JP2000068650A

JP2000068650A - 多層プリント配線板

Info

Publication number: JP2000068650A
Application number: JP25454998A
Authority: JP
Inventors: Naohiro Hirose; 直宏広瀬
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 1998-08-24
Filing date: 1998-08-24
Publication date: 2000-03-03

Abstract

(57)【要約】【課題】ビルドアップ層の層数を減らし得る多層プリ
ント配線板を提供する。【解決手段】１のスルーホール３６に２本の配線路３
７ａ、３７ｂを配設してあるので、スルーホール数の２
倍の配線路をコア基板３０に通すことができる。このた
め、コア基板３０の表側に形成されるビルドアップ配線
層８０Ａと、裏側に形成されるビルドアップ配線層８０
Ｂとで、同じペースで配線を統合できるので、上層のビ
ルドアップ配線層と下層のビルドアップ配線層との層数
を等しくすることで、層数を最小にできる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、多層プリント配
線板に関し、とくに、層間樹脂絶縁層と導体層とが交互
に積層されたビルドアップ配線層が、コア基板の上面に
形成されてなる多層プリント配線板に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣチップ等を載置するためのパッケー
ジ基板を構成する多層プリント配線板は、スルーホール
を形成したコア基板に、層間樹脂絶縁層と導体層とを交
互にビルドアップし、上面にＩＣチップへの接続用バン
プを配設し、下面側にマザーボードに接続するためのバ
ンプを配設することにより形成されている。そして、上
下の導体層間の接続は、バイアホールを形成することに
より行い、コア基板の上層のバイアホールと下層のバイ
アホールとは、スルーホールを介して接続が取られてい
る。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、スルー
ホールは、コア基板にドリル等で通孔を穿設することに
より形成されているため、一定の大きさのコア基板に形
成できるスルーホールの数は、物理的に制限がある。

【０００４】一方、パッケージ基板では、裏面側のバン
プの数よりも表面のバンプが多く形成されている。これ
は、表面の複数のバンプからの配線が統合されながら裏
面側のバンプへ接続されるためである。例えば、信号線
と比較して低抵抗であることの要求される電源線は、表
面のバンプ（ＩＣチップ側）にて２０本であったもの
が、裏面（マザーボード側）では、１本に統合される。

【０００５】ここで、コア基板の表側に形成されるビル
ドアップ配線層と、裏側に形成されるビルドアップ配線
層とで、同じペースで配線を統合できることが、上層の
ビルドアップ配線層と下層のビルドアップ配線層との層
数を等しく、即ち、層数を最小にする上で望ましい。し
かしながら、上述したように多層コア基板に形成し得る
スルーホールの数は制限される。このため、従来技術の
パッケージ基板においては、表側のビルドアップ配線層
において或る程度配線を統合してから、多層コア基板の
スルーホールを通して、裏側のビルドアップ配線層へ接
続していた。即ち、裏側のビルドアップ配線層では、配
線の密度が下がっているため、本来的に表側のビルドア
ップ配線層と同じだけの層数を必要としていない。しか
し、表裏のビルドアップ配線層の層数を異ならしめる
と、非対称性から反りが発生するため、表裏の層数を同
じにしていた。即ち、多層コア基板に形成されるスルー
ホールの数が制限されるため、表側のビルドアップ配線
層の層数を増やさなければならないのに加えて、該層数
の増えた表側と等しい層数に裏側のビルドアップ配線層
を形成せねばならなかった。

【０００６】即ち、従来技術の多層プリント配線板（パ
ッケージ基板）においては、ビルドアップ層の層数を増
やしている為、上下層の接続の信頼性が低下すると共
に、パッケージ基板のコストが上昇し、また、パッケー
ジ基板のサイズ、厚みや重さが必要以上に大きくなって
しまうという問題があった。

【０００７】また、ビルドアップ多層配線層がコア基板
の片面に設けられている場合でも、ビルドアップ層が形
成されている面の裏面の配線設計の自由度を確保する必
要があった。

【０００８】なお、１つのスルーホールに複数の導電路
を形成する技術として、特公昭５１−４５７８５号が存
在するが、当該技術は、両面プリント配線板を対象とし
たものであり、その基板上にさらに多層化することを意
図したものではない。

【０００９】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、その目的とするところは、ビルド
アップ層の層数を減らし得る多層プリント配線板を提供
することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決すべ
く、請求項１は、層間樹脂絶縁層と導体層とが交互に積
層され、各導体層間が、バイアホールにて接続された多
層配線層が、コア基板上に形成され、前記導体層がコア
基板に形成されたスルーホールによりそのコア基板の裏
面側の導体層と電気的に接続されてなる多層プリント配
線板において、前記コア基板の１のスルーホールに複数
の配線路を配設したことを技術的特徴とする。

【００１１】また、請求項２は、層間樹脂絶縁層と導体
層とが交互に積層され、各導体層間がバイアホールにて
接続された多層配線層が、コア基板の両面に形成され、
前記コア基板の両面の導体層同士がコア基板に形成され
たスルーホールにより電気的に接続されてなる多層プリ
ント配線板において、前記コア基板の１のスルーホール
に複数の配線路を配設したことを技術的特徴とする。

【００１２】また、請求項３は、層間樹脂絶縁層と導体
層とが交互に積層され、各導体層間がバイアホールにて
接続された多層配線層が、コア基板の両面に形成され、
前記コア基板の両面の導体層同士がコア基板に形成され
たスルーホールにより電気的に接続されてなる多層プリ
ント配線板において、前記コア基板の１のスルーホール
に２本以上の配線路を配設したことを技術的特徴とす
る。

【００１３】請求項４は、層間樹脂絶縁層と導体層とが
交互に積層され、各導体層間がバイアホールにて接続さ
れた多層配線層が、コア基板の両面に形成されてなる多
層プリント配線板において、前記コア基板のスルーホー
ルには、充填剤が充填されるとともに該充填剤のスルー
ホールからの露出面を覆う導体層が形成され、該スルー
ホール及び該導体層が複数に分割され、当該分割された
導体層に前記バイアホールが接続されていることを技術
的特徴とする。

【００１４】請求項１の多層プリント配線板では、１の
スルーホールに複数の配線路を配設してあるので、スル
ーホールの数倍の配線路をコア基板に通すことができ
る。このため、コア基板の両側にビルドアップ配線層を
形成した場合でも、コア基板の表側に形成されるビルド
アップ配線層と、裏側に形成されるビルドアップ配線層
の両側で配線の統合ができ、上層のビルドアップ配線層
と下層のビルドアップ配線層との層数を等しくすること
により、層数を最小にできる。また、コア基板の片面に
ビルドアップ配線層を設けた場合でも、１のスルーホー
ルに複数の配線路を配設してあるので、スルーホールの
数倍の配線路をコア基板に通すことができビルドアップ
層を設けた側の反対側の配線の自由度が向上する。な
お、１つのスルーホールに複数の導電路を形成する技術
としては特公昭５１−４５７８５号が存在するが、当該
技術は、両面プリント配線板を対象としたものであり、
その基板上にさらにビルドアップにて多層化することを
意図するものではない。

【００１５】請求項２の多層プリント配線板では、１の
スルーホールに複数の配線路を配設してあるので、スル
ーホールの数倍の配線路をコア基板に通すことができ
る。このため、コア基板の表側に形成される多層配線層
と、裏側に形成される多層配線層とで、同じペースで配
線を統合できるので、上層の多層配線層と下層の多層配
線層との層数を等しくすることにより、層数を最小にで
きる。

【００１６】請求項３の多層プリント配線板では、１の
スルーホールに２本以上の配線路を配設してあるので、
スルーホールの２倍以上の配線路をコア基板に通すこと
ができる。このため、コア基板の表側に形成される多層
配線層と、裏側に形成される多層配線層とで、同じペー
スで配線を統合できるので、上層の多層配線層と下層の
多層配線層との層数を等しくすることにより、層数を最
小にできる。

【００１７】なお、請求項１〜３の多層プリント配線板
では、前記導体層がバイアホールと接続し、該バイアホ
ールがスルーホールに接続する構成が望ましい。これ
は、配線長を短くでき、実装されるＩＣチップへ大電流
を供給できるからである。

【００１８】請求項４の多層プリント配線板は、コア基
板に設けたスルーホールに充填剤が充填され、さらに、
この充填剤のスルーホールからの露出面を覆う導体層が
形成され、この導体層にバイアホールを接続させること
で、ビルドアップ配線層とスルーホールの接続を行う構
造とした点に特徴がある。本構成によれば、スルーホー
ル直上の領域を内層パッドとして機能せしめることでデ
ッドスペースが無くなり、しかも、スルーホールからバ
イアホールに接続するための内層パッドを配線する必要
もないので、スルーホールのランド形状を真円とするこ
とができる。その結果、多層コア基板中に設けられるス
ルーホールの配置密度が向上し、スルーホール数を増や
すことができ、このスルーホールを介して裏側のビルド
アップ配線層の信号線を表面のビルドアップ層に接続で
きるのである。

【００１９】本発明では、上記絶縁層もしくは層間絶縁
層として、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂を使用すること
ができる。熱硬化樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイ
ミド樹脂、フェノール樹脂、ビルマレイミドトリアジン
樹脂などを使用する事が可能である。熱可塑性樹脂とし
ては、ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ）、ポリルフォ
ン（ＰＳＦ）、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、ポ
リエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリフェニレンオキシド
（ＰＰＯ）などを使用できる。特に、熱硬化性樹脂と熱
可塑性樹脂との複合体が望ましい。

【００２０】本発明では、上記絶縁層もしくは層間絶縁
層として無電解めっき用接着剤を用いることが望まし
い。この無電解めっき用接着剤は、硬化処理された酸あ
るいは酸化剤に可溶性の耐熱性樹脂粒子が、酸あるいは
酸化剤に難溶性の未硬化の耐熱性樹脂中に分散されてな
るものが最適である。酸、酸化剤で処理することによ
り、耐熱性樹脂粒子が溶解除去されて、表面に蛸つぼ状
のアンカーからなる粗化面を形成できる。

【００２１】上記無電解めっき用接着剤において、特に
硬化処理された前記耐熱性樹脂粒子としては、平均粒
径が10μｍ以下の耐熱性樹脂粉末、平均粒径が２μｍ
以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、平均粒
径が２〜10μｍの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が２μ
ｍ以下の耐熱性樹脂粉末との混合物、平均粒径が２〜
10μｍの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径が２μｍ以下
の耐熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか少なくとも
１種を付着させてなる疑似粒子、平均粒径が０．１〜
０．８μｍの耐熱性粉末樹脂粉末と平均粒径が０．８μ
ｍを越え、２μｍ未満の耐熱性樹脂粉末との混合物、
平均粒径が０．１〜１．０μｍの耐熱性粉末樹脂粉末を
用いることが望ましい。これらは、より複雑なアンカー
を形成できるからである。

【００２２】粗化面の深さは、Ｒｍａｘ＝０．０１〜２
０μｍがよい。密着性を確保するためである。特にセミ
アディティブ法では、０．１〜５μｍがよい。密着性を
確保しつつ、無電解めっき膜を除去できるからである。

【００２３】前記酸あるいは酸化剤に難溶牲の耐熱性樹
脂としては、「熱硬化性樹脂および熱可塑性樹脂からな
る樹脂複合体」又は「感光性樹脂および熱可塑性樹脂か
らなる樹脂複合体」からなることが望ましい。前者につ
いては耐熱性が高く、後者についてはバイアホール用の
開口をフォトリソグラフィーにより形成できるからであ
る。

【００２４】前記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹
脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂などを使用でき
る。また、感光化する場合は、メタクリル酸やアクリル
酸などと熱硬化基をアクリル化反応させる。特にエポキ
シ樹脂のアクリレートが最適である。エポキシ樹脂とし
ては、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック
型、などのノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタ
ジエン変成した脂環式エポキシ樹脂などを使用すること
ができる。

【００２５】熱可塑性樹脂としては、ポリエーテルスル
フォン（ＰＥＳ）、ポリスルフォン（ＰＳＦ）、ポリフ
ェニレンスルフォン（ＰＰＳ）、ポリフェニレンサルフ
ァイド（ＰＰＥＳ）、ポリフェニルエーテル（ＰＰ
Ｅ）、ポリエーテルイミド（ＰＩ）などを使用できる。
熱硬化性樹脂（感光性樹脂）と熱可塑性樹脂の混合割合
は、熱硬化性樹脂（感光性樹脂）／熱可塑性樹脂＝９５
／５〜５０／５０がよい。耐熱性を損なうことなく、高
い靭性値を確保できるからである。

【００２６】前記耐熱性樹脂粒子の混合重量比は、耐熱
性樹脂マトリックスの固形分に対して５〜５０重量％、
望ましくは１０〜４０重量％がよい。耐熱性樹脂粒子
は、アミノ樹脂（メラミン樹脂、尿素樹脂、グアナミン
樹脂）、エポキシ樹脂などがよい。なお、接着剤は、組
成の異なる２層により構成してもよい。

【００２７】一方、請求項４に係る上記多層プリント配
線板において、スルーホールに充填される充填剤は金属
粒子と、熱硬化性または熱可塑性の樹脂からなることが
好ましい。

【００２８】請求項５の多層プリント配線板でスルーホ
ールに充填される充填剤は、金属粒子、熱硬化性の樹脂
および硬化剤からなるか、あるいは金属粒子および熱可
塑性の樹脂からなることが好ましく、必要に応じて溶剤
を添加してもよい。このような充填剤は、金属粒子が含
まれていると、その表面を研磨することにより金属粒子
が露出し、この露出した金属粒子を介してその上に形成
される導体層のめっき膜と一体化するため、ＰＣＴ（pr
essure cooker test）のような過酷な高温多湿条件下で
も導体層との界面で剥離が発生しにくくなる。また、こ
の充填剤は、壁面に金属膜が形成されたスルーホールに
充填されるので、金属イオンのマイグレーションが発生
しない。

【００２９】金属粒子としては、銅、金、銀、アルミニ
ウム、ニッケル、チタン、クロム、すず／鉛、パラジウ
ム、プラチナなどが使用できる。なお、この金属粒子の
粒子径は、０．１〜５０μｍがよい。この理由は、０．
１μｍ未満であると、銅表面が酸化して樹脂に対する濡
れ性が悪くなり、一方、５０μｍを超えると、印刷性が
悪くなるからである。また、この金属粒子の配合量は、
全体量に対して３０〜９０ｗｔ％がよい。この理由は、
３０ｗｔ％より少ないと、フタめっきの密着性が悪くな
り、一方、９０ｗｔ％を超えると、印刷性が悪化するか
らである。

【００３０】使用される樹脂としては、ビスフェノール
Ａ型、ビスフェノールＦ型などのエポキシ樹脂、フェノ
ール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリテトラフルオロエチレ
ン（ＰＴＦＥ）等のフッ素樹脂、ビスマレイミドトリア
ジン（ＢＴ）樹脂、ＦＥＰ、ＰＦＡ、ＰＰＳ、ＰＥＮ、
ＰＥＳ、ナイロン、アラミド、ＰＥＥＫ、ＰＥＫＫ、Ｐ
ＥＴなどを使用できる。硬化剤としては、イミダゾール
系、フェノール系、アミン系などの硬化剤を使用でき
る。

【００３１】溶剤としては、ＮＭＰ（ノルマルメチルピ
ロリドン）、ＤＭＤＧ（ジエチレングリコールジメチル
エーテル）、グリセリン、水、１一又は２−又は３−の
シクロヘキサノール、シクロへキサノン、メチルセロソ
ルブ、メチルセロソルブアセテート、メタノール、エタ
ノール、ブタノール、プロパノールなどが使用できる。

【００３２】この充填剤は、非導電性であることが望ま
しい。非導電性の方が硬化収縮が小さく、導体層やバイ
アホールとの剥離が起こりにくいからである。

【００３３】

【実施形態】以下、本発明の実施形態に係る多層プリン
ト配線板及びその製造方法について図を参照して説明す
る。先ず、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配
線板１０の構成について、図７、図８及び図１６を参照
して説明する。図７は、集積回路チップ９０搭載前の多
層プリント配線板（パッケージ基板）１０の断面を示
し、図８は、集積回路チップ９０を搭載した状態の多層
プリント配線板１０の断面を示している。図８に示すよ
うに、多層プリント配線板１０の上面側には、集積回路
チップ９０が搭載され、下面側は、ドータボード９４へ
接続されている。

【００３４】図７を参照して多層プリント配線板の構成
について詳細に説明する。該多層プリント配線板１０で
は、多層コア基板３０の表面及び裏面にビルドアップ配
線層８０Ａ、８０Ｂが形成されている。該ビルトアップ
層８０Ａは、バイアホール６０、６０ａ、６０ｂ及び導
体回路５８の形成された層間樹脂絶縁層５０と、バイア
ホール１６０ａ、１６０ｂ及び導体回路１５８の形成さ
れた層間樹脂絶縁層１５０とからなる。また、ビルドア
ップ配線層８０Ｂは、バイアホール６０、６０ａ、６０
ｂ及び導体回路５８の形成された層間樹脂絶縁層５０
と、バイアホール１６０ａ、１６０ｂ及び導体回路１５
８の形成された層間樹脂絶縁層１５０とからなる。

【００３５】上面側には、集積回路チップ９０のランド
９２（図８参照）へ接続するための半田バンプ７６Ｕ
ａ、７６Ｕｂが配設されている。一方、下面側には、ド
ーターボード（サブボード）９４のランド９６（図８参
照）に接続するための半田バンプ７６Ｄａ、７６Ｄｂが
配設されている。該半田バンプ７６Ｕａ、７６Ｕｂ、７
６Ｄａ、７６Ｄｂは、ソルダーレジスト７０の開口７１
内の導体回路１５８及びバイアホール１６０ａ、１６０
ｂ上に、ニッケルめっき層７２、金めっき層７４が形成
された半田パッド７５に半田が配設されてなる。

【００３６】図９（Ａ）は、図７中のＡ−Ａ断面、即
ち、コア基板３０の表面に配設されたスルーホール３６
の開口部の平面図であり、また、図９（Ｂ）は、スルー
ホール３６を斜視図的に示した説明図である。本実施形
態の多層プリント配線板では、スルーホール３６が２分
割され、２つの配線路３７ａ、３７ｂが形成されてい
る。

【００３７】ここで、半田バンプ７６Ｕａはバイアホー
ル１６０ａ及びバイアホール６０ａを介してスルーホー
ル３６の配線路３７ａへ接続されている。そして、該配
線路３７ａからバイアホール６０ａ及びバイアホール１
６０ａを介して半田バンプ７６Ｄａへ接続されている。
同様に、半田バンプ７６Ｕｂはバイアホール１６０ｂ及
びバイアホール６０ｂ介してスルーホール３６の配線路
３７ｂへ接続されている。そして、該配線路３７ｂから
バイアホール６０ｂ及びバイアホール１６０ｂを介して
半田バンプ７６Ｄｂへ接続されている。

【００３８】上述したように多層プリント配線板では、
裏面の複数のバンプからの配線が統合されながら表面側
のバンプへ接続されるが、１つのスルーホールに通し得
る配線数を２倍にすることで、表側及び裏側に形成され
るビルドアップ配線層９０Ａ、９０Ｂで、同じペースで
配線の統合を行える。これにより、表側及び裏側に形成
されるビルドアップ配線層９０Ａ、９０Ｂの層数を減ら
すことができる。

【００３９】本発明の別の形態を図１６（Ａ）及び図１
６（Ｂ）をもとに説明する。図１６及び図１６（Ｂ）
は、片面にビルドアップ多層配線層を設けた場合であ
る。図１６（Ａ）ではスルーホール３６に導体ピン２３
０が挿入され、半田２３２で固定されている。裏面側に
は、ソルダーレジスト２３４が配設されている。導体ピ
ン２３０は、中央で絶縁体２３０ｃにより２分割されて
おり、導体ピン２３０のそれぞれの面がスルーホール３
６の分割された配線路３７ａ、３７ｂに電気的に接続し
ている。

【００４０】図１６（Ｂ）は、ビルドアップ多層配線層
を設けた側の反対側に接続用の半田バンプ７６Ｄｂ，７
６Ｄａを形成した例である。各半田バンプ７６Ｄｂ，７
６Ｄａが、スルーホール３６の分割された配線路３７
ａ、３７ｂに電気的に接続している。コア基板の片面に
設けられたビルドアップ多層配線層からの信号線を、ス
ルーホール３６の分割された配線路３７ａ、３７ｂによ
ってそのまま裏面に引き出すことができ、裏面での配線
の自由度を向上させる事が可能である。

【００４１】引き続き、図７に示す多層プリント配線板
を製造する方法について一例を挙げて具体的に説明す
る。まず、Ａ．無電解めっき用接着剤、Ｂ．層間樹脂絶
縁剤、Ｃ．樹脂充填剤、Ｄ．ソルダーレジストの組成に
ついて説明する。

【００４２】Ａ．無電解めっき用接着剤調製用の原料組
成物（上層用接着剤）〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt
％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感
光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）3.15
重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.5 重量部、
ＮＭＰ 3.6重量部を攪拌混合して得た。

【００４３】〔樹脂組成物〕ポリエーテルスルフォン
（ＰＥＳ）12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、
ポリマーポール）の平均粒径 1.0μｍのものを 7.2重量
部、平均粒径 0.5μｍのものを3.09重量部、を混合した
後、さらにＮＭＰ30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌
混合して得た。

【００４４】〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤
（四国化成製、2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガ
イギー製、イルガキュアＩ−907 ）２重量部、光増感
剤（日本化薬製、DETX-S）0.2 重量部、ＮＭＰ 1.5重量
部を攪拌混合して得た。

【００４５】Ｂ．層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物
（下層用接着剤）〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬製、分子量2500）の25％アクリル化物を80wt
％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を35重量部、感
光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ315 ）４重
量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−65）0.5 重量部、Ｎ
ＭＰ 3.6重量部を攪拌混合して得た。

【００４６】〔樹脂組成物〕ポリエーテルスルフォン
（ＰＥＳ）12重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成製、
ポリマーポール）の平均粒径 0.5μｍのものを 14.49重
量部、を混合した後、さらにＮＭＰ30重量部を添加し、
ビーズミルで攪拌混合して得た。

【００４７】〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤
（四国化成製、2E4MZ-CN）２重量部、光開始剤（チバガ
イギー製、イルガキュアＩ−907 ）２重量部、光増感
剤（日本化薬製、DETX-S）0.2 重量部、ＮＭＰ1.5 重量
部を攪拌混合して得た。

【００４８】Ｃ．樹脂充填剤調製用の原料組成物〔樹脂組成物〕ビスフェノールＦ型エポキシモノマー
（油化シェル製、分子量310 、YL983U）100重量部、表
面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒
径 1.6μｍのSiＯ₂球状粒子（アドマテック製、CRS 11
01−CE、ここで、最大粒子の大きさは後述する内層銅パ
ターンの厚み（15μｍ）以下とする） 170重量部、レベ
リング剤（サンノプコ製、ペレノールＳ４）1.5 重量部
を攪拌混合することにより、その混合物の粘度を23±１
℃で45,000〜49,000cps に調整して得た。〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤（四国化成製、
2E4MZ-CN）6.5 重量部。

【００４９】Ｄ．ソルダーレジスト組成物ＤＭＤＧに溶解させた60重量％のクレゾールノボラック
型エポキシ樹脂（日本化薬製）のエポキシ基50％をアク
リル化した感光性付与のオリゴマー（分子量4000）を 4
6.67ｇ、メチルエチルケトンに溶解させた80重量％のビ
スフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル製、エピコ
ート1001）15.0ｇ、イミダゾール硬化剤（四国化成製、
2E4MZ-CN）1.6 ｇ、感光性モノマーである多価アクリル
モノマー（日本化薬製、Ｒ604 ）３ｇ、同じく多価アク
リルモノマー（共栄社化学製、DPE6A ） 1.5ｇ、分散系
消泡剤（サンノプコ社製、Ｓ−65）0.71ｇを混合し、さ
らにこの混合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノ
ン（関東化学製）を２ｇ、光増感剤としてのミヒラーケ
トン（関東化学製）を 0.2ｇ加えて、粘度を25℃で2.0P
a・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得た。な
お、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器、 DVL-B型）で
60rpmの場合はローターNo.4、６rpm の場合はローター
No.3によった。

【００５０】引き続き、図１〜図７を参照して多層プリ
ント配線板１０の製造方法を説明する。Ｅ．多層プリント配線板の製造 (1) 厚さ１mmのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマ
レイミドトリアジン）樹脂からなる基板３０の両面に18
μｍの銅箔３２がラミネートされている銅張積層板３０
Ａを出発材料とした（図１（Ａ）参照）。まず、この銅
張積層板３０Ａをドリル削孔し、スルーホール用の通孔
３５を形成する（図１（Ｂ）参照）。次に、無電解めっ
き処理を施し、該通孔３５内に配線路３７ａ、３７ｂを
形成してから（図１（Ｄ）参照）、レジスト３３を１０
％の水酸化カリウム溶液で剥離する（図１（Ｅ）参
照）。引き続き、パターン状にエッチングすることによ
り、基板３０の両面に内層銅パターン３４とスルーホー
ル３６を形成した（図２（Ｆ）参照）。

【００５１】(2) 内層銅パターン３４およびスルーホー
ル３６を形成した基板３０を水洗いし、乾燥した後、酸
化浴（黒化浴）として、NaOH（10ｇ／ｌ），NaClO
₂（40ｇ／ｌ），Na₃PO₄（６ｇ／ｌ）、還元浴とし
て、NaOH（10ｇ／ｌ），NaBH₄（６ｇ／ｌ）を用いた酸
化−還元処理により、内層銅パターン３４およびスルー
ホール３６の表面に粗化層３８を設けた（図２（Ｇ）参
照）。

【００５２】(3) Ｃの樹脂充填剤調製用の原料組成物を
混合混練して樹脂充填剤を得た。 (4) 前記(3) で得た樹脂充填剤４０を、調製後24時間以
内に基板３０の両面にロールコータを用いて塗布するこ
とにより、導体回路（内層銅パターン）３４と導体回路
３４との間、及び、スルーホール３６内に充填し、70
℃，20分間で乾燥させ、他方の面についても同様にして
樹脂充填剤４０を導体回路３４間あるいはスルーホール
３６内に充填し、70℃，20分間で加熱乾燥させた（図２
（Ｈ）参照）。

【００５３】(5) 前記(4) の処理を終えた基板３０の片
面を、＃600 のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いた
ベルトサンダー研磨により、内層銅パターン３４の表面
やスルーホール３６のランド３６ａ表面に樹脂充填剤４
０が残らないように研磨し、次いで、前記ベルトサンダ
ー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行った。こ
のような一連の研磨を基板の他方の面についても同様に
行った（図２（Ｉ）参照）。次いで、100 ℃で１時間、
120 ℃で３時間、 150℃で１時間、 180℃で７時間の加
熱処理を行って樹脂充填剤４０を硬化した。

【００５４】このようにして、スルーホール３６等に充
填された樹脂充填剤４０の表層部および内層導体回路３
４上面の粗化層３８を除去して基板３０両面を平滑化し
た上で、樹脂充填剤４０と内層導体回路３４の側面とが
粗化層３８を介して強固に密着し、またスルーホール３
６の内壁面と樹脂充填剤４０とが粗化層３８を介して強
固に密着した配線基板を得た。即ち、この工程により、
樹脂充填剤４０の表面と内層銅パターン３４の表面が同
一平面となる。

【００５５】(6) 導体回路３４を形成した基板３０にア
ルカリ脱脂してソフトエッチングして、次いで、塩化パ
ラジウウムと有機酸からなる触媒溶液で処理して、Ｐｄ
触媒を付与し、この触媒を活性化した後、硫酸銅３．９
１×１０^-2ｍｏｌ／ｌ、硫酸ニッケル３．７５×１０^-3
ｍｏｌ／ｌ、クエン酸ナトリウム７．５５×１０^-2ｍｏ
ｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム２．２７×１０^-1ｍｏｌ
／ｌ、界面活性剤（日信化学工業製、サーフィール４６
５）１．１０×１０^-4ｍｏｌ／ｌ、０．１ｇ／ｌ、ＰＨ
＝９からなる無電解めっき液に浸積し、浸漬１分後に、
４秒当たり１回に割合で縦、および、横振動させて、導
体回路３４およびスルーホール３６のランド３６ａの表
面にＣｕ−Ｎｉ−Ｐからなる針状合金の被覆層と粗化層
４２を設けた（図３（Ｊ）参照）。

【００５６】さらに、ホウフっ化スズ０．１ｍｏｌ／
ｌ、チオ尿素１．０ｍｏｌ／ｌ、温度３５℃、ＰＨ＝
１．２の条件でＣｕ−Ｓｎ置換反応させ、粗化層の表面
に厚さ０．３μｍＳｎ層（図示せず）を設けた。

【００５７】(7) Ｂの層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成
物を攪拌混合し、粘度1.5 Pa・ｓに調整して層間樹脂絶
縁剤（下層用）を得た。次いで、Ａの無電解めっき用接
着剤調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度７Pa・ｓに
調整して無電解めっき用接着剤溶液（上層用）を得た。

【００５８】(8) 前記(6) の基板の両面に、前記(7) で
得られた粘度 1.5Pa・ｓの層間樹脂絶縁剤（下層用）４
４を調製後24時間以内にロールコータで塗布し、水平状
態で20分間放置してから、60℃で30分の乾燥（プリベー
ク）を行い、次いで、前記(7)で得られた粘度７Pa・ｓ
の感光性の接着剤溶液（上層用）４６を調製後24時間以
内に塗布し、水平状態で20分間放置してから、60℃で30
分の乾燥（プリベーク）を行い、厚さ35μｍの接着剤層
５０αを形成した（図３（Ｋ）参照）。

【００５９】(9) 前記(8) で接着剤層を形成した基板３
０の両面に８５μｍφの黒円が印刷されたフォトマスク
フィルム（図示せず）を密着させ、超高圧水銀灯により
500mJ／cm²で露光した。これをＤＭＴＧ溶液でスプレ
ー現像し、さらに、当該基板３０を超高圧水銀灯により
3000mJ／cm²で露光し、100 ℃で１時間、120 ℃で１時
間、その後 150℃で３時間の加熱処理（ポストベーク）
をすることにより、フォトマスクフィルムに相当する寸
法精度に優れた85μｍφの開口（バイアホール形成用開
口）４８を有する厚さ35μｍの層間樹脂絶縁層（２層構
造）５０を形成した（図３（Ｌ）参照）。なお、バイア
ホールとなる開口４８には、スズめっき層（図示せず）
を部分的に露出させた。

【００６０】(10)開口４８が形成された基板３０を、ク
ロム酸に19分間浸漬し、層間樹脂絶縁層５０の表面に存
在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、当
該層間樹脂絶縁層５０の表面を粗化し（図３（Ｍ）参
照）、その後、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してか
ら水洗いした。さらに、粗面化処理（粗化深さ６μｍ）
した該基板の表面に、パラジウム触媒（アトテック製）
を付与することにより、層間樹脂絶縁層５０の表面およ
びバイアホール用開口４８の内壁面に触媒核を付けた。

【００６１】(11)以下に示す組成の無電解銅めっき水溶
液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ0.6 μｍの無電
解銅めっき膜５２を形成した（図４（Ｎ））。〔無電解めっき水溶液〕ＥＤＴＡ 150 ｇ／ｌ硫酸銅 20 ｇ／ｌＨＣＨＯ 30 ml／ｌＮａＯＨ 40 ｇ／ｌ α、α’−ビピリジル 80 mg／ｌＰＥＧ 0.1 ｇ／ｌ〔無電解めっき条件〕 70℃の液温度で30分

【００６２】(12)前記(11)で形成した無電解銅めっき膜
５２上に市販の感光性ドライフィルム５４αを張り付
け、所定のパターン５３ａの形成されたマスク５３を載
置して（図４（Ｏ）参照）、100 mJ／cm²で露光、0.8
％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ15μｍのめっきレ
ジスト５４を設けた（図４（Ｐ）参照）。

【００６３】(13)ついで、レジスト非形成部分に以下の
条件で電解銅めっきを施し、厚さ15μｍの電解銅めっき
膜５６を形成した（図５（Ｑ）参照）。〔電解めっき水溶液〕硫酸 180 ｇ／ｌ硫酸銅 80 ｇ／ｌ添加剤（アトテックジャパン製、カパラシドＧＬ）１
ml／ｌ〔電解めっき条件〕電流密度１Ａ／dm² 時間 30分温度室温

【００６４】(14)めっきレジスト５４を５％ＫＯＨで剥
離除去した後、そのめっきレジスト下の無電解めっき膜
５２を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して
溶解除去し、無電解銅めっき膜５２と電解銅めっき膜５
６からなる厚さ18μｍの導体回路５８及びバイアホール
６０、６０ａ、６０ｂを形成した（図５（Ｒ））。

【００６５】(15)(6) と同様の処理を行い、導体回路５
８及びバイアホール６０、６０ａ、６０ｂの表面にCu-N
i-P からなる粗化面６２を形成し、さらにその表面にSn
置換を行った（図５（Ｓ）参照）。 (16)前記(7) 〜(15)の工程を繰り返すことにより、さら
に上層の層間樹脂絶縁層１５０を設けてから導体回路１
５８及びバイアホール１６０ａ、１６０ｂを形成し、多
層配線基板を得た（図６（Ｔ）参照）。但し、該導体回
路１５８及びバイアホール１６０、１６０ｂの表面に形
成した粗化面６２では、Sn置換を行わなかった。

【００６６】(17)前記(16)で得られた基板３０両面に、
上記Ｄ．にて説明したソルダーレジスト組成物を20μｍ
の厚さで塗布した。次いで、70℃で20分間、70℃で30分
間の乾燥処理を行った後、円パターン（マスクパター
ン）が描画された厚さ５mmのフォトマスクフィルム（図
示せず）を密着させて載置し、1000mJ／cm²の紫外線で
露光し、DMTG現像処理した。そしてさらに、80℃で１時
間、 100℃で１時間、 120℃で１時間、 150℃で３時間
の条件で加熱処理し、はんだパッド部分（バイアホール
とそのランド部分を含む）に開口（開口径 200μｍ）７
１を有するソルダーレジスト層（厚み20μｍ）７０を形
成した（図６（Ｕ）参照）。更に、ソルダーレジスト層
７０の上層に補強層７８を形成した。

【００６７】(18)次に、塩化ニッケル２．３１×１０^-2
ｍｏｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム２．８４×１０^-2ｍ
ｏｌ／ｌ、クエン酸ナトリウム１．５５×１０^-2ｍｏｌ
／ｌ、からなるｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液
に該基板３０を２０分間浸漬して、ソルダーレジスト層
７０の開口部７１に厚さ５μｍのニッケルめっき層７２
を形成した。さらに、その基板を、シアン化金カリウム
７．６１×１０^-3ｍｏｌ／ｌ、塩化アンモニウム１．８
７×１０^-1ｍｏｌ／ｌ、クエン酸ナトリウム１．１６×
１０^-1ｍｏｌ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム１．７０×１
０^-1ｍｏｌ／ｌからなる無電解金めっき液に80℃の条件
で７分２０秒間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に厚
さ0.03μｍの金めっき層７４を形成することで、バイア
ホール１６０ａ、１６０ｂ及び導体回路１５８に半田パ
ッド７５を形成した（図６（Ｖ）参照）。

【００６８】(19)そして、ソルダーレジスト層７０の開
口部７１に、半田ペーストを印刷して200℃でリフロー
することにより、半田バンプ（半田体）７６Ｕａ、７６
Ｕｂ、７６Ｄａ、７６Ｄｂを形成し、多層プリント配線
板１０を形成した（図７参照）。

【００６９】引き続き、該多層プリント配線板１０への
ＩＣチップの載置及び、ドータボード９４への取り付け
について、図８を参照して説明する。完成した多層プリ
ント配線板１０の半田バンプ７６Ｕａ、７６ＵｂにＩＣ
チップ９０の半田パッド９２が対応するように、ＩＣチ
ップ９０を載置し、リフローを行うことで、ＩＣチップ
９０の取り付けを行う。同様に、リフローにより多層プ
リント配線板１０の半田バンプ７６Ｄａ、７６Ｄｂにド
ータボード９４を取り付ける。

【００７０】引き続き、本発明の第２実施形態に係る多
層プリント配線板について図１０〜図１４を参照して説
明する。図１０は、第２実施形態に係る多層プリント配
線板の断面図を示し、図１１（Ａ）は、図１０中のＢ−
Ｂ断面、即ち、スルーホール１３６の開口部の平面図で
あり、図１１（Ｂ）は、該スルーホール１３６を斜視図
的に示す説明図である。図１０に示すように該多層プリ
ント配線板では、多層コア基板１３０の表面及び裏面に
ビルドアップ配線層１８０Ａ、１８０Ｂが形成されてい
る。該ビルトアップ層１８０Ａ、１８０Ｂには、バイア
ホール２６０の形成された層間樹脂絶縁層２５０と、バ
イアホール３６０の形成された層間樹脂絶縁層３５０と
からなる。上面側には、集積回路チップへ接続するため
の半田バンプ２７６Ｕが配設されている。一方、下面側
には、ドーターボード（サブボード）に接続するための
半田バンプ２７６Ｄが配設されている。

【００７１】この第２実施形態においても、スルーホー
ル１３６には２つの配線路１３７ａ、１３７ｂが形成さ
れている。但し、該第２実施形態では、スルーホール１
３６の開口に形成されるランド１３６ａは、円形に形成
され、図１０に示すように該ランド３６ａへ直接バイア
ホール２６０が接続されている。このように接続するこ
とで、ランド１３６ａ直上の領域を内層パッドとして機
能せしめデッドスペースを無くす。その結果、多層コア
基板１３０中に設けられるスルーホール１３６の配置密
度を向上させることによりスルーホール１３６の数を増
やすことができる。更に、１つのスルーホール１３６毎
に２つの配線路１３７ａ、１３７ｂを設けている。

【００７２】それゆえ、導体回路の基板の外周への引き
回しを表面、裏面の両方のビルドアップ層１８０Ａ、１
８０Ｂで行うことができる。また、上述したように多層
プリント配線板では、裏面の複数のバンプからの配線が
統合されながら表面側のバンプへ接続されるが、スルー
ホールを必要な密度で形成することで、表側及び裏側に
形成されるビルドアップ配線層１８０Ａ、１８０Ｂで、
同じペースで配線の統合を行える。これにより、表側及
び裏側に形成されるビルドアップ配線層１８０Ａ、１８
０Ｂの層数を減らすことができる。

【００７３】以下、第２実施形態に係る多層プリント配
線板の製造工程の実施例を、図１２〜図１４を参照して
具体的に説明する。（１）厚さ１２μｍも銅箔が貼付けられた厚さ０．５ｍ
ｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドト
リアジン）樹脂からなる銅張積層基板１３０を用いる
（図１２（Ａ）参照）。該銅張積層基板１３０に直径３
００μｍの貫通孔１１５をドリルで削孔する（図１２
（Ｂ）参照）。次に、Ｐｂ触媒を付与した後、無電解め
っき処理を施し、通孔１１５にスルーホール１１６を形
成する（図１２（Ｃ）参照）。

【００７４】（３）前記（２）で無電解銅めっき膜から
なるスルーホール１１６を形成した基板１３０を、水洗
いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌ
Ｏ₂（４０ｇ／ｌ）、Ｎａ₃ＰＯ₄（６ｇ／ｌ）を酸化
浴（黒化浴）、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ
₄（６ｇ／ｌ）を還元浴とする酸化還元処理に供し、そ
のスルーホール１１６を含む導体の全表面に粗化層２０
を設けた（図１２（Ｄ）参照）。

【００７５】（４）次に、平均粒径１０μｍの銅粒子を
含む充填剤１２２（タツタ電線製の非導電性穴埋め銅ペ
ースト、商品名：ＤＤペースト）を、スルーホール１１
６へスクリーン印刷によって充填し、乾燥、硬化させた
（図１３（Ｅ））。そして、導体上面の粗化層１２０お
よびスルーホール１１６からはみ出した充填剤１２２
を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いた
ベルトサンダー研磨により除去し、さらにこのベルトサ
ンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行い、
基板１３０の表面を平坦化した（図１３（Ｆ）参照）。

【００７６】（５）前記（４）で平坦化した基板１３０
表面に、パラジウム触媒（アトテック製）を付与し、無
電解銅めっきを施すことにより、厚さ０．６μｍの無電
解銅めっき膜１２３を形成した（図１３（Ｇ）参照）。

【００７７】（６）ついで、以下の条件で電解銅めっき
を施し、厚さ１５μｍの電解銅めっき膜１２４を形成
し、通孔１１６に充填された充填剤１２２を覆う導体層
（円形のスルーホールランドとなる）１２６ａとなる部
分を形成した（図１３（Ｈ））。

【００７８】（７）導体層１２６ａとなる部分を形成し
た基板３０の両面に、市販の感光性ドライフィルムを張
り付け、マスクを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ²で露
光、０．８％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ１５μ
ｍのエッチングレジスト１２５を形成した（図１４
（Ｉ）参照）。ここで、該導体層１２６ａを分割するた
めに、当該導体層１２６ａの中央部位にもエッチングレ
ジスト１２５を残す。

【００７９】（８）そして、エッチングレジスト１２５
を形成してない部分のめっき膜１２３，１２４を、硫酸
と過酸化水素の混合液を用いるエッチングにて溶解除去
し、さらに、エッチングレジスト１２５を５％ＫＯＨで
剥離除去して、充填剤１２２を覆う導体層１２６ａを形
成した（図１４（Ｊ）参照）。

【００８０】（９）さらに、２×１０-4秒の短パルス炭
酸ガスレーザを照射して、スルーホール１１６内の充填
剤１２２の一部を除去した。スルーホール１１６は、導
体層１２６ａで覆われているため、これがレーザのマス
クとなり、覆われていない部分のみの充填剤１２２が除
去される。充填剤の除去によって、スルーホール導体１
１６の内壁が露出した（図１４（Ｋ））。

【００８１】（１０）次に硫酸−過酸化水素水溶液によ
って露出したスルーホール導体１１６を溶解除去し、ス
ルーホール１１６を２分割し、配線路１３７ａ，１３７
ｂを得た（図１４（Ｌ））。（１１）ついで、スルーホール導体１１６表面を（３）
で使用した酸化（黒化）−還元処理によって粗化した
（図１５（Ｍ））。

【００８２】（１２）さらに、スルーホール部１１６に
開口が形成された金属マスクを載置し、該スルーホール
部１１６内へ前述の非導電性の金属ペースト２２４を充
填し、さらに、Ｃの樹脂充填剤２２２を導体回路間に充
填して、表面を研磨して平坦化した（図１５（Ｎ））。
以降の製造工程は、図１〜図７を参照して上述した第２
実施形態と同様であるため説明を省略する。

【００８３】なお、上述した第１、第２実施形態では、
多層プリント配線板のスルーホールを２分割して配線路
を設ける例を示したが、３以上に分割し更に配線密度を
高めることも可能である。

【００８４】

【発明の効果】以上説明したように本発明の多層プリン
ト配線板では、スルーホール内に複数の配線路を設ける
ことで、コア基板を通過する配線路の数を増やすことが
できるため、ビルトアップ層の数を減らすことが可能に
なる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図１（Ｃ）、図１
（Ｄ）、図１（Ｅ）は、本発明の第１実施形態に係る多
層プリント配線板の製造工程図である。

【図２】図２（Ｆ）、図２（Ｇ）、図２（Ｈ）、図２
（Ｉ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配
線板の製造工程図である。

【図３】図３（Ｊ）、図３（Ｋ）、図３（Ｌ）、図３
（Ｍ）は、本発明の第１実施形態に係る多層プリント配
線板の製造工程図である。

【図４】図４（Ｎ）、図４（Ｏ）、図４（Ｐ）は、本発
明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程
図である。

【図５】図５（Ｑ）、図５（Ｒ）、図５（Ｓ）は、本発
明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程
図である。

【図６】図６（Ｔ）、図６（Ｕ）、図６（Ｖ）は、本発
明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程
図である。

【図７】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線
板の断面図である。

【図８】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線
板にＩＣチップを載置させた状態を示す断面図である。

【図９】図９（Ａ）は、図７のＡ−Ａ断面図であり、図
９（Ｂ）は、第１実施形態の多層プリント配線板のスル
ーホールの説明図である。

【図１０】本発明の第２実施形態に係る多層プリント配
線板の断面図である。

【図１１】図１１（Ａ）は、図１０のＢ−Ｂ断面図であ
り、図１１（Ｂ）は、第２実施形態の多層プリント配線
板のスルーホールの説明図である。

【図１２】図１２（Ａ）、図１２（Ｂ）、図１２
（Ｃ）、図１２（Ｄ）は、本発明の第２実施形態に係る
多層プリント配線板の製造工程図である。

【図１３】図１３（Ｅ）、図１３（Ｆ）、図１３
（Ｇ）、図１３（Ｈ）は、本発明の第２実施形態に係る
多層プリント配線板の製造工程図である。

【図１４】図１４（Ｉ）、図１４（Ｊ）、図１４
（Ｋ）、図１４（Ｌ）は、本発明の第２実施形態に係る
多層プリント配線板の製造工程図である。

【図１５】図１５（Ｍ）、図１５（Ｎ）は、本発明の第
２実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図であ
る。

【図１６】図１６（Ａ）、図１６（Ｂ）は、本発明の第
１実施形態の別形態に係る多層プリント配線板の断面図
である。

【符号の説明】３０コア基板３６スルーホール３７ａ、３７ｂ配線路５０層間樹脂絶縁層５８導体回路６０ａ、６０ｂバイアホール７５半田パッド８０Ａ、８０Ｂビルトアップ層１２２充填剤１５０層間樹脂絶縁層１５８導体回路１６０ａ、１６０ｂバイアホール１３０コア基板１３６スルーホール１３７ａ、３７ｂ配線路１８０Ａ、１８０Ｂビルトアップ層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 5E346 AA06 AA12 AA15 AA16 AA26 AA29 AA43 BB01 BB13 BB16 CC08 CC43 CC55 CC58 DD03 DD22 DD33 DD44 DD47 EE31 EE33 EE38 FF02 FF13 FF34 GG01 GG02 GG15 GG17 GG22 GG23 GG25 GG27 HH24 HH25 HH31

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】層間樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層
され、各導体層間が、バイアホールにて接続された多層
配線層が、コア基板上に形成され、前記導体層がコア基
板に形成されたスルーホールによりそのコア基板の裏面
側の導体層と電気的に接続されてなる多層プリント配線
板において、前記コア基板の１のスルーホールに複数の配線路を配設
したことを特徴とする多層プリント配線板。
【請求項２】層間樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層
され、各導体層間がバイアホールにて接続された多層配
線層が、コア基板の両面に形成され、前記コア基板の両
面の導体層同士がコア基板に形成されたスルーホールに
より電気的に接続されてなる多層プリント配線板におい
て、前記コア基板の１のスルーホールに複数の配線路を配設
したことを特徴とする多層プリント配線板。
【請求項３】層間樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層
され、各導体層間がバイアホールにて接続された多層配
線層が、コア基板の両面に形成され、前記コア基板の両
面の導体層同士がコア基板に形成されたスルーホールに
より電気的に接続されてなる多層プリント配線板におい
て、前記コア基板の１のスルーホールに２本以上の配線路を
配設したことを特徴とする多層プリント配線板。
【請求項４】層間樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層
され、各導体層間がバイアホールにて接続された多層配
線層が、コア基板の両面に形成されてなる多層プリント
配線板において、前記コア基板のスルーホールには、充填剤が充填される
とともに該充填剤のスルーホールからの露出面を覆う導
体層が形成され、該スルーホール及び該導体層が複数に分割され、当該分割された導体層に前記バイアホールが接続されて
いることを特徴とする多層プリント配線板。