JP2000200971A - 多層プリント配線板の製造方法 - Google Patents
多層プリント配線板の製造方法Info
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Abstract
しなくとも触媒核を除去できる多層プリント配線板の製
造方法を提案する。 【解決手段】 触媒核33を付与した後、無電解めっき
23及び電解めっき28を用いて導体回路29を形成す
る。次に、導体回路29を酸素共存下で第二銅錯体と有
機酸とを含有するエッチング液により処理して粗化面3
5を形成するとともに、導体回路29間の触媒核33を
除去する。第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング
液により処理して粗化面35を形成するので、導体回路
面の粗化時に導体回路29間の触媒核も第二銅錯体と有
機酸によって溶解除去され、粗化と触媒核除去を同時に
達成できる。
Description
板の製造方法に関し、特には、導体回路の粗化と触媒核
の除去が同時に可能で、低公害を実現できる多層プリン
ト配線板の製造方法に関する。
請から、いわゆるビルドアップ多層配線基板が注目され
ている。このビルドアップ多層配線基板は、例えば、特
公平4-55555 号公報に開示されているような方法で製造
される。即ち、感光性の無電解めっき用接着剤からなる
絶縁材を、導体回路を有するコア基板上に塗布し、乾燥
した後、露光現像することにより、バイアホール用開口
を有する層間絶縁材層を形成する。次いで、この層間絶
縁材層の表面を酸化剤等による処理にて粗化した後、そ
の粗化面にめっきレジストを設け、レジスト非形成部分
に無電解めっきを施して、バイアホールを含む2層の導
体回路パターンを形成する。かかる工程を複数回繰り返
せば、多層化したビルドアップ配線基板が得られる。
絶縁層により被覆される下層の導体回路は、基板の全面
に触媒核を付与して無電解めっきを行い、さらにめっき
レジストを設け、この無電解めっき膜上に電気めっきを
施し、めっきレジストを除去、無電解めっき膜をエッチ
ング除去することにより形成する。しかしながら、導体
回路間には無電解めっきを行うための触媒核が残存して
しまうため、触媒核を除去する必要があった。このよう
な触媒核除去の方法としては、例えば、特開H10−2
33579号などに、クロム酸などで導体回路間の樹脂
を除去する方法が提案されている。
術では、クロム酸を用いるため環境に悪影響を与える
上、導体回路間の樹脂を除去するための工程が余分に必
要となるなどの問題があった。本発明は、クロム酸を使
用せず、また余分ば工程を付加しなくとも触媒核を除去
できる多層プリント配線板の製造方法を提案することを
目的とする。
路、上層導体回路および層間樹脂絶縁層とを備えている
多層プリント配線板の製造方法であって、基板上に触媒
核を付与した後、無電解めっきを用いて下層導体回路を
形成し、ついで、下層導体回路を酸素共存下で第二銅錯
体と有機酸とを含有するエッチング液により処理して粗
化面を形成するとともに、下層導体回路間の触媒核を除
去し、さらに、下層導体回路上に層間樹脂絶縁層および
上層導体回路を形成することを特徴とする多層プリント
配線板の製造方法、である。
第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液により処
理して粗化面を形成するため、導体回路面の粗化時に導
体回路間の触媒核も第二銅錯体と有機酸によって溶解除
去されるため、粗化と触媒核除去を同時に達成できるの
である。
面を処理すると、その表面は、針状合金めっきとは異な
り、多面体形凹部から形成された錨状部を有する粗化面
となる。さらに、この粗化面を、その形成メカニズムか
ら具体的に記述すると、前記粗化面が、最大粗度(Rm
ax)が0.1〜10μmの粗化面が形成されてなると
ともに、前記粗化面は、エッチング残りによる錨状部、
その錨状部の周囲の金属結晶粒子のエッチングにより生
じる窪み、前記錨状部と他の錨状部の間に形成された稜
線からなる。
ることが必要である。0.1μm未満では、密着性が低
下し、10μmを越えると樹脂残りが発生し、また、断
線などの問題が発生しやすくなる。前記錨状部は、5μ
m角当りの領域で平均2〜100個、前記窪みは平均2
〜100個形成されることが望ましい。この理由は、前
記錨状部が5μm角当りの領域で平均2〜100個の範
囲では、密着性を維持しつつ、樹脂残りを防止できるか
らである。さらに、窪みの数を5μm角当りの領域で平
均2〜100個とすることにより、錨状部の密集を防止
して樹脂残りの発生を抑止し、かつ密着性を維持できる
のである。
領域で平均3〜3000本形成されることが望ましい。
前記粗化面の形状を複雑にすることにより密着性を向上
させると同時に、樹脂残りを除去し易いからである。な
お、錨状部、稜線、窪みの個数の測定は、粗化面の真上
および斜め上方45°から5000倍の電子顕微鏡写真
を撮影し、5μm角の領域を任意に選んで個数を測定
し、その平均値を採用した。
は、所定のエッチング液により溶解して形成されてお
り、めっきで形成したような、成長した針状突起同士が
重なって空間を形成することはない。このため、下層導
体回路表面上には、樹脂が残存し難く、加熱時やヒート
サイクル時に下層導体回路からバイアホール導体を剥離
させることはない。
れ、めっきが多面体形凹部に浸入して粗化面内の錨状部
につきまわるため、下層導体回路の錨状部がバイアホー
ル導体に食い込み、下層導体回路の粗化面とバイアホー
ルとがより一層密着する。
体形凹部から形成される錨状部が層間樹脂絶縁層に食い
込み、下層導体回路と層間樹脂絶縁層との剥離も生じさ
せない。
の多層プリント配線板は、加熱時やヒートサイクル条件
において、下層導体回路とバイアホールとの剥離及び下
層導体回路と層間樹脂絶縁層との剥離を同時に防止する
ことができる。
とを含有するエッチング液を、スプレイやバブリング等
の酸素共存条件で、次のように作用させて、下層導体回
路の銅導体を溶解させる。
位数を示す。〕
類の第二銅錯体がよい。このアゾール類の第二銅錯体
は、金属銅等を酸化する酸化剤として作用する。アゾー
ル類としては、ジアゾール、トリアゾール、テトラゾー
ルがよい。中でも、イミダゾール、2−メチルイミダゾ
ール、2−エチルイミダゾール、2−エチル−4−メチ
ルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−ウン
デシルイミダゾール等がよい。アゾール類の第二銅錯体
の添加量は、1〜15重量%がよい。溶解性及び安定性に
優れ、また、触媒核を構成するPdなどの貴金属をも溶
解させることができるからである。
をアゾール類の第二銅錯体に配合する。具体例として
は、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロ
ン酸、アクリル酸、クロトン酸、シュウ酸、マロン酸、
コハク酸、グルタル酸、マレイン酸、安息香酸、グリコ
ール酸、乳酸、リンゴ酸、スルファミン酸からなる群よ
り選ばれる少なくとも1種がよい。有機酸の含有量は、
0.1 〜30重量%がよい。酸化された銅の溶解性を維持
し、かつ溶解安定性を確保するためである。
し、酸素と結合して第二銅錯体となって、再び銅の酸化
に寄与する。
補助するために、ハロゲンイオン、例えば、フッ素イオ
ン、塩素イオン、臭素イオン等をエッチング液に加えて
もよい。本発明では、塩酸、塩化ナトリウム等を添加し
て、ハロゲンイオンを供給することができる。ハロゲン
イオン量は、0.01〜20重量%がよい。形成された粗化面
と層間樹脂絶縁層との密着性に優れるからである。
応じてハロゲンイオン)を、水に溶解してエッチング液
を調整する。また、市販のエッチング液、例えば、メッ
ク社製、商品名「メック エッチボンド」を使用し、本
発明にかかる粗化面を形成することができる。
よい。この範囲を超えたエッチング処理は、形成された
粗化面とバイアホール導体との接続不良を起こすからで
ある。
電解めっき用接着剤を用いて形成することができる。無
電解めっき用接着剤は、熱硬化性樹脂を基剤とし、特に
硬化処理された耐熱性樹脂粒子、酸や酸化剤に溶解する
耐熱性樹脂粒子、無機粒子や繊維質フィラー等を、必要
により含ませることができる。
脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂等を用いることが
できる。なお、熱硬化基の一部を感光化する場合は、熱
硬化基の一部をメタクリル酸やアクリル酸等と反応させ
てアクリル化させる。中でも、エポキシ樹脂のアクリレ
ートが最適である。このエポキシ樹脂としては、ノボラ
ック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂等を用いるこ
とができる。また、添加する熱可塑性樹脂としては、ポ
リエーテルスルフォンやポリスルフォン、ポリフェニレ
ンスルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェ
ニルエーテル、ポリエーテルイミド等を用いることがで
きる。
10μm以下の耐熱性樹脂粉末、(2)平均粒径が2μm以
下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、(3) 平均粒
径が2〜10μmの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が2μ
m以下の耐熱性樹脂粉末との混合物、(4) 平均粒径が2
〜10μmの耐熱性樹脂粉末の表面に、平均粒径が2μm
以下の耐熱性樹脂粉末及び無機粉末のいずれか一方又は
双方を付着させた疑似粒子、(5) 平均粒子径が0.8 〜2.
0 μmの耐熱性樹脂粉末、平均粒子径が0.1 〜0.8 μm
の耐熱性樹脂粉末、及びそれらの混合物から選ばれる少
なくとも1種の粒子を用いるのが望ましい。これらの粒
子は、より複雑なアンカーを形成できるからである。こ
れらの粒子により得られる粗化面は、最大粗度(Rma
x)が、0.1〜20μmである。
ては、アミノ樹脂(メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミ
ン樹脂等)、エポキシ樹脂(ビスフェノール型エポキシ
樹脂をアミン系硬化剤で硬化させたものが最適)、ビス
マレイミド−トリアジン樹脂等を用いることができる。
よい。例えば、下層を無機粒子や繊維質フィラーと樹脂
基剤とからなる補強層とし、上層を無電解めっき用接着
剤層とする。
粒径0.1 〜2.0 μmの耐熱性樹脂粒子が酸や酸化剤に難
溶性の耐熱性樹脂中に分散したものとし、上層を無電解
めっき用接着剤層としてもよい。
ルク等を使用できる。繊維質フィラーとしては、炭酸カ
ルシウムのウイスカー、ホウ酸アルミニウムのウイスカ
ー、アラミド繊維、炭素繊維等の少なくとも1種を使用
できる。
一方法について説明する。以下の方法は、セミアディテ
ィブ法によるものであるが、フルアディティブ法を採用
してもよい。
た配線基板を作製する。基板としては、ガラスエポキシ
基板、ポリイミド基板、ビスマレイミド−トリアジン樹
脂基板等の樹脂絶縁基板、セラミック基板、金属基板等
を用いることができる。
を無電解めっき又は電解めっきした後にエッチングする
方法や、ガラスエポキシ基板、ポリイミド基板、セラミ
ック基板、金属基板等の基板に無電解めっき用接着剤層
を形成し、この接着剤層表面を粗化して粗化面とし、こ
の粗化面に無電解めっきする方法、又はいわゆるセミア
ディティブ法(その粗化面全体に薄付けの無電解めっき
を施し、めっきレジストを形成し、めっきレジスト非形
成部分に厚付けの電解めっきを施した後、めっきレジス
ト除去し、エッチング処理して、電解めっき膜と無電解
めっき膜とからなる導体回路を形成する方法)により行
う。導体回路は、いずれも銅パターンがよい。
の粗化層は、前述したアゾール類の第二銅錯体と有機酸
の水溶液からなるエッチング液をスプレイするか、エッ
チング液に浸漬し、バブリングする方法により行われ
る。なお、導体回路は、無電解めっき膜又は電解めっき
膜が望ましい。圧延銅箔をエッチングした導体回路で
は、粗化面が形成されにくいからである。
り大きくかつチタン以下である金属又は貴金属の層で被
覆されていてもよい。これらの金属又は貴金属の層は、
粗化層を被覆し、層間樹脂絶縁層を粗化する際に起こる
局部電極反応による導体回路の溶解を防止できる。その
層の厚さは 0.1〜2μmがよい。
ム、亜鉛、鉄、インジウム、タリウム、コバルト、ニッ
ケル、スズ、鉛、ビスマスからなる群より選ばれる少な
くとも1種がある。貴金属としては、金、銀、白金、パ
ラジウムがある。これらのうち、特にスズがよい。スズ
は、無電解置換めっきにより薄い層を形成でき、粗化層
に追従できるため有利である。
オ尿素、塩化スズ−チオ尿素液を使用する。この場合、
Cu−Snの置換反応により 0.1〜2μm程度のSn層
が形成される。貴金属の場合は、スパッタや蒸着等の方
法が採用できる。
が形成され、このスルーホールを介して表面と裏面の配
線層を電気的に接続することができる。更に、かかる配
線基板には、スルーホールと配線基板の導体回路間にビ
スフェノールF型エポキシ樹脂等の低粘度の樹脂を充填
し、配線基板の平滑性を確保してもよい。
に無電解めっき用接着剤を塗布し乾燥して、層間樹脂絶
縁層を設ける。塗布には、ロールコータ、カーテンコー
タ等を使用できる。
層間樹脂絶縁層は、導体回路パターン上の層間樹脂絶縁
層の厚さが薄く、導体回路パターン上以外の他の大面積
を持つ部分の層間樹脂絶縁層の厚さが厚くなり、凹凸が
発生している状態であることが多い。そのため、この凹
凸状態にある層間樹脂絶縁層を、金属板や金属ロールを
用いて加熱しながら押圧し、その層間樹脂絶縁層の表面
を平坦化することが望ましい。
で、その層間樹脂絶縁層にはバイアホール形成用の開口
を設ける。
き用接着剤の樹脂マトリックスが熱硬化性樹脂である場
合は熱硬化して行い、感光性樹脂である場合は紫外線等
で露光して行う。
き用接着剤の樹脂マトリックスが熱硬化性樹脂である場
合は、レーザ光や酸素プラズマ等を用いて穿孔し、感光
性樹脂である場合は露光現像処理にて穿孔する。尚、露
光現像処理は、バイアホール形成のための円パターンが
描画されたフォトマスク(ガラス基板がよい)を、円パ
ターン側を感光性の層間樹脂絶縁層の上に密着させて載
置した後、露光、現像処理する。
た層間樹脂絶縁層(無電解めっき用接着剤層)の表面を
粗化する。特に本発明では、無電解めっき用接着剤層の
表面に存在する耐熱性樹脂粒子を酸又は酸化剤で溶解除
去することにより、接着剤層表面を粗化処理する。この
とき、粗化面に形成される窪みの深さは、1〜5μm程
度が好ましい。
酸や酢酸等の有機酸を用いることができる。特に有機酸
を用いるのが望ましい。粗化処理した場合に、バイアホ
ールから露出する金属導体層を腐食させにくいからであ
る。
塩(過マンガン酸カリウム等)を用いることが望まし
い。
核を付与する。触媒核の付与には、貴金属イオンや貴金
属コロイド等を用いることが望ましく、一般的には、塩
化パラジウムやパラジウムコロイドを使用する。尚、触
媒核を固定するために加熱処理を行うことが望ましい。
このような触媒核としてはパラジウムがよい。
脂絶縁層上の全面に薄付けの無電解めっき膜を形成す
る。この無電解めっき膜は、無電解銅めっき膜がよく、
その厚みは、1〜5μm、より望ましくは2〜3μmと
する。尚、無電解銅めっき液としては、常法で採用され
る液組成のものを使用でき、例えば、硫酸銅:29g/
l、炭酸ナトリウム:25g/l、EDTA: 140g/
l、水酸化ナトリウム:40g/l、37%ホルムアルデヒ
ド: 150ml、(pH=11.5)からなる液組成のものがよ
い。
めっき膜上に感光性樹脂フィルム(ドライフィルム)を
ラミネートし、この感光性樹脂フィルム上に、めっきレ
ジストパターンが描画されたフォトマスク(ガラス基板
がよい)を密着させて載置し、露光し、現像処理するこ
とにより、めっきレジストパターンを配設した非導体部
分を形成する。
以外に電解めっき膜を形成し、導体回路とバイアホール
となる導体部を設ける。電解めっきとしては、電解銅め
っきを用いることが望ましく、その厚みは、10〜20μm
がよい。
除去した後、更に、硫酸と過酸化水素の混合液や過硫酸
ナトリウム、過硫酸アンモニウム、塩化第二鉄、塩化第
二銅等のエッチング液にて無電解めっき膜を溶解除去
し、無電解めっき膜と電解めっき膜の2層からなる独立
した導体回路とバイアホールを得る。尚、非導体部分に
露出した粗化面上のパラジウム触媒核は、クロム酸等で
溶解除去する。
バイアホールの表面に粗化層を形成する。この粗化層の
形成方法としては、前述したエッチング処理法による。
このとき、導体回路間の触媒核も除去される。このた
め、触媒核の除去工程が不要になる。
い、層間樹脂絶縁層を形成する。
を繰り返すことにより多層化し、多層プリント配線板を
製造する。
が、無電解めっき用接着剤層を粗化処理し、表面にめっ
きレジストを形成した後、無電解めっきを施して導体パ
ターンを形成するいわゆるフルアディティブ法におい
て、下層導体回路の粗化に使用してもよい。
細に説明する。 実施例1 無電解めっき用接着剤組成物Aの調製 (1) クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬
製:分子量2500)の25重量%アクリル化物を35重量部、
感光性モノマー(東亜合成製:商品名アロニックスM31
5)3.15重量部、消泡剤(サンノプコ製S-65)0.5 重量
部、N-メチルピロリドン(NMP )3.6 重量部を攪拌混合
した。
量部、エポキシ樹脂粒子(三洋化成製:商品名ポリマー
ポール)の平均粒径1.0 μmを7.2 重量部、平均粒径0.
5 μmのものを3.09重量部を混合した後、さらにNMP 30
重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合した。
品名2E4MZ-CN)2重量部、光開始剤(チバガイギー製:
イルガキュア I-907)2重量部、光増感剤(日本化薬
製:DETX-S)0.2 重量部、NMP 1.5 重量部を攪拌混合し
た。 (4) 混合物(1) 〜(3) を混合して無電解めっき用接着剤
組成物を得た。
製:分子量310 、商品名 YL983U ) 100重量部と平均粒
径 1.6μmで表面にシランカップリング剤がコーティン
グされたSiO2 球状粒子〔アドマテック製:CRS 11
01−CE、ここで、最大粒子の大きさは後述する内層銅パ
ターンの厚み(15μm)以下とする。〕170重量部、レ
ベリング剤(サンノプコ製:商品名ペレノールS4)1.5
重量部を3本ロールにて混練し、その混合物の粘度を23
±1℃で45,000〜49,000cps に調整した。
品名:2E4MZ-CN)6.5 重量部。 (3) 混合物(1) と(2) とを混合して、樹脂充填剤を調製
した。
示すプリント配線板の断面図である。 (1) 図1(A)に示すように、本実施例では、厚さ1mm
のビスマレイミドトリアジン(BT)樹脂からなる基板1
の両面に18μmの銅箔2がラミネートされている銅張積
層板3を出発材料とした。
を開け、無電解めっきを施し、さらに銅箔を常法に従い
パターン状にエッチングすることにより、基板1の両面
に内層銅パターン(下層導体回路)5を設け、スルーホ
ール6を形成した(図1(B))。
ール6のランド表面と内壁に、それぞれ粗化層7,8,
9を設けた(図1(C))。粗化層7,8,9は、前述
の基板を水洗し、乾燥した後、エッチング液を基板の両
面にスプレイで吹きつけて、内層銅パターン5の表面、
スルーホール6のランド表面と内壁をエッチングするこ
とにより形成した。エッチング液には、イミダゾール銅
(II)錯体10重量部、グリコール酸7重量部、塩化カ
リウム5重量部、イオン交換水78重量部を混合したも
のを用いた。
0の内層銅パターン5間とスルーホール6内とに設け
た。ここでは、先ず、樹脂層11,12は、予め調製し
た樹脂充填剤Bを、ロールコータにより配線基板10の
両面に塗布し、内層銅パターン5の間とスルーホール6
内に充填し、 100℃で1時間、120 ℃で3時間、 150℃
で1時間、 180℃で7時間、それぞれ加熱処理すること
により硬化させて形成した(図1(D))。
トサンダー研磨した。この研磨では、#600 のベルト研
磨紙(三共理化学製)を用い、内層銅パターン5の粗化
層7やスルーホール6のランド表面に樹脂充填剤が残ら
ないようにした。次いで、このベルトサンダー研磨によ
る傷を取り除くために、バフ研磨を行った。このような
一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行い、図
2(E)示すような配線基板13を得た。
に樹脂層11が設けられ、スルーホール6内に樹脂層1
2が設けられている。内層銅パターン5の粗化層7とス
ルーホール6のランド表面の粗化層8が除去されてお
り、基板両面が樹脂充填剤により平滑化されている。樹
脂層11は内層銅パターン5の側面の粗化層7aを介し
て内層銅パターン5と密着し、樹脂層12はスルーホー
ル6の内壁の粗化層9を介してスルーホール6の内壁と
密着している。
した内層銅パターン5とスルーホール6のランド上面を
(2) のエッチング処理で粗化して、厚さ3μmの粗化層
14,15を形成した。粗化面を真上および斜め上45
°の角度から電子顕微鏡にて撮影したところ、5μm角
当りの領域で錨状部が平均11個、窪みが、5μm角当り
の領域で平均11個、稜線は、5μm角当りの領域で22本
観察された。また、この粗化層14,15の表面をスズ
置換めっきして、0.3 μmの厚さのSn層を設けた。置
換めっきは、ホウフッ化スズ0.1 モル/l、チオ尿素1.
0 モル/l、温度50℃、pH=1.2 の条件でCu−Sn置
換反応させ、粗化層表面に0.3μmの厚さのSn層を設
けた(Sn層については図示しない)。
した無電解めっき用接着剤組成物Aをロールコータを用
いて塗布した。この組成物は、基板を水平状態で20分間
放置してから、60℃で30分乾燥し、厚さ35μmの接着剤
層16を形成した(図2(G))。
剤層16を形成した配線基板の両面に、85μmφの黒円
17が印刷されたフォトマスクフィルム18を密着させ
た。この配線基板を、超高圧水銀灯により 500mJ/cm
2 で露光した。
スプレー現像することにより、85μmφのバイアホール
となる開口19を、接着剤層16に形成した(図3
(I))。更に、この配線基板を超高圧水銀灯により30
00mJ/cm2 で露光し、100 ℃で1時間、その後 150℃
で5時間、加熱処理することにより、フォトマスクフィ
ルムに相当する寸法精度に優れた開口(バイアホール形
成用開口)を形成した。尚、厚さ35μmの接着剤層16
は、層間絶縁材層として機能し、バイアホール形成用開
口には、図示してはいないが、内層銅パターン5上のス
ズめっき層を部分的に露出させた。
酸に1分間浸漬し、接着剤層16の表面に存在するエポ
キシ樹脂粒子を溶解除去した。この処理により、図3
(J)に示すような粗化層20,21を、接着剤層16
の表面とバイアホール用開口の内壁面に形成した。その
後、得られた基板22を中和溶液(シプレイ社製)に浸
漬してから水洗いした。
パラジウム触媒(アトテック製)を付与することによ
り、接着剤層16の粗化層20とバイアホール用開口の
粗化層21に触媒核33を付けた(図4(K))。
めっき浴中に浸漬し、図4(L)に示すような厚さ1.6
μmの無電解銅めっき膜23を粗化面全体に形成した。 無電解めっき液; EDTA : 150 g/l 硫酸銅 : 20 g/l HCHO : 30 ml/l NaOH : 40 g/l α、α’−ビピリジル : 80 mg/l PEG : 0.1 g/l 無電解めっき条件; 70℃の液温度で30分
(図示せず)を無電解銅めっき膜23に張り付け、パタ
ーンが印刷されたマスクフィルム(図示せず)を載置し
た。この基板を、100mJ/cm2 で露光し、その後0.8
%炭酸ナトリウムで現像処理して、図4(M)に示すよ
うに、厚さ15μmのめっきレジスト27を設けた。
電解銅めっきを施し、図5(N)に示すような厚さ15μ
mの電解銅めっき膜28を形成した。 電解めっき液; 硫酸 : 180 g/l 硫酸銅 : 80 g/l 添加剤 : 1ml/l (添加剤はアトテックジャパン製:商品名カパラシドG
L) 電解めっき条件; 電流密度 : 1A/dm2 時間 : 30分 温度 : 室温
除去した後、硫酸と過酸化水素混合液でエッチングし、
めっきレジスト26下に存在していた無電解めっき膜2
3を溶解除去した。図5(O)に示すような、無電解銅
めっき膜23と電解銅めっき膜28とからなる厚さ18μ
mの導体回路29(バイアホール30を含む)が得られ
た。
部、グリコール酸7重量部、塩化カリウム5重量部、イ
オン交換水78重量部を混合したエッチング液をスプレ
ーで吹きつけて導体回路29(バイアホール30含む)
表面に粗化層35を形成するとともに、接着剤層16表
面のパラジウム触媒33を除去し、図5(P)に示すよ
うな多層プリント配線板31を製造した。
っきして、0.1 μmの厚さのSn層を設け、(6) 〜(12)
を繰り返して接着剤層116、導体回路129、バイア
ホール130を形成し、図6の多層プリント配線板を得
た。
ント配線板の製造方法では、下層導体回路間の触媒核の
除去と粗化を同時に達成できるため、製造コストの低
減、納期短縮を実現できる。
(D)は、本発明にかかる多層プリント配線板の製造工
程図である。
明にかかる多層プリント配線板の製造工程図である。
明にかかる多層プリント配線板の製造工程図である。
明にかかる多層プリント配線板の製造工程図である。
明にかかる多層プリント配線板の製造工程図である。
図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 下層導体回路、上層導体回路および層間
樹脂絶縁層とを備えている多層プリント配線板の製造方
法であって、 基板上に触媒核を付与した後、無電解めっきを用いて下
層導体回路を形成し、ついで、下層導体回路を酸素共存
下で第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液によ
り処理して粗化面を形成するとともに、下層導体回路間
の触媒核を除去し、 さらに、下層導体回路上に層間樹脂絶縁層および上層導
体回路を形成することを特徴とする多層プリント配線板
の製造方法。 - 【請求項2】 前記請求項1の多層プリント配線板の製
造方法において、基板上に触媒核を付与した後、無電解
めっきを全面に行った後、該無電解めっき膜上にめっき
レジストを形成し、その後電気めっきを行い、めっきレ
ジストを除去してめっきレジスト下の無電解めっき膜を
エッチング除去して下層導体回路を形成し、 ついで、この下層導体回路を酸素共存下で第二銅錯体と
有機酸とを含有するエッチング液により処理して粗化面
を形成するとともに、下層導体回路間の触媒核を除去す
る多層プリント配線板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5499A JP2000200971A (ja) | 1999-01-04 | 1999-01-04 | 多層プリント配線板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5499A JP2000200971A (ja) | 1999-01-04 | 1999-01-04 | 多層プリント配線板の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000200971A true JP2000200971A (ja) | 2000-07-18 |
Family
ID=11463529
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5499A Pending JP2000200971A (ja) | 1999-01-04 | 1999-01-04 | 多層プリント配線板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000200971A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003096593A (ja) * | 2001-09-21 | 2003-04-03 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 粗化処理方法及び電解銅メッキ装置 |
WO2015095401A1 (en) * | 2013-12-17 | 2015-06-25 | Sanmina Corporation | Methods of forming segmented vias for printed circuit boards |
-
1999
- 1999-01-04 JP JP5499A patent/JP2000200971A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003096593A (ja) * | 2001-09-21 | 2003-04-03 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 粗化処理方法及び電解銅メッキ装置 |
WO2015095401A1 (en) * | 2013-12-17 | 2015-06-25 | Sanmina Corporation | Methods of forming segmented vias for printed circuit boards |
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