JP2000200971A - 多層プリント配線板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 クロム酸を使用せず、また余分ば工程を付加
しなくとも触媒核を除去できる多層プリント配線板の製
造方法を提案する。 【解決手段】 触媒核３３を付与した後、無電解めっき
２３及び電解めっき２８を用いて導体回路２９を形成す
る。次に、導体回路２９を酸素共存下で第二銅錯体と有
機酸とを含有するエッチング液により処理して粗化面３
５を形成するとともに、導体回路２９間の触媒核３３を
除去する。第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング
液により処理して粗化面３５を形成するので、導体回路
面の粗化時に導体回路２９間の触媒核も第二銅錯体と有
機酸によって溶解除去され、粗化と触媒核除去を同時に
達成できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、多層プリント配線
板の製造方法に関し、特には、導体回路の粗化と触媒核
の除去が同時に可能で、低公害を実現できる多層プリン
ト配線板の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、多層配線基板の高密度化という要
請から、いわゆるビルドアップ多層配線基板が注目され
ている。このビルドアップ多層配線基板は、例えば、特
公平4-55555 号公報に開示されているような方法で製造
される。即ち、感光性の無電解めっき用接着剤からなる
絶縁材を、導体回路を有するコア基板上に塗布し、乾燥
した後、露光現像することにより、バイアホール用開口
を有する層間絶縁材層を形成する。次いで、この層間絶
縁材層の表面を酸化剤等による処理にて粗化した後、そ
の粗化面にめっきレジストを設け、レジスト非形成部分
に無電解めっきを施して、バイアホールを含む２層の導
体回路パターンを形成する。かかる工程を複数回繰り返
せば、多層化したビルドアップ配線基板が得られる。

【０００３】かかる多層プリント配線板では、層間樹脂
絶縁層により被覆される下層の導体回路は、基板の全面
に触媒核を付与して無電解めっきを行い、さらにめっき
レジストを設け、この無電解めっき膜上に電気めっきを
施し、めっきレジストを除去、無電解めっき膜をエッチ
ング除去することにより形成する。しかしながら、導体
回路間には無電解めっきを行うための触媒核が残存して
しまうため、触媒核を除去する必要があった。このよう
な触媒核除去の方法としては、例えば、特開Ｈ１０−２
３３５７９号などに、クロム酸などで導体回路間の樹脂
を除去する方法が提案されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、このような技
術では、クロム酸を用いるため環境に悪影響を与える
上、導体回路間の樹脂を除去するための工程が余分に必
要となるなどの問題があった。本発明は、クロム酸を使
用せず、また余分ば工程を付加しなくとも触媒核を除去
できる多層プリント配線板の製造方法を提案することを
目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、下層導体回
路、上層導体回路および層間樹脂絶縁層とを備えている
多層プリント配線板の製造方法であって、基板上に触媒
核を付与した後、無電解めっきを用いて下層導体回路を
形成し、ついで、下層導体回路を酸素共存下で第二銅錯
体と有機酸とを含有するエッチング液により処理して粗
化面を形成するとともに、下層導体回路間の触媒核を除
去し、さらに、下層導体回路上に層間樹脂絶縁層および
上層導体回路を形成することを特徴とする多層プリント
配線板の製造方法、である。

【０００６】本発明では、下層導体回路を酸素共存下で
第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液により処
理して粗化面を形成するため、導体回路面の粗化時に導
体回路間の触媒核も第二銅錯体と有機酸によって溶解除
去されるため、粗化と触媒核除去を同時に達成できるの
である。

【０００７】かかるエッチング液により下層導体回路表
面を処理すると、その表面は、針状合金めっきとは異な
り、多面体形凹部から形成された錨状部を有する粗化面
となる。さらに、この粗化面を、その形成メカニズムか
ら具体的に記述すると、前記粗化面が、最大粗度（Ｒｍ
ａｘ）が０．１〜１０μｍの粗化面が形成されてなると
ともに、前記粗化面は、エッチング残りによる錨状部、
その錨状部の周囲の金属結晶粒子のエッチングにより生
じる窪み、前記錨状部と他の錨状部の間に形成された稜
線からなる。

【０００８】また、Ｒｍａｘは、０．１から１０μであ
ることが必要である。０．１μｍ未満では、密着性が低
下し、１０μｍを越えると樹脂残りが発生し、また、断
線などの問題が発生しやすくなる。前記錨状部は、５μ
ｍ角当りの領域で平均２〜１００個、前記窪みは平均２
〜１００個形成されることが望ましい。この理由は、前
記錨状部が５μｍ角当りの領域で平均２〜１００個の範
囲では、密着性を維持しつつ、樹脂残りを防止できるか
らである。さらに、窪みの数を５μｍ角当りの領域で平
均２〜１００個とすることにより、錨状部の密集を防止
して樹脂残りの発生を抑止し、かつ密着性を維持できる
のである。

【０００９】本発明においては、稜線が５μｍ角当りの
領域で平均３〜３０００本形成されることが望ましい。
前記粗化面の形状を複雑にすることにより密着性を向上
させると同時に、樹脂残りを除去し易いからである。な
お、錨状部、稜線、窪みの個数の測定は、粗化面の真上
および斜め上方４５°から５０００倍の電子顕微鏡写真
を撮影し、５μｍ角の領域を任意に選んで個数を測定
し、その平均値を採用した。

【００１０】以上説明のように、本発明にかかる粗化面
は、所定のエッチング液により溶解して形成されてお
り、めっきで形成したような、成長した針状突起同士が
重なって空間を形成することはない。このため、下層導
体回路表面上には、樹脂が残存し難く、加熱時やヒート
サイクル時に下層導体回路からバイアホール導体を剥離
させることはない。

【００１１】かかる粗化面は、めっき液との親和性に優
れ、めっきが多面体形凹部に浸入して粗化面内の錨状部
につきまわるため、下層導体回路の錨状部がバイアホー
ル導体に食い込み、下層導体回路の粗化面とバイアホー
ルとがより一層密着する。

【００１２】また、本発明にかかる粗化面は、この多面
体形凹部から形成される錨状部が層間樹脂絶縁層に食い
込み、下層導体回路と層間樹脂絶縁層との剥離も生じさ
せない。

【００１３】このように、かかる粗化面を有する本発明
の多層プリント配線板は、加熱時やヒートサイクル条件
において、下層導体回路とバイアホールとの剥離及び下
層導体回路と層間樹脂絶縁層との剥離を同時に防止する
ことができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】本発明では、第二銅錯体と有機酸
とを含有するエッチング液を、スプレイやバブリング等
の酸素共存条件で、次のように作用させて、下層導体回
路の銅導体を溶解させる。

【００１５】

【化１】 〔式中、Ａは錯化剤（キレート剤として作用）、ｎは配
位数を示す。〕

【００１６】本願発明に用いる第二銅錯体は、アゾール
類の第二銅錯体がよい。このアゾール類の第二銅錯体
は、金属銅等を酸化する酸化剤として作用する。アゾー
ル類としては、ジアゾール、トリアゾール、テトラゾー
ルがよい。中でも、イミダゾール、２−メチルイミダゾ
ール、２−エチルイミダゾール、２−エチル−４−メチ
ルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−ウン
デシルイミダゾール等がよい。アゾール類の第二銅錯体
の添加量は、１〜15重量％がよい。溶解性及び安定性に
優れ、また、触媒核を構成するＰｄなどの貴金属をも溶
解させることができるからである。

【００１７】また、酸化銅を溶解させるために、有機酸
をアゾール類の第二銅錯体に配合する。具体例として
は、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロ
ン酸、アクリル酸、クロトン酸、シュウ酸、マロン酸、
コハク酸、グルタル酸、マレイン酸、安息香酸、グリコ
ール酸、乳酸、リンゴ酸、スルファミン酸からなる群よ
り選ばれる少なくとも１種がよい。有機酸の含有量は、
0.1 〜30重量％がよい。酸化された銅の溶解性を維持
し、かつ溶解安定性を確保するためである。

【００１８】発生した第一銅錯体は、酸の作用で溶解
し、酸素と結合して第二銅錯体となって、再び銅の酸化
に寄与する。

【００１９】また、銅の溶解やアゾール類の酸化作用を
補助するために、ハロゲンイオン、例えば、フッ素イオ
ン、塩素イオン、臭素イオン等をエッチング液に加えて
もよい。本発明では、塩酸、塩化ナトリウム等を添加し
て、ハロゲンイオンを供給することができる。ハロゲン
イオン量は、0.01〜20重量％がよい。形成された粗化面
と層間樹脂絶縁層との密着性に優れるからである。

【００２０】アゾール類の第二銅錯体と有機酸（必要に
応じてハロゲンイオン）を、水に溶解してエッチング液
を調整する。また、市販のエッチング液、例えば、メッ
ク社製、商品名「メック エッチボンド」を使用し、本
発明にかかる粗化面を形成することができる。

【００２１】本発明では、エッチング量は１〜10μｍが
よい。この範囲を超えたエッチング処理は、形成された
粗化面とバイアホール導体との接続不良を起こすからで
ある。

【００２２】本発明で使用される層間樹脂絶縁層は、無
電解めっき用接着剤を用いて形成することができる。無
電解めっき用接着剤は、熱硬化性樹脂を基剤とし、特に
硬化処理された耐熱性樹脂粒子、酸や酸化剤に溶解する
耐熱性樹脂粒子、無機粒子や繊維質フィラー等を、必要
により含ませることができる。

【００２３】熱硬化性樹脂基剤としては、エポキシ樹
脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂等を用いることが
できる。なお、熱硬化基の一部を感光化する場合は、熱
硬化基の一部をメタクリル酸やアクリル酸等と反応させ
てアクリル化させる。中でも、エポキシ樹脂のアクリレ
ートが最適である。このエポキシ樹脂としては、ノボラ
ック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂等を用いるこ
とができる。また、添加する熱可塑性樹脂としては、ポ
リエーテルスルフォンやポリスルフォン、ポリフェニレ
ンスルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェ
ニルエーテル、ポリエーテルイミド等を用いることがで
きる。

【００２４】耐熱性樹脂粒子としては、(1) 平均粒径が
10μｍ以下の耐熱性樹脂粉末、(2)平均粒径が２μｍ以
下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、(3) 平均粒
径が２〜10μｍの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が２μ
ｍ以下の耐熱性樹脂粉末との混合物、(4) 平均粒径が２
〜10μｍの耐熱性樹脂粉末の表面に、平均粒径が２μｍ
以下の耐熱性樹脂粉末及び無機粉末のいずれか一方又は
双方を付着させた疑似粒子、(5) 平均粒子径が0.8 〜2.
0 μｍの耐熱性樹脂粉末、平均粒子径が0.1 〜0.8 μｍ
の耐熱性樹脂粉末、及びそれらの混合物から選ばれる少
なくとも１種の粒子を用いるのが望ましい。これらの粒
子は、より複雑なアンカーを形成できるからである。こ
れらの粒子により得られる粗化面は、最大粗度（Ｒｍａ
ｘ）が、０．１〜２０μｍである。

【００２５】酸や酸化剤に溶解する耐熱性樹脂粒子とし
ては、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミ
ン樹脂等）、エポキシ樹脂（ビスフェノール型エポキシ
樹脂をアミン系硬化剤で硬化させたものが最適）、ビス
マレイミド−トリアジン樹脂等を用いることができる。

【００２６】かかる層間樹脂絶縁層は、複数層にしても
よい。例えば、下層を無機粒子や繊維質フィラーと樹脂
基剤とからなる補強層とし、上層を無電解めっき用接着
剤層とする。

【００２７】また、下層を、酸や酸化剤に溶解する平均
粒径0.1 〜2.0 μｍの耐熱性樹脂粒子が酸や酸化剤に難
溶性の耐熱性樹脂中に分散したものとし、上層を無電解
めっき用接着剤層としてもよい。

【００２８】無機粒子としては、シリカ、アルミナ、タ
ルク等を使用できる。繊維質フィラーとしては、炭酸カ
ルシウムのウイスカー、ホウ酸アルミニウムのウイスカ
ー、アラミド繊維、炭素繊維等の少なくとも１種を使用
できる。

【００２９】次に、本発明のプリント配線板を製造する
一方法について説明する。以下の方法は、セミアディテ
ィブ法によるものであるが、フルアディティブ法を採用
してもよい。

【００３０】(1) まず、基板の表面に導体回路を形成し
た配線基板を作製する。基板としては、ガラスエポキシ
基板、ポリイミド基板、ビスマレイミド−トリアジン樹
脂基板等の樹脂絶縁基板、セラミック基板、金属基板等
を用いることができる。

【００３１】基板上への導体回路の形成は、銅張積層板
を無電解めっき又は電解めっきした後にエッチングする
方法や、ガラスエポキシ基板、ポリイミド基板、セラミ
ック基板、金属基板等の基板に無電解めっき用接着剤層
を形成し、この接着剤層表面を粗化して粗化面とし、こ
の粗化面に無電解めっきする方法、又はいわゆるセミア
ディティブ法（その粗化面全体に薄付けの無電解めっき
を施し、めっきレジストを形成し、めっきレジスト非形
成部分に厚付けの電解めっきを施した後、めっきレジス
ト除去し、エッチング処理して、電解めっき膜と無電解
めっき膜とからなる導体回路を形成する方法）により行
う。導体回路は、いずれも銅パターンがよい。

【００３２】次いで、導体回路に粗化層を形成する。こ
の粗化層は、前述したアゾール類の第二銅錯体と有機酸
の水溶液からなるエッチング液をスプレイするか、エッ
チング液に浸漬し、バブリングする方法により行われ
る。なお、導体回路は、無電解めっき膜又は電解めっき
膜が望ましい。圧延銅箔をエッチングした導体回路で
は、粗化面が形成されにくいからである。

【００３３】また、この粗化層は、イオン化傾向が銅よ
り大きくかつチタン以下である金属又は貴金属の層で被
覆されていてもよい。これらの金属又は貴金属の層は、
粗化層を被覆し、層間樹脂絶縁層を粗化する際に起こる
局部電極反応による導体回路の溶解を防止できる。その
層の厚さは 0.1〜２μｍがよい。

【００３４】かかる金属としては、チタン、アルミニウ
ム、亜鉛、鉄、インジウム、タリウム、コバルト、ニッ
ケル、スズ、鉛、ビスマスからなる群より選ばれる少な
くとも１種がある。貴金属としては、金、銀、白金、パ
ラジウムがある。これらのうち、特にスズがよい。スズ
は、無電解置換めっきにより薄い層を形成でき、粗化層
に追従できるため有利である。

【００３５】スズを被覆するには、ホウフッ化スズ−チ
オ尿素、塩化スズ−チオ尿素液を使用する。この場合、
Ｃｕ−Ｓｎの置換反応により 0.1〜２μｍ程度のＳｎ層
が形成される。貴金属の場合は、スパッタや蒸着等の方
法が採用できる。

【００３６】また、かかる配線基板には、スルーホール
が形成され、このスルーホールを介して表面と裏面の配
線層を電気的に接続することができる。更に、かかる配
線基板には、スルーホールと配線基板の導体回路間にビ
スフェノールＦ型エポキシ樹脂等の低粘度の樹脂を充填
し、配線基板の平滑性を確保してもよい。

【００３７】(2) このようにして作製した配線基板の上
に無電解めっき用接着剤を塗布し乾燥して、層間樹脂絶
縁層を設ける。塗布には、ロールコータ、カーテンコー
タ等を使用できる。

【００３８】この時点では、基板の導体回路上に設けた
層間樹脂絶縁層は、導体回路パターン上の層間樹脂絶縁
層の厚さが薄く、導体回路パターン上以外の他の大面積
を持つ部分の層間樹脂絶縁層の厚さが厚くなり、凹凸が
発生している状態であることが多い。そのため、この凹
凸状態にある層間樹脂絶縁層を、金属板や金属ロールを
用いて加熱しながら押圧し、その層間樹脂絶縁層の表面
を平坦化することが望ましい。

【００３９】(3) 次に、層間樹脂絶縁層を硬化する一方
で、その層間樹脂絶縁層にはバイアホール形成用の開口
を設ける。

【００４０】層間樹脂絶縁層の硬化処理は、無電解めっ
き用接着剤の樹脂マトリックスが熱硬化性樹脂である場
合は熱硬化して行い、感光性樹脂である場合は紫外線等
で露光して行う。

【００４１】バイアホール形成用の開口は、無電解めっ
き用接着剤の樹脂マトリックスが熱硬化性樹脂である場
合は、レーザ光や酸素プラズマ等を用いて穿孔し、感光
性樹脂である場合は露光現像処理にて穿孔する。尚、露
光現像処理は、バイアホール形成のための円パターンが
描画されたフォトマスク（ガラス基板がよい）を、円パ
ターン側を感光性の層間樹脂絶縁層の上に密着させて載
置した後、露光、現像処理する。

【００４２】(4) 次に、バイアホール形成用開口を設け
た層間樹脂絶縁層（無電解めっき用接着剤層）の表面を
粗化する。特に本発明では、無電解めっき用接着剤層の
表面に存在する耐熱性樹脂粒子を酸又は酸化剤で溶解除
去することにより、接着剤層表面を粗化処理する。この
とき、粗化面に形成される窪みの深さは、１〜５μｍ程
度が好ましい。

【００４３】酸としては、リン酸、塩酸、硫酸、又は蟻
酸や酢酸等の有機酸を用いることができる。特に有機酸
を用いるのが望ましい。粗化処理した場合に、バイアホ
ールから露出する金属導体層を腐食させにくいからであ
る。

【００４４】酸化剤としては、クロム酸、過マンガン酸
塩（過マンガン酸カリウム等）を用いることが望まし
い。

【００４５】(5) 次に、層間樹脂絶縁層の粗化面に触媒
核を付与する。触媒核の付与には、貴金属イオンや貴金
属コロイド等を用いることが望ましく、一般的には、塩
化パラジウムやパラジウムコロイドを使用する。尚、触
媒核を固定するために加熱処理を行うことが望ましい。
このような触媒核としてはパラジウムがよい。

【００４６】(6) 次に、粗化し触媒核を付与した層間樹
脂絶縁層上の全面に薄付けの無電解めっき膜を形成す
る。この無電解めっき膜は、無電解銅めっき膜がよく、
その厚みは、１〜５μｍ、より望ましくは２〜３μｍと
する。尚、無電解銅めっき液としては、常法で採用され
る液組成のものを使用でき、例えば、硫酸銅：29ｇ／
ｌ、炭酸ナトリウム：25ｇ／ｌ、ＥＤＴＡ： 140ｇ／
ｌ、水酸化ナトリウム：40ｇ／ｌ、37％ホルムアルデヒ
ド： 150ｍｌ、（pH＝11.5）からなる液組成のものがよ
い。

【００４７】(7) 次に、このようにして形成した無電解
めっき膜上に感光性樹脂フィルム（ドライフィルム）を
ラミネートし、この感光性樹脂フィルム上に、めっきレ
ジストパターンが描画されたフォトマスク（ガラス基板
がよい）を密着させて載置し、露光し、現像処理するこ
とにより、めっきレジストパターンを配設した非導体部
分を形成する。

【００４８】(8) 次に、無電解めっき膜上の非導体部分
以外に電解めっき膜を形成し、導体回路とバイアホール
となる導体部を設ける。電解めっきとしては、電解銅め
っきを用いることが望ましく、その厚みは、10〜20μｍ
がよい。

【００４９】(9) 次に、非導体部分のめっきレジストを
除去した後、更に、硫酸と過酸化水素の混合液や過硫酸
ナトリウム、過硫酸アンモニウム、塩化第二鉄、塩化第
二銅等のエッチング液にて無電解めっき膜を溶解除去
し、無電解めっき膜と電解めっき膜の２層からなる独立
した導体回路とバイアホールを得る。尚、非導体部分に
露出した粗化面上のパラジウム触媒核は、クロム酸等で
溶解除去する。

【００５０】(10)次に、このようにして得た導体回路と
バイアホールの表面に粗化層を形成する。この粗化層の
形成方法としては、前述したエッチング処理法による。
このとき、導体回路間の触媒核も除去される。このた
め、触媒核の除去工程が不要になる。

【００５１】(11)次に、この基板上に(2) の工程に従
い、層間樹脂絶縁層を形成する。

【００５２】(12)更に、必要に応じて (3)〜(9) の工程
を繰り返すことにより多層化し、多層プリント配線板を
製造する。

【００５３】以上の処理は、セミアディテイブ法である
が、無電解めっき用接着剤層を粗化処理し、表面にめっ
きレジストを形成した後、無電解めっきを施して導体パ
ターンを形成するいわゆるフルアディティブ法におい
て、下層導体回路の粗化に使用してもよい。

【００５４】

【実施例】図面と実施例とを参照して、本発明をより詳
細に説明する。 実施例１ 無電解めっき用接着剤組成物Ａの調製 (1) クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬
製：分子量2500）の25重量％アクリル化物を35重量部、
感光性モノマー（東亜合成製：商品名アロニックスM31
5）3.15重量部、消泡剤（サンノプコ製S-65）0.5 重量
部、N-メチルピロリドン（NMP ）3.6 重量部を攪拌混合
した。

【００５５】(2) ポリエーテルスルフォン（PES ）12重
量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製：商品名ポリマー
ポール）の平均粒径1.0 μｍを7.2 重量部、平均粒径0.
5 μｍのものを3.09重量部を混合した後、さらにNMP 30
重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合した。

【００５６】(3) イミダゾール硬化剤（四国化成製：商
品名2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガイギー製：
イルガキュア I-907）２重量部、光増感剤（日本化薬
製：DETX-S）0.2 重量部、NMP 1.5 重量部を攪拌混合し
た。 (4) 混合物(1) 〜(3) を混合して無電解めっき用接着剤
組成物を得た。

【００５７】樹脂充填剤Ｂの調整 (1) ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル
製：分子量310 、商品名 YL983U ） 100重量部と平均粒
径 1.6μｍで表面にシランカップリング剤がコーティン
グされたＳｉＯ_２ 球状粒子〔アドマテック製：CRS 11
01−CE、ここで、最大粒子の大きさは後述する内層銅パ
ターンの厚み（15μｍ）以下とする。〕170重量部、レ
ベリング剤（サンノプコ製：商品名ペレノールS4）1.5
重量部を３本ロールにて混練し、その混合物の粘度を23
±１℃で45,000〜49,000cps に調整した。

【００５８】(2) イミダゾール硬化剤（四国化成製、商
品名：2E4MZ-CN）6.5 重量部。 (3) 混合物(1) と(2) とを混合して、樹脂充填剤を調製
した。

【００５９】プリント配線板の製造 図１〜図６は、本発明にかかる一例の製造工程に従って
示すプリント配線板の断面図である。 (1) 図１（Ａ）に示すように、本実施例では、厚さ１mm
のビスマレイミドトリアジン（BT）樹脂からなる基板１
の両面に18μｍの銅箔２がラミネートされている銅張積
層板３を出発材料とした。

【００６０】(2) まず、この銅張積層板３にドリル孔４
を開け、無電解めっきを施し、さらに銅箔を常法に従い
パターン状にエッチングすることにより、基板１の両面
に内層銅パターン（下層導体回路）５を設け、スルーホ
ール６を形成した（図１（Ｂ））。

【００６１】次に、内層銅パターン５の表面、スルーホ
ール６のランド表面と内壁に、それぞれ粗化層７，８，
９を設けた（図１（Ｃ））。粗化層７，８，９は、前述
の基板を水洗し、乾燥した後、エッチング液を基板の両
面にスプレイで吹きつけて、内層銅パターン５の表面、
スルーホール６のランド表面と内壁をエッチングするこ
とにより形成した。エッチング液には、イミダゾール銅
（II）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カ
リウム５重量部、イオン交換水７８重量部を混合したも
のを用いた。

【００６２】(3) 次に、樹脂層１１，１２を配線基板１
０の内層銅パターン５間とスルーホール６内とに設け
た。ここでは、先ず、樹脂層１１，１２は、予め調製し
た樹脂充填剤Ｂを、ロールコータにより配線基板１０の
両面に塗布し、内層銅パターン５の間とスルーホール６
内に充填し、 100℃で１時間、120 ℃で３時間、 150℃
で１時間、 180℃で７時間、それぞれ加熱処理すること
により硬化させて形成した（図１（Ｄ））。

【００６３】(4) (3) の処理で得た基板の片面を、ベル
トサンダー研磨した。この研磨では、＃600 のベルト研
磨紙（三共理化学製）を用い、内層銅パターン５の粗化
層７やスルーホール６のランド表面に樹脂充填剤が残ら
ないようにした。次いで、このベルトサンダー研磨によ
る傷を取り除くために、バフ研磨を行った。このような
一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行い、図
２（Ｅ）示すような配線基板１３を得た。

【００６４】この配線基板１３は、内層銅パターン５間
に樹脂層１１が設けられ、スルーホール６内に樹脂層１
２が設けられている。内層銅パターン５の粗化層７とス
ルーホール６のランド表面の粗化層８が除去されてお
り、基板両面が樹脂充填剤により平滑化されている。樹
脂層１１は内層銅パターン５の側面の粗化層７ａを介し
て内層銅パターン５と密着し、樹脂層１２はスルーホー
ル６の内壁の粗化層９を介してスルーホール６の内壁と
密着している。

【００６５】(5) 更に、図２（Ｆ）に示すように、露出
した内層銅パターン５とスルーホール６のランド上面を
(2) のエッチング処理で粗化して、厚さ３μｍの粗化層
１４，１５を形成した。粗化面を真上および斜め上４５
°の角度から電子顕微鏡にて撮影したところ、５μｍ角
当りの領域で錨状部が平均11個、窪みが、５μｍ角当り
の領域で平均11個、稜線は、５μｍ角当りの領域で22本
観察された。また、この粗化層１４，１５の表面をスズ
置換めっきして、0.3 μｍの厚さのＳｎ層を設けた。置
換めっきは、ホウフッ化スズ0.1 モル／ｌ、チオ尿素1.
0 モル／ｌ、温度50℃、pH＝1.2 の条件でＣｕ−Ｓｎ置
換反応させ、粗化層表面に0.3μｍの厚さのＳｎ層を設
けた（Ｓｎ層については図示しない）。

【００６６】(6) 得られた配線基板の両面に、予め調製
した無電解めっき用接着剤組成物Ａをロールコータを用
いて塗布した。この組成物は、基板を水平状態で20分間
放置してから、60℃で30分乾燥し、厚さ35μｍの接着剤
層１６を形成した（図２（Ｇ））。

【００６７】(7) 図３（Ｈ）に示すように、(6) で接着
剤層１６を形成した配線基板の両面に、85μｍφの黒円
１７が印刷されたフォトマスクフィルム１８を密着させ
た。この配線基板を、超高圧水銀灯により 500mJ／cm
^２ で露光した。

【００６８】次いで、この配線基板をDMDG溶液を用いて
スプレー現像することにより、85μｍφのバイアホール
となる開口１９を、接着剤層１６に形成した（図３
（Ｉ））。更に、この配線基板を超高圧水銀灯により30
00mJ／cm^２ で露光し、100 ℃で１時間、その後 150℃
で５時間、加熱処理することにより、フォトマスクフィ
ルムに相当する寸法精度に優れた開口（バイアホール形
成用開口）を形成した。尚、厚さ35μｍの接着剤層１６
は、層間絶縁材層として機能し、バイアホール形成用開
口には、図示してはいないが、内層銅パターン５上のス
ズめっき層を部分的に露出させた。

【００６９】(8) 次に、(7) の処理後の基板を、クロム
酸に１分間浸漬し、接着剤層１６の表面に存在するエポ
キシ樹脂粒子を溶解除去した。この処理により、図３
（Ｊ）に示すような粗化層２０，２１を、接着剤層１６
の表面とバイアホール用開口の内壁面に形成した。その
後、得られた基板２２を中和溶液（シプレイ社製）に浸
漬してから水洗いした。

【００７０】更に、粗面化処理した配線基板の表面に、
パラジウム触媒（アトテック製）を付与することによ
り、接着剤層１６の粗化層２０とバイアホール用開口の
粗化層２１に触媒核３３を付けた（図４（Ｋ））。

【００７１】(9) 得られた基板を以下の条件の無電解銅
めっき浴中に浸漬し、図４（Ｌ）に示すような厚さ1.6
μｍの無電解銅めっき膜２３を粗化面全体に形成した。 無電解めっき液； ＥＤＴＡ ： １５０ ｇ／ｌ 硫酸銅 ： ２０ ｇ／ｌ ＨＣＨＯ ： ３０ ｍｌ／ｌ ＮａＯＨ ： ４０ ｇ／ｌ α、α’−ビピリジル ： ８０ ｍｇ／ｌ ＰＥＧ ： ０．１ ｇ／ｌ 無電解めっき条件； ７０℃の液温度で３０分

【００７２】(10)次に、市販の感光性ドライフィルム
（図示せず）を無電解銅めっき膜２３に張り付け、パタ
ーンが印刷されたマスクフィルム（図示せず）を載置し
た。この基板を、100mJ/cm^２ で露光し、その後０．８
％炭酸ナトリウムで現像処理して、図４（Ｍ）に示すよ
うに、厚さ15μｍのめっきレジスト２７を設けた。

【００７３】(11)次いで、得られた基板に以下の条件で
電解銅めっきを施し、図５（Ｎ）に示すような厚さ15μ
ｍの電解銅めっき膜２８を形成した。 電解めっき液； 硫酸 ： １８０ ｇ／ｌ 硫酸銅 ： ８０ ｇ／ｌ 添加剤 ： １ｍｌ／ｌ （添加剤はアトテックジャパン製：商品名カパラシドＧ
Ｌ） 電解めっき条件； 電流密度 ： １Ａ／ｄｍ^２ 時間 ： ３０分 温度 ： 室温

【００７４】(12)めっきレジスト２６を５％KOH で剥離
除去した後、硫酸と過酸化水素混合液でエッチングし、
めっきレジスト２６下に存在していた無電解めっき膜２
３を溶解除去した。図５（Ｏ）に示すような、無電解銅
めっき膜２３と電解銅めっき膜２８とからなる厚さ18μ
ｍの導体回路２９（バイアホール３０を含む）が得られ
た。

【００７５】更に、イミダゾール銅（II）錯体１０重量
部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部、イ
オン交換水７８重量部を混合したエッチング液をスプレ
ーで吹きつけて導体回路２９（バイアホール３０含む）
表面に粗化層３５を形成するとともに、接着剤層１６表
面のパラジウム触媒３３を除去し、図５（Ｐ）に示すよ
うな多層プリント配線板３１を製造した。

【００７６】さらに、この粗化層３５表面をスズ置換め
っきして、0.1 μｍの厚さのＳｎ層を設け、(6) 〜(12)
を繰り返して接着剤層１１６、導体回路１２９、バイア
ホール１３０を形成し、図６の多層プリント配線板を得
た。

【００７７】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の多層プリ
ント配線板の製造方法では、下層導体回路間の触媒核の
除去と粗化を同時に達成できるため、製造コストの低
減、納期短縮を実現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図１（Ｃ）、図１
（Ｄ）は、本発明にかかる多層プリント配線板の製造工
程図である。

【図２】図２（Ｅ）、図２（Ｆ）、図２（Ｇ）は、本発
明にかかる多層プリント配線板の製造工程図である。

【図３】図３（Ｈ）、図３（Ｉ）、図３（Ｊ）は、本発
明にかかる多層プリント配線板の製造工程図である。

【図４】図４（Ｋ）、図４（Ｌ）、図４（Ｍ）は、本発
明にかかる多層プリント配線板の製造工程図である。

【図５】図５（Ｎ）、図５（Ｏ）、図５（Ｐ）は、本発
明にかかる多層プリント配線板の製造工程図である。

【図６】本発明にかかる多層プリント配線板の製造工程
図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 銅箔 ３ 銅張積層板 ４ ドリル孔 ５ 内層銅パターン（下層導体回路） ６ スルーホール ７，８，９，１４，１５，２０，２１ 粗化層 １０，１３，２２ 配線基板 １１，１２ 樹脂層 １６ 接着剤層 １７ 黒円 １８，２６ フォトマスクフィルム １９ 開口 ２３ 無電解銅めっき膜 ２４ 感光性ドライフィルム ２５ パターン ２７ めっきレジスト ２８ 電解銅めっき膜 ２９ 導体回路 ３０ バイアホール ３１ 多層プリント配線板 ３３ 触媒核

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E343 BB24 CC71 DD33 DD43 EE52 ER01 ER43 GG04 5E346 AA32 AA42 AA43 CC32 CC57 CC58 DD23 DD24 DD44 EE19 FF07 FF13 FF14 GG15 GG17 GG18 GG22 GG27 HH31

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下層導体回路、上層導体回路および層間
   樹脂絶縁層とを備えている多層プリント配線板の製造方
   法であって、 基板上に触媒核を付与した後、無電解めっきを用いて下
   層導体回路を形成し、ついで、下層導体回路を酸素共存
   下で第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液によ
   り処理して粗化面を形成するとともに、下層導体回路間
   の触媒核を除去し、 さらに、下層導体回路上に層間樹脂絶縁層および上層導
   体回路を形成することを特徴とする多層プリント配線板
   の製造方法。
2. 【請求項２】 前記請求項１の多層プリント配線板の製
   造方法において、基板上に触媒核を付与した後、無電解
   めっきを全面に行った後、該無電解めっき膜上にめっき
   レジストを形成し、その後電気めっきを行い、めっきレ
   ジストを除去してめっきレジスト下の無電解めっき膜を
   エッチング除去して下層導体回路を形成し、 ついで、この下層導体回路を酸素共存下で第二銅錯体と
   有機酸とを含有するエッチング液により処理して粗化面
   を形成するとともに、下層導体回路間の触媒核を除去す
   る多層プリント配線板の製造方法。