JP4197070B2 - 多層ビルドアップ配線板 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、コア基板の両面に層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなる多層ビルドアップ配線板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
多層ビルドアップ配線板は、１００〜１０００μｍ程度のガラスクロスからなるコア基板の上に、導体層と層間樹脂絶縁層とが交互に積層されてなる。導体層は、主に電解又は無電解めっきにより形成される。各層間樹脂絶縁層上の導体層は、バイアホールを介して接続される。該導体層としては、バイアホールの受け皿となる円形又は多角形のランドと、信号線（配線パターン）と、電源層又はグランド層として用いられるベタ層等からなる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来技術の多層ビルドアップ配線板においては、配線パターンの厚みの厚い部分と薄い部分とが発生し、抵抗が均一にならないため、電気信号の伝搬に悪影響を与えていた。更に、配線パターン（厚み平均１５μｍ）の上層に形成される層間樹脂絶縁層（３０μｍ）の厚みが不均一となり、電気特性を一定にできないため、性能を高めることが困難であった。
【０００４】
この原因を本発明者が研究したところ、配線パターンの配置される密度により層間樹脂絶縁層の厚みにばらつきが生じていることが判明した。例えば、配線密度が高い部分で、厚みが薄く、密度が低い（回りに信号線がない部分）ところで、厚くなることがある。また、反対に、配線密度が高い部分で、厚みが厚く、密度が低いところで、薄くなることもある。
【０００５】
この事実から、第１に、めっき厚によりばらつきが生じているものと考えられる。即ち、配線密度の低い箇所では、電解めっきの際に電界が集中して厚みが厚くなり、反対に、配線密度の高い箇所では、電界が分散するため、信号線の厚みが薄くなるものと考えられる。
【０００６】
更に、第２の理由として、エッチング液の液回りよって、配線パターンの厚みにばらつきが発生しているものと考えられる。現在、より高い性能を得るため、セミアディティブ法により多層ビルドアップ配線板が主に形成される。該セミアディティブ法においては、層間樹脂絶縁層に均一に無電解めっき膜を施した後、レジストパターンを形成し、該無電解めっき膜を介して通電して、レジストの非形成部に電解めっき膜を形成することで導体層を形成する。ここで、電解めっき膜を形成した後、レジストを剥離してから、レジスト下の無電解めっき膜をライトエッチングにより除去する。しかし、このライトエッチングにおいて、配線密度が高い部分では、エッチング液の液回りが悪く配線パターンの厚みが厚くなり、反対に、密度が低いところでは、液回りが良すぎて、配線パターンの厚み薄くなると共に、線幅も狭くなることがある。
【０００７】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的は、配線パターン及び層間樹脂絶縁層の厚みの均質性に優れる多層ビルドアップ配線板を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１は、層間樹脂絶縁層とセミアディティブ法により形成する導体層とを交互に積層してなる多層ビルドアップ配線板において、
前記導体層を構成する配線パターンの回りにダミー導体を配設し、
該ダミー導体とダミー導体との交差部にフィレットを形成したことを技術的特徴とする。
【０００９】
また、請求項２は、層間樹脂絶縁層とセミアディティブ法により形成する導体層とを交互に積層してなる多層ビルドアップ配線板において、
前記導体層を構成する複数本の配線パターンの回りにダミー導体を配設し、
該ダミー導体とダミー導体との交差部にフィレットを形成したことを技術的特徴とする。
【００１０】
請求項５は、層間樹脂絶縁層とセミアディティブ法により形成する導体層とを交互に積層してなる多層ビルドアップ配線板において、
前記導体層を構成する孤立ランドの回りにダミー導体を配設し、
該ダミー導体とダミー導体との交差部にフィレットを形成したことを技術的特徴とする。
【００１３】
請求項１及び２の発明では、配線パターンの回りにダミー導体を配設しているので、導体層を電解めっきにより形成する際に、電界の集中が発生せず、配線パターンを所定の厚みに形成することができる。このため、孤立している配線パターンと、密集部分の配線パターンとを均一な厚みに形成することが可能になり、更に、該配線パターン上層の層間樹脂絶縁層の厚みを均一にできるので、多層ビルドアップ配線板の電気特性を高めることができる。なお、本発明でいる、配線パターン、ダミー導体は、いわゆるコア基板上に形成されなくてもよいことを、念のため付記しておく。
【００１４】
請求項３の発明では、ダミー導体の幅を配線パターンの最小の幅の１〜３倍にしてあるため、電界の集中が発生せず、配線パターン及びダミー導体を所定の厚みに形成することができる。
【００１５】
請求項４の発明では、ダミー導体と配線パターンとの間隔を、配線パターンの最小の幅の１〜３倍にしてあるため、電界の集中が発生せず、配線パターン及びダミー導体を所定の厚みに形成することができる。
【００１６】
請求項５の発明では、孤立ランドの回りにダミー導体を配設してあるため、導体層を電解めっきにより形成する際に、電界の集中が発生せず、孤立ランドを所定の厚みに形成することができる。このため、孤立しているランドと、密集部分のランドとを均一な厚みに形成することが可能になり、多層ビルドアップ配線板の電気特性を高めることができる。
【００１７】
請求項６の発明では、孤立ランドの回りをダミー導体で囲んであるため、孤立ランドが外部からのノイズ等の影響を受けるのを軽減できる。
【００１８】
請求項７の発明では、ダミー導体の幅を、ランドの径の１／６〜３倍にしてあるため、電界の集中が発生せず、ランド及びダミー導体を所定の厚みに形成することができる。
【００１９】
請求項８の発明では、ダミー導体と孤立ランドとの最小間隔を、ランド径の１／６〜３倍にしてあるため、電界の集中が発生せず、ランド及びダミー導体を所定の厚みに形成することができる。
【００２０】
請求項１、２、５の発明では、ダミー導体とダミー導体との交差部にフィレットを形成してあるため、ダミー導体相互を適正に接続することができる。
【００２１】
請求項１０の発明では、ダミー導体とダミー導体との交差部であって、直角又は鋭角部分にフィレットを形成してあるため、直角及び鋭角部分がなくなり、角部に起因する応力集中によるクラックが発生しない。
【００２２】
本発明では、上記層間樹脂絶縁層として無電解めっき用接着剤を用いることが望ましい。この無電解めっき用接着剤は、硬化処理された酸あるいは酸化剤に可溶性の耐熱性樹脂粒子が、酸あるいは酸化剤に難溶性の未硬化の耐熱性樹脂中に分散されてなるものが最適である。
酸、酸化剤で処理することにより、耐熱性樹脂粒子が溶解除去されて、表面に蛸つぼ状のアンカーからなる粗化面を形成できる。
【００２３】
上記無電解めっき用接着剤において、特に硬化処理された前記耐熱性樹脂粒子としては、▲１▼平均粒径が10μｍ以下の耐熱性樹脂粉末、▲２▼平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、▲３▼平均粒径が２〜10μｍの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末との混合物、▲４▼平均粒径が２〜10μｍの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか少なくとも１種を付着させてなる疑似粒子、▲５▼平均粒径が０．１〜０．８μｍの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が０．８μｍを越え、２μｍ未満の耐熱性樹脂粉末との混合物、▲６▼平均粒径が０．１〜１．０μｍの耐熱性粉末樹脂粉末を用いることが望ましい。これらは、より複雑なアンカーを形成できるからである。
【００２４】
粗化面の深さは、Ｒｍａｘ＝０．０１〜２０μｍがよい。密着性を確保するためである。特にセミアディティブ法では、０．１〜５μｍがよい。密着性を確保しつつ、無電解めっき膜を除去できるからである。
【００２５】
前記酸あるいは酸化剤に難溶牲の耐熱性樹脂としては、「熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂からなる樹脂複合体」又は「感光性樹脂および熱可塑性樹脂からなる樹脂複合体」からなることが望ましい。前者については耐熱性が高く、後者についてはバイアホール用の開口をフォトリソグラフィーにより形成できるからである。
【００２６】
前記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂などを使用できる。また、感光化する場合は、メタクリル酸やアクリル酸などと熱硬化基をアクリル化反応させる。特にエポキシ樹脂のアクリレートが最適である。
エポキシ樹脂としては、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、などのノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変成した脂環式エポキシ樹脂などを使用することができる。
【００２７】
熱可塑性樹脂としては、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリスルフォン（ＰＳＦ）、ポリフェニレンスルフォン（ＰＰＳ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＥＳ）、ポリフェニルエーテル（ＰＰＥ）、ポリエーテルイミド（ＰＩ）などを使用できる。
熱硬化性樹脂（感光性樹脂）と熱可塑性樹脂の混合割合は、熱硬化性樹脂（感光性樹脂）／熱可塑性樹脂＝９５／５〜５０／５０がよい。耐熱性を損なうことなく、高い靭性値を確保できるからである。
【００２８】
前記耐熱性樹脂粒子の混合重量比は、耐熱性樹脂マトリックスの固形分に対して５〜５０重量％、望ましくは１０〜４０重量％がよい。
耐熱性樹脂粒子は、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂）、エポキシ樹脂などがよい。
なお、接着剤は、組成の異なる２層により構成してもよい。
【００２９】
なお、多層ビルドアップ配線板の表面に付加するソルダーレジスト層としては、種々の樹脂を使用でき、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂のアクリレート、ノボラック型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂のアクリレートをアミン系硬化剤やイミダゾール硬化剤などで硬化させた樹脂を使用できる。
【００３０】
一方、このようなソルダーレジスト層は、剛直骨格を持つ樹脂で構成されるので剥離が生じることがある。このため、補強層を設けることでソルダーレジスト層の剥離を防止することもできる。
【００３１】
ここで、上記ノボラック型エポキシ樹脂のアクリレートとしては、フェノールノボラックやクレゾールノボラックのグリシジルエーテルを、アクリル酸やメタクリル酸などと反応させたエポキシ樹脂などを用いることができる。
【００３２】
上記イミダゾール硬化剤は、25℃で液状であることが望ましい。液状であれば均一混合できるからである。
このような液状イミダゾール硬化剤としては、1-ベンジル−2-メチルイミダゾール（品名：1B2MZ ）、1-シアノエチル−2-エチル−4-メチルイミダゾール（品名：2E4MZ-CN）、4-メチル−2-エチルイミダゾール（品名：2E4MZ ）を用いることができる。
【００３３】
このイミダゾール硬化剤の添加量は、上記ソルダーレジスト組成物の総固形分に対して１〜10重量％とすることが望ましい。この理由は、添加量がこの範囲内にあれば均一混合がしやすいからである。
【００３４】
上記ソルダーレジストの硬化前組成物は、溶媒としてグリコールエーテル系の溶剤を使用することが望ましい。
このような組成物を用いたソルダーレジスト層は、遊離酸が発生せず、銅パッド表面を酸化させない。また、人体に対する有害性も少ない。
【００３５】
このようなグリコールエーテル系溶媒としては、下記構造式のもの、特に望ましくは、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）およびトリエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＴＧ）から選ばれるいずれか少なくとも１種を用いる。これらの溶剤は、30〜50℃程度の加温により反応開始剤であるベンゾフェノンやミヒラーケトンを完全に溶解させることができるからである。
CH３ Ｏ - (CH２ CH２ Ｏ) ｎ −CH３ （ｎ＝１〜５）
このグリコールエーテル系の溶媒は、ソルダーレジスト組成物の全重量に対して１０〜７０wt％がよい。
【００３６】
以上説明したようなソルダーレジスト組成物には、その他に、各種消泡剤やレベリング剤、耐熱性や耐塩基性の改善と可撓性付与のために熱硬化性樹脂、解像度改善のために感光性モノマーなどを添加することができる。
例えば、レベリング剤としてはアクリル酸エステルの重合体からなるものがよい。また、開始剤としては、チバガイギー製のイルガキュアＩ９０７、光増感剤としては日本化薬製のＤＥＴＸ−Ｓがよい。
さらに、ソルダーレジスト組成物には、色素や顔料を添加してもよい。配線パターンを隠蔽できるからである。この色素としてはフタロシアニングリーンを用いることが望ましい。
【００３７】
添加成分としての上記熱硬化性樹脂としては、ビスフェノール型エポキシ樹脂を用いることができる。このビスフェノール型エポキシ樹脂には、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂があり、耐塩基性を重視する場合には前者が、低粘度化が要求される場合（塗布性を重視する場合）には後者がよい。
【００３８】
添加成分としての上記感光性モノマーとしては、多価アクリル系モノマーを用いることができる。多価アクリル系モノマーは、解像度を向上させることができるからである。例えば、多価アクリル系モノマーとして、日本化薬製のＤＰＥ−６Ａ、共栄社化学製のＲ−６０４を用いることができる。
また、これらのソルダーレジスト組成物は、２５℃で０．５〜１０Ｐａ・ｓ、より望ましくは１〜１０Ｐａ・ｓがよい。ロールコータで塗布しやすい粘度だからである。
【００３９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る多層ビルドアップ配線板及びその製造方法について図を参照して説明する。
先ず、本発明の第１実施形態に係る多層ビルドアップ配線板１０の構成について、図６（Ｔ）、図７及び図８を参照して説明する。
図６（Ｔ）は、ＩＣチップ搭載前の多層プリント配線板１０の断面図を示し、図７は、図６（Ｔ）に示す多層プリント配線板１０にＩＣチップ９０を載置し、ドータボード９４へ取り付けた状態を示している。
【００４０】
図７に示すように多層ビルドアップ配線板１０では、コア基板３０内にスルーホール３６が形成され、該コア基板３０の両面には導体回路３４が形成されている。また、該コア基板３０の上には、下層側層間樹脂絶縁層５０が配設され、下層側層間樹脂絶縁層５０には、バイアホール６０、配線パターン５８Ｓ、ランド５８Ｒ、及び、ダミー導体５８Ｄからなる導体層の形成されている。該下層層間樹脂絶縁層５０の上には、上層層間樹脂絶縁層１５０が配置され、層間樹脂絶縁層１５０には、バイアホール１６０、信号線１５８Ｓ及びダミー導体１５８Ｄからなる導体層が形成されている。
【００４１】
多層ビルドアップ配線板１０の上面側には、ＩＣチップ９０のランド９２へ接続するための半田バンプ７６Ｕが配設されている。半田バンプ７６Ｕはバイアホール１６０及びバイアホール６０を介してスルーホール３６へ接続されている。一方、下面側には、ドーターボード９４のランド９６に接続するための半田バンプ７６Ｄが配設されている。該半田バンプ７６Ｄは、バイアホール１６０及びバイアホール６０を介してスルーホール３６へ接続されている。
【００４２】
図７のＸ−Ｘ横断面、即ち、下層層間樹脂絶縁層５０の表面に形成された導体層の平面図を図８に示す。図８のＥ−Ｅ断面が図７に相当する。図８に示すように層間樹脂絶縁層５０上には、導体層として、配線パターン５８Ｓと、ランド５８Ｒと、孤立ランド５８ＲＳ、ダミー導体５８Ｄ、ダミー導体５８ＤＳとが形成されている。
【００４３】
図中で、Ａで囲んだ部位を拡大して図９（Ａ）に示す。本実施形態では、孤立した配線パターン５８Ｓの回りにダミー導体５８Ｄを配設してある。一方、図８中のＢで囲んだ部位を拡大して図９（Ｂ）に示す。ここでは、３本の配線パターン５８Ｓの回りにダミー導体５８Ｄを配設してある。本実施形態の多層ビルドアップ配線板では、配線パターン５８Ｓの回りにダミー導体５８Ｄを配設しているので、後述するように導体層を電解めっきにより形成する際に、電界の集中が発生せず、また、後述するライトエッチングにおいてオーバエッチングにならず、配線パターン５８Ｓを所定の厚み（１５μｍ）及び幅（３７μｍ）に形成することができる。また、孤立している信号線と、密集部分の信号線とを均一な厚みに形成することが可能になるので、該信号線上層の層間樹脂絶縁層１５０の厚みを均一にでき、多層ビルドアップ配線板の電気特性を高めることができる。
【００４４】
なお、ダミー導体５８Ｄの幅は、配線パターン５８Ｓの最小幅（３７μｍ）の１〜３倍（３７〜１１１μｍ）にしてある。かかる幅であれば、配線パターン５８Ｓ及びダミー導体５８Ｄに電界の集中が発生せず、当該信号線及びダミー導体を所定の厚みに形成することができる。一方、ダミー導体５８Ｄと配線パターン５８Ｓとの最小間隔Ｄ１を、信号線３８の１〜３倍（３７〜１１１μｍ）にしてある。このため、電界の集中が発生せず、配線パターン及びダミー導体を所定の厚みに形成することができる。
【００４５】
図８中のＣで囲んだ部位を拡大して図１０（Ｃ）に示す。孤立ランド５８ＲＳは、ダミー導体５８ＤＳで囲まれている。本実施形態の多層ビルドアップ配線板では、孤立ランド５８ＲＳを囲むようにダミー導体５８ＤＳを配設しているので、後述するように導体層を電解めっきにより形成する際に、電界の集中が発生せず、また、後述するライトエッチングにおいてオーバエッチングにならず、孤立ランド５８ＲＳを所定の厚み（１５μｍ）及び径（１３３μｍ）に形成することができる。このため、孤立しているランド５８ＤＳと、密集部分のランド５８Ｄとを均一な厚みに形成することが可能になり、更に、該配線パターン上層の層間樹脂絶縁層１５０の厚みを均一にできるので、多層ビルドアップ配線板の電気特性を高めることができる。
【００４６】
なお、孤立ランド５８ＲＳの回りのダミー導体５８ＤＳの最小幅は、ランド径（１３３μｍ）の１／６〜３倍（２２〜３９９μｍ）にしてあるため、電界の集中が発生せず、ランド及びダミー導体を所定の厚みに形成することができる。また、ダミー導体５８ＤＳと孤立ランドと５８ＲＳの最小間隔Ｄ２を、ランド径の１／６〜３倍（２２〜３９９μｍ）にしてあるため、電界の集中が発生せず、ランド及びダミー導体を所定の厚みに形成することができる。更に、孤立ランド５８ＲＳの回りをダミー導体５８ＤＳで囲んであるため、孤立ランド５８ＲＳが外部からのノイズ等の影響を受けるのを軽減できる。
【００４７】
図１０（Ｃ’）は、図１０（Ｃ）に示す孤立ランドとは異なる孤立ランドを示している。図１０（Ｃ’）に示す例では、ダミー導体５８ＤＳが、バイアホール６０に接続され、コア基板３０側（図７参照）のアースラインへと接続されている。この例では、ダミー導体５８ＤＳがアースに接続されているため、孤立ランド５８ＲＳが外部からのノイズ等の影響を受けるのを防ぐことができる。
【００４８】
図８中のＤで囲んだ部位を拡大して図１１に示す。本実施形態の多層ビルドアップ配線板１０では、ダミー導体５８Ｄとダミー導体５８Ｄとの交差部であって、直角部にフィレットＦ２が、鋭角部分にフィレットＦ１を形成してある。このため、ダミー導体相互を適正に接続することができる。また、直角及び鋭角部分がなくなり、角部に起因する応力集中によるクラックが発生することがない。即ち、導体層の一部に角部があると、ヒートサイクルにおいて熱応力が集中し、係る角部を起点として層間樹脂絶縁層にクラックが発生することがあるが、本実施形態の多層ビルドアップ配線板においては、係るクラックの発生を防止できる。
【００４９】
図１２（Ｅ）は、配線パターン５８Ｓと孤立ランド５８ＲＳとが近接している場合を示している。係る場合には、配線パターン５８Ｓ及び孤立ランド５８ＲＳを共にダミー導体５８Ｄで囲むことができる。一方、図１２（Ｆ）は、配線パターン５８Ｓの近傍に電源層用のプレーン層５８Ｈが存在している場合を示している。係る場合には、特に配線パターン５８Ｓとプレーン層５８Ｈとの間に、ダミー導体を配置する必要はない。
【００５０】
引き続き、上述した第１実施形態に係る多層多層ビルドアップ配線板の製造方法について図を参照して説明する。
ここでは、第１実施形態の多層多層ビルドアップ配線板の製造方法に用いるＡ．無電解めっき用接着剤、Ｂ．層間樹脂絶縁剤、Ｃ．樹脂充填剤、Ｄ．ソルダーレジスト組成物の組成について説明する。
【００５１】
Ａ．無電解めっき用接着剤調製用の原料組成物（上層用接着剤）
〔樹脂組成物▲１▼〕
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）3.15重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.5 重量部、ＮＭＰ 3.6重量部を攪拌混合して得た。
【００５２】
〔樹脂組成物▲２▼〕
ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポール）の平均粒径 1.0μｍのものを 7.2重量部、平均粒径 0.5μｍのものを3.09重量部、を混合した後、さらにＮＭＰ30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合して得た。
【００５３】
〔硬化剤組成物▲３▼〕
イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガイギー製、イルガキュア Ｉ−907 ）２重量部、光増感剤（日本化薬製、DETX-S）0.2 重量部、ＮＭＰ 1.5重量部を攪拌混合して得た。
【００５４】
Ｂ．層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物（下層用接着剤）
〔樹脂組成物▲１▼〕
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）４重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.5 重量部、ＮＭＰ 3.6重量部を攪拌混合して得た。
【００５５】
〔樹脂組成物▲２▼〕
ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポール）の平均粒径 0.5μｍのものを 14.49重量部、を混合した後、さらにＮＭＰ30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合して得た。
【００５６】
〔硬化剤組成物▲３▼〕
イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガイギー製、イルガキュア Ｉ−907 ）２重量部、光増感剤（日本化薬製、DETX-S）0.2 重量部、ＮＭＰ1.5 重量部を攪拌混合して得た。
【００５７】
Ｃ．樹脂充填剤調製用の原料組成物
〔樹脂組成物▲１▼〕
ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル製、分子量310 、YL983U） 100重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径 1.6μｍのSiＯ２ 球状粒子（アドマテック製、CRS 1101−CE、ここで、最大粒子の大きさは後述する内層銅パターンの厚み（15μｍ）以下とする） 170重量部、レベリング剤（サンノプコ製、ペレノールＳ４）1.5 重量部を攪拌混合することにより、その混合物の粘度を23±１℃で45,000〜49,000cps に調整して得た。
〔硬化剤組成物▲２▼〕
イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）6.5 重量部。
【００５８】
Ｄ．ソルダーレジスト組成物
ＤＭＤＧに溶解させた60重量％のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製）のエポキシ基50％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量4000）を 46.67ｇ、メチルエチルケトンに溶解させた80重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル製、エピコート1001）15.0ｇ、イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）1.6 ｇ、感光性モノマーである多価アクリルモノマー（日本化薬製、Ｒ604 ）３ｇ、同じく多価アクリルモノマー（共栄社化学製、DPE6A ） 1.5ｇ、分散系消泡剤（サンノプコ社製、Ｓ−65）0.71ｇを混合し、さらにこの混合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノン（関東化学製）を２ｇ、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学製）を 0.2ｇ加えて、粘度を25℃で 2.0Pa・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得た。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器、 DVL-B型）で 60rpmの場合はローターNo.4、６rpm の場合はローターNo.3によった。
【００５９】
引き続き、本発明の第１実施形態に係る多層ビルドアップ配線板の製造工程について図１乃至図７を参照して説明する。この第１実施形態では、多層ビルドアップ配線板をセミアディティブ方により形成する。
【００６０】
（１）図１（Ａ）に示すように厚さ１mmのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板３０の両面に１８μｍの銅箔３２がラミネートされている銅張積層板３０Ａを出発材料とした。まず、この銅張積層板３０Ａをドリル削孔し、無電解めっき処理を施してスルーホール３６を形成し（図１（Ｂ））、パターン状にエッチングすることにより導体回路３４を配設することで、図１（Ｃ）に示すコア基板３０を形成する。
【００６１】
(2) 導体回路３４およびスルーホール３６を形成した基板３０を水洗いし、乾燥した後、酸化浴（黒化浴）として、NaOH（10ｇ／ｌ），NaClO ２ （40ｇ／ｌ），Na３ PO４ （６ｇ／ｌ）、還元浴として、NaOH（10ｇ／ｌ），NaBH４ （６ｇ／ｌ）を用いた酸化−還元処理により、導体回路３４およびスルーホール３６の表面に粗化層３８を設けた（図１（Ｄ）参照）。
【００６２】
(3) Ｃの樹脂充填剤調製用の原料組成物を混合混練して樹脂充填剤を得た。
【００６３】
(4) 前記(3) で得た樹脂充填剤４０を、調製後24時間以内に基板３０の両面にロールコータを用いて塗布することにより、導体回路３４及び導体回路３４の間、及び、スルーホール３６内に充填し、70℃，20分間で乾燥させ、他方の面についても同様にして導体回路３４及び導体回路３４の間、あるいはスルーホール３６内に樹脂充填剤４０を充填し、70℃，20分間で加熱乾燥させた（図２（Ｅ）参照）。
【００６４】
(5) 前記(4) の処理を終えた基板３０の片面を、＃600 のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨により、導体回路３４の表面やスルーホール３６のランド３６ａ表面に樹脂充填剤４０が残らないように研磨し、次いで、前記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った（図２（Ｆ）参照）。
次いで、100 ℃で１時間、120 ℃で３時間、 150℃で１時間、 180℃で７時間の加熱処理を行って樹脂充填剤４０を硬化した。
【００６５】
このようにして、スルーホール３６等に充填された樹脂充填剤４０の表層部および導体回路３４上面の粗化層３８を除去して基板３０両面を平滑化した上で、樹脂充填剤４０と導体回路３４の側面とが粗化層３８を介して強固に密着し、またスルーホール３６の内壁面と樹脂充填剤４０とが粗化層３８を介して強固に密着した配線基板を得た。即ち、この工程により、樹脂充填剤４０の表面と導体回路３４の表面が同一平面となる。
【００６６】
(6) 導体回路３４を形成した基板３０にアルカリ脱脂してソフトエッチングして、次いで、塩化パラジウムと有機酸からなる触媒溶液で処理して、Ｐｄ触媒を付与し、この触媒を活性化した後、硫酸銅３．２×１０−２ｍｏｌ／ｌ、硫酸ニッケル３．９×１０−３ｍｏｌ／ｌ、錯化剤５．４×１０−２ｍｏｌ／ｌ、次亜りん酸ナトリウム３．３×１０−１ｍｏｌ／ｌ、ホウ酸５．０×１０−１ｍｏｌ／ｌ、界面活性剤（日信化学工業製、サーフィール４６５）０．１ｇ／ｌ、ＰＨ＝９からなる無電解めっき液に浸積し、浸漬１分後に、４秒当たり１回に割合で縦、および、横振動させて、導体回路３４、スルーホール３６のランド３６ａ及びバイアホールの底部６０ａの表面にＣｕ−Ｎｉ−Ｐからなる針状合金の被覆層と粗化層４２を設けた（図２（Ｇ）参照）。
【００６７】
さらに、ホウフっ化スズ０．１ｍｏｌ／ｌ、チオ尿素１．０ｍｏｌ／ｌ、温度３５℃、ＰＨ＝１．２の条件でＣｕ−Ｓｎ置換反応させ、粗化層の表面に厚さ０．３μｍＳｎ層（図示せず）を設けた。
【００６８】
(7) Ｂの層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度1.5 Pa・ｓに調整して層間樹脂絶縁剤（下層用）を得た。
次いで、Ａの無電解めっき用接着剤調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度７Pa・ｓに調整して無電解めっき用接着剤溶液（上層用）を得た。
【００６９】
(8) 前記(6) の基板の両面に、前記(7) で得られた粘度 1.5Pa・ｓの層間樹脂絶縁剤（下層用）４４を調製後24時間以内にロールコータで塗布し、水平状態で20分間放置してから、60℃で30分の乾燥（プリベーク）を行い、次いで、前記(7) で得られた粘度７Pa・ｓの感光性の接着剤溶液（上層用）４６を調製後24時間以内に塗布し、水平状態で20分間放置してから、60℃で30分の乾燥（プリベーク）を行い、厚さ35μｍの接着剤層５０αを形成した（図２（Ｈ）参照）。
【００７０】
(9) 前記(8) で接着剤層を形成した基板３０の両面に、85μｍφの黒円が印刷されたフォトマスクフィルム（図示せず）を密着させ、超高圧水銀灯により 500mJ／cm２ で露光した。これをＤＭＴＧ溶液でスプレー現像し、さらに、当該基板３０を超高圧水銀灯により3000mJ／cm２ で露光し、100 ℃で１時間、120 ℃で１時間、その後 150℃で３時間の加熱処理（ポストベーク）をすることにより、フォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優れた85μｍφの開口（バイアホール形成用開口）４８を有する厚さ35μｍの層間樹脂絶縁層（２層構造）５０を形成した（図３（Ｉ）参照）。なお、バイアホールとなる開口４８には、スズめっき層（図示せず）を部分的に露出させた。
【００７１】
(10)開口４８が形成された基板３０を、クロム酸に19分間浸漬し、層間樹脂絶縁層５０の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、当該層間樹脂絶縁層５０の表面を粗化し（図３（Ｊ）参照）、その後、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。
【００７２】
(11)前記(10)の行程で表面を粗化した基盤３０の表面に、パラジウム触媒（アトテック製）を付与することにより、層間樹脂絶縁層５０の表面に触媒核を付ける。その後、以下に示す組成の無電解銅めっき水溶液中に基板３０を浸漬して、全体に厚さ０．６μｍの無電解めっき膜５２を形成する（図３（Ｋ）参照）。
〔無電解めっき水溶液〕
ＥＤＴＡ 150 ｇ／ｌ
硫酸銅 20 ｇ／ｌ
ＨＣＨＯ 30 ml／ｌ
ＮａＯＨ 40 ｇ／ｌ
α、α’−ビピリジル 80 mg／ｌ
ＰＥＧ 0.1 ｇ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
70℃の液温度で30分
【００７３】
(12)前記(11)で形成した無電解銅めっき膜５２上に市販の感光性ドライフィルム５４αを張り付け、所定のパターン５３ａの描かれたマスク５３を載置して、100 mJ／cm２ で露光した後（図３（Ｌ））、0.8 ％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ15μｍのめっきレジスト５４を設けた（図４（Ｍ）参照）。
【００７４】
(13)ついで、無電解銅めっき膜５２を介して電流を流すことで、レジスト非形成部分に以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ15μｍの電解銅めっき膜５６を形成した（図４（Ｎ）参照）。
〔電解めっき水溶液〕
硫酸 180 ｇ／ｌ
硫酸銅 80 ｇ／ｌ
添加剤（アトテックジャパン製、カパラシドＧＬ）
１ ml／ｌ
〔電解めっき条件〕
電流密度 １Ａ／dm２
時間 30分
温度 室温
【００７５】
ここで、無電解銅めっき膜５２の上に電解銅めっき膜５６を形成することで、導体層及びバイアホール６０を形成する。この導体層として、図８を参照して上述したように配線パターン５８Ｓと、ランド５８Ｒと、孤立ランド５８ＲＳと、ダミー導体５８Ｄと、ダミー導体５８ＤＳとが形成されている（図４（Ｏ）中、配線パターン５８Ｓ、ランド５８Ｒ、ダミー導体５８Ｄのみ示す）。ここで、本実施形態では、孤立している配線パターン５８Ｓ及び孤立ランド５８ＲＳの回りに、ダミー導体５８Ｄ、５８ＤＳを配置しているため、上記電解めっきにおいて、電界の集中が発生せず、配線パターン５８Ｓ、ランド５８Ｒ及び孤立ランド５８ＲＳを均一の厚みに形成することができる。
【００７６】
(14)先ず、めっきレジスト５４を５％ＫＯＨで剥離除去しする。その後、めっきレジスト下の無電解めっき膜５２を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理（ライトエッチング）して溶解除去し、上述したように無電解銅めっき膜５２と電解銅めっき膜５６からなる厚さ１５μｍの導体層及びバイアホール６０を形成した（図４（Ｏ））。
【００７７】
無電解めっき膜５２をライトエッチングにより除去する際に、本実施形態では、孤立している配線パターン５８Ｓの回りに、ダミー導体５８Ｄを配置しているため、エッチング液の液回りが均一となり、配線パターン５８Ｓを均一の厚み（１５μｍ）及び幅（３７μｍ）に形成することができる。
【００７８】
(15)(6) と同様の処理を行い、配線パターン５８Ｓ、ダミー導体５８Ｄ、ランド５８Ｒ及びバイアホール６０の表面にCu-Ni-P からなる粗化面６２を形成し、さらにその表面にSn置換を行った（図５（Ｐ）参照）。
【００７９】
(16)(7) 〜(15)の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層１５０及びバイアホール１６０、信号線１５８Ｓ、ダミー導体１５８Ｄを形成することで、多層ビルドアップ配線板を完成する（図５（Ｑ）参照）。なお、この上層の導体回路を形成する工程においては、Ｓｎ置換は行わなかった。
【００８０】
(17)そして、上述した多層ビルドアップ配線板にはんだバンプを形成する。前記(16)で得られた基板３０両面に、上記Ｄ．にて説明したソルダーレジスト組成物７０αを４５μｍの厚さで塗布する。次いで、70℃で20分間、70℃で30分間の乾燥処理を行った後、円パターン（マスクパターン）が描画された厚さ５mmのフォトマスクフィルム（図示せず）を密着させて載置し、1000mJ／cm２ の紫外線で露光し、DMTG現像処理する。そしてさらに、80℃で１時間、 100℃で１時間、 120℃で１時間、 150℃で３時間の条件で加熱処理し、はんだパッド部分（バイアホールとそのランド部分を含む）に開口（開口径 200μｍ）７１を有するソルダーレジスト層（厚み20μｍ）７０を形成する（図５（Ｒ）参照）。
【００８１】
(18)次に、塩化ニッケル2.31×10−１ｍｏｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム2.8 ×10−１ｍｏｌ／ｌ、クエン酸ナトリウム1.85×10−１ｍｏｌ／ｌ、からなるｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に該基板３０を２０分間浸漬して、開口部７１に厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成した。さらに、その基板を、シアン化金カリウム4.1 ×10−２ｍｏｌ／ｌ、塩化アンモニウム1.87×10−１ｍｏｌ／ｌ、クエン酸ナトリウム1.16×10−１ｍｏｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム1.7 ×10−１ｍｏｌ／ｌからなる無電解金めっき液に80℃の条件で７分２０秒間浸漬して、ニッケルめっき層上に厚さ0.03μｍの金めっき層７４を形成することで、バイアホール１６０に半田パッド７５を形成する（図６（Ｓ）参照）。その後、ソルダーレジスト７０の補強層７８を被覆する。
【００８２】
(19)そして、ソルダーレジスト層７０の開口部７１に、半田ペーストを印刷して 200℃でリフローすることにより、半田バンプ（半田体）７６Ｕ、７６Ｄを形成し、多層ビルドアップ配線板１０を完成した（図６（Ｔ）参照）。
【００８３】
完成した多層プリント配線板１０の半田バンプ７６Ｕに、ＩＣチップ９０のパッド９２が対応するように載置し、リフローを行いＩＣチップ９０を搭載する。その後、このＩＣチップ９０を搭載した多層プリント配線板１０を、ドータボード９４側のバンプ９６に対応するように載置してリフローを行い、ドータボード９４へ取り付ける。（図７参照）。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図１（Ｃ）、図１（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係る多層ビルドアップ配線板の製造工程図である。
【図２】図２（Ｅ）、図２（Ｆ）、図２（Ｇ）、図２（Ｈ）は、本発明の第１実施形態に係る多層ビルドアップ配線板の製造工程図である。
【図３】図３（Ｉ）、図３（Ｊ）、図３（Ｋ）、図３（Ｌ）は、本発明の第１実施形態に係る多層ビルドアップ配線板の製造工程図である。
【図４】図４（Ｍ）、図４（Ｎ）、図４（Ｏ）は、本発明の第１実施形態に係る多層ビルドアップ配線板の製造工程図である。
【図５】図５（Ｐ）、図５（Ｑ）、図５（Ｒ）は、本発明の第１実施形態に係る多層ビルドアップ配線板の製造工程図である。
【図６】図６（Ｓ）、図６（Ｔ）本発明の第１実施形態に係る多層ビルドアップ配線板の断面図である。
【図７】本発明の第１実施形態に係る多層ビルドアップ配線板の断面図である。
【図８】図８は、図７のＸ−Ｘ横断面図である。
【図９】図９（Ａ）は、図８中のＡ部拡大図であり、図９（Ｂ）は、図８中のＢ部拡大図である。
【図１０】図１０（Ｃ）は、図８中のＣ部拡大図であり、図１０（Ｃ’）は、孤立ランドの拡大図である。
【図１１】図１１は、図８中のＤ部の拡大図である。
【図１２】図１２（Ｅ）及び図１２（Ｆ）は、信号線及びダミー導体の拡大図である。
【符号の説明】
３０ コア基板
３６ バイアホール
５０ 層間樹脂絶縁層
５８ 導体回路
５８Ｓ 配線パターン
５８Ｒ ランド
５８ＲＳ 孤立ランド
５８Ｄ ダミー導体
５８ＤＳ、ダミー導体
６０ バイアホール
１５０ 層間樹脂絶縁層
１６０ バイアホール
【発明の属する技術分野】
この発明は、コア基板の両面に層間樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなる多層ビルドアップ配線板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
多層ビルドアップ配線板は、１００〜１０００μｍ程度のガラスクロスからなるコア基板の上に、導体層と層間樹脂絶縁層とが交互に積層されてなる。導体層は、主に電解又は無電解めっきにより形成される。各層間樹脂絶縁層上の導体層は、バイアホールを介して接続される。該導体層としては、バイアホールの受け皿となる円形又は多角形のランドと、信号線（配線パターン）と、電源層又はグランド層として用いられるベタ層等からなる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来技術の多層ビルドアップ配線板においては、配線パターンの厚みの厚い部分と薄い部分とが発生し、抵抗が均一にならないため、電気信号の伝搬に悪影響を与えていた。更に、配線パターン（厚み平均１５μｍ）の上層に形成される層間樹脂絶縁層（３０μｍ）の厚みが不均一となり、電気特性を一定にできないため、性能を高めることが困難であった。
【０００４】
この原因を本発明者が研究したところ、配線パターンの配置される密度により層間樹脂絶縁層の厚みにばらつきが生じていることが判明した。例えば、配線密度が高い部分で、厚みが薄く、密度が低い（回りに信号線がない部分）ところで、厚くなることがある。また、反対に、配線密度が高い部分で、厚みが厚く、密度が低いところで、薄くなることもある。
【０００５】
この事実から、第１に、めっき厚によりばらつきが生じているものと考えられる。即ち、配線密度の低い箇所では、電解めっきの際に電界が集中して厚みが厚くなり、反対に、配線密度の高い箇所では、電界が分散するため、信号線の厚みが薄くなるものと考えられる。
【０００６】
更に、第２の理由として、エッチング液の液回りよって、配線パターンの厚みにばらつきが発生しているものと考えられる。現在、より高い性能を得るため、セミアディティブ法により多層ビルドアップ配線板が主に形成される。該セミアディティブ法においては、層間樹脂絶縁層に均一に無電解めっき膜を施した後、レジストパターンを形成し、該無電解めっき膜を介して通電して、レジストの非形成部に電解めっき膜を形成することで導体層を形成する。ここで、電解めっき膜を形成した後、レジストを剥離してから、レジスト下の無電解めっき膜をライトエッチングにより除去する。しかし、このライトエッチングにおいて、配線密度が高い部分では、エッチング液の液回りが悪く配線パターンの厚みが厚くなり、反対に、密度が低いところでは、液回りが良すぎて、配線パターンの厚み薄くなると共に、線幅も狭くなることがある。
【０００７】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的は、配線パターン及び層間樹脂絶縁層の厚みの均質性に優れる多層ビルドアップ配線板を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１は、層間樹脂絶縁層とセミアディティブ法により形成する導体層とを交互に積層してなる多層ビルドアップ配線板において、
前記導体層を構成する配線パターンの回りにダミー導体を配設し、
該ダミー導体とダミー導体との交差部にフィレットを形成したことを技術的特徴とする。
【０００９】
また、請求項２は、層間樹脂絶縁層とセミアディティブ法により形成する導体層とを交互に積層してなる多層ビルドアップ配線板において、
前記導体層を構成する複数本の配線パターンの回りにダミー導体を配設し、
該ダミー導体とダミー導体との交差部にフィレットを形成したことを技術的特徴とする。
【００１０】
請求項５は、層間樹脂絶縁層とセミアディティブ法により形成する導体層とを交互に積層してなる多層ビルドアップ配線板において、
前記導体層を構成する孤立ランドの回りにダミー導体を配設し、
該ダミー導体とダミー導体との交差部にフィレットを形成したことを技術的特徴とする。
【００１３】
請求項１及び２の発明では、配線パターンの回りにダミー導体を配設しているので、導体層を電解めっきにより形成する際に、電界の集中が発生せず、配線パターンを所定の厚みに形成することができる。このため、孤立している配線パターンと、密集部分の配線パターンとを均一な厚みに形成することが可能になり、更に、該配線パターン上層の層間樹脂絶縁層の厚みを均一にできるので、多層ビルドアップ配線板の電気特性を高めることができる。なお、本発明でいる、配線パターン、ダミー導体は、いわゆるコア基板上に形成されなくてもよいことを、念のため付記しておく。
【００１４】
請求項３の発明では、ダミー導体の幅を配線パターンの最小の幅の１〜３倍にしてあるため、電界の集中が発生せず、配線パターン及びダミー導体を所定の厚みに形成することができる。
【００１５】
請求項４の発明では、ダミー導体と配線パターンとの間隔を、配線パターンの最小の幅の１〜３倍にしてあるため、電界の集中が発生せず、配線パターン及びダミー導体を所定の厚みに形成することができる。
【００１６】
請求項５の発明では、孤立ランドの回りにダミー導体を配設してあるため、導体層を電解めっきにより形成する際に、電界の集中が発生せず、孤立ランドを所定の厚みに形成することができる。このため、孤立しているランドと、密集部分のランドとを均一な厚みに形成することが可能になり、多層ビルドアップ配線板の電気特性を高めることができる。
【００１７】
請求項６の発明では、孤立ランドの回りをダミー導体で囲んであるため、孤立ランドが外部からのノイズ等の影響を受けるのを軽減できる。
【００１８】
請求項７の発明では、ダミー導体の幅を、ランドの径の１／６〜３倍にしてあるため、電界の集中が発生せず、ランド及びダミー導体を所定の厚みに形成することができる。
【００１９】
請求項８の発明では、ダミー導体と孤立ランドとの最小間隔を、ランド径の１／６〜３倍にしてあるため、電界の集中が発生せず、ランド及びダミー導体を所定の厚みに形成することができる。
【００２０】
請求項１、２、５の発明では、ダミー導体とダミー導体との交差部にフィレットを形成してあるため、ダミー導体相互を適正に接続することができる。
【００２１】
請求項１０の発明では、ダミー導体とダミー導体との交差部であって、直角又は鋭角部分にフィレットを形成してあるため、直角及び鋭角部分がなくなり、角部に起因する応力集中によるクラックが発生しない。
【００２２】
本発明では、上記層間樹脂絶縁層として無電解めっき用接着剤を用いることが望ましい。この無電解めっき用接着剤は、硬化処理された酸あるいは酸化剤に可溶性の耐熱性樹脂粒子が、酸あるいは酸化剤に難溶性の未硬化の耐熱性樹脂中に分散されてなるものが最適である。
酸、酸化剤で処理することにより、耐熱性樹脂粒子が溶解除去されて、表面に蛸つぼ状のアンカーからなる粗化面を形成できる。
【００２３】
上記無電解めっき用接着剤において、特に硬化処理された前記耐熱性樹脂粒子としては、▲１▼平均粒径が10μｍ以下の耐熱性樹脂粉末、▲２▼平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、▲３▼平均粒径が２〜10μｍの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末との混合物、▲４▼平均粒径が２〜10μｍの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径が２μｍ以下の耐熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか少なくとも１種を付着させてなる疑似粒子、▲５▼平均粒径が０．１〜０．８μｍの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が０．８μｍを越え、２μｍ未満の耐熱性樹脂粉末との混合物、▲６▼平均粒径が０．１〜１．０μｍの耐熱性粉末樹脂粉末を用いることが望ましい。これらは、より複雑なアンカーを形成できるからである。
【００２４】
粗化面の深さは、Ｒｍａｘ＝０．０１〜２０μｍがよい。密着性を確保するためである。特にセミアディティブ法では、０．１〜５μｍがよい。密着性を確保しつつ、無電解めっき膜を除去できるからである。
【００２５】
前記酸あるいは酸化剤に難溶牲の耐熱性樹脂としては、「熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂からなる樹脂複合体」又は「感光性樹脂および熱可塑性樹脂からなる樹脂複合体」からなることが望ましい。前者については耐熱性が高く、後者についてはバイアホール用の開口をフォトリソグラフィーにより形成できるからである。
【００２６】
前記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂などを使用できる。また、感光化する場合は、メタクリル酸やアクリル酸などと熱硬化基をアクリル化反応させる。特にエポキシ樹脂のアクリレートが最適である。
エポキシ樹脂としては、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、などのノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変成した脂環式エポキシ樹脂などを使用することができる。
【００２７】
熱可塑性樹脂としては、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリスルフォン（ＰＳＦ）、ポリフェニレンスルフォン（ＰＰＳ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＥＳ）、ポリフェニルエーテル（ＰＰＥ）、ポリエーテルイミド（ＰＩ）などを使用できる。
熱硬化性樹脂（感光性樹脂）と熱可塑性樹脂の混合割合は、熱硬化性樹脂（感光性樹脂）／熱可塑性樹脂＝９５／５〜５０／５０がよい。耐熱性を損なうことなく、高い靭性値を確保できるからである。
【００２８】
前記耐熱性樹脂粒子の混合重量比は、耐熱性樹脂マトリックスの固形分に対して５〜５０重量％、望ましくは１０〜４０重量％がよい。
耐熱性樹脂粒子は、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン樹脂）、エポキシ樹脂などがよい。
なお、接着剤は、組成の異なる２層により構成してもよい。
【００２９】
なお、多層ビルドアップ配線板の表面に付加するソルダーレジスト層としては、種々の樹脂を使用でき、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂のアクリレート、ノボラック型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂のアクリレートをアミン系硬化剤やイミダゾール硬化剤などで硬化させた樹脂を使用できる。
【００３０】
一方、このようなソルダーレジスト層は、剛直骨格を持つ樹脂で構成されるので剥離が生じることがある。このため、補強層を設けることでソルダーレジスト層の剥離を防止することもできる。
【００３１】
ここで、上記ノボラック型エポキシ樹脂のアクリレートとしては、フェノールノボラックやクレゾールノボラックのグリシジルエーテルを、アクリル酸やメタクリル酸などと反応させたエポキシ樹脂などを用いることができる。
【００３２】
上記イミダゾール硬化剤は、25℃で液状であることが望ましい。液状であれば均一混合できるからである。
このような液状イミダゾール硬化剤としては、1-ベンジル−2-メチルイミダゾール（品名：1B2MZ ）、1-シアノエチル−2-エチル−4-メチルイミダゾール（品名：2E4MZ-CN）、4-メチル−2-エチルイミダゾール（品名：2E4MZ ）を用いることができる。
【００３３】
このイミダゾール硬化剤の添加量は、上記ソルダーレジスト組成物の総固形分に対して１〜10重量％とすることが望ましい。この理由は、添加量がこの範囲内にあれば均一混合がしやすいからである。
【００３４】
上記ソルダーレジストの硬化前組成物は、溶媒としてグリコールエーテル系の溶剤を使用することが望ましい。
このような組成物を用いたソルダーレジスト層は、遊離酸が発生せず、銅パッド表面を酸化させない。また、人体に対する有害性も少ない。
【００３５】
このようなグリコールエーテル系溶媒としては、下記構造式のもの、特に望ましくは、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）およびトリエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＴＧ）から選ばれるいずれか少なくとも１種を用いる。これらの溶剤は、30〜50℃程度の加温により反応開始剤であるベンゾフェノンやミヒラーケトンを完全に溶解させることができるからである。
CH３ Ｏ - (CH２ CH２ Ｏ) ｎ −CH３ （ｎ＝１〜５）
このグリコールエーテル系の溶媒は、ソルダーレジスト組成物の全重量に対して１０〜７０wt％がよい。
【００３６】
以上説明したようなソルダーレジスト組成物には、その他に、各種消泡剤やレベリング剤、耐熱性や耐塩基性の改善と可撓性付与のために熱硬化性樹脂、解像度改善のために感光性モノマーなどを添加することができる。
例えば、レベリング剤としてはアクリル酸エステルの重合体からなるものがよい。また、開始剤としては、チバガイギー製のイルガキュアＩ９０７、光増感剤としては日本化薬製のＤＥＴＸ−Ｓがよい。
さらに、ソルダーレジスト組成物には、色素や顔料を添加してもよい。配線パターンを隠蔽できるからである。この色素としてはフタロシアニングリーンを用いることが望ましい。
【００３７】
添加成分としての上記熱硬化性樹脂としては、ビスフェノール型エポキシ樹脂を用いることができる。このビスフェノール型エポキシ樹脂には、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂とビスフェノールＦ型エポキシ樹脂があり、耐塩基性を重視する場合には前者が、低粘度化が要求される場合（塗布性を重視する場合）には後者がよい。
【００３８】
添加成分としての上記感光性モノマーとしては、多価アクリル系モノマーを用いることができる。多価アクリル系モノマーは、解像度を向上させることができるからである。例えば、多価アクリル系モノマーとして、日本化薬製のＤＰＥ−６Ａ、共栄社化学製のＲ−６０４を用いることができる。
また、これらのソルダーレジスト組成物は、２５℃で０．５〜１０Ｐａ・ｓ、より望ましくは１〜１０Ｐａ・ｓがよい。ロールコータで塗布しやすい粘度だからである。
【００３９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る多層ビルドアップ配線板及びその製造方法について図を参照して説明する。
先ず、本発明の第１実施形態に係る多層ビルドアップ配線板１０の構成について、図６（Ｔ）、図７及び図８を参照して説明する。
図６（Ｔ）は、ＩＣチップ搭載前の多層プリント配線板１０の断面図を示し、図７は、図６（Ｔ）に示す多層プリント配線板１０にＩＣチップ９０を載置し、ドータボード９４へ取り付けた状態を示している。
【００４０】
図７に示すように多層ビルドアップ配線板１０では、コア基板３０内にスルーホール３６が形成され、該コア基板３０の両面には導体回路３４が形成されている。また、該コア基板３０の上には、下層側層間樹脂絶縁層５０が配設され、下層側層間樹脂絶縁層５０には、バイアホール６０、配線パターン５８Ｓ、ランド５８Ｒ、及び、ダミー導体５８Ｄからなる導体層の形成されている。該下層層間樹脂絶縁層５０の上には、上層層間樹脂絶縁層１５０が配置され、層間樹脂絶縁層１５０には、バイアホール１６０、信号線１５８Ｓ及びダミー導体１５８Ｄからなる導体層が形成されている。
【００４１】
多層ビルドアップ配線板１０の上面側には、ＩＣチップ９０のランド９２へ接続するための半田バンプ７６Ｕが配設されている。半田バンプ７６Ｕはバイアホール１６０及びバイアホール６０を介してスルーホール３６へ接続されている。一方、下面側には、ドーターボード９４のランド９６に接続するための半田バンプ７６Ｄが配設されている。該半田バンプ７６Ｄは、バイアホール１６０及びバイアホール６０を介してスルーホール３６へ接続されている。
【００４２】
図７のＸ−Ｘ横断面、即ち、下層層間樹脂絶縁層５０の表面に形成された導体層の平面図を図８に示す。図８のＥ−Ｅ断面が図７に相当する。図８に示すように層間樹脂絶縁層５０上には、導体層として、配線パターン５８Ｓと、ランド５８Ｒと、孤立ランド５８ＲＳ、ダミー導体５８Ｄ、ダミー導体５８ＤＳとが形成されている。
【００４３】
図中で、Ａで囲んだ部位を拡大して図９（Ａ）に示す。本実施形態では、孤立した配線パターン５８Ｓの回りにダミー導体５８Ｄを配設してある。一方、図８中のＢで囲んだ部位を拡大して図９（Ｂ）に示す。ここでは、３本の配線パターン５８Ｓの回りにダミー導体５８Ｄを配設してある。本実施形態の多層ビルドアップ配線板では、配線パターン５８Ｓの回りにダミー導体５８Ｄを配設しているので、後述するように導体層を電解めっきにより形成する際に、電界の集中が発生せず、また、後述するライトエッチングにおいてオーバエッチングにならず、配線パターン５８Ｓを所定の厚み（１５μｍ）及び幅（３７μｍ）に形成することができる。また、孤立している信号線と、密集部分の信号線とを均一な厚みに形成することが可能になるので、該信号線上層の層間樹脂絶縁層１５０の厚みを均一にでき、多層ビルドアップ配線板の電気特性を高めることができる。
【００４４】
なお、ダミー導体５８Ｄの幅は、配線パターン５８Ｓの最小幅（３７μｍ）の１〜３倍（３７〜１１１μｍ）にしてある。かかる幅であれば、配線パターン５８Ｓ及びダミー導体５８Ｄに電界の集中が発生せず、当該信号線及びダミー導体を所定の厚みに形成することができる。一方、ダミー導体５８Ｄと配線パターン５８Ｓとの最小間隔Ｄ１を、信号線３８の１〜３倍（３７〜１１１μｍ）にしてある。このため、電界の集中が発生せず、配線パターン及びダミー導体を所定の厚みに形成することができる。
【００４５】
図８中のＣで囲んだ部位を拡大して図１０（Ｃ）に示す。孤立ランド５８ＲＳは、ダミー導体５８ＤＳで囲まれている。本実施形態の多層ビルドアップ配線板では、孤立ランド５８ＲＳを囲むようにダミー導体５８ＤＳを配設しているので、後述するように導体層を電解めっきにより形成する際に、電界の集中が発生せず、また、後述するライトエッチングにおいてオーバエッチングにならず、孤立ランド５８ＲＳを所定の厚み（１５μｍ）及び径（１３３μｍ）に形成することができる。このため、孤立しているランド５８ＤＳと、密集部分のランド５８Ｄとを均一な厚みに形成することが可能になり、更に、該配線パターン上層の層間樹脂絶縁層１５０の厚みを均一にできるので、多層ビルドアップ配線板の電気特性を高めることができる。
【００４６】
なお、孤立ランド５８ＲＳの回りのダミー導体５８ＤＳの最小幅は、ランド径（１３３μｍ）の１／６〜３倍（２２〜３９９μｍ）にしてあるため、電界の集中が発生せず、ランド及びダミー導体を所定の厚みに形成することができる。また、ダミー導体５８ＤＳと孤立ランドと５８ＲＳの最小間隔Ｄ２を、ランド径の１／６〜３倍（２２〜３９９μｍ）にしてあるため、電界の集中が発生せず、ランド及びダミー導体を所定の厚みに形成することができる。更に、孤立ランド５８ＲＳの回りをダミー導体５８ＤＳで囲んであるため、孤立ランド５８ＲＳが外部からのノイズ等の影響を受けるのを軽減できる。
【００４７】
図１０（Ｃ’）は、図１０（Ｃ）に示す孤立ランドとは異なる孤立ランドを示している。図１０（Ｃ’）に示す例では、ダミー導体５８ＤＳが、バイアホール６０に接続され、コア基板３０側（図７参照）のアースラインへと接続されている。この例では、ダミー導体５８ＤＳがアースに接続されているため、孤立ランド５８ＲＳが外部からのノイズ等の影響を受けるのを防ぐことができる。
【００４８】
図８中のＤで囲んだ部位を拡大して図１１に示す。本実施形態の多層ビルドアップ配線板１０では、ダミー導体５８Ｄとダミー導体５８Ｄとの交差部であって、直角部にフィレットＦ２が、鋭角部分にフィレットＦ１を形成してある。このため、ダミー導体相互を適正に接続することができる。また、直角及び鋭角部分がなくなり、角部に起因する応力集中によるクラックが発生することがない。即ち、導体層の一部に角部があると、ヒートサイクルにおいて熱応力が集中し、係る角部を起点として層間樹脂絶縁層にクラックが発生することがあるが、本実施形態の多層ビルドアップ配線板においては、係るクラックの発生を防止できる。
【００４９】
図１２（Ｅ）は、配線パターン５８Ｓと孤立ランド５８ＲＳとが近接している場合を示している。係る場合には、配線パターン５８Ｓ及び孤立ランド５８ＲＳを共にダミー導体５８Ｄで囲むことができる。一方、図１２（Ｆ）は、配線パターン５８Ｓの近傍に電源層用のプレーン層５８Ｈが存在している場合を示している。係る場合には、特に配線パターン５８Ｓとプレーン層５８Ｈとの間に、ダミー導体を配置する必要はない。
【００５０】
引き続き、上述した第１実施形態に係る多層多層ビルドアップ配線板の製造方法について図を参照して説明する。
ここでは、第１実施形態の多層多層ビルドアップ配線板の製造方法に用いるＡ．無電解めっき用接着剤、Ｂ．層間樹脂絶縁剤、Ｃ．樹脂充填剤、Ｄ．ソルダーレジスト組成物の組成について説明する。
【００５１】
Ａ．無電解めっき用接着剤調製用の原料組成物（上層用接着剤）
〔樹脂組成物▲１▼〕
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）3.15重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.5 重量部、ＮＭＰ 3.6重量部を攪拌混合して得た。
【００５２】
〔樹脂組成物▲２▼〕
ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポール）の平均粒径 1.0μｍのものを 7.2重量部、平均粒径 0.5μｍのものを3.09重量部、を混合した後、さらにＮＭＰ30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合して得た。
【００５３】
〔硬化剤組成物▲３▼〕
イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガイギー製、イルガキュア Ｉ−907 ）２重量部、光増感剤（日本化薬製、DETX-S）0.2 重量部、ＮＭＰ 1.5重量部を攪拌混合して得た。
【００５４】
Ｂ．層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物（下層用接着剤）
〔樹脂組成物▲１▼〕
クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）４重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.5 重量部、ＮＭＰ 3.6重量部を攪拌混合して得た。
【００５５】
〔樹脂組成物▲２▼〕
ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、ポリマーポール）の平均粒径 0.5μｍのものを 14.49重量部、を混合した後、さらにＮＭＰ30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合して得た。
【００５６】
〔硬化剤組成物▲３▼〕
イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガイギー製、イルガキュア Ｉ−907 ）２重量部、光増感剤（日本化薬製、DETX-S）0.2 重量部、ＮＭＰ1.5 重量部を攪拌混合して得た。
【００５７】
Ｃ．樹脂充填剤調製用の原料組成物
〔樹脂組成物▲１▼〕
ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル製、分子量310 、YL983U） 100重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径 1.6μｍのSiＯ２ 球状粒子（アドマテック製、CRS 1101−CE、ここで、最大粒子の大きさは後述する内層銅パターンの厚み（15μｍ）以下とする） 170重量部、レベリング剤（サンノプコ製、ペレノールＳ４）1.5 重量部を攪拌混合することにより、その混合物の粘度を23±１℃で45,000〜49,000cps に調整して得た。
〔硬化剤組成物▲２▼〕
イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）6.5 重量部。
【００５８】
Ｄ．ソルダーレジスト組成物
ＤＭＤＧに溶解させた60重量％のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬製）のエポキシ基50％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量4000）を 46.67ｇ、メチルエチルケトンに溶解させた80重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル製、エピコート1001）15.0ｇ、イミダゾール硬化剤（四国化成製、2E4MZ-CN）1.6 ｇ、感光性モノマーである多価アクリルモノマー（日本化薬製、Ｒ604 ）３ｇ、同じく多価アクリルモノマー（共栄社化学製、DPE6A ） 1.5ｇ、分散系消泡剤（サンノプコ社製、Ｓ−65）0.71ｇを混合し、さらにこの混合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノン（関東化学製）を２ｇ、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学製）を 0.2ｇ加えて、粘度を25℃で 2.0Pa・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得た。
なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器、 DVL-B型）で 60rpmの場合はローターNo.4、６rpm の場合はローターNo.3によった。
【００５９】
引き続き、本発明の第１実施形態に係る多層ビルドアップ配線板の製造工程について図１乃至図７を参照して説明する。この第１実施形態では、多層ビルドアップ配線板をセミアディティブ方により形成する。
【００６０】
（１）図１（Ａ）に示すように厚さ１mmのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板３０の両面に１８μｍの銅箔３２がラミネートされている銅張積層板３０Ａを出発材料とした。まず、この銅張積層板３０Ａをドリル削孔し、無電解めっき処理を施してスルーホール３６を形成し（図１（Ｂ））、パターン状にエッチングすることにより導体回路３４を配設することで、図１（Ｃ）に示すコア基板３０を形成する。
【００６１】
(2) 導体回路３４およびスルーホール３６を形成した基板３０を水洗いし、乾燥した後、酸化浴（黒化浴）として、NaOH（10ｇ／ｌ），NaClO ２ （40ｇ／ｌ），Na３ PO４ （６ｇ／ｌ）、還元浴として、NaOH（10ｇ／ｌ），NaBH４ （６ｇ／ｌ）を用いた酸化−還元処理により、導体回路３４およびスルーホール３６の表面に粗化層３８を設けた（図１（Ｄ）参照）。
【００６２】
(3) Ｃの樹脂充填剤調製用の原料組成物を混合混練して樹脂充填剤を得た。
【００６３】
(4) 前記(3) で得た樹脂充填剤４０を、調製後24時間以内に基板３０の両面にロールコータを用いて塗布することにより、導体回路３４及び導体回路３４の間、及び、スルーホール３６内に充填し、70℃，20分間で乾燥させ、他方の面についても同様にして導体回路３４及び導体回路３４の間、あるいはスルーホール３６内に樹脂充填剤４０を充填し、70℃，20分間で加熱乾燥させた（図２（Ｅ）参照）。
【００６４】
(5) 前記(4) の処理を終えた基板３０の片面を、＃600 のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨により、導体回路３４の表面やスルーホール３６のランド３６ａ表面に樹脂充填剤４０が残らないように研磨し、次いで、前記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に行った（図２（Ｆ）参照）。
次いで、100 ℃で１時間、120 ℃で３時間、 150℃で１時間、 180℃で７時間の加熱処理を行って樹脂充填剤４０を硬化した。
【００６５】
このようにして、スルーホール３６等に充填された樹脂充填剤４０の表層部および導体回路３４上面の粗化層３８を除去して基板３０両面を平滑化した上で、樹脂充填剤４０と導体回路３４の側面とが粗化層３８を介して強固に密着し、またスルーホール３６の内壁面と樹脂充填剤４０とが粗化層３８を介して強固に密着した配線基板を得た。即ち、この工程により、樹脂充填剤４０の表面と導体回路３４の表面が同一平面となる。
【００６６】
(6) 導体回路３４を形成した基板３０にアルカリ脱脂してソフトエッチングして、次いで、塩化パラジウムと有機酸からなる触媒溶液で処理して、Ｐｄ触媒を付与し、この触媒を活性化した後、硫酸銅３．２×１０−２ｍｏｌ／ｌ、硫酸ニッケル３．９×１０−３ｍｏｌ／ｌ、錯化剤５．４×１０−２ｍｏｌ／ｌ、次亜りん酸ナトリウム３．３×１０−１ｍｏｌ／ｌ、ホウ酸５．０×１０−１ｍｏｌ／ｌ、界面活性剤（日信化学工業製、サーフィール４６５）０．１ｇ／ｌ、ＰＨ＝９からなる無電解めっき液に浸積し、浸漬１分後に、４秒当たり１回に割合で縦、および、横振動させて、導体回路３４、スルーホール３６のランド３６ａ及びバイアホールの底部６０ａの表面にＣｕ−Ｎｉ−Ｐからなる針状合金の被覆層と粗化層４２を設けた（図２（Ｇ）参照）。
【００６７】
さらに、ホウフっ化スズ０．１ｍｏｌ／ｌ、チオ尿素１．０ｍｏｌ／ｌ、温度３５℃、ＰＨ＝１．２の条件でＣｕ−Ｓｎ置換反応させ、粗化層の表面に厚さ０．３μｍＳｎ層（図示せず）を設けた。
【００６８】
(7) Ｂの層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度1.5 Pa・ｓに調整して層間樹脂絶縁剤（下層用）を得た。
次いで、Ａの無電解めっき用接着剤調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度７Pa・ｓに調整して無電解めっき用接着剤溶液（上層用）を得た。
【００６９】
(8) 前記(6) の基板の両面に、前記(7) で得られた粘度 1.5Pa・ｓの層間樹脂絶縁剤（下層用）４４を調製後24時間以内にロールコータで塗布し、水平状態で20分間放置してから、60℃で30分の乾燥（プリベーク）を行い、次いで、前記(7) で得られた粘度７Pa・ｓの感光性の接着剤溶液（上層用）４６を調製後24時間以内に塗布し、水平状態で20分間放置してから、60℃で30分の乾燥（プリベーク）を行い、厚さ35μｍの接着剤層５０αを形成した（図２（Ｈ）参照）。
【００７０】
(9) 前記(8) で接着剤層を形成した基板３０の両面に、85μｍφの黒円が印刷されたフォトマスクフィルム（図示せず）を密着させ、超高圧水銀灯により 500mJ／cm２ で露光した。これをＤＭＴＧ溶液でスプレー現像し、さらに、当該基板３０を超高圧水銀灯により3000mJ／cm２ で露光し、100 ℃で１時間、120 ℃で１時間、その後 150℃で３時間の加熱処理（ポストベーク）をすることにより、フォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優れた85μｍφの開口（バイアホール形成用開口）４８を有する厚さ35μｍの層間樹脂絶縁層（２層構造）５０を形成した（図３（Ｉ）参照）。なお、バイアホールとなる開口４８には、スズめっき層（図示せず）を部分的に露出させた。
【００７１】
(10)開口４８が形成された基板３０を、クロム酸に19分間浸漬し、層間樹脂絶縁層５０の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、当該層間樹脂絶縁層５０の表面を粗化し（図３（Ｊ）参照）、その後、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いした。
【００７２】
(11)前記(10)の行程で表面を粗化した基盤３０の表面に、パラジウム触媒（アトテック製）を付与することにより、層間樹脂絶縁層５０の表面に触媒核を付ける。その後、以下に示す組成の無電解銅めっき水溶液中に基板３０を浸漬して、全体に厚さ０．６μｍの無電解めっき膜５２を形成する（図３（Ｋ）参照）。
〔無電解めっき水溶液〕
ＥＤＴＡ 150 ｇ／ｌ
硫酸銅 20 ｇ／ｌ
ＨＣＨＯ 30 ml／ｌ
ＮａＯＨ 40 ｇ／ｌ
α、α’−ビピリジル 80 mg／ｌ
ＰＥＧ 0.1 ｇ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
70℃の液温度で30分
【００７３】
(12)前記(11)で形成した無電解銅めっき膜５２上に市販の感光性ドライフィルム５４αを張り付け、所定のパターン５３ａの描かれたマスク５３を載置して、100 mJ／cm２ で露光した後（図３（Ｌ））、0.8 ％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ15μｍのめっきレジスト５４を設けた（図４（Ｍ）参照）。
【００７４】
(13)ついで、無電解銅めっき膜５２を介して電流を流すことで、レジスト非形成部分に以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ15μｍの電解銅めっき膜５６を形成した（図４（Ｎ）参照）。
〔電解めっき水溶液〕
硫酸 180 ｇ／ｌ
硫酸銅 80 ｇ／ｌ
添加剤（アトテックジャパン製、カパラシドＧＬ）
１ ml／ｌ
〔電解めっき条件〕
電流密度 １Ａ／dm２
時間 30分
温度 室温
【００７５】
ここで、無電解銅めっき膜５２の上に電解銅めっき膜５６を形成することで、導体層及びバイアホール６０を形成する。この導体層として、図８を参照して上述したように配線パターン５８Ｓと、ランド５８Ｒと、孤立ランド５８ＲＳと、ダミー導体５８Ｄと、ダミー導体５８ＤＳとが形成されている（図４（Ｏ）中、配線パターン５８Ｓ、ランド５８Ｒ、ダミー導体５８Ｄのみ示す）。ここで、本実施形態では、孤立している配線パターン５８Ｓ及び孤立ランド５８ＲＳの回りに、ダミー導体５８Ｄ、５８ＤＳを配置しているため、上記電解めっきにおいて、電界の集中が発生せず、配線パターン５８Ｓ、ランド５８Ｒ及び孤立ランド５８ＲＳを均一の厚みに形成することができる。
【００７６】
(14)先ず、めっきレジスト５４を５％ＫＯＨで剥離除去しする。その後、めっきレジスト下の無電解めっき膜５２を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理（ライトエッチング）して溶解除去し、上述したように無電解銅めっき膜５２と電解銅めっき膜５６からなる厚さ１５μｍの導体層及びバイアホール６０を形成した（図４（Ｏ））。
【００７７】
無電解めっき膜５２をライトエッチングにより除去する際に、本実施形態では、孤立している配線パターン５８Ｓの回りに、ダミー導体５８Ｄを配置しているため、エッチング液の液回りが均一となり、配線パターン５８Ｓを均一の厚み（１５μｍ）及び幅（３７μｍ）に形成することができる。
【００７８】
(15)(6) と同様の処理を行い、配線パターン５８Ｓ、ダミー導体５８Ｄ、ランド５８Ｒ及びバイアホール６０の表面にCu-Ni-P からなる粗化面６２を形成し、さらにその表面にSn置換を行った（図５（Ｐ）参照）。
【００７９】
(16)(7) 〜(15)の工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層１５０及びバイアホール１６０、信号線１５８Ｓ、ダミー導体１５８Ｄを形成することで、多層ビルドアップ配線板を完成する（図５（Ｑ）参照）。なお、この上層の導体回路を形成する工程においては、Ｓｎ置換は行わなかった。
【００８０】
(17)そして、上述した多層ビルドアップ配線板にはんだバンプを形成する。前記(16)で得られた基板３０両面に、上記Ｄ．にて説明したソルダーレジスト組成物７０αを４５μｍの厚さで塗布する。次いで、70℃で20分間、70℃で30分間の乾燥処理を行った後、円パターン（マスクパターン）が描画された厚さ５mmのフォトマスクフィルム（図示せず）を密着させて載置し、1000mJ／cm２ の紫外線で露光し、DMTG現像処理する。そしてさらに、80℃で１時間、 100℃で１時間、 120℃で１時間、 150℃で３時間の条件で加熱処理し、はんだパッド部分（バイアホールとそのランド部分を含む）に開口（開口径 200μｍ）７１を有するソルダーレジスト層（厚み20μｍ）７０を形成する（図５（Ｒ）参照）。
【００８１】
(18)次に、塩化ニッケル2.31×10−１ｍｏｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム2.8 ×10−１ｍｏｌ／ｌ、クエン酸ナトリウム1.85×10−１ｍｏｌ／ｌ、からなるｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に該基板３０を２０分間浸漬して、開口部７１に厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成した。さらに、その基板を、シアン化金カリウム4.1 ×10−２ｍｏｌ／ｌ、塩化アンモニウム1.87×10−１ｍｏｌ／ｌ、クエン酸ナトリウム1.16×10−１ｍｏｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム1.7 ×10−１ｍｏｌ／ｌからなる無電解金めっき液に80℃の条件で７分２０秒間浸漬して、ニッケルめっき層上に厚さ0.03μｍの金めっき層７４を形成することで、バイアホール１６０に半田パッド７５を形成する（図６（Ｓ）参照）。その後、ソルダーレジスト７０の補強層７８を被覆する。
【００８２】
(19)そして、ソルダーレジスト層７０の開口部７１に、半田ペーストを印刷して 200℃でリフローすることにより、半田バンプ（半田体）７６Ｕ、７６Ｄを形成し、多層ビルドアップ配線板１０を完成した（図６（Ｔ）参照）。
【００８３】
完成した多層プリント配線板１０の半田バンプ７６Ｕに、ＩＣチップ９０のパッド９２が対応するように載置し、リフローを行いＩＣチップ９０を搭載する。その後、このＩＣチップ９０を搭載した多層プリント配線板１０を、ドータボード９４側のバンプ９６に対応するように載置してリフローを行い、ドータボード９４へ取り付ける。（図７参照）。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図１（Ｃ）、図１（Ｄ）は、本発明の第１実施形態に係る多層ビルドアップ配線板の製造工程図である。
【図２】図２（Ｅ）、図２（Ｆ）、図２（Ｇ）、図２（Ｈ）は、本発明の第１実施形態に係る多層ビルドアップ配線板の製造工程図である。
【図３】図３（Ｉ）、図３（Ｊ）、図３（Ｋ）、図３（Ｌ）は、本発明の第１実施形態に係る多層ビルドアップ配線板の製造工程図である。
【図４】図４（Ｍ）、図４（Ｎ）、図４（Ｏ）は、本発明の第１実施形態に係る多層ビルドアップ配線板の製造工程図である。
【図５】図５（Ｐ）、図５（Ｑ）、図５（Ｒ）は、本発明の第１実施形態に係る多層ビルドアップ配線板の製造工程図である。
【図６】図６（Ｓ）、図６（Ｔ）本発明の第１実施形態に係る多層ビルドアップ配線板の断面図である。
【図７】本発明の第１実施形態に係る多層ビルドアップ配線板の断面図である。
【図８】図８は、図７のＸ−Ｘ横断面図である。
【図９】図９（Ａ）は、図８中のＡ部拡大図であり、図９（Ｂ）は、図８中のＢ部拡大図である。
【図１０】図１０（Ｃ）は、図８中のＣ部拡大図であり、図１０（Ｃ’）は、孤立ランドの拡大図である。
【図１１】図１１は、図８中のＤ部の拡大図である。
【図１２】図１２（Ｅ）及び図１２（Ｆ）は、信号線及びダミー導体の拡大図である。
【符号の説明】
３０ コア基板
３６ バイアホール
５０ 層間樹脂絶縁層
５８ 導体回路
５８Ｓ 配線パターン
５８Ｒ ランド
５８ＲＳ 孤立ランド
５８Ｄ ダミー導体
５８ＤＳ、ダミー導体
６０ バイアホール
１５０ 層間樹脂絶縁層
１６０ バイアホール
Claims (10)
- 層間樹脂絶縁層とセミアディティブ法により形成する導体層とを交互に積層してなる多層ビルドアップ配線板において、
前記導体層を構成する配線パターンの回りにダミー導体を配設し、
該ダミー導体とダミー導体との交差部にフィレットを形成したことを特徴とする多層ビルドアップ配線板。 - 層間樹脂絶縁層とセミアディティブ法により形成する導体層とを交互に積層してなる多層ビルドアップ配線板において、
前記導体層を構成する複数本の配線パターンの回りにダミー導体を配設し、
該ダミー導体とダミー導体との交差部にフィレットを形成したことを特徴とする多層ビルドアップ配線板。 - 前記ダミー導体の幅を、前記配線パターンの最小の幅の１〜３倍にしたことを特徴とする請求項１又は２のパッケージ基板。
- 前記ダミー導体と前記配線パターンとの間隔を、前記配線パターンの最小の幅の１〜３倍にしたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１に記載のパッケージ基板。
- 層間樹脂絶縁層とセミアディティブ法により形成する導体層とを交互に積層してなる多層ビルドアップ配線板において、
前記導体層を構成する孤立ランドの回りにダミー導体を配設し、
該ダミー導体とダミー導体との交差部にフィレットを形成したことを特徴とする多層ビルドアップ配線板。 - 前記孤立ランドの回りをダミー導体で囲んだことを特徴とする請求項５の多層ビルドアップ配線板。
- 前記ダミー導体の最小の幅を、前記孤立ランドの径の１／６〜３倍にしたことを特徴とする請求項５又は６の多層ビルドアップ配線板。
- 前記ダミー導体と前記孤立ランドとの最小間隔を、当該孤立ランドの径の１／６〜３倍にしたことを特徴とする請求項５〜７のいずれか１に記載の多層ビルドアップ配線板。
- 前記孤立ランドの回りを囲んだダミー導体をアースラインへ接続したことを特徴とする請求項６の多層ビルドアップ配線板。
- 前記ダミー導体とダミー導体との交差部であって、直角又は鋭角部分にフィレットを形成したことを特徴とする請求項１〜請求項９のいずれか１の多層ビルドアップ配線板。
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