JPH1117336A - 多層プリント配線板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 バイアホールの小径化を実現し、配線密度の
高い多層プリント配線板を提供すること。 【解決手段】 基板上に、導体回路と層間樹脂絶縁層と
を交互に積層してなる多層プリント配線板において、内
層側の導体回路５と外層側の導体回路６とが、層間樹脂
絶縁層を貫通する柱状導体７により電気的に接続されて
いることを特徴とする多層プリント配線板である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は多層プリント配線板
およびその製造方法に関し、特に、ランドがない小径の
バイアホールを有する多層プリント配線板とそのような
多層プリント配線板を容易に製造できる技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、多層配線基板の高密度化という要
請から、いわゆるビルドアップ多層配線基板が注目され
ている。このビルドアップ多層配線基板は、例えば特公
平４−55555 号公報に開示されているような方法により
製造される。この製造方法は、コア基板上に、感光性の
無電解めっき用接着剤からなる絶縁剤を塗布し、これを
乾燥処理したのち露光現像することにより、バイアホー
ル用開口を有する層間絶縁材層を形成し、次いで、この
層間絶縁材層の表面を酸化剤等による処理にて粗化した
のち、その粗化面にめっきレジストを設け、その後、レ
ジスト非形成部分に無電解めっきを施してバイアホー
ル、導体回路を形成し、さらに、このような工程を複数
回繰り返すことにより、多層化したビルドアップ多層配
線基板を得る方法である。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】このような多層配線基
板の製造方法において、配線を高密度化するためには、
バイアホールの開口径を小さく（例えば50μｍ以下）す
る必要がある。しかしながら、バイアホール用の開口を
小さくしようとすると、フォトリソグラフ法（露光現像
法）による孔明け、レーザ光による孔明け、のいずれの
場合も開口内に樹脂残りが発生しやすく、接続信頼性に
優れる小径バイアホールを形成するのは困難であった。
また、従来のバイアホールでは、ランド部分が配線の高
密度化を制限するといった問題があった。

【０００４】そこで本発明は、従来技術が抱える上記課
題を解決するためになされたものであり、その主たる目
的は、バイアホールの小径化を実現し、配線密度の高い
多層プリント配線板を提供することにある。また、本発
明の他の目的は、そのような多層プリント配線板を容易
に製造できる技術を提案することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】発明者は、上記目的の実
現に向け鋭意研究を行った結果、以下に示す内容を要旨
構成とする発明に想到した。 (1) 本発明の多層プリント配線板は、基板上に、導体回
路と層間樹脂絶縁層とを交互に積層してなる多層プリン
ト配線板において、内層側の導体回路と外層側の導体回
路とが、層間樹脂絶縁層を貫通する柱状導体により電気
的に接続されていることを特徴とする。なお、上記(1)
に記載の多層プリント配線板において、内層側の導体回
路は、無電解めっき膜と電解めっき膜の複合層からなる
ことことが好ましく、また柱状導体は、その側面に粗化
層が設けられていることが好ましい。

【０００６】(2) 本発明にかかる多層プリント配線板の
製造方法は、基板上に、導体回路と層間樹脂絶縁層とを
交互に積層し、内層側と外層側の導体回路どうしを電気
的に接続した多層プリント配線板を製造する方法におい
て、少なくとも下記 (a)〜(g)の工程、すなわち、(a)
基板上の全面に無電解めっき膜の層を形成する工程、
(b) 内層側導体回路用のめっきレジストを設け、そのレ
ジスト非形成部分に電解めっき膜の層を形成する工程、
(c) 柱状導体用のめっきレジストを設け、そのレジスト
非形成部分に電解めっき膜からなる柱状導体を形成する
工程、(d) 前記(b) および(c) で設けためっきレジスト
を剥離除去した後、導体回路用めっきレジスト下の無電
解めっき膜をエッチングにより除去する工程、(e) 層間
樹脂絶縁層を形成する工程、(f) 層間樹脂絶縁層の表面
を研磨して柱状導体を露出させる工程、(g) 外層側導体
回路を形成する工程、を含むことを特徴とする。なお、
上記(2) に記載の製造方法において、 (d)の工程を終え
たのち (e)の工程前に、内層側導体回路および柱状導体
の表面もしくは側面に粗化層を設けることが好ましい。

【０００７】

【発明の実施の形態】本発明の多層プリント配線板は、
層間樹脂絶縁層を貫通して設けられた柱状導体により内
層側と外層側の導体回路どうしが電気的に接続されてい
る点に特徴がある。それ故に、本発明によれば、従来の
バイアホールのようなランド部分が不要となり、配線の
高密度化が可能となる。

【０００８】また、本発明にかかる多層プリント配線板
の製造方法によれば、柱状導体をめっきレジストを介し
た電解めっきにより形成してから層間樹脂絶縁層を形成
するので、柱状導体下に樹脂残りがない。というのは、
層間樹脂絶縁層は、その表面を粗化するために耐熱性樹
脂粒子を配合したり、靱性改善のために熱可塑性樹脂を
複合させたりする。そのため層間樹脂絶縁層に開口を設
けようとすると樹脂残りが発生しやすい。この点、めっ
きレジストは、剥離が前提であるため耐熱性樹脂粒子や
熱可塑性樹脂を添加する必要がなく、それ故に現像して
も樹脂残りが発生しないからである。しかも本発明の製
造方法によれば、電解めっきにより、短時間かつ低コス
トで柱状導体を形成することができる。つまり、本発明
によれば、接続信頼性に優れる配線密度の高い多層プリ
ント配線板が容易に製造できる。

【０００９】なお、本発明の多層プリント配線板は、柱
状導体の側面に粗化層を設けることで、柱状導体と層間
樹脂絶縁層との密着性が向上し、ヒートサイクルでも剥
離やクラックが発生しなくなる。即ち、柱状導体とそれ
に接する層間樹脂絶縁層は、両者の熱膨張率が異なるこ
とから、ヒートサイクル時に、柱状導体と層間樹脂絶縁
層の界面を起点とするクラックが柱状導体上下の層間樹
脂絶縁層に向けて発生しやすい。この点、柱状導体の側
面に粗化層を設けることにより、このようなクラックを
防止できる。

【００１０】本発明において、導体回路および柱状導体
の表面もしくは側面には、導体をエッチング処理、研磨
処理、酸化処理および酸化還元処理したり、あるいはめ
っき処理することにより、粗化層を形成することが望ま
しい。特に、めっき処理による粗化層は、銅−ニッケル
−リンからなる針状合金層であることが望ましい。その
合金層の組成は、銅、ニッケル、リンの割合が、それぞ
れ90〜96wt％、１〜５wt％、 0.5〜２wt％であることが
望ましい。これらの組成割合のときに、針状の構造を有
するからである。

【００１１】前記銅−ニッケル−リン合金層による粗化
層を形成する場合、かかる合金層は無電解めっきにより
形成される。その無電解めっきには、銅イオン、ニッケ
ルイオン、次亜リン酸イオンの濃度が、それぞれ 2.2×
10^-2〜 4.1×10^-2 mol／ｌ、2.2×10^-3〜 4.1×10^-3 mo
l／ｌ、0.20〜0.25 mol／ｌである液組成のめっき液を
用いることが望ましい。この条件で析出するめっき被膜
は、その結晶構造が針状構造になるため、アンカー効果
に優れるからである。なお、無電解めっき液には上記化
合物に加えて錯化剤や添加剤を加えてもよい。

【００１２】酸化処理による粗化層を形成する場合、そ
の酸化処理は、亜塩素酸ナトリウム、水酸化ナトリウ
ム、リン酸ナトリウムからなる酸化剤の溶液を用いる処
理が望ましい。

【００１３】酸化還元処理による粗化層を形成する場
合、その酸化還元処理は、上記酸化処理に引き続き、水
酸化ナトリウムと水素化ホウ素ナトリウムの溶液に浸漬
する処理が望ましい。具体的には、酸化浴（黒化浴）と
しては、NaOH（10ｇ／ｌ）、NaClO₂（40ｇ／ｌ）および
Na₃PO₄（６ｇ／ｌ）からなる浴を用い、還元浴として
は、NaOH（10ｇ／ｌ）およびNaBH₄ （５ｇ／ｌ）からな
る浴を用いることが望ましい。

【００１４】さらに、特開平７−292483号に記載されて
いるように、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、
２−エチルイミダゾールなどのアゾール類の第二銅錯体
およびギ酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、シュウ酸な
どの有機酸（必要に応じてフッ素イオン、塩素イオン、
臭素イオンなどのハロゲンイオンを含有してもよい）か
らなる粗化液を用い、導体回路および柱状導体の表面も
しくは側面に粗化層を形成することができる。

【００１５】なお、上述したような粗化層の表面には、
イオン化傾向が銅よりも大きくチタン以下である金属の
層もしくは貴金属層が被覆されていることが望ましい。
この理由は、酸や酸化剤で層間樹脂絶縁層を粗化する際
に、バイアホール用の開口から露出する導体回路の粗化
層が酸や酸化剤により局部電極反応を起こし、その導体
回路が溶解することを防止できるからである。

【００１６】ここで、イオン化傾向が銅よりも大きくチ
タン以下である金属は、チタン、アルミニウム、亜鉛、
鉄、インジウム、タリウム、コバルト、ニッケル、ス
ズ、鉛およびビスマスから選ばれるいずれか少なくとも
１種の金属であることが望ましい。また貴金属は、金、
銀、白金、パラジウムであることが望ましい。これらの
金属のなかでも特にスズがよい。スズは無電解置換めっ
きにより薄い層を形成でき、粗化層に追従できるため有
利である。この場合、ホウフッ化スズ−チオ尿素、塩化
スズ−チオ尿素液からなる無電解置換めっき液を用いる
Cu−Snの置換反応により、 0.1〜２μｍ程度のSn層が形
成される。貴金属の場合は、スパッタや蒸着などの方法
が採用できる。

【００１７】また、上記粗化層は、その厚さを１〜５μ
ｍとすることが望ましい。厚すぎると粗化層自体が損
傷、剥離しやすく、薄すぎると密着性が低下するからで
ある。粗化層に被覆される金属層または貴金属層は、そ
の厚さを 0.1〜２μｍとすることが望ましい。

【００１８】本発明において、内層側の導体回路は無電
解めっき膜と電解めっき膜の複合層からなることが好ま
しい。即ち、内層側の導体回路はセミアディティブ法に
よるものが望ましい。この理由は、セミアディティブ法
によれば、導体回路および柱状導体の表面もしくは側面
に、粗化層を容易に形成できるからである。ここで、前
記導体回路を構成する無電解めっき膜の厚さは、 0.1〜
５μｍであることが望ましい。この理由は、無電解めっ
き膜の厚さが厚すぎると層間樹脂絶縁層との追従性が低
下し、逆に無電解めっき膜の厚さが薄すぎると、ピール
強度の低下を招いたり、電解めっきを施す際の抵抗値が
大きくなって、電解めっき膜の厚さにバラツキが発生し
てしまうからである。また、前記導体回路を構成する電
解めっき膜の厚さは、10〜20μｍであることが望まし
い。この理由は、電解めっき膜の厚さが厚すぎるとピー
ル強度の低下を招き、逆に電解めっき膜の厚さが薄すぎ
ると層間樹脂絶縁層との追従性が低下するからである。

【００１９】本発明において、層間樹脂絶縁層として
は、無電解めっき用接着剤を用いることが望ましい。こ
の無電解めっき用接着剤は、硬化処理された酸あるいは
酸化剤に可溶性の耐熱性樹脂粒子が、硬化処理によって
酸あるいは酸化剤に難溶性となる未硬化の耐熱性樹脂中
に分散されてなるものが最適である。この理由は、酸あ
るいは酸化剤で処理することにより、耐熱性樹脂粒子が
溶解除去されて、表面に蛸つぼ状のアンカーからなる粗
化面を形成できるからである。

【００２０】このような無電解めっき用接着剤におい
て、特に硬化処理された前記耐熱性樹脂粒子としては、
平均粒径が10μｍ以下の耐熱性樹脂粉末、平均粒径
が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、
平均粒径が２〜10μｍの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒
径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末との混合物、平均粒
径が２〜10μｍの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径が２
μｍ以下の耐熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか少
なくとも１種を付着させてなる疑似粒子、平均粒径が
0.1〜0.8 μｍの耐熱性樹脂粉末と平均粒径が 0.8μｍ
超２μｍ未満の耐熱性樹脂粉末との混合物、のなかから
選ばれるいずれか少なくとも１種を用いることが望まし
い。これらは、より複雑なアンカーを形成できるからで
ある。

【００２１】なお、本発明において、めっきレジストは
感光性ドライフィルムを使用し、ソルダーレジストを形
成する場合の感光性樹脂組成物としては、特にクレゾー
ルノボラックやフェノールノボラック型エポキシ樹脂の
アクリレートとイミダゾール硬化剤からなる組成物を用
いることが望ましいが、他に市販品を使用することもで
きる。

【００２２】次に、本発明にかかる多層プリント配線板
の製造方法について説明する。本発明の多層プリント配
線板は、(a) 基板上の全面に無電解めっき膜に層を形成
する工程、(b) 内層側導体回路用のめっきレジストを設
け、そのレジスト非形成部分に電解めっき膜の層を形成
する工程、(c) 柱状導体用のめっきレジストを設け、そ
のレジスト非形成部分に電解めっき膜からなる柱状導体
を形成する工程、(d) 前記(b) および(c) で設けためっ
きレジストを剥離除去した後、導体回路用めっきレジス
ト下の無電解めっき膜をエッチングにより除去する工
程、(e) 層間樹脂絶縁層を形成する工程、(f) 層間樹脂
絶縁層の表面を研磨して柱状導体を露出させる工程、
(g) 外層側導体回路を形成する工程、を少なくとも経て
製造される。

【００２３】ここで、工程(a) は、配線基板上の全面に
無電解めっき膜の層を形成する工程である。この工程で
用いる配線基板は、特に限定されず、例えば、銅張積層
板をエッチングすることにより、またドリルで穿孔した
孔に無電解めっき等を施すことにより、導体回路または
スルーホールを形成し、ここに層間樹脂絶縁層を設け、
さらにその絶縁層表面を粗化したものを用いることがで
きる。即ち、この工程では、このような配線基板上の粗
化面全体に、後の工程で電解めっきを容易に行うための
めっきリードとなる無電解めっき膜を形成する。

【００２４】工程(b) は、内層側導体回路用のめっきレ
ジストを設け、そのレジスト非形成部分に電解めっき膜
の層を形成する工程である。この工程において、めっき
レジストは、例えばドライフィルムを露光、現像処理し
て形成される。また、電解めっき膜は、上記工程(a) で
形成した無電解めっき膜をめっきリードとして電解めっ
きを施して形成される。

【００２５】工程(c) は、柱状導体用のめっきレジスト
を設け、そのレジスト非形成部分に電解めっき膜からな
る柱状導体を形成する工程である。この工程において、
めっきレジストは、例えばドライフィルムを露光、現像
処理して形成される。また、柱状導体は、上記工程(a)
で形成した無電解めっき膜および上記工程(b) で形成し
た電解めっき膜をめっきリードとして電解めっきを施し
て形成される。

【００２６】工程(d) は、上記 (b)および(c) の工程で
設けためっきレジストを剥離除去した後、導体回路用め
っきレジスト下の無電解めっき膜をエッチングにより除
去する工程である。この工程において、めっきレジスト
の剥離除去には、５％KOH が使用でき、また無電解めっ
き膜のエッチングには、硫酸−過酸化水素水、過硫酸塩
溶液、塩化第二鉄などが使用できる。

【００２７】工程(e) は、層間樹脂絶縁層を形成する工
程である。この工程において、層間樹脂絶縁層は、未硬
化の樹脂液をギャップコータで塗布することにより形成
することが望ましい。この理由は、柱状導体が折れたり
歪むことを防ぐためである。

【００２８】工程(f) は、層間樹脂絶縁層の表面を研磨
して柱状導体を露出させる工程である。この工程におけ
る研磨はベルトサンダー研磨やバフ研磨がよい。工程
(g) は、外層側導体回路を形成する工程である。この外
層側導体回路は、フルアディティブ法、セミアディティ
ブ法のいずれの方法によっても形成することができる。

【００２９】

【実施例】図１〜図19は、本発明の一実施態様に係る多
層プリント配線板を製造する各工程を示す図である。こ
れらの図に基づいて以下に実施例を説明する。 （実施例１） (1) 厚さ１mmのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマ
レイミドトリアジン）樹脂からなる基板１の両面に18μ
ｍの銅箔８がラミネートされている銅張積層板を出発材
料とした（図１参照）。まず、この銅張積層板をドリル
削孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチ
ングすることにより、基板１の両面に銅パターン４とス
ルーホール９を形成した。

【００３０】(2) さらに、銅パターン４とスルーホール
９を形成した基板を、水洗いして乾燥した後、NaOH（10
ｇ／ｌ）、NaClO₂（40ｇ／ｌ）、Na₃POP₄ （６ｇ／ｌ）
を酸化浴（黒化浴）、またNaOH（10ｇ／ｌ）、NaBH
₄ （６ｇ／ｌ）を還元浴として用い、導体回路４および
スルーホール９の全表面に粗化層11を設けた（図２参
照）。

【００３１】(3) 一方、ビスフェノールＦ型エポキシモ
ノマー（油化シェル製、分子量310 、YL983U） 100重量
部、イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）６重
量部、消泡剤（サンノプコ製、ペレノールＳ４）1.5 重
量部を混合し、さらに、これらの混合物に対し、表面に
シランカップリング剤をコーティングした平均粒径 1.6
μｍのSiＯ₂ 球状粒子（アドマテック製、CRS 1101−C
E、ここで、最大粒子の大きさは後述する内層銅パター
ンの厚み（15μｍ）以下とする） 170重量部を混合し、
３本ロールにて混練することにより、その混合物の粘度
を23±１℃で45,000〜49,000cps に調整して、基板表面
平滑化のための樹脂充填剤10を得た。この樹脂充填剤は
無溶剤である。もし溶剤入りの樹脂充填剤を用いると、
後工程において層間剤を塗布して加熱・乾燥させる際
に、樹脂充填剤の層から溶剤が揮発して、樹脂充填剤の
層と層間材との間で剥離が発生するからである。

【００３２】(4) 前記(3) で得た樹脂充填剤10を、図２
に示す基板１の片面にロールコータを用いて塗布するこ
とにより、導体回路４間の間隙あるいはスルーホール９
内に充填し、 120℃, 20分間で仮硬化し、他方の面につ
いても同様にして樹脂充填剤10を導体回路４間の間隙あ
るいはスルーホール９内に充填し、 120℃, 20分間で仮
硬化した（図３参照）。

【００３３】(5) 前記(4) の処理を終えた基板の片面
を、＃600 のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベ
ルトサンダー研磨により、銅パターン４の表面やスルー
ホール９のランド表面に樹脂充填剤10が残らないように
研磨し、次いで、前記ベルトサンダー研磨による傷を取
り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨
を基板の他方の面についても同様に行った（図４参
照）。次いで、 100℃で１時間、120 ℃で３時間、 150
℃で１時間、 180℃で７時間の加熱処理を行って樹脂充
填剤10を完全硬化した。

【００３４】このようにして、スルーホール９等に充填
された樹脂充填剤10の表層部および導体回路４上面の粗
化層11を除去して基板両面を平滑化し、樹脂充填剤10と
導体回路４の側面とが粗化層11を介して強固に密着し、
またスルーホール９の内壁面と樹脂充填剤10とが粗化層
11を介して強固に密着した配線基板を得た。即ち、上記
工程(5) により、樹脂充填剤10の表面と銅パターン４の
表面が同一平面となる。

【００３５】(6) 前記(5) の処理で露出した導体回路４
およびスルーホール９のランド上面に厚さ 2.5μm のCu
−Ni−Ｐ合金からなる粗化層（凹凸層）11を形成し、さ
らにその粗化層11の表面に厚さ 0.3μｍのSn層を形成し
た（図５参照、但し、Sn層については図示しない）。そ
の形成方法は以下のようである。即ち、基板を酸性脱脂
してソフトエッチングし、次いで、塩化パラジウムと有
機酸からなる触媒溶液で処理して、Ｐｄ触媒を付与し、
この触媒を活性化した後、硫酸銅８ｇ／ｌ、硫酸ニッケ
ル 0.6ｇ／ｌ、クエン酸15ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウ
ム29ｇ／ｌ、ホウ酸31ｇ／ｌ、界面活性剤 0.1ｇ／ｌ、
ｐＨ＝９からなる無電解めっき浴にてめっきを施し、銅
導体回路４およびスルーホール９の上面にCu−Ni−Ｐ合
金の粗化層（凹凸層）11を形成した。ついで、ホウフッ
化スズ0.1mol／ｌ、チオ尿素1.0mol／ｌ、温度50℃、ｐ
Ｈ＝1.2 の条件でCu−Sn置換反応を行い、粗化層11の表
面に厚さ 0.3μｍのSn層を設けた（Sn層については図示
しない）。

【００３６】(7) また一方で、ＤＭＤＧ（ジエチレング
リコールジメチルエーテル）に溶解したクレゾールノボ
ラック型エポキシ樹脂（日本化薬製、分子量2500）70重
量部、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）30重量部、イ
ミダゾール硬化剤（四国化成製、 2E4MZ−CN）４重量
部、さらにこれらの混合物に対して平均粒径 1.0μｍの
エポキシ樹脂粒子40重量部を混合した後、さらにＮＭＰ
を添加しながら混合し、ホモディスパー攪拌機で粘度12
Pa・ｓに調整し、続いて３本ロールで混練して感光性接
着剤溶液を得た。

【００３７】(8) 前記(6) の処理を終えた基板の両面
に、上記(7) で得た接着剤溶液をロールコータを用いて
塗布し、水平状態で20分間放置してから、60℃で30分の
乾燥を行い、100 ℃で１時間、その後 150℃で５時間の
加熱処理をすることにより、厚さ50μｍの接着剤層２を
形成した（図６参照）。さらに図示しないが、ドリルに
よりスルーホール形成用の貫通孔を設けた。

【００３８】なお、この工程では、樹脂充填剤の層上に
感光性接着剤層を直接形成する上記以外の構成として、
樹脂充填剤の層上に絶縁材の層を形成し、この絶縁材の
層上に感光性接着剤の層を形成する形態を採用すること
ができる。即ち、絶縁材層と接着剤層の２層からなる層
間絶縁層を形成することができる。このときの絶縁材
は、クレゾールノボラックエポキシ樹脂（日本化薬製）
70重量％、ポリエーテルスルホン（三井東圧製）30重量
％、イミダゾール硬化剤を４重量％、エポキシ樹脂粒子
（平均粒子径 0.3μｍ ビスフェノールＡ型樹脂をアミ
ン系硬化剤で懸濁重合させたもの）を混合した後、ノル
マルメチルピロリドン（ＮＭＰ）を添加しながらホモデ
ィスパー攪拌機で粘度1.2 Pa・ｓに調整し、さらに３本
ロールで混練して得られる。

【００３９】(9) 前記(8) で接着剤層２を形成した基板
を、クロム酸に１分間浸漬し、接着剤層２の表面のエポ
キシ樹脂粒子を溶解除去することにより、当該接着剤層
２の表面を粗面化し、その後、中和溶液（シプレイ社
製）に浸漬してから水洗いした（図７参照）。さらに、
粗面化処理した該基板の表面に、パラジウム触媒（アト
テック製）を付与することにより、接着剤層２の表面に
触媒核を付けた。

【００４０】(10)前記(9) の処理を施した基板を、以下
の組成の無電解銅めっき浴中に浸漬して、粗面全体に厚
さ３μｍの無電解銅めっき膜12を形成した（図８参
照）。 〔無電解めっき液〕 ＥＤＴＡ 150ｇ／ｌ 硫酸銅 20ｇ／ｌ ＨＣＨＯ 30ml／ｌ ＮａＯＨ 40ｇ／ｌ α、α’−ビピリジル 80mg／ｌ ＰＥＧ 0.1ｇ／ｌ 〔無電解めっき条件〕70 ℃の液温度で30分

【００４１】(11)前記(10)で形成した無電解銅めっき膜
12上に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスク
を載置して、 100mJ／cm² で露光、 0.8％炭酸ナトリウ
ムで現像処理し、厚さ15μｍの内層導体回路用のめっき
レジスト3aを設けた（図９参照）。

【００４２】(12)ついで、レジスト非形成部分に以下の
条件で電解銅めっきを施し、厚さ15μｍの電解銅めっき
膜13を形成した（図10参照）。 〔電解めっき液〕 硫酸 180g ／l 硫酸銅 80ｇ／ｌ 添加剤（アトテックジャパン製、カパラシドＧＬ） １ml／ｌ 〔電解めっき条件〕 電流密度 １Ａ／dm² 時間 30分 温度 室温

【００４３】(13)さらに、柱状導体用のめっきレジスト
3bを前記(11)と同じ方法で形成し（図11参照）、前記(1
2)と同様の条件で電解めっきを行い、直径30μｍ、厚さ
15μｍの柱状導体７を設けた（図12参照）。

【００４４】(14)前記(11)および(13)で形成しためっき
レジスト3a, 3bを５％KOH で剥離除去した後（図13参
照）、その導体回路用めっきレジスト3a下の無電解めっ
き膜12を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理し
て溶解除去し、無電解銅めっき膜12と電解銅めっき膜13
からなる厚さ18μｍの内層導体回路５、図示しないスル
ーホールおよび厚さ15μｍの柱状導体７を形成した（図
14参照）。さらに、800 g／l のクロム酸にて２分間浸
漬して粗化面上に残留しているパラジウム触媒核を除去
した。

【００４５】(15)前記(14)で内層導体回路５および柱状
導体７を形成した基板を、硫酸銅８ｇ／ｌ、硫酸ニッケ
ル 0.6ｇ／ｌ、クエン酸15ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウ
ム29ｇ／ｌ、ホウ酸31ｇ／ｌ、界面活性剤 0.1ｇ／ｌか
らなるｐＨ＝９の無電解めっき液に浸漬し、該導体回路
５および柱状導体７の表面もしくは側面に厚さ３μｍの
銅−ニッケル−リン合金からなる粗化層11を形成した
（図15参照）。このとき、形成した粗化層11をＥＰＭＡ
（蛍光Ｘ線分析装置）で分析したところ、Cu：98mol
％、Ni：1.5molｌ％、Ｐ：0.5molｌ％の組成比であっ
た。さらに、ホウフッ化スズ0.1mol／ｌ、チオ尿素1.0m
ol／ｌ、温度50℃、ｐＨ＝1.2 の条件でCu−Sn置換反応
を行い、前記粗化層11の表面に厚さ 0.3μｍのSn層を設
けた（Sn層については図示しない）。なお、前記粗化層
11は、NaOH（10ｇ／ｌ）、NaClO₂（40ｇ／ｌ）、Na₃PO₄
（６ｇ／ｌ）からなる酸化浴（黒化浴）と、NaOH（10ｇ
／ｌ）、NaBH₄ （６ｇ／ｌ）からなる還元浴を用いてエ
ッチングしたものであってもよい。

【００４６】(17)さらに、前記(7) の工程で得られた接
着剤溶液をカーテンコータにて基板表面に塗布し、60℃
で30分の乾燥を行い、100 ℃で１時間、その後 150℃で
５時間の加熱処理をすることにより、厚さ40μｍ接着剤
層を形成した（図16参照）。

【００４７】(18)前記(17)で形成した接着剤層２の表面
を、＃600 のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベ
ルトサンダーで研磨し、柱状導体７を露出させた（図17
参照）。さらに前記(9) の条件で接着剤層２の表面を粗
面化し（図18参照）、触媒を付与した後、前記(10)〜(1
2),(14) の工程により外層導体回路６を形成し（図19参
照）、多層配線板とした。

【００４８】このようにして製造した多層プリント配線
板において、バイアホールとして機能する柱状導体７の
拡大図を図20に示す。このような柱状導体７によって内
層側の導体回路と外層側の導体回路とが電気的に接続さ
れている多層プリント配線板は、従来のバイアホールの
ようなランド部分がないので、バイアホールの小径化を
容易に実現でき、配線密度を確実に向上させることが可
能である。

【００４９】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、バ
イアホールの小径化を容易に実現でき、配線密度の高い
多層プリント配線板を安定して提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかる多層プリント配線板を製造する
各工程を示す図である。

【図２】本発明にかかる多層プリント配線板を製造する
各工程を示す図である。

【図３】本発明にかかる多層プリント配線板を製造する
各工程を示す図である。

【図４】本発明にかかる多層プリント配線板を製造する
各工程を示す図である。

【図５】本発明にかかる多層プリント配線板を製造する
各工程を示す図である。

【図６】本発明にかかる多層プリント配線板を製造する
各工程を示す図である。

【図７】本発明にかかる多層プリント配線板を製造する
各工程を示す図である。

【図８】本発明にかかる多層プリント配線板を製造する
各工程を示す図である。

【図９】本発明にかかる多層プリント配線板を製造する
各工程を示す図である。

【図10】本発明にかかる多層プリント配線板を製造する
各工程を示す図である。

【図11】本発明にかかる多層プリント配線板を製造する
各工程を示す図である。

【図12】本発明にかかる多層プリント配線板を製造する
各工程を示す図である。

【図13】本発明にかかる多層プリント配線板を製造する
各工程を示す図である。

【図14】本発明にかかる多層プリント配線板を製造する
各工程を示す図である。

【図15】本発明にかかる多層プリント配線板を製造する
各工程を示す図である。

【図16】本発明にかかる多層プリント配線板を製造する
各工程を示す図である。

【図17】本発明にかかる多層プリント配線板を製造する
各工程を示す図である。

【図18】本発明にかかる多層プリント配線板を製造する
各工程を示す図である。

【図19】本発明にかかる多層プリント配線板を製造する
各工程を示す図である。

【図20】本発明にかかる柱状導体部分を示す断面拡大図
である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 接着剤層 3a 内層導体回路用のめっきレジスト 3b 柱状導体用のめっきレジスト ４ 銅パターン（導体回路） ５ 内層銅パターン（内層導体回路） ６ 外層銅パターン（外層導体回路） ７ 柱状導体 ８ 銅箔 ９ スルーホール 10 樹脂充填剤 11 粗化層 12 無電解銅めっき膜 13 電解銅めっき膜

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に、導体回路と層間樹脂絶縁層と
   を交互に積層してなる多層プリント配線板において、 内層側の導体回路と外層側の導体回路とが、層間樹脂絶
   縁層を貫通する柱状導体により電気的に接続されている
   ことを特徴とする多層プリント配線板。
2. 【請求項２】 前記内層側の導体回路は、無電解めっき
   膜と電解めっき膜の複合層からなることを特徴とする請
   求項１に記載の多層プリント配線板。
3. 【請求項３】 前記柱状導体は、その側面に粗化層が設
   けられていることを特徴とする請求項１に記載の多層プ
   リント配線板。
4. 【請求項４】 基板上に、導体回路と層間樹脂絶縁層と
   を交互に積層し、内層側と外層側の導体回路どうしを電
   気的に接続した多層プリント配線板を製造する方法にお
   いて、少なくとも下記 (a)〜(g) の工程、すなわち、
   (a) 基板上の全面に無電解めっき膜の層を形成する工
   程、(b) 内層側導体回路用のめっきレジストを設け、そ
   のレジスト非形成部分に電解めっき膜の層を形成する工
   程、(c) 柱状導体用のめっきレジストを設け、そのレジ
   スト非形成部分に電解めっき膜からなる柱状導体を形成
   する工程、(d) 前記(b) および(c) で設けためっきレジ
   ストを剥離除去した後、導体回路用めっきレジスト下の
   無電解めっき膜をエッチングにより除去する工程、(e)
   層間樹脂絶縁層を形成する工程、(f) 層間樹脂絶縁層の
   表面を研磨して柱状導体を露出させる工程、(g) 外層側
   導体回路を形成する工程、を含むことを特徴とする多層
   プリント配線板の製造方法。
5. 【請求項５】 前記(d) の工程を終えたのち前記(e) の
   工程前に、内層側導体回路および柱状導体の表面もしく
   は側面に粗化層を設けることを特徴とする請求項４に記
   載の製造方法。