JP5440947B2 - 窒化珪素基板の製造方法及び窒化珪素基板並びにそれを使用した回路基板 - Google Patents
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Description
(実施例1〜9)
表1に示す窒化珪素粉末を用い、平均粒径0.5μmの酸化マグネシウム粉末及び平均粒径0.5μmの酸化イットリウム粉末を表1に示す混合粉末組成となるよう調整した後、混合粉末100重量部に対して、バインダーとしてポリビニルブチラール20重量部、可塑剤としてジ−2−エチルヘキシルフタレートを5重量部、有機溶剤としてエチルアルコールと1−ブチルアルコールの混合物をボールミルで混合してスラリーを作成した。得られたスラリーの粘度を調整した後、ドクターブレード装置により、厚さが0.4mmのシート状に成形した。その後、これをプレス装置により150mm×150mmの寸法に打ち抜いてグリーンシートとした。
実施例1〜8と同様にして、表2に示す各種条件で比較例1〜8の窒化珪素基板を製造した後、実施例1〜8と同様の評価を行った。比較例1〜3はB/Siが6.5×10−5以下になるように、比較例4及び5は、B/Siが300×10−5を超えるように、比較例6及び7は算術平均粗さRaが0.3〜2μmを外れるように、比較例8はBNからなる分離材の平均粒径が20μmを超えるように、表1に記載の製造条件を調整して製造した。
12、40 分離材(BN)
13 窒化珪素焼結体
21 窒化珪素粒子
Claims (7)
- 窒化珪素粉末と少なくとも酸化マグネシウムからなる焼結助剤とを含む原料粉末を成形してグリーンシートを作成する成形工程と、窒化ホウ素(BN)からなる分離材を介して複数枚の前記グリーンシートを積層する分離材塗布・積層工程と、前記グリーンシートを焼結して窒化珪素焼結体を得る焼結工程と、前記窒化珪素焼結体を分離することによって窒化珪素粒子を主結晶とする窒化珪素焼結体を複数枚得る分離工程と、前記窒化珪素焼結体の表面の少なくとも一部を除去加工して窒化珪素基板とする除去加工工程とを具備する窒化珪素基板の製造方法であって、前記BNからなる分離材の平均粒径を20μm以下とし、前記焼結工程では、前記窒化珪素粒子は短径aが0.5〜5μmでかつ短径aに対する長径bの比(b/a)が2以上の柱状結晶粒子を面積比で30%以上とし、前記除去加工工程では、基板表面に残存するBNとの比がホウ素(B)の蛍光X線強度とシリコン(Si)の蛍光X線強度の比(B/Si)を6.5×10−5を超え300×10−5以下とし、かつ前記窒化珪素基板表面の算術平均粗さRaを0.3〜2μmとするように前記窒化珪素焼結体の表面を除去加工することを特徴とする窒化珪素基板の製造方法。
- 前記焼結が、窒素雰囲気中で圧力0.1〜10MPa、焼結温度1800〜2000℃で2〜20時間保持して行われることを特徴とする請求項1に記載の窒化珪素基板の製造方法。
- 前記除去加工が、前記窒化珪素焼結体表面を厚さ方向で2〜20μm除去することを特徴とする請求項1又は2に記載の窒化珪素基板の製造方法。
- 前記除去加工が、ホーニング処理であることを特徴とする請求項1乃至3に記載の窒化珪素基板の製造方法。
- 前記ホーニング処理が、平均粒径10〜100μmのアルミナ砥粒を用いて行われることを特徴とする請求項4に記載の窒化珪素基板の製造方法。
- 窒化珪素粒子と、少なくとも酸化マグネシウムからなる焼結助剤を含有する窒化珪素焼結体からなる窒化珪素基板であって、前記窒化珪素結晶粒子は、短径aに対する長径bの比(b/a)が2以上の新柱状結晶粒子を面積比で30%以上含み、前期基板表面の算術平均粗さRaが0.3〜2μm以上であり、基板表面に残存するBNと窒化珪素の比がBの蛍光X線強度とSiの蛍光X線強度の比(B/Si)で6.5×10−5を超え300×10−5以下であることを特徴とする窒化珪素基板。
- 請求項6に記載の窒化珪素基板の少なくとも一方の面に接合された銅板とを具備することを特徴とする回路基板。
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