JPH1187910A

JPH1187910A - プリント配線板およびその製造方法

Info

Publication number: JPH1187910A
Application number: JP26284097A
Authority: JP
Inventors: Yasuji Hiramatsu; 靖二平松
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 1997-09-09
Filing date: 1997-09-09
Publication date: 1999-03-30

Abstract

(57)【要約】【課題】プリント配線板について、樹脂絶縁層を構成
する材料の選択の自由性を確保しつつ、導体回路パター
ンの高密度化を実現する。【解決手段】多層配線基板１は、コア基板層２と、３
枚の樹脂絶縁層３ａ，３ｂ，３ｃと、導体回路４とを主
に備えている。導体回路４は、コア基板層２上および各
樹脂絶縁層３ａ，３ｂ，３ｃ上に形成されている。導体
回路４が形成された各樹脂絶縁層３ａ，３ｂ，３ｃの表
面は、表面に針状合金粗化層を有する金属箔を圧着し、
その後当該金属箔を溶解除去することにより粗面化され
ている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】本発明は、プリント配線板お
よびその製造方法、特に、樹脂絶縁層上に導体回路が配
置されたプリント配線板およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術とその課題】集積回路などに用いられる多
層配線基板は、高密度化の要望が年々高まっており、そ
れに対応するための検討が種々加えられている。このう
ち、所謂ビルドアップ多層配線基板は、メッキ膜からな
る導体回路と樹脂絶縁層とが交互にビルドアップされた
多層構造を有するものであり、高密度化に対応し易い多
層配線基板として注目を集めている。

【０００３】このようなビルドアップ多層配線基板は、
例えば、特公平４−５５５５５号公報に記載されている
製造方法により製造することができる。具体的には、先
ず、コア基板上に感光性の無電解メッキ用接着剤からな
る絶縁材を塗布し、これを乾燥した後に露光・現像して
バイアホール用開口を有する層間絶縁材層を形成する。
次に、この層間絶縁材層の表面を酸化剤等を用いて粗化
し、これにより形成される粗化面上に所定の回路パター
ンのメッキレジストを配置する。この状態で粗化面上に
無電解メッキ法を適用すると、バイアホール内を含むメ
ッキレジストが配置されていない部分に所定の導体回路
パターンが形成される。そして、このような工程を複数
回繰り返すと、目的とする多層配線基板が得られる。

【０００４】上述のビルドアップ多層配線基板は、その
製造工程において層間絶縁材層の表面を酸化剤を用いて
粗化する必要があるため、層間絶縁材層を構成する材料
として特殊なものを用いる必要があり、当該材料の選択
の自由性に乏しい。例えば、上述の公報に記載の製造方
法では、酸化剤に溶解し難い樹脂マトリックス中に酸化
剤に溶解し易い耐熱性樹脂粒子を配合したものを層間絶
縁材層用の材料として用いている。因みに、このような
材料からなる層間絶縁材層は、酸化剤を適用すると耐熱
性樹脂粒子が選択的に溶解するため、粗化面を形成する
ことになる。

【０００５】そこで、層間絶縁材層を構成する材料の選
択の自由性を高めることができるビルドアップ多層配線
基板の製造方法として、エンボスロールを用いた圧延処
理により片面にマット処理（粗面化処理）が施された銅
箔を用いる方法が提案されている。この方法では、樹脂
絶縁層上に上述の銅箔のマット処理面を圧着し、その
後、銅箔を全て溶解除去する。この結果、樹脂絶縁層に
は、銅箔のマット処理面が転写され、粗化面が形成され
る。

【０００６】ところが、このような方法では、マット処
理により銅箔に形成することができる粗面の凹凸の間隔
が粗く（通常は１０μｍ程度）、結果的に樹脂絶縁層上
に微細な粗面を形成するのは困難である。従って、この
方法により粗面化された樹脂絶縁層上には、高密度の導
体回路パターン、例えば、導体回路パターンの幅（Ｌ）
と導体回路パターンの間隔（Ｓ）との比率（Ｌ／Ｓ）が
５０／５０μｍ以下の導体回路パターンを形成するのが
困難である。

【０００７】本発明の目的は、プリント配線板につい
て、樹脂絶縁層を構成する材料の選択の自由性を確保し
つつ、導体回路パターンの高密度化を実現することにあ
る。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明に係るプリント配
線板は、粗化面を有する樹脂絶縁層と、粗化面上に配置
された導体回路とを備えている。粗化面は、表面に針状
合金粗化層を有する金属箔を樹脂絶縁層上に圧着し、そ
の後金属箔を溶解除去することにより形成されている。

【０００９】ここで、樹脂絶縁層は、例えば、熱硬化型
ポリフェニレンエーテル樹脂、フェノール樹脂、ビスマ
レイミド−トリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ
樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリフェニレ
ンスルフィド樹脂、液晶ポリマーおよびポリエステル樹
脂からなる群から選ばれた少なくとも１種である。

【００１０】また、本発明に係る他のプリント配線板
は、粗化面を有する樹脂絶縁層と、粗化面上に配置され
た導体回路とを備えている。粗化面は、表面をエッチン
グ液により粗化処理した金属箔を樹脂絶縁層上に圧着
し、その後金属箔を溶解除去することにより形成されて
いる。

【００１１】ここで、エッチング液は、例えば、有機酸
と第二銅錯体とを含む水溶液、またはＮａＯＨ，ＮａＣ
ｌＯ₂およびＮａ₃ＰＯ₄を含む水溶液からなる酸化液と
ＮａＯＨおよびＮａＢＨ₄を含む水溶液からなる還元液
との２液型である。

【００１２】また、樹脂絶縁層は、例えば、熱硬化型ポ
リフェニレンエーテル樹脂、フェノール樹脂、ビスマレ
イミド−トリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹
脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリフェニレン
スルフィド樹脂、液晶ポリマーおよびポリエステル樹脂
からなる群から選ばれた少なくとも１種である。

【００１３】本発明に係るプリント配線板の製造方法
は、表面に針状合金粗化層を有する金属箔を樹脂絶縁層
に圧着するための工程と、金属箔を樹脂絶縁層から溶解
除去するための工程と、金属箔が除去された樹脂絶縁層
上に導体回路を形成するための工程とを含んでいる。

【００１４】本発明に係る他のプリント配線板の製造方
法は、エッチング液を用いた処理により形成された粗化
面を有する金属箔を樹脂絶縁層に圧着するための工程
と、金属箔を樹脂絶縁層から溶解除去するための工程
と、金属箔が除去された樹脂絶縁層上に導体回路を形成
するための工程とを含んでいる。

【００１５】ここで、エッチング液は、例えば、有機酸
と第二銅錯体とを含む水溶液、またはＮａＯＨ，ＮａＣ
ｌＯ₂およびＮａ₃ＰＯ₄を含む水溶液からなる酸化液と
ＮａＯＨおよびＮａＢＨ₄を含む水溶液からなる還元液
との２液型である。

【００１６】

【作用】本発明に係るプリント配線板において、樹脂絶
縁層は、上述のような針状合金粗化層を有する金属箔を
用いて粗化面が形成されているため、当該粗化面の凹凸
が微細である。このため、導体回路は、このような粗化
面を有する樹脂絶縁層上に密に配置され得る。

【００１７】また、本発明に係る他のプリント配線板に
おいて、樹脂絶縁層は、上述のようなエッチング液によ
り粗化処理された金属箔を用いて粗化面が形成されてい
るため、当該粗化面の凹凸が微細である。このため、導
体回路は、このような粗化面を有する樹脂絶縁層上に密
に配置され得る。

【００１８】本発明に係るプリント配線板の製造方法に
おいて、圧着された金属箔を樹脂絶縁層から溶解除去す
ると、樹脂絶縁層上には、金属箔の針状合金粗化層の凹
凸形状が転写され、これによる微細な粗化面が形成され
る。このため、当該粗化面上に導体回路を形成する際に
は、当該導体回路を密に配置することができ、結果とし
て本発明の製造方法によれば高密度のプリント配線板が
得られる。

【００１９】本発明に係る他のプリント配線板の製造方
法において、圧着された金属箔を樹脂絶縁層から溶解除
去すると、樹脂絶縁層上には、エッチング液を用いた処
理により金属箔に形成された微細な凹凸形状が転写さ
れ、これによる微細な粗化面が形成される。このため、
当該粗化面上に導体回路を形成する際には、当該導体回
路を密に配置することができ、結果として本発明によれ
ば高密度のプリント配線板が得られる。

【００２０】

【発明の実施の形態】図１を参照して、本発明の実施の
一形態に係る多層配線基板を説明する。図において、多
層配線基板１は、コア基板層２と、３枚の樹脂絶縁層３
ａ，３ｂ，３ｃと、導体回路４とを主に備えている。な
お、理解の便のため、図では各部の厚さを強調してい
る。この点、以下の図２〜図９についても同様である。

【００２１】コア基板層２は、ガラスエポキシ樹脂、ポ
リイミド樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂または
セラミックなどを用いて構成されている。

【００２２】各樹脂絶縁層３ａ，３ｂ，３ｃは、コア基
板層２上に積層されて一体化されており、各種の樹脂を
用いて構成されている。ここで用いられる樹脂は、電気
絶縁性を呈するものであれば特に限定されるものではな
く、公知の熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂およびこれらの
複合体である。

【００２３】ここで、好ましい熱硬化性樹脂としては、
耐熱性および電気絶縁性が良好なことから、熱硬化型ポ
リフェニレンエーテル樹脂、フェノール樹脂、ビスマレ
イミド−トリアジン樹脂、ポリイミド樹脂およびエポキ
シ樹脂を例示することができる。これらの熱硬化性樹脂
は、２種以上が併用されてもよい。一方、好ましい熱可
塑性樹脂としては、誘電率が小さく、また、耐熱性およ
び電気絶縁性が良好なことから、ポリテトラフルオロエ
チレン樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、液晶ポリ
マーおよびポリエステル樹脂を例示することができる。
これらの熱可塑性樹脂は、２種以上が併用されてもよ
い。

【００２４】各樹脂絶縁層３ａ，３ｂ，３ｃは、図の上
面が粗化されており、粗化面を有している。なお、粗化
面の状態については、後述する製造方法の欄で詳述す
る。各樹脂絶縁層３ａ，３ｂ，３ｃの厚さは、通常、１
０〜１００μｍ程度である。

【００２５】導体回路４は、コア基板層２の下面に形成
された第１導体回路パターン４ａ、コア基板層２の上面
に形成された第２導体回路パターン４ｂ、樹脂絶縁層３
ａの上面に形成された第３導体回路パターン４ｃ、樹脂
絶縁層３ｂの上面に形成された第４導体回路パターン４
ｄおよび樹脂絶縁層３ｃの上面に形成された第５導体回
路パターン４ｅを備えている。各導体回路パターン４
ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅは、コア基板層２および樹
脂絶縁層３ａ，３ｂ，３ｃに形成されたスルーホール５
を介して互いに接続されており、これにより一連の導体
回路４を構成している。なお、コア基板層２に形成され
た第１導体回路パターン４ａおよび第２導体回路パター
ン４ｂは、通常、電源回路を構成する。

【００２６】ここで、コア基板層２上に形成された第２
導体回路パターン４ｂは、樹脂絶縁層３ａとの密着性を
高めるために表面が粗化されている。また、各導体回路
パターン４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄ，４ｅは、例えば銅、
ニッケルなどの導電性材料を用いて形成されており、厚
さが５〜３０μｍ程度に設定されている。なお、本実施
の形態では、各導体回路パターン４ａ，４ｂ，４ｃ，４
ｄ，４ｅが銅を用いて形成されているものとする。

【００２７】なお、上述の多層配線基板１において、コ
ア基板層２と樹脂絶縁層３ａとの隙間、各樹脂絶縁層３
ａ，３ｂ，３ｃ間の隙間および各スルーホール５内に
は、電気絶縁性の樹脂が充填されている。

【００２８】次に、上述の多層配線基板１の製造方法を
説明する。先ず、図２に示すように、上述のような材料
からなりかつ両面に銅箔２ａがラミネートされた板状の
コア基板層２を用意する。そして、図３に示すように、
このコア基板層２の図上面側の銅箔２ａの表面を粗化す
る。銅箔２ａの粗化方法としては、銅箔２ａの表面に後
述するような針状合金粗化層を形成する方法および銅箔
２ａを後述する他の実施の形態で利用するようなエッチ
ング液を用いて粗化する方法等を採用することができ
る。なお、このような粗化工程の後、両面の銅箔２ａ
は、エッチング等の手法により、所定の電源回路パター
ン形状に形成される。

【００２９】次に、図４に示すように、コア基板層２の
所定位置にスルーホール５を形成する。スルーホール５
は、例えば、レーザ光やドリルを用いて形成することが
できる。なお、レーザ光としては、炭酸ガスレーザ、紫
外線レーザおよびエキシマレーザなどを用いることがで
きる。形成されたスルーホール５の内周面には、電解メ
ッキや無電解メッキなどの公知のメッキ手法により銅メ
ッキ層を形成する。

【００３０】次に、上述のコア基板層２上に積層する樹
脂絶縁層３ａを用意する。この樹脂絶縁層３ａは、図５
に示すようなフイルム状に形成されており、上述のよう
な樹脂材料を用いて構成されている。なお、上述の樹脂
材料として熱硬化性樹脂を用いる場合、樹脂絶縁層３ａ
は、半硬化状態に設定しておく。

【００３１】次に、このような樹脂絶縁層３ａの図上面
に粗化面を形成する。ここでは、先ず、図５に示すよう
な、表面に針状合金粗化層１１が設けられた金属箔１０
を用意する。ここで、金属箔１０としては、例えば、ス
ズ、銅、アルミニウムなどの箔を用いることができる
が、針状合金粗化層１１を形成し易いこと、および溶解
除去が容易なことから銅箔を用いるのが好ましい。な
お、銅箔としては、圧延銅箔や電解銅箔を用いることが
でき、また、厚さが１２〜７０μｍ程度のものが好まし
い。厚さが１２μｍ未満の場合は、取扱いが困難にな
り、また、樹脂絶縁層３ａに対して圧着しにくくなるお
それがる。逆に、７０μｍを超える場合は、エッチング
時間が長くなるなどの不都合を生じるおそれがある。

【００３２】一方、針状合金粗化層１１は、金属箔１０
の表面に付着した針状の合金からなる層であり、樹脂絶
縁層３ａに対して微細な粗化面を形成し易いこと、およ
び溶解除去し易いことから、銅−ニッケル−リンの針状
合金からなるものが好ましい。なお、針状合金粗化層１
１の厚さは、溶解除去が容易なこと、および樹脂絶縁層
３ａ上に上述の第３導体回路パターン４ｃを高密度に配
置し易いことから、通常、１〜１０μｍ程度に設定する
のが好ましい。

【００３３】上述のような針状合金粗化層１１を備えた
金属箔１０を製造する場合は、金属箔１０の表面にパラ
ジウム触媒を付与した後、金属箔１０を針状合金粗化層
１１を形成するためのメッキ液中に浸漬する。

【００３４】ここで、針状合金粗化層１１を上述のよう
な銅−ニッケル−リンの針状合金により形成する場合
は、メッキ液として、錯化剤、銅化合物、ニッケル化合
物および次亜リン酸塩を含むものを用いる。ここで、錯
化剤としては、クエン酸などのヒドロキシカルボン酸が
好ましく用いられる。

【００３５】銅−ニッケル−リンの針状合金からなる針
状合金粗化層１１を形成するための上述のメッキ液にお
いて、銅イオン濃度、ニッケルイオン濃度、次亜リン酸
イオン濃度および錯化剤濃度は、それぞれ２．２×１０
^-2〜４．１×１０^-2ｍｏｌ／ｌ、２．２×１０^-3〜４．
１×１０^-3ｍｏｌ／ｌ、０．２０〜０．２５ｍｏｌ／ｌ
および０．０１〜０．２ｍｏｌ／ｌになるよう調整する
のが好ましい。これらの濃度がこの範囲外の場合は、金
属箔１０に対して微細な針状合金粗化層１１を形成する
のが困難になり、結果的に樹脂絶縁層３ａに対して微細
な粗化面を形成するのが困難になるおそれがある。

【００３６】なお、このようなメッキ液として好ましい
ものは、例えば、硫酸銅１〜４０ｇ／ｌ、硫酸ニッケル
０．１〜６．０ｇ／ｌ、クエン酸１０〜２０ｇ／ｌ、次
亜リン酸塩１０〜１００ｇ／ｌ、ホウ酸１０〜４０ｇ／
ｌおよび界面活性剤０．０１〜１０ｇ／ｌを含むもので
ある。

【００３７】上述の金属箔１０を用いて樹脂絶縁層３ａ
に粗化面を形成する場合は、図５に示すように、樹脂絶
縁層３ａ上に金属箔１０を圧着する。ここでは、金属箔
１０の針状合金粗化層１１側が樹脂絶縁層３ａと対面す
るにように金属箔１０を樹脂絶縁層３ａ上に配置し、通
常、樹脂絶縁層３ａを１００〜３５０℃程度に加熱しな
がら１〜１００ｋｇ／ｃｍ²の圧力を加える。このよう
な圧着工程では、例えば、樹脂絶縁層３ａと金属箔１０
とをステンレス板間に挟んで油圧プレス機により加圧す
る方法、または樹脂絶縁層３ａと金属箔１０とをローラ
で挟んで加圧する方法などを採用することができる。

【００３８】このような圧着工程では、金属箔１０に形
成された針状合金粗化層１１の微細な凹凸形状が樹脂絶
縁層３ａの表面に転写されることになる。

【００３９】次に、図６に示すように、金属箔１０が圧
着された樹脂絶縁層３ａをコア基板層２上に配置して押
圧し、コア基板層２上に樹脂絶縁層３ａを固定する。こ
の状態で、絶縁樹脂層３ａに圧着された金属箔１０を針
状合金粗化層１１を含めて全て溶解して除去し、絶縁樹
脂層３ａの表面を露出させる。これにより、絶縁樹脂層
３ａの表面には、図７に示すように、針状合金粗化層１
１により転写された微細な粗化面３Ａが形成される。こ
こで、金属箔１０を溶解除去する方法としては、例え
ば、硫酸−過酸化水素混合液、過硫酸アンモニウム，過
硫酸ナトリウム，過硫酸カリウムなどの過硫酸塩の水溶
液、塩化第二銅水溶液、塩化第二鉄水溶液などを用いて
金属箔１０を処理する方法を採用することができる。

【００４０】なお、金属箔１０を導体回路パターンの形
成用に利用せずに全て溶解して除去してしまうのは、金
属箔１０の厚さが上述の範囲であるため、これにエッチ
ング処理を施して導体回路パターンを形成しようとして
も形成された導体回路パターンに所謂アンダーカットが
生じてしまうからである。なお、アンダーカットとは、
レジストにより保護された金属層の基材側近傍がエッチ
ング液により侵食される現象を言う。

【００４１】次に、樹脂絶縁層３ａの所定位置に、図８
に示すようにスルーホール５を形成する。スルーホール
５の形成方法としては、コア基板層２に対してスルーホ
ール５を設ける場合の方法と同様の方法を採用すること
ができる。

【００４２】樹脂絶縁層３ａにスルーホール５を形成し
た後、図９に示すように樹脂絶縁層３ａの粗化面３Ａ上
に第３導体回路パターン４ｃを形成する。ここでは、所
謂フルアディティブ法やセミアディティブ法により導体
回路パターンを形成することができる。具体的には、フ
ルアディティブ法による場合は、樹脂絶縁層３ａの粗化
面３Ａ上に所定の回路パターン形状にメッキレジストを
配置し、その後、樹脂絶縁層３ａの粗化面３Ａに対して
無電解メッキを施す。一方、セミアディティブ法による
場合は、樹脂絶縁層３ａの粗化面３Ａ全面に薄く無電解
メッキを施してから所定の回路パターン形状にメッキレ
ジストを厚く配置し、この状態で電解メッキを施した後
にメッキレジストとメッキレジスト下の無電解メッキ層
とを除去する。

【００４３】なお、このような第３導体回路パターン４
ｃの形成工程では、上述のように樹脂絶縁層３ａの粗化
面３Ａが微細に形成されているため、第３導体回路パタ
ーン４ｃを高密度に形成することができる。また、この
工程では、樹脂絶縁層３ａに形成したスルーホール５の
内周面にもメッキ層が形成される。

【００４４】このようにして第３導体回路パターン４ｃ
が形成された後、樹脂絶縁層３ａの粗化面３Ａ上（第３
導体回路パターン４ｃが形成されていない部分）とスル
ーホール５内に絶縁性の樹脂を配置し、樹脂絶縁層３ａ
の表面を平滑にする。その後、上述の工程を繰り返して
樹脂絶縁層３ｂおよび樹脂絶縁層３ｃを順に積層する
と、目的とする多層配線基板１が得られる。なお、樹脂
絶縁層３ａ上に樹脂絶縁層３ｂを形成する場合は、樹脂
絶縁層３ａ上に形成された第３導体回路パターン４ｃの
表面を粗化しておくのが好ましい。この粗化方法として
は、例えば、コア基板層２の銅箔２の粗化方法と同様の
方法を採用することができる。

【００４５】[他の実施の形態] （１）前記実施の形態では、金属箔１０の表面を粗化す
るために針状合金粗化層１１を形成したが、金属箔１０
は、エッチング処理により表面が粗化されていてもよ
い。この場合、エッチング液としては、有機酸と第二
銅錯体とを含む水溶液、またはＮａＯＨ，ＮａＣｌＯ
₂およびＮａ₃ＰＯ₄を含む水溶液からなる酸化液と、Ｎ
ａＯＨおよびＮａＢＨ₄を含む水溶液からなる還元液と
の２液型が用いられる。

【００４６】ここで、のエッチング液に用いられる第
二銅錯体は、アゾール類の銅錯体が好ましい。アゾール
類の銅錯体は、金属箔１０を酸化するための酸化剤とし
て作用する。なお、このような銅錯体を形成するアゾー
ル類としては、ジアゾール類、トリアゾール類、テトラ
ゾール類を用いるのが好ましい。特に、イミダゾール、
２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２
−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミ
ダゾール、２−ウンデシルイミダゾールなどを用いるの
が好ましい。

【００４７】一方、有機酸としては、銅錯体を溶解する
ことができるものであれば特に限定されるものではな
く、各種のものを利用することができる。具体的には、
ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン
酸、アクリル酸、クロトン酸、シュウ酸、マロン酸、コ
ハク酸、グルタル酸、マレイン酸、安息香酸、グリコー
ル酸、乳酸、リンゴ酸、スルファミン酸を例示すること
ができる。

【００４８】このようなエッチング液において、第二銅
錯体の割合は１〜１５重量％に設定するのが好ましい。
この割合が１重量％未満の場合は、エッチング液により
金属箔１０を酸化して溶解するのが困難になり、金属箔
１０の表面に微細な凹凸からなる粗面を形成するのが困
難になるおそれがある。逆に、１５重量％を超える場合
は、エッチング液が不安定になるおそれがある。また、
有機酸の割合は、０．１〜３０重量％に設定するのが好
ましい。この割合が０．１重量％未満の場合は、第二銅
錯体により酸化された金属を溶解するのが困難になるお
それがある。

【００４９】このエッチング液には、銅の溶解やアゾー
ル類によるの酸化作用を補助させることを目的として、
フッ素イオン、塩素イオン、臭素イオンなどのハロゲン
イオンを添加してもよい。このようなハロゲンイオン
は、塩酸や塩化ナトリウムなどのハロゲン化物をエッチ
ング液中に加えることにより添加することができる。な
お、ハロゲンイオン濃度は、金属箔１０と樹脂絶縁層３
ａとの圧着時の密着性を高めるために、通常、０．０１
〜２０重量％に設定するのが好ましい。

【００５０】上述のエッチング液は、水中に第二銅錯
体、有機酸および必要に応じてハロゲン化物を所定の割
合で添加して溶解することにより調製することができ
る。

【００５１】このようなエッチング液は、例えば、スプ
レーやバブリングなどの酸素共存条件下で金属箔１０に
適用する。ここで、金属箔１０が銅箔の場合、エッチン
グ液は下記の反応式で示すように作用し、金属箔１０の
表面に微細な粗化面を形成する。なお、式中、Ａはキレ
ート剤として作用する錯化剤を示し、また、ｎは配位数
である。

【００５２】

【化１】

【００５３】この反応式から明らかなように、生成した
第一銅錯体は、有機酸の作用により溶解し、酸素と結合
して再び第二銅錯体となって、銅、すなわち金属箔１０
の酸化に寄与することになる。

【００５４】一方、のエッチング液は、上述のように
ＮａＯＨ，ＮａＣｌＯ₂およびＮａ₃ＰＯ₄を含む水溶液
からなる酸化液（黒化液）と、ＮａＯＨおよびＮａＢＨ
₄を含む水溶液からなる還元液との２液からなる。ここ
で、酸化液中に含まれる上述の成分の含有量は、例え
ば、ＮａＯＨが１〜２０ｇ／ｌ，ＮａＣｌＯ₂が３０〜
５０ｇ／ｌおよびＮａ₃ＰＯ₄が１〜１０ｇ／ｌのように
設定されるのが好ましい。一方、還元液中に含まれる上
述の成分の含有量は、例えば、ＮａＯＨが１〜２０ｇ／
ｌおよびＮａＢＨ₄が１〜１０ｇ／ｌのように設定され
るのが好ましい。

【００５５】このようなエッチング液を用いて金属箔１
０の表面を粗化する場合は、先ず、金属箔１０に対して
酸化液を適用し、次に金属箔１０に対して還元液を適用
する。ここで、金属箔１０が銅箔の場合、酸化液が金属
箔１０の表面を酸化してエッチングすることにより金属
箔１０の表面に酸化第二銅の粗面を形成し、次に還元剤
がその表面を金属銅に還元することにより、金属箔１０
の表面に微細な粗化面を形成し得る。

【００５６】なお、上述のようなまたはのエッチン
グ液により金属箔１０をエッチングする場合は、金属箔
１０を樹脂絶縁層３ａから溶解除去し易いこと、および
樹脂絶縁層３ａに対して高密度の導体回路パターンを形
成可能な程度の深さの微細な粗化面を形成することがで
きることから、エッチング量を１〜１０μｍに設定する
のが好ましい。

【００５７】上述のまたはのエッチング液によりエ
ッチングされた金属箔１０は、前記実施の形態で用い
た、針状合金粗化層１１を有する金属箔１０に代えて用
いられ、樹脂絶縁層３ａに対して微細な粗化面を形成す
ることができる。

【００５８】なお、この実施の形態で用いる金属箔１０
は、前記実施の形態の場合と同様にスズ、銅、アルミニ
ウムなどであるが、上述のエッチング液によりエッチン
グし易い点、および樹脂絶縁層３ａからの溶解除去が容
易な点で銅箔が好ましい。また、銅箔としては、エッチ
ング液により微細な粗化面が形成され易いことから、電
解銅箔を用いるのが好ましい。

【００５９】（２）前記実施の形態では、樹脂絶縁層３
ａを形成するための樹脂フイルムを用意し、この樹脂フ
イルムに金属箔１０を圧着したが、本発明はこれに限定
されない。例えば、樹脂絶縁層３ａは、コア基材層２上
に所定の樹脂を直接配置することにより形成され、その
後金属箔１０を圧着することにより表面が粗化されても
よい。

【００６０】（３）前記実施の形態では、コア基板層２
として銅箔２ａがラミネートされた銅張積層板を用い、
その銅箔２ａをエッチングすることにより第１導体回路
パターン４ａおよび第２導体回路パターン４ｂを形成し
たが、本発明はこれに限定されない。例えば、ガラスエ
ポキシ基板、ポリイミド樹脂基板、セラミック基板、金
属基板などの表面に無電解メッキ用接着剤層を形成し、
この接着剤層の表面を粗化した後に無電解メッキを施し
た場合も本発明を同様に実施することができる。

【００６１】（４）前記実施の形態では、コア基板層２
の第２導体回路パターン４ｂ表面を針状合金粗化層の形
成により粗化したが、この場合、この粗化層にはスズに
よる置換メッキを施してスズ金属被覆層を形成してもよ
い。このようなスズ金属被覆層を形成した場合は、第２
導体回路パターン４ｂ部分での局部電池反応を抑制する
ことができ、針状合金粗化層や第２導体回路パターン４
ｂの溶解を抑制することができる。

【００６２】なお、このようなスズ金属被覆層を形成す
る場合には、ホウフッ化スズ−チオ尿素液や塩化スズ−
チオ尿素液を使用するのが好ましい。これによれば、銅
とスズ間の置換反応により、０．１〜２μｍ程度のスズ
金属被覆層を形成することができる。

【００６３】

【実施例】実施例１（１）市販の圧延銅箔（厚さ＝１８μｍ）を用意し、そ
の片面に塩化パラジウムと有機酸とからなる触媒溶液に
よる処理を施してパラジウム触媒を付与した。この触媒
を活性化した後、硫酸銅８ｇ／ｌ、硫酸ニッケル０．６
ｇ／ｌ、クエン酸１５ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム２
９ｇ／ｌ、ホウ酸３１ｇ／ｌおよび界面活性剤０．１ｇ
／ｌを含むｐＨ＝９の無電解メッキ浴中に圧延銅箔を浸
漬し、メッキ処理を実施した。これにより、片面に銅−
ニッケル−リンの針状合金からなる厚さが５μｍの粗化
層が形成された銅箔を得た。

【００６４】（２）一方、厚さ１８μｍの銅箔がラミネ
ートされた厚さ１ｍｍのビスマレイミド−トリアジン樹
脂製基板を用意し、この基板を水洗した。この基板の銅
箔に対し、（１）の場合と同様にして銅−ニッケル−リ
ンの針状合金からなる粗化層を形成した。この粗化層に
対し、ホウフッ化スズ０．１ｍｏｌ／ｌおよびチオ尿素
１．０ｍｏｌ／ｌを含む水溶液を利用して、温度＝５０
℃、ｐＨ＝１．２の条件下で銅−スズ置換反応させ、厚
さが０．３μｍのスズ金属被膜層を形成した。

【００６５】（３）樹脂絶縁フイルムとして厚さが６０
μｍでありかつ半硬化状態の熱硬化型ポリフェニレンエ
ーテル樹脂フイルム（旭化成株式会社の商品名“ＰＣ
Ｃ”）を用意し、これを（２）で用意した基板の銅箔の
粗化層上に配置した。そして、基板上に配置された樹脂
絶縁フイルム上に、（１）で用意した銅箔を粗化層側が
樹脂絶縁フイルム側になるよう積層した。この状態で基
板、樹脂絶縁フイルムおよび銅箔を２００℃に加熱しな
がら２０ｋｇ／ｃｍ²の圧力で圧着し、同時に樹脂絶縁
フイルムを熱硬化させた。

【００６６】（４）次に、樹脂絶縁フイルム上に圧着さ
れた銅箔を硫酸−過酸化水素混合水溶液を用いて全て溶
解除去し、樹脂絶縁フイルムを露出させた。この樹脂絶
縁フイルムの表面には、銅箔に形成された銅−ニッケル
−リンの針状合金からなる粗化層が転写され、微細な粗
化面が形成されていた。この粗化面の電子顕微鏡写真を
図１０に示す。

【００６７】（５）次に、樹脂絶縁フイルムに対して紫
外線レーザを照射し、孔径が３０μｍのスルーホール用
貫通孔を形成した。その後、樹脂絶縁フイルムの粗化面
およびスルーホール用貫通孔の内周面にパラジウム触媒
を付着させた。

【００６８】（６）ビスマレイミド−トリアジン樹脂製
基板と樹脂絶縁フイルムとからなる（５）の積層体を下
記の組成の無電解メッキ浴中に浸漬し、７０℃で３０分
間メッキ処理を施した。これにより、樹脂絶縁フイルム
の粗化面上に、厚さが０．７μｍの無電解銅メッキ膜を
形成した。

【００６９】エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）：１５０ｇ／ｌ硫酸銅：２０ｇ／ｌホルムアルデヒド：３０ｍｌ／ｌ水酸化ナトリウム：４０ｇ／ｌ α，α’−ビピリジル：８０ｍｇ／ｌポリエチレングリコール：０．１ｇ／ｌ

【００７０】なお、形成した無電解銅メッキ膜は、５０
℃で１時間、１００℃で３０分、１２０℃で３０分およ
び１５０℃で２時間それぞれ加熱処理した。

【００７１】（７）（６）で形成された無電解銅メッキ
膜に市販の感光性ドライフイルムを貼り付け、この上に
所定の形状のマスクを載置した。なお、ここで用いたマ
スクは、導体回路のライン／スペース（Ｌ／Ｓ）が２０
／２０μｍおよび１０／１０μｍの高密度に設定された
ものである。この状態で１００ｍＪ／ｃｍ²の条件で露
光し、次いで０．８％炭酸ナトリウム水溶液を用いて現
像処理することにより、厚さが２０μｍのメッキレジス
トを形成した。

【００７２】（８）次に、下記の電解メッキ液を用意
し、これを用いて無電解銅メッキ膜上に厚さが２０μｍ
の電解銅メッキ膜をさらに形成した。なお、電解メッキ
は、電流密度＝１Ａ／ｄｍ²、時間＝３０分、温度＝室
温の条件下で実施した。

【００７３】硫酸：１８０ｇ／ｌ硫酸銅：８０ｇ／ｌ添加剤（アトテックジャパン社の商品名“カパラシドＧ
Ｌ”）：１ｍｌ／ｌ

【００７４】なお、形成された電解銅メッキ膜は、５０
℃で３０分、８０℃で３０分、１００℃で３０分、１２
０℃で３０分および１５０℃で５時間それぞれ加熱処理
した。

【００７５】（９）メッキレジストを５％水酸化カリウ
ム水溶液を用いて除去した後、メッキレジストの下層に
ある無電解銅メッキ膜を硫酸と過酸化水素との混合水溶
液を用いたエッチング処理により除去した。この結果、
樹脂絶縁フイルム上およびスルーホール内に無電解銅メ
ッキ膜と電解銅メッキ膜とからなる厚さが１８μｍの導
体回路が得られた。なお、樹脂フイルム上に形成された
導体回路は、（６）で用いたマスクの通り、ライン／ス
ペース（Ｌ／Ｓ）が２０／２０μｍおよび１０／１０μ
ｍの高密度に設定されていた。

【００７６】このようにして得られたプリント配線板を
８００ｇ／ｌのクロム酸中に７０℃で３分間浸漬し、導
体回路間に残留している無電解メッキ用接着剤層表面を
１μｍエッチング処理して表面のパラジウム触媒を除去
した。

【００７７】実施例２下記の３点を除いて実施例１の場合と同様に操作し、プ
リント配線板を得た。このプリント配線板では、実施例
１の場合と同様に、導体回路のライン／スペース（Ｌ／
Ｓ）が２０／２０μｍおよび１０／１０μｍの高密度に
設定されていた。

【００７８】（１）市販の電解銅箔（厚さ＝１８μｍ）
の片面に第二銅錯体および有機酸からなるエッチング液
（メック株式会社の商品名“メックエッチボンド”）を
スプレーし、深さが５μｍの粗化層を形成した。この電
解銅箔を実施例１で用いた銅箔に代えて利用した。

【００７９】（２）樹脂絶縁フイルムとして、厚さが６
０μｍのポリテトラフルオロエチレン樹脂フイルム（デ
ュポン社の商品名“テフロン”）を実施例１で用いた熱
硬化型ポリフェニレンエーテル樹脂フイルムに代えて利
用した。

【００８０】（３）（２）のポリテトラフルオロエチレ
ン樹脂フイルム上に（１）の電解銅箔を粗化層側が対面
するように載置し、３３０℃に加熱しながら２０ｋｇ／
ｃｍ²の圧力で圧着した。その後、この積層体を実施例
１の（２）で調製されたビスマレイミド−トリアジン樹
脂製基板上に配置し、３３０℃に加熱しながら２０ｋｇ
／ｃｍ²の圧力で圧着した。

【００８１】なお、この実施例において、電解銅箔を溶
解除去した後にポリテトラフルオロエチレン樹脂フイル
ム表面に形成される粗化面は、電解銅箔側の粗化層と同
様に微細に形成されていた。この粗化面の電子顕微鏡写
真を図１１に示す。

【００８２】実施例３実施例２の（１）で用いたエッチング液をＮａＯＨ（１
０ｇ／ｌ），ＮａＣｌＯ₂（４０ｇ／ｌ）およびＮａ₃Ｐ
Ｏ₄（６ｇ／ｌ）を含む水溶液からなる酸化液（黒化
浴）と、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）およびＮａＢＨ₄（６
ｇ／ｌ）を含む水溶液からなる還元液との２液型に変更
した点以外は実施例２と同様に操作し、プリント配線板
を得た。このプリント配線板では、実施例１の場合と同
様に、導体回路のライン／スペース（Ｌ／Ｓ）が２０／
２０μｍおよび１０／１０μｍの高密度に設定されてい
た。

【００８３】

【発明の効果】本発明のプリント配線基板は、樹脂絶縁
層の粗化面を上述の様な金属箔を用いて形成しているの
で、樹脂絶縁層を構成する材料の選択の自由性を確保し
つつ、導体回路パターンの高密度化を実現することがで
きる。

【００８４】また、本発明に係るプリント配線基板の製
造方法では、上述のような針状合金粗化層を有する金属
箔または特定のエッチング液で処理された金属箔を樹脂
絶縁層に圧着し、当該樹脂絶縁層の表面を粗化している
ので、樹脂絶縁層を構成する材料の選択の自由性を確保
しつつ、導体回路パターンの密度が高いプリント配線基
板を製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の一形態に係る多層配線基板の縦
断面図。

【図２】前記多層配線基板を製造するための一工程を示
す図。

【図３】前記多層配線基板を製造するための他の工程を
示す図。

【図４】前記多層配線基板を製造するためのさらに他の
工程を示す図。

【図５】前記多層配線基板を製造するためのさらに他の
工程を示す図。

【図６】前記多層配線基板を製造するためのさらに他の
工程を示す図。

【図７】前記多層配線基板を製造するためのさらに他の
工程を示す図。

【図８】前記多層配線基板を製造するためのさらに他の
工程を示す図。

【図９】前記多層配線基板を製造するためのさらに他の
工程を示す図。

【図１０】実施例１で用いた樹脂絶縁フイルムの粗化面
の電子顕微鏡写真。

【図１１】実施例２で用いた樹脂絶縁フイルムの粗化面
の電子顕微鏡写真。

【符号の説明】

１多層配線基板３ａ，３ｂ，３ｃ樹脂絶縁層３Ａ粗化面４ｃ，４ｄ，４ｅ導体回路パターン１０金属箔１１針状合金粗化層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】粗化面を有する樹脂絶縁層と、前記粗化面上に配置された導体回路とを備え、前記粗化面は、表面に針状合金粗化層を有する金属箔を
前記樹脂絶縁層上に圧着し、その後前記金属箔を溶解除
去することにより形成されている、プリント配線板。
【請求項２】前記樹脂絶縁層は、熱硬化型ポリフェニレ
ンエーテル樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド−ト
リアジン樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリテ
トラフルオロエチレン樹脂、ポリフェニレンスルフィド
樹脂、液晶ポリマーおよびポリエステル樹脂からなる群
から選ばれた少なくとも１種である、請求項１に記載の
プリント配線板。
【請求項３】粗化面を有する樹脂絶縁層と、前記粗化面上に配置された導体回路とを備え、前記粗化面は、表面をエッチング液により粗化処理した
金属箔を前記樹脂絶縁層上に圧着し、その後前記金属箔
を溶解除去することにより形成されている、プリント配
線板。
【請求項４】前記エッチング液は、有機酸と第二銅錯体
とを含む水溶液、またはＮａＯＨ，ＮａＣｌＯ₂および
Ｎａ₃ＰＯ₄を含む水溶液からなる酸化液とＮａＯＨおよ
びＮａＢＨ₄を含む水溶液からなる還元液との２液型で
ある、請求項３に記載のプリント配線板。
【請求項５】前記樹脂絶縁層は、熱硬化型ポリフェニレ
ンエーテル樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド−ト
リアジン樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリテ
トラフルオロエチレン樹脂、ポリフェニレンスルフィド
樹脂、液晶ポリマーおよびポリエステル樹脂からなる群
から選ばれた少なくとも１種である、請求項３または４
に記載のプリント配線板。
【請求項６】表面に針状合金粗化層を有する金属箔を樹
脂絶縁層に圧着するための工程と、前記金属箔を前記樹脂絶縁層から溶解除去するための工
程と、前記金属箔が除去された前記樹脂絶縁層上に導体回路を
形成するための工程と、を含むプリント配線板の製造方
法。
【請求項７】エッチング液を用いた処理により形成され
た粗化面を有する金属箔を樹脂絶縁層に圧着するための
工程と、前記金属箔を前記樹脂絶縁層から溶解除去するための工
程と、前記金属箔が除去された前記樹脂絶縁層上に導体回路を
形成するための工程と、を含むプリント配線板の製造方
法。
【請求項８】前記エッチング液は、有機酸と第二銅錯体
とを含む水溶液、またはＮａＯＨ，ＮａＣｌＯ₂および
Ｎａ₃ＰＯ₄を含む水溶液からなる酸化液とＮａＯＨおよ
びＮａＢＨ₄を含む水溶液からなる還元液との２液型で
ある、請求項７に記載のプリント配線板の製造方法。