JP2000178752A

JP2000178752A - 無電解メッキ用パラジウム触媒除去剤

Info

Publication number: JP2000178752A
Application number: JP10356010A
Authority: JP
Inventors: Teruaki Shimoji; 輝明下地; Kuniaki Otsuka; 邦顕大塚; Ayumi Yamagishi; 歩山岸
Original assignee: Okuno Chemical Industries Co Ltd
Current assignee: Okuno Chemical Industries Co Ltd
Priority date: 1998-12-15
Filing date: 1998-12-15
Publication date: 2000-06-27
Anticipated expiration: 2018-12-15
Also published as: JP4143694B2

Abstract

(57)【要約】【課題】不導体材料や他のメッキ部分等に悪影響を与え
ることなく無電解メッキ用パラジウム触媒の残渣を除去
できる無電解メッキ用パラジウム金属除去剤を提供す
る。【解決手段】含窒素脂肪族有機化合物と含ヨウ素無機化
合物を含有する水溶液からなる無電解メッキ用パラジウ
ム触媒除去剤、該パラジウム触媒除去剤を、該除去剤中
に分子状ヨウ素が存在する状態で、パラジウム触媒が付
着した被処理物と接触させることを特徴とするパラジウ
ム触媒除去方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、無電解メッキ用パ
ラジウム触媒除去剤、パラジウム触媒除去方法、プリン
ト基板の製造方法及びプリント基板に関する。

【０００２】

【従来の技術】プリント配線板の製造方法としては各種
の工法が知られているが、不導体表面に導電性を付与す
るためには、無電解メッキ方法が採用されることが多
い。そして、無電解メッキ方法としては、不導体表面に
無電解メッキ用触媒を付与した後、無電解メッキ液に浸
漬する方法が一般的である。

【０００３】プリント基板製造のための無電解メッキ用
触媒としては、多くの場合は、米国特許３，０１１，９
２０号に記載された錫−パラジウムコロイドの水溶性懸
濁液が用いられている。また、パラジウムイオン−アミ
ノ系錯化剤を含む触媒液を用いて、無電解メッキ用触媒
を付与する方法も知られている（特開平８−３１６６１
２号公報）。

【０００４】しかしながら、これらのパラジウムを含有
する触媒液を用いる触媒付与方法では、触媒金属である
パラジウムは、耐食性が高いために一度付着すると除去
することが困難である。このため、析出したメッキ皮膜
の不要部分をエッチングして導体回路を形成した場合に
も、通常のエッチング処理では、触媒として付着したパ
ラジウムを十分に除去できず、残存したパラジウムは導
電性を有するために回路間の絶縁信頼性が悪化する原因
となる。又、エッチングによる導体回路形成後に、無電
解ニッケルメッキや無電解金メッキ等の無電解メッキを
再度行なう場合には、不導体表面にパラジウム残渣が付
着しているために、無電解メッキ皮膜の析出が起こり、
回路間の絶縁部へのメッキ析出(いわゆるパターン外析
出)やガイド穴等不必要な部分にメッキが析出すること
がある。

【０００５】このように、パラジウムを含有する触媒を
用いた場合には、触媒金属であるパラジウムの除去が困
難なために、絶縁信頼性の低下、不要部分へのメッキ析
出等の問題があり、特に、セミアディティブ法やビルド
アップ工法においては、多層板の表面全面に露出する不
導体表面に触媒を付与するために、触媒残渣による回路
間の絶縁信頼性の低下が特に大きな問題点となってい
る。この問題に対処するため現在一般的には次のような
方法が行われている。

【０００６】（ｉ）触媒液の濃度を低下させたり、触媒
液浸漬時間を短くすることによって、触媒の付与量を最
小限にとどめ、絶縁信頼性を向上させる。

【０００７】（ii）金属エッチング液による金属回路形
成後、不導体層のエッチング液に浸漬して不導体層ごと
パラジウムを除去する。

【０００８】（iii）チオシアン酸塩、チオ硫酸塩、シ
アン化合物、亜硫酸塩および過マンガン酸塩から選ばれ
る少なくとも一種を主成分とするパラジウム除去液を用
いてパラジウムを除去する（特開平８−１３９４３５号
公報）。

【０００９】しかしながら、これらの各方法について
は、それぞれ次のような欠点がある。

【００１０】（ｉ）触媒の付与量を低下させる方法で
は、無電解メッキ皮膜が十分に形成されないおそれがあ
り、無電解メッキ皮膜の未析出、導通不良等が起こる場
合がある。また、触媒液の塩濃度や粘度が高いため、プ
リント基板上で不均一な付与量となり易く、最小限度の
触媒を付与するとしても、部分的には大量に触媒が付与
されたり、逆に無電解メッキ皮膜の析出に必要量の触媒
が付与されない部分が生じる。

【００１１】（ii）不導体層をエッチングする方法で
は、不導体層が大量に除去されるために、形成された金
属回路の下の部分にまでエッチングが及び、不導体層と
金属回路間の密着力が低下する。また、不導体層が薄く
なるために、多層積層とする場合には、不導体層を挟ん
だ金属層間での絶縁不良が生じ易い。

【００１２】（iii）パラジウム除去液を用いる方法の
内で、チオシアン酸塩、チオ硫酸塩、亜硫酸塩等の硫黄
系化合物を含む処理液を用いる方法では、パラジウムの
除去効果が不十分であり、しかも、硫黄系化合物は、金
属に対して吸着性が高く、特にプリント基板に用いられ
る銅金属に対して吸着性が非常に高いために銅回路上に
吸着しやすく、この様な硫黄系化合物が吸着した金属上
に無電解メッキを行なうと、未析出や外観不良を起こし
易く、形成される金属皮膜の密着性も不十分となるとい
う欠点がある。このため、硫黄系化合物を用いる場合に
は、無電解メッキ前にエッチングによって銅回路の正常
面を露出させる必要があるが、エッチング処理を行う
と、回路自体にダメージを与えることとなり、しかも余
分な工程が必要となる。また、シアン化合物は非常に毒
性が高いので好ましくなく、これを用いる場合には、シ
アン化合物を処理するための設備が必要となり、コスト
高となる。また、過マンガン酸塩は、エッチング力が非
常に強いために、パラジウムのみならず不導体層までも
エッチングすることになり、上記（ii）と同様に、不導
体層と金属回路間との密着力低下や不導体層を挟んだ金
属層間での絶縁不良が生じ易いという欠点がある。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】本発明の主な目的は、
不導体材料や他のメッキ部分等に悪影響を与えることな
く、無電解メッキ用パラジウム触媒の残渣を除去できる
無電解メッキ用パラジウム触媒除去剤を提供することで
ある。本発明の他の目的は、回路間の絶縁信頼性の低下
や不要部分への無電解メッキ析出等の問題を解消できる
プリント基板の製造方法を提供することである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明者は、上述した如
き課題に鑑みて鋭意研究を重ねた結果、窒素を含む脂肪
族有機化合物とヨウ素を含む無機化合物を有効成分とし
て含有する水溶液を用い、この溶液中に分子状のヨウ素
が存在する状態で、無電解メッキ用パラジウム触媒残渣
の付着した不導体材料と接触させる場合には、不導体材
料や既にメッキされた金属部分にほとんど悪影響を及ぼ
すことなく、パラジウム触媒のみを溶解除去できること
を見出し、ここに本発明を完成するに至った。

【００１５】即ち、本発明は、下記の無電解メッキ用パ
ラジウム触媒除去剤、パラジウム触媒除去方法、プリン
ト基板の製造方法及びプリント基板を提供するものであ
る。

【００１６】（１）含窒素脂肪族有機化合物と含ヨウ素
無機化合物を含有する水溶液からなる無電解メッキ用パ
ラジウム触媒除去剤。

【００１７】（２）含窒素脂肪族有機化合物が、エチレ
ンジアミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテト
ラミン、テトラエチレンペンタミン、１，３−トリメチ
レンジアミン、１，４−テトラメチレンジアミン、１，
６−ヘキサメチレンジアミン、モノエタノールアミン、
ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、グリシ
ン、アラニン及びタウリンから選ばれた少なくとも一種
であり、含ヨウ素無機化合物が、ヨウ化リチウム、ヨウ
化ナトリウム、ヨウ化カリウム、ヨウ化マグネシウム、
ヨウ化カルシウム及びヨウ素から選ばれた少なくとも一
種である上記項１に記載のパラジウム触媒除去剤。

【００１８】（３）上記項１又は２に記載のパラジウム
触媒除去剤を、該除去剤中に分子状ヨウ素が存在する状
態で、パラジウム触媒が付着した被処理物と接触させる
ことを特徴とするパラジウム触媒除去方法。

【００１９】（４）含窒素脂肪族有機化合物に由来する
ヨウ素イオンが酸化されて分子状のヨウ素が形成された
状態で、パラジウム触媒除去剤を被処理物と接触させる
上記項３に記載のパラジウム触媒除去方法。

【００２０】（５）基板材料の不導体部分にパラジウム
触媒を付着させた後、無電解メッキを行ない、その後エ
ッチングによって導体回路を形成する工程を含むプリン
ト基板の製造方法において、上記項１又は２に記載のパ
ラジウム触媒除去剤を、該除去剤中に分子状ヨウ素が存
在する状態で、パラジウム触媒が付着した基板材料と接
触させて、不導体部分に付着したパラジウム触媒を除去
する工程を含むことを特徴とするプリント基板の製造方
法。

【００２１】（６）プリント基板の製造方法が、サブト
ラクティブ法又はセミアディティブ法を用いたビルドア
ップ工法による多層プリント基板の製造方法であり、エ
ッチングにより導体回路を形成した後、パラジウム触媒
除去を行う上記項５に記載のプリント基板の製造方法。

【００２２】（７）上記項５又は６の方法で製造できる
プリント基板。

【００２３】

【発明の実施の形態】本発明の無電解メッキ用パラジウ
ム触媒除去剤は、含窒素脂肪族有機化合物と含ヨウ素無
機化合物を含有する水溶液である。

【００２４】含窒素脂肪族有機化合物としては、パラジ
ウムと水溶性の配位化合物を形成できる化合物であれば
よく、その具体例としては、エチレンジアミン、ジエチ
レントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチ
レンペンタミン等のエチレンアミン系化合物、１，３−
トリメチレンジアミン、１，４−テトラメチレンジアミ
ン、１，６−ヘキサメチレンジアミン等のアルキルジア
ミン系化合物、モノエタノールアミン、ジエタノールア
ミン、トリエタノールアミン等のアルコールアミン系化
合物、グリシン、アラニン、タウリン等のアミノ酸類等
が挙げられる。含窒素脂肪族有機化合物は、一種単独又
は二種以上混合して用いることができる。

【００２５】含ヨウ素無機化合物としては、水溶性の化
合物であって、含窒素脂肪族有機化合物やそのパラジウ
ム配位化合物と難溶性乃至不溶性の塩を形成することの
ない化合物を用いることが適当である。この様な化合物
の具体例としては、ヨウ化リチウム、ヨウ化ナトリウ
ム、ヨウ化カリウム等のアルカリ金属のヨウ化物、ヨウ
化マグネシウム、ヨウ化カルシウム等のアルカリ土類金
属のヨウ化物、ヨウ化水素酸等を挙げることができる。
また、分子状のヨウ素を用いることもできる。含ヨウ素
無機化合物は、一種単独又は二種以上混合して用いるこ
とができる。

【００２６】含窒素脂肪族有機化合物の水溶液中での濃
度については、特に限定的ではないが、１ｍｍｏｌ／ｌ
程度以上とすることが好ましい。最高濃度については、
使用する化合物の種類によって異なるが、形成される該
含窒素脂肪族有機化合物とパラジウムとの配位化合物の
最大の溶解度までとすることができる。含窒素脂肪族有
機化合物の濃度が１ｍｍｏｌ／ｌ程度を下回ると、溶解
できるＰｄ量が極めて少なく、十分な効果を発揮できな
い。一方、形成される配位化合物の溶解度を上回る量の
含窒素脂肪族有機化合物を配合すると、該配位化合物の
沈殿が発生するので好ましくない。通常は、反応速度、
経済性等を考慮すると、使用する含窒素脂肪族有機化合
物の種類に応じて、該化合物とパラジウムとから形成さ
れる配位化合物の量が、該配位化合物の最大溶解度の５
〜８０％程度の量となる範囲とすることが好ましい。

【００２７】含ヨウ素無機化合物の水溶液中での濃度に
ついても、特に限定的ではないが、１ｍｍｏｌ／ｌ程度
から、使用する含ヨウ素無機化合物の溶解度までの範囲
とすることが好ましい。含ヨウ素無機化合物の濃度が１
ｍｍｏｌ／ｌ程度を下回ると、パラジウムを十分に溶解
することができず、またパラジウムの溶解速度も低下す
るので好ましくない。一方、含ヨウ素無機化合物を溶解
度以上加えると、液中で沈殿が発生するばかりでなく、
除去剤の粘度が高くなり過ぎて、被処理物の微細な隙間
に液が侵入しにくくなり、この部分に残存するパラジウ
ム金属を十分に除去できないので好ましくない。通常
は、反応速度、経済性等を考慮すると、使用する含ヨウ
素無機化合物の種類に応じて、該化合物の溶解度の１〜
８０％程度の範囲の量とすることが好ましい。

【００２８】本発明の除去剤には、更に、必要に応じ
て、他の金属塩、有機化合物等を、該除去剤に悪影響を
与えない範囲において添加することができる。

【００２９】上記した含窒素脂肪族有機化合物と含ヨウ
素無機化合物を含有する水溶液を用いてパラジウム触媒
を除去するには、該水溶液中に分子状のヨウ素が存在す
る状態で、該水溶液をパラジウム触媒が付着した被処理
物と接触させることが必要である。

【００３０】従って、含ヨウ素無機化合物として分子状
のヨウ素を用いた場合には、これを溶解した水溶液をそ
のまま被処理物と接触させればよいが、これ以外の含ヨ
ウ素無機化合物を用いた場合には、水溶液中において、
含ヨウ素無機化合物に由来するヨウ素イオンが酸化され
て分子状のヨウ素が形成された状態で、該水溶液をパラ
ジウム触媒が付着した被処理物と接触させることが必要
である。

【００３１】この様な方法によってパラジウム金属を除
去できる理由については必ずしも明確ではないが、次の
様な機構によるものと推定される。

【００３２】まず、除去剤中に含まれる分子状ヨウ素又
は該処理剤中のヨウ素イオンが酸化されて形成された分
子状のヨウ素により、パラジウムが酸化されてヨウ化パ
ラジウムが形成される。

【００３３】２Ｐｄ＋２Ｉ₂ ＝２ＰｄＩ₂ 形成されるヨウ化パラジウムは不溶性であるが、下記の
反応式に従って、除去剤中の含窒素脂肪族有機化合物に
よって、水溶性のパラジウム配位化合物が形成されて除
去剤中に溶解する。

【００３４】ＰｄＩ₂ ＋ｎＹ＝（ＰｄＹｎ）²⁺ ＋２Ｉ^- （Ｙは、含窒素脂肪族有機化合物）尚、被処理物がプリント配線板である場合には、通常、
被処理物上に銅回路が存在する場合が多いが、銅金属は
ヨウ素によって不溶性のヨウ化第一銅となるが、これは
含窒素脂肪族有機化合物によって配位化合物を形成しな
いために、銅回路表面はヨウ化第一銅の皮膜で保護され
る形となり、銅の酸化は表面層でのみ生じて、銅の溶解
が防止される。

【００３５】含ヨウ素無機化合物に由来するヨウ素イオ
ンを酸化して分子状のヨウ素とするための方法として
は、例えば、次の様な方法を採用することができる。

【００３６】（１）空気中の酸素で酸化する方法：ヨウ
素イオンは、非常に酸化されやすく、本発明の除去剤を
空気中の酸素と接触させることによって、簡単に分子状
のヨウ素とすることができる。このためには、例えば、
該除去剤中に空気を吹き込んで空気撹拌を行えばよい。
空気の吹き込み量については、吹き込み方法等によって
異なるが、通常、２０〜５００ｍｌ／分程度とすればよ
い。また、被処理物に該除去剤を噴霧して接触させる場
合には、噴霧の際に空気を巻き込むために、空気撹拌を
行うことなく、ヨウ素イオンを酸化させることができ
る。

【００３７】（２）酸化剤を使用する方法：本発明の除
去剤中に酸化剤を配合することによって、該除去剤中の
ヨウ素イオンを分子状のヨウ素とすることができる。酸
化剤としては、例えば、過硫酸ナトリウム、過硫酸アン
モニウム、過硫酸カリウム等の過硫酸塩；過酸化水素；
ｍ−ニトロベンゼンスルホン酸、ｐ−ニトロベンゼンス
ルホン酸、ｍ−ニトロベンゼン安息香酸等の芳香族ニト
ロ化合物；ヨウ素酸カリウム、ヨウ素酸ナトリウム、ヨ
ウ素酸アンモニウム等のヨウ素酸塩等を用いることがで
きる。酸化剤の添加量については、特に限定的ではない
が、通常、該除去剤中に含まれるヨウ素イオンの０．０
１〜１００％を酸化して分子状のヨウ素とできる量とす
ることが適当である。酸化剤の添加量が多すぎる場合に
は、銅回路の腐食を生じやすいので好ましくない。処理
効率や経済性を考慮すると、該除去剤中に含まれるヨウ
素イオンの０．１〜８０％を酸化できる量とすることが
好ましい。

【００３８】（３）電解酸化を行う方法：直流電流を用
いて電解酸化を行うことによって、ヨウ素イオンを分子
状ヨウ素とすることができる。この際、陽極及び陰極と
しては、それぞれ、白金、チタン、カーボン等のヨウ素
に侵されない不溶性電極を用い、除去剤溶液中に入れた
電極間に直流電流を通電することによって、陰極では水
素が発生し、陽極ではヨウ素イオンの酸化が起こって電
極表面で分子状のヨウ素が生成する。電解酸化時の電圧
は、ヨウ素の酸化還元電位である０．５４Ｖ以上とする
ことが必要であるが、使用する含ヨウ素化合物の種類や
水溶液の状態により若干の変動があるために、１Ｖ以上
の電圧で酸化することが好ましい。通電電流と電解時間
については、該除去剤中に含まれるヨウ素イオンの０．
０１〜１００％を酸化できる範囲の通電量となる様に設
定することが好ましく、Ｐｄの除去効率や経済性を考慮
すると、０．１〜８０％のヨウ素イオンを酸化できる通
電量となるように通電電流及び電解時間を設定すること
が好ましい。通電量が過剰になると、ヨウ素イオンの酸
化後に酸素が発生して余分な電流を使用することになる
ので好ましくない。一方、通電量が少なすぎる場合に
は、十分なＰｄ除去効果が発揮されない。尚、分子状ヨ
ウ素は２ファラデーの通電量で１モル生成するので、下
記の式に従って、通電量から生成するヨウ素量を算出す
ることができる。

【００３９】生成するヨウ素（mol）＝（電解時間
（秒）×電流（Ａ））／２×９６５００例えば、液中に２ｍｏｌ／ｌのヨウ素イオンが存在する
場合には、１０Ａの電流を通電すると、約５時間２０分
で全てのヨウ素イオンを酸化することができる。

【００４０】本発明のパラジウム触媒除去剤を用いてパ
ラジウム触媒を除去する方法としては、該除去剤中に分
子状のヨウ素が存在する状態で、パラジウム触媒が付着
した被処理物と該除去剤とを接触させればよい。接触さ
せる方法については、特に限定はなく、通常は、該除去
剤中に被処理物を浸漬する方法、被処理物に該除去剤を
噴霧する方法等を採用できる。

【００４１】本発明のパラジウム触媒除去剤のｐＨにつ
いては、特に限定的ではないが、ｐＨ５〜１２程度の範
囲で使用することが好ましい。ｐＨが低すぎると、含窒
素脂肪族化合物のパラジウムイオンに対する配位能力が
低下して沈殿が発生したり溶解速度が低下しやすい。一
方、ｐＨが高くなりすぎると、生成したヨウ素分子の溶
解度が低下して、空気中に飛散するので好ましくない。

【００４２】該除去剤の温度は、０〜８０℃程度とすれ
ば良く、経済性、溶解能力などを考慮すると、１０〜４
０℃程度とすることが好ましい。

【００４３】該除去剤中に含まれるヨウ素イオンは、該
除去剤が被処理物と接触する際に酸化されて分子状のヨ
ウ素となっていれば良く、被処理物との接触の前に酸化
させてもよく、或いは、被処理物と接触させるのと同時
に酸化させても良い。例えば、電解酸化を行っている除
去剤中に被処理物を浸漬しても良い。

【００４４】本発明のパラジウム触媒除去剤は、無電解
メッキ処理を行った後、不要部分に付着したパラジウム
触媒を除去するために有効である。パラジウム触媒の種
類としては、特に限定はなく、パラジウムを触媒物質と
して含むものであれば、どのような触媒にも適用でき
る。例えば、従来の錫−パラジウム水溶性懸濁液からな
る無電解メッキ用触媒、パラジウムイオン−アミノ系錯
化剤を用いた無電解メッキ用触媒等の公知の各種の無電
解メッキ用パラジウム触媒に適用できる。

【００４５】触媒が付着している被処理物の種類につい
ても、特に限定はなく、パラジウム触媒を付着させて無
電解メッキ処理を行うあらゆる種類の材料に適用でき
る。例えば、各種のプラスチック、セラミックス、金属
などについて、素材に悪影響なく、パラジウム触媒の残
留物を除去できる。

【００４６】本発明の除去剤は、特に、プリント基板の
製造時に、プリント基板の不導体部分に残留したパラジ
ウム触媒を除去するために有効に用いることができる。
適用できる製造方法は、不導体部分にパラジウム触媒を
付着させた後、無電解メッキを行ない、その後エッチン
グにより導体回路を形成する工程を含む製造方法であれ
ば全ての方法に有効であり、通常は、エッチングにより
導体回路を形成した後、露出した不導体部分に残存する
パラジウム触媒を除去すればよい。

【００４７】本発明の除去剤を用いて、この様なプリン
ト基板の不要部分に付着したパラジウム触媒を除去する
ことにより、プリント基板の不導体層や銅回路に悪影響
を与えることなく、残存するパラジウム触媒を除去する
ことができる。

【００４８】このため、不要部分のパラジウム触媒を除
去した後、更に、無電解メッキを行う場合には、回路間
絶縁部へのメッキ析出(いわゆるパターン外析出)やガイ
ド穴等不必要な部分への無電解メッキの析出が防止さ
れ、信頼性の高いプリント基板を得ることができ、製造
コストも低減できる。また、パラジウム触媒の除去後に
無電解メッキを行わない場合であっても、回路間に残存
するパラジウム触媒が除去されるために、回路間の絶縁
性が向上し、品質の高いプリント基板を提供できる。

【００４９】特に、ビルドアップ工法によって製造され
るプリント基板は、基板全面に樹脂が露出し、しかもこ
の表面が粗化されているのために触媒付着量が多く、残
留する触媒が問題になり易いために、本発明の除去剤を
用いることが有利である。以下に、ビルドアップ工法に
ついて簡単に説明する。

【００５０】（ｉ）ビルドアップ工法におけるサブトラ
クティブ法による多層プリント配線板の製造法：回路を
形成した内層板上にビルドアップ用樹脂層を形成し、触
媒を付与した後、無電解銅メッキ及び電気銅メッキを順
次行い、エッチングレジストにより回路パターンを形成
した後、エッチングにより導体回路を形成する。更に、
必要に応じて、ビルドアップ用樹脂層の形成以降の処理
を所定の回数繰り返すことによって、多層プリント配線
板を形成する。

【００５１】（ii）ビルドアップ工法におけるセミアデ
ィティブ法による多層プリント配線板の製造法：回路を
形成した内層板上にビルドアップ用樹脂層を形成し、触
媒を付与した後、無電解銅メッキを行い、メッキレジス
トにて回路パターンを形成し、さらに電気銅メッキによ
り必要な部分だけにメッキを施し、次にメッキレジスト
を剥離し、エッチングにより導体回路を形成する。更に
必要に応じて、ビルドアップ用樹脂層の形成以降の処理
を所定の回数繰り返すことによって、多層プリント配線
板を形成する。この方法では、電気銅メッキを行った
後、メッキレジスト剥離前に必要に応じて、錫又はハン
ダメッキを行なうことができ、形成された錫又はハンダ
メッキ皮膜は、通常、エッチングによる回路形成後に剥
離される。

【００５２】上記（ｉ）及び（ii）のビルドアップ工法
では、本発明の除去剤によるパラジウム触媒の除去は、
通常、エッチングにより導体回路を形成した後に行えば
よい。

【００５３】

【発明の効果】本発明のパラジウム触媒除去剤によれ
ば、素材や他のメッキ部分等に悪影響を与えることなく
パラジウム触媒の残留物を除去できる特に、本発明の除
去剤を用いることにより、プリント基板上に残留するパ
ラジウム触媒を効果的に除去することができ、回路間の
絶縁特性が向上し、品質の高いプリント基板を得ること
ができる。また、触媒除去後無電解メッキを行う場合に
は、回路間絶縁部へのメッキ析出やガイド穴等不必要な
部分への無電解メッキの析出が防止され、プリント基板
の信頼性を向上させることができ、製造コストも低減で
きる。

【００５４】

【実施例】以下、実施例を挙げて本発明を更に詳細に説
明する。

【００５５】実施例１両面銅張りエポキシ基板を出発材料として用い、下記の
３種類の方法でライン／スペース＝７５／７５μmの櫛
歯パターンを持つ多層プリント基板を作製した。各製造
方法についての工程の主要部の模式図を図１〜３に示
す。

【００５６】また、各処理に用いた処理剤の組成を下記
表１に示し、処理条件を下記表２に示す。

【００５７】

【表１】

【００５８】

【表２】

【００５９】（１）サブトラクティブ法によるビルドア
ップ工法：得られた多層プリント基板を基板１とする。

【００６０】工程１．内層板穴明け２．表面調整３．触媒付与４．錫除去５．無電解銅メッキ１６．電気銅メッキ７．エッチングレジストによるパターン形成８．内層板銅箔エッチング９．レジスト剥離１０．樹脂層形成（エポキシ系樹脂（商標：プロビコー
ト＃５０００：日本ペイント社製）１１．樹脂エッチング１２．中和１３．表面調整１４．ソフトエッチング１５．スマット除去１６．触媒付与１７．錫除去１８．無電解銅メッキ１１９．電気銅メッキ２０．エッチングレジストによるパターン形成２１．メッキ皮膜エッチング２２．レジスト剥離１０〜２２を両面に２回繰り返して積層し、６層の多層
板とした。

【００６１】（２）セミアディティブ法によるビルドア
ップ工法：得られた多層プリント基板を基板２とする。

【００６２】工程１．内層板穴明け２．表面調整３．触媒付与４．錫除去５．無電解銅メッキ１６．電気銅メッキ７．エッチングレジストによるパターン形成８．内層板銅箔エッチング９．レジスト剥離１０．樹脂層形成（エポキシ系樹脂（商標：プロビコー
ト＃５０００：日本ペイント社製）１１．樹脂エッチング１２．中和１３．表面調整１４．ソフトエッチング１５．スマット除去１６．触媒付与１７．錫除去１８．無電解銅メッキ１１９．メッキレジストによるネガパターン形成２０．パターン電気銅メッキ２１．はんだメッキ２２．レジスト除去２３．無電解銅メッキ皮膜エッチング２４．はんだメッキ剥離１０〜２４を両面に２回繰り返して積層し、６層の多層
板とした。

【００６３】（３）サブトラクティブ法による積層プレ
ス工法：得られた多層プリント基板を基板３とする。

【００６４】工程１．内層銅張り基板２．エッチングレジストによる内層板パターン形成３．内層板銅皮膜エッチング４．レジスト剥離５．多層プレス積層（片面銅張りエポキシ基板）６．穴明け(ドリリング) ７．樹脂残渣膨潤８．樹脂残渣除去９．中和１０．表面調整１１．ソフトエッチング１２．スマット除去１３．触媒付与１４．錫除去１５．無電解銅メッキ２１６．電気銅メッキ１７．エッチングレジストによるポジパターン形成１８．銅皮膜エッチング１９．レジスト剥離上記した方法で得られた基板１〜３について、以下のパ
ラジウム触媒除去剤１〜４を用いて下記の方法により、
付着したパラジウム触媒を除去した。

【００６５】除去剤１（本発明品）エチレンジアミン０．３ｍｏｌとヨウ化カリウム０．０
５ｍｏｌを純水８００ｍｌに溶解させ、この溶液中に、
酸化剤として過硫酸ナトリウム１ｇ／ｌを加え、純水で
１０００ｍｌとした。この水溶液を硫酸でｐＨ１０に調
整することによって、褐色がかったパラジウム触媒除去
剤１を得た。この除去剤１に上記基板１〜３のそれぞれ
を２５℃、３分浸漬し、水洗後乾燥した。

【００６６】除去剤２（本発明品）トリエチレンテトラミン０．３ｍｏｌとヨウ化ナトリウ
ム０．１ｍｏｌを純水に溶解させ、１０００ｍｌとし
た。この水溶液を硫酸でｐＨ９に調整することによっ
て、無色透明なパラジウム触媒除去剤２を得た。得られ
た除去剤２を、上記基板１〜３のそれぞれに液温２５
℃、圧力３気圧で１分間噴霧し、水洗後乾燥した。

【００６７】除去剤３（比較品）１０％チオ硫酸ナトリウム水溶液をパラジウム触媒除去
剤３とする。この除去剤３に上記基板１〜３のそれぞれ
を２５℃、で１０分間浸漬し、水洗後乾燥した。

【００６８】除去剤４（比較品）１５％亜硫酸ナトリウム水溶液をパラジウム触媒除去剤
４とする。この除去剤４に上記基板１〜３のそれぞれを
２５℃、で１０分間浸漬し、水洗後乾燥した。

【００６９】上記各除去剤を用いてパラジウム触媒を除
去した基板１〜３に対して、以下に示す工程で無電解ニ
ッケル／無電解金メッキ処理を施した。各処理に用いた
処理剤の組成及び処理条件を下記表３に示す。

【００７０】無電解ニッケル／無電解金メッキ処理工
程：工程１．脱脂２．ソフトエッチング３．活性化４．無電解ニッケルメッキ５．酸活性６．無電解金メッキ＊各工程間は水洗を実施

【００７１】

【表３】

【００７２】その後、不必要部分への析出性確認とし
て、パターン外析出及びガイド穴への無電解ニッケル／
無電解金メッキ皮膜析出を目視で確認し、同時にパター
ンの外観も比較した。結果を下記表４〜６に示す。尚、
比較として、パラジウム触媒を除去していない基板につ
いての測定結果も併せて示す。

【００７３】

【表４】

【００７４】

【表５】

【００７５】

【表６】

【００７６】以上の結果から明らかなとおり、ビルドア
ップ工法により作製された基板１及び２については、パ
ラジウム触媒を除去処理を行っていない場合には、無電
解ニッケル／無電解金メッキのパターン外析出やガイド
穴への析出が非常に多く生じたのに対して、本発明品で
あるパラジウム触媒除去剤１及び２を用いて残留するパ
ラジウム触媒を除去した場合には、無電解ニッケル／無
電解金メッキの不必要部分への析出が防止され、しか
も、良好な外観の無電解メッキ皮膜が形成された。

【００７７】一方、従来の除去剤であるパラジウム触媒
除去剤３及び４を用いて、ビルドアップ工法により作製
された多層基板１及び２に付着したパラジウム触媒を除
去した場合には、若干の無電解メッキの析出防止効果が
認められたものの完全ではなかった。更に、パラジウム
触媒除去剤３及び４で処理した基板は、除去剤中に含有
される成分であるチオ硫酸トリウム又は亜硫酸ナトリウ
ムに起因すると思われる外観不良が発生した。

【００７８】尚、サブトラクティブ法による積層プレス
工法で得られた基板３については、エッチングにより回
路を形成した後、露出する不導体表面には元々パラジウ
ム触媒が存在しないために、パラジウム触媒除去剤３及
び４で処理した場合にも、パターン外析出は生じなかっ
たが、ガイド穴には無電解メッキが析出した。

【００７９】実施例２ビルドアップ工法で製造された基板１及び２について、
実施例１で用いたパラジウム触媒除去剤１〜４を用いて
パラジウム触媒を除去した後、それぞれの基板を、８５
℃、相対湿度８５％に保たれた恒温槽内に裁置し、２４
Ｖの一定電圧を印加した状態で放置した。５００時間経
過後、絶縁抵抗値を測定した。その結果を表７に示す。
尚、比較として、パラジウム触媒を除去していない基板
についての測定結果も併せて示す。

【００８０】

【表７】

【００８１】以上の結果より、本発明品であるパラジウ
ム触媒除去剤１及び２を用いて残留するパラジウム触媒
を除去した場合には、回路間の絶縁性が大きく向上する
のに対して、従来の除去剤であるパラジウム触媒除去剤
３及び４を用いて残留するパラジウム触媒を除去した場
合には、触媒の除去が完全ではないために、絶絶縁抵抗
値の改善は小幅なものにとどまった。

【図面の簡単な説明】

【図１】サブトラクティブ法を用いたビルドアップ工法
による多層プリント基板の製造工程の主要部分を示す模
式図。

【図２】セミアディティブ法を用いたビルドアップ工法
による多層プリント基板の製造工程の主要部分を示す模
式図。

【図３】サブトラクティブ法を用いた積層プレス工法に
よる多層プリント基板の製造工程の主要部分を示す模式
図。

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Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】含窒素脂肪族有機化合物と含ヨウ素無機化
合物を含有する水溶液からなる無電解メッキ用パラジウ
ム触媒除去剤。
【請求項２】含窒素脂肪族有機化合物が、エチレンジア
ミン、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミ
ン、テトラエチレンペンタミン、１，３−トリメチレン
ジアミン、１，４−テトラメチレンジアミン、１，６−
ヘキサメチレンジアミン、モノエタノールアミン、ジエ
タノールアミン、トリエタノールアミン、グリシン、ア
ラニン及びタウリンから選ばれた少なくとも一種であ
り、含ヨウ素無機化合物が、ヨウ化リチウム、ヨウ化ナ
トリウム、ヨウ化カリウム、ヨウ化マグネシウム、ヨウ
化カルシウム及びヨウ素から選ばれた少なくとも一種で
ある請求項１に記載のパラジウム触媒除去剤。
【請求項３】請求項１又は２に記載のパラジウム触媒除
去剤を、該除去剤中に分子状のヨウ素が存在する状態
で、パラジウム触媒が付着した被処理物と接触させるこ
とを特徴とするパラジウム触媒除去方法。
【請求項４】含窒素脂肪族有機化合物に由来するヨウ素
イオンが酸化されて分子状のヨウ素が形成された状態
で、パラジウム触媒除去剤を被処理物と接触させる請求
項３に記載のパラジウム触媒除去方法。
【請求項５】基板材料の不導体部分にパラジウム触媒を
付着させた後、無電解メッキを行ない、その後エッチン
グによって導体回路を形成する工程を含むプリント基板
の製造方法において、請求項１又は２に記載のパラジウ
ム触媒除去剤を、該除去剤中に分子状ヨウ素が存在する
状態で、パラジウム触媒が付着した基板材料と接触させ
て、不導体部分に付着したパラジウム触媒を除去する工
程を含むことを特徴とするプリント基板の製造方法。
【請求項６】プリント基板の製造方法が、サブトラクテ
ィブ法又はセミアディティブ法を用いたビルドアップ工
法による多層プリント基板の製造方法であり、エッチン
グにより導体回路を形成した後、パラジウム触媒除去を
行う請求項５に記載のプリント基板の製造方法。
【請求項７】請求項５又は６の方法で製造できるプリン
ト基板。