JP2000133941A

JP2000133941A - 多層ビルドアップ配線板

Info

Publication number: JP2000133941A
Application number: JP32453598A
Authority: JP
Inventors: Naohiro Hirose; 直宏広瀬
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 1998-10-28
Filing date: 1998-10-28
Publication date: 2000-05-12

Abstract

(57)【要約】【課題】プレーン層を有し、層間樹脂絶縁層の絶縁劣
化の生じない多層ビルドアップ配線板を提供する。【解決手段】上層のプレーン層３５と上層のプレーン
層５９とのメッシュ穴３５ａ、５９ａを重なる位置に形
成してあるため、層間樹脂絶縁層５０の絶縁性が低下す
ることがなくなる。ここで、メッシュ穴の直径が７５〜
３００μｍであることが望ましい。これは、７５μｍ未
満であると、上下のメッシュ穴を重ねることが難しくな
り、３００μｍを越えると、電源層あるいはグランド層
として機能しないからである。また、各メッシュ穴間の
距離が１００〜１５００μｍであることが望ましい。こ
れは、１００μｍ未満では、プレーン層の機能を果たし
得なくなり、１５００μｍを越えると、層間樹脂絶縁層
の絶縁劣化が発生するからである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、層間樹脂絶縁層
と導体層とが交互に積層されたビルドアップ配線層が、
コア基板の両面に形成されてなる多層ビルドアップ配線
板に関し、特に、電源用導体層（電源層）又は接地用導
体層（グランド層）として形成されるプレーン層を備え
る多層ビルドアップ配線板に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】複数層の導体層（導体回路）をそれぞれ
層間樹脂絶縁層にて絶縁してなる多層ビルドアップ配線
板において、一層分の導体回路をグランド層、或いは、
電源層として用いることが、ノイズの低減等の目的で行
われている。係る多層ビルドアップ配線板においては、
図９（Ｃ）に示すように、接地用導体層（グランド層）
或いは、電源用導体層（電源層）を構成するプレーン層
４５９を、メッシュ穴４５９ａを有するメッシュパター
ンに形成することが多い。ここで、メッシュ穴４５９ａ
を設けるのは、プレーン層４５９が樹脂との接続性の低
い銅で形成されているため、プレーン層の上層に配設さ
れる層間樹脂絶縁層（図示せず）と下層に配設される樹
脂製コア基板（図示せず）との接続性を、該メッシュ穴
４５９ａにて層間樹脂絶縁層とコア基板とを直接接触さ
せることで改善する。また、該メッシュ穴４５９ａを通
して、層間樹脂絶縁層に吸収された水分等からなるガス
を発散し易くするためである。

【０００３】このメッシュ穴４５９ａの形成位置に関し
ては、種々の提案がなされている。たとえば、特開平１
−１６３６３４号においては、図９（Ｂ）に示すように
上側のプレーン層４５９の通孔４５９ａと下側のプレー
ン層５５９のメッシュ穴５５９ａとの位置をずらすこと
で、上側のプレーン層４５９の通孔４５９ａと、下側の
プレーン層５５９のメッシュ穴５５９ａとが重ならなく
なることにより、基盤の表面に窪みができないようにす
る技術が提案されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】導体層と導体層とを分
離する層間樹脂絶縁層には、高い絶縁性が要求される。
ここで、本発明者は、層間樹脂絶縁層の絶縁性と上下の
プレーン層に形成された通孔の相対位置関係との間に相
関性があることを発見した。そして、通孔の位置を調整
ながら多層ビルドアップ配線板を形成し層間樹脂絶縁層
の絶縁性を測定した結果、図９（Ｂ）に示すように上側
のプレーン層４５９の通孔４５９ａと下側のプレーン層
５５９のメッシュ穴５５９ａとをずらすと、層間樹脂絶
縁層の絶縁性が著しく低下するとの結論を得た。

【０００５】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、その目的は、プレーン層を有し、
層間樹脂絶縁層の絶縁劣化の少ない多層ビルドアップ配
線板を提供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の多層ビルドアップ配線板では、層間樹脂
絶縁層と導体層とを交互に積層してなる多層ビルドアッ
プ配線板において、前記導体層として複数のプレーン層
（これらは、電源用導体層もしくは接地用導体層として
機能する）を形成し、少なくとも一部が重なるように前
記複数のプレーン層にメッシュ穴を形成したことを技術
的特徴とする。

【０００７】また、請求項２の多層ビルドアップ配線板
では、層間樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層されたビ
ルドアップ配線層が、コア基板の両面に形成されてなる
多層ビルドアップ配線板において、前記コア基板の少な
くとも片面に形成される導体層としてプレーン層（これ
らは、電源用導体層もしくは接地用導体層として機能す
る）を形成し、前記層間樹脂絶縁層間に形成される導体
層の少なくとも一つにプレーン層を形成するとともに、
少なくとも一部が重なるように前記コア基板のプレーン
層及び前記層間樹脂絶縁層間のプレーン層にメッシュ穴
を形成したことを技術的特徴とする。

【０００８】請求項３では、請求項１又は２において、
前記メッシュ穴の直径を７５〜３００μｍで、各メッシ
ュ穴間の距離を１００〜１５００μｍにしたことを技術
的特徴とする。

【０００９】本発明では、上下のプレーン層のメッシュ
穴を少なくとも一部が重なるように形成してあるため、
層間樹脂絶縁層の絶縁性が著しく低下することがなくな
る。

【００１０】ここで、メッシュ穴の直径が７５〜３００
μｍであることが望ましい。これは、直径が７５μｍ未
満であると、上下のメッシュ穴を重ねることが難しくな
り、他方、３００μｍを越えると、電源用導体層（電源
層）あるいは接地用導体層（グランド層）として機能し
ないからである。また、各メッシュ穴間の距離が１００
〜１５００μｍであることが望ましい。これは、距離が
１００μｍ未満では、プレーン層の面積が小さくなり、
機能を果たし得なくなり、他方、１５００μｍを越える
と、層間樹脂絶縁層の絶縁劣化の程度が著しく大きくな
るからである。

【００１１】本発明では、上記層間樹脂絶縁層として無
電解めっき用接着剤を用いることが望ましい。この無電
解めっき用接着剤は、硬化処理された酸あるいは酸化剤
に可溶性の耐熱性樹脂粒子が、酸あるいは酸化剤に難溶
性の未硬化の耐熱性樹脂中に分散されてなるものが最適
である。酸、酸化剤で処理することにより、耐熱性樹脂
粒子が溶解除去されて、表面に蛸つぼ状のアンカーから
なる粗化面を形成できる。

【００１２】上記無電解めっき用接着剤において、特に
硬化処理された前記耐熱性樹脂粒子としては、平均粒
径が10μｍ以下の耐熱性樹脂粉末、平均粒径が２μｍ
以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、平均粒
径が２〜10μｍの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が２μ
ｍ以下の耐熱性樹脂粉末との混合物、平均粒径が２〜
10μｍの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径が２μｍ以下
の耐熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか少なくとも
１種を付着させてなる疑似粒子、平均粒径が０．１〜
０．８μｍの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が０．８μ
ｍを越え、２μｍ未満の耐熱性樹脂粉末との混合物、
平均粒径が０．１〜１．０μｍの耐熱性粉末樹脂粉末を
用いることが望ましい。これらは、より複雑なアンカー
を形成できるからである。

【００１３】粗化面の深さは、Ｒｍａｘ＝０．０１〜２
０μｍがよい。密着性を確保するためである。特にセミ
アディティブ法では、０．１〜５μｍがよい。密着性を
確保しつつ、無電解めっき膜を除去できるからである。

【００１４】前記酸あるいは酸化剤に難溶牲の耐熱性樹
脂としては、「熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂からな
る樹脂複合体」又は「感光性樹脂および熱可塑性樹脂か
らなる樹脂複合体」からなることが望ましい。前者につ
いては耐熱性が高く、後者についてはバイアホール用の
開口をフォトリソグラフィーにより形成できるからであ
る。

【００１５】前記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹
脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂などを使用でき
る。また、感光化する場合は、メタクリル酸やアクリル
酸などと熱硬化基をアクリル化反応させる。特にエポキ
シ樹脂のアクリレートが最適である。エポキシ樹脂とし
ては、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック
型、などのノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタ
ジエン変成した脂環式エポキシ樹脂などを使用すること
ができる。

【００１６】熱可塑性樹脂としては、ポリエーテルスル
フォン（ＰＥＳ）、ポリスルフォン（ＰＳＦ）、ポリフ
ェニレンスルフォン（ＰＰＳ）、ポリフェニレンサルフ
ァイド（ＰＰＥＳ）、ポリフェニルエーテル（ＰＰ
Ｅ）、ポリエーテルイミド（ＰＩ）などを使用できる。
熱硬化性樹脂（感光性樹脂）と熱可塑性樹脂の混合割合
は、熱硬化性樹脂（感光性樹脂）／熱可塑性樹脂＝９５
／５〜５０／５０がよい。耐熱性を損なうことなく、高
い靭性値を確保できるからである。

【００１７】前記耐熱性樹脂粒子の混合重量比は、耐熱
性樹脂マトリックスの固形分に対して５〜５０重量％、
望ましくは１０〜４０重量％がよい。耐熱性樹脂粒子
は、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン
樹脂）、エポキシ樹脂などがよい。なお、接着剤は、組
成の異なる２層により構成してもよい。

【００１８】なお、多層ビルドアップ配線板の表面に付
加するソルダーレジスト層としては、種々の樹脂を使用
でき、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビス
フェノールＡ型エポキシ樹脂のアクリレート、ノボラッ
ク型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂のアクリ
レートをアミン系硬化剤やイミダゾール硬化剤などで硬
化させた樹脂を使用できる。

【００１９】一方、このようなソルダーレジスト層は、
剛直骨格を持つ樹脂で構成されるので剥離が生じること
がある。このため、補強層を設けることでソルダーレジ
スト層の剥離を防止することもできる。

【００２０】ここで、上記ノボラック型エポキシ樹脂の
アクリレートとしては、フェノールノボラックやクレゾ
ールノボラックのグリシジルエーテルを、アクリル酸や
メタクリル酸などと反応させたエポキシ樹脂などを用い
ることができる。

【００２１】上記イミダゾール硬化剤は、25℃で液状で
あることが望ましい。液状であれば均一混合できるから
である。このような液状イミダゾール硬化剤としては、
1-ベンジル−2-メチルイミダゾール（品名：1B2MZ ）、
1-シアノエチル−2-エチル−4-メチルイミダゾール（品
名：2E4MZ-CN）、4-メチル−2-エチルイミダゾール（品
名：2E4MZ ）を用いることができる。

【００２２】このイミダゾール硬化剤の添加量は、上記
ソルダーレジスト組成物の総固形分に対して１〜10重量
％とすることが望ましい。この理由は、添加量がこの範
囲内にあれば均一混合がしやすいからである。

【００２３】上記ソルダーレジストの硬化前組成物は、
溶媒としてグリコールエーテル系の溶剤を使用すること
が望ましい。このような組成物を用いたソルダーレジス
ト層は、遊離酸が発生せず、銅パッド表面を酸化させな
い。また、人体に対する有害性も少ない。

【００２４】このようなグリコールエーテル系溶媒とし
ては、下記構造式のもの、特に望ましくは、ジエチレン
グリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）およびトリエ
チレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＴＧ）から選
ばれるいずれか少なくとも１種を用いる。これらの溶剤
は、30〜50℃程度の加温により反応開始剤であるベンゾ
フェノンやミヒラーケトンを完全に溶解させることがで
きるからである。 CH ₃Ｏ-(CH₂CH₂Ｏ) _n−CH₃（ｎ＝１〜５）このグリコールエーテル系の溶媒は、ソルダーレジスト
組成物の全重量に対して１０〜７０wt％がよい。

【００２５】以上説明したようなソルダーレジスト組成
物には、その他に、各種消泡剤やレベリング剤、耐熱性
や耐塩基性の改善と可撓性付与のために熱硬化性樹脂、
解像度改善のために感光性モノマーなどを添加すること
ができる。例えば、レベリング剤としてはアクリル酸エ
ステルの重合体からなるものがよい。また、開始剤とし
ては、チバガイギー製のイルガキュアＩ９０７、光増感
剤としては日本化薬製のＤＥＴＸ−Ｓがよい。さらに、
ソルダーレジスト組成物には、色素や顔料を添加しても
よい。配線パターンを隠蔽できるからである。この色素
としてはフタロシアニングリーンを用いることが望まし
い。

【００２６】添加成分としての上記熱硬化性樹脂として
は、ビスフェノール型エポキシ樹脂を用いることができ
る。このビスフェノール型エポキシ樹脂には、ビスフェ
ノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ
樹脂があり、耐塩基性を重視する場合には前者が、低粘
度化が要求される場合（塗布性を重視する場合）には後
者がよい。

【００２７】添加成分としての上記感光性モノマーとし
ては、多価アクリル系モノマーを用いることができる。
多価アクリル系モノマーは、解像度を向上させることが
できるからである。例えば、多価アクリル系モノマーと
して、日本化薬製のＤＰＥ−６Ａ、共栄社化学製のＲ−
６０４を用いることができる。また、これらのソルダー
レジスト組成物は、２５℃で０．５〜１０Ｐａ・ｓ、よ
り望ましくは１〜１０Ｐａ・ｓがよい。ロールコータで
塗布しやすい粘度だからである。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態に係る多
層ビルドアップ配線板及びその製造方法について図を参
照して説明する。先ず、本発明の第１実施形態に係る多
層ビルドアップ配線板１０の構成について、図６を参照
して説明する。該多層ビルドアップ配線板１０では、コ
ア基板３０の表面及び裏面にグランド層を形成するプレ
ーン層３５が形成されている。また、表面側プレーン層
３５及び裏面側プレーン層３５の上には、ビルドアップ
配線層８０Ａ、８０Ｂが形成されている。該ビルトアッ
プ層８０Ａは、バイアホール６０、導体回路５８及び電
源層をなすプレーン層５９の形成された層間樹脂絶縁層
５０と、バイアホール１６０及び導体回路１５８の形成
された層間樹脂絶縁層１５０とからなる。また、ビルド
アップ配線層８０Ｂは、バイアホール６０及び導体回路
５８の形成された層間樹脂絶縁層５０と、バイアホール
１６０及び導体回路１５８の形成された層間樹脂絶縁層
１５０とからなる。

【００２９】上面側には、集積回路チップ（図示せず）
のランドへ接続するための半田バンプ７６Ｕが配設され
ている。半田バンプ７６Ｕはバイアホール１６０及びバ
イアホール６０を介してスルーホール３６へ接続されて
いる。一方、下面側には、ドーターボード（図示せず）
のランドに接続するための半田バンプ７６Ｄが配設され
ている。該半田バンプ７６Ｄは、バイアホール１６０及
びバイアホール６０を介してスルーホール３６へ接続さ
れている。

【００３０】図６のＡ−Ａ断面、即ち、層間樹脂絶縁層
５０の表面に形成されたプレーン層５９の平面を図７
（Ａ）に示し、図６のＢ−Ｂ断面、即ち、コア基板３０
の表面に形成されたプレーン層３５の平面を図７（Ｂ）
に示す。図７（Ａ）に示すように層間樹脂絶縁層５０表
面のプレーン層５９には、直径２００μｍのメッシュ穴
５９ａが、ピッチＰ（５００μｍ）間隔で形成されてい
る。同様に、図７（Ｂ）に示すようにコア基板３０の表
面側プレーン層３５にも、直径２００μｍのメッシュ穴
３５ａが、ピッチＰ（５００μｍ）間隔で形成されてい
る。図示しないが、コア基盤３０の裏面側にも同じよう
にメッシュ穴３５ａが形成されている。

【００３１】第１実施形態の多層ビルドアップ配線板１
０では、図６中に示すようにコア基板３０の両面のプレ
ーン層３５、３５のメッシュ穴３５ａ、３５ａと、層間
樹脂絶縁層５０のプレーン層５９のメッシュ穴５９ａと
が完全に重なるように配置されている。このため、層間
樹脂絶縁層５０の絶縁性が低下することがなくなる。

【００３２】以下、本発明の実施形態に係る多層多層ビ
ルドアップ配線板の製造方法について図を参照して説明
する。ここでは、第１実施形態の多層多層ビルドアップ
配線板の製造方法に用いるＡ．無電解めっき用接着剤、
Ｂ．層間樹脂絶縁剤、Ｃ．樹脂充填剤、Ｄ．ソルダーレ
ジスト組成物の組成について説明する。

【００３３】Ａ．無電解めっき用接着剤調製用の原料組
成物（上層用接着剤）〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt
％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感
光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）3.15
重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.5 重量部、
ＮＭＰ 3.6重量部を攪拌混合して得た。

【００３４】〔樹脂組成物〕ポリエーテルスルフォン
（ＰＥＳ）12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、
ポリマーポール）の平均粒径 1.0μｍのものを 7.2重量
部、平均粒径 0.5μｍのものを3.09重量部、を混合した
後、さらにＮＭＰ30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌
混合して得た。

【００３５】〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤
（四国化成製、2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガ
イギー製、イルガキュアＩ−907 ）２重量部、光増感
剤（日本化薬製、DETX-S）0.2 重量部、ＮＭＰ 1.5重量
部を攪拌混合して得た。

【００３６】Ｂ．層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物
（下層用接着剤）〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt
％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感
光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）４重
量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.5 重量部、Ｎ
ＭＰ 3.6重量部を攪拌混合して得た。

【００３７】〔樹脂組成物〕ポリエーテルスルフォン
（ＰＥＳ）12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、
ポリマーポール）の平均粒径 0.5μｍのものを 14.49重
量部、を混合した後、さらにＮＭＰ30重量部を添加し、
ビーズミルで攪拌混合して得た。

【００３８】〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤
（四国化成製、2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガ
イギー製、イルガキュアＩ−907 ）２重量部、光増感
剤（日本化薬製、DETX-S）0.2 重量部、ＮＭＰ1.5 重量
部を攪拌混合して得た。

【００３９】Ｃ．樹脂充填剤調製用の原料組成物〔樹脂組成物〕ビスフェノールＦ型エポキシモノマー
（油化シェル製、分子量310 、YL983U）100重量部、表
面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒
径 1.6μｍのSiＯ₂球状粒子（アドマテック製、CRS 11
01−CE、ここで、最大粒子の大きさは後述する内層銅パ
ターンの厚み（15μｍ）以下とする） 170重量部、レベ
リング剤（サンノプコ製、ペレノールＳ４）1.5 重量部
を攪拌混合することにより、その混合物の粘度を23±１
℃で45,000〜49,000cps に調整して得た。〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤（四国化成製、
2E4MZ-CN）6.5 重量部。

【００４０】Ｄ．ソルダーレジスト組成物ＤＭＤＧに溶解させた60重量％のクレゾールノボラック
型エポキシ樹脂（日本化薬製）のエポキシ基50％をアク
リル化した感光性付与のオリゴマー（分子量4000）を 4
6.67ｇ、メチルエチルケトンに溶解させた80重量％のビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル製、エピコ
ート1001）15.0ｇ、イミダゾール硬化剤（四国化成製、
2E4MZ-CN）1.6 ｇ、感光性モノマーである多価アクリル
モノマー（日本化薬製、Ｒ604 ）３ｇ、同じく多価アク
リルモノマー（共栄社化学製、DPE6A ） 1.5ｇ、分散系
消泡剤（サンノプコ社製、Ｓ−65）0.71ｇを混合し、さ
らにこの混合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノ
ン（関東化学製）を２ｇ、光増感剤としてのミヒラーケ
トン（関東化学製）を 0.2ｇ加えて、粘度を25℃で2.0P
a・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得た。な
お、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器、 DVL-B型）で
60rpmの場合はローターNo.4、６rpm の場合はローター
No.3によった。

【００４１】引き続き、本発明の第１実施形態に係る多
層ビルドアップ配線板の製造工程について図１乃至図６
を参照して説明する。この第１実施形態では、多層ビル
ドアップ配線板をセミアディティブ方により形成する。

【００４２】（１）図１（Ａ）に示すように厚さ１mmの
ガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリア
ジン）樹脂からなる基板３０の両面に１８μｍの銅箔３
２がラミネートされている銅張積層板３０Ａを出発材料
とした。まず、この銅張積層板３０Ａをドリル削孔し、
無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチングする
ことによりスルーホール３６及びプレーン層３５を形成
し、図１（Ｂ）に示すコア基板３０を形成する。図７
（Ｂ）を参照して上述したように、プレーン層３５には
メッシュ穴３５ａが形成されている。

【００４３】(2) プレーン層３５およびスルーホール３
６を形成した基板３０を水洗いし、乾燥した後、酸化浴
（黒化浴）として、NaOH（10ｇ／ｌ），NaClO ₂（40ｇ
／ｌ），Na₃PO₄（６ｇ／ｌ）、還元浴として、NaOH
（10ｇ／ｌ），NaBH₄（６ｇ／ｌ）を用いた酸化−還元
処理により、プレーン層３５およびスルーホール３６の
表面に粗化層３８を設けた（図１（Ｃ）参照）。

【００４４】(3) Ｃの樹脂充填剤調製用の原料組成物を
混合混練して樹脂充填剤を得た。

【００４５】(4) 前記(3) で得た樹脂充填剤４０を、調
製後24時間以内に基板３０の両面にロールコータを用い
て塗布することにより、導体回路（プレーン層）３５の
メッシュ穴３５ａ、及び、スルーホール３６内に充填
し、70℃，20分間で乾燥させ、他方の面についても同様
にして樹脂充填剤４０をメッシュ穴３５ａあるいはスル
ーホール３６内に充填し、70℃，20分間で加熱乾燥させ
た（図１（Ｄ）参照）。

【００４６】(5) 前記(4) の処理を終えた基板３０の片
面を、＃600 のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いた
ベルトサンダー研磨により、プレーン層３５の表面やス
ルーホール３６のランド３６ａ表面に樹脂充填剤４０が
残らないように研磨し、次いで、前記ベルトサンダー研
磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このよ
うな一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行っ
た（図２（Ｅ）参照）。次いで、100 ℃で１時間、120
℃で３時間、 150℃で１時間、 180℃で７時間の加熱処
理を行って樹脂充填剤４０を硬化した。

【００４７】このようにして、スルーホール３６等に充
填された樹脂充填剤４０の表層部およびプレーン層３５
上面の粗化層３８を除去して基板３０両面を平滑化した
上で、樹脂充填剤４０とプレーン層３５の側面とが粗化
層３８を介して強固に密着し、またスルーホール３６の
内壁面と樹脂充填剤４０とが粗化層３８を介して強固に
密着した配線基板を得た。即ち、この工程により、樹脂
充填剤４０の表面とプレーン層３５の表面が同一平面と
なる。

【００４８】(6) プレーン層３５を形成した基板３０に
アルカリ脱脂してソフトエッチングして、次いで、塩化
パラジウウムと有機酸からなる触媒溶液で処理して、Ｐ
ｄ触媒を付与し、この触媒を活性化した後、硫酸銅３．
２×１０^-2ｍｏｌ／ｌ、硫酸ニッケル３．９×１０^-3ｍ
ｏｌ／ｌ、錯化剤５．４×１０^-2ｍｏｌ／ｌ、次亜りん
酸ナトリウム３．３×１０^-1ｍｏｌ／ｌ、ホウ酸５．０
×１０^-1ｍｏｌ／ｌ、界面活性剤（日信化学工業製、サ
ーフィール４６５）０．１ｇ／ｌ、ＰＨ＝９からなる無
電解めっき液に浸積し、浸漬１分後に、４秒当たり１回
に割合で縦、および、横振動させて、プレーン層３５お
よびスルーホール３６のランド３６ａの表面にＣｕ−Ｎ
ｉ−Ｐからなる針状合金の被覆層と粗化層４２を設けた
（図２（Ｆ）参照）。

【００４９】さらに、ホウフっ化スズ０．１ｍｏｌ／
ｌ、チオ尿素１．０ｍｏｌ／ｌ、温度３５℃、ＰＨ＝
１．２の条件でＣｕ−Ｓｎ置換反応させ、粗化層の表面
に厚さ０．３μｍＳｎ層（図示せず）を設けた。

【００５０】(7) Ｂの層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成
物を攪拌混合し、粘度1.5 Pa・ｓに調整して層間樹脂絶
縁剤（下層用）を得た。次いで、Ａの無電解めっき用接
着剤調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度７Pa・ｓに
調整して無電解めっき用接着剤溶液（上層用）を得た。

【００５１】(8) 前記(6) の基板の両面に、前記(7) で
得られた粘度 1.5Pa・ｓの層間樹脂絶縁剤（下層用）４
４を調製後24時間以内にロールコータで塗布し、水平状
態で20分間放置してから、60℃で30分の乾燥（プリベー
ク）を行い、次いで、前記(7)で得られた粘度７Pa・ｓ
の感光性の接着剤溶液（上層用）４６を調製後24時間以
内に塗布し、水平状態で20分間放置してから、60℃で30
分の乾燥（プリベーク）を行い、厚さ35μｍの接着剤層
５０αを形成した（図２（Ｇ）参照）。

【００５２】(9) 前記(8) で接着剤層を形成した基板３
０の両面に、図示しない85μｍφの黒円が印刷されたフ
ォトマスクフィルム（図示せず）を密着させ、超高圧水
銀灯により 500mJ／cm²で露光した。これをＤＭＴＧ溶
液でスプレー現像し、さらに、当該基板３０を超高圧水
銀灯により3000mJ／cm²で露光し、100 ℃で１時間、12
0 ℃で１時間、その後 150℃で３時間の加熱処理（ポス
トベーク）をすることにより、フォトマスクフィルムに
相当する寸法精度に優れた85μｍφの開口（バイアホー
ル形成用開口）４８を有する厚さ35μｍの層間樹脂絶縁
層（２層構造）５０を形成した（図２（Ｈ）参照）。な
お、バイアホールとなる開口４８には、スズめっき層
（図示せず）を部分的に露出させた。

【００５３】(10)開口４８が形成された基板３０を、ク
ロム酸に19分間浸漬し、層間樹脂絶縁層５０の表面に存
在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、当
該層間樹脂絶縁層５０の表面を粗化し（図３（Ｉ）参
照）、その後、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してか
ら水洗いした。

【００５４】(11)前記(10)の行程で表面を粗化した基盤
３０の表面に、パラジウム触媒（アトテック製）を付与
することにより、層間樹脂絶縁層５０の表面に触媒核を
付ける。その後、以下に示す組成の無電解銅めっき水溶
液中に基板３０を浸漬して、全体に厚さ０．６μｍの無
電解めっき膜５２を形成する（図３（Ｊ）参照）。〔無電解めっき水溶液〕ＥＤＴＡ 150 ｇ／ｌ硫酸銅 20 ｇ／ｌＨＣＨＯ 30 ml／ｌＮａＯＨ 40 ｇ／ｌ α、α’−ビピリジル 80 mg／ｌＰＥＧ 0.1 ｇ／ｌ〔無電解めっき条件〕 70℃の液温度で30分

【００５５】(12)前記(11)で形成した無電解銅めっき膜
５２上に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マス
クを載置して、100 mJ／cm²で露光、0.8 ％炭酸ナトリ
ウムで現像処理し、厚さ15μｍのめっきレジスト５４を
設けた（図３（Ｋ）参照）。

【００５６】(13)ついで、レジスト非形成部分に以下の
条件で電解銅めっきを施し、厚さ15μｍの電解銅めっき
膜５６を形成した（図３（Ｌ）参照）。〔電解めっき水溶液〕硫酸 180 ｇ／ｌ硫酸銅 80 ｇ／ｌ添加剤（アトテックジャパン製、カパラシドＧＬ）１
ml／ｌ〔電解めっき条件〕電流密度１Ａ／dm² 時間 30分温度室温

【００５７】(14)めっきレジスト５４を５％ＫＯＨで剥
離除去した後、そのめっきレジスト下の無電解めっき膜
５２を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して
溶解除去し、無電解銅めっき膜５２と電解銅めっき膜５
６からなる厚さ18μｍの導体回路５８、プレーン層５９
及びバイアホール６０を形成した（図４（Ｍ））。ここ
で、図７（Ａ）を参照して上述したようにプレーン層５
９には、メッシュ穴５９ａが形成されており、該メッシ
ュ穴５９ａは、コア基板３０の両面に形成されたプレー
ン層３５のメッシュ穴３５ａと重なるように形成してあ
る。

【００５８】(15)(6) と同様の処理を行い、導体回路５
８、プレーン層５９及びバイアホール６０の表面にCu-N
i-P からなる粗化面６２を形成し、さらにその表面にSn
置換を行った（図４（Ｎ）参照）。

【００５９】(16)(7) 〜(15)の工程を繰り返すことによ
り、さらに上層の層間樹脂絶縁層１５０及びバイアホー
ル１６０、導体回路１５８を形成することで、多層ビル
ドアップ配線板を完成する（図４（Ｏ）参照）。なお、
この上層の導体回路を形成する工程においては、Ｓｎ置
換は行わなかった。

【００６０】(17)そして、上述した多層ビルドアップ配
線板にはんだバンプを形成する。前記(16)で得られた基
板３０両面に、上記Ｄ．にて説明したソルダーレジスト
組成物を４５μｍの厚さで塗布する。次いで、70℃で20
分間、70℃で30分間の乾燥処理を行った後、円パターン
（マスクパターン）が描画された厚さ５mmのフォトマス
クフィルム（図示せず）を密着させて載置し、1000mJ／
cm²の紫外線で露光し、DMTG現像処理する。そしてさら
に、80℃で１時間、 100℃で１時間、 120℃で１時間、
150℃で３時間の条件で加熱処理し、はんだパッド部分
（バイアホールとそのランド部分を含む）に開口（開口
径 200μｍ）７１を有するソルダーレジスト層（厚み20
μｍ）７０を形成する（図５（Ｐ）参照）。

【００６１】(18)次に、塩化ニッケル2.31×10^-1ｍｏｌ
／ｌ、次亜リン酸ナトリウム2.8 ×10^-1ｍｏｌ／ｌ、ク
エン酸ナトリウム1.85×10^-1ｍｏｌ／ｌ、からなるｐＨ
＝４．５の無電解ニッケルめっき液に該基板３０を２０
分間浸漬して、開口部７１に厚さ５μｍのニッケルめっ
き層７２を形成した。さらに、その基板を、シアン化金
カリウム4.1 ×10^-2ｍｏｌ／ｌ、塩化アンモニウム1.87
×10^-1ｍｏｌ／ｌ、クエン酸ナトリウム1.16×10^-1ｍｏ
ｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム1.7 ×10^-1ｍｏｌ／ｌか
らなる無電解金めっき液に80℃の条件で７分２０秒間浸
漬して、ニッケルめっき層上に厚さ0.03μｍの金めっき
層７４を形成することで、バイアホール１６０及び導体
回路（図示せず）に半田パッド７５を形成する（図５
（Ｑ）参照）。

【００６２】(19)そして、ソルダーレジスト層７０の開
口部７１に、半田ペーストを印刷して200℃でリフロー
することにより、半田バンプ（半田体）７６Ｕ、７６Ｄ
を形成し、多層ビルドアップ配線板１０を形成した（図
６参照）。

【００６３】（実施例）引き続き、本発明の実施例及び
比較例について、図８及び図９を参照して説明する。図
８（Ａ）は、本発明の実施例に係る多層ビルドアップ配
線板の断面を示している。この実施例の多層ビルドアッ
プ配線板は、上述した第１実施形態の多層ビルドアップ
配線板１０と同様に形成されている。但し、第１実施形
態では、コア基板にスルーホールを形成したが、この実
施例では、スルーホールを形成していない。また、この
実施例では、コア基板１３０の上面及び下面にプレーン
層１３５を形成すると共に、上面側及び下面側の層間樹
脂絶縁層２５０及び最外層の層間樹脂絶縁層３５０にそ
れぞれプレーン層２５９、３５９を形成してある。図８
（Ｂ）は、層間樹脂絶縁層２５０に形成されたプレーン
層２５９のメッシュ穴２５９ａと最外層の層間樹脂絶縁
層３５０に形成されたプレーン層３５９のメッシュ穴３
５９ａとの対応関係を示している。この実施例では、図
６を参照して上述した第１実施形態と同様に、コア基板
１３０のプレーン層１３５のメッシュ穴１３５ａと、プ
レーン層２５９のメッシュ穴２５９ａと、プレーン層３
５９のメッシュ穴３５９ａとを重なるように形成してあ
る。ここで、メッシュ穴は直径２５０μｍで、ピッチ５
５０に配置されている。

【００６４】一方、図９（Ａ）は、比較例に係る多層ビ
ルドアップ配線板の断面を示し、図９（Ｂ）は、該比較
例の多層ビルドアップ配線板のプレーン層２５９のメッ
シュ穴２５９ａとプレーン層３５９のメッシュ穴３５９
ａとの対応関係を示している。この比較例の多層ビルド
アップ配線板は、上記実施例と全く同様に製造してある
が、図８（Ａ）に示す実施例と異なり、コア基板１３０
のプレーン層１３５のメッシュ穴１３５ａと、プレーン
層２５９のメッシュ穴２５９ａと、プレーン層３５９の
メッシュ穴３５９ａとを互い違いに重ならないように配
置してある。

【００６５】ここで、実施例と比較例との層間樹脂絶縁
層の絶縁試験を行った結果について、図１０のグラフを
参照して説明する。ここでは、絶縁試験としてＳＴＥＣ
試験を行った。このＳＴＥＣ試験では、１０個の多層ビ
ルドアップ配線板に対して、条件１２１゜Ｃ、１００％
ＲＨ、２．１ａｔｍの状態を３３６時間保ち、層間樹脂
絶縁層間の絶縁抵抗を測定した。グラフ中で縦軸の数字
は、乗数を示し、横軸にメッシュ穴間のピッチ（μｍ）
とメッシュ穴直径（μｍ）とを取ってある。

【００６６】実施例でメッシュ穴の径が２５０μｍで、
ピッチを５５０μｍに設定した際に（図中（ａ）で示
す）１×１０⁹Ω近い絶縁抵抗を維持することができて
いる。同じ条件で、比較例では、図中（ｃ）で示すよう
に１×１０⁸Ω程度まで絶縁抵抗が低下している。一
方、実施例でメッシュ穴の径が２５０μｍで、ピッチを
５００μｍに設定した際に（図中（ｂ）で示す）１×１
０⁹Ω以上の絶縁抵抗を維持することができている。同
じ条件で、比較例では、図中（ｄ）で示すように１×１
０⁸Ω程度まで絶縁抵抗が低下している。

【００６７】この試験結果から分かるように、メッシュ
穴の位置と層間樹脂絶縁層の絶縁抵抗とは相関性を有
し、実施例のようにメッシュ穴を上下重なるように配設
することで、層間樹脂絶縁層の絶縁抵抗を高めることが
できる。

【００６８】なお、上下のメッシュ穴は、一部が重なれ
ば層間樹脂絶縁層の絶縁抵抗を高めることができる。図
８（Ｃ）は、最外層の層間樹脂絶縁層３５０に形成され
たプレーン層３５９のメッシュ穴３５９ａと、層間樹脂
絶縁層２５０に形成されたプレーン層２５９のメッシュ
穴２５９ａとの位置関係を示している。第１実施形態を
参照して上述した製造方法では、上下のメッシュ穴３５
９ａ、２５９ａで３５μｍ程度の位置誤差が発生する。
３５μｍ程度の位置誤差が生じても、メッシュ穴の直径
を７０μｍ以上にすることで、少なくともメッシュ穴の
一部が重なるため、層間樹脂絶縁層の絶縁抵抗を高める
ことができる。

【００６９】

【発明の効果】以上記述したように、上下プレーン層の
メッシュ穴を少なくとも一部が重なるように形成してあ
るため、層間樹脂絶縁層の絶縁性が低下することがなく
なる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図１（Ｃ）、図１
（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係る多層ビルドアッ
プ配線板の製造工程図である。

【図２】図２（Ｅ）、図２（Ｆ）、図２（Ｇ）、図２
（Ｈ）は、本発明の第１実施形態に係る多層ビルドアッ
プ配線板の製造工程図である。

【図３】図３（Ｉ）、図３（Ｊ）、図３（Ｋ）、図３
（Ｌ）は、本発明の第１実施形態に係る多層ビルドアッ
プ配線板の製造工程図である。

【図４】図４（Ｍ）、図４（Ｎ）、図４（Ｏ）は、本発
明の第１実施形態に係る多層ビルドアップ配線板の製造
工程図である。

【図５】図５（Ｐ）、図５（Ｑ）は、本発明の第１実施
形態に係る多層ビルドアップ配線板の製造工程図であ
る。

【図６】本発明の第１実施形態に係る多層ビルドアップ
配線板の断面図である。

【図７】図７（Ａ）は、図６のＡ−Ａ断面図であり、図
７（Ｂ）は、図６のＢ−Ｂ断面図である。

【図８】図８（Ａ）は、本発明の実施例に係る多層ビル
ドアップ配線板の断面図であり、図８（Ｂ）及び図８
（Ｃ）は、メッシュ穴の配置を示す説明図である。

【図９】図９（Ａ）は、比較例に係る多層ビルドアップ
配線板の断面図であり、図９（Ｂ）は、比較例のメッシ
ュ穴の配置を示す説明図であり、図９（Ｃ）は、従来技
術のプレーン層の平面図である。

【図１０】実施例及び比較例に係る多層ビルドアップ配
線板の層間樹脂絶縁層の絶縁試験のグラフである。

【符号の説明】

３０コア基板３５プレーン層３５ａメッシュ穴５０層間樹脂絶縁層５８導体回路５９プレーン層５９ａメッシュ穴６０バイアホール１５０層間樹脂絶縁層１６０バイアホール

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層
してなる多層ビルドアップ配線板において、前記導体層として複数のプレーン層を形成し、少なくとも一部が重なるように前記複数のプレーン層に
メッシュ穴を形成したことを特徴とする多層ビルドアッ
プ配線板。
【請求項２】層間樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層
されたビルドアップ配線層が、コア基板の両面に形成さ
れてなる多層ビルドアップ配線板において、前記コア基板の少なくとも片面に形成される導体層とし
てプレーン層を形成するとともに、前記層間樹脂絶縁層間に形成される導体層の少なくとも
一つにプレーン層を形成し、少なくとも一部が重なるように前記コア基板のプレーン
層及び前記層間樹脂絶縁層間のプレーン層にメッシュ穴
を形成したことを特徴とする多層ビルドアップ配線板。
【請求項３】前記メッシュ穴の直径を７５〜３００μ
ｍで、各メッシュ穴間の距離を１００〜１５００μｍに
したことを特徴とする請求項１又は２に記載の多層ビル
ドアップ配線板。