JP2001342574A - めっき触媒核除去方法及び配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 配線間の絶縁特性を向上することができるめ
っき触媒核除去方法及び配線基板の製造方法を提供す
る。さらに、工程数を減少することができるめっき触媒
核除去方法及び配線基板の製造方法を提供する。 【解決手段】 配線基板１０の製造方法において、層間
絶縁層（樹脂）３、１３の表面上にめっき触媒核４、１
４を形成する。このめっき触媒核４を利用して、無電解
めっき層５Ａ、電解めっき層５Ｂを順次形成し第２の配
線５を形成する。また、めっき触媒核１４を利用して、
無電解めっき層１５Ａ、電解めっき層１５Ｂを順次形成
し第２の裏面配線１５を形成する。引き続き、不必要な
めっき触媒核４、１４のそれぞれの残査に酸化処理を行
い、この酸化処理された残査をめっき触媒除去液で除去
する。酸化処理には例えば過酸化水素水等の酸化剤を、
めっき触媒除去液には臭化水素酸等を使用することがで
きる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、めっき触媒核除去
方法及び配線基板の製造方法に関し、特に樹脂上のめっ
き触媒核の除去に好適なめっき触媒核除去方法及びこの
めっき触媒核除去方法を利用した配線基板の製造方法に
関する。さらに本発明は、樹脂上の銅（Ｃｕ）配線のめ
っきに使用されるめっき触媒核の除去方法及び樹脂上に
Ｃｕ配線を有する配線基板の製造方法に適用して有効な
技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】プリント配線板には、配線を形成するの
に、銅（Ｃｕ）箔の不要な箇所をエッチング除去するサ
ブトラクト法配線板と、絶縁基板の上に必要な箇所にの
みめっきを行うアディティブ法配線板とが知られてい
る。

【０００３】中でも、アディティブ法配線板は、絶縁基
板にめっき触媒核を形成し、その上の配線とならない箇
所にめっきレジストを形成し、無電解めっきで配線を形
成するフルアディティブ法配線板や、絶縁基板にめっき
触媒核を形成し、薄く無電解めっきを全面に行った後、
配線とならない箇所にめっきレジストを形成して、電解
めっきによって配線となる箇所の導体の厚さを厚くし、
めっきレジストを除去して、配線にならない箇所に薄く
残った無電解めっきを化学エッチング液などによって除
去するセミアディティブ法配線板が知られている。

【０００４】このめっき触媒核の形成は、通常、塩化パ
ラジウムのような触媒核金属塩やその錯体を含む水溶液
に、絶縁基板を浸し、触媒核金属塩やその錯体を絶縁基
板に付着させ、次に、還元剤で、付着した触媒核金属塩
やその錯体を触媒核金属に還元することによって行われ
ている。

【０００５】また、近年では、電子機器の小型化、軽量
化、高速化などの要求が高まり、プリント配線板にも高
密度化が求められている。プリント配線板の配線には、
電気伝導性に優れたＣｕ配線が優れており、このような
配線は、通常サブトラクト法配線板が用いられてきた。
しかし、不要な箇所のＣｕ箔を除去するには、化学エッ
チング液を用いるが、このときのＣｕ箔の厚さが厚いと
サイドエッチングが起こりやすく、Ｃｕ箔を薄くする
と、Ｃｕ箔の工程中での取り扱いが困難になるという相
反することが起こり、配線密度を高めるのに限度があ
る。

【０００６】そこで、セミアディティブ法を利用したプ
リント配線基板の製造方法が、上記技術課題を解決する
ことができる有効な技術として注目されている。セミア
ディティブ法を利用したプリント配線基板の製造は以下
のように行われている。

【０００７】（１）まず、絶縁樹脂上にめっき触媒核を
形成する。このめっき触媒核には例えばパラジウム（Ｐ
ｄ）を使用することができる。

【０００８】（２）引き続き、絶縁樹脂上の全面にめっ
き触媒核を利用して薄付け無電解Ｃｕめっき層を給電層
として形成する。

【０００９】（３）給電層上の全面にフォトレジスト層
を形成し後、このフォトレジスト層に露光処理、現像処
理を順次行い、フォトレジスト層から配線形成用マスク
を形成する。

【００１０】（４）この配線形成用マスクを使用して電
解めっきを行い、配線形成用マスク以外の領域において
給電層上に厚付けのＣｕ配線を形成する。

【００１１】（５）そして、配線形成用マスクを除去し
た後、この配線形成用マスク下の不必要な給電層をエッ
チングにより除去することにより、Ｃｕ配線（配線回路
パターン）を有するプリント配線基板を製造することが
できる。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、フルア
ディティブ法配線板においては、めっき触媒核が、めっ
きレジストの下に残るため、絶縁性が低下したり、ある
いは配線のＣｕがイオン化し、マイグレーションにより
配線間が短絡するという課題があったので、最近ではあ
まり配線密度の高いプリント配線板には使われなくなっ
てきている。

【００１３】また、上記セミアディティブ法を利用した
プリント配線基板の製造方法においては、以下の点につ
いて配慮がなされていなかった。プリント配線基板の製
造において、Ｃｕ配線を形成した後にＣｕ配線間の不必
要な給電層を除去しているが、この不必要な給電層を除
去した領域の絶縁樹脂上にめっき触媒核が残査として残
っていると、絶縁樹脂が本来持ち合わせている絶縁性が
低下してしまう。また、耐食性の向上等を目的としてＣ
ｕ配線の表面上にニッケル（Ｎｉ）めっき層、金（Ａ
ｕ）めっき層等を形成する場合には、めっき触媒核の残
査上にもこれらのめっき層が形成されてしまう（めっき
降りが生じてしまう）。すなわち、めっき触媒核の残査
によりＣｕ配線間の絶縁性能が低下し、又めっき触媒核
の残査上に形成されためっき層によりＣｕ配線間に短絡
が生じる等、プリント配線基板の製造上の歩留まりを低
下させてしまう不具合があった。

【００１４】本発明は上記課題を解決するためになされ
たものである。従って、本発明の目的は、配線間の絶縁
特性を向上することができ、又配線間の短絡を防止する
ことができるめっき触媒核除去方法を提供することであ
る。

【００１５】さらに、本発明の目的は、上記目的を達成
しつつ、工程数を減少することができるめっき触媒核除
去方法を提供することである。

【００１６】さらに、本発明の目的は、配線間の絶縁特
性を向上することができ、又配線間の短絡を防止するこ
とができ、製造上の歩留まりを向上することができる配
線基板の製造方法を提供することである。

【００１７】さらに、本発明の目的は、上記目的を達成
しつつ、工程数を減少することができる配線基板の製造
方法を提供することである。

【００１８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の第１の特徴は、樹脂表面に形成されためっ
き触媒核を酸化し、酸化されためっき触媒核を溶解除去
するめっき触媒核除去方法としたことである。ここで、
「樹脂」とは、絶縁樹脂を意味する表現として使用され
ており、例えば配線基板の母材として使用される樹脂、
上下配線間の層間絶縁層として使用される樹脂等を少な
くとも含む意味で使用されている。「めっき」には、Ｃ
ｕめっき又はＣｕ合金めっきが少なくとも含まれる。
「めっき触媒核」は、少なくともＣｕめっき又はＣｕ合
金めっきのめっき触媒核として好適なＰｄであることが
好ましい。さらに、「めっき触媒核の酸化」は、めっき
触媒核の還元反応の標準電極電位よりも反応の標準電極
電位が高い「酸化剤」を使用して、めっき触媒核を酸化
することであることが好ましい。また、「めっき触媒核
の酸化」は、過マンガン酸塩、クロム酸塩、過酸化水
素、過塩素酸塩、塩素酸塩、亜塩素酸塩、ペルオキソ酸
塩のうち少なくともいずれか１つを主成分とする「酸化
剤」を使用して、めっき触媒核を酸化することであるこ
とが好ましい。さらに、「酸化されためっき触媒核の溶
解除去」は、シアン化合物、沸酸塩、臭化水素、酸塩、
塩酸塩、ヨウ化水素酸塩、チオ硫酸塩、チオシアン化合
物、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ ）、エチレン
ジアミン、グリシンのうち少なくともいずれか１つを主
成分とする「めっき触媒除去液」を使用して、酸化され
ためっき触媒核を溶解除去することであることが好まし
い。

【００１９】このような本発明の第１の特徴に係るめっ
き触媒核除去方法においては、めっき触媒核を利用して
樹脂上の一部の領域にめっき層を形成した後に、樹脂上
の他の一部の領域の不必要なめっき触媒核（めっき触媒
核の残査）を酸化し溶解除去することにより、めっき触
媒核の残査を確実に取り除くことができる。従って、め
っき触媒核の残査に起因する樹脂の絶縁特性の劣化、め
っき触媒核の残査に再度めっき層が形成されること（例
えばＮｉ降りやＡｕ降り）によるめっき層間の短絡を防
止することができる。

【００２０】本発明の第２の特徴は、樹脂表面に形成さ
れためっき触媒核を、沸酸、塩酸、臭化水素酸、ヨウ化
水素酸、沸酸塩、塩酸塩、臭化水素酸塩、及びヨウ化水
素酸塩のうちから選択された１種以上を含むめっき触媒
核除去液で除去するめっき触媒核除去方法としたことで
ある。ここで、「めっき触媒除去液」は、めっき触媒核
の残査を酸化しなくても除去することができるめっき触
媒除去液という意味で使用されている。この沸酸等の少
なくともいずれか１つを主成分とする「めっき触媒除去
液」とは、実用的に使用することができるめっき触媒除
去液の一具体例である。さらに、「めっき触媒核の溶解
除去」は、酸素分子を含有させた「めっき触媒除去液」
を使用して、めっき触媒核の他の一部の領域を溶解除去
するようにすることが、めっき触媒核の除去速度を速め
る上で好ましい。

【００２１】このような本発明の第２の特徴に係るめっ
き触媒核除去方法においては、本発明の第１の特徴に係
るめっき触媒核除去方法で得られる効果に加えて、めっ
き触媒核の残査を酸化する工程をなくし、めっき触媒核
の残査をめっき触媒除去液により直接的に除去すること
ができるので、工程数を減少することができる。

【００２２】本発明の第３の特徴は、（１）樹脂上にめ
っき触媒核を形成する工程と、（２）めっき触媒核の一
部の領域上にめっきにより配線を形成する工程と、
（３）めっき触媒核の他の一部の領域を酸化する工程
と、（４）酸化されためっき触媒核の他の一部の領域を
溶解除去する工程とを少なくとも備えた配線基板の製造
方法としたことである。

【００２３】このような本発明の第３の特徴に係る配線
基板の製造方法においては、本発明の第１の特徴に係る
めっき触媒核除去方法で得られる効果に加えて、めっき
触媒核の残査に起因する樹脂の絶縁特性の劣化、めっき
触媒核の残査に再度めっき層が形成されることによるめ
っき層間の短絡を防止することができるので、製造上の
歩留まりを向上することができる。

【００２４】本発明の第４の特徴は、（１）樹脂上にめ
っき触媒核を形成する工程と、（２）めっき触媒核の一
部の領域上にめっきにより配線を形成する工程と、
（３）沸酸、塩酸、臭化水素酸、ヨウ化水素酸、沸酸
塩、塩酸塩、臭化水素酸塩、ヨウ化水素塩のうち少なく
ともいずれか１つを主成分とするめっき触媒除去液を使
用して、めっき触媒核の他の一部の領域を溶解除去する
工程とを少なくとも備えた配線基板の製造方法としたこ
とである。

【００２５】このような本発明の第４の特徴に係る配線
基板の製造方法においては、本発明の第３の特徴に係る
配線基板で得られる効果に加えて、本発明の第２の特徴
に係るめっき触媒核除去方法で得られる効果と同様に、
めっき触媒核の残査を酸化する工程をなくし、めっき触
媒核の残査をめっき触媒除去液により直接的に除去する
ことができるので、製造工程数を減少することができ
る。

【００２６】

【発明の実施の形態】次に、図面を参照して、本発明に
係るめっき触媒核除去方法及び配線基板の製造方法を本
発明の実施の形態により説明する。以下の図面の記載に
おいて、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を
付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚み
と平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のもの
とは異なることに留意すべきである。従って、具体的な
厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものであ
る。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比
率が異なる部分が含まれていることは勿論である。

【００２７】［配線基板の基本的な構造］図１に示すよ
うに、本発明の実施の形態に係る配線基板１０は、プリ
ント配線基板であり、母材としてのコア基板１と、コア
基板１の表面（図１中、上側表面）上の第１層目配線層
に配設された第１の配線２と、第１の配線２上の層間絶
縁層３と、層間絶縁層３上の第２層目配線層に配設され
た第２の配線５と、コア基板１の裏面（図１中、下側表
面）上の第１層目裏面配線層に配設された第１の裏面配
線１２と、第１の裏面配線１２上の層間絶縁層１３と、
層間絶縁層１３上の第２層目裏面配線層に配設された第
２の裏面配線１５とを備えて構成されている。さらに、
配線基板１０は、コア基板１の表面から裏面に貫通し、
第１の配線２と第１の裏面配線１２との間を電気的に接
続するスルーホール配線６を備えて構成されている。

【００２８】本発明の実施の形態に係る配線基板１０に
おいて、コア基板１には例えばガラスエポキシ系樹脂基
板を実用的に使用することができる。なお、コア基板１
は、上記材料に限定されるものではなく、ポリイミド系
樹脂、アクリル樹脂等の樹脂系基板、鉄ニッケル合金、
Ｃｕ、Ｃｕ合金等の導電性基板を母材として表面を絶縁
材料で被覆した基板、セラミックス基板、炭化珪素基
板、シリコン基板等を使用することができる。

【００２９】第１の配線２は、例えば電気伝導性に優
れ、１５μｍ〜２０μｍ程度の厚さを有するＣｕ配線を
実用的に使用することができる。この第１の配線２は配
線基板１０に搭載される回路に応じた所定の平面パター
ンを備えている。第１の裏面配線１２は第１の配線２と
同様な材料により形成することができる。

【００３０】層間絶縁層３は、第１の配線２とその上層
の第２の配線５との間の絶縁分離を行う機能を備えてい
る。層間絶縁層３には、絶縁樹脂、例えば１０μｍ〜１
００μｍ程度の厚さを有する、エポキシ系樹脂やポリイ
ミド系樹脂を主成分として含む絶縁樹脂を実用的に使用
することができる。また、層間絶縁層３には、他にアク
リル樹脂、ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、
沸素樹脂、シアネート樹脂、変性ポリフェニレンエーテ
ル樹脂（ＰＰＥ）等の樹脂、若しくはこれらの樹脂のう
ち少なくとも１つを主成分として含む樹脂を使用するこ
とができる。層間絶縁層１３は、層間絶縁層３と同様
に、第１の裏面配線１２とその上層の第２の裏面配線１
５との間の絶縁分離を行う機能を備えている。層間絶縁
層１３は層間絶縁層３と同様な材料により形成すること
ができる。なお、層間絶縁層３、層間絶縁層１３は、い
ずれも本発明に係る「樹脂」の一具体例に対応するもの
である。

【００３１】第２の配線５は、本発明の実施の形態に係
る配線基板１０において、薄付けの無電解めっき層５Ａ
と、この無電解めっき層５Ａ上に積層された厚付けの電
解めっき層５Ｂとで形成されている。無電解めっき層５
Ａには電気伝導性に優れた無電解Ｃｕめっき層を実用的
に使用することができ、無電解めっき層５Ａの厚さは例
えば０．２μｍ〜０．５μｍ程度で形成することができ
る。電解めっき層５Ｂには同様に電気伝導性に優れた電
解Ｃｕめっき層を実用的に使用することができ、電解め
っき層５Ｂの厚さは例えば１５μｍ〜３０μｍ程度で形
成することができる。第２の配線５は、層間絶縁層３に
配設されたビアホール３Ｈを通して第１の配線２に電気
的に接続されている。

【００３２】この第２の配線５と同様に、第２の裏面配
線１５は、薄付けの無電解めっき層１５Ａと、この無電
解めっき層１５Ａ上に積層された厚付けの電解めっき層
５Ｂとで形成されている。第２の裏面配線１５は、層間
絶縁層１３に配設されたビアホール１３Ｈを通して第１
の裏面配線１２に電気的に接続されている。

【００３３】［第１のめっき触媒核除去方法及び第１の
配線基板の製造方法］本発明の実施の形態に係る配線基
板１０の第１の製造方法を図２乃至図１０を使用して説
明する。なお、本発明に係る「めっき触媒核除去方法」
は本発明の実施の形態に係る配線基板１０の製造方法に
より具現化されるので、この配線基板１０の製造方法と
併せてその説明を行う。

【００３４】（１）まず最初に、コア基板１を準備する
（図１参照。）。本発明の実施の形態に係る配線基板１
０においては、コア基板１の表面上に第１の配線２とし
て、裏面上に第１の裏面配線１２としてそれぞれＣｕ配
線を形成するので、コア基板１には例えばガラスエポキ
シ系樹脂基板が採用されている。

【００３５】（２）図２に示すように、コア基板１の表
面上の第１層目配線層に第１の配線２を形成し、コア基
板１の裏面上の第１層目裏面配線層に第１の裏面配線１
２を形成する。第１の配線２及び第１の裏面配線１２は
サブトラクティブ法又はアディティブ法により形成する
ことができる。ここで、サブトラクティブ法は、コア基
板１の表面上及び裏面上に銅箔をラミネートし、銅箔上
にフォトリソグラフィ技術で形成したエッチングマスク
を形成し、このエッチングマスクを使用して銅箔に所定
のパターンニングを行う（所定の配線パターンを形成す
る）ことにより第１の配線２及び第１の裏面配線１２を
形成する方法である。アディティブ法は、コア基板１の
表面上及び裏面上に無電解めっき用接着材層を形成し、
この無電解めっき用接着材層の表面を粗面化し、この無
電解めっき用接着材層の表面上にＣｕめっきにより第１
の配線２及び第１の裏面配線１２を形成する方法であ
る。無電解めっき用接着材層は、例えばスクリーン印刷
により形成され、所定の配線パターンに対応するパター
ンで形成することができるので、Ｃｕめっきを行った時
点で所定の配線パターンを有する第１の配線２及び第１
の裏面配線１２を形成することができる。また、スルー
ホール配線６は、コア基板１にスルーホールを形成した
後に、このスルーホール内壁に例えばＣｕめっきを行う
ことにより形成することができる。

【００３６】なお、本発明の実施の形態に係る配線基板
１０においては、コア基板１の表面上及び裏面上に配線
を形成する場合を説明しているが、本発明は、これに限
定されるものではなく、例えばコア基板１の表面上だけ
に配線を形成する場合にも適用することができる。

【００３７】（３）図３に示すように、コア基板１の全
面において、第１の配線２上に層間絶縁層３を形成し、
第１の裏面配線１２上に層間絶縁層１３を形成する。層
間絶縁層３、１３のそれぞれは、例えば熱圧着ラミネー
トにより形成することができ、例えばエポキシ系樹脂を
主成分とする絶縁樹脂の場合には、２０μｍ〜６０μｍ
の膜厚で形成することができる。第１の配線２と層間絶
縁層３との間、第１の裏面配線１２と層間絶縁層１３と
の間のそれぞれの密着性や接着性を向上するために、第
１の配線２の表面、第１の裏面配線１２の表面には予め
粗面化処理を行うことが好ましい。この粗面化処理に
は、下記３種類の方法が有効である。第１の方法は、め
っき条件を適宜選択し、第１の配線２の表面上、第１の
裏面配線１２の表面上にそれぞれ針状の無電解めっき層
を形成する方法である。第２の方法は、第１の配線２の
表面、第１の裏面配線１２の表面のそれぞれを酸化処理
（黒化処理）して微細な凹凸形状を生成し、この凹凸形
状を維持したまま還元処理（ホルムアルドヒト処理等）
を行う方法である。第３の方法は、第１の配線２の表
面、第１の裏面配線１２の表面のそれぞれをエッチング
液に接触させ、短時間の表面エッチングを行うことによ
り、Ｃｕの結晶界面を露出させて凹凸形状を形成する方
法である。

【００３８】（４）図４に示すように、第１の配線２の
所定領域上において層間絶縁層３にビアホール（接続
孔）３Ｈを形成し、第１の裏面配線１２の所定領域上に
おいて層間絶縁層１３にビアホール１３Ｈを形成する。
ビアホール３Ｈ、１３Ｈはいずれも例えばレーザ加工で
形成することが好ましい。レーザ加工には、炭酸ガス
（ＣＯ_２、ＣＯ）レーザ、エキシマレーザ等の気体レー
ザや、ＹＡＧレーザ等の固体レーザを実用的に使用する
ことができる。ビアホール３Ｈ、１３Ｈのそれぞれの直
径が５０μｍ以上の場合には、大出力を得ることができ
る炭酸ガスレーザを使用することが好ましい。ビアホー
ル３Ｈ、１３Ｈのそれぞれの直径が５０μｍ以下の場合
には、短波長でかつ集光性に優れたＹＡＧレーザを使用
することが好ましい。

【００３９】（５）ビアホール３Ｈ、１３Ｈのそれぞれ
の内部の樹脂残査の除去並びに層間絶縁層３、１３のそ
れぞれの表面の粗面化処理を少なくとも目的として、過
マンガン酸やクロム酸を使用したスミア処理を行う。

【００４０】（６）図５に示すように、ビアホール３Ｈ
の内壁を含む層間絶縁層３の表面上にめっき触媒核４を
形成し、さらに加えてビアホール１３Ｈの内壁を含む層
間絶縁層１３の表面上にめっき触媒核１４を形成する。
めっき触媒核４、１４のそれぞれには特に安価なＰｄを
実用的に使用することができる。また、めっき触媒核
４、１４のそれぞれには、貴金属イオン、パラジウムコ
ロイド等も実用的に使用することができる。

【００４１】ここで、層間絶縁層３の表面上にめっき触
媒核４を形成し、層間絶縁層１３の表面上にめっき触媒
核１４を形成する工程は、本発明に係る「樹脂上にめっ
き触媒核を形成する工程」の一具体例に対応するもので
ある。

【００４２】（７）次に、セミアディティブ法による第
２の配線５及び第２の裏面配線１５の形成方法を説明す
る。なお、本発明の実施の形態に係る配線基板１０の製
造方法においては、このセミアディティブ法により第２
の配線５及び第２の裏面配線１５を形成するが、本発明
は、この方法に限定されるものではなく、めっき法とエ
ッチング法とを併用して第２の配線５及び第２の裏面配
線１５を形成してもよい。

【００４３】図６に示すように、ビアホール３Ｈから露
出する第１の配線２の表面上及びビアホール３Ｈの内壁
を含む層間絶縁層３の表面上にめっき触媒核４を利用し
て薄付けの無電解めっき層５Ａを形成し、さらに加えて
ビアホール１３Ｈから露出する第１の裏面配線１２の表
面上及びビアホール１３Ｈの内壁を含む層間絶縁層１３
の表面上にめっき触媒核１４を利用して薄付けの無電解
めっき層１５Ａを形成する。この無電解めっき層５Ａ、
１５Ａのそれぞれには、ＣＵＳＴ−２０００（日立化成
工業株式会社製、商品名）、ＣＵＳＴ−２０１（日立化
成工業株式会社製、商品名）等の市販の無電解めっき液
を実用的に使用することができる。無電解めっき層５
Ａ、１５Ａのそれぞれは、次工程において電気めっきが
行える厚さ、例えば０．１μｍ〜１．０μｍ程度の厚さ
で形成すればよい。

【００４４】（８）図７に示すように、第２の配線５の
形成領域及びビアホール３Ｈの領域を除き、無電解めっ
き層５Ａの表面上にマスク７を形成し、第２の裏面配線
１５の形成領域及びビアホール１３Ｈの領域を除き、無
電解めっき層１５Ａの表面上にマスク１７を形成する。
マスク７、１７のそれぞれには、例えばＰＭＥＲ Ｐ−
ＬＡ９００ＰＭ（東京応化株式会社 商品名）等の液状
レジストや、ＨＷ−４２５（日立化成工業株式会社 商
品名）、ＲＹ−３０２５（日立化成工業株式会社商品
名）等のドライフィルムを実用的に使用することができ
る。マスク７は第２の配線５の電解めっき層（５Ｂ）と
同等の膜厚か又はそれよりも厚い膜厚で形成することが
好ましい。同様に、マスク１７は第２の裏面配線１５の
電解めっき層（１５Ｂ）と同等の膜厚か又はそれよりも
厚い膜厚で形成することが好ましい。

【００４５】（９）図８に示すように、マスク７で規定
された領域内において無電解めっき層５Ａの表面上に電
解めっき層５Ｂを形成し、マスク１７で規定された領域
内において無電解めっき層１５Ａの表面上に電解めっき
層１５Ｂを形成する。電解めっき層５Ｂ、１５Ｂのそれ
ぞれには、例えば通常プリント配線基板で使用されてい
る硫酸銅電解めっき法、ピロリン酸電解めっき法等を実
用的に使用することができる。電解めっき層５Ｂ、１５
Ｂは、回路導体として使用することができる厚さ、例え
ば１μｍ〜１００μｍ程度の厚さ、さらに好ましくは５
μｍ〜５０μｍ程度の厚さで形成することができる。な
お、電解めっき層５Ｂ、１５Ｂのそれぞれを形成した後
には、マスク７及び１７の剥離を容易にするために、電
解めっき層５Ｂ及びマスク７の表面、電解めっき層１５
Ｂ及びマスク１７の表面に各々表面研磨処理を行っても
よい。

【００４６】なお、めっき触媒核４上に無電解めっき層
５Ａ、電解めっき層５Ｂのそれぞれを形成する工程、め
っき触媒核１４上に無電解めっき層１５Ａ、電解めっき
層１５Ｂのそれぞれを形成する工程は、いずれも本発明
に係る「めっき触媒核の一部の領域上にめっき層を形成
する工程」又は「めっき触媒核の一部の領域上にめっき
により配線を形成する工程」の一具体例に対応するもの
である。

【００４７】（１０）マスク７及び１７を除去する（レ
ジスト剥離を行う。）。マスク７及び１７の除去には、
例えばアルカリ性剥離液、市販のレジスト剥離液を実用
的に使用することができる。

【００４８】（１１）引き続き、マスク７の除去された
領域において露出する、配線間となる不必要な無電解め
っき層５Ａを電解めっき層５Ｂをマスクとして化学エッ
チング液でエッチング除去し、同様に、マスク１７の除
去された領域において露出する、配線間となる不必要な
無電解めっき層１５Ａを電解めっき層１５Ｂをマスクと
して化学エッチング液でエッチング除去する。不必要な
無電解めっき層５Ａの除去により、無電解めっき層５Ａ
及びその上層の電解めっき層５Ｂから第２の配線５を形
成することができ、不必要な無電解めっき層１５Ａの除
去により、無電解めっき層１５Ａ及びその上層の電解め
っき層１５Ｂから第２の裏面配線１５を形成することが
できる。

【００４９】（１２）図１０に示すように、無電解めっ
き層５Ａが除去された領域において第２の配線５間の層
間絶縁層３の表面上のめっき触媒核４（の残査）を酸化
処理してめっき触媒核４Ａを形成し、同様に、無電解め
っき層１５Ａが除去された領域において第２の裏面配線
１５間の層間絶縁層１３の表面上のめっき触媒核１４
（の残査）を酸化処理してめっき触媒核１４Ａを形成す
る。酸化処理には、酸素（Ｏ_２）プラズマ処理、加熱処
理等を使用することもできるが、製造工程の簡便さの点
から酸化剤によるウエット処理を実用的に使用すること
ができる。この酸化剤には、めっき触媒核４Ａ及び１４
Ａの還元反応の標準電極電位よりも反応の標準電極電位
が高い酸化剤を使用することが好ましい。めっき触媒核
４、１４のそれぞれにＰｄを使用する場合において、酸
化剤には、過マンガン酸塩、クロム酸塩、過酸化水素、
過塩素酸塩、塩素酸塩、亜塩素酸塩、ペルオキソ酸塩の
うち少なくともいずれか１つを主成分とする酸化剤（酸
化剤溶液）を実用的に使用することができる。

【００５０】なお、めっき触媒核４を酸化処理してめっ
き触媒核４Ａを形成する工程、めっき触媒核１４を酸化
処理してめっき触媒核１４Ａを形成する工程は、いずれ
も本発明に係る「めっき触媒核の他の一部の領域を酸化
する工程」の一具体例に対応するものである。

【００５１】（１３）そして、酸化処理により生成され
ためっき触媒核４Ａ、１４Ａのそれぞれを溶解除去する
ことにより、前述の図１に示す配線基板１０を形成する
ことができる。基本的にめっき触媒核４Ａ、１４Ａのそ
れぞれはイオン半径が大きい割に小電荷であることから
柔らかい酸である。従って、めっき触媒核４Ａ、１４Ａ
のそれぞれの溶解除去には柔らかい塩基若しくはハロゲ
ンを含む溶液を使用することが好ましい。具体的には、
シアン化合物、沸酸塩、臭化水素、酸塩、塩酸塩、ヨウ
化水素酸塩、チオ硫酸塩、チオシアン化合物、エチレン
ジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ ）、エチレンジアミン、グ
リシンのうち少なくともいずれか１つを主成分とするめ
っき触媒除去液を実用的に使用することができる。

【００５２】ここで、めっき触媒核４Ａ、１４Ａのそれ
ぞれを溶解除去する工程は、本発明に係る「酸化された
めっき触媒核の他の一部の領域を溶解除去する工程」の
一具体例に対応するものである。

【００５３】また、上記めっき触媒核４、１４のそれぞ
れの酸化処理並びに酸化されためっき触媒核４Ａ、１４
Ａのそれぞれの溶解除去を繰り返し行うことにより、層
間絶縁層３の不必要なめっき触媒核４の残査、層間絶縁
層１３の不必要なめっき触媒核１４の残査の除去効果を
高めることができる。

【００５４】また、図示しないが、第２の配線５及び第
２の裏面配線１２を形成した後に、耐食性の向上等を目
的として、第２の配線５の表面上、第２の裏面配線１２
の表面上にＮｉめっき層、Ａｕめっき層等のめっき層を
形成することができる。

【００５５】（１４）以上の各工程を順次行うことによ
り、本発明の実施の形態に係る配線基板１０を完成させ
ることができる。

【００５６】このような本発明の実施の形態に係る第１
のめっき触媒核除去方法においては、めっき触媒核４を
利用して層間絶縁層３上の一部の領域に無電解めっき層
５Ａ及び電解めっき層５Ｂを形成した後に、層間絶縁層
３上の他の一部の領域の不必要なめっき触媒核４を酸化
し（めっき触媒核４Ａとして）溶解除去することによ
り、めっき触媒核４の残査を確実に取り除くことができ
る。同様に、めっき触媒核１４を利用して層間絶縁層１
３上の一部の領域に無電解めっき層１５Ａ及び電解めっ
き層１５Ｂを形成した後に、層間絶縁層１３上の他の一
部の領域の不必要なめっき触媒核１４を酸化し（めっき
触媒核１４Ａとして）溶解除去することにより、めっき
触媒核１４の残査を確実に取り除くことができる。従っ
て、めっき触媒核４、１４の残査に起因する層間絶縁層
３、１３の絶縁特性の劣化、めっき触媒核４、１４の残
査に再度めっき層が形成されること（例えばＮｉ降りや
Ａｕ降り）による第２の配線５間や第２の裏面配線１５
間の短絡を防止することができる。

【００５７】さらに、このような本発明の実施の形態に
係る第１の配線基板１０の製造方法においては、上記め
っき触媒核除去方法で得られる効果に加えて、めっき触
媒核４、１４の残査に起因する層間絶縁層３、１３の絶
縁特性の劣化、めっき触媒核４、１４の残査に再度めっ
き層が形成されることによる第２の配線５間、第２の裏
面配線１５間の短絡を防止することができるので、製造
上の歩留まりを向上することができる。

【００５８】［第２のめっき触媒核除去方法及び第２の
配線基板の製造方法］本発明の実施の形態に係る配線基
板１０の第２の製造方法を説明する。この第２の製造方
法は、層間絶縁層３の表面上の残査としてのめっき触媒
核４、層間絶縁層１３の表面上の残査としてのめっき触
媒核１４のそれぞれを、めっき触媒除去液により、酸化
処理を行うことなく、直接除去する方法である。ここ
で、めっき触媒除去液には、例えば沸酸、塩酸、臭化水
素酸、ヨウ化水素酸、沸酸塩、塩酸塩、臭化水素酸塩、
ヨウ化水素塩のうち少なくともいずれか１つを主成分と
するめっき触媒除去液を実用的に使用することができ
る。

【００５９】この種のめっき触媒除去液を使用する場
合、溶液中の溶存酸素が多い方が（酸素分子を多く含有
させる方が）めっき触媒核４、１４のそれぞれの除去反
応速度を速めることができる。従って、ディップ式を採
用してめっき触媒核４、１４のそれぞれの除去を行う場
合には、エアーレーションを併存させることにより、め
っき触媒核４及び１４の除去速度を速くすることができ
る。

【００６０】このような本発明の実施の形態に係る第２
のめっき触媒核除去方法においては、本発明の実施の形
態に係る第１のめっき触媒核除去方法で得られる効果に
加えて、めっき触媒核４及び１４の残査を酸化する工程
をなくし、めっき触媒核４及び１４の残査をめっき触媒
除去液により直接的に除去することができるので、工程
数を減少することができる。

【００６１】さらに、本発明の実施の形態に係る第２の
配線基板１０の製造方法においては、本発明の実施の形
態に係る第１の配線基板１０の製造方法で得られる効果
に加えて、めっき触媒核４及び１４の残査を酸化する工
程をなくし、めっき触媒核４及び１４の残査をめっき触
媒除去液により直接的に除去することができるので、製
造工程数を減少することができる。

【００６２】［実施例、比較例並びに実施例の効果］次
に、上記本発明の実施の形態に係るめっき触媒核除去方
法並びに配線基板１０の製造方法の具体的な第１の実施
例乃至第４の実施例と、比較例とを説明し、併せて双方
の相違点を説明する。

【００６３】第１の実施例：本発明の実施の形態の第１
の実施例に係る配線基板１０の製造方法は、上記第１の
配線基板１０の製造方法の具体例であり、以下の通りで
ある。

【００６４】（１）まず最初に、コア基板１の表面上及
び裏面上に厚さ１８μｍのＣｕ箔を貼り合わせ、合計厚
さ０．２ｍｍのガラス布基材エポキシ銅張積層板、例え
ばＭＣＬ−Ｅ−６７９（日立化成工業株式会社製 商品
名）を準備する。このガラス布基材エポキシ銅張積層板
において、不必要な個所（配線以外の箇所）のＣｕ箔を
エッチングにより除去し、コア基板１の表面上に第１の
配線２及び裏面上に第１の裏面配線１２を形成する（前
述の図２参照。）。さらに、コア基板１の所定領域にお
いて、スルーホールを形成し、第１の配線２と第１の裏
面配線１２との間を電気的に接続するスルーホール配線
６を形成する。

【００６５】（２）上記第１の配線２の表面及び第１の
裏面配線１２の表面に防錆処理を行う。この防錆処理に
は、例えばＭＥＣ ｅｔｃｈ ＢＯＮＤ ＣＺ−８１０
０（メック株式会社製 商品名）を使用し、液温３５
℃、スプレー圧０．１５ＭＰａの条件においてスプレー
噴霧処理を行い、第１の配線２の表面、第１の裏面配線
１２の表面のそれぞれに約３μｍ程度の粗さの凹凸を形
成し、引き続き、例えばＭＥＣ ｅｔｃｈ ＢＯＮＤ
ＣＺ−８３００（メック株式会社製 商品名）を使用
し、液温２５℃、浸漬時間２０秒の条件において浸漬さ
せる処理を使用することができる。

【００６６】（３）第１の配線２の表面上を含むコア基
板１の表面上、第１の裏面配線１２の表面上を含むコア
基板１の裏面上にそれぞれ絶縁性接着剤、例えばＢＬ−
９７００（日立化成工業株式会社製 商品名）を４０μ
ｍ程度の厚さで塗布し、１７０℃、６０分間の加熱によ
りこの絶縁性接着剤から層間絶縁層３、１３のそれぞれ
を形成する（図３参照。）。

【００６７】（４）例えば炭酸ガスインパクトレーザ穴
あけ機Ｌ−５００（住友重機工業株式会社製 商品名）
を使用し、層間絶縁層３に直径８０μｍのビアホール３
Ｈを形成し、層間絶縁層１３に同直径のビアホール１３
Ｈを形成する（図４参照。）。

【００６８】（５）引き続き、液温７０℃の、過マンガ
ン酸カリウム６５ｇ／リットルと水酸化ナトリウム４０
ｇ／リットルとの混合水溶液に２分間浸漬させ、スミア
処理を行うと同時に、層間絶縁層３、１３のそれぞれの
表面に微少な凹凸を形成する。

【００６９】（６）Ｐｄ溶液、例えばＨＳ−２０２Ｂ
（日立化成工業株式会社製 商品名）に液温２５℃、１
５分間浸漬させ、層間絶縁層３の表面上にめっき触媒核
４を形成するとともに、層間絶縁層１３の表面上にめっ
き触媒核１４を形成する（図５参照。）。

【００７０】（７）例えばＣＵＳＴ−２０１（日立化成
工業株式会社製、商品名）を使用し、液温２５℃、３０
分間の条件において無電解Ｃｕめっき処理を行い、０．
３μｍの厚さの無電解めっき層５Ａ及び同厚さの無電解
めっき層１５Ａを形成する（図６参照）。無電解めっき
層５Ａは、ビアホール３Ｈから露出する第１の配線２の
表面上及びビアホール３Ｈの内壁を含む層間絶縁層３の
表面上にめっき触媒核４を利用して形成される。無電解
めっき層１５Ａは、ビアホール１３Ｈから露出する第１
の裏面配線１２の表面上及びビアホール１３Ｈの内壁を
含む層間絶縁層１３の表面上にめっき触媒核１４を利用
して形成される。

【００７１】（８）無電解めっき層５Ａ、１５Ａのそれ
ぞれの表面上にドライフィルムフォトレジスト、例えば
ＲＹ−３０２５（日立化成工業株式会社 商品名）をラ
ミネートし、電解めっきを行う箇所（第２の配線５の形
成領域、第２の裏面配線１５の形成領域）を遮蔽したフ
ォトレジストマスクを使用し、紫外線による露光処理、
現像処理を順次行い、無電解めっき層５Ａ上にマスク
（めっきレジストマスク）７を形成するとともに、無電
解めっき層１５Ａ上に同様のマスク１７を形成する（図
７参照。）。

【００７２】（９）電解めっき溶液として硫酸銅液を使
用し、液温２５℃、電流密度１．０Ａ／ｄｍ^２の条件に
おいて、マスク７で規定された領域内の無電解めっき層
５Ａの表面上に２０μｍ程度の厚さの電解Ｃｕめっき層
からなる電解めっき層５Ｂを形成し、マスク１７で規定
された領域内の無電解めっき層１５Ａの表面上に同厚さ
の電解Ｃｕめっき層からなる電解めっき層１５Ｂを形成
する（図８参照。）。電解めっき層５Ｂの幅寸法と電解
めっき層５Ｂ間の離間寸法、並びに電解めっき層１５Ｂ
の幅寸法と電解めっき層１５Ｂ間の離間寸法（ラインア
ンドスペース）は、例えばいずれも３０μｍ程度に設定
されることが好ましい。

【００７３】（１０）アルカリ過マンガン酸水溶液、例
えばＭＬＢ−４９５（メルテックス株式会社製 商品
名）を使用し、液温７０℃、１０分間の条件において少
なくともマスク７及び１７を浸漬させ、このマスク７及
び１７を除去する。

【００７４】（１１）酸性溶媒、例えばＭＬＢ−７９０
（メルテックス株式会社製 商品名）を使用し、液温７
０℃、５分間の条件において、配線間となる不必要な無
電解めっき層５Ａ及び無電解めっき層１５Ａを浸漬させ
て中和処理を行う。この後、アンモニウム系アルカリＣ
ｕエッチング液、例えばＡプロセス液（メルテックス株
式会社製 商品名）を使用し、室温、１分間の条件にお
いて、少なくとも無電解めっき層５Ａ及び無電解めっき
層１５Ａを浸漬させ、この無電解めっき層５Ａ及び無電
解めっき層１５Ａをエッチング除去する（図９参
照。）。なお、この後に、流水により洗浄処理を行う。

【００７５】この不必要な無電解めっき層５Ａ及び無電
解めっき層１５Ａを除去することにより、コア基板１の
表面上に第２の配線５を形成することができ、コア基板
１の裏面上に第２の裏面配線１５を形成することができ
る。

【００７６】（１２）例えば液温４０℃、１０分間の条
件において、酸化剤、例えば５重量％の過酸化水素水溶
液にコア基板１を浸漬させ、不必要な無電解めっき層５
Ａを除去した領域の層間絶縁層３の表面上のめっき触媒
核４の残査を酸化してめっき触媒核４Ａとし、同様に不
必要な無電解めっき層１５Ａを除去した領域の層間絶縁
層１３の表面上のめっき触媒核１４の残査を酸化してめ
っき触媒核１４Ａとする（図１０参照。）。

【００７７】（１３）引き続き、例えば液温４０℃、１
０分間の条件において、めっき触媒除去液、例えば１０
重量％のチオ硫酸ナトリウム溶液にコア基板１を浸漬さ
せ、酸化処理しためっき触媒核４Ａを除去するととも
に、酸化処理しためっき触媒核１４Ａを除去する。

【００７８】上記一連の工程が終了すると、本発明の実
施の形態の第１の実施例に係る配線基板１０を完成させ
ることができる。

【００７９】第２の実施例：本発明の実施の形態の第２
の実施例に係る配線基板１０の製造方法は、第１の実施
例に係る配線基板１０の製造方法において、酸化処理さ
れためっき触媒核４Ａ及び１４Ａの除去条件を代えた場
合を説明するものである。

【００８０】（１）すなわち、コア基板１の層間絶縁層
３の表面上の不必要な無電解めっき層５Ａを除去して第
２の配線５を形成し、層間絶縁層１３の表面上の不必要
な無電解めっき層１５Ａを除去して第２の裏面配線１５
を形成した後に、例えば液温４０℃、１０分間の条件に
おいて、酸化剤、例えば５重量％の過酸化水素水溶液に
コア基板１を浸漬させ、層間絶縁層３の表面上のめっき
触媒核４の残査を酸化してめっき触媒核４Ａとし、同様
に層間絶縁層１３の表面上のめっき触媒核１４の残査を
酸化してめっき触媒核１４Ａとする（図１０参照。）。

【００８１】（２）引き続き、例えば液温４０℃、１０
分間の条件において、めっき触媒除去液、例えば１６重
量％の臭化水素酸溶液にコア基板１を浸漬させ、酸化処
理しためっき触媒核４Ａを除去するとともに、酸化処理
しためっき触媒核１４Ａを除去する。

【００８２】上記一連の工程が終了すると、本発明の実
施の形態の第２の実施例に係る配線基板１０を完成させ
ることができる。

【００８３】第３の実施例：本発明の実施の形態の第３
の実施例に係る配線基板１０の製造方法は、上記第２の
配線基板１０の製造方法の具体例であり、上記第１の実
施例に係る配線基板１０の製造方法のめっき触媒核４の
残査及びめっき触媒核１４の残査の除去条件を代えた場
合を説明するものである。

【００８４】すなわち、コア基板１の層間絶縁層３の表
面上の不必要な無電解めっき層５Ａを除去して第２の配
線５を形成し、層間絶縁層１３の表面上の不必要な無電
解めっき層１５Ａを除去して第２の裏面配線１５を形成
した後に、例えば液温４０℃、１０分間の条件におい
て、エアーレーションを行いつつ、めっき触媒除去液、
例えば４８重量％の臭化水素酸溶液にコア基板１を浸漬
させ、めっき触媒核４、１４のそれぞれの残査を酸化処
理を行うことなく直接的に除去する。

【００８５】上記一連の工程が終了すると、本発明の実
施の形態の第３の実施例に係る配線基板１０を完成させ
ることができる。

【００８６】第４の実施例：本発明の実施の形態の第４
の実施例に係る配線基板１０の製造方法は、上記第３の
実施例に係る配線基板１０の製造方法のめっき触媒核４
の残査及びめっき触媒核１４の残査の除去条件を代えた
場合を説明するものである。

【００８７】すなわち、コア基板１の層間絶縁層３の表
面上の不必要な無電解めっき層５Ａを除去して第２の配
線５を形成し、層間絶縁層１３の表面上の不必要な無電
解めっき層１５Ａを除去して第２の裏面配線１５を形成
した後に、例えば液温４０℃、１０分間の条件におい
て、エアーレーションを行いつつ、めっき触媒除去液、
例えば３６重量％の塩酸溶液にコア基板１を浸漬させ、
めっき触媒核４、１４のそれぞれの残査を酸化処理を行
うことなく直接的に除去する。

【００８８】上記一連の工程が終了すると、本発明の実
施の形態の第４の実施例に係る配線基板１０を完成させ
ることができる。

【００８９】比較例：本発明の実施の形態の第１及び第
２の実施例に係る配線基板１０の製造方法は、めっき触
媒核４及び１４の残査を酸化した後にめっき触媒除去液
で除去する方法であり、第３及び第４の実施例に係る配
線基板１０の製造方法は、めっき触媒核４及び１４の残
査を直接的にめっき触媒除去液で除去する方法である
が、比較例はこのようなめっき触媒核４及び１４の残査
を除去しないで製造された配線基板である。

【００９０】第１乃至第４の実施例と比較例との相違
点：図１１に、上記本発明の実施の形態の第１乃至第４
の実施例に係る配線基板１０、比較例に係る配線基板の
それぞれにおいて、配線間の絶縁特性の測定結果、めっ
き触媒核の残査量の測定結果並びに樹脂上のＮｉ降りの
有無の観測結果を示す。

【００９１】配線間の絶縁特性とは、第２の配線５間、
第２の裏面配線１５間の絶縁特性であり、この絶縁特性
は抵抗値で表すことができる。比較例に係る配線基板の
抵抗値（絶縁特性）は２．５×１０^７Ωであるのに対し
て、上記第１乃至第４の実施例に係る配線基板１０の抵
抗値は８．０×１０^１２Ω〜３．０×１０^１３Ωであ
り、第１乃至第４の実施例に係る配線基板１０の抵抗値
は５桁以上高い値を得ることができる。

【００９２】めっき触媒核の残査量とは、層間絶縁層３
の表面上のめっき触媒核４の残査量又は層間絶縁層１３
の表面上のめっき触媒核１４の残査量、すなわちＰｄの
残査量である。図１１に示す残査量は、層間絶縁層３又
は１３部分を切断し、２０％王水に５時間浸漬させ、原
子吸光にて単位面積当たりのＰｄ残査量を測定する方法
で得られた結果である。比較例に係る配線基板のＰｄの
残査量は２．０μｇ／ｃｍ^２であるのに対して、上記第
１乃至第３の実施例に係る配線基板１０のＰｄの残査量
はゼロ、第４の実施例に係る配線基板１０のＰｄの残査
量は０．１μｇ／ｃｍ^２と微量であり、上記第１乃至第
４の実施例に係る配線基板１０はＰｄの残査を殆ど除去
することができる。

【００９３】Ｎｉ降りの有無の観測とは、第２の配線５
の表面上、第２の裏面配線１５の表面上のそれぞれに耐
食性等を目的としてＮｉめっき層を形成した場合に、こ
のＮｉめっき層が本来形成したくない第２の配線５間の
層間絶縁層３の表面上、第２の裏面配線１５間の層間絶
縁層１３の表面上のそれぞれに存在するか否かを観測す
ることである。Ｎｉめっき層は以下の手順で形成され
る。まず、液温６０℃の酸性脱脂溶液Ｚ−２００（ワー
ルドメタル社製 商品名）に配線基板１０を１分間浸漬
させ、引き続き５０ｇ／リットルの過硫酸ソーダ溶液に
１分間浸漬させ、引き続き１０体積％の硫酸に室温にお
いて１分間浸漬させる。次に、メルプレートアクチベー
タ（メルテックス株式会社製 商品名）に室温において
５分間浸漬させる。次に、無電解ニッケル−リン合金め
っき溶液、例えばＮＩＰＳ−１００（日立化成工業株式
会社製 商品名）に液温９０℃、１０時間の条件におい
て浸漬させ、第２の配線５の表面上及び第２の裏面配線
１５の表面上に形成する。Ｎｉ降りの有無はこの後に観
測される。

【００９４】図１１に示すように、比較例に係る配線基
板においては層間絶縁層（樹脂）上の全面にＮｉ降りが
観測されたが、上記第１乃至第４の実施例に係る配線基
板１０においては、層間絶縁層３、１３のそれぞれの表
面上にＮｉ降りは観測されなかった。

【００９５】（その他の実施の形態）本発明は上記実施
の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述
及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべき
ではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形
態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。

【００９６】例えば、上記実施の形態は、「樹脂」とし
ての層間絶縁層３、１３上にめっき触媒核４、１４を形
成し、このめっき触媒核４、１４の不必要な残査を除去
する方法について説明したが、本発明は、コア基板１を
「樹脂」として、第１の配線２、第１の裏面配線１２又
はスルーホール配線６をめっき層として形成するための
めっき触媒核を形成し、このめっき触媒核の不必要な残
査を除去してもよい。

【００９７】さらに、上記実施の形態は、コア基板１の
表面上に第１の配線２及び第２の配線５の２層配線を有
し、コア基板１の裏面上に第１の裏面配線１２及び第２
の裏面配線１５の２層配線を有する場合を説明したが、
本発明は、１層配線、３層配線若しくは３層以上の多層
配線を有する場合等に適用することができる。

【００９８】このように、本発明はここでは記載してい
ない様々な実施の形態等を含むことは勿論である。した
がって、本発明の技術的範囲は上記の説明から妥当な特
許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められ
るものである。

【００９９】

【発明の効果】本発明によれば、配線間の絶縁特性を向
上することができ、又配線間の短絡を防止することがで
きるめっき触媒核除去方法を提供することができる。

【０１００】さらに、本発明は、配線間の絶縁特性を向
上することができ、又配線間の短絡を防止することがで
き、かつ工程数を減少することができるめっき触媒核除
去方法を提供することができる。

【０１０１】さらに、本発明は、配線間の絶縁特性を向
上することができ、又配線間の短絡を防止することがで
き、製造上の歩留まりを向上することができる配線基板
の製造方法を提供することができる。

【０１０２】さらに、本発明は、配線間の絶縁特性を向
上することができ、又配線間の短絡を防止することがで
き、製造上の歩留まりを向上することができ、かつ工程
数を減少することができる配線基板の製造方法を提供す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係る配線基板の要部の断
面構造図である。

【図２】本発明の実施の形態に係る配線基板の工程断面
図である。

【図３】図２に続く配線基板の工程断面図である。

【図４】図３に続く配線基板の工程断面図である。

【図５】図４に続く配線基板の工程断面図である。

【図６】図５に続く配線基板の工程断面図である。

【図７】図６に続く配線基板の工程断面図である。

【図８】図７に続く配線基板の工程断面図である。

【図９】図８に続く配線基板の工程断面図である。

【図１０】図９に続く配線基板の工程断面図である。

【図１１】本発明の実施の形態に係る配線基板の効果を
説明するための図である。

【符号の説明】

１ コア基板 ２ 第１の配線 ３，１３ 層間絶縁層 ３Ｈ，１３Ｈ ビアホール ４，１４，４Ａ，１４Ａ めっき触媒核 ５ 第２の配線 ５Ａ，１５Ａ 無電解めっき層 ５Ｂ，１５Ｂ 電解めっき層 ６ スルーホール配線 ７，１７ マスク １０ 配線基板 １２ 第１の裏面配線 １５ 第２の裏面配線

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 豊樹 茨城県下館市大字小川1500番地 日立化成 工業株式会社総合研究所内 Ｆターム(参考） 4K022 AA22 AA37 AA42 BA08 BA32 BA35 CA06 CA08 CA15 CA17 CA21 CA22 CA23 CA29 DA01 5E343 AA02 AA12 CC33 CC37 CC38 CC46 CC71 DD33 DD43 DD76 EE16 EE17 ER01 ER02 GG14

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 樹脂表面に形成されためっき触媒核を酸
   化し、酸化されためっき触媒核を溶解除去するめっき触
   媒核除去方法。
2. 【請求項２】 前記めっき触媒核は、パラジウムである
   ことを特徴とする請求項１に記載のめっき触媒核除去方
   法。
3. 【請求項３】 前記めっき触媒核は、めっき触媒核の還
   元反応の標準電極電位よりも反応の標準電極電位が高い
   酸化剤を使用して、酸化されることを特徴とする請求項
   ２に記載のめっき触媒核除去方法。
4. 【請求項４】 前記めっき触媒核は、過マンガン酸塩、
   クロム酸塩、過酸化水素、過塩素酸塩、塩素酸塩、亜塩
   素酸塩、ペルオキソ酸塩のうち少なくともいずれか１つ
   を主成分とする酸化剤を使用して、酸化されることを特
   徴とする請求項２に記載のめっき触媒核除去方法。
5. 【請求項５】 前記酸化されためっき触媒核は、シアン
   化合物、沸酸塩、臭化水素、酸塩、塩酸塩、ヨウ化水素
   酸塩、チオ硫酸塩、チオシアン化合物、エチレンジアミ
   ン四酢酸、エチレンジアミン、グリシンのうち少なくと
   もいずれか１つを主成分とするめっき触媒除去液を使用
   して、溶解除去されることを特徴とする請求項２に記載
   のめっき触媒核除去方法。
6. 【請求項６】 樹脂表面に形成されためっき触媒核を、
   沸酸、塩酸、臭化水素酸、ヨウ化水素酸、沸酸塩、塩酸
   塩、臭化水素酸塩、及びヨウ化水素酸塩のうちから選択
   された１種以上を含むめっき触媒核除去液で除去するめ
   っき触媒核除去方法。
7. 【請求項７】 前記めっき触媒核は、酸素分子を含有さ
   せためっき触媒除去液を使用して、溶解除去されること
   を特徴とする請求項６に記載のめっき触媒核除去方法。
8. 【請求項８】 少なくとも下記工程を備えたことを特徴
   とする配線基板の製造方法。 （１）樹脂上にめっき触媒核を形成する工程 （２）前記めっき触媒核の一部の領域上にめっきにより
   配線を形成する工程 （３）前記めっき触媒核の他の一部の領域を酸化する工
   程 （４）前記酸化されためっき触媒核の他の一部の領域を
   溶解除去する工程
9. 【請求項９】 少なくとも下記工程を備えたことを特徴
   とする配線基板の製造方法。 （１）樹脂上にめっき触媒核を形成する工程 （２）前記めっき触媒核の一部の領域上にめっきにより
   配線を形成する工程 （３）沸酸、塩酸、臭化水素酸、ヨウ化水素酸、沸酸
   塩、塩酸塩、臭化水素酸塩、ヨウ化水素塩のうち少なく
   ともいずれか１つを主成分とするめっき触媒除去液を使
   用して、前記めっき触媒核の他の一部の領域を溶解除去
   する工程