JP2000156551A - プリント配線板、被処理体及びプリント配線板の製造方法 - Google Patents

プリント配線板、被処理体及びプリント配線板の製造方法

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JP2000156551A
JP2000156551A JP10331399A JP33139998A JP2000156551A JP 2000156551 A JP2000156551 A JP 2000156551A JP 10331399 A JP10331399 A JP 10331399A JP 33139998 A JP33139998 A JP 33139998A JP 2000156551 A JP2000156551 A JP 2000156551A
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layer
metal layer
wiring board
printed wiring
resin
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JP10331399A
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English (en)
Inventor
Yoshinori Takenaka
芳紀 竹中
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Ibiden Co Ltd
Original Assignee
Ibiden Co Ltd
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Publication date
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  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 スルーホール内に充填された絶縁樹脂の剥離
を防止することによって、接続性、信頼性に優れたプリ
ント配線板を得る。 【解決手段】 基板1と基板1に形成されているスルー
ホール6とを備えているプリント配線板43を提供す
る。このプリント配線板43は、スルーホール6の内壁
が金属下地層10で形成されており、金属下地層10の
表面に粗化面9が形成されており、スルーホール6内に
絶縁樹脂12が充填されており、金属下地層10が絶縁
樹脂12と密着しており、金属下地層10が金属層を含
んでおり、前記金属層が加熱処理されており、粗化面9
の形成に先立ち、前記金属層の表面が1.0〜1.4の
光沢度を有している。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、スルーホールとそ
の中に充填された絶縁樹脂との密着性に優れるプリント
配線板及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】絶縁樹脂からなる銅張り積層板をドリル
などにより、貫通穴を形成し、前述の貫通孔内壁のスミ
アなどを除去したのち、めっきによる金属層を形成させ
ることにより、貫通孔であるスルーホールを通じて、導
体回路を形成させることで、表裏の導通が取れたプリン
ト配線板が得られる。
【0003】前述のめっき層は、無電解めっき、あるい
は、電解めっきのどちらかでのみ形成させる方法、又
は、無電解めっきと電解めっきの両方で形成させる方法
がある。かかるめっき層上には、めっきあるいは、エッ
チングによって任意に凹凸を形成させることにより、ス
ルーホールや導体回路によって形成された配線板の凹凸
を埋める樹脂充填材との密着性を高めることができる。
【0004】樹脂充填材を埋めて平滑化された配線板
は、層間絶縁樹脂層の形成に支障を与えることがなく、
更に上層の導体回路を形成することができ、これらの操
作を繰り返すことによって、多層プリント配線板が得ら
れる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者は、スルーホール内のめっき層と充填樹脂層とで、剥
離が発生することを知見した。剥離が発生した充填樹脂
層は、スルーホールの穴埋めのための充填樹脂及び導体
回路の凹凸部を埋めるための充填樹脂であった。
【0006】前述の充填樹脂は、めっきを施したスルー
ホール内の隙間を埋めるために施す樹脂であり、スルー
ホール内壁のめっき層上に凹凸部を形成した後に充填さ
れる。前述の凹凸部は、酸化−還元処理、銅−ニッケル
−スズからなる無電解めっきやエッチングなどにより形
成される。
【0007】剥離が、発生するとスルーホールから樹脂
がはみ出したり、膨れたするため、スルーホール上に絶
縁樹脂層、ソルダーレジスト層、導体回路が形成できな
くなる。また、特に信頼性試験において、スルーホール
内の断線を誘発したりすることがある。
【0008】本発明は、スルーホール内に充填された絶
縁樹脂の剥離を防止することによって、接続性、信頼性
に優れたプリント配線板を得ることを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板と前記基
板に形成されているスルーホールとを備えているプリン
ト配線板において、前記スルーホールの内壁が金属下地
層で形成されており、前記金属下地層の表面に粗化面が
形成されており、前記スルーホール内に絶縁樹脂が充填
されており、前記金属下地層が前記絶縁樹脂と密着して
おり、前記金属下地層が金属層を含んでおり、前記金属
層が加熱処理されており、前記粗化面の形成に先立ち、
前記金属層の表面が1.0〜1.4の光沢度を有してい
る、プリント配線板、かかるプリント配線板を得るため
の被処理体及びかかるプリント配線板の製造方法に係る
ものである。
【0010】本発明者は、絶縁樹脂の剥離について鋭意
研究した結果、次のような事実を突き止めた。スルーホ
ール内にめっき層を形成した後、このめっき層の熱処理
が不十分であると、めっき層中に水分、吸蔵水素が不均
一に残留し、めっきの金属内で局部的に隙間が生じ、め
っきの結晶が部分的に大きくなっていた。
【0011】また、後工程でめっき層の表面に凹凸を形
成させた場合、めっき層の熱処理が不充分な部分の凹凸
は、充分な部分の凹凸に比べて、凹凸の高さが低く、凹
凸の数が少なくなり、このため、充填樹脂との密着性が
低下していた。
【0012】本発明は、本発明者がかかる知見に基づい
て随意研究した結果得られたものである。また、本発明
は、金属層の酸化度によって、金属層上の凹凸の形成が
著しく影響を受けることが解明されたことによりなされ
たものである。
【0013】すなわち、本発明者は、スルーホール内壁
をめっき層で形成した後、このめっき層を所定の温度に
一定時間保持させて熱処理を行うことにより、前述のめ
っき層の表層及びめっき層全体の酸化度を一様にするこ
とができ、その酸化度を制御することによって、めっき
層等の金属層を処理して形成される金属下地層の表面の
粗化面と絶縁樹脂との剥離を防止することができること
を突き止め、本発明を完成させた。
【0014】本発明者は、前述の金属下地層の粗化面の
凹凸と絶縁樹脂との高い密着性を得るために必要な金属
層の酸化度を、金属層表面の光沢度という尺度で数値化
できることを見出した。それによると、凹凸の形成に影
響しない酸化度は、1.0〜1.4の光沢度の範囲であ
った。つまり、スルーホール内の金属層の表面の光沢度
を、1.0〜1.4の範囲にすることにより、金属下地
層表面の粗化面と、絶縁樹脂との密着性に悪影響がなく
なる。
【0015】前述の光沢度が、1.0未満のときは、金
属層内に水分や吸臓水素が残留するため、金属結晶が大
きくなり、金属層自体が脆くなる。このため、金属層表
面にエッチングによって粗化面を形成させる場合、粗化
面の凹凸が不均一になり、絶縁樹脂との剥離を引き起こ
してしまう。また、金属層上に粗化層を設けることによ
って表面に凹凸を形成しても、金属層が脆いため、金属
層の部分で剥離が生じる。
【0016】光沢度が1.4を越えたときは、金属層の
酸化が進行し過ぎるため、エッチングによる金属層表面
の凹凸の形成が妨げられてしまい、絶縁樹脂との剥離を
誘発してしまう。また、金属層上に粗化層を設けて粗化
面を形成しようとしても、金属層の酸化が進行し過ぎて
おり、金属層の表面と粗化層との間で密着が図れず、金
属層と粗化層との間で剥離が生じる。
【0017】本発明によれば、金属層が1.0〜1.4
の光沢度で示される均一な酸化度を有しているため、金
属層を処理して得られる金属下地層の表面の粗化面の凹
凸の形成が妨げられず、金属下地層自体の強度を保つこ
とができる。
【0018】したがって、本発明のプリント配線板で
は、スルーホールとその内部に充填される絶縁樹脂とが
金属下地層表面の粗化面の凹凸により強固に密着し、ス
ルーホールと絶縁樹脂との剥離が起きず、スルーホール
内から絶縁樹脂がはみ出すことなく、絶縁樹脂の膨れに
よる層間絶縁樹脂層のクラック発生や導体回路の断線が
防止される。
【0019】
【発明の実施の形態】本発明にかかるスルーホールで
は、両面に銅箔層等を積層した絶縁樹脂基板に、ドリル
などにより貫通孔を設け、この基板の両面の導通を得る
ために、貫通孔の内壁面に金属層が設けられる。
【0020】かかる金属層は、銅、ニッケル、金、銀、
アルミニウム及びスズからなる群より選ばれる少なくと
も1種の金属から形成することができる。また、かかる
金属層は、これらの金属の2種以上からなる合金で形成
してもよいし、2層以上で形成することもできる。
【0021】金属層の形成には、無電解めっき、電解め
っきのどちらの方法を用いてもよい。また、2層以上の
形成には、無電解めっき、電解めっきのいずれか一方の
みで形成してもよく、無電解めっきと電解めっきとを混
合して形成することもできる。
【0022】金属層は、0.1〜20μmの厚みを有す
るのが好ましい。特に望ましいのは、2〜10μmの厚
みである。その理由は、表裏の導通を確実に取れ、生産
時間も適切だからである。
【0023】本発明では、金属層形成後、金属下地層の
粗化面を形成する前に、金属層の水分、吸蔵水素を追い
出すために、熱処理を行う。この熱処理により、金属層
表面の光沢度を1.0〜1.4の範囲にすることができ
る。光沢度を前述の範囲にすることが、その後、金属層
を処理して形成する金属下地層と、貫通孔内に充填され
る樹脂充填材との密着性を向上させるために必要な、金
属下地層上の凹凸の形成を安定化させるのである。つま
り、光沢度が前述の範囲に入ることにより、金属下地層
上の凹凸の高さは、0.5μm以上の高さがあり、凹凸
の数も1mm2当たり500個以上の凹凸を形成するこ
とができる。
【0024】熱処理条件は、金属層形成の条件、金属層
の合金比、金属層の厚み、粗化面の形成条件、粗化面の
凹凸の厚み等や、絶縁樹脂の材質等により異なり得るた
め、種々の条件を採用することができる。温度は、50
〜250℃で行い、この範囲内の少なくとも1種の温度
で、この温度を少なくとも10分保持するのが好まし
い。
【0025】熱処理の温度は、50〜250℃の範囲内
の温度で行うのがよいが、特に、80〜200℃で行う
のが望ましい。50℃未満では、金属層中の水分、水素
が残留してしまい、光沢度が1.0未満になり、前述の
問題が発生してしまう。また、250℃を越えると、金
属層表面の光沢度が1.4を越えてしまうために、前述
の剥離を引き起こしてしまう。
【0026】熱処理温度の保持は、10分以上温度を一
定にして行うのがよい。特に、30分〜2時間で行うの
がよい。10分未満のホールドでは、熱処理の効果がな
くなってしまう。50〜250℃の温度範囲のある熱処
理温度でホールドしたのち、温度を上げて、50〜25
0℃の温度範囲の他の熱処理温度でホールドを行っても
特に問題はない。具体例を一つ挙げてみると、80℃/
30分+100℃/30分+150℃/1時間である。
【0027】このような加熱処理では、常温(20〜3
0℃付近)から徐々に温度を上昇させ、段階的に所定の
温度でホールドさせるのが好ましい。金属層内に残留し
た水分、吸蔵水素が確実に除去されて、金属層の光沢度
も前述の範囲に入るからである。また、このように、ゆ
っくり温度を上げて、所定の温度で段階的にホールドさ
せることにより、金属層内の不純物である水分、吸蔵を
ゆっくり除去し、金属層の光沢度も前述の範囲に治まり
易くすることができる。一例として、50℃/30分+
80℃/30分+100℃/30分+120℃/30分
+150℃/2時間がある。
【0028】金属層表面の光沢度の測定は、グラフィッ
クアーツマニュファクチャリングカンパニー社製 GAMMO
DEL 144 DENSITOMETERを用いて行うことができる。この
場合、最初に、光沢度の原点測定を行う。備え付けの原
点測定用の白いサンプル、黒いサンプルを交互に測定し
て、サンプルに記載された標準値の光沢度に補正する。
補正後に、熱処理を終えた金属層の光沢度を測定する。
【0029】本発明にかかる被処理体は、このような金
属層を備えており、プリント配線板を得るために用いる
ことができる。この被処理体は、基板とスルーホールと
を備えており、このスルーホールの内壁が金属層で形成
されており、この金属層が、前述したように加熱処理さ
れており、金属層の表面が1.0〜1.4の光沢度を有
している。
【0030】本発明にかかる金属下地層は、このように
して形成した金属層を処理することによって、形成する
ことができる。図1は、本発明にかかる一例の金属下地
層を設けたスルーホールの縦断面図である。図2は、本
発明にかかる他の例の金属下地層を設けたスルーホール
の縦断面図である。
【0031】図1に示すように、本発明では、基板1の
貫通孔4の内壁に設けられた本発明にかかる金属層の表
面自体に、粗化面9を形成し、この粗化された金属層を
金属下地層6とすることができる。かかる金属下地層
は、種々の方法で形成されるが、酸化−還元処理やソフ
トエッチング等のエッチング処理により金属層を処理す
ることで形成することができる。
【0032】また、本発明では、図2に示すように、基
板1の貫通孔4の内壁に設けられた本発明にかかる金属
層44上に粗化層45を設け、粗化面46を備えた金属
下地層47とすることができる。かかる金属下地層は、
銅−ニッケル−リンからなる合金粗化層等を金属層上に
析出させること等により形成することができる。
【0033】かかる金属下地層10,47の表面には、
それぞれ、粗化面9,46が形成されており、スルーホ
ール6,48内に絶縁樹脂が充填されることで、この金
属下地層10,47は粗化面9,46を介して絶縁樹脂
と密着する。
【0034】かかる金属下地層は、所定の範囲内の光沢
度に調整された金属層を処理することによって形成する
必要がある。光沢度が1.0未満の場合は、金属層の硬
化が十分でなく、金属層内に不純物が残り、金属の結晶
が大きくなるため、金属層が脆くなったり、凹凸が不均
一になったりする。また、光沢度が1.4を超えると、
金属層の表層に形成される酸化膜が厚くなる。
【0035】このような場合、その後、金属層を処理し
て、金属下地層表面の凹凸をめっきによる粗化層で形成
したときには、めっき反応が停止したりし、エッチング
で金属層表面に粗化面を形成したときには、エッチング
されないので、凹凸ができなかったりする。
【0036】また、そのような場合、スルーホール内に
充填した充填樹脂材が粗化面から剥離してしまうので、
スルーホール内から絶縁樹脂がはみ出したり、膨れたり
して、その上に層間絶縁樹脂が形成され難くなる。ま
た、信頼性を保証する温度サイクル試験において、熱衝
撃に耐えられず層間絶縁樹脂が剥離してしまうことがあ
る。更に、絶縁樹脂が膨れることによって、層間絶縁樹
脂のクラック、導体回路の断線を引き起こしてしまう。
【0037】本発明のプリント配線板の製造方法につい
て説明する。以下の方法は、主としてセミアディティブ
法によるものであるが、フルアディティブ法を採用して
もよい。
【0038】まず、基板の表面に導体回路を形成した配
線基板を作成する。基板としては、ガラスエポキシ基
板、銅張り積層板、ポリイミド基板、ビスマレイミド−
トリアジン樹脂基板等の樹脂絶縁基板、セラミック基
板、金属基板等の基板に無電解めっき用接着剤層を形成
し、この接着剤層表面を粗化して粗化面とし、この粗化
面全体に薄付けの無電解めっきを施し、めっきレジスト
を形成し、めっきレジスト非形成部分に厚付けの電解め
っきを施した後、めっきレジストを除去し、エッチング
処理して、電解めっき膜と無電解めっき膜とからなる導
体回路を形成する。かかる導体回路は、いずれも銅パタ
ーンがよい。また、本発明に用いられる導体回路は、無
電解めっき膜又は電解めっき膜が望ましい。
【0039】両面に金属層を形成した絶縁樹脂基板に、
ドリルなどを用いて、スルーホールとなる貫通孔を設け
る。その貫通孔の内壁には、両面の導通を取るために、
めっきによる金属層を更に形成させる。かかる金属層
は、無電解めっき、あるいは、電解めっきにより形成す
るのがよい。また、かかる金属層を形成する前には、ス
ルーホール内壁にスミアが残るのを防止するために、過
マンガン酸などの酸化剤で、デスミア処理してもよい。
【0040】金属層を形成した基板を加熱処理する。か
かる加熱処理によって、金属層内に残留した水分、吸蔵
水素などが除去される。また、この熱処理によって、金
属層表面の光沢度を所定の範囲に制御することにより、
その後、充填樹脂との密着を取るために形成される金属
下地層の凹凸の形状を安定化させることができる。
【0041】この熱処理方法は、基板の温度を常温から
上昇させていき、50〜250℃の範囲で温度を一定時
間ホールドさせることにより、金属層内の不純物を除去
し、金属層の光沢度を1.0〜1.4の範囲に入れるこ
とができる。
【0042】金属層を熱処理した後、金属層を酸化−還
元処理等によりエッチングするか、金属層上に銅−ニッ
ケル−リンからなる合金層をめっきにより形成して、金
属下地層とし、この金属下地層の表面に凹凸を形成させ
る。
【0043】金属下地層に凹凸を施し、導体回路を形成
した基板には、導体回路間あるいはスルーホール内に凹
部が形成される。その凹部を埋めるために、樹脂充填剤
を印刷などで塗布し、乾燥した後、不要な樹脂充填剤を
研磨により研削して、導体回路を露出させたのち、樹脂
充填剤を本硬化させる。
【0044】次いで、導体回路上に粗化面を設ける。粗
化面は、導体回路を、エッチング処理、研磨処理、酸化
処理、酸化還元処理等により処理して形成された粗化面
又はめっき被膜により形成された粗化面が望ましい。
【0045】本発明で使用される層間絶縁樹脂は、前述
したような無電解めっき用接着剤層を用いることができ
るが、硬化処理された酸又は酸化剤に可溶性の耐熱性樹
脂粒子が、酸又は酸化剤に難溶性の未硬化の耐熱性樹脂
中に分散されてなるものが最適である。酸や酸化剤で処
理することにより、耐熱性樹脂粒子が溶解除去されて、
蛸つぼ状のアンカー部からなる粗化面を層間絶縁樹脂の
表面に形成できる。
【0046】上記層間絶縁樹脂において、特に硬化処理
された前記耐熱性樹脂粒子としては、平均粒径が10μ
m以下の耐熱性樹脂粉末、平均粒径が2μm以下の耐
熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、平均粒径が2〜
10μmの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が2μm以下の
耐熱性樹脂粉末との混合物、平均粒径が2〜10μmの
耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径が2μm以下の耐熱性
樹脂粉末又は無機粉末のいずれか少なくとも1種を付着
させてなる疑似粒子、平均粒径が0.1〜0.8μm
の耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が0.8μmを越え、
2μm未満の耐熱性樹脂粉末との混合物、平均粒径が
0.1〜1.0μmの耐熱性粉末樹脂粉末を用いること
が望ましい。これらは、より一層複雑なアンカー部を形
成できるからである。
【0047】前述した酸又は酸化剤に難溶性の耐熱性樹
脂としては、熱硬化性樹脂及び熱可塑性樹脂からなる樹
脂複合体、又は感光性樹脂及び熱可塑性樹脂からなる樹
脂複合体からなるのが望ましい。前者については耐熱性
が高く、後者についてはバイアホール用の開口をフォト
リソグラフィーにより形成できるからである。
【0048】前述した熱硬化性樹脂としては、エポキシ
樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂などを使用でき
る。また、感光化する場合は、メタクリル酸やアクリル
酸などと熱硬化基をアクリル化反応させることができ
る。特に、エポキシ樹脂のアクリレートが最適である。
【0049】エポキシ樹脂としては、フェノールノボラ
ック型、クレゾールノボラック型などのノボラック型エ
ポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変成した脂環式エポ
キシ樹脂などを使用することができる。
【0050】熱可塑性樹脂としては、ポリエーテルスル
フォン(PES)、ポリスルホォン(PSF)、ポリフ
ェニレンスルフォン(PPS)、ポリフェニレンサルフ
ァイド(PPES),ポリフェニルエーテル(PP
E)、ポリエーテルイミド(PI)などを使用できる。
【0051】熱硬化性樹脂(感光性樹脂)と熱可塑性樹
脂の混合割合は、熱硬化性樹脂(感光性樹脂)/熱可塑
性樹脂=95/5〜50/50がよい。耐熱性を損なう
ことなく、高い物性値を確保できる。
【0052】前記耐熱性樹脂粒子の混合比は、耐熱性樹
脂マトリックスの固形分に対して5〜50重量%、望ま
しくは10〜40重量%がよい。
【0053】耐熱性粒子は、アミノ樹脂(メラミン樹
脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂)、エポキシ樹脂などが
よい。
【0054】なお、かかる無電解めっき用接着剤として
は、組成の異なる2種を用いて、層間絶縁樹脂層を2層
により構成してもよい。
【0055】次に、層間絶縁樹脂層を硬化する一方で、
その層間樹脂樹脂層にはバイアホール形成用の開口を設
ける。かかる開口には、無電解めっき用接着剤の樹脂マ
トリックスが、熱硬化樹脂である場合はレーザー光や酸
素プラズマ等を用いて穿孔し、感光性樹脂である場合は
露光現像処理にて穿孔する。なお、露光現像処理は、バ
イアホール形成のための円パターンが描画されたフォト
マスク(ガラス基板がよい)を、円パターン側を感光性
の層間樹脂絶縁層の上に密着させて載置した後、露光、
現像処理する。
【0056】次に、バイアホール形成用開口を設けた層
間樹脂絶縁層(無電解めっき用接着剤層)の表面を粗化
する。特に、無電解めっき用接着剤層の表面に存在する
耐熱性樹脂粒子を酸又は酸化剤で溶解除去することによ
り、接着剤層表面を粗化処理する。このとき、層間絶縁
樹脂層の表面に粗化面が形成される。
【0057】かかる酸処理としては、リン酸、塩酸、硫
酸、又は蟻酸や酢酸等の有機酸を用いることができる。
特に、有機酸を用いるのが望ましい。粗化処理した場合
に、バイアホールから露出する金属導体層を腐食させに
くいからである。
【0058】酸化処理は、クロム酸、過マンガン酸塩
(過マンガン酸カリウム等)を用いることが望ましい。
【0059】層間絶縁樹脂層に形成される粗化面は、最
大粗度Rmax0.1〜20μmがよい。深すぎると粗
化面自体が損傷し易く、層間絶縁樹脂層上に設けるめっ
き膜が剥離しやすく、薄すぎると層間絶縁樹脂とめっき
膜との密着性が低下するからである。特にセミアディテ
ィブ法では、0.1〜5μmがよい。密着性を確保しつ
つ、無電解めっき膜を除去できるからである。
【0060】次に、粗化し触媒核を付与した層間絶縁樹
脂上の全面に薄付けの無電解めっき膜を形成する。この
無電解めっき膜は、無電解銅めっきがよく、その厚み
は、0.5〜5μm、より望ましくは1〜3μmとす
る。なお、無電解銅めっき液としては、常法で採用され
る液組成のものを使用でき、例えば、硫酸銅:29g/
L、炭酸ナトリウム:25g/L、EDTA:140 g/
L、水酸化ナトリウム:40g/L、37%ホルムアルデヒ
ド: 150mL、(PH=11.5)からなる液組成のものが
よい。
【0061】次に、このように形成した無電解めっき膜
上に感光性樹脂フィルム(ドライフィルム)をラミネー
トし、この感光性樹脂フィルム上に、めっきレジストパ
ターンが描画されたフォトマスク(ガラス基板がよい)
を密着させて載置し、露光し、現像処理することによ
り、めっきレジストパターンを配設した非導体部分を形
成する。
【0062】次に、無電解銅めっき膜上の非導体部分以
外に電解めっき膜を形成し、導体回路とバイアホールと
なる導体部を設ける。電解めっきとしては、電解銅めっ
きを用いることが望ましく、その厚みは、5〜20μmが
よい。
【0063】さらに、硫酸と過酸化水素の混合液や過硫
酸ナトリウム、過硫酸アンモニウム、塩化第二鉄、塩化
第二銅等のエッチング液にて無電解めっき膜を除去し、
無電解めっき膜と電解めっき膜の2層からなる独立した
導体回路とバイアホールを得る。この際、導体回路やバ
イアホールを予め熱処理することで、導体回路の過剰な
エッチングによる線細り、断線等を防ぐことができる。
【0064】なお、非導体部分に露出した粗化面上のパ
ラジウム触媒核は、クロム酸、硫酸過水等により溶解除
去する。
【0065】次いで、表層の導体回路上に粗化面を形成
するか又は導体回路上に粗化層をを設けて粗化層の表面
に粗化面を形成する。形成される粗化面は、エッチング
処理、研磨処理、酸化処理、酸化還元処理により形成さ
れた銅の粗化面又もしくはめっき被膜により形成された
粗化面であることが望ましい。
【0066】次いで、かかる導体回路上にソルダーレジ
スト層を形成する。ソルダーレジスト層の厚さは、5〜
40μmがよい。薄すぎるとソルダーダムとして機能せ
ず、厚すぎると開口しにくくなる上、半田体と接触し半
田体に生じるクラックの原因となるからである。
【0067】ソルダーレジスト層としては、種々の樹脂
を使用でき、例えば、ビスフェノールA型エポキシ樹
脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂のアクリレート、
ノボラック型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂
のアクリレートをアミン系硬化剤やイミダゾール硬化剤
などで硬化させた樹脂を使用できる。
【0068】特に、ソルダーレジスト層に開口を設けて
半田バンプを形成する場合には、ノボラック型エポキシ
樹脂もしくはノボラック型エポキシ樹脂のアクリレート
からなり、イミダゾール硬化剤を硬化剤として含むもの
が好ましい。
【0069】このような構成のソルダーレジスト層は、
鉛のマイグレーション(鉛イオンがソルダーレジスト層
内を拡散する現象)が少ないという利点を持つ。しか
も、このソルダーレジスト層は、ノボラック型エポキシ
樹脂のアクリレートをイミダゾール硬化剤で硬化した樹
脂層であり、耐熱性、耐アルカリ性に優れ、はんだが溶
融する温度(200 ℃前後)でも劣化しないし、ニッケル
めっきや金めっきのような強塩基性のめっき液で分解す
ることもない。
【0070】しかしながら、このようなソルダーレジス
ト層は、剛直骨格を持つ樹脂で構成されるので剥離が生
じやすい。このため、導体回路上に粗化面や粗化層を設
けることは、このような剥離を防止できるため有利であ
る。
【0071】ここで、上記ノボラック型エポキシ樹脂の
アクリレートとしては、フェノールノボラックやクレゾ
ールノボラックのグリシジルエーテルを、アクリル酸や
メタクリル酸などと反応させたエポキシ樹脂などを用い
ることができる。
【0072】上記イミダゾール硬化剤は、25℃で液状で
あることが望ましい。液状であれば均一混合できるから
である。
【0073】このような液状イミダゾール硬化剤として
は、1-ベンジル−2-メチルイミダゾール(品名:1B2MZ
)、1-シアノエチル−2-エチル−4-メチルイミダゾー
ル(品名:2E4MZ-CN)、4-メチル−2-エチルイミダゾー
ル(品名:2E4MZ )を用いることができる。
【0074】このイミダゾール硬化剤の添加量は、上記
ソルダーレジスト組成物の総固形分に対して1〜10重量
%とすることが望ましい。この理由は、添加量がこの範
囲内にあれば均一混合がしやすいからである。
【0075】上記ソルダーレジストの硬化前組成物は、
溶媒としてグリコールエーテル系の溶剤を使用すること
が望ましい。このような組成物を用いたソルダーレジス
ト層は、遊離酸素が発生せず、銅パッド表面を酸化させ
ない。また、人体に対する有害性も少ない。
【0076】このようなグリコールエーテル系溶媒とし
ては、下記構造式のもの、 CH3O-(CH2CH2O) n −CH3 (n=1〜5) 特に望ましくは、ジエチレングリコールジメチルエーテ
ル(DMDG)及びトリエチレングリコールジメチルエ
ーテル(DMTG)からなる群より選ばれる少なくとも
1種を用いる。これらの溶剤は、30〜50℃程度の加温に
より反応開始剤であるベンゾフェノンやミヒラーケトン
を完全に溶解させることができるからである。
【0077】このグリコールエーテル系の溶媒は、ソル
ダーレジスト組成物の全重量に対して10〜40wt%がよ
い。
【0078】以上説明したようなソルダーレジスト組成
物には、その他に、各種消泡剤やレベリング剤、耐熱性
や耐塩基性の改善と可撓性付与のために熱硬化性樹脂、
解像度改善のために感光性モノマーなどを添加すること
ができる。
【0079】例えば、レベリング剤としてはアクリル酸
エステルの重合体からなるものがよい。また、開始剤と
してはチバガイギー製のイルガキュアI907、光増感
剤としては日本化薬製のDETX−Sがよい。
【0080】さらに、ソルダーレジスト組成物には、色
素や顔料を添加してもよい。配線パターンを隠蔽できる
からである。この色素としてはフタロシアニングリーン
を用いることが望ましい。
【0081】添加成分としての上記熱硬化性樹脂として
は、ビスフェノール型エポキシ樹脂を用いることができ
る。このビスフェノール型エポキシ樹脂には、ビスフェ
ノールA型エポキシ樹脂とビスフェノールF型エポキシ
樹脂があり、耐塩基性を重視する場合には前者が、低粘
度化が要求される場合(塗布性を重視する場合)には後
者がよい。
【0082】添加成分としての上記感光性モノマーとし
ては、多価アクリル系モノマーを用いることができる。
多価アクリル系モノマーは、解像度を向上させることが
できるからである。例えば、多価アクリル系モノマーが
望ましく、日本化薬製のDPE−6A、共栄社化学製の
R−604が用いられる。
【0083】また、これらのソルダーレジスト組成物
は、25℃で0.5〜100Pa・s、より望ましくは
1〜60Pa・sの粘度がよい。ロールコータで塗布し
やすいからである。
【0084】ソルダーレジスト層形成後、はんだバンプ
用開口部を、露光、現像処理により形成する。開口径
は、80〜150μmの範囲でよい。
【0085】その後、ソルダーレジスト層の開口部に、
無電解めっきにてニッケルめっき層を形成させる。ニッ
ケルめっき液の組成は、例えば、硫酸ニッケル4.5g
/L、次亜リン酸ナトリウム25g/L、クエン酸ナト
リウム40g/L、ホウ酸12g/L、チオ尿素0.1
g/L(PH=11)がある。
【0086】めっき処理では、まず、脱脂液により、ソ
ルダーレジスト層開口部、表面を洗浄し、パラジウムな
どの触媒を開口部に露出した導体部分に付与し、活性化
させた後、めっき液に浸漬し、ニッケルめっき層を形成
させる。
【0087】ニッケルめっき層の厚みは、0.5〜20
μmで、特に3〜10μmの厚みが望ましい。それ以下
では、半田バンプとニッケルめっき層の接続が取れにく
く、それ以上では、開口部に形成した半田バンプが収ま
りきれず、剥がれたりする。
【0088】ニッケルめっき層形成後、金めっきにて金
めっき層を形成させる。金めっき層の厚みは、0.01
〜0.1μmであり、望ましくは0.03μm前後であ
る。
【0089】
【実施例】本発明を、図面を参照して、実施例に基づき
説明する。 (実施例1) A.層間絶縁樹脂剤調製用の原料組成物(上層用層間絶
縁樹脂剤) 〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
(日本化薬製、分子量2500)の25%アクリル化物を80wt
%の濃度でDMDGに溶解させた樹脂液を35重量部、感
光性モノマー(東亜合成製、アロニックスM315 )3.15
重量部と、消泡剤(サンノプコ製、S−65)0.5 重量部
と、NMP 3.6重量部とを攪拌混合して得た。
【0090】〔樹脂組成物〕ポリエーテルスルフォン
(PES)12重量部、エポキシ樹脂粒子(三洋化成製、
ポリマーポール)の平均粒径 1.0μmのものを 7.2重量
部と、平均粒径 0.5μmのものを3.09重量部とを混合し
た後、さらにNMP30重量部を添加し、ビーズミルで攪
拌混合して得た。
【0091】〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤
(四国化成製、2E4MZ-CN)2重量部と、光開始剤(チバ
ガイギー製、イルガキュア I−907 )2重量部と、光
増感剤(日本化薬製、DETX-S)0.2 重量部と、NMP
1.5重量部とを攪拌混合して得た。
【0092】B.層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物
(下層用層間絶縁樹脂剤) 〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
(日本化薬製、分子量2500)の25%アクリル化物を80wt
%の濃度でDMDGに溶解させた樹脂液を35重量部と、
感光性モノマー(東亜合成製、アロニックスM315 )4
重量部と、消泡剤(サンノプコ製、S−65)0.5 重量部
と、NMP 3.6重量部とを攪拌混合して得た。
【0093】〔樹脂組成物〕ポリエーテルスルフォン
(PES)12重量部と、エポキシ樹脂粒子(三洋化成
製、ポリマーポール)の平均粒径 0.5μmのものを 14.
49重量部とを混合した後、さらにNMP30重量部を添加
し、ビーズミルで攪拌混合して得た。
【0094】〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤
(四国化成製、2E4MZ-CN)2重量部と、光開始剤(チバ
ガイギー製、イルガキュア I−907 )2重量部と、光
増感剤(日本化薬製、DETX-S)0.2 重量部と、NMP1.
5 重量部とを攪拌混合して得た。
【0095】C.樹脂充填剤調製用の原料組成物 〔樹脂組成物〕ビスフェノールF型エポキシモノマー
(油化シェル製、分子量310 、YL983U)100重量部、表
面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒
径 1.6μmのSiO2 球状粒子〔アドマテック製、CR
S 1101−CE、ここで、最大粒子の大きさは後述する内層
銅パターンの厚み(15μm)以下とする〕 170重量部
と、レベリング剤(サンノプコ製、ペレノールS4)1.
5 重量部とを攪拌混合することにより、その混合物の粘
度を23±1℃で45,000〜49,000cps に調整して得た。
【0096】〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤
(四国化成製、2E4MZ-CN)6.5 重量部。
【0097】D.プリント配線板の製造 図3〜21は本発明の一例のプリント配線板の製造工程
図である。図3に示すように、厚さ1mmのガラスエポキ
シ樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂からなる基板
1の両面に18μmの銅箔2がラミネートされている銅張
積層板3を出発材料とした。
【0098】まず、この銅張積層板3をドリル削孔し、
貫通孔4を形成し、無電解めっき、次いで電解めっき処
理を施し、パターン状にエッチングすることにより、図
4に示すように、基板3の両面に、内層銅パターン(内
層導体回路)5とスルーホール6を形成した。
【0099】この配線板を熱処理した。熱処理は、50
℃/1hr+80℃/1hr+100℃/1hr+120℃/
1hr+150℃/3hrで行った。その際、内層導体回路
5及びスルーホール6の表面の光沢度は、1.2であっ
た。
【0100】(2) 熱処理した基板を水洗いし、乾燥した
後、酸化浴(黒化浴)として、NaOH(10g/L),NaCl
O2(40g/L),Na3PO4(6g/L)、還元浴として、
NaOH(10g/L),NaBH4 (6g/L)を用いた酸化−
還元処理により、図5に示すように、内層導体回路5及
びスルーホール6の表面に粗化面7,9を設け、金属下
地層10を形成した。
【0101】(3) Cの樹脂充填剤調製用の原料組成物を
混合し、混練して、樹脂充填剤を得た。
【0102】(4) 前記(3) で得た樹脂充填剤を、調製後
24時間以内に内層導体回路5間及びスルーホール6内に
塗布、充填した。塗布方法としては、スキージを用いた
印刷法で行った。1回目の印刷塗布は、主にスルーホー
ル6内を充填して、乾燥炉内の温度100 ℃で20分間乾
燥させた。また、2回目の印刷塗布は、主に内層導体回
路5間に生じた凹部を充填した。内層導体回路5間の樹
脂充填材も、前述の乾燥条件で乾燥させた。
【0103】(5) 前記(4) の処理を終えた基板の片面
を、#600 のベルト研磨紙(三共理化学製)を用いたベ
ルトサンダー研磨により、内層導体回路5の表面やスル
ーホール6のランド表面に樹脂充填剤が残らないように
研磨し、次いで、前記ベルトサンダー研磨による傷を取
り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨
を基板の他方の面についても同様に行った。
【0104】次いで、120 ℃で1時間、 150℃で1時
間、の加熱処理を行って、樹脂充填剤を硬化した。
【0105】このようにして、スルーホール6内等に充
填された樹脂充填剤の表層部及び内層導体回路5上面の
粗化面を除去して基板両面を平滑化し、図6に示すよう
な、樹脂充填層11と内層導体回路5の側面とが粗化面
7aを介して強固に密着し、またスルーホール6の内壁
面と樹脂充填層とが粗化面9を介して強固に密着した配
線基板13を得た。即ち、この工程により、樹脂充填層
の表面と内層導体回路の表面が同一平面となる。
【0106】(6) このようにして形成したプリント配線
板13をアルカリ脱脂してソフトエッチングして、次い
で、塩化パラジウウムと有機酸からなる触媒溶液で処理
して、Pd触媒を付与し、この触媒を活性化した後、硫
酸銅3.9×10-2モル/L、硫酸ニッケル3.8×1
-3モル/L、クエン酸ナトリウム7.8×10-3モル
/L、次亜りん酸ナトリウム2.3×10-1モル/L、
界面活性剤(日信化学工業製、サーフィール465)
1.1×10-4モル/L、PH=9からなる無電解めっ
き液に浸積し、浸漬1分後に、3秒に1回の割りで、
縦、及び、横振動させて、図7に示すように、内層導体
回路5及びスルーホール6のランドの表面をCu−Ni
−Pからなる針状合金で被覆して、粗化層14,15を
設けた。
【0107】さらに、ホウフッ化スズ0.1モル/L、
チオ尿素1.0モル/L、温度35℃、PH=1.2の
条件でCu−Sn置換反応させ、粗化層の表面に厚さ
0.3μmSn層を設けた(図示していない)。
【0108】(7) Bの層間絶縁樹脂剤調製用の原料組成
物を攪拌混合し、粘度1.5 Pa・sに調整して、層間絶縁
樹脂剤(下層用)を得た。次いで、Aの層間絶縁樹脂剤
調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度7Pa・sに調整
して、層間絶縁樹脂剤溶液(上層用)を得た。
【0109】(8) 前記(6) の基板の両面に、前記(7) で
得られた粘度 1.5Pa・sの層間絶縁樹脂剤(下層用)を
調製後24時間以内にロールコータで塗布し、水平状態で
20分間放置してから、60℃で30分の乾燥(プリベーク)
を行い、次いで、前記(7) で得られた粘度7Pa・sの感
光性の接着剤溶液(上層用)を調製後24時間以内に塗布
し、水平状態で20分間放置してから、60℃で30分の乾燥
(プリベーク)を行い、図8に示すような厚さ35μmの
層間絶縁樹脂層17を形成した。
【0110】(9) 前記(8) で得られた基板16の両面
に、図9に示すように、85μmφの黒円18が印刷され
たフォトマスクフィルム19を密着させ、超高圧水銀灯
により 500mJ/cm2 で露光した。これをDMTG溶液で
スプレー現像し、さらに、この基板を超高圧水銀灯によ
り3000mJ/cm2 で露光し、100 ℃で1時間、120 ℃で1
時間、その後 150℃で3時間の加熱処理(ポストベー
ク)をすることにより、図10に示すようなフォトマス
クフィルム18に相当する寸法精度に優れた85μmφの
開口20(バイアホール形成用開口)を有する厚さ35μ
mの層間絶縁樹脂層17(2層構造)を形成した。な
お、バイアホールとなる開口20には、スズめっき層を
部分的に露出させた。
【0111】(10)開口20が形成された基板を、クロム
酸に19分間浸漬し、層間絶縁樹脂層17の表面に存在す
るエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、図11
に示すように、この層間樹脂絶縁層17及びバイアホー
ル開口部の壁面の表面に粗化面21,22を設けた。そ
の後、基板を中和溶液(シプレイ社製)に浸漬してから
水洗いし、粗化面21,22及び層間絶縁樹脂層17に
残留したクロム酸などを除去させた。
【0112】さらに、粗面化処理(粗化深さ3μm)し
た、この基板の表面に、パラジウム触媒核(アトテック
製)を付与することにより、層間樹脂絶縁層17の表面
21及びバイアホール用開口の内壁面22に触媒核を付
けた。
【0113】(11)以下に示す組成の無電解銅めっき水溶
液中に基板を浸漬して、図12に示すように、粗面全体
さ0.6 μmの無電解銅めっき膜23を形成した。 〔無電解めっき水溶液〕 EDTA 0.08 モル/L 硫酸銅 0.03 モル/L HCHO 0.05 モル/L NaOH 0.05 モル/L α、α' −ビピリジル 80 mg/L PEG 0.10 g/L 〔無電解めっき条件〕 65℃の液温度で20分
【0114】(12)前記(11)で形成した無電解銅めっき膜
23上に、図13に示すようにして、市販の感光性ドラ
イフィルム25を張り付け、黒円25が印刷されたマス
ク26を載置して、100 mJ/cm2 で露光、0.8 %炭酸ナ
トリウムで現像処理し、図14に示すような厚さ15μm
のめっきレジスト27を設けた。
【0115】(13)ついで、レジスト非形成部分に以下の
条件で電解銅めっきを施し、図15に示すような厚さ15
μmの電解銅めっき膜28を形成した。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 2.24 モル/L 硫酸銅 0.26 モル/L 添加剤(アトテックジャパン製、カパラシドHL) 19.5 mL/L 〔電解めっき条件〕 電流密度 1A/dm2 時間 65 分 温度 22±2 ℃
【0116】(14)めっきレジスト27を5%KOHで剥
離除去した後、そのめっきレジスト27の下の無電解め
っき膜23を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処
理して溶解除去し、図16に示すような無電解銅めっき
膜23と電解銅めっき膜28とからなる厚さ18μmの導
体回路30(バイアホール31を含む)を形成した。
【0117】(15)(6) と同様の処理を行い、銅−ニッケ
ル−リンからなる粗化面を形成し、さらにその表面にSn
置換を行った。
【0118】(16)前記(7) 〜(15)の工程を繰り返して、
さらに上層の導体回路を形成し、多層配線基板を得た。
但し、表層の粗化面には、Sn置換は行わなかった。
【0119】(17)一方、DMDGに溶解させた60重量%
のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬製)
のエポキシ基50%をアクリル化した感光性付与のオリゴ
マー(分子量4000)を 46.67g、メチルエチルケトンに
溶解させた80重量%のビスフェノールA型エポキシ樹脂
(油化シェル製、エピコート1001)15.0g、イミダゾー
ル硬化剤(四国化成製、2E4MZ-CN)1.6 g、感光性モノ
マーである多価アクリルモノマー(日本化薬製、R604
)3g、同じく多価アクリルモノマー(共栄社化学
製、DPE6A ) 1.5g、分散系消泡剤(サンノプコ社製、
S−65)0.71gを混合し、さらにこの混合物に対して光
開始剤としてのベンゾフェノン(関東化学製)を2g、
光増感剤としてのミヒラーケトン(関東化学製)を 0.2
g加えて、粘度を25℃で 2.0Pa・sに調整したソルダー
レジスト組成物を得た。なお、粘度測定は、B型粘度計
(東京計器、 DVL-B型)で 60rpmの場合はローターNo.
4、6rpmの場合はローターNo.3によった。
【0120】(18)前記(16)で得られた多層プリント配線
基板の両面に、図18に示すようにして、上記ソルダー
レジスト組成物33を20μmの厚さで塗布した。なお、
図18等では、内層導体回路5と上層導体回路30等の
2層のプリント配線板で示した。
【0121】次いで、70℃で20分間、70℃で30分間の乾
燥処理を行った後、図19に示すように、円パターン3
4(マスクパターン)が描画された厚さ5mmのフォトマ
スクフィルム35を密着させて載置し、1000mJ/cm2
紫外線で露光し、DMTG現像処理した。そしてさらに、80
℃で1時間、 100℃で1時間、 120℃で1時間、 150℃
で3時間の条件で加熱処理し、図20に示すような、は
んだパッド部分36(バイアホールとそのランド部分3
7を含む)を開口した(開口径 200μm)ソルダーレジ
スト層38(厚み20μm)を形成した。
【0122】(19)その後、塩化ニッケル2.3 ×10-1モル
/L、次亜リン酸ナトリウム2.8 ×10 -1モル/L、クエ
ン酸ナトリウム1.6 ×10-1モル/L、からなるpH=
4.5の無電解ニッケルめっき液に、20分間浸漬して、
開口部に、図21に示すような厚さ5μmのニッケルめ
っき層40を形成した。さらに、その基板を、シアン化
金カリウム7.6 ×10-3モル/L、塩化アンモニウム1.9
×10-1モル/L、クエン酸ナトリウム1.2 ×10-1モル/
L、次亜リン酸ナトリウム1.7 ×10-1モル/Lからなる
無電解金めっき液に80℃の条件で7.5分間浸漬して、
ニッケルめっき層40上に厚さ0.03μmの金めっき層4
1を形成した。
【0123】(20)そして、ソルダーレジスト層38の開
口部に、半田ペーストを印刷して 230℃でリフローする
ことにより、半田バンプ42(半田体)を形成し、半田
バンプを有するプリント配線基板43を製造した。
【0124】(実施例2)基本的には実施例1と同様で
あるが、金属層の熱処理を80℃/0.5 時間+100℃
/0.5 時間+150℃/2時間で行い、光沢度は、1.
1であった。また、酸化−還元処理の代わりに、有機酸
と第2銅錯体の混合水溶液からなるエッチング液で金属
層の表面に凹凸を形成させた。
【0125】(比較例1)基本的に実施例1と同様であ
るが、金属層の熱処理を行わなかった。光沢度は、0.
8であった。
【0126】(比較例2)基本的に実施例1と同様であ
るが、金属層の熱処理を100℃/1時間+140℃/
1時間+200℃/1時間+280℃/1時間で行なっ
た。光沢度は、1.8であった。
【0127】以上、実施例1、2及び比較例1、2で製
造されたプリント配線板について、熱処理後の金属層の
光沢度、スルーホール上の層間絶縁樹脂の膨れ、スルー
ホール内の断線の発生率、層間絶縁樹脂層と導体回路の
剥離の4項目について評価した。結果を表1に示した。
【0128】
【表1】
【0129】実施例では、比較例と比べ、光沢度は、い
ずれも1.0〜1.4の範囲に入り、凹凸の高さは、
0.5μm以上でかつ、凹凸数も1mm2 当たり500
個以上あり、信頼試験を行っても、層間絶縁樹脂及び導
体回路には、不具合が発生しなかった。
【0130】
【発明の効果】本発明によれば、スルーホール内壁の金
属層が1.0〜1.4の光沢度で示される均一な酸化度
を有しているため、金属層を処理して得られる金属下地
層の表面の粗化面の凹凸の形成が妨げられず、金属下地
層自体の強度を保つことができる。
【0131】本発明のプリント配線板では、スルーホー
ルとその内部に充填される絶縁樹脂とが金属下地層表面
の粗化面の凹凸により強固に密着し、スルーホールと絶
縁樹脂との剥離が起きず、スルーホール内から絶縁樹脂
がはみ出すことなく、絶縁樹脂の膨れによる層間絶縁樹
脂層のクラック発生や導体回路の断線が防止される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明にかかる一例の金属下地層の縦断面図で
ある。
【図2】本発明にかかる他の例の金属下地層の縦断面図
である。
【図3】本発明にかかる一例の多層プリント配線板の製
造工程図である。
【図4】本発明にかかる一例の多層プリント配線板の製
造工程図である。
【図5】本発明にかかる一例の多層プリント配線板の製
造工程図である。
【図6】本発明にかかる一例の多層プリント配線板の製
造工程図である。
【図7】本発明にかかる一例の多層プリント配線板の製
造工程図である。
【図8】本発明にかかる一例の多層プリント配線板の製
造工程図である。
【図9】本発明にかかる一例の多層プリント配線板の製
造工程図である。
【図10】本発明にかかる一例の多層プリント配線板の
製造工程図である。
【図11】本発明にかかる一例の多層プリント配線板の
製造工程図である。
【図12】本発明にかかる一例の多層プリント配線板の
製造工程図である。
【図13】本発明にかかる一例の多層プリント配線板の
製造工程図である。
【図14】本発明にかかる一例の多層プリント配線板の
製造工程図である。
【図15】本発明にかかる一例の多層プリント配線板の
製造工程図である。
【図16】本発明にかかる一例の多層プリント配線板の
製造工程図である。
【図17】本発明にかかる一例の多層プリント配線板の
製造工程図である。
【図18】本発明にかかる一例の多層プリント配線板の
製造工程図である。
【図19】本発明にかかる一例の多層プリント配線板の
製造工程図である。
【図20】本発明にかかる一例の多層プリント配線板の
製造工程図である。
【図21】本発明にかかる一例の多層プリント配線板の
製造工程図である。
【符号の説明】
1 基板 2 銅箔 3 銅張積層板 4 ドリル孔 5 内層銅パターン(内層導体回路) 6,48 スルーホール 7,7a,8,8a,9,46 粗化面 10,47 金属下地層 13,16 配線基板 11,12 樹脂層 14,15,32,45 粗化層 17 接着剤層 18,24 黒円 19,35 フォトマスクフィルム 20 開口(バイアホール形成用開口) 23 無電解銅めっき膜 25 感光性ドライフィルム 26 マスク 27 めっきレジスト 28 電解銅めっき膜 29 金属パターン層 30 導体回路 31 バイアホール 33 ソルダーレジスト用組成物 34 円パターン(マスクパターン) 36 はんだパッド部分 37 バイアホールとそのランド部分 38 ソルダーレジスト層 39,43 プリント配線板 40 ニッケルめっき層 41 金めっき層 42 はんだバンプ(はんだ体)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5E317 AA24 BB12 BB13 BB14 BB15 BB18 CC32 CC33 CC51 CC52 CD05 CD15 CD17 CD18 CD21 CD25 CD27 CD32 GG03 GG05 GG09 5E343 AA05 AA07 AA15 AA16 AA17 AA18 AA22 AA23 BB14 BB23 BB24 BB28 BB33 BB44 BB55 BB67 CC47 CC48 CC71 CC78 DD33 DD43 ER16 ER18 ER32 ER39 GG01

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板と前記基板に形成されているスルー
    ホールとを備えているプリント配線板において、 前記スルーホールの内壁が金属下地層で形成されてお
    り、前記金属下地層の表面に粗化面が形成されており、
    前記スルーホール内に絶縁樹脂が充填されており、前記
    金属下地層が前記絶縁樹脂と密着しており、前記金属下
    地層が金属層を含んでおり、前記金属層が加熱処理され
    ており、前記粗化面の形成に先立ち、前記金属層の表面
    が1.0〜1.4の光沢度を有していることを特徴とす
    る、プリント配線板。
  2. 【請求項2】 前記金属層が、無電解めっき及び電解め
    っきのいずれか一方又は双方で形成されていることを特
    徴とする、請求項1記載のプリント配線板。
  3. 【請求項3】 前記金属層が、0.1〜20μmの厚さ
    を有していることを特徴とする、請求項1又は2記載の
    プリント配線板。
  4. 【請求項4】 前記金属層が、銅、ニッケル、金、銀、
    アルミニウム及びスズからなる群より選ばれた少なくと
    も1種の金属から形成されていることを特徴とする、請
    求項1〜3のいずれか一項記載のプリント配線板。
  5. 【請求項5】 前記粗化面が、前記金属層の表面又は前
    記金属層上の粗化層の表面に形成されていることを特徴
    とする、請求項1〜4のいずれか一項記載のプリント配
    線板。
  6. 【請求項6】 請求項1記載のプリント配線板を得るた
    めの被処理体であって、 前記被処理体が基板とスルーホールとを備えており、前
    記スルーホールの内壁が金属層で形成されており、前記
    金属層が加熱処理されており、前記金属層の表面が1.
    0〜1.4の光沢度を有していることを特徴とする、被
    処理体。
  7. 【請求項7】 基板と前記基板に形成されているスルー
    ホールと前記スルーホール内に充填されている絶縁樹脂
    とを備えているプリント配線板を得るにあたり、 前記スルーホールの内壁を金属層で形成し、前記金属層
    を所定の温度に保持することによって前記金属層を加熱
    処理し、前記金属層の表面を1.0〜1.4の光沢度に
    制御し、前記金属層を含む金属下地層を形成し、前記金
    属下地層の表面に粗化面を設けることを特徴とする、プ
    リント配線板の製造方法。
  8. 【請求項8】 前記金属層を、50〜250℃の間の少
    なくとも1種の前記温度で、かつ、前記温度を少なくと
    も10分保持することによって加熱処理することを特徴
    とする、請求項7記載のプリント配線板の製造方法。
  9. 【請求項9】 前記金属層を、少なくとも2種の前記温
    度で、かつ、相対的に低い前記温度に保持した後、相対
    的に高い温度に保持することによって加熱処理すること
    を特徴とする、請求項7又は8記載のプリント配線板の
    製造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002204075A (ja) * 2000-12-28 2002-07-19 Ibiden Co Ltd 多層プリント配線板の製造方法
US11557540B2 (en) 2020-03-16 2023-01-17 Kioxia Corporation Semiconductor device

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