JP3123109B2 - 多層配線板とその製造方法 - Google Patents

多層配線板とその製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、接着性絶縁層を介し積
層された複数枚の内層用回路板を備える多層配線板とそ
の製造方法に係り、特に、内層用回路板に設けられた銅
箔製の配線層と上記接着性絶縁層との接着不良が防止で
きると共に製造工程途上で適用された適宜処理剤が上記
配線層と接着性絶縁層との界面に残留し難い多層配線板
とその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】この種の多層配線板は、例えば、図4〜
図10に示すような各工程を経て製造されている。以下
その概略を説明すると、図4に示すように銅箔により形
成された配線層を有する複数枚の内層用回路板aを外層
用銅箔a1と共に接着性絶縁層(プリプレグ)bを介し
積層して一体化し、かつ、適宜穿設手段により図5に示
すようなスルーホールcを穿設(ドリリング)した後、
このスルーホールcの内壁面を銅箔にて覆うため銅によ
るスルーホールめっき処理を施して図6に示すようなめ
っき層dを積層体表面とスルーホールc内壁面にそれぞ
れ形成する。
【0003】次いで、このめっき層dの面上にスルーホ
ールc周辺の一部と配線層形成部位を除きフォトレジス
ト層eをパターン状に形成する(図7参照)と共に、こ
のフォトレジスト層eから露出する部位に銅・はんだめ
っき層fを形成(図8参照)し、かつ、上記フォトレジ
スト層eを除去した後、この銅・はんだめっき層fをマ
スクにして図9に示すように上記めっき層d等をエッチ
ングにより除去し、更にこれ等面上にソルダー・レジス
ト層gを成膜して図10に示すような多層配線板hを製
造する方法が採られている。
【0004】ところで、上記複数枚の内層用回路板aを
接着性絶縁層(プリプレグ)bを介して積層する際、内
層用回路板aに設けられた配線層が表面平滑な銅箔によ
り構成されているため上記接着性絶縁層bとの接着強度
が不十分となり配線層と接着性絶縁層bとが経時的に剥
離し易い欠点があった。
【0005】このため、従来においては図11の(A)
〜(B)に示すように銅箔より成る配線層iの表面を、
例えば、水酸化ナトリウム(NaOH)が15〜25g
/l程度溶解されたアルカリ性亜塩素酸ナトリウム水溶
液等で酸化処理してCuOとCu2 Oより成る針状結晶
の酸化膜jを形成し、上記配線層iの表面を粗面化させ
て接着性絶縁層bとの接着強度の向上を図る方法が採ら
れている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】このような方法を採る
ことで全体的には配線層iと接着性絶縁層bとの接着強
度の向上が図れる反面、CuOとCu2 Oとで構成され
た酸化膜jはアルカリ溶液に対し耐性を有するものの酸
には比較的容易に溶解されてしまうため、多層配線板の
製造工程途上において図12(A)に示すようにスルー
ホールcの内壁面から露出する積層面が酸性の処理剤に
触れた場合(例えば上述したスルーホールめっき処理の
際、化学銅めっきに対する触媒性を付与するため塩酸酸
性のパラジウム・錫水溶液にて処理するような場合)、
その接触部位の酸化膜jが図12(B)に示すように酸
により溶解して上記配線層iの金属銅が露出され、図1
3に示すようにピンク色のリングrがスルーホールcの
周縁に沿って形成される“ハローイング”と称される現
象が発生することがあった。
【0007】そして、この現象が発生すると図14に示
すようにスルーホールc内壁面の配線層iと接着性絶縁
層bとの界面に空隙sが形成されてしまうためこれ等間
の接着強度の低下が起こって経時的に剥離し易くなる問
題点があり、かつ、この空隙s内に上記処理剤が残留し
易くなるため多層配線板としての信頼性を著しく低下さ
せる問題点があった。
【0008】このような技術的背景の下において本発明
者等が上記酸化膜jに耐酸性を付与する方法を鋭意研究
したところ、従来法において酸化膜jが耐酸性を示さな
い原因は酸により容易に溶解されるCuOが上記酸化膜
j中に多量に存在するためで、このCuOの比率を下げ
比較的耐酸性を有するCu2 Oの比率を上げることによ
り酸化膜jに耐酸性を付与できることを見出し本発明を
完成するに至ったものである。
【0009】因みに、従来法における酸化膜中のCu2
OのCuOに対する比(Cu2 O/CuO×100)は
30〜40%程度であり、また、上記ハローイングの発
生量(図13中、直径0.35mmのスルーホールc周縁
からの距離Lで示されるリングの幅により表示される)
は平均で130〜150μm以上であり数百μmになる
こともあった。
【0010】そこで、本発明の課題とするところは、上
記ハローイングの発生量を100μm以下にすることに
より内層用回路板に設けられた銅箔製の配線層と上記接
着性絶縁層との接着不良が防止できると共に製造工程途
上で適用された適宜処理剤が上記配線層と接着性絶縁層
との界面に残留し難い多層配線板とその製造方法を提供
することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】すなわち請求項に係
る発明は、Na 3 PO 4 、NaOHおよびNaClO 2
含有するアルカリ性亜塩素酸ナトリウム水溶液で構成さ
れた酸化処理液による酸化処理にてCuOとCu2Oの
酸化膜が表面に形成された銅箔製の配線層を有する内層
用回路板が接着性絶縁層を介し複数積層されて成る多層
配線板を前提とし、上記酸化膜中におけるCu2O/C
uOの比率が80%以上でその酸化膜の膜厚が0.4μ
m〜0.8μmに設定されていることを特徴とするもの
である。
【0012】また、請求項に係る発明は、銅箔により
形成された配線層を有する内層用回路板の上記配線層
、Na 3 PO 4 、NaOHおよびNaClO 2 を含有す
るアルカリ性亜塩素酸ナトリウム水溶液で構成された酸
化処理液を用い酸化処理してその表面にCuOとCu2
Oからなる酸化膜を形成し、かつ、酸化処理されたこれ
等複数枚の内層用回路板を接着性絶縁層を介し積層して
多層配線板を製造する方法を前提とし、酸化膜中におけ
るCu2O/CuOの比率が80%以上でその酸化膜の
膜厚が0.4μm〜0.8μmとなる条件で上記酸化処
理を施すことを特徴とするものである。
【0013】このような技術的手段において上記配線層
を酸化処理するための処理液としては、従来同様、Na
3 PO 4 、NaOHおよびNaClO 2 を含有するアルカ
リ性亜塩素酸ナトリウム水溶液がそのまま適用でき、ま
た、その処理方法も従来同様、予め脱脂処理された内層
用回路板を上記処理液に浸漬することによって行われ
る。
【0014】この場合、酸化膜中におけるCu2O/C
uOの比率が80%以上になるようにその処理温度を従
来の90〜95℃からこれより低い70〜85℃程度
に、また、処理時間を従来の4分30秒からこれより短
い時間に設定することが望ましい。また、上記アルカリ
性亜塩素酸ナトリウム水溶液のアルカリ濃度を従来より
高く設定することにより簡単に達成することができる。
【0015】尚、この様な条件で酸化処理を施した場合
にCu2 O/CuOの比率が80%以上となる理由につ
いては未だ十分に解明されてないが、上記条件に設定す
ると『Cu2 O→CuO』の反応が抑制されCuOの比
率が下がることに起因しているものと推察している。
【0016】また、2段階処理により上記Cu2Oの比
率をより高めた酸化膜を形成してもよい。すなわち、ア
ルカリ性亜塩素酸ナトリウム水溶液(アルカリ性酸化処
理液)で1回目の酸化処理を施して銅箔表面にCu2
とCuOの酸化膜を形成する。この場合、Cu2Oの結
晶は酸化膜の表面側から内側へ成長する傾向があるのに
対しCuOの結晶は酸化膜の内側から表面側へ成長する
傾向があるため、酸化膜の表面側はCuOの結晶で覆わ
れ酸化膜の内側にCu2Oの結晶が多く存在する傾向に
ある。従って、この酸化膜表面をエッチング処理してそ
の表面側に多量に存在するCuO結晶を除去することに
より酸化膜中のCu2Oの比率を高めることができる。
次に1回目のアルカリ性酸化処理液よりそのアルカリ濃
度が高いアルカリ性酸化処理液で2回目の酸化処理を施
すことにより酸化膜中のCu2Oの比率を更に高めるこ
とが可能となる。尚、最初の酸化処理と2回目の酸化処
理とを共にアルカリ濃度の高いアルカリ性酸化処理液で
行っても当然のことながらよい。また、1回目の酸化処
理で形成した酸化膜のエッチング条件としてはこの酸化
膜を溶解しうる酸性溶液、例えば、希硫酸等のオキソ
酸、希塩酸に代表される塩基酸、ハロゲン化水素酸等が
適用できる。また、このエッチングの処理時間はその酸
化膜の厚さが0.2μm前後、好ましくは0.15〜
0.20μm程度残るまで、例えば、十数秒ないし30
秒間程度とする。
【0017】次に、上記酸化膜の膜厚が大きくなると膜
端部の露出面積も大きくなり酸性の処理剤に触れた場合
のサイドエッチを受け易くなるため薄く設定した方がよ
い。請求項及びに係る発明はこの様な観点からなさ
れたもので、酸化膜の膜厚を0.4μm〜0.8μm程
度に設定することで上記サイドエッチを受け難くなりハ
ローイング現象が更に抑制される利点を有している。
【0018】尚、上述の酸化処理がなされた内層用回路
板を積層した後における多層配線板の製造工程は任意で
あり、例えば、上述した従来法と同様な工程を経て製造
してもよいし他の工程を経てもよい。また、適用される
内層用回路板については、その一面側にのみ配線層を有
するものでもあるいは両面側にそれぞれ配線層を有する
ものでもよく任意である。
【0019】
【0020】
【作用】請求項に係る発明によれば、配線層の表面に
形成された酸化膜中におけるCu2O/CuOの比率が
80%でその酸化膜の膜厚が0.4μm〜0.8μmに
設定されており、また、請求項に係る発明によれば、
酸化膜中におけるCu2O/CuOの比率が80%以上
でその酸化膜の膜厚が従来法における膜厚より小さな
0.4μm〜0.8μmとなる条件で酸化処理を施して
いることから、酸化膜の耐酸性が向上ししかも酸化膜の
膜厚も薄くサイドエッチが起り難いため、多層配線板の
製造工程途上において適宜酸処理を施しても上記配線層
の酸化膜が溶解され難くなり、配線層の金属銅が部分的
に露出するハローイング現象を確実に抑制することが可
能になる。
【0021】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て詳細に説明する。
【0022】[実施例1]まず、表裏両面に銅箔が貼着
されたガラス・エポキシ銅貼積層板(340mm×510
mm×1.6mm)を用い、従来同様、フォトエッチング処
理により上記銅箔をパターニングして内層用回路板を製
造した。
【0023】次に、ニュウトラル・クリーン68(商
標、シップレー社製)の25%溶液を用い60℃の条件
で上記内層用回路板の両面側に形成された銅箔製の配線
層を脱脂処理し、かつ、水洗した後、エッチ(Etc
h)746(商標、シップレー社製)を15%及びH2
2 を10%含む処理液を用いて60秒間のソフトエッ
チング処理を施しかつ水洗し、更に、硫酸を主成分とす
る固形酸(44g/l)を用いて酸洗しかつ水洗した。
【0024】この様に前処理された内層用回路板の配線
層を以下の条件で酸化処理し図1に示すように配線層1
の表面にCu2 OとCuOから成る酸化膜2を形成し
た。
【0025】 酸化処理液の組成:Na3PO4・12H2O 17g/l NaOH 31g/l NaClO2 43g/l 処理液温度:8℃ 処理時間:4分 尚、図1中、21はCuOを主成分とする酸化膜を、ま
た、22はCu2Oを主成分とする酸化膜をそれぞれ示
している。
【0026】また、上記酸化膜2の膜厚はオージェ分光
分析により0.6μmであることがまたCu2O/Cu
Oの比率は薄膜用X線回析装置により140%であるこ
とが確認された。
【0027】次いで、上記酸化膜2が形成された内層用
回路板を乾燥させた後、複数枚の内層用回路板を外層用
銅箔とともに接着性絶縁層を介して重合し、加熱加圧し
て多層配線板を製造した。
【0028】そして、従来と同様にこの多層配線板をド
リルにより孔開け加工して直径0.35mmのスルーホー
ルを形成し、かつ、従来同様酸洗等を行った後、スルー
ホールめっき処理(無電解銅めっき・パネルめっき)を
施してスルーホール内壁面と多層配線板表面に20μm
の銅めっき層を形成し、更に、水洗、酸洗等の常套処理
を施し、かつ、従来同様のフォトレジスト層形成処理、
20μmの電解銅めっき処理、エッチング処理、ソルダ
ー・レジスト層形成処理等を経て多層配線板を製造し
た。
【0029】この様にして求められた多層配線板のハロ
ーイング発生量について測定したところ、図2に示すよ
うにピンクリングの幅Lの値は約0μmで従来法に較
べて極めて低減され、従って、本発明を適用したことに
より配線層と接着性絶縁層との接着強度が強固でかつ配
線層と接着性絶縁層との界面に適宜処理剤が残留し難い
多層配線板が求められることが確認できた。
【0030】
【0031】
【0032】
【0033】[実施例] 以下の条件で酸化処理を2段階で行った以外は実施例1
と略同一である。
【0034】 (第一段階) 酸化処理液の組成:Na3 PO4 ・12H2 O 17g/l NaOH 21g/l NaClO2 43g/l 処理液温度:90℃ 処理時間:4分30秒 上記条件で酸化処理を施し図3(A)に示すように配線
層1の表面にCu2OとCuOから成る厚さ1.0μm
の酸化膜2を形成しかつ水洗した。
【0035】次に、この酸化処理された内層用回路板を
10%のH2 SO4 水溶液に20〜30秒間浸漬し、図
3(B)に示すように上記酸化膜2の厚さが0.2μm
になるまでエッチング処理し、かつ、水洗した。
【0036】次いで、以下に示す条件で第二段階の酸化
処理を施し、図3(C)に示すような酸化膜20を形成
しかつ水洗した。
【0037】 (第二段階) 酸化処理液の組成:Na3 PO4 ・12H2 O 17g/l NaOH 31g/l NaClO2 43g/l 処理液温度:80℃ 処理時間:4分 尚、上記酸化膜20の膜厚はオージェ分光分析により
0.6μmであることがまたCu2 O/CuOの比率は
薄膜用X線回析装置により150%であることが確認さ
れた。
【0038】そして、この様にして求められた多層配線
板のハローイング発生量について測定したところ、ピン
クリングの幅Lの値は約60μm以下であり実施例
同様に良好であることが確認できた。
【0039】[比較例]以下に示す条件で酸化処理を行
った以外は実施例1と略同一である。
【0040】 酸化処理液の組成:Na3 PO4 ・12H2 O 17g/l NaOH 21g/l NaClO2 43g/l 処理液温度:95℃ 処理時間:4分30秒 尚、上記酸化膜2の膜厚はオージェ分光分析により1.
0μmであることがまたCu2 O/CuOの比率は薄膜
用X線回析装置により33%であることが確認された。
【0041】そして、この比較例に係る多層配線板のハ
ローイング発生量について測定したところ、ピンクリン
グの幅Lの値は約140μmであり上記実施例1〜
多層配線板と較べ極めて劣っていることが確認できた。
【0042】
【0043】
【発明の効果】請求項及びに係る発明によれば、酸
化膜の耐酸性が向上ししかも酸化膜の膜厚も薄くサイド
エッチが起り難いため、多層配線板の製造工程途上にお
いて適宜酸処理を施しても上記配線層の酸化膜が溶解さ
れ難くなり配線層の金属銅が部分的に露出するハローイ
ング現象を確実に抑制することが可能になる。
【0044】従って、上記配線層と接着性絶縁層との接
着不良が防止できると共に配線層と接着性絶縁層との界
面に上記酸処理剤等が残留し難くなるため多層配線板と
しての信頼性を著しく向上できる効果を有している。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例に係る内層用回路板の一部拡大断面図。
【図2】実施例に係る多層配線板の一部拡大斜視図。
【図3】図3(A)〜(C)は2回の酸化処理により酸
化膜を形成する工程説明図。
【図4】従来の多層配線板の製造工程途上の斜視図。
【図5】従来の多層配線板の製造工程途上の斜視図。
【図6】従来の多層配線板の製造工程途上の斜視図。
【図7】従来の多層配線板の製造工程途上の斜視図。
【図8】従来の多層配線板の製造工程途上の斜視図。
【図9】従来の多層配線板の製造工程途上の斜視図。
【図10】製造された従来の多層配線板の概略斜視図。
【図11】図11(A)〜(B)は従来の配線層表面を
酸化処理する工程説明図。
【図12】図12(A)〜(B)はスルーホール形成後
における従来の多層配線板の一部拡大断面図。
【図13】スルーホール形成後における従来の多層配線
板の一部拡大斜視図。
【図14】図13のW−W面の部分断面図。
【符号の説明】
1 配線層 2 酸化膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平2−230794(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H05K 3/38 H05K 3/46

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】Na 3 PO 4 、NaOHおよびNaClO 2
    を含有するアルカリ性亜塩素酸ナトリウム水溶液で構成
    された酸化処理液による酸化処理にてCuOとCu2
    の酸化膜が表面に形成された銅箔製の配線層を有する内
    層用回路板が接着性絶縁層を介し複数積層されて成る多
    層配線板において、 上記酸化膜中におけるCu2O/CuOの比率が80%
    以上でその酸化膜の膜厚が0.4μm〜0.8μmに設
    定されていることを特徴とする多層配線板。
  2. 【請求項2】銅箔により形成された配線層を有する内層
    用回路板の上記配線層を、Na 3 PO 4 、NaOHおよび
    NaClO 2 を含有するアルカリ性亜塩素酸ナトリウム
    水溶液で構成された酸化処理液を用い酸化処理してその
    表面にCuOとCu2Oからなる酸化膜を形成し、か
    つ、酸化処理されたこれ等複数枚の内層用回路板を接着
    性絶縁層を介し積層して多層配線板を製造する方法にお
    いて、 酸化膜中におけるCu2O/CuOの比率が80%以上
    でその酸化膜の膜厚が0.4μm〜0.8μmとなる条
    件で上記酸化処理を施すことを特徴とする多層配線板の
    製造方法。
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