JPS6016494A - プリント回路板の製造法 - Google Patents
プリント回路板の製造法Info
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- JPS6016494A JPS6016494A JP12333983A JP12333983A JPS6016494A JP S6016494 A JPS6016494 A JP S6016494A JP 12333983 A JP12333983 A JP 12333983A JP 12333983 A JP12333983 A JP 12333983A JP S6016494 A JPS6016494 A JP S6016494A
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- film
- plating
- phosphoric acid
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- Pending
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はプリント回路板の製造法に係り、特に銅皮膜と
ドライフィルムとの密着性を高めるだめの銅酸化膜を形
成する方法に関する。
ドライフィルムとの密着性を高めるだめの銅酸化膜を形
成する方法に関する。
多層板の銅導体回路を微細化するだめの方法として、パ
ターンめっき法がある。この方法は、まず基板にスルー
ホールを形成し、全面に薄づけ化学めっき膜を形成した
後、回路部以外の部分にしシストパターンを形成し、そ
の後回路部上に化学銅めっきにより銅層を形成する。次
にドライフィルムラ塩化メチレンにより溶解除去し、つ
いで過硫酸アンモニウム液によシネ要部をエツチングし
、絶縁板上に銅導体回路を形成するものである。
ターンめっき法がある。この方法は、まず基板にスルー
ホールを形成し、全面に薄づけ化学めっき膜を形成した
後、回路部以外の部分にしシストパターンを形成し、そ
の後回路部上に化学銅めっきにより銅層を形成する。次
にドライフィルムラ塩化メチレンにより溶解除去し、つ
いで過硫酸アンモニウム液によシネ要部をエツチングし
、絶縁板上に銅導体回路を形成するものである。
しかし、４ｉ）体回路の幅が狭くなると、レジストパタ
ーン形成の緑、クロロセンによってドライフィルムを現
像しようとする場合に、化学銅に対するドライフィルム
の密着力が乏しく、部分的にはく離してしまう。
ーン形成の緑、クロロセンによってドライフィルムを現
像しようとする場合に、化学銅に対するドライフィルム
の密着力が乏しく、部分的にはく離してしまう。
このような金属と樹脂との接着性を高めるために金属の
表面を酸化処理する方法がＨｌＮ、 ■ａｚｉｒａｎｉ
： Ｊ、 Ａｄｈｅｓｉｏｎ、 １．２０８ （Ｊｕｌ
ｙ、 １９６９ ）には述べられている。この方法によ
ると、銅皮膜表面に酸化皮膜を形成することにより銅皮
膜表面を適当に粗化することができ、銅皮膜とドライフ
ィルムとの接着性を高めることができる。
表面を酸化処理する方法がＨｌＮ、 ■ａｚｉｒａｎｉ
： Ｊ、 Ａｄｈｅｓｉｏｎ、 １．２０８ （Ｊｕｌ
ｙ、 １９６９ ）には述べられている。この方法によ
ると、銅皮膜表面に酸化皮膜を形成することにより銅皮
膜表面を適当に粗化することができ、銅皮膜とドライフ
ィルムとの接着性を高めることができる。
ところが、との銅酸化皮膜は耐化学めっき液性に乏しく
、化学めっきの際、下地からドライフィルムがはがれ易
く、絶縁基板上の鋼上にパターン精度のすぐれた化学め
っきによる４体パターンを形成することが峻しい。
、化学めっきの際、下地からドライフィルムがはがれ易
く、絶縁基板上の鋼上にパターン精度のすぐれた化学め
っきによる４体パターンを形成することが峻しい。
いｔ１３
〔発明の妨味〕
本発明の目的は銅皮膜表面上に形成されたドライフィル
ムが化学めっきの際、絶縁基板上の１同皮膜からはがれ
るのを防止し、すぐれた・くターン棺就ヲ有するプリン
ト板回路形成法を提供することにある。
ムが化学めっきの際、絶縁基板上の１同皮膜からはがれ
るのを防止し、すぐれた・くターン棺就ヲ有するプリン
ト板回路形成法を提供することにある。
本発明は銅皮膜を有する絶縁基板にスルーホールを形成
し、ついで基板全面に・くラジウム系の触媒を付与し、
その上に化学めっきにより銅を１゛６うけする（以下、
薄づけ化学銅めっきという）７その後化学めっき膜の表
面を、ノ・ロゲン・わるいは窒素等を含む酸化物もしく
はアルカリ金属塩、例えば次亜塩素酸、亜塩素酸、堪素
酸、過塩素酸、次亜臭素酸、亜臭素酸、臭素酸、過叉素
酸、次亜ヨウ素酸、亜ヨウ素酸、ヨウ素酸、過ヨウ素酸
または硝酸のナトリウムあるいはカリウム塩のような銅
の酸化剤を含むリン酸系のアルカｌ）ｍ）ｒＡ堪（例え
ば、ＮａＨＰＯ４、Ｎａ２ＨＰＯ４・１２Ｈ２０、Ｎａ
３ＰＯ４・１２Ｈ２０ＸＫ３ＰＯ４、Ｌ”３ＰＯ４、Ｎ
ａ２ＨＰＯ４・７Ｈ２０等）で化学的に処理することに
より、銅皮膜表面を粗化し、かつ同時に銅−リン酸化合
物を含む銅酸化膜を形成することにより、パターンめっ
きにより、銅皮膜表面の回路部上に前記薄づけ化学めっ
きよシ厚く銅を化学めっき（以下「厚づけ化学鋼めっき
」という）する際、ドライフィルムと銅皮膜上に形成さ
れた該銅酸化膜との密着性を高めるようにしたプリント
板回路形成法に関する。
し、ついで基板全面に・くラジウム系の触媒を付与し、
その上に化学めっきにより銅を１゛６うけする（以下、
薄づけ化学銅めっきという）７その後化学めっき膜の表
面を、ノ・ロゲン・わるいは窒素等を含む酸化物もしく
はアルカリ金属塩、例えば次亜塩素酸、亜塩素酸、堪素
酸、過塩素酸、次亜臭素酸、亜臭素酸、臭素酸、過叉素
酸、次亜ヨウ素酸、亜ヨウ素酸、ヨウ素酸、過ヨウ素酸
または硝酸のナトリウムあるいはカリウム塩のような銅
の酸化剤を含むリン酸系のアルカｌ）ｍ）ｒＡ堪（例え
ば、ＮａＨＰＯ４、Ｎａ２ＨＰＯ４・１２Ｈ２０、Ｎａ
３ＰＯ４・１２Ｈ２０ＸＫ３ＰＯ４、Ｌ”３ＰＯ４、Ｎ
ａ２ＨＰＯ４・７Ｈ２０等）で化学的に処理することに
より、銅皮膜表面を粗化し、かつ同時に銅−リン酸化合
物を含む銅酸化膜を形成することにより、パターンめっ
きにより、銅皮膜表面の回路部上に前記薄づけ化学めっ
きよシ厚く銅を化学めっき（以下「厚づけ化学鋼めっき
」という）する際、ドライフィルムと銅皮膜上に形成さ
れた該銅酸化膜との密着性を高めるようにしたプリント
板回路形成法に関する。
前記銅の酸化剤金倉むリン酸系のアルカリ金属塩の液に
よシ、銅の表面を処理した場合、銅の表面に安定な銅−
リン酸化合物を主成分とする銅の酸化膜を形成すること
ができ、この膜の表面は適度に粗化されているので、ド
ライフィルムとの密着性を高めるのに効果があり、しか
もこの膜は化学めっき液に対して極めて安定である。
よシ、銅の表面を処理した場合、銅の表面に安定な銅−
リン酸化合物を主成分とする銅の酸化膜を形成すること
ができ、この膜の表面は適度に粗化されているので、ド
ライフィルムとの密着性を高めるのに効果があり、しか
もこの膜は化学めっき液に対して極めて安定である。
以下、図面に従ってさらに詳しく説明する。
銅皮膜１を有する絶縁基板２にスルーホール３をあけ、
この上に薄づけ化学銅めつき４を形成する。次に該銅皮
膜表面を酸化剤を含むリン酸系化合物の水溶液で処理し
、銅−リン酸化付物を主成分とする銅の酸化膜７を形成
する。この酸化膜７の上にドライフィルム５を形成し、
回路形成部に露出している表面処理された銅皮膜上に化
学めっきにより厚づけ化学鋼めっき膜６を形成する。
この上に薄づけ化学銅めつき４を形成する。次に該銅皮
膜表面を酸化剤を含むリン酸系化合物の水溶液で処理し
、銅−リン酸化付物を主成分とする銅の酸化膜７を形成
する。この酸化膜７の上にドライフィルム５を形成し、
回路形成部に露出している表面処理された銅皮膜上に化
学めっきにより厚づけ化学鋼めっき膜６を形成する。
上述のように第１図もしくは第２図に従って銅の表面を
化学的に処理し、銅の表面に耐めっき液性にすぐれた銅
−リン酸化合物を主成分とする銅の酸甜膜を形成するこ
とにより、ドライフィルムと下地銅との密層性を高める
ことができるため、ドライフィルムが下地鋼からはがれ
ることがなく、めっき液のしみ込みも起こらず、パター
ン精度のすぐれた銅導体回路を形成できる。
化学的に処理し、銅の表面に耐めっき液性にすぐれた銅
−リン酸化合物を主成分とする銅の酸甜膜を形成するこ
とにより、ドライフィルムと下地銅との密層性を高める
ことができるため、ドライフィルムが下地鋼からはがれ
ることがなく、めっき液のしみ込みも起こらず、パター
ン精度のすぐれた銅導体回路を形成できる。
実施例１
銅箔（１０μｍ）付絶縁板にスルーホールを形成し、つ
いで基板全面にパラジウム系触媒（日立化成製Ｈ８ｌ０
ＩＢ）を付与し、その上に化学めっきによシ、銅を５μ
ｍ形成する。次に銅の表面処理液として、 Ｎａ０Ｉ−（５ｇ／４ ＮａａＰ０４・１２Ｈ２０１０ｇ／Ｌ ＮａＣＬＯ２３０’ｇ／！。
いで基板全面にパラジウム系触媒（日立化成製Ｈ８ｌ０
ＩＢ）を付与し、その上に化学めっきによシ、銅を５μ
ｍ形成する。次に銅の表面処理液として、 Ｎａ０Ｉ−（５ｇ／４ ＮａａＰ０４・１２Ｈ２０１０ｇ／Ｌ ＮａＣＬＯ２３０’ｇ／！。
のような組成の水溶液中に、７５Ｃで９０秒浸漬し、化
学銅めっき膜を処理する。次に処理した基板上にドライ
フィルムをラミネートし、露光、現像によシレジストパ
ターンを形成する。ついで化学めっきによシ、回路上に
銅を３０μＩｎ厚づけする。その後塩化メチレンにより
ドライフィルムを溶解除去し、２００ｇ／ｌの過硫酸ア
ンモニウム液により、非回路部分が完全に除去されるま
で不要部をエツチングし、絶縁基板上に銅導体回路を形
成する。
学銅めっき膜を処理する。次に処理した基板上にドライ
フィルムをラミネートし、露光、現像によシレジストパ
ターンを形成する。ついで化学めっきによシ、回路上に
銅を３０μＩｎ厚づけする。その後塩化メチレンにより
ドライフィルムを溶解除去し、２００ｇ／ｌの過硫酸ア
ンモニウム液により、非回路部分が完全に除去されるま
で不要部をエツチングし、絶縁基板上に銅導体回路を形
成する。
銅導体回路部のパターン精度は回路部幅が７５μｍとな
るようなマスクパターンに対して、エツチングにより得
られた銅導体回路部幅は６６μｍであシ、パターン精度
は良好である。
るようなマスクパターンに対して、エツチングにより得
られた銅導体回路部幅は６６μｍであシ、パターン精度
は良好である。
使用した化学銅めっき液の組曵は、
ＣｕＳ０４１５Ｈ２０１０ｇ／Ｌ
ＥＤＴＡ−２Ｎａ ２１ ｇ ／ Ｌ
ｎｃｎｏ ２． ａ １ｌｌ１７ ｔ。
α、α′−ジピリジル １５・“９／ｌポリエチレング
リコール４００ ２０ｍ１／１１）Ｈ’ １２．８ である。
リコール４００ ２０ｍ１／１１）Ｈ’ １２．８ である。
実施例２
実施例１において用いた表面処理液の代りに、ＮａＯＨ
５ｇ／Ｌ Ｎａ３１）０４１２Ｈｚ０ １０ ｇ ／ ＬＮａＣｌ
ｏ 、 ５ ＣＹｇ／ｌ のような組成の水溶液を用い、液ゎ’Ｌ ６０ ｃＮ
ｏｃａ時間９０秒として化学鋼めっき膜全処理し、以下
実施例１と同様な方法により、銅導体回路のパターンを
形成した。得られた銅導体回路部幅は６８ｐｍであシ、
パターン精度は良好である。
５ｇ／Ｌ Ｎａ３１）０４１２Ｈｚ０ １０ ｇ ／ ＬＮａＣｌ
ｏ 、 ５ ＣＹｇ／ｌ のような組成の水溶液を用い、液ゎ’Ｌ ６０ ｃＮ
ｏｃａ時間９０秒として化学鋼めっき膜全処理し、以下
実施例１と同様な方法により、銅導体回路のパターンを
形成した。得られた銅導体回路部幅は６８ｐｍであシ、
パターン精度は良好である。
実施例３
実施例１において用いた表面処理液の代シに、ＮａＯＨ
５ｇ／１ Ｎａ３Ｐ０４・１２Ｈ２ｏ １５ｇ／１ＮａＣＬＯｓ
２０ ｇ／Ｌ のような組成の水溶液を用い、液温６０Ｃ１浸漬時間９
０秒として、化学鋼めっき膜を処理し、以下実施例１と
同様な方法により、銅導体回路のパターンを形成した。
５ｇ／１ Ｎａ３Ｐ０４・１２Ｈ２ｏ １５ｇ／１ＮａＣＬＯｓ
２０ ｇ／Ｌ のような組成の水溶液を用い、液温６０Ｃ１浸漬時間９
０秒として、化学鋼めっき膜を処理し、以下実施例１と
同様な方法により、銅導体回路のパターンを形成した。
得られた銅導体回路部幅は６８μｍであり、パターン精
度は良好である。
度は良好である。
実施例４
実施例１において、銅の化学めっきとドライフィルム形
成の間に行なわれた表面処理に先だって、化学銅の表面
を ＣｕＣｌ２ ・２Ｈ２０４０ｇ ／ ＬＣＯＮＣ−ＨＣ
ｌ ５００ ｍｌ／ｌ のような組成の水溶液中に４５Ｃで６０秒浸漬し、酸化
処理する。その後水洗し、次に実施例１に記載のリン酸
系の表面処理液で酸化処理し、ついで実施例１の記載の
方法に従って銅導体回路のパターンを形成した。得られ
た銅導体回路部幅は７２μｍであシ、パターン精度は良
好である。
成の間に行なわれた表面処理に先だって、化学銅の表面
を ＣｕＣｌ２ ・２Ｈ２０４０ｇ ／ ＬＣＯＮＣ−ＨＣ
ｌ ５００ ｍｌ／ｌ のような組成の水溶液中に４５Ｃで６０秒浸漬し、酸化
処理する。その後水洗し、次に実施例１に記載のリン酸
系の表面処理液で酸化処理し、ついで実施例１の記載の
方法に従って銅導体回路のパターンを形成した。得られ
た銅導体回路部幅は７２μｍであシ、パターン精度は良
好である。
実施例５
実施例１において、化学めっきにより厚づけ化学銅めっ
きする前に、Ｃ０ＮＣ−ＨＣｌ １００ｍ１／ｌの水溶
液により回路部上の酸化膜をエツチング除去し、以下実
施例１に記載した方法により、銅導体回路を形成する。
きする前に、Ｃ０ＮＣ−ＨＣｌ １００ｍ１／ｌの水溶
液により回路部上の酸化膜をエツチング除去し、以下実
施例１に記載した方法により、銅導体回路を形成する。
銅導体回路部幅は７２μｍであり、パターン精度は良好
である。
である。
比較例
実施例１における表面処理法において、化学銅の表面を
ＣｕＣｌ２・２Ｈ２０４０ｇ／１
ＣＯＮＣ−ＨＣｌ ５００ ｍｌ／ｌ
のような組成の水溶液中に、４５Ｃで６０秒浸漬し、酸
化処理した後直ちにドライフィルムをラミネートし、パ
ターンを形成する。その後化学めっきにより、銅導体回
路のパターンを形成する場合、めっき中にドライフィル
ムが下地からはく離し、回路部上のみに銅を析出させる
ことは不可能である。
化処理した後直ちにドライフィルムをラミネートし、パ
ターンを形成する。その後化学めっきにより、銅導体回
路のパターンを形成する場合、めっき中にドライフィル
ムが下地からはく離し、回路部上のみに銅を析出させる
ことは不可能である。
本発明によれば、化学めっきの際、銅膜からのドライフ
ィルムのはがれを防止することができるので、パターン
精度のすぐれた銅導体回路を形成できる。
ィルムのはがれを防止することができるので、パターン
精度のすぐれた銅導体回路を形成できる。
第１図および第２図は本発明の実施例によるプリント板
の導体回路の形成工程を示す工程図である。 １０１．銅皮膜、２・・・基材、３・・・スルーホール
、４・・・薄づけ化学銅めっき、５・・・ドライフィル
ム、６・・・厚づけ化学銅めっき、７・・・銅−リン酸
化合物を主成分とする銅の酸化膜。 地 ２ 口
の導体回路の形成工程を示す工程図である。 １０１．銅皮膜、２・・・基材、３・・・スルーホール
、４・・・薄づけ化学銅めっき、５・・・ドライフィル
ム、６・・・厚づけ化学銅めっき、７・・・銅−リン酸
化合物を主成分とする銅の酸化膜。 地 ２ 口
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、下１己（ａン〜←）の工程、 （ａ） 銅皮膜を有する絶縁基板の該銅皮膜表面を、酸
化剤を含むリン酸系化合物の水溶液で処理し、銅−リン
酸化合物を主成分とする銅の酸化膜を形成する工程、 （ｂ） 上記銅皮膜表面の非回路形成部にトライフィル
ムを形成する工程、 （Ｃ） 回路形成部に館山している表面処理された銅皮
膜を化学めっきにより上記銅皮膜よシ厚く成長させる工
程、 を順次含むことを特徴とするプリント回路板の裂（ｄ）
銅皮膜を有する絶縁基板の該銅皮膜表面を、酸化剤を
含むリン酸系化合物の水溶液で処理し、銅−リン酸化合
物を主成分とする銅の酸化膜を形成する工程、 （ｅ） 上記銅皮膜表面の非回路形成部にドライフィル
ムを形成する工程、 （ｆ） 上記銅皮膜の表面に形成された銅−リン酸化合
物を主成分とする銅の酸化膜ｆ：あらかじめエツチング
除去する工程、 （ｇ） 回路形成部に露出している表向処理された銅皮
膜を化学めっきにより上記銅皮膜より厚く成長させる工
程、 を順次含むことを特徴とするプリント回路板の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12333983A JPS6016494A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | プリント回路板の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12333983A JPS6016494A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | プリント回路板の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6016494A true JPS6016494A (ja) | 1985-01-28 |
Family
ID=14858114
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12333983A Pending JPS6016494A (ja) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | プリント回路板の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6016494A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02110660U (ja) * | 1988-04-28 | 1990-09-04 | ||
| JP2001196744A (ja) * | 2000-01-07 | 2001-07-19 | Ibiden Co Ltd | 多層プリント配線板の製造方法 |
-
1983
- 1983-07-08 JP JP12333983A patent/JPS6016494A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02110660U (ja) * | 1988-04-28 | 1990-09-04 | ||
| JP2001196744A (ja) * | 2000-01-07 | 2001-07-19 | Ibiden Co Ltd | 多層プリント配線板の製造方法 |
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