JP4715414B2 - 窒化珪素配線基板及びその製造方法 - Google Patents
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Description
また、請求項3記載の発明は、請求項1乃至2の何れかに記載の窒化珪素配線基板に係り、前記配線回路パターン間の前記窒化珪素基板の表面に存在する10μm径以上の斑点が前記表面の500μm四方あたり10個以下であることを特徴としている。
また、請求項6記載の発明は、請求項4又は5記載の窒化珪素配線基板の製造方法に係り、前記パラジウム(Pd)付与工程では、浸漬時間は30秒以上10分以下であることを特徴とする。
以下、さらに詳しく本発明の実施の形態について説明する。図1は、本発明の実施の形態に係る窒化珪素配線基板1を適用した半導体モジュール2の概略構成の一例を示す断面図である。窒化珪素配線基板1は、窒化珪素質焼結体からなる窒化珪素基板11の表面及び裏面に金属箔又は金属板からなる配線回路パターン13及び放熱板16がろう材12を介してそれぞれ接合されるとともに、配線回路パターン13及び放熱板16の表面に無電解めっき層14がそれぞれ形成されて構成されている。この窒化珪素配線基板1の無電解めっき層14の表面にMOSFET等からなる半導体素子15がはんだ層17により接合されて半導体モジュール2が構成されている。金属箔又は金属板としては、例えば、銅(Cu)、アルミニウム(Al)及び金(Au)の群から選択される少なくとも1種の低抵抗金属からなり、厚さが0.1mm以上、特に0.2mm以上であることが望ましい。
これは、以下に示す理由による。
まず、上記窒化珪素基板の表面粗さRzが20μmより大きくなると、窒化珪素基板をパラジウム(Pd)を含有する活性液に浸漬した後にその窒化珪素基板に残留しているパラジウム(Pd)を除去することが困難であるため、最終的に窒化珪素配線基板の配線回路パターン間に残留するパラジウム(Pd)が多くなる。そして、配線回路パターンの表面に無電解めっき層を形成する際に、配線回路パターン間に残留するパラジウム(Pd)の部分を核としてめっき成分であるニッケル(Ni)が堆積するため、窒化珪素配線基板の配線回路パターン間に黒ずみ斑点が多く生じることになる。この点、上記窒化珪素配線基板の表面粗さRzが20μm以下である場合には、窒化珪素配線基板の配線回路パターン間に残留するパラジウム(Pd)を、不具合を生じない範囲までに除去することが可能であるため、上記黒い斑点による不具合を抑制することができる。
(a)マグネシウム(Mg)とルテチウム(Lu)及びイットリウム(Y)を含む希土類元素(RE)から選択された少なくとも1種の希土類元素(RE)を焼結助剤として添加する窒化珪素質焼結体であって、焼結体中にマグネシウム(Mg)を酸化マグネシウム(MgO)換算で0.03〜8.0mol%、ルテチウム(Lu)を酸化ルテチウム(Lu2O3)換算で0.14〜1.30mol%、希土類元素(RE)から選択された少なくとも1種の元素を酸化物(RExOy)換算で0.12〜1.30mol%含有し、残部がβ窒化珪素からなる窒化珪素質焼結体を用いた窒化珪素基板。
(e)上記(c)又は(d)の窒化珪素基板において、焼結体中の総酸素量が2.5質量%以下である窒化珪素焼結体を用いた窒化珪素基板。
σf=α・K1c/(π・c)0.5 ・・・(1)
式(1)において、cは窒化珪素基板中に存在する欠陥のサイズを表している。欠陥としては、例えば、気孔や窒化珪素粗大粒子がある。また、式(1)において、αは、欠陥の形状又は欠陥の存在位置に基づく欠陥同士の相互干渉の度合いにより定まる定数を表している。
式(1)から、窒化珪素基板の強度(σf)の増大には、欠陥のサイズc、例えば、気孔や窒化珪素粗大粒子の径の寄与分よりも、破壊靭性(K1c)の寄与分の方が大きいことが分かる。つまり、破壊靭性(K1c)を向上させれば、窒化珪素基板自体の強度(σf)を増大させることが可能となる。
これに対し、窒化珪素基板の厚さが2.0mmより厚い場合には、窒化珪素基板自体の熱伝導率は、金属からなる配線回路パターンの熱伝導率(銅(Cu):390W/m・K、アルミニウム(Al):220W/m・K)に比較して、90W/m・Kと低いため、この窒化珪素基板の厚さを2.0mmより厚くすると、窒化珪素配線基板としての放熱性を低下させてしまう。
次に、後述するプロセスP12において無電解めっきを施す配線回路パターンの表面にパラジウム(Pd)を析出させて活性化させるために、上記プロセスP9を経た窒化珪素基板をパラジウム(Pd)を含有する活性(触媒)液に浸漬する(プロセスP10:パラジウム(Pd)付与工程)。この処理は、例えば、室温において、上記プロセスP9を経た窒化珪素基板を、パラジウム(Pd)の濃度が0.5ppm以上10ppm以下である活性液に30秒以上10分以下の時間だけ浸漬して行う。活性液としては、例えば、硫酸パラジウム(PdSO4)を含むものがある。なお、活性液の詳細については、例えば、特開2005−146372号公報、特開2004−332036号公報、あるいは特開平7−106736号公報を参照されたい。
以下、本発明の実施例について説明する。ただし、これらの実施例により本発明が限定されるものではない。
窒化珪素基板の表面粗さ、パラジウム(Pd)付与工程における活性液のパラジウム(Pd)濃度及び浸漬時間、パラジウム(Pd)除去工程における除去時間をパラメータとして窒化珪素配線基板を製造した場合の実施例1〜26の製造条件及び評価結果を表1に示す。
上記実施例1〜26と比較するために、表1の比較例1〜11に示す製造条件に基づいて窒化珪素配線基板を作成し、対応する製造結果を得た。また、評価方法も実施例1〜26と同様に行った。以上の製造条件により製造された試料の評価結果を、表1の比較例1〜11に示す。
このように、残留パラジウム(Pd)量を0.05ppm以下とすることにより黒ずみ斑点の発生を抑制するとともに、発生する黒ずみ斑点の個数を10個以下とすることにより、配線回路パターン間の抵抗劣化を防止することができる。
実施例4は、表面の中心線平均粗さRaが1.42μmであって、最大粗さRzが10μmである窒化珪素基板について、上記プロセスP3〜P9の工程を経ることにより配線回路パターンの形成等を行い、パラジウム(Pd)濃度が2ppmである活性液に2分間浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を30秒間だけ行った。その結果、表1に示すように、基板での残留パラジウム(Pd)量;0.006ppm、黒色化部個数;1、回路間抵抗の初期値;合格(○)、回路間抵抗の3000繰り返し後;合格(○)がそれぞれ得られた。
実施例6は、表面の中心線平均粗さRaが0.7μmであって、最大粗さRzが4.5μmである窒化珪素基板について、上記プロセスP3〜P9の工程を経ることにより配線回路パターンの形成等を行い、パラジウム(Pd)濃度が7ppmである活性液に2分間浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を30秒間だけ行った。その結果、表1に示すように、基板での残留パラジウム(Pd)量;0.003ppm、黒色化部個数;0、回路間抵抗の初期値;合格(○)、回路間抵抗の3000繰り返し後;合格(○)がそれぞれ得られた。
実施例8は、表面の中心線平均粗さRaが0.4μmであって、最大粗さRzが3.1μmである窒化珪素基板について、上記プロセスP3〜P9の工程を経ることにより配線回路パターンの形成等を行い、パラジウム(Pd)濃度が7ppmである活性液に2分間浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を30秒間だけ行った。その結果、表1に示すように、基板での残留パラジウム(Pd)量;0.002ppm、黒色化部個数;0、回路間抵抗の初期値;合格(○)、回路間抵抗の3000繰り返し後;合格(○)がそれぞれ得られた。
実施例10は、表面の中心線平均粗さRaが0.45μmであって、最大粗さRzが3.5μmである窒化珪素基板について、上記プロセスP3〜P9の工程を経ることにより配線回路パターンの形成等を行い、パラジウム(Pd)濃度が7ppmである活性液に2分間浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を30秒間だけ行った。その結果、表1に示すように、基板での残留パラジウム(Pd)量;0.002ppm、黒色化部個数;0、回路間抵抗の初期値;合格(○)、回路間抵抗の3000繰り返し後;合格(○)がそれぞれ得られた。
実施例12は、表面の中心線平均粗さRaが0.4μmであって、最大粗さRzが3.1μmである窒化珪素基板について、上記プロセスP3〜P9の工程を経ることにより配線回路パターンの形成等を行い、パラジウム(Pd)濃度が7ppmである活性液に2分間浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を10秒間だけ行った。その結果、表1に示すように、基板での残留パラジウム(Pd)量;0.01ppm、黒色化部個数;3、回路間抵抗の初期値;合格(○)、回路間抵抗の3000繰り返し後;合格(○)がそれぞれ得られた。
実施例14は、表面の中心線平均粗さRaが0.4μmであって、最大粗さRzが3.1μmである窒化珪素基板について、上記プロセスP3〜P9の工程を経ることにより配線回路パターンの形成等を行い、パラジウム(Pd)濃度が7ppmである活性液に2分間浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を30秒間だけ行った。その結果、表1に示すように、基板での残留パラジウム(Pd)量;0.008ppm、黒色化部個数;2、回路間抵抗の初期値;合格(○)、回路間抵抗の3000繰り返し後;合格(○)がそれぞれ得られた。
実施例16は、表面の中心線平均粗さRaが0.4μmであって、最大粗さRzが3.1μmである窒化珪素基板について、上記プロセスP3〜P9の工程を経ることにより配線回路パターンの形成等を行い、パラジウム(Pd)濃度が7ppmである活性液に2分間浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を120秒間だけ行った。その結果、表1に示すように、基板での残留パラジウム(Pd)量;0.002ppm、黒色化部個数;0、回路間抵抗の初期値;合格(○)、回路間抵抗の3000繰り返し後;合格(○)がそれぞれ得られた。
実施例18は、表面の中心線平均粗さRaが0.4μmであって、最大粗さRzが3.1μmである窒化珪素基板について、上記プロセスP3〜P9の工程を経ることにより配線回路パターンの形成等を行い、パラジウム(Pd)濃度が2ppmである活性液に2分間浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を20秒間だけ行った。その結果、表1に示すように、基板での残留パラジウム(Pd)量;0.007ppm、黒色化部個数;2、回路間抵抗の初期値;合格(○)、回路間抵抗の3000繰り返し後;合格(○)がそれぞれ得られた。
実施例20は、表面の中心線平均粗さRaが0.4μmであって、最大粗さRzが3.1μmである窒化珪素基板について、上記プロセスP3〜P9の工程を経ることにより配線回路パターンの形成等を行い、パラジウム(Pd)濃度が2ppmである活性液に2分間浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を60秒間だけ行った。その結果、表1に示すように、基板での残留パラジウム(Pd)量;0.004ppm、黒色化部個数;1、回路間抵抗の初期値;合格(○)、回路間抵抗の3000繰り返し後;合格(○)がそれぞれ得られた。
実施例22は、表面の中心線平均粗さRaが0.4μmであって、最大粗さRzが3.1μmである窒化珪素基板について、上記プロセスP3〜P9の工程を経ることにより配線回路パターンの形成等を行い、パラジウム(Pd)濃度が7ppmである活性液に30秒間浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を30秒間だけ行った。その結果、表1に示すように、基板での残留パラジウム(Pd)量;0.001ppm、黒色化部個数;0、回路間抵抗の初期値;合格(○)、回路間抵抗の3000繰り返し後;合格(○)がそれぞれ得られた。
実施例24は、表面の中心線平均粗さRaが0.4μmであって、最大粗さRzが3.1μmである窒化珪素基板について、上記プロセスP3〜P9の工程を経ることにより配線回路パターンの形成等を行い、パラジウム(Pd)濃度が7ppmである活性液に2分間浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を30秒間だけ行った。その結果、表1に示すように、基板での残留パラジウム(Pd)量;0.003ppm、黒色化部個数;1、回路間抵抗の初期値;合格(○)、回路間抵抗の3000繰り返し後;合格(○)がそれぞれ得られた。
実施例26は、表面の中心線平均粗さRaが0.4μmであって、最大粗さRzが3.1μmである窒化珪素基板について、上記プロセスP3〜P9の工程を経ることにより配線回路パターンの形成等を行い、パラジウム(Pd)濃度が7ppmである活性液に5分間浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を30秒間だけ行った。その結果、表1に示すように、基板での残留パラジウム(Pd)量;0.006ppm、黒色化部個数;2、回路間抵抗の初期値;合格(○)、回路間抵抗の3000繰り返し後;合格(○)がそれぞれ得られた。
活性液のパラジウム(Pd)の濃度が15ppmと高いため、黒色化部個数が74個と非常に多く、配線回路パターン間の窒化珪素基板の表面における外観不良が発生している。また、初期状態及び3000繰り返しの冷熱繰り返し後の何れの場合でも回路間抵抗が不十分あり、配線回路パターン間がショートするといった不具合が発生する危険性が極めて高い。
比較例2では、比較例1に比べて窒化珪素基板の活性液への浸漬時間を短くするとともに、パラジウム(Pd)の除去時間を長くしているため、黒色化部個数が35個と半減し、初期状態での回路間抵抗は十分である。しかし、3000繰り返しの冷熱繰り返し後の回路間抵抗が不十分あり、配線回路パターン間がショートするといった不具合が発生する危険性が高いままである。
比較例3では、比較例1に比べて活性液のパラジウム(Pd)の濃度が低いが、窒化珪素基板の活性液への浸漬時間が非常に長いため、黒色化部個数が68個と非常に多く、配線回路パターン間の窒化珪素基板の表面における外観不良が発生している。また、初期状態及び3000繰り返しの冷熱繰り返し後の何れの場合でも回路間抵抗が不十分あり、配線回路パターン間がショートするといった不具合が発生する危険性が極めて高い。
比較例4では、活性液のパラジウム(Pd)の濃度を実施例2、12〜16等と同一としたが、窒化珪素基板の活性液への浸漬時間が非常に長いため、黒色化部個数が32個と多い。従って、初期状態での回路間抵抗は十分であるが、3000繰り返しの冷熱繰り返し後の回路間抵抗が不十分あり、配線回路パターン間がショートするといった不具合が発生する危険性が高いままである。
比較例5では、活性液のパラジウム(Pd)の濃度及び浸漬時間を実施例17〜21と同一としたが、窒化珪素基板の酸性溶液への浸漬時間が360秒と長いため、基板での残留パラジウム(Pd)量は検出されなかった。しかし、プロセスP12におけるめっき処理工程において、配線回路パターンの表面にめっきすることができないという不具合が発生した。
比較例6では、活性液のパラジウム(Pd)の濃度及び浸漬時間を実施例17〜21と同一としたが、窒化珪素基板の酸性溶液への浸漬時間が330秒と長いため、基板での残留パラジウム(Pd)量は検出されなかった。しかし、プロセスP12におけるめっき処理工程において、配線回路パターンの表面にめっきすることができないという不具合が発生した。
比較例7では、活性液のパラジウム(Pd)の濃度及び浸漬時間を実施例17〜21と同一としたが、窒化珪素基板の酸性溶液への浸漬時間が330秒と長いため、基板での残留パラジウム(Pd)量は検出されなかった。しかし、プロセスP12におけるめっき処理工程において、配線回路パターンの表面にめっきすることができないという不具合が発生した。
また、比較例9は、表面の中心線平均粗さRaが0.2μmであって、最大粗さRzが2.1μmである窒化珪素基板について、上記プロセスP3〜P9の工程を経ることにより配線回路パターンの形成等を行い、パラジウム(Pd)濃度が5ppmである活性液に2分間浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を30秒間だけ行った。その結果、表1に示すように、基板での残留パラジウム(Pd)量;0.001、黒色化部個数;0、回路間抵抗の初期値;合格(○)、回路間抵抗の3000繰り返し後;合格(○)がそれぞれ得られた。
比較例8及び9では、表面の中心線平均粗さRa及び最大粗さRzが実施例よりも小さい窒化珪素基板を用いているため、良好な結果が得られているが、窒化珪素基板自体の熱伝導率が低く、窒化珪素配線基板の熱抵抗が大きいという不具合がある。
また、比較例11は、表面の中心線平均粗さRaが5.2μmであって、最大粗さRzが20μmである窒化珪素基板について、上記プロセスP3〜P9の工程を経ることにより配線回路パターンの形成等を行い、パラジウム(Pd)濃度が2ppmである活性液に2分間浸漬させた後、パラジウム(Pd)除去を30秒間だけ行った。その結果、表1に示すように、基板での残留パラジウム(Pd)量;0.08、黒色化部個数;47、回路間抵抗の初期値;不合格(×)、回路間抵抗の3000繰り返し後;不合格(×)がそれぞれ得られた。
比較例10及び11では、表面の中心線平均粗さRa及び最大粗さRzが実施例よりも大きい窒化珪素基板を用いているため、基板での残留パラジウム(Pd)量及び黒色化部個数が何れも非常に多く、配線回路パターン間の窒化珪素基板の表面における外観不良が発生している。また、初期状態及び3000繰り返しの冷熱繰り返し後の何れの場合でも回路間抵抗が不十分あり、配線回路パターン間がショートするといった不具合が発生する危険性が極めて高い。
このようにして作製された窒化珪素基板について、上記プロセスP2においてコンプレッサーエアーの圧力をそれぞれ0.05MPa、0.2MPa(標準仕様)及び0.3MPaとしてブラスト処理を行い、表面粗さの異なる基板表面性状に仕上げ、プロセスP3〜P12の工程を経た後、プロセスP12においてめっき処理を行った。
このようにして作製された窒化珪素基板について、上記プロセスP2においてコンプレッサーエアーの圧力を0.2MPaとしてブラスト処理を行った。その後、プロセスP3〜P12の工程を経た後、プロセスP12においてめっき処理を行った。
このようにして作製された窒化アルミニウム基板について、上記プロセスP2においてコンプレッサーエアーの圧力を0.2MPaとしてブラスト処理を行った。その後、プロセスP3〜P12の工程を経た後、プロセスP12においてめっき処理を行った。
2 半導体モジュール
11 窒化珪素基板
12 ろう材
13 配線回路パターン
14 無電解めっき層
15 半導体素子
16 放熱板
17 はんだ層
Claims (6)
- 窒化珪素質焼結体からなる窒化珪素基板の表面に金属からなる配線回路パターンがろう材により接合されるとともに、前記配線回路パターンの表面にめっき層が形成されて構成された窒化珪素配線基板であって、
前記窒化珪素質焼結体は切断面における窒化珪素結晶粒子の平均長軸径が3.0μm以上であり、
前記窒化珪素基板の表面粗さRzが3μmより大きく20μm以下であり、
前記窒化珪素基板の表面におけるβ型窒化珪素結晶粒子の長軸径と短軸径との平均比率である平均アスペクト比が5より大きく10以下であり、
前記配線回路パターン間の前記窒化珪素基板の表面に残留するパラジウム(Pd)が0.05ppm以下であることを特徴とする窒化珪素配線基板。 - 前記窒化珪素基板の厚さは、0.3mmより厚く2.0mm以下であることを特徴とする請求項1記載の窒化珪素配線基板。
- 前記配線回路パターン間の前記窒化珪素基板の表面に存在する10μm径以上の斑点が前記表面の500μm四方あたり10個以下であることを特徴とする請求項1乃至2の何れかに記載の窒化珪素配線基板。
- 窒化珪素原料粉を含む成形体を1800〜2000℃の温度、0.5〜1MPaの窒素加圧雰囲気中で焼結し切断面における窒化珪素結晶粒子の平均長軸径が3.0μm以上の窒化珪素質焼結体からなる窒化珪素基板の表面を表面粗さRzが3μmより大きく20μm以下となるように処理する表面処理工程と、
前記窒化珪素基板の表面に活性金属ろう材を用いて金属を接合する接合工程と、
前記金属の所定箇所を除去して所定の配線回路パターンを形成する配線回路パターン形成工程と、
前記窒化珪素基板をパラジウム(Pd)を含有する活性液に浸漬するパラジウム(Pd)付与工程と、
前記窒化珪素基板の表面に残留する前記パラジウム(Pd)を除去するパラジウム(Pd)除去工程と、
前記配線回路パターンの表面にめっきを施すめっき処理工程と
を有し、
前記パラジウム(Pd)付与工程では、前記活性液における前記パラジウム(Pd)の濃度は0.5ppm以上10ppm以下であり、前記パラジウム(Pd)除去工程では、除去時間は5秒以上5分以下であり前記配線回路パターン間の前記窒化珪素基板の表面に残留するパラジウム(Pd)が0.05ppm以下となるまでパラジウム(Pd)を除去することを特徴とする窒化珪素配線基板の製造方法。 - 前記窒化珪素基板の厚さは、0.3mmより厚く2.0mm以下であることを特徴とする請求項4記載の窒化珪素配線基板の製造方法。
- 前記パラジウム(Pd)付与工程では、浸漬時間は30秒以上10分以下であることを特徴とする請求項4または5記載の窒化珪素配線基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005274973A JP4715414B2 (ja) | 2005-09-22 | 2005-09-22 | 窒化珪素配線基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005274973A JP4715414B2 (ja) | 2005-09-22 | 2005-09-22 | 窒化珪素配線基板及びその製造方法 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010212503A Division JP5195858B2 (ja) | 2010-09-22 | 2010-09-22 | 窒化珪素基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007088196A JP2007088196A (ja) | 2007-04-05 |
JP4715414B2 true JP4715414B2 (ja) | 2011-07-06 |
Family
ID=37974885
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005274973A Active JP4715414B2 (ja) | 2005-09-22 | 2005-09-22 | 窒化珪素配線基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4715414B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5309885B2 (ja) * | 2008-10-21 | 2013-10-09 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板のセラミックス基板の製造方法及びパワーモジュール用基板の製造方法 |
EP2217043B1 (en) | 2007-11-06 | 2019-01-30 | Mitsubishi Materials Corporation | Method for producing a substrate for power module |
JP5630695B2 (ja) * | 2009-10-01 | 2014-11-26 | 日立金属株式会社 | 窒化珪素回路基板およびその製造方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000178752A (ja) * | 1998-12-15 | 2000-06-27 | Okuno Chem Ind Co Ltd | 無電解メッキ用パラジウム触媒除去剤 |
JP2001127388A (ja) * | 1999-10-29 | 2001-05-11 | Kyocera Corp | 窒化珪素質回路基板及びその製造方法 |
JP2001284796A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-12 | Ngk Spark Plug Co Ltd | セラミック回路基板およびその製造方法並びにセラミック回路基板の品質管理方法 |
JP2001342574A (ja) * | 2000-06-02 | 2001-12-14 | Hitachi Chem Co Ltd | めっき触媒核除去方法及び配線基板の製造方法 |
JP2002100853A (ja) * | 2000-09-25 | 2002-04-05 | Kyocera Corp | 配線基板の製造方法 |
JP2003101217A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-04 | Kyocera Corp | 回路基板及びその製造方法 |
JP2004087597A (ja) * | 2002-08-23 | 2004-03-18 | Murata Mfg Co Ltd | 配線基板の製造方法 |
JP2005252087A (ja) * | 2004-03-05 | 2005-09-15 | Hitachi Metals Ltd | セラミックス回路基板 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07106736A (ja) * | 1993-10-04 | 1995-04-21 | Okuno Chem Ind Co Ltd | セラミックス配線基板の導体回路への無電解めっき方法 |
-
2005
- 2005-09-22 JP JP2005274973A patent/JP4715414B2/ja active Active
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2001342574A (ja) * | 2000-06-02 | 2001-12-14 | Hitachi Chem Co Ltd | めっき触媒核除去方法及び配線基板の製造方法 |
JP2002100853A (ja) * | 2000-09-25 | 2002-04-05 | Kyocera Corp | 配線基板の製造方法 |
JP2003101217A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-04 | Kyocera Corp | 回路基板及びその製造方法 |
JP2004087597A (ja) * | 2002-08-23 | 2004-03-18 | Murata Mfg Co Ltd | 配線基板の製造方法 |
JP2005252087A (ja) * | 2004-03-05 | 2005-09-15 | Hitachi Metals Ltd | セラミックス回路基板 |
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JP2007088196A (ja) | 2007-04-05 |
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