JPH10242639A - 多層プリント配線板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ピール強度の低下を招かず、ヒートサイクル
時に発生する層間絶縁材層のクラックを防止し、同時に
導体回路表面が局部電池反応によって溶解するのを防止
すること。 【解決手段】 基板の導体回路上に、層間絶縁層が形成
された多層プリント配線板において、前記導体回路は、
無電解めっき膜と電解めっき膜からなり、その表面の少
なくとも一部に粗化層を設けてなるとともに、その粗化
層表面をイオン化傾向が銅より大きくチタン以下である
金属もしくは貴金属の層にて被覆したことを特徴とする
多層プリント配線板である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、多層プリント配線
板とその製造方法に関し、特にはピール強度の低下を招
くことなく、ヒートサイクル時におけるクラックの発生
を抑制し、また層間絶縁層を粗化した場合に発生する導
体回路の溶解を防止できる多層プリント配線板とその製
造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、多層配線基板の高密度化という要
請から、いわゆるビルドアップ多層配線基板が注目され
ている。このビルドアップ多層配線基板は、例えば特公
平４−55555 号公報に開示されているような方法により
製造される。即ち、コア基板上に、感光性の無電解めっ
き用接着剤からなる絶縁材を塗布し、これを乾燥したの
ち露光現像することにより、バイアホール用開口を有す
る層間絶縁材層を形成し、次いで、この層間絶縁材層の
表面を酸化剤等による処理にて粗化したのち、その粗化
面にめっきレジストを設け、その後、レジスト非形成部
分に無電解めっきを施してバイアホール、導体回路を形
成し、このような工程を複数回繰り返すことにより、多
層化したビルドアップ配線基板が得られる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな多層プリント配線板では、導体回路はめっきレジス
トの非形成部分に設けられ、めっきレジストは内層にそ
のまま残存する。そのため、かかる配線基板にＩＣチッ
プ等を搭載すると、ヒートサイクル時にＩＣチップと樹
脂絶縁層との熱膨張率の差により、基板が反り、めっき
レジストと導体回路間の密着がないことからこれらの境
界部分に応力が集中し、この境界部分に接触する層間絶
縁層にクラックが発生してしまうという問題があった。

【０００４】これに対し、いわゆるセミアディティブ法
を採用してめっきレジストを除去する方法が考えられ
る。しかしながら、セミアディテイブ法では、導体回路
が無電解めっき膜と電解めっき膜からなるため、層間樹
脂絶縁層表面を粗化処理する際に、電解めっき膜からな
る導体回路表面が局部電池反応により溶解してしまうと
いう問題があった。

【０００５】本発明は、従来技術が抱える上記問題を解
消するためになされたものである。その目的は、他の特
性、特にピール強度の低下を招かず、ヒートサイクル時
に発生する層間絶縁材層のクラックを防止し、同時に導
体回路表面が局部電池反応によって溶解するのを防止す
ることにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】発明者は、上記目的の実
現に向け鋭意研究した結果、以下に示す内容を要旨構成
とする発明に想到した。 (1) 本発明の多層プリント配線板は、基板の導体回路上
に層間絶縁層が形成された多層プリント配線板におい
て、前記導体回路は、無電解めっき膜と電解めっき膜か
らなり、その表面の少なくとも一部に粗化層を設けてな
るとともに、その粗化層表面をイオン化傾向が銅より大
きくチタン以下である金属もしくは貴金属の層にて被覆
したことを特徴とする。なお、この多層プリント配線板
において、導体回路は、少なくとも側面を含む表面の一
部に粗化層を設けてなることが好ましく、粗化層は、銅
−ニッケル−リンの合金めっきからなることが好まし
い。

【０００７】(2) 本発明の多層プリント配線板の製造方
法は、基板上に無電解めっきを施した後、めっきレジス
トを設け、電解めっきを施し、ついで、めっきレジスト
を除去後、エッチング処理して無電解めっき膜と電解め
っき膜からなる導体回路を設け、さらに、導体回路表面
の少なくとも一部に粗化層を形成するとともに、その粗
化層表面をイオン化傾向が銅より大きくチタン以下であ
る金属もしくは貴金属の層にて被覆した後、層間絶縁層
を設けることを特徴とする。なお、上記粗化層は、銅−
ニッケル−リンの合金めっきにより形成されることが好
ましい。

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明のプリント配線板では、導
体回路が電解めっき膜と無電解めっき膜とで構成され、
より内層側に無電解めっき膜が形成され、より外層側に
電解めっき膜が形成されている（図18、図19の拡大図参
照）。このような構成にすると、導体回路は、電解めっ
き膜が無電解めっき膜より柔らかく展性に富むので、ヒ
ートサイクル時に基板に反りが発生しても、層間樹脂絶
縁層の寸法変化に追従できるようになる。また、本発明
のプリント配線板では、導体回路の表面に粗化層が設け
られているので、その導体回路は、層間樹脂絶縁層と強
固に密着し、層間樹脂絶縁層の寸法変化により追従しや
すくなっている。

【０００９】その結果、本発明のプリント配線板によれ
ば、ＩＣチップを搭載し、−55℃〜125 ℃のヒートサイ
クル試験を行った場合でも、導体回路を起点とする層間
樹脂絶縁層のクラックの発生を抑制でき、また剥離も見
られない。特に、導体回路の少なくとも側面に粗化層を
設けることは、導体回路側面とそれに接触する層間樹脂
との界面を起点として層間樹脂絶縁層に発生するクラッ
クを抑制できる点で、有利である。さらに、本発明のプ
リント配線板では、導体のより内層側を電解めっき膜よ
りも硬い無電解めっき膜で構成しているので、ピール強
度を低下させることがない。というのは、ピール強度
は、導体回路の内層側の層間絶縁層と接触する側（後述
する無電解めっき用接着剤を層間絶縁剤として採用した
場合には、粗化面に接触する部分）の硬さが硬い程大き
くなるためである。

【００１０】このような多層プリント配線板は、本発明
の製造方法によれば、容易に製造することができる。

【００１１】なお、特開平６−283860号公報には、内層
のめっきレジストを除去して、無電解めっき膜からなる
導体回路表面に銅−ニッケル−リンからなる粗化層を設
け、層間剥離を防止する技術が開示されている。しかし
ながら、この公報に記載の発明は、実際にＩＣチップを
搭載してヒートサイクル試験を行った場合に発生するク
ラックについての認識が全くなく、また無電解めっき膜
のみからなる導体回路を開示するに止まる。しかもその
効果について追試を行ったところ（本願比較例参照）、
−55℃〜125 ℃のヒートサイクル試験に関し、1000回程
度であればクラックの発生はみられなかったが、これを
超えるとクラックの発生が観察された。それゆえ、この
公報に記載の発明は、本願発明とは全く異なるものであ
る。

【００１２】本発明において、導体回路表面の粗化層
は、エッチング処理、研磨処理、酸化処理、酸化還元処
理により形成された銅の粗化面、もしくはめっき被膜に
より形成された粗化面であることが望ましい。

【００１３】特に、この粗化層は、銅−ニッケル−リン
からなる合金層であることが望ましい。この理由は、こ
の合金層は、針状結晶層であり、ソルダーレジスト層と
の密着性に優れるからである。また、この合金層上には
んだ体を形成しても電気導電率に大きな変化がなく、金
属パッドの上にもはんだ体を形成できるからである。こ
の合金層の組成は、銅、ニッケル、リンの割合で、それ
ぞれ90〜96wt％、１〜５wt％、 0.5〜２wt％であること
が望ましい。これらの組成割合のときに、針状の構造を
有するからである。

【００１４】なお、針状結晶を形成できるCu−Ni−Ｐの
組成を三成分系の三角図に示すと、図20のようになる。
この図によれば、（Cu，Ni，Ｐ）＝（100, 0, 0 ）、
（90,10, 0 ）、（90, 0, 10 ）で囲まれる範囲がよ
い。

【００１５】また、酸化処理により粗化層を形成する場
合は、亜塩素酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、リン酸
ナトリウムからなる酸化剤の溶液を用いることが望まし
い。酸化還元処理により粗化層を形成する場合は、上記
酸化処理の後、水酸化ナトリウムと水素化ホウ素ナトリ
ウムからなる還元剤の溶液に浸漬して行うことが望まし
い。

【００１６】このようにして形成される導体回路表面の
粗化層は、厚みを１〜５μｍとすることが望ましい。こ
の理由は、厚すぎると粗化層自体が損傷、剥離しやす
く、薄すぎると密着性が低下するからである。

【００１７】本発明において、導体回路を構成する前記
無電解めっき膜は、厚みを 0.1〜５μｍ、より好ましく
は 0.5〜３μｍとすることが望ましい。この理由は、厚
すぎると層間樹脂絶縁層との追従性が低下し、逆に薄す
ぎると、ピール強度の低下を招いたり、また電解めっき
を施す場合に抵抗値が大きくなって、めっき膜の厚さに
バラツキが発生してしまうからである。

【００１８】また、導体回路を構成する前記電解めっき
膜は、厚みを５〜30μｍ、より好ましくは10〜20μｍと
することが望ましい。この理由は、厚すぎるとピール強
度の低下を招き、薄すぎると層間樹脂絶縁層との追従性
が低下するからである。

【００１９】このように本発明では、導体回路が無電解
めっき膜と電解めっき膜とで構成され、導体回路表面に
形成される粗化層は主に電解めっき膜と接触する。この
電解めっき膜は、無電解めっき膜に比べて局部電池反応
で溶解しやすいので、粗化層と局部電池を構成すると急
速に溶解してしまい、その結果、導体回路表面には大き
な穴が開きやすくなる。そのため、本発明では特に、こ
の粗化層表面をイオン化傾向が銅より大きくチタン以下
である金属もしくは貴金属の層にて被覆することが必要
であり、本発明はこの点に主たる特徴がある。これによ
り、局部電池反応による導体回路の溶解を抑制すること
ができる。

【００２０】イオン化傾向が銅より大きくチタン以下で
ある金属としては、チタン、アルミニウム、亜鉛、鉄、
インジウム、タリウム、コバルト、ニッケル、スズ、
鉛、ビスマスから選ばれるいずれか少なくとも１種があ
る。貴金属としては、金、銀、白金、パラジウムから選
ばれる少なくとも１種がある。これらの金属もしくは貴
金属の層は、粗化層を被覆し、層間絶縁層を粗化処理す
る際に局部電池反応を防止して導体回路の溶解を防止す
る。これらの金属もしくは貴金属の層は、厚みを 0.1〜
２μｍとすることが望ましい。これらの金属もしくは貴
金属のうち、スズがよい。このスズは無電解置換めっき
により薄い層を形成でき、粗化層に追従できるため有利
である。

【００２１】本発明では、導体回路の少なくとも側面に
粗化層が形成されていることが望ましい。この理由は、
ヒートサイクルにより層間樹脂絶縁層に生じるクラック
は、導体回路側面と樹脂絶縁層との密着不良に起因して
生じるものであり、このような構成とすることで、導体
回路側面と樹脂絶縁層との界面を起点として層間樹脂絶
縁層に発生するクラックを防止することができるからで
ある。

【００２２】本発明では、上記配線基板を構成する層間
樹脂絶縁層として無電解めっき用接着剤を用いることが
望ましい。この無電解めっき用接着剤は、硬化処理され
た酸あるいは酸化剤に可溶性の耐熱性樹脂粒子が、硬化
処理によって酸あるいは酸化剤に難溶性となる未硬化の
耐熱性樹脂中に分散されてなるものが最適である。酸、
酸化剤で処理することにより、耐熱性樹脂粒子が溶解除
去されて、表面に蛸つぼ状のアンカーからなる粗化面を
形成できるからである。

【００２３】上記無電解めっき用接着剤において、特に
硬化処理された前記耐熱性樹脂粒子としては、平均粒
径が10μｍ以下の耐熱性樹脂粉末、平均粒径が２μｍ
以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、平均粒
径が２〜10μｍの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が２μ
ｍ以下の耐熱性樹脂粉末との混合物、平均粒径が２〜
10μｍの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径が２μｍ以下
の耐熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか少なくとも
１種を付着させてなる疑似粒子、平均粒径0.1〜0.8
μｍの耐熱性樹脂粉末および平均粒径 0.8μｍを超え平
均粒径２μｍ未満の耐熱性樹脂粉末との混合物、から選
ばれるいずれか少なくとも１種を用いることが望まし
い。これらは、より複雑なアンカーを形成できるからで
ある。

【００２４】次に、本発明にかかるプリント配線板を製
造する一方法について説明する。 (1) まず、コア基板の表面に内層銅パターンを形成した
配線基板を作製する。このコア基板への銅パターンの形
成は、銅張積層板をエッチングして行うか、あるいは、
ガラスエポキシ基板やポリイミド基板、セラミック基
板、金属基板などの基板に無電解めっき用接着剤層を形
成し、この接着剤層表面を粗化して粗化面とし、ここに
無電解めっきを施して行う方法がある。

【００２５】さらに必要に応じて、上記配線基板の銅パ
ターン表面に銅−ニッケル−リンからなる粗化層を形成
する。この粗化層は、無電解めっきにより形成される。
この無電解めっきの液組成は、銅イオン濃度、ニッケル
イオン濃度、次亜リン酸イオン濃度が、それぞれ 2.2×
10^-2〜 4.1×10^-2 mol／ｌ、 2.2×10^-3〜 4.1×10^-3 m
ol／ｌ、0.20〜0.25mol／ｌであることが望ましい。こ
の範囲で析出する被膜の結晶構造は針状構造になるた
め、アンカー効果に優れるからである。この無電解めっ
き浴には上記化合物に加えて錯化剤や添加剤を加えても
よい。粗化層の形成方法としては、この他に前述した酸
化（黒化）−還元処理、銅表面を粒界に沿ってエッチン
グして粗化面を形成する方法などがある。

【００２６】なお、コア基板には、スルーホールが形成
され、このスルーホールを介して表面と裏面の配線層を
電気的に接続することができる。また、スルーホールお
よびコア基板の導体回路間には樹脂が充填されて、平滑
性を確保してもよい（図１〜図４参照）。

【００２７】(2) 次に、前記(1) で作製した配線基板の
上に、層間樹脂絶縁層を形成する。特に本発明では、層
間樹脂絶縁材として前述した無電解めっき用接着剤を用
いることが望ましい（図５参照）。

【００２８】(3) 前記(2) で形成した無電解めっき用接
着剤層を乾燥した後、必要に応じてバイアホール形成用
開口を設ける。このとき、感光性樹脂の場合は、露光，
現像してから熱硬化することにより、また、熱硬化性樹
脂の場合は、熱硬化したのちレーザー加工することによ
り、前記接着剤層にバイアホール形成用の開口部を設け
る（図６参照）。

【００２９】(4) 次に、硬化した前記接着剤層の表面に
存在するエポキシ樹脂粒子を酸あるいは酸化剤によって
溶解除去し、接着剤層表面を粗化処理する（図７参
照）。ここで、上記酸としては、リン酸、塩酸、硫酸、
あるいは蟻酸や酢酸などの有機酸があるが、特に有機酸
を用いることが望ましい。粗化処理した場合に、バイア
ホールから露出する金属導体層を腐食させにくいからで
ある。一方、上記酸化剤としては、クロム酸、過マンガ
ン酸塩（過マンガン酸カリウムなど）を用いることが望
ましい。

【００３０】(5) 次に、接着剤層表面を粗化した配線基
板に触媒核を付与する。触媒核の付与には、貴金属イオ
ンや貴金属コロイドなどを用いることが望ましく、一般
的には、塩化パラジウムやパラジウムコロイドを使用す
る。なお、触媒核を固定するために加熱処理を行うこと
が望ましい。このような触媒核としてはパラジウムがよ
い。

【００３１】(6) 次に、無電解めっき用接着剤表面に無
電解めっきを施し、粗化面全面に無電解めっき膜を形成
する（図８参照）。このとき、無電解めっき膜の厚みは
0.1〜５μｍ、より望ましくは 0.5〜３μｍとする。つ
ぎに、無電解めっき膜上にめっきレジストを形成する
（図９参照）。めっきレジスト組成物としては、特にク
レゾールノボラックやフェノールノボラック型エポキシ
樹脂のアクリレートとイミダゾール硬化剤からなる組成
物を用いることが望ましいが、他に市販品を使用するこ
ともできる。

【００３２】(7) 次に、めっきレジスト非形成部に電解
めっきを施し、導体回路、ならびにバイアホールを形成
する（図10参照）。このとき、電解めっき膜の厚みは、
５〜30μが望ましい。ここで、上記無電解めっきとして
は、銅めっきを用いることが望ましい。

【００３３】(8) さらに、めっきレジストを除去した
後、硫酸と過酸化水素の混合液や過硫酸ナトリウム、過
硫酸アンモニウムなどのエッチング液でめっきレジスト
下の無電解めっき膜を溶解除去して、独立した導体回路
とする（図11参照）。

【００３４】(9) 次に、導体回路の表面に粗化層を形成
する（図12参照）。粗化層の形成方法としては、エッチ
ング処理、研磨処理、酸化還元処理、めっき処理があ
る。これらの処理のうち酸化還元処理は、NaOH（10ｇ／
ｌ）、NaClO₂（40ｇ／ｌ）、Na₃PO₄（６ｇ／ｌ）を酸化
浴（黒化浴）、NaOH（10ｇ／ｌ）、NaBH₄ （５ｇ／ｌ）
を還元浴とする。また、銅−ニッケル−リン合金層から
なる粗化層は、無電解めっき処理による析出により形成
される。この合金の無電解めっき液としては、硫酸銅１
〜40ｇ／ｌ、硫酸ニッケル 0.1〜6.0 ｇ／ｌ、クエン酸
10〜20ｇ／ｌ、次亜リン酸塩10〜100 ｇ／ｌ、ホウ酸10
〜40ｇ／ｌ、界面活性剤0.01〜10ｇ／ｌからなる液組成
のめっき浴を用いることが望ましい。

【００３５】さらにこの粗化層表面をイオン化傾向が銅
より大きくチタン以下である金属もしくは貴金属の層に
て被覆する。スズの場合は、ホウフッ化スズ−チオ尿
素、塩化スズ−チオ尿素液を使用する。このとき、Cu−
Snの置換反応により 0.1〜２μｍ程度のSn層が形成され
る。貴金属の場合は、スパッタや蒸着などの方法が採用
できる。

【００３６】(10)次に、この基板上に層間樹脂絶縁層と
して、無電解めっき用接着剤層を形成する（図13参
照）。 (11)さらに、 (3)〜(8) の工程を繰り返してさらに上層
の導体回路を設ける（図14〜17参照）。なお、ここで、
導体回路の表面には前記(9) と同様にして粗化層を形成
してもよい。

【００３７】(12)次に、こうして得られた配線基板の表
面に、ソルダーレジスト組成物を塗布し、その塗膜を乾
燥した後、この塗膜に、開口部を描画したフォトマスク
フィルムを載置して露光、現像処理することにより、導
体回路のうちパッド部分を露出させた開口部を形成す
る。ここで、前記開口部の開口径は、パッドの径よりも
大きくすることができ、パッドを完全に露出させてもよ
い。また、逆に前記開口部の開口径は、パッドの径より
も小さくすることができ、パッドの縁周をソルダーレジ
ストで被覆することができる。この場合、パッドをソル
ダーレジストで抑えることができ、パッドの剥離を防止
できる。

【００３８】(13)次に、前記開口部から露出した前記パ
ッド部上に「ニッケル−金」の金属層を形成する。

【００３９】(14)次に、前記開口部から露出した前記パ
ッド部上にはんだ体を供給する。はんだ体の供給方法と
しては、はんだ転写法や印刷法を用いることができる。
ここで、はんだ転写法は、プリプレグにはんだ箔を貼合
し、このはんだ箔を開口部分に相当する箇所のみを残し
てエッチングすることによりはんだパターンを形成して
はんだキャリアフィルムとし、このはんだキャリアフィ
ルムを、基板のソルダーレジスト開口部分にフラックス
を塗布した後、はんだパターンがパッドに接触するよう
に積層し、これを加熱して転写する方法である。一方、
印刷法は、パッドに相当する箇所に貫通孔を設けたメタ
ルマスクを基板に載置し、はんだペーストを印刷して加
熱処理する方法である。

【００４０】

【実施例】

（実施例１） (1) 厚さ0.6mm のガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビス
マレイミドトリアジン）樹脂からなる基板１の両面に18
μｍの銅箔８がラミネートされてなる銅張積層板を出発
材料とした（図１参照）。この銅張積層板の銅箔８を常
法に従いパターン状にエッチング、穴明け、無電解めっ
きを施すことにより、基板の両面に内層銅パターン４と
スルーホール９を形成した（図２参照）。さらに、導体
回路４間およびスルーホール９内にビスフェノールＦ型
エポキシ樹脂を充填した（図３参照）。

【００４１】(2) 前記(1) の処理を終えた基板を水洗い
し、乾燥した後、その基板を酸性脱脂してソフトエッチ
ングし、次いで、塩化パラジウムと有機酸からなる触媒
溶液で処理して、Ｐｄ触媒を付与し、この触媒を活性化
した後、硫酸銅８ｇ／ｌ、硫酸ニッケル 0.6ｇ／ｌ、ク
エン酸15ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム29ｇ／ｌ、ホウ
酸31ｇ／ｌ、界面活性剤 0.1ｇ／ｌ、ｐＨ＝９からなる
無電解めっき浴にてめっきを施し、銅導体回路４の表面
にCu−Ni−Ｐ合金の厚さ 2.5μｍの粗化層11（凹凸層）
を形成した（図４参照）。

【００４２】(3) ＤＭＤＧ（ジエチレングリコールジメ
チルエーテル）に溶解したクレゾールノボラック型エポ
キシ樹脂（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化
物を70重量部、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）30重
量部、イミダゾール硬化剤（四国化成製、商品名：2E4M
Z-CN）４重量部、感光性モノマーであるカプロラクトン
変成トリス（アクロキシエチル）イソシアヌレート（東
亜合成製、商品名：アロニックスＭ325 ）10重量部、光
開始剤としてのベンゾフェノン（関東化学製）５重量
部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学製）0.
5 重量部、さらにこの混合物に対してエポキシ樹脂粒子
の平均粒径 5.5μｍのものを35重量部、平均粒径 0.5μ
ｍのものを５重量部を混合した後、ＮＭＰ（ノルマルメ
チルピロリドン）を添加しながら混合し、ホモディスパ
ー攪拌機で粘度12Pa・ｓに調整し、続いて３本ロールで
混練して感光性接着剤溶液（層間樹脂絶縁材）を得た。

【００４３】(4) 前記(3) で得た感光性接着剤溶液を、
前記(2) の処理を終えた基板の両面に、ロールコータを
用いて塗布し、水平状態で20分間放置してから、60℃で
30分間の乾燥を行い、厚さ60μｍの接着剤層２を形成し
た（図５参照）。 (5) 前記(4) で接着剤層２を形成した基板の両面に、バ
イアホールが描画されたフォトマスクフィルムを載置
し、紫外線を照射して露光した。

【００４４】(6) 露光した基板をＤＭＴＧ（トリエチレ
ングリコ−ルジメチルエーテル）溶液でスプレー現像す
ることにより、接着剤層に 100μｍφのバイアホールと
なる開口を形成した。さらに、当該基板を超高圧水銀灯
にて3000mJ／cm² で露光し、100℃で１時間、その後 15
0℃で５時間にて加熱処理することにより、フォトマス
クフィルムに相当する寸法精度に優れ、３個集合して形
成された開口（バイアホール形成用開口６）を有する厚
さ50μｍの接着剤層２を形成した（図６参照）。なお、
バイアホールとなる開口６には、粗化層11を部分的に露
出させる。

【００４５】(7) 前記(5)(6)でバイアホール形成用開口
６を形成した基板を、クロム酸に２分間浸漬し、接着剤
層表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去して、当
該接着剤層の表面を粗化し、その後、中和溶液（シプレ
イ社製）に浸漬してから水洗した（図７参照）。 (8) 前記(7) で粗面化処理（粗化深さ５μｍ）を行った
基板に対し、パラジウム触媒（アトテック製）を付与す
ることにより、接着剤層２およびバイアホール用開口６
の表面に触媒核を付与した。

【００４６】(9) 以下の組成の無電解銅めっき浴中に基
板を浸漬して、粗面全体に厚さ３μｍの無電解銅めっき
膜12を形成した（図８参照）。 〔無電解めっき液〕 ＥＤＴＡ 150 ｇ／ｌ 硫酸銅 20 ｇ／ｌ ＨＣＨＯ 30 ml／ｌ ＮａＯＨ 40 ｇ／ｌ α、α’−ビピリジル 80 mg／ｌ ＰＥＧ 0.1 ｇ／ｌ 〔無電解めっき条件〕 70℃の液温度で30分

【００４７】(10)前記(9) で形成した無電解銅めっき膜
12上に市販の感光性ドライフィルムを貼り付け、マスク
を載置して、100 mJ／cm² で露光、 0.8％炭酸ナトリウ
ムで現像処理し、厚さ15μｍのめっきレジスト３を設け
た（図９参照）。

【００４８】(11)ついで、以下の条件で電解銅めっきを
施し、厚さ15μｍの電解銅めっき膜４を形成した（図10
参照）。 〔電解めっき液〕 硫酸 180 ｇ／ｌ 硫酸銅 80 ｇ／ｌ 添加剤（アトテックジャパン製、商品名：カパラシドＧＬ） １ ml／ｌ 〔電解めっき条件〕 電流密度 １Ａ／dm² 時間 30分 温度 室温

【００４９】(12)めっきレジスト３を５％ＫＯＨで剥離
除去した後、そのめっきレジスト３下の無電解めっき膜
12を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶
解除去し、無電解銅めっき膜12と電解銅めっき膜13から
なる厚さ18μｍの導体回路（バイアホールを含む）５を
形成した（図11参照）。

【００５０】(13)導体回路５を形成した基板を、硫酸銅
８ｇ／ｌ、硫酸ニッケル 0.6ｇ／ｌ、クエン酸15ｇ／
ｌ、次亜リン酸ナトリウム29ｇ／ｌ、ホウ酸31ｇ／ｌ、
界面活性剤 0.1ｇ／ｌからなるｐＨ＝９の無電解めっき
液に浸漬し、該導体回路５の表面に厚さ３μｍの銅−ニ
ッケル−リンからなる粗化層11を形成した（図12参
照）。このとき、形成した粗化層11をＥＰＭＡ（蛍光Ｘ
線分析装置）で分析したところ、Cu： 98mol％、Ni：1.
5mol％、Ｐ：0.5mol％の組成比を示した。さらに、ホウ
フッ化スズ0.1mol／ｌ、チオ尿素1.0mol／ｌ、温度50
℃、ｐＨ＝1.2 の条件でCu−Sn置換反応を行い、前記粗
化層11の表面に厚さ 0.3μｍのSn層を設けた（Sn層につ
いては図示しない）。

【００５１】(14) (4)〜(12)の工程を繰り返すことによ
り、さらに上層の導体回路を形成した配線基板を得た
（図13〜17参照）。

【００５２】(15)一方、ＤＭＤＧに溶解させた60重量％
のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製）
のエポキシ基50％をアクリル化した感光性付与のオリゴ
マー（分子量4000）を 46.67ｇ、メチルエチルケトンに
溶解させた80重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
（油化シェル製、エピコート1001）15.0ｇ、イミダゾー
ル硬化剤（四国化成製、商品名：2E4MZ-CN）1.6 ｇ、感
光性モノマーである多価アクリルモノマー（日本化薬
製、商品名：Ｒ604 ）３ｇ、同じく多価アクリルモノマ
ー（共栄社化学製、商品名：DPE6A ） 1.5ｇ、分散系消
泡剤（サンノプコ社製、商品名：Ｓ−65）0.71ｇを混合
し、さらにこの混合物に対して光開始剤としてのベンゾ
フェノン（関東化学製）を２ｇ、光増感剤としてのミヒ
ラーケトン（関東化学製）を0.2 ｇ加えて、粘度を25℃
で 2.0Pa・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得
た。なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器、 DVL-B
型）で 60rpmの場合はローターNo.4、６rpm の場合はロ
ーターNo.3によった。

【００５３】(16)前記(14)で得られた配線基板に、ソル
ダーレジスト組成物を20μｍの厚さで塗布した。次い
で、70℃で20分間、70℃で30分間の乾燥処理を行った
後、フォトマスクフィルムを載置し、1000mJ／cm² の紫
外線で露光し、DMTG現像処理した。さらに、80℃で１時
間、 100℃で１時間、 120℃で１時間、 150℃で３時間
の条件で加熱処理し、パッド部分が開口した（開口径 2
00μｍ）ソルダーレジスト層（厚み20μｍ）を形成し
た。

【００５４】(18)次に、ソルダーレジスト層を形成した
基板を、塩化ニッケル30ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム
10ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム10ｇ／ｌからなるｐＨ＝
５の無電解ニッケルめっき液に20分間浸漬して、開口部
に厚さ５μｍのニッケルめっき層を形成した。さらに、
その基板を、シアン化金カリウム２ｇ／ｌ、塩化アンモ
ニウム75ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム50ｇ／ｌ、次亜リ
ン酸ナトリウム10ｇ／ｌからなる無電解金めっき液に93
℃の条件で23秒間浸漬して、ニッケルめっき層上に厚さ
0.03μｍの金めっき層を形成した。

【００５５】(19)そして、ソルダーレジスト層の開口部
に、はんだペーストを印刷して 200℃でリフローするこ
とによりはんだバンプを形成し、はんだバンプを有する
プリント配線板を製造した。

【００５６】（実施例２）導体回路表面の粗化をエッチ
ングにより行ったこと以外は、実施例１と同様にしては
んだバンプを有するプリント配線板を製造した。このと
き、エッチング液は、メック社製の「デュラボンド」な
る商品名のものを使用した。また、厚さ0.5μｍのＡｕ
層を粗化層表面にスパッタ処理した。

【００５７】（実施例３） Ａ．無電解めっき用接着剤組成物の調製 ．クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬
製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt％の濃度で
ＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感光性モノマ
ー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）3.15重量部、消
泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.5 重量部、ＮＭＰを3.
6 重量部を攪拌混合した。 ．ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）12重量部、エポ
キシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポール）の平均粒
径 1.0μｍのものを7.2 重量部、平均粒径0.5μｍのも
のを3.09重量部を混合した後、さらにＮＭＰ30重量部を
添加し、ビーズミルで攪拌混合した。 ．イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）２重
量部、光開始剤（チバガイギー製、イルガキュア Ｉ−
907 ）２重量部、光増感剤（日本化薬製、DETX-S）0.2
重量部、ＮＭＰ1.5 重量部を攪拌混合した。これらを混
合して無電解めっき用接着剤組成物を調製した。

【００５８】Ｂ．下層の層間樹脂絶縁剤の調製 ．クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬
製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt％の濃度で
ＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感光性モノマ
ー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）４重量部、消泡
剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.5 重量部、ＮＭＰを3.6
重量部を攪拌混合した。 ．ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）12重量部、エポ
キシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポール）の平均粒
径 0.5μｍのものを14.49 重量部、を混合した後、さら
にＮＭＰ30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合し
た。 ．イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）２重
量部、光開始剤（チバガイギー製、イルガキュア Ｉ−
907 ）２重量部、光増感剤（日本化薬製、DETX-S）0.2
重量部、ＮＭＰ1.5 重量部を攪拌混合した。これらを混
合して、２層構造の層間樹脂絶縁層を構成する下層側の
絶縁剤層として用いられる樹脂組成物を調製した。

【００５９】Ｃ．樹脂充填剤の調製 ．ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル
製、分子量310, YL983U)100重量部、表面にシランカッ
プリング剤がコーティングされた平均粒径 1.6μｍのSi
Ｏ₂ 球状粒子（アドマテック製、CRS 1101−CE、ここ
で、最大粒子の大きさは後述する内層銅パターンの厚み
（15μｍ）以下とする） 170重量部、レベリング剤（サ
ンノプコ製、ペレノールＳ４）1.5 重量部を３本ロール
にて混練して、その混合物の粘度を23±１℃で45,000〜
49,000cps に調整した。 ．イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）6.5
重量部。これらを混合して樹脂充填剤10の調製した。

【００６０】Ｄ．プリント配線板の製造方法 (1) 厚さ１mmのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマ
レイミドトリアジン）樹脂からなる基板１の両面に18μ
ｍの銅箔８がラミネートされている銅張積層板を出発材
料とした（図21参照）。まず、この銅張積層板をドリル
削孔し、めっきレジストを形成した後、無電解めっき処
理してスルーホール９を形成し、さらに、銅箔８を常法
に従いパターン状にエッチングすることにより、基板１
の両面に内層銅パターン４を形成した。

【００６１】(2) 内層銅パターン４およびスルーホール
９を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、酸化浴（黒
化浴）として、NaOH（10ｇ／ｌ）、NaClO₂（40ｇ／
ｌ）、Na₃PO₄（６ｇ／ｌ）、還元浴として、NaOH（10ｇ
／ｌ），NaBH₄ （６ｇ／ｌ）を用いた酸化−還元処理に
より、内層銅パターン４およびスルーホール９の表面に
粗化層11を設けた（図22参照）。

【００６２】(3) 樹脂充填剤10を、基板の片面にロール
コータを用いて塗布することにより、導体回路４間ある
いはスルーホール９内に充填し、70℃，20分間で乾燥さ
せ、他方の面についても同様にして樹脂充填剤10を導体
回路４間あるいはスルーホール９内に充填し、70℃，20
分間で加熱乾燥させた（図23参照）。

【００６３】(4) 前記(3) の処理を終えた基板の片面
を、＃600 のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベ
ルトサンダー研磨により、内層銅パターン４の表面やス
ルーホール９のランド表面に樹脂充填剤10が残らないよ
うに研磨し、次いで、前記ベルトサンダー研磨による傷
を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の
研磨を基板の他方の面についても同様に行った。次い
で、100 ℃で１時間、120 ℃で３時間、 150℃で１時
間、 180℃で７時間の加熱処理を行って樹脂充填剤10を
硬化した（図24参照）。

【００６４】このようにして、スルーホール９等に充填
された樹脂充填剤10の表層部および内層導体回路４上面
の粗化層11を除去して基板両面を平滑化し、樹脂充填剤
10と内層導体回路４の側面とが粗化層11を介して強固に
密着し、またスルーホール９の内壁面と樹脂充填剤10と
が粗化層11を介して強固に密着した配線基板を得た。即
ち、この工程により、樹脂充填剤10の表面と内層銅パタ
ーン４の表面が同一平面となる。ここで、充填した硬化
樹脂のＴｇ点は155.6 ℃、線熱膨張係数は44.5×10^-6／
℃であった。

【００６５】(5) 前記(4) の処理で露出した内層導体回
路４およびスルーホール９のランド上面に厚さ 2.5μｍ
のCu−Ni−Ｐ合金からなる粗化層（凹凸層）11を形成
し、さらに、その粗化層11の表面に厚さ 0.3μｍのSn層
を設けた（図25参照、但し、Sn層については図示しな
い）。その形成方法は以下のようである。即ち、基板を
酸性脱脂してソフトエッチングし、次いで、塩化パラジ
ウムと有機酸からなる触媒溶液で処理して、Pd触媒を付
与し、この触媒を活性化した後、硫酸銅８ｇ／ｌ、硫酸
ニッケル 0.6ｇ／ｌ、クエン酸15ｇ／ｌ、次亜リン酸ナ
トリウム29ｇ／ｌ、ホウ酸31ｇ／ｌ、界面活性剤 0.1ｇ
／ｌ、ｐＨ＝９からなる無電解めっき浴にてめっきを施
し、銅導体回路４上面およびスルーホール９のランド上
面にCu−Ni−Ｐ合金の粗化層11を形成した。ついで、ホ
ウフッ化スズ0.1mol／ｌ、チオ尿素1.0mol／ｌ、温度50
℃、ｐＨ＝1.2 の条件でCu−Sn置換反応させ、粗化層11
の表面に厚さ0.3 μｍのSn層を設けた（Sn層については
図示しない）。

【００６６】(6) 前記(5) の基板の両面に、Ｂの層間樹
脂絶縁剤（粘度1.5 Pa・ｓ) をロールコータで塗布し、
水平状態で20分間放置してから、60℃で30分の乾燥（プ
リベーク）を行い、絶縁剤層2aを形成した。さらにこの
絶縁剤層2aの上にＡの無電解めっき用接着剤（粘度７Pa
・ｓ）をロールコータを用いて塗布し、水平状態で20分
間放置してから、60℃で30分の乾燥（プリベーク）を行
い、接着剤層2bを形成した（図26参照）。

【００６７】(7) 前記(6) で絶縁剤層2aおよび接着剤層
2bを形成した基板の両面に、85μｍφの黒円が印刷され
たフォトマスクフィルムを密着させ、超高圧水銀灯によ
り 500mJ／cm² で露光した。これをＤＭＴＧ溶液でスプ
レー現像し、さらに、当該基板を超高圧水銀灯により30
00mJ／cm² で露光し、100 ℃で１時間、その後 150℃で
５時間の加熱処理（ポストベーク）をすることにより、
フォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優れた85μ
ｍφの開口（バイアホール形成用開口６）を有する厚さ
35μｍの層間樹脂絶縁層（２層構造）２を形成した（図
27参照）。なお、バイアホールとなる開口には、スズめ
っき層を部分的に露出させた。

【００６８】(8) 開口が形成された基板を、 800ｇ／ｌ
のクロム酸に70℃で19分間浸漬し、層間樹脂絶縁層２の
接着剤層2bの表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除
去することにより、当該層間樹脂絶縁層２の表面を粗面
（深さ３μｍ）とし、その後、中和溶液（シプレイ社
製）に浸漬してから水洗いした（図28参照）。さらに、
粗面化処理した該基板の表面に、パラジウム触媒（アト
テック製）を付与することにより、層間樹脂絶縁層２の
表面およびバイアホール用開口６の内壁面に触媒核を付
けた。

【００６９】(9) 以下の組成の無電解銅めっき浴中に基
板を浸漬して、粗面全体に厚さ0.6 μｍの無電解銅めっ
き膜12を形成した（図29参照）。 〔無電解めっき液〕 ＥＤＴＡ 150 ｇ／ｌ 硫酸銅 20 ｇ／ｌ ＨＣＨＯ 30 ml／ｌ ＮａＯＨ 40 ｇ／ｌ α、α’−ビピリジル 80 mg／ｌ ＰＥＧ 0.1 ｇ／ｌ 〔無電解めっき条件〕 70℃の液温度で30分

【００７０】(10)前記(9) で形成した無電解銅めっき膜
12上に市販の感光性ドライフィルムを貼り付け、マスク
を載置して、100 mJ／cm² で露光、0.8 ％炭酸ナトリウ
ムで現像処理し、厚さ15μｍのめっきレジスト３を設け
た（図30参照）。

【００７１】(11)ついで、レジスト非形成部分に以下の
条件で電解銅めっきを施し、厚さ15μｍの電解銅めっき
膜13を形成した（図31参照）。 〔電解めっき液〕 硫酸 180 ｇ／ｌ 硫酸銅 80 ｇ／ｌ 添加剤（アトテックジャパン製、カパラシドＧＬ） １ ml／ｌ 〔電解めっき条件〕 電流密度 １Ａ／dm² 時間 30分 温度 室温

【００７２】(12)めっきレジスト３を５％ＫＯＨで剥離
除去した後、そのめっきレジスト３下の無電解めっき膜
12を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶
解除去し、無電解銅めっき膜12と電解銅めっき膜13から
なる厚さ18μｍの導体回路（バイアホールを含む）５を
形成した。さらに、70℃で800g／l のクロム酸に３分間
浸漬して、導体回路非形成部分に位置する導体回路間の
無電解めっき用接着剤層の表面を１〜２μｍエッチング
処理し、その表面に残存するパラジウム触媒を除去した
（図32参照）。

【００７３】(13)導体回路５を形成した基板を、硫酸銅
８ｇ／ｌ、硫酸ニッケル 0.6ｇ／ｌ、クエン酸15ｇ／
ｌ、次亜リン酸ナトリウム29ｇ／ｌ、ホウ酸31ｇ／ｌ、
界面活性剤 0.1ｇ／ｌからなるｐＨ＝９の無電解めっき
液に浸漬し、該導体回路５の表面に厚さ３μｍの銅−ニ
ッケル−リンからなる粗化層11を形成した（図33参
照）。このとき、形成した粗化層11をＥＰＭＡ（蛍光Ｘ
線分析装置）で分析したところ、Cu : 98mol％、Ni :
1.5 mol％、Ｐ: 0.5mol％の組成比であった。さらに、
ホウフッ化スズ0.1mol／ｌ、チオ尿素1.0mol／ｌ、温度
50℃、ｐＨ＝1.2 の条件でCu−Sn置換反応を行い、前記
粗化層11の表面に厚さ 0.3μｍのSn層を設けた（Sn層に
ついては図示しない）。

【００７４】(14)前記 (6)〜(13)の工程を繰り返すこと
により、さらに上層の導体回路を形成し、多層プリント
配線板を得た。但し、Sn置換は行わなかった（図34〜39
参照）。

【００７５】(15)一方、ＤＭＤＧに溶解させた60重量％
のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製）
のエポキシ基50％をアクリル化した感光性付与のオリゴ
マー（分子量4000）を 46.67ｇ、メチルエチルケトンに
溶解させた80重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂
（油化シェル製、エピコート1001）15.0ｇ、イミダゾー
ル硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）1.6 ｇ、感光性モノ
マーである多価アクリルモノマー（日本化薬製、Ｒ604
）３ｇ、同じく多価アクリルモノマー（共栄社化学
製、DPE6A ） 1.5ｇ、分散系消泡剤（サンノプコ社製、
Ｓ−65）0.71ｇを混合し、さらにこの混合物に対して光
開始剤としてのベンゾフェノン（関東化学製）を２ｇ、
光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学製）を 0.2
ｇ加えて、粘度を25℃で 2.0Pa・ｓに調整したソルダー
レジスト組成物を得た。なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計
（東京計器、 DVL-B型）で 60rpmの場合はローターNo.
4、６rpm の場合はローターNo.3によった。

【００７６】(16)前記(14)で得られた多層配線基板の両
面に、上記ソルダーレジスト組成物を20μｍの厚さで塗
布した。次いで、70℃で20分間、70℃で30分間の乾燥処
理を行った後、円パターン（マスクパターン）が描画さ
れた厚さ５mmのフォトマスクフィルムを密着させて載置
し、1000mJ／cm² の紫外線で露光し、DMTG現像処理し
た。そしてさらに、80℃で１時間、 100℃で１時間、 1
20℃で１時間、 150℃で３時間の条件で加熱処理し、は
んだパッド部分（バイアホールとそのランド部分を含
む）を開口した（開口径 200μｍ）ソルダーレジスト層
（厚み20μｍ）14を形成した。

【００７７】(17)次に、ソルダーレジスト層14を形成し
た基板を、塩化ニッケル30ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウ
ム10ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム10ｇ／ｌからなるｐＨ
＝５の無電解ニッケルめっき液に20分間浸漬して、開口
部に厚さ５μｍのニッケルめっき層15を形成した。さら
に、その基板を、シアン化金カリウム２ｇ／ｌ、塩化ア
ンモニウム75ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム50ｇ／ｌ、次
亜リン酸ナトリウム10ｇ／ｌからなる無電解金めっき液
に93℃の条件で23秒間浸漬して、ニッケルめっき層15上
に厚さ0.03μｍの金めっき層16を形成した。

【００７８】(18)そして、ソルダーレジスト層14の開口
部に、はんだペーストを印刷して 200℃でリフローする
ことによりはんだバンプ（はんだ体）17を形成し、はん
だバンプ17を有するプリント配線板を製造した（図40参
照）。

【００７９】（比較例１）実施例１の(1),(2),(3),(4),
(5),(6),(7),(8) の処理後、ドライフィルムフォトレジ
ストをラミネートし、露光、現像処理することにより、
めっきレジストを形成した。ついで、実施例１の(9) を
実施後、(12)の工程と同様にしてめっきレジストを剥離
し、実施例１の(13)の処理を行い導体回路の全表面を粗
化した。さらに、層間樹脂絶縁層の形成、粗化処理、め
っきレジストの形成、無電解銅めっき処理を同様に施
し、めっきレジストを剥離した後、実施例１の(15),(1
6),(17),(18),(19)の処理により、はんだバンプを有す
るプリント配線板を製造した。

【００８０】（比較例２）Sn置換を行わなかったこと以
外は、実施例１と同様にしてはんだバンプを有するプリ
ント配線板を製造した。

【００８１】実施例、比較例で製造したプリント配線板
につき、ＩＣチップを実装し、−55℃で15分、常温10
分、125 ℃で15分で1000回、および2000回のヒートサイ
クル試験を実施した。試験の評価は、試験後のプリント
配線板におけるクラックの発生を走査型電子顕微鏡で確
認した。また、ピール強度も測定した。ピール強度は、
JIS-C-6481に従った。

【００８２】その結果、クラックは、1000回程度では、
比較例、実施例１〜３とも見られなかったが、2000回で
は、比較例において観察された。ピール強度は、導体回
路が無電解めっき膜のみで形成されている場合に比べて
同等か、それよりやや高い値が得られた。このように、
本発明では、実用的なピール強度を確保しつつ、層間樹
脂絶縁層に発生するクラックを防止できるのである。

【００８３】また、導体回路表面の局部電池反応による
溶解の有無を光学顕微鏡により観察した。この結果を、
ヒートサイクル試験の結果と併せて表１に示す。

【００８４】

【表１】

【００８５】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ピ
ール強度の低下を防止しつつ、ヒートサイクル時におけ
るクラックの発生を防止し、同時に導体回路表面が局部
電池反応によって溶解するのを防止できるので、接続信
頼性を確実に向上させることが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】発明にかかる多層プリント配線板の製造工程図
である。

【図２】発明にかかる多層プリント配線板の製造工程図
である。

【図３】発明にかかる多層プリント配線板の製造工程図
である。

【図４】発明にかかる多層プリント配線板の製造工程図
である。

【図５】発明にかかる多層プリント配線板の製造工程図
である。

【図６】発明にかかる多層プリント配線板の製造工程図
である。

【図７】発明にかかる多層プリント配線板の製造工程図
である。

【図８】発明にかかる多層プリント配線板の製造工程図
である。

【図９】発明にかかる多層プリント配線板の製造工程図
である。

【図10】発明にかかる多層プリント配線板の製造工程図
である。

【図11】発明にかかる多層プリント配線板の製造工程図
である。

【図12】発明にかかる多層プリント配線板の製造工程図
である。

【図13】発明にかかる多層プリント配線板の製造工程図
である。

【図14】発明にかかる多層プリント配線板の製造工程図
である。

【図15】発明にかかる多層プリント配線板の製造工程図
である。

【図16】発明にかかる多層プリント配線板の製造工程図
である。

【図17】発明にかかる多層プリント配線板の製造工程図
である。

【図18】発明にかかる多層プリント配線板の構造拡大図
である。

【図19】発明にかかる多層プリント配線板の構造拡大図
である。

【図20】銅−ニッケル−リンの粗化層の組成を表す三角
図である。

【図21】発明にかかる多層プリント配線板の各製造工程
を示す図である。

【図22】発明にかかる多層プリント配線板の各製造工程
を示す図である。

【図23】発明にかかる多層プリント配線板の各製造工程
を示す図である。

【図24】発明にかかる多層プリント配線板の各製造工程
を示す図である。

【図25】発明にかかる多層プリント配線板の各製造工程
を示す図である。

【図26】発明にかかる多層プリント配線板の各製造工程
を示す図である。

【図27】発明にかかる多層プリント配線板の各製造工程
を示す図である。

【図28】発明にかかる多層プリント配線板の各製造工程
を示す図である。

【図29】発明にかかる多層プリント配線板の各製造工程
を示す図である。

【図30】発明にかかる多層プリント配線板の各製造工程
を示す図である。

【図31】発明にかかる多層プリント配線板の各製造工程
を示す図である。

【図32】発明にかかる多層プリント配線板の各製造工程
を示す図である。

【図33】発明にかかる多層プリント配線板の各製造工程
を示す図である。

【図34】発明にかかる多層プリント配線板の各製造工程
を示す図である。

【図35】発明にかかる多層プリント配線板の各製造工程
を示す図である。

【図36】発明にかかる多層プリント配線板の各製造工程
を示す図である。

【図37】発明にかかる多層プリント配線板の各製造工程
を示す図である。

【図38】発明にかかる多層プリント配線板の各製造工程
を示す図である。

【図39】発明にかかる多層プリント配線板の各製造工程
を示す図である。

【図40】発明にかかる多層プリント配線板の各製造工程
を示す図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 層間樹脂絶縁層（無電解めっき用接着剤層） 2a 絶縁剤層 2b 接着剤層 ３ めっきレジスト ４ 内層導体回路（内層銅パターン） ５ 外層導体回路（外層銅パターン） ６ バイアホール用開口 ７ バイアホール（BVH ） ８ 銅箔 ９ スルーホール 10 充填樹脂（樹脂充填剤） 11 粗化層 12 無電解銅めっき膜 13 電解銅めっき膜 14 ソルダーレジスト層 15 ニッケルめっき層 16 金めっき層 17 はんだバンプ

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板の導体回路上に、層間絶縁層が形成
   された多層プリント配線板において、 前記導体回路は、無電解めっき膜と電解めっき膜からな
   り、その表面の少なくとも一部に粗化層を設けてなると
   ともに、その粗化層表面をイオン化傾向が銅より大きく
   チタン以下である金属もしくは貴金属の層にて被覆した
   ことを特徴とする多層プリント配線板。
2. 【請求項２】 導体回路が設けられた基板上に層間絶縁
   層が形成された多層プリント配線板において、 前記導体回路は、無電解めっき膜と電解めっき膜からな
   り、 該導体回路は、その表面の少なくとも一部に粗化層を設
   けてなるとともに粗化層表面をイオン化傾向が銅より大
   きくチタン以下である金属層もしくは貴金属層にて被覆
   したことを特徴とする多層プリント配線板。
3. 【請求項３】 前記導体回路は、少なくとも側面を含む
   表面の一部に粗化層を設けてなる請求項１または２に記
   載の多層プリント配線板。
4. 【請求項４】 前記導体回路は、その側面の少なくとも
   一部に粗化層を設けてなる請求項１または２に記載の多
   層プリント配線板。
5. 【請求項５】 前記粗化層は、銅−ニッケル−リンの合
   金めっきからなる請求項１〜４のいずれか１項に記載の
   多層プリント配線板。
6. 【請求項６】 基板上に無電解めっきを施した後、めっ
   きレジストを設け、電解めっきを施し、ついで、めっき
   レジストを除去後、エッチング処理して無電解めっき膜
   と電解めっき膜からなる導体回路を設け、さらに、導体
   回路表面の少なくとも一部に粗化層を形成するととも
   に、その粗化層表面をイオン化傾向が銅より大きくチタ
   ン以下である金属もしくは貴金属の層にて被覆した後、
   層間絶縁層を設けることを特徴とする多層プリント配線
   板の製造方法。
7. 【請求項７】 前記粗化層は、銅−ニッケル−リンの合
   金めっきにより形成される請求項６に記載の多層プリン
   ト配線板の製造方法。