법으로 어디티브법 (additive method)이 사용되어 왔다. 이 방법에서는 절연성 기판의 전체 표면에 팔라듐이 부가된 후 이 팔라듐층상에 무전해 도금법에 의해 구리도금층이 형성된다. 상기 구리도금층의 회로패턴 부분만이 에칭-방지 레지스트로 피복되고, 다음에 레지스트로 피복되지 않은 부분은 에칭제거된다. 그 후, 잔류 에칭-방지 레지스트를 제거함으로써 회로패턴이 형성된다.
이같은 통상의 방법에 의하면, 회로패턴의 형성 후 절연성 기판의 표면상에 팔라듐이 다시 잔류된다. 팔라듐은 무전해도금시 도금 촉매제 역할을 하며 전도층을 용이하게 형성하는데 효과적이다. 그러나, 팔라듐은 일반 에칭용액에 용해되기 어려우므로, 구리도금층의 에칭 후에도 제거되지 않은 상태로 잔류된다. 잔류 팔라듐은 회로 패턴의 절연성을 감소시킨다.
회로패턴의 표면 전체 혹은 부품접합용 패드부는 표면처리로서 종종 무전해 니켈도금, 무전해 금도금 등으로 처리된다. 그러나, 절연성 기판의 표면에 잔류하는 팔라듐은 도금 촉매제의 역할을 하므로 회로기판의 불필요한 부분에까지도 니켈 혹은 금을 부착시키므로 회로패턴의 절연성이 감소된다.
그러므로, 양질의 회로기판을 생산하기 위해 회로기판에 잔류되는 팔라듐을 제거하는 것이 매우 중요하다. 통상의 첨가방법에서는, 에칭-방지 레지스트를 박리한 후, 기판 표면상에 잔류하는 불필요한 팔라듐을 다음 방법으로 제거해왔다.
(1) 기판을 요오드/요오드화 암모늄 용액에 침지하여 팔라듐을 요오드/요오드화 암모늄 용액에 용해시키는 방법.
(2) 기판을 과망간산칼륨 용액에 침지하여 팔라듐을 과망간산칼륨 용액에 용해시키는 방법.
(3) 반응성 이온 에칭법(RIE)에 사용된 진공배출장치를 이용하여 기판표면에서 팔라듐을 제거하는 방법 등이 있다.
그러나, 상기 통상의 팔라듐 제거방법은 다음과 같은 문제점이 있다.
(1) 요오드/요오드화 암모늄 용액에 침지하는 방법에서, 이 용액에 팔라듐뿐만 아니라 구리도 용해되어, 배선이 얇아지게 되거나 또는 선이 파열된다.
(2) 과망간산칼륨 용액에 침지하는 방법에서, 수지 기판의 표면이 산화되어 그 표면이 미세한 요철형상으로 된다. 이같은 수지의 산화는 팔라듐의 용해보다 빠르게 진행된다. 이에 따라, 팔라듐 제거액은 산화된 수지표면의 홈(recess)에 잔류된 팔라듐과 반응할 수 없어, 부분적으로 제거되지 않은 팔라듐이 남아있게 된다.
(3) 진공배출장치를 사용하는 방법은 상기 습식방법과 비교하여 비용이 비싸 다. 또한, 이 방법은 처리용량 측면 즉 한회분의 처리시, 기판수가 제한되기 쉽다. 이것은 배선판 제조비용을 증가시킨다.
최근, 일본특허 3-254179 및 4-179191는 기판을 과망간산칼륨 용액에 침지한 다음, 경우에 따라 기판을 초음파-세정하고, 아울러 방향족 니트로화합물, 아민화합물, 아미노카르복실산, 카르복실산, 수산화나트륨 및 황산 히드록시 암모늄을 함유하는 용액에 침지하는 단계를 더 포함하는 팔라듐 제거방법을 공지한다. 상기 공지된 제거액은 기판상에서 산화된 수지층과 팔라듐을 동시에 제거한다. 이에 따라, 과망간산칼륨 용액은 기판 표면을 거칠게 할 뿐만 아니라 구리 회로패턴과 기판의 계면부도 침식시키는 등의 문제를 일으킨다.
본 발명의 목적은 상기 문제점들을 해소하고, 기판의 표면상에 잔류하는 팔라듐을 기판에 손상을 입히지 않고서 제거하는 팔라듐 제거액 및 이 팔라듐 제거액을 이용한 팔라듐 제거방법을 제공하는 것이다. 특히, 본 발명의 목적은 회로기판의 제조시 회로패턴 형성 후 배선 재료 및 절연성 기판상에서 부식을 일으키지 않으면서도 이 절연성 기판의 표면상에 잔류하는 팔라듐을 용이하게 제거하는 팔라듐 제거액을 제공하며, 이 팔라듐 제거액을 이용하여 팔라듐을 제거하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명자들이 상기 목적을 달성하기 위해 예의검토를 거듭한 결과, 회로패턴을 형성한 후 절연성 기판상에 잔류하는 팔라듐이 (a) 질산염, (b) 팔라듐 산화물을 수용화하기 위한 수용화제, (c) 물, 경우에 따라 (d) 습윤제 및/또는 킬레이트제를 함유하는 액체 조성물에 의해 단기에 용이하게 제거된다는 것에 근거하여, 회로패턴의 절연성 향상 및 고신뢰성의 인쇄회로기판을 제조할 수 있음을 발견함으로써 본 발명을 완성하게 되었다.
이에 따라, 본 발명의 한 측면은 (a) 질산염, (b) 팔라듐 산화물을 수용화하기 위한 수용화제 및 (c) 물을 함유하는 팔라듐 제거액을 제공한다. 상기 팔라듐 제거액은 경우에 따라 (d) 습윤제 및/또는 (e) 킬레이트제를 함유하는 것이 좋다.
본 발명의 두번째 측면에서, 절연성 기판의 표면상에 팔라듐층을 형성하는 단계; 이 팔라듐층 상에 구리도금층을 형성하는 단계; 이 구리도금층의 표면에 레지스트를 도포한 후 구리도금층을 에칭하여 회로패턴을 형성하는 단계; 레지스트를 박리한 후 기판 표면에 잔류하는 팔라듐을 상기 팔라듐 제거액을 사용하여 제거하는 단계를 포함하는 팔라듐 제거방법을 제공한다.
도 1a 내지 도 1d는 프린트배선기판의 제조시 본 발명의 팔라듐 제거액으로 처리하는 회로패턴 형성 기판의 제조단계를 나타내는 개략도.
질산염(a)으로는 질산암모늄, 질산리튬, 질산아연, 질산망간, 질산니켈, 질산코발트, 질산나트륨 및 질산칼륨을 들 수 있고, 질산암모늄이 특히 바람직하다. 질산염은 팔라듐상에서 산화반응을 한다. 팔라듐 제거액 내 질산염의 농도는 0.001 내지 40중량%이며, 바람직하게는 0.005 내지 30중량%이다.
팔라듐 산화물을 수용화 하기 위한 수용화제(b)는 무기산 또는 무기산염이며, 바람직하게는 염산, 질산, 황산, 염화암모늄 및 염화알루미늄과 같은 염산염, 황산암모늄 및 황산알루미늄과 같은 황산염이다. 팔라듐 제거액 내 수용화제의 농도는 0.01 내지 50중량%이며, 바람직하게는 0.05 내지 30중량%이다.
본 발명의 효과에 손상을 주지 않는 범위 내에서, 산화력을 높이기 위해 기타 팔라듐 산화성 물질을 혼합하거나, 팔라듐 산화물을 수용화하는 능력을 높이기 위해 기타의 팔라듐 산화물을 수용화 시킬 물질을 혼합해도 좋다.
상기 팔라듐 제거액은 성분 (a) 내지 (c)에 추가로 습윤제(d)를 함유한다. 이 습윤제(d)는 계면활성제, 알콜류 또는 에테르류이다. 이 계면활성제는 또한 양이온계, 비이온계 혹은 음이온계이다. 알콜류의 예로는 에틸알콜, 이소프로필알콜, 부탄올, 에틸렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜 및 디프로필렌 글리콜을 들 수 있다. 에테르류의 예로는 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노부틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 디메틸 에테르, 폴리옥시에틸렌 메틸 페닐 에테르, 폴리옥시에틸렌 에틸 페닐 에테르, 폴리옥시에틸렌 옥틸 페닐 에테르 및 폴리옥시에틸렌 노닐 페닐 에테르를 들 수 있다.
상기 습윤제는 단독으로 또는 두가지 이상의 복합물로 사용될 수도 있다. 팔라듐 제거액 내의 습윤제의 농도는 0.001 내지 10중량%이며, 바람직하게는 0.005 내지 5중량%, 보다 바람직하게는 0.005 내지 1중량%이다.
성분 (a) 내지 (c) 또는 성분 (a) 내지 (d)에서, 팔라듐 제거액은 킬레이트제(e)를 추가로 함유하여도 된다. 킬레이트제는 팔라듐과 착체를 형성할 수 있는 화합물이며, 디메틸글리옥심, 티오우레아, 티옥신(8-메르캅토퀴놀린), 디티존, 2-니트로소-1-나프톨 및 p-니트로소디메틸아닐린을 들 수 있다. 디메틸글리옥심 및 티오우레아가 특히 바람직하다.
킬레이트제(e)는 팔라듐 산화물의 수용화제로서 작용하는 것만이 아니라 또한 절연성 기판의 거친 표면의 홈에 소량으로 잔류된 팔라듐과 함께 착체를 형성하고, 회로패턴 형성후의 무전해 니켈도금 및 무전해 금도금에 대해 팔라듐을 비활성화하여 니켈 및 금이 절연성 기판의 부적절한 부분에 부착되어 회로패턴의 절연성이 나빠지는 것을 방지한다.
팔라듐 제거액 내의 킬레이트제 농도는 0.01 내지 5중량%이며, 바람직하게는 0.01 내지 2중량%, 보다 바람직하게는 0.05 내지 2중량%이다.
본 발명의 팔라듐 제거액은 질산염, 수용화제, 경우에 따라 습윤제 및/또는 킬레이트제 및 나머지로서 물을 포함하는 수성액이다. 상기 수성액은 분산액 또는 현탁액일 수도 있으나 일반적으로는 수용액이다.
본 발명의 팔라듐 제거액은 성분 (a) 내지 (b), 및 임의 성분 (d) 및/또는 (e)를 물에 용해, 분산 또는 현탁함으로써 제조된다. 각 성분의 첨가 순서는 특별히 제한되지 않는다.
본 발명에 따른 팔라듐 제거방법은 처리할 기판을 실온 내지 80℃에서 팔라듐 제거액에 1 내지 10분간 침지시키므로써 시행된다. 팔라듐 제거액의 pH는 통상 0 내지 5이며, 성분(b)으로서 사용되는 무기산의 첨가양을 변경하므로써 pH값을 조정한다. 팔라듐 제거액은 처리대상 기판으로부터 팔라듐을 효율적으로 제거하기에 충분한 양으로 사용되며, 당업자가 적절한 실험을 통해 그 양을 용이하게 결정할 수 있다. 본 발명의 팔라듐 제거방법에 따라, 회로패턴 형성 후 기판상에 잔류하는 팔라듐을 실질적으로 완전히 제거할 수 있다 (회로기판에 대한 잔류팔라듐 농도가 5ppm 이하).
본 발명은 다음 실시예 및 비교예를 참조하여 보다 상세히 설명한다. 그러나, 이 실시예 및 비교예들은 예시를 위한 것이며 본 발명의 범위를 한정하기 위한 것은 아니다.
도 1은 회로기판의 제조시 회로패턴 형성에 따른 공정을 나타내는 개략도이다. 도 1a에 도시된 바와 같이, 팔라듐 촉매층(2)을 절연성 기판(1)상에 형성했다. 팔라듐은 일반적으로 절연성 기판에 흡착되어 매우 얇은 층을 형성하며, 무전해도금에 대한 촉매제 역할을 한다. 구리도금층으로 만들어진 전도층(3)은 상기 절연성 기판상의 팔라듐 촉매층(2)상에서 도 1b에 도시된 바와 같이 무전해 도금에 의해 형성된다. 전도층은 전기도금에 의해 무전해도금 표면상에 형성되어도 좋다.
이어서, 도 1c와 같이, 전도층(3)의 회로가 되어야 할 부분을 포토레지스트층(4)으로 피복하고, 그 다음 전도층(3)의 비피복 부분을 에칭용액으로 용해제거한다. 상기 레지스트로는 예를 들어 건식 포토필름, 포토레지스트 잉크, 또는 스크린 프린팅 레지스트 등이 사용된다. 에칭용액의 예로는 황산과 과산화수소의 혼합액, 염화제2구리 함유액, 염화제2철 함유용액이 있다.
에칭후, 포토레지스트를 제거함으로써 도 1d와 같이 절연성 기판(1)의 표면상에 전도체 회로(3a)가 형성된다. 구리도금층의 비-마스크 부분을 에칭한 후, 절연성 기판(1)의 표면에 부착된 팔라듐(2a)는 제거되지 않고 절연성 수지에 흡착된 상태로서 그대로 잔류한다.
실시예 1 ∼ 7
상기의 팔라듐 잔류의 회로기판을 표 1의 조성으로 된 각 팔라듐 제거액에 소정의 조건에서 침지하고, 정수로 세정한 후 건조했다. 그 다음, 20-μm의 간격을 갖는 회로 부분들 사이의 절연저항을 측정하고, 절연성 기판 표면에 대한 형광 X-선 분석법 및 X-선 마이크로 분석기를 이용하여 팔라듐 잔존량을 측정, 회로패턴부에 대해 무전해 니켈도금을 시행하고, 절연성 기판상에서 니켈의 석출이 일어나는지의 유무, 또한 회로패턴부에 있어서 동의 부식성 유무를 관찰했다. 이 측정 및 관찰 결과는 다음을 기준으로 평가했고 평가결과를 표 1에 나타내었다.
1. 절연성
A:처리전의 절연저항치: 수MΩ-> 처리후의 절연저항치: 무한대
C:처리전의 절연저항치: 수MΩ-> 처리후의 절연저항치: 수MΩ
2. 팔라듐 제거성
A:완전 제거됨
B:부분 잔존함
C:상당한 부분 잔존함
3. 니켈 석출성
A+:석출이 전혀 확인되지 않음
A:석출이 거의 확인되지 않음
B:일부 석출이 확인됨
C:석출이 확인됨
4. 구리 부식성
A:부식이 확인되지 않음
B:일부 부식이 확인됨
C:전면에 걸쳐 부식이 확인됨
표 1
팔라듐 제거액의 조성
질산염 수용화제 습윤제 물
종류 농도(wt%) 종류 농도(wt%) 종류 농도(wt%) 농도(wt%)
실시예 1 질산암모늄 2 염산 5 - - 나머지
실시예 2 질산암모늄 5 염산 5 - - 나머지
실시예 3 질산암모늄 0.5 염산 5 - - 나머지
실시예 4 질산암모늄 2 염산 1 a* 3 나머지
실시예 5 질산암모늄 2 염산 1 b* 0.1 나머지
실시예 6 질산암모늄 2 황산 3 - - 나머지
실시예 7 질산암모늄 2 질산 5 - - 나머지

a*:이소프로필 알콜
b*:폴리옥시에틸렌 노닐 페닐에테르
표 1(계속)
제거 조건 평가 결과
온도(℃) 시간(분) 절연성 Pd 제거 Ni 석출 Cu 부식
실시예 1 60 5 A A A A
실시예 2 60 5 A A A A
실시예 3 70 5 A A A A
실시예 4 50 3 A A A A
실시예 5 50 3 A A A A
실시예 6 60 5 A A A A
실시예 7 60 5 A A A A

비교예 1 ∼ 8
표 2와 같은 조성물을 각각 갖는 팔라듐 제거액을 이용하여 실시예 1 내지 7를 반복했다. 그 결과는 표 2에 도시했다.
표 2
팔라듐 제거액의 조성
질산염 수용화제 습윤제 물
종류 농도(wt%) 종류 농도(wt%) 종류 농도(wt%) 농도(wt%)
비교예 1 질산암모늄 5 - - - - 나머지
비교예 2 - - 염산 5 - - 나머지
비교예 3 - - 황산 3 - - 나머지
비교예 4 - - 염화암모늄 5 - - 나머지
비교예 5 질산암모늄 5 - - a* 3 나머지
비교예 6 질산암모늄 5 - - b* 0.1 나머지
비교예 7 - - 염산 5 a* 3 나머지
비교예 8 - - 염화암모늄 5 a* 3 나머지

a*:이소프로필 알콜
b*:폴리옥시에틸렌 노닐 페닐에테르
표 2(계속)
제거 조건 평가 결과
온도(℃) 시간(분) 절연성 Pd 제거 Ni 석출 Cu 부식
비교예 1 60 5 C C C A
비교예 2 60 5 B B C A
비교예 3 60 5 C C C A
비교예 4 60 5 C C C A
비교예 5 60 5 C C C A
비교예 6 60 5 C C C A
비교예 7 60 5 B B C A
비교예 8 60 5 C C C A

실시예 8 ∼ 9
킬레이트제를 함유하는 팔라듐 제거액을 이용하여 실시예 1 내지 7를 반복했다. 그 결과는 표 3에 도시했다.
표 3
팔라듐 제거액의 조성
질산염 수용화제 킬레이트제 물
종류 농도(wt%) 종류 농도(wt%) 종류 농도(wt%) 농도(wt%)
실시예 8 질산암모늄 2 염산 1 c* 0.1 나머지
실시예 9 질산암모늄 2 염산 1 d* 0.1 나머지
c*:디메틸글리옥심
d*:티오우레아
표 3(계속)
제거 조건 평가 결과
온도(℃) 시간(분) 절연성 Pd 제거 Ni 석출 Cu 부식
실시예 8 50 3 A A A+ A
실시예 9 50 3 A A A+ A

본 발명의 팔라듐 제거액에 침지함으로써 회로기판의 표면에 존재하는 팔라듐을 제거하는 것이 가능하다. 본 발명의 팔라듐 제거액은 특히, 절연성 기판의 표면에 잔류하는 팔라듐을 제거하는 것이 적절하고, 구리배선을 침식하는 일이 없고 또한 절연성 기판 표면을 거칠게 만들지 않기 때문에 회로패턴의 절연성을 향상시킬 수 있다.
또한, 회로패턴에 대해 무전해 니켈도금 또는 무전해 금도금 등을 시행하는 경우에도 표면의 팔라듐이 제거되었으므로 절연성 기판 표면에 대한 도금처리에 의한 절연성 저하를 미연에 방지할 수 있게 된다.

Claims (15)

  1. (a) 질산염, (b) 팔라듐 산화물을 수용화하는 수용화제 및 (c) 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 팔라듐 제거액.
  2. 제 1항에 있어서,
    0.001∼40중량%의 질산염, 0.01∼50중량%의 수용화제 및 나머지로서 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 팔라듐 제거액.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 질산염은 질산암모늄, 질산리튬, 질산아연, 질산망간, 질산니켈, 질산코발트, 질산나트륨, 및 질산칼륨으로 구성된 군에서 선택된 적어도 하나의 화합물인 것을 특징으로 하는 팔라듐 제거액.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 수용화제는 염산, 질산, 황산, 염화암모늄, 염화알루미늄, 황산암모늄, 및 황산알루미늄으로 구성된 군에서 선택된 적어도 하나의 화합물인 것을 특징으로 하는 팔라듐 제거액.
  5. 제 1항에 있어서,
    (d) 습윤제를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 팔라듐 제거액.
  6. 제 5항에 있어서,
    0.001∼10중량%의 습윤제를 함유하는 것을 특징으로 하는 팔라듐 제거액.
  7. 제 5항에 있어서,
    상기 습윤제가 계면활성제, 알콜류 또는 에테르류인 것을 특징으로 하는 팔라듐 제거액.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 계면활성제가 양이온, 비이온 또는 음이온성인 것을 특징으로 하는 팔라듐 제거액.
  9. 제 7항에 있어서
    상기 알콜류는 에틸알콜, 이소프로필알콜, 부탄올, 에틸렌 글리콜, 디에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 및 디프로필렌 글리콜로 구성된 군에서 선택된 적어도 하나의 알콜인 것을 특징으로 하는 팔라듐 제거액.
  10. 제 7항에 있어서,
    상기 에테르류는 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노부틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노부틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노에틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노부틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 디메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 디메틸 에테르, 폴리옥시에틸렌 메틸 페닐에테르, 폴리옥시에틸렌 에틸 페닐에테르, 폴리옥시에틸렌 옥틸 페닐에테르, 및 폴리옥시에틸렌 노닐 페닐에테르로 구성된 군에서 선택된 적어도 하나의 에테르인 것을 특징으로 하는 팔라듐 제거액.
  11. 제 1항에 있어서,
    (e) 킬레이트제를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 팔라듐 제거액.
  12. 제 11항에 있어서,
    0.01∼5중량%의 킬레이트제를 함유하는 것을 특징으로 하는 팔라듐 제거액.
  13. 제 11항에 있어서,
    상기 킬레이트제는 디메틸글리옥심, 티오우레아, 티옥신(8-메르캅토퀴놀린), 디티존, 2-니트로소-1-나프톨, 및 p-니트로소디메틸아닐린으로 구성된 군에서 선택된 적어도 하나의 화합물인 것을 특징으로 하는 팔라듐 제거액.
  14. 제 1항 내지 제 13항 중 어느 한 항에 있어서,
    절연성 기판 표면상에 형성된 구리도금층에 의해 회로패턴이 형성되는 어디티브법 (additive method)에 의해 회로기판 제조에 사용되는 것을 특징으로 하는 팔라듐 제거액.
  15. 절연성 기판의 표면상에 팔라듐을 부착하여 팔라듐층을 형성하는 단계;
    상기 팔라듐층 상에 구리도금층을 형성하는 단계;
    상기 구리도금층의 표면에 레지스트를 도포한 후 구리도금층을 에칭하는 단계; 및
    레지스트를 박리하여 회로패턴을 형성한 후 절연성 기판 표면에 잔류하는 팔라듐을 제 1항 내지 제 13항에 기재된 어느 하나의 팔라듐 제거액을 사용하여 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 팔라듐 제거방법.
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