JP3123107B2 - 多層配線板の製造方法 - Google Patents
多層配線板の製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、接着性絶縁層を介し積
層された複数枚の内層用回路板を備える多層配線板の製
造方法に係り、特に、内層用回路板に設けられた銅箔製
の配線層と上記接着性絶縁層との接着不良が防止できる
と共に製造工程途上で適用された適宜処理剤が上記配線
層と接着性絶縁層との界面に残留し難い多層配線板の製
造方法に関するものである。
層された複数枚の内層用回路板を備える多層配線板の製
造方法に係り、特に、内層用回路板に設けられた銅箔製
の配線層と上記接着性絶縁層との接着不良が防止できる
と共に製造工程途上で適用された適宜処理剤が上記配線
層と接着性絶縁層との界面に残留し難い多層配線板の製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】この種の多層配線板は、例えば、図４〜
図１０に示すような各工程を経て製造されている。以下
その概略を説明すると、図４に示すように銅箔により形
成された配線層を有する複数枚の内層用回路板ａを外層
用銅箔ａ１と共に接着性絶縁層（プリプレグ）ｂを介し
積層して一体化し、かつ、適宜穿設手段により図５に示
すようなスルーホールｃを穿設（ドリリング）した後、
このスルーホールｃの内壁面を銅箔にて覆うため銅によ
るスルーホールめっき処理を施して図６に示すようなめ
っき層ｄを積層体表面とスルーホールｃ内壁面にそれぞ
れ形成する。
図１０に示すような各工程を経て製造されている。以下
その概略を説明すると、図４に示すように銅箔により形
成された配線層を有する複数枚の内層用回路板ａを外層
用銅箔ａ１と共に接着性絶縁層（プリプレグ）ｂを介し
積層して一体化し、かつ、適宜穿設手段により図５に示
すようなスルーホールｃを穿設（ドリリング）した後、
このスルーホールｃの内壁面を銅箔にて覆うため銅によ
るスルーホールめっき処理を施して図６に示すようなめ
っき層ｄを積層体表面とスルーホールｃ内壁面にそれぞ
れ形成する。
【０００３】次いで、このめっき層ｄの面上にスルーホ
ールｃ周辺の一部と配線層形成部位を除きフォトレジス
ト層ｅをパターン状に形成する（図７参照）と共に、こ
のフォトレジスト層ｅから露出する部位に銅・はんだめ
っき層ｆを形成（図８参照）し、かつ、上記フォトレジ
スト層ｅを除去した後、この銅・はんだめっき層ｆをマ
スクにして図９に示すように上記めっき層ｄ等をエッチ
ングにより除去し、更にこれ等面上にソルダー・レジス
ト層ｇを成膜して図１０に示すような多層配線板ｈを製
造する方法が採られている。
ールｃ周辺の一部と配線層形成部位を除きフォトレジス
ト層ｅをパターン状に形成する（図７参照）と共に、こ
のフォトレジスト層ｅから露出する部位に銅・はんだめ
っき層ｆを形成（図８参照）し、かつ、上記フォトレジ
スト層ｅを除去した後、この銅・はんだめっき層ｆをマ
スクにして図９に示すように上記めっき層ｄ等をエッチ
ングにより除去し、更にこれ等面上にソルダー・レジス
ト層ｇを成膜して図１０に示すような多層配線板ｈを製
造する方法が採られている。
【０００４】ところで、上記複数枚の内層用回路板ａを
接着性絶縁層（プリプレグ）ｂを介して積層する際、内
層用回路板ａに設けられた配線層が表面平滑な銅箔によ
り構成されているため上記接着性絶縁層ｂとの接着強度
が不十分となり配線層と接着性絶縁層ｂとが経時的に剥
離し易い欠点があった。
接着性絶縁層（プリプレグ）ｂを介して積層する際、内
層用回路板ａに設けられた配線層が表面平滑な銅箔によ
り構成されているため上記接着性絶縁層ｂとの接着強度
が不十分となり配線層と接着性絶縁層ｂとが経時的に剥
離し易い欠点があった。
【０００５】このため、従来においては図１１の（Ａ）
〜（Ｂ）に示すように銅箔より成る配線層ｉの表面を、
例えば、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）が１５〜２５ｇ
／ｌ程度溶解されたアルカリ性亜塩素酸ナトリウム水溶
液等で酸化処理してＣｕＯとＣｕ2 Ｏより成る針状結晶
の酸化膜ｊを形成し、上記配線層ｉの表面を粗面化させ
て接着性絶縁層ｂとの接着強度の向上を図る方法が採ら
れている。
〜（Ｂ）に示すように銅箔より成る配線層ｉの表面を、
例えば、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）が１５〜２５ｇ
／ｌ程度溶解されたアルカリ性亜塩素酸ナトリウム水溶
液等で酸化処理してＣｕＯとＣｕ2 Ｏより成る針状結晶
の酸化膜ｊを形成し、上記配線層ｉの表面を粗面化させ
て接着性絶縁層ｂとの接着強度の向上を図る方法が採ら
れている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このような方法を採る
ことで全体的には配線層ｉと接着性絶縁層ｂとの接着強
度の向上が図れる反面、ＣｕＯとＣｕ2 Ｏとで構成され
た酸化膜ｊはアルカリ溶液に対し耐性を有するものの酸
には比較的容易に溶解されてしまうため、多層配線板の
製造工程途上において図１２（Ａ）に示すようにスルー
ホールｃの内壁面から露出する積層面が酸性の処理剤に
触れた場合（例えば上述したスルーホールめっき処理の
際、化学銅めっきに対する触媒性を付与するため塩酸酸
性のパラジウム・錫水溶液にて処理するような場合）、
その接触部位の酸化膜ｊが図１２（Ｂ）に示すように酸
により溶解して上記配線層ｉの金属銅が露出され、図１
３に示すようにピンク色のリングｒがスルーホールｃの
周縁に沿って形成される“ハローイング”と称される現
象が発生することがあった。
ことで全体的には配線層ｉと接着性絶縁層ｂとの接着強
度の向上が図れる反面、ＣｕＯとＣｕ2 Ｏとで構成され
た酸化膜ｊはアルカリ溶液に対し耐性を有するものの酸
には比較的容易に溶解されてしまうため、多層配線板の
製造工程途上において図１２（Ａ）に示すようにスルー
ホールｃの内壁面から露出する積層面が酸性の処理剤に
触れた場合（例えば上述したスルーホールめっき処理の
際、化学銅めっきに対する触媒性を付与するため塩酸酸
性のパラジウム・錫水溶液にて処理するような場合）、
その接触部位の酸化膜ｊが図１２（Ｂ）に示すように酸
により溶解して上記配線層ｉの金属銅が露出され、図１
３に示すようにピンク色のリングｒがスルーホールｃの
周縁に沿って形成される“ハローイング”と称される現
象が発生することがあった。
【０００７】そして、この現象が発生すると図１４に示
すようにスルーホールｃ内壁面の配線層ｉと接着性絶縁
層ｂとの界面に空隙ｓが形成されてしまうためこれ等間
の接着強度の低下が起こって経時的に剥離し易くなる問
題点があり、かつ、この空隙ｓ内に上記処理剤が残留し
易くなるため多層配線板としての信頼性を著しく低下さ
せる問題点があった。
すようにスルーホールｃ内壁面の配線層ｉと接着性絶縁
層ｂとの界面に空隙ｓが形成されてしまうためこれ等間
の接着強度の低下が起こって経時的に剥離し易くなる問
題点があり、かつ、この空隙ｓ内に上記処理剤が残留し
易くなるため多層配線板としての信頼性を著しく低下さ
せる問題点があった。
【０００８】このような技術的背景の下において本発明
者等が上記酸化膜ｊに耐酸性を付与する方法を鋭意研究
したところ、従来法において酸化膜ｊが耐酸性を示さな
い原因は酸により容易に溶解されるＣｕＯが上記酸化膜
ｊ中に多量に存在するためで、このＣｕＯの比率を下げ
比較的耐酸性を有するＣｕ2 Ｏの比率を上げることによ
り酸化膜ｊに耐酸性を付与できることを見出し本発明を
完成するに至ったものである。
者等が上記酸化膜ｊに耐酸性を付与する方法を鋭意研究
したところ、従来法において酸化膜ｊが耐酸性を示さな
い原因は酸により容易に溶解されるＣｕＯが上記酸化膜
ｊ中に多量に存在するためで、このＣｕＯの比率を下げ
比較的耐酸性を有するＣｕ2 Ｏの比率を上げることによ
り酸化膜ｊに耐酸性を付与できることを見出し本発明を
完成するに至ったものである。
【０００９】因みに、従来法における酸化膜中のＣｕ2
ＯのＣｕＯに対する比（Ｃｕ2 Ｏ／ＣｕＯ×１００）は
３０〜４０％程度であり、また、上記ハローイングの発
生量（図１３中、直径０．３５mmのスルーホールｃ周縁
からの距離Ｌで示されるリングの幅により表示される）
は平均で１３０〜１５０μｍ以上であり数百μｍになる
こともあった。
ＯのＣｕＯに対する比（Ｃｕ2 Ｏ／ＣｕＯ×１００）は
３０〜４０％程度であり、また、上記ハローイングの発
生量（図１３中、直径０．３５mmのスルーホールｃ周縁
からの距離Ｌで示されるリングの幅により表示される）
は平均で１３０〜１５０μｍ以上であり数百μｍになる
こともあった。
【００１０】そこで、本発明の課題とするところは、上
記ハローイングの発生量を１００μｍ以下にすることに
より内層用回路板に設けられた銅箔製の配線層と上記接
着性絶縁層との接着不良が防止できると共に製造工程途
上で適用された適宜処理剤が上記配線層と接着性絶縁層
との界面に残留し難い多層配線板の製造方法を提供する
ことにある。
記ハローイングの発生量を１００μｍ以下にすることに
より内層用回路板に設けられた銅箔製の配線層と上記接
着性絶縁層との接着不良が防止できると共に製造工程途
上で適用された適宜処理剤が上記配線層と接着性絶縁層
との界面に残留し難い多層配線板の製造方法を提供する
ことにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、銅箔
により形成された配線層を有する内層用回路板の上記配
線層を酸化処理してその表面にＣｕＯとＣｕ2Ｏからな
る酸化膜を形成し、かつ、酸化処理されたこれ等複数枚
の内層用回路板を接着性絶縁層を介し積層して多層配線
板を製造する方法を前提とし、Ｎａ 3 ＰＯ 4 、ＮａＯＨお
よびＮａＣｌＯ 2 を含有する第一のアルカリ性酸化処理
液により酸化処理して上記配線層の表面にＣｕＯとＣｕ
2Ｏからなる第一の酸化膜を形成し、次いでこの第一の
酸化膜表面を一様にエッチングしてその膜厚を薄く設定
した後、上記第一のアルカリ性酸化処理液と較べＮａＯ
Ｈの濃度のみが高い第二のアルカリ性酸化処理液により
再度酸化処理して第二の酸化膜を形成することを特徴と
するものである。
により形成された配線層を有する内層用回路板の上記配
線層を酸化処理してその表面にＣｕＯとＣｕ2Ｏからな
る酸化膜を形成し、かつ、酸化処理されたこれ等複数枚
の内層用回路板を接着性絶縁層を介し積層して多層配線
板を製造する方法を前提とし、Ｎａ 3 ＰＯ 4 、ＮａＯＨお
よびＮａＣｌＯ 2 を含有する第一のアルカリ性酸化処理
液により酸化処理して上記配線層の表面にＣｕＯとＣｕ
2Ｏからなる第一の酸化膜を形成し、次いでこの第一の
酸化膜表面を一様にエッチングしてその膜厚を薄く設定
した後、上記第一のアルカリ性酸化処理液と較べＮａＯ
Ｈの濃度のみが高い第二のアルカリ性酸化処理液により
再度酸化処理して第二の酸化膜を形成することを特徴と
するものである。
【００１２】このような技術的手段において上記配線層
を酸化処理するための処理液としては、従来同様、アル
カリ性亜塩素酸ナトリウム水溶液がそのまま適用でき、
また、その処理方法も従来同様、予め脱脂処理された内
層用回路板を上記処理液に浸漬することによって行われ
る。
を酸化処理するための処理液としては、従来同様、アル
カリ性亜塩素酸ナトリウム水溶液がそのまま適用でき、
また、その処理方法も従来同様、予め脱脂処理された内
層用回路板を上記処理液に浸漬することによって行われ
る。
【００１３】そして、本発明はそのアルカリ濃度（Ｎａ
ＯＨ濃度）が相違する２種類のアルカリ性酸化処理液を
用いた２段階処理によりＣｕ2Ｏの比率が高い酸化膜を
形成することを特徴とするものである。すなわち、Ｎａ
3 ＰＯ 4 、ＮａＯＨおよびＮａＣｌＯ 2 を含有する第一の
アルカリ性酸化処理液で前段の酸化処理を施して銅箔表
面にＣｕ2ＯとＣｕＯの第一の酸化膜を形成する。
ＯＨ濃度）が相違する２種類のアルカリ性酸化処理液を
用いた２段階処理によりＣｕ2Ｏの比率が高い酸化膜を
形成することを特徴とするものである。すなわち、Ｎａ
3 ＰＯ 4 、ＮａＯＨおよびＮａＣｌＯ 2 を含有する第一の
アルカリ性酸化処理液で前段の酸化処理を施して銅箔表
面にＣｕ2ＯとＣｕＯの第一の酸化膜を形成する。
【００１４】この場合、Ｃｕ2 Ｏの結晶は酸化膜の表面
側から内側へ成長する傾向があるのに対しＣｕＯの結晶
は酸化膜の内側から表面側へ成長する傾向があるため、
上記酸化膜の表面側はＣｕＯの結晶で覆われ酸化膜の内
側にＣｕ2 Ｏの結晶が多く偏在する傾向にある。
側から内側へ成長する傾向があるのに対しＣｕＯの結晶
は酸化膜の内側から表面側へ成長する傾向があるため、
上記酸化膜の表面側はＣｕＯの結晶で覆われ酸化膜の内
側にＣｕ2 Ｏの結晶が多く偏在する傾向にある。
【００１５】従って、この第一の酸化膜表面をエッチン
グ処理してその表面側に多量に偏在するＣｕＯの結晶を
除去することによりＣｕ2 Ｏの比率が高い酸化膜の薄膜
を残留させることができる。
グ処理してその表面側に多量に偏在するＣｕＯの結晶を
除去することによりＣｕ2 Ｏの比率が高い酸化膜の薄膜
を残留させることができる。
【００１６】次いで、水洗後今度は第一のアルカリ性酸
化処理液と較べＮａＯＨの濃度のみが高い第二のアルカ
リ性酸化処理液で酸化処理を施して第一の酸化膜上へＣ
ｕ2Ｏ／ＣｕＯの比率が８０％以上の第二の酸化膜を形
成し、これ等第一と第二の酸化膜とでＣｕ2Ｏの比率が
高い酸化膜を形成するものである。
化処理液と較べＮａＯＨの濃度のみが高い第二のアルカ
リ性酸化処理液で酸化処理を施して第一の酸化膜上へＣ
ｕ2Ｏ／ＣｕＯの比率が８０％以上の第二の酸化膜を形
成し、これ等第一と第二の酸化膜とでＣｕ2Ｏの比率が
高い酸化膜を形成するものである。
【００１７】尚、後段の酸化処理における処理温度につ
いては、従来の９０〜９５℃からこれより低い７０〜８
５℃程度に、また、処理時間を従来の約４分３０秒から
これより短い時間に設定することが望ましい。
いては、従来の９０〜９５℃からこれより低い７０〜８
５℃程度に、また、処理時間を従来の約４分３０秒から
これより短い時間に設定することが望ましい。
【００１８】また、前段の酸化処理で形成された第一の
酸化膜のエッチング条件としては、この酸化膜を溶解し
得る酸性溶液、例えば、希硫酸等のオキソ酸、希塩酸に
代表される塩基酸、ハロゲン化水素酸等が適用できる。
また、このエッチングの処理時間はその酸化膜の厚さが
０．２μｍ前後、好ましくは０．１５〜０．２０μｍ程
度残るまで、例えば、十数秒ないし３０秒間程度とす
る。
酸化膜のエッチング条件としては、この酸化膜を溶解し
得る酸性溶液、例えば、希硫酸等のオキソ酸、希塩酸に
代表される塩基酸、ハロゲン化水素酸等が適用できる。
また、このエッチングの処理時間はその酸化膜の厚さが
０．２μｍ前後、好ましくは０．１５〜０．２０μｍ程
度残るまで、例えば、十数秒ないし３０秒間程度とす
る。
【００１９】ここで、後段の酸化処理、すなわち第一の
アルカリ性酸化処理液と較べアルカリ濃度（ＮａＯＨ濃
度）のみが高い第二のアルカリ性酸化処理液で酸化処理
を施した場合にＣｕ2Ｏ／ＣｕＯの比率が８０％以上と
なる理由については未だ十分に解明されてないが、アル
カリ濃度を高く設定すると『Ｃｕ2Ｏ→ＣｕＯ』の反応
が抑制されＣｕＯの比率が下がることに起因しているも
のと推察している。
アルカリ性酸化処理液と較べアルカリ濃度（ＮａＯＨ濃
度）のみが高い第二のアルカリ性酸化処理液で酸化処理
を施した場合にＣｕ2Ｏ／ＣｕＯの比率が８０％以上と
なる理由については未だ十分に解明されてないが、アル
カリ濃度を高く設定すると『Ｃｕ2Ｏ→ＣｕＯ』の反応
が抑制されＣｕＯの比率が下がることに起因しているも
のと推察している。
【００２０】次に、上記酸化膜の膜厚については特に制
限はなく、従来同様、１．０μｍ前後の適宜値に設定可
能である。但し、この膜厚が大きくなると膜端部の露出
面積も大きくなり酸性の処理剤に触れた場合のサイドエ
ッチを受け易くなるため、好ましくは薄く設定した方が
よい。
限はなく、従来同様、１．０μｍ前後の適宜値に設定可
能である。但し、この膜厚が大きくなると膜端部の露出
面積も大きくなり酸性の処理剤に触れた場合のサイドエ
ッチを受け易くなるため、好ましくは薄く設定した方が
よい。
【００２１】尚、上述の酸化処理がなされた内層用回路
板を積層した後における多層配線板の製造工程は任意で
あり、例えば、上述した従来法と同様な工程を経て製造
してもよいし他の工程を経てもよい。また、適用される
内層用回路板についてはその一面側にのみ配線層を有す
るものでもあるいは両面側にそれぞれ配線層を有するも
のでもよく任意である。
板を積層した後における多層配線板の製造工程は任意で
あり、例えば、上述した従来法と同様な工程を経て製造
してもよいし他の工程を経てもよい。また、適用される
内層用回路板についてはその一面側にのみ配線層を有す
るものでもあるいは両面側にそれぞれ配線層を有するも
のでもよく任意である。
【００２２】
【作用】この様な技術的手段によれば、Ｎａ 3 ＰＯ 4 、Ｎ
ａＯＨおよびＮａＣｌＯ 2 を含有する第一のアルカリ性
酸化処理液により酸化処理して上記配線層の表面にＣｕ
ＯとＣｕ2Ｏからなる第一の酸化膜を形成し、かつ、こ
の第一の酸化膜表面を一様にエッチングしてその膜厚を
薄く設定しているため第一の酸化膜表面に偏在するＣｕ
Ｏが除去されてＣｕ2Ｏ／ＣｕＯの比率が上がる一方、
このエッチング処理後において上記第一のアルカリ性酸
化処理液と較べＮａＯＨの濃度のみが高い第二のアルカ
リ性酸化処理液により酸化処理を再度行っているため第
二の酸化膜中におけるＣｕ2Ｏ／ＣｕＯの比率が８０％
以上となる。
ａＯＨおよびＮａＣｌＯ 2 を含有する第一のアルカリ性
酸化処理液により酸化処理して上記配線層の表面にＣｕ
ＯとＣｕ2Ｏからなる第一の酸化膜を形成し、かつ、こ
の第一の酸化膜表面を一様にエッチングしてその膜厚を
薄く設定しているため第一の酸化膜表面に偏在するＣｕ
Ｏが除去されてＣｕ2Ｏ／ＣｕＯの比率が上がる一方、
このエッチング処理後において上記第一のアルカリ性酸
化処理液と較べＮａＯＨの濃度のみが高い第二のアルカ
リ性酸化処理液により酸化処理を再度行っているため第
二の酸化膜中におけるＣｕ2Ｏ／ＣｕＯの比率が８０％
以上となる。
【００２３】従って、耐酸性の大きいＣｕ2 Ｏの割合が
増大する分、第一の酸化膜と第二の酸化膜で構成される
酸化膜の耐酸性も向上するため、多層配線板の製造工程
途上において適宜酸処理を施しても上記配線層の酸化膜
が溶解され難くなり、配線層の金属銅が部分的に露出す
るハローイング現象を抑制することが可能になる。
増大する分、第一の酸化膜と第二の酸化膜で構成される
酸化膜の耐酸性も向上するため、多層配線板の製造工程
途上において適宜酸処理を施しても上記配線層の酸化膜
が溶解され難くなり、配線層の金属銅が部分的に露出す
るハローイング現象を抑制することが可能になる。
【００２４】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【００２５】まず、表裏両面に銅箔が貼着されたガラス
・エポキシ銅貼積層板（３４０mm×５１０mm×１．６m
m）を用い、従来同様、フォトエッチング処理により上
記銅箔をパターニングして内層用回路板を製造した。
・エポキシ銅貼積層板（３４０mm×５１０mm×１．６m
m）を用い、従来同様、フォトエッチング処理により上
記銅箔をパターニングして内層用回路板を製造した。
【００２６】次に、ニュウトラル・クリーン６８（商
標、シップレー社製）の２５％溶液を用い６０℃の条件
で上記内層用回路板の両面側に形成された銅箔製の配線
層を脱脂処理し、かつ、水洗した後、エッチ（Ｅｔｃ
ｈ）７４６（商標、シップレー社製）を１５％及びＨ2
Ｏ2 を１０％含む処理液を用いて６０秒間のソフトエッ
チング処理を施しかつ水洗し、更に、硫酸を主成分とす
る固形酸（４４ｇ／ｌ）をを用いて酸洗しかつ水洗し
た。
標、シップレー社製）の２５％溶液を用い６０℃の条件
で上記内層用回路板の両面側に形成された銅箔製の配線
層を脱脂処理し、かつ、水洗した後、エッチ（Ｅｔｃ
ｈ）７４６（商標、シップレー社製）を１５％及びＨ2
Ｏ2 を１０％含む処理液を用いて６０秒間のソフトエッ
チング処理を施しかつ水洗し、更に、硫酸を主成分とす
る固形酸（４４ｇ／ｌ）をを用いて酸洗しかつ水洗し
た。
【００２７】この様に前処理された内層用回路板の配線
層を以下の条件で酸化処理し図１に示すように配線層１
の表面にＣｕ2 ＯとＣｕＯから成る酸化膜２を形成し
た。
層を以下の条件で酸化処理し図１に示すように配線層１
の表面にＣｕ2 ＯとＣｕＯから成る酸化膜２を形成し
た。
【００２８】尚、図１中、２１はＣｕＯを主成分とする
酸化膜を、また、２２はＣｕ2 Ｏを主成分とする酸化膜
をそれぞれ示している。
酸化膜を、また、２２はＣｕ2 Ｏを主成分とする酸化膜
をそれぞれ示している。
【００２９】 （第一段階） 酸化処理液の組成：Ｎａ3 ＰＯ4 ・１２Ｈ2 Ｏ １７ｇ／ｌ ＮａＯＨ ２１ｇ／ｌ ＮａＣｌＯ2 ４３ｇ／ｌ 処理液温度：９０℃ 処理時間：４分３０秒 上記条件で酸化処理を施し図３（Ａ）に示すように配線
層１の表面にＣｕ2ＯとＣｕＯから成る厚さ１．０μｍ
の酸化膜２を形成しかつ水洗した。
層１の表面にＣｕ2ＯとＣｕＯから成る厚さ１．０μｍ
の酸化膜２を形成しかつ水洗した。
【００３０】次に、この酸化処理された内層用回路板を
１０％のＨ2 ＳＯ4 水溶液に２０〜３０秒間浸漬し、図
３（Ｂ）に示すように上記酸化膜２の厚さが０．２μｍ
になるまでエッチング処理し、かつ、水洗した。
１０％のＨ2 ＳＯ4 水溶液に２０〜３０秒間浸漬し、図
３（Ｂ）に示すように上記酸化膜２の厚さが０．２μｍ
になるまでエッチング処理し、かつ、水洗した。
【００３１】次いで、以下に示す条件で第二段階の酸化
処理を施し、図３（Ｃ）に示すような酸化膜２を形成し
かつ水洗した。
処理を施し、図３（Ｃ）に示すような酸化膜２を形成し
かつ水洗した。
【００３２】 （第二段階） 酸化処理液の組成：Ｎａ3 ＰＯ4 ・１２Ｈ2 Ｏ １７ｇ／ｌ ＮａＯＨ ３１ｇ／ｌ ＮａＣｌＯ2 ４３ｇ／ｌ 処理液温度：８０℃ 処理時間：４分 尚、上記酸化膜２の膜厚はオージェ分光分析により０．
６μｍであることが、またＣｕ2 Ｏ／ＣｕＯの比率は薄
膜用Ｘ線回析装置により１５０％であることが確認され
た。
６μｍであることが、またＣｕ2 Ｏ／ＣｕＯの比率は薄
膜用Ｘ線回析装置により１５０％であることが確認され
た。
【００３３】次いで、上記酸化膜２が形成された内層用
回路板を乾燥させた後、複数枚の内層用回路板を外層用
銅箔とともに接着性絶縁層を介して重合し、加熱加圧し
て多層配線板を製造した。
回路板を乾燥させた後、複数枚の内層用回路板を外層用
銅箔とともに接着性絶縁層を介して重合し、加熱加圧し
て多層配線板を製造した。
【００３４】そして、従来と同様にこの多層配線板をド
リルにより孔開け加工して直径０．３５mmのスルーホー
ルを形成し、かつ、従来同様酸洗等を行った後、スルー
ホールめっき処理（無電解銅めっき・パネルめっき）を
施してスルーホール内壁面と多層配線板表面に２０μｍ
の銅めっき層を形成し、更に、水洗、酸洗等の常套処理
を施し、かつ、従来同様のフォトレジスト層形成処理、
２０μｍの電解銅めっき処理、エッチング処理、ソルダ
ー・レジスト層形成処理等を経て多層配線板を製造し
た。
リルにより孔開け加工して直径０．３５mmのスルーホー
ルを形成し、かつ、従来同様酸洗等を行った後、スルー
ホールめっき処理（無電解銅めっき・パネルめっき）を
施してスルーホール内壁面と多層配線板表面に２０μｍ
の銅めっき層を形成し、更に、水洗、酸洗等の常套処理
を施し、かつ、従来同様のフォトレジスト層形成処理、
２０μｍの電解銅めっき処理、エッチング処理、ソルダ
ー・レジスト層形成処理等を経て多層配線板を製造し
た。
【００３５】この様にして求められた多層配線板のハロ
ーイング発生量について測定したところ、図２に示すよ
うにピンクリングの幅Ｌの値は約６０μｍ以下で従来法
に較べて極めて低減され、従って、本発明を適用したこ
とにより配線層と接着性絶縁層との接着強度が強固でか
つ配線層と接着性絶縁層との界面に適宜処理剤が残留し
難い多層配線板が求められることが確認できた。
ーイング発生量について測定したところ、図２に示すよ
うにピンクリングの幅Ｌの値は約６０μｍ以下で従来法
に較べて極めて低減され、従って、本発明を適用したこ
とにより配線層と接着性絶縁層との接着強度が強固でか
つ配線層と接着性絶縁層との界面に適宜処理剤が残留し
難い多層配線板が求められることが確認できた。
【００３６】［比較例］以下に示す条件で酸化処理を行
った以外は実施例と略同一である。
った以外は実施例と略同一である。
【００３７】 酸化処理液の組成：Ｎａ3 ＰＯ4 ・１２Ｈ2 Ｏ １７ｇ／ｌ ＮａＯＨ ２１ｇ／ｌ ＮａＣｌＯ2 ４３ｇ／ｌ 処理液温度：９５℃ 処理時間：４分３０秒 尚、上記酸化膜２の膜厚はオージェ分光分析により１．
０μｍであることが、またＣｕ2 Ｏ／ＣｕＯの比率は薄
膜用Ｘ線回析装置により３３％であることが確認され
た。
０μｍであることが、またＣｕ2 Ｏ／ＣｕＯの比率は薄
膜用Ｘ線回析装置により３３％であることが確認され
た。
【００３８】そして、この比較例に係る多層配線板のハ
ローイング発生量について測定したところ、ピンクリン
グの幅Ｌの値は約１４０μｍであり実施例の多層配線板
と較べ極めて劣っていことが確認できた。
ローイング発生量について測定したところ、ピンクリン
グの幅Ｌの値は約１４０μｍであり実施例の多層配線板
と較べ極めて劣っていことが確認できた。
【００３９】
【発明の効果】本発明によれば、多層配線板の製造工程
途上において適宜酸処理を施しても上記配線層の酸化膜
が溶解され難くなり、配線層の金属銅が部分的に露出す
るハローイング現象を抑制することが可能になる。
途上において適宜酸処理を施しても上記配線層の酸化膜
が溶解され難くなり、配線層の金属銅が部分的に露出す
るハローイング現象を抑制することが可能になる。
【００４０】従って、上記配線層と接着性絶縁層との接
着不良が防止できると共に配線層と接着性絶縁層との界
面に上記酸処理剤等が残留し難くなるため多層配線板と
しての信頼性を著しく向上できる効果を有している。
着不良が防止できると共に配線層と接着性絶縁層との界
面に上記酸処理剤等が残留し難くなるため多層配線板と
しての信頼性を著しく向上できる効果を有している。
【図１】実施例に係る内層用回路板の一部拡大断面図。
【図２】実施例に係る多層配線板の一部拡大斜視図。
【図３】図３（Ａ）〜（Ｃ）は２回の酸化処理により酸
化膜を形成する工程説明図。
化膜を形成する工程説明図。
【図４】従来の多層配線板の製造工程途上の斜視図。
【図５】従来の多層配線板の製造工程途上の斜視図。
【図６】従来の多層配線板の製造工程途上の斜視図。
【図７】従来の多層配線板の製造工程途上の斜視図。
【図８】従来の多層配線板の製造工程途上の斜視図。
【図９】従来の多層配線板の製造工程途上の斜視図。
【図１０】製造された従来の多層配線板の概略斜視図。
【図１１】図１１（Ａ）〜（Ｂ）は従来の配線層表面を
酸化処理する工程説明図。
酸化処理する工程説明図。
【図１２】図１２（Ａ）〜（Ｂ）はスルーホール形成後
における従来の多層配線板の一部拡大断面図。
における従来の多層配線板の一部拡大断面図。
【図１３】スルーホール形成後における従来の多層配線
板の一部拡大斜視図。
板の一部拡大斜視図。
【図１４】図１３のＷ−Ｗ面の部分断面図。
１ 配線層 ２ 酸化膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭62−238690（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−230794（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05K 3/38 H05K 3/46
Claims (1)
- 【請求項１】銅箔により形成された配線層を有する内層
用回路板の上記配線層を酸化処理してその表面にＣｕＯ
とＣｕ2Ｏからなる酸化膜を形成し、かつ、酸化処理さ
れたこれ等複数枚の内層用回路板を接着性絶縁層を介し
積層して多層配線板を製造する方法において、Ｎａ 3 ＰＯ 4 、ＮａＯＨおよびＮａＣｌＯ 2 を含有する 第
一のアルカリ性酸化処理液により酸化処理して上記配線
層の表面にＣｕＯとＣｕ2Ｏからなる第一の酸化膜を形
成し、次いでこの第一の酸化膜表面を一様にエッチング
してその膜厚を薄く設定した後、上記第一のアルカリ性
酸化処理液と較べＮａＯＨの濃度のみが高い第二のアル
カリ性酸化処理液により再度酸化処理して第二の酸化膜
を形成することを特徴とする多層配線板の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10301791A JP3123107B2 (ja) | 1991-05-09 | 1991-05-09 | 多層配線板の製造方法 |
| DE69112181T DE69112181T2 (de) | 1990-11-30 | 1991-11-28 | Verfahren zur Herstellung einer Mehrschichtverdrahtungsplatine. |
| EP91120415A EP0488299B1 (en) | 1990-11-30 | 1991-11-28 | Method of manufacturing a multi-layered wiring board |
| US07/801,400 US5264049A (en) | 1990-11-30 | 1991-12-02 | Method of manufacturing a multi-layered wiring board |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10301791A JP3123107B2 (ja) | 1991-05-09 | 1991-05-09 | 多層配線板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04334091A JPH04334091A (ja) | 1992-11-20 |
| JP3123107B2 true JP3123107B2 (ja) | 2001-01-09 |
Family
ID=14342881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10301791A Expired - Fee Related JP3123107B2 (ja) | 1990-11-30 | 1991-05-09 | 多層配線板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3123107B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100871028B1 (ko) * | 2007-04-18 | 2008-11-27 | 삼성전기주식회사 | 인쇄회로기판의 표면처리방법 |
-
1991
- 1991-05-09 JP JP10301791A patent/JP3123107B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04334091A (ja) | 1992-11-20 |
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|---|---|---|---|
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