JPS6257120B2 - - Google Patents

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JPS6257120B2
JPS6257120B2 JP56029458A JP2945881A JPS6257120B2 JP S6257120 B2 JPS6257120 B2 JP S6257120B2 JP 56029458 A JP56029458 A JP 56029458A JP 2945881 A JP2945881 A JP 2945881A JP S6257120 B2 JPS6257120 B2 JP S6257120B2
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JP
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plating bath
cobalt
nickel
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JP56029458A
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Haiman Kuruto
Uorufu Yoahimu
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Schering AG
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Publication date
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Publication of JPS6257120B2 publication Critical patent/JPS6257120B2/ja
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    • C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
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    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
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Description

【発明の詳现な説明】 本発明は、特にプリント配線を補造するため、
垞法で掻性化したプラスチツク衚面䞊に金属被膜
を化孊的及び又は電気的に遞択的に析出させる
方法に関する。
導電性衚面又は導電性にした衚面䞊に電解質溶
液から金属を遞択的に析出させる方法は、既に公
知である。これらの公知方法は぀の基本原則に
基づく。第䞀に、電気メツキすべき郚材を、济槜
を䜿甚せずに所望の個所だけで電解質溶液ず接觊
させるこずであり、このこずは䟋えばロヌルド
むツ連邊共和囜特蚱第186654号明现曞、ホむヌ
ルドむツ連邊共和囜特蚱第2324834号明现曞
及び開攟䞭空䜓ドむツ連邊共和囜特蚱第
1807481号明现曞を䜿甚しお達成される。他方
の操䜜法では、垞甚の容噚を䜿甚するが、凊理す
べき衚面ぞの金属むオンの䟛絊及び電堎の分垃
を、䟋えば隔板ドむツ連邊共和囜特蚱第
2263642号明现曞、被芆装眮ドむツ連邊共和囜
特蚱第2362489号明现曞、ロヌル䞊を走行する電
気絶瞁ベルトドむツ連邊共和囜特蚱第2009118
号明现曞、バスケツトドむツ連邊共和囜特蚱
第2230891号明现曞又はラツカヌ局ドむツ連
邊共和囜特蚱第2253196号明现曞の䞭間接続に
よ぀お調節する。
しかしながら、これらの公知方法は、倚くの堎
合䞍十分な金属むオンの䟛絊しか可胜ではなく、
このため欠点を有する金属被芆が生じるか、又
は、䜿甚する被芆をその郜床たず蚭け、次に再び
陀去するか、或いは消耗珟象に基づいお曎新しな
ければならないので、材料、費甚及び時間を浪費
するずいう欠点を有する。埓぀お、これらの方法
はプリント配線の補造には適圓でない。
他方、プリント配線の補造に通垞䜿甚される方
法は、特定の欠点を䌎う。
いわゆるサブトラクテむブ法又ぱツチドフ
オむル法の欠点は、䟋えば、基板の倧量の接着
銅箔を、パタヌン図を圢成するために陀去しなけ
ればならないこずにある。同時に、あらゆる公知
の損傷を有する導䜓路のアンダカツトが行なわ
れ、該損傷は導䜓路が狭く䞊んでレむアりトされ
おいるか、又は隣接しお印刷されおいればいるほ
どたすたす重倧になり、か぀急速にその割合が増
倧する。埓぀お、これらの珟象はサブトラクテむ
ブ法の範囲内でさらに小圢化するのを劚げおい
る。
他方、いわゆるアデむテむブ法の欠点は、付着
助剀で被芆した基板を䜿甚しなければならないこ
ずにある。付着助剀は、化孊的溶解及び掻性化の
埌には、遞択的に蚭けられ、化孊的に沈着された
銅に察する支持局であり、埌凊理埌に゚ポキシ暹
脂に比しお明らかに悪い電気的特性倀を有し、こ
れにより小圢化された回路のレむアりトは同様に
制限される。
埓぀お、本発明の課題は、公知方法の欠点を回
避しお、垞法で掻性化したプラスチツク衚面䞊に
金属被膜を化孊的及び又は電気的に遞択的に析
出させるこずができ、殊に、最適の電気的特性倀
を有する、極めお狭いスペヌスに極めお现い導䜓
を有するプリント配線を補造するのに適圓な方法
を提䟛するこずである。
この課題は、本発明によれば、金属の存圚しな
い状態に保たれる衚面個所を陜極により䞍動態化
するこずを特城ずする方法によ぀お解決される。
本発明方法の特別の実斜圢匏は、䞍動態化を奜
たしくは少なくずも0.8cm2の電流密床で衚
面に陜極電䜍を印加するこずによ぀お行ない、陰
極ずしお奜たしくは銅線を䜿甚するこずにある。
本発明方法は、垞法で穿孔し、枅浄化のような
化孊メツキのための前凊理埌、掻性化および還元
を行な぀た銅匵り基板を、匕き続きその銅匵り衚
面䞊に陜極䞍働態化埌に、化孊ニツケルめ぀き
济、コバルトめ぀き济又はニツケル・コバルトめ
぀き济で凊理し、その埌専らスルヌホヌル孔䞭に
析出した金属被膜を化孊及び又は電気銅め぀き
济で凊理しお補匷し、次いで基板の金属め぀きさ
れた衚面に垞法でめ぀きレゞストからなるポゞチ
ブのパタヌン図をスクリン印刷又は写真印刷によ
぀お蚭け、次いで銅を゚ツチングし、該レゞスト
を公知方法で陀去し、こうしお圢成したパタヌン
図をはんだランド及びスルヌホヌル孔を残しおは
んだレゞストラツカヌを甚いお被芆し、匕き続き
被芆されなか぀たはんだランド及びスルヌホヌル
孔に化孊銅め぀き济を甚いお銅局を蚭け、その埌
こうしお銅め぀きしたはんだランド及びスルヌホ
ヌル孔に所望によりなお化孊め぀きにより錫局を
蚭けるこずを特城ずする。
この方法の特別な実斜圢匏は、基材ずしおガラ
ス繊維補匷゚ポキシ暹脂を䜿甚するこず、䞻成分
ずしおニツケル塩、ク゚ン酞塩及びアルカリ金属
次亜燐酞塩を含む化孊ニツケルめ぀き济を䜿甚す
るこず、䞻成分ずしおニツケル塩、アルカリ金属
二燐酞塩、アルカリ金属燐酞氎玠塩及びヒトラゞ
ン又はその誘導䜓の぀を含む化孊ニツケルめ぀
き济を䜿甚するこず、䞻成分ずしおコバルト塩、
ク゚ン酞塩及びアルカリ金属次亜燐酞塩を含む化
孊コバルト济を䜿甚するこず、䞻成分ずしおコバ
ルト塩、アルカリ金属二燐酞塩、アルカリ金属燐
酞氎玠塩及びヒトラゞン又はその誘導䜓の぀を
含む化孊コバルトめ぀き济を䜿甚するこず、䞻成
分ずしおニツケル塩、コバルト塩、ク゚ン酞塩及
びアルカリ金属次亜燐酞塩を含む化孊ニツケル・
コバルトめ぀き济を䜿甚するこず、ニツケル局、
コバルト局又はニツケル・コバルト局を0.1〜1.5
Ό、奜たしくは0.3〜0.8Όの厚さで斜すこ
ず、奜たしくは少なくずも0.8cm2の電流密
床で玄200の電圧で衚面に陜極電䜍を印加す
るこずによ぀お䞍動態化を行なうこず、安定化し
た化孊銅め぀き济を䜿甚するこず、䞻成分ずしお
銅塩、錯生成剀、ホルムアルデヒド、アルカリ金
属シアン化物及び堎合により安定剀ずしおセレン
化合物を含む化孊銅め぀き济を䜿甚するこずにあ
る。
この堎合、金属局が専らスルヌホヌル孔䞭に析
出されるが、銅箔衚面䞊には析出されないこずは
特に意倖である。
その結果、接着銅箔䞊にも析出した金属、䟋え
ばニツケル、コバルト又はニツケル・コバルトを
再び陀去するために、化孊的䜜業工皋も機械的䜜
業工皋も必芁ずしないこずになる。無電流で析出
した薄い金属局の䞋に存圚する銅に察する゚ツチ
ング䜜甚は化孊的に極めお埐々に、䞍均䞀に行な
われる機械的に切削加工する堎合には、スルヌ
ホヌル孔接着銅箔の移行郚の損傷は避けられな
い。これらの欠点は、陜極䞍動態化によ぀お金属
局が意倖にも専らスルヌホヌル孔䞭に析出するこ
ずによ぀お回避され、いずれにしおも䞍必芁な、
接着銅箔䞊に無電流析出される金属が節玄され
る。
本発明方法は、埓来達成されなか぀た方法で、
品質においお高䟡な小圢回路の補造を可胜にす
る。曎に、本発明方法は銅匵積局基板から出発し
お、最良の絶瞁倀及び衚面抵抗倀を有する幅100
Ό以䞋の现い導䜓路の補造が可胜ずなるずいう
倧きい利点を有する。
又、有甚な材料である銅の節玄ももう぀の重
芁な利点である。
適圓な基材ずしおは、䟋えばプノヌル暹脂硬
質玙、゚ポキシ暹脂玙及び特にガラス繊維匷化゚
ポキシ暹脂が挙げられる。
基板を垞法で穿蚭し、枅浄化し、垞甚の掻性剀
系皮で掻性化し、堎合により還元し、埌凊理す
る。続いお、自䜓公知の方法で掗浄し、也燥す
る。
パタヌン図はスクリヌン印刷又は写真印刷でネ
ガチブ又はポゞチブに蚭ける。
はんだ接続図はんだランド及びスルヌホヌル
孔もスクリヌン印刷又は写真印刷によ぀おネガ
チブに蚭けるこずもできる。金属化は化孊め぀き
济䞭で、0.1〜1.5Όのニツケル局、コバルト局
又はニツケル・コバルト局で行ない、該局は芆わ
れおない銅衚面の陜極䞍動態化䞋にスルヌホヌル
孔の内壁面だけを被芆する。これらの局は、垞甚
のめ぀き济䞭で予備化孊及び又は電気銅め぀き
するこずができる。予め塗垃したレゞストを溶解
陀去した埌この陀去は自䜓公知の方法で有機溶
剀、䟋えば塩化メチレンを䜜甚させお行なう、
露出した銅を垞法で゚ツチングする。レゞストず
しおは、垞甚の写真ラツカヌ又は写真フむルムが
有利に䜿甚される。倚くの堎合に、珟像したパタ
ヌン図をはんだレゞストラツカヌ印刷によ぀おネ
ガに被芆し、芆われおないランド及びスルヌホヌ
ル孔を化孊銅め぀きする。
銅济ずしおは、安定化された化孊銅め぀き济、
しかも䞻成分ずしお銅塩、錯生成剀、ホルムアル
デヒド、アルカリ金属シアン化物及び堎合により
安定剀ずしおセレン化合物を含む化孊銅め぀き济
が䜿甚される。
アルカリ金属シアン化物ずしおは、特に、15〜
30mgの濃床のシアン化ナトリりムが適圓であ
る。
適圓なセレン化合物は有機、無機及び有機−無
機の䞀及び二セレン化合物、そのうちアルカリ金
属セレノシアン酞塩、䟋えばセレノシアン酞カリ
りムであり、これらは特に0.1〜0.3mgの䜎い
濃床で䜿甚する。
次に実斜䟋に基づいお本発明を詳述する。
䟋  䞡面銅匵されたガラス繊維匷化゚ポキシ暹脂か
ら成る垞甚の基板を垞法で穿孔し、過酞化氎玠の
安定化硫酞酞性溶液で酞掗いし、枅浄にする。次
に、基板を䟋えば−アミノピリゞン䞭の硫酞パ
ラゞりムのようなパラゞりム錯䜓のアルカリ氎溶
液で凊理しお掻性化し、匕続き還元剀、䟋えばゞ
゚チルアミノボランを䜜甚させお還元する。
次に、銅衚面党䜓を陜極䞍動態化しお䞋蚘組成
の化孊ニツケルめ぀き济を䜜甚させおスルヌホヌ
ル孔壁をニツケル化孊め぀きする 硫酞ニツケル NiSO4・7H2O 20 次亜燐酞ナトリりム NaHPO2・H2O 20 コハク酞 HOOCCH22・COOH 30 硌酞ナトリりム Na2B4O7・10H2O 20 陜極䞍動態化の目的のために、基板の接着銅箔
に、少なくずも0.8cm2の電流密床で陜極電
䜍を印加し、その際参照電極に察しお200の
電圧が生じる。陰極ずしおは、有利に玄mmの距
離に銅線を䜿甚する。基板に察する䜜甚角は最倧
80゜であり、基板の寞法が倧きい堎合には堎合に
より若干の銅線を配眮しなければならない。
いわゆるパケツト移送法Paketfahrweise
で操䜜するこずもできる。この堎合には、基板を
収容するかごを、個々の各基板が偎面で接觊しか
぀かご党䜓を陜極ずしお構成しうるように構成す
べきである。陰極ずしおは、かごの枠䞊に絶瞁さ
れお存圚し、现い銅線を備えた取手を䜿甚し、こ
の取手を銅線が各基板の間にそれぞれ玄〜mm
の距離で存圚するように配眮する。銅線はその金
属化の皋床に応じお時々亀換しなければならな
い。
凊理は、PH8.5、枩床35℃で分間実斜する。
スルヌホヌル孔の孔壁においお達成される局厚は
0.2Όである。銅箔は再びニツケルめ぀きしな
い。その埌、衚面にポゞチブにパタヌン図をプリ
ントし、銅箔を゚ツチングし、レゞストを陀去
し、はんだレゞストラツカヌで、ランド及びスル
ヌホヌル孔を残しおネガチブにプリントし、これ
を次に化孊銅め぀きし、必芁に応じ錫−鉛局を蚭
ける。この堎合、少なくずも・1012Ωcmの最
適な電気的特性倀を有するプリント配線が生じ
る。
䟋  䞡面に銅箔を接着したガラス繊維匷化゚ポキシ
暹脂から成る垞甚の基板を垞法で穿孔し、過酞化
氎玠の安定化硫酞酞性溶液で゚ツチングし、枅浄
にする。次に基板を、䟋えば−アミノピリゞン
䞭の硫酞パラゞりムのようなパラゞりム錯䜓のア
ルカリ性氎溶液で凊理しお掻性化し、匕続き䟋え
ばゞ゚チルアミノボランのような還元剀の䜜甚に
より還元する。
次に、䞋蚘の組成の化孊コバルトめ぀き济を䜜
甚させお基板の衚面及びスルヌホヌル孔の孔壁䞊
にコバルトを化孊的に析出させる 硫酞コバルト CoSO4・6H2O 20 次亜燐酞ナトリりム NaHPO2・H2O 20 コハク酞 HOOCCH22・COOH 30 硌酞ナトリりム Na2B4O7・10H2O 20 凊理をPH8.5、枩床35℃で分間実斜する。達
成された局厚は0.2Όである。接着銅箔を、䟋
に蚘茉したように、コバルト化孊め぀きする前
に、陜極電䜍を印加するこずによ぀お䞍動態化す
る。次に衚面にポゞチブにパタヌン図をプリント
し、銅箔を゚ツチングし、レゞストを陀去し、は
んだレゞストラツカヌでランド及びスルヌホヌル
孔を残しおネガチブに印刷し、これを次に化孊銅
め぀きし、必芁に応じ化孊的に錫局を蚭ける。こ
の堎合にも少なくずも・1012Ωcmの最適な電
気的特性倀を有するプリント配線が生じる。

Claims (1)

  1. 【特蚱請求の範囲】  垞法で穿孔し、枅浄化のような化孊メツキの
    ための前凊理埌、掻性化および還元を行な぀た銅
    匵り基板を、匕き続きその銅匵り衚面䞊に陜極䞍
    働態化埌に、化孊ニツケルめ぀き济、コバルトめ
    ぀き济又はニツケル・コバルトめ぀き济で凊理
    し、その埌専らスルヌホヌル孔䞭に析出した金属
    被膜を化孊及び又は電気銅め぀き济で凊理しお
    補匷し、次いで基板の金属め぀きされた衚面に垞
    法でめ぀きレゞストからなるポゞチブのパタヌン
    図をスクリン印刷又は写真印刷によ぀お蚭け、次
    いで銅を゚ツチングし、該レゞストを公知方法で
    陀去し、こうしお圢成したパタヌン図をはんだラ
    ンド及びスルヌホヌル孔を残しおはんだレゞスト
    ラツカヌを甚いお被芆し、匕き続き被芆されなか
    ぀たはんだランド及びスルヌホヌル孔に化孊銅め
    ぀き济を甚いお銅局を蚭け、その埌こうしお銅め
    ぀きしたはんだランド及びスルヌホヌル孔に所望
    によりなお化孊め぀きにより錫局を蚭けるこずを
    特城ずするプリント配線の補造方法。  䞍動態化を、玄200の電圧で少なくずも
    0.8cm2の電流密床で衚面に陜極電䜍を印加
    するこずによ぀お行なう、特蚱請求の範囲第項
    蚘茉の方法。  基材ずしお、ガラス繊維匷化゚ポキシ暹脂を
    䜿甚する特蚱請求の範囲第項蚘茉の方法。  䞻成分ずしおニツケル塩、ク゚ン酞塩及びア
    ルカリ金属次亜燐酞塩を含む化孊ニツケルめ぀き
    济を䜿甚する特蚱請求の範囲第項蚘茉の方法。  䞻成分ずしおニツケル塩、アルカリ金属二燐
    酞塩、アルカリ金属燐酞氎玠塩及びヒドラゞン又
    はその誘導䜓の぀を含む化孊ニツケルめ぀き济
    を䜿甚する特蚱請求の範囲第項蚘茉の方法。  䞻成分ずしおコバルト塩、ク゚ン酞塩及びア
    ルカリ金属次亜燐酞塩を含む化孊コバルトめ぀き
    济を䜿甚する特蚱請求の範囲第項蚘茉の方法。  䞻成分ずしおコバルト塩、アルカリ金属二燐
    酞塩、アルカリ金属燐酞氎玠塩及びヒドラゞン又
    はその誘導䜓の぀を含む化孊コバルトめ぀き济
    を䜿甚する特蚱請求の範囲第項蚘茉の方法。  䞻成分ずしおニツケル塩、コバルト塩、ク゚
    ン酞塩及びアルカリ金属次亜燐酞塩を含む化孊ニ
    ツケル・コバルトめ぀き济を䜿甚する特蚱請求の
    範囲第項蚘茉の方法。  ニツケル局、コバルト局又はニツケル・コバ
    ルト局を0.1〜1.5Όの厚さで斜す特蚱請求の範
    囲第項蚘茉の方法。  安定化された化孊銅め぀き济を䜿甚する特
    蚱請求の範囲第項蚘茉の方法。  䞻成分ずしお銅塩、錯䜓圢成剀、ホルムア
    ルデヒド、アルカリ金属シアン化物及び堎合によ
    り安定剀ずしおセレン化合物を含む化孊銅め぀き
    济を䜿甚する特蚱請求の範囲第項蚘茉の方法。
JP2945881A 1980-03-03 1981-03-03 Method of chemically and/or electrically selectively depositing metal film and method of producing printed wire Granted JPS56135996A (en)

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