JP2002100876A

JP2002100876A - プリント配線板及びプリント配線板の製造方法

Info

Publication number: JP2002100876A
Application number: JP2000390353A
Authority: JP
Inventors: Motoo Asai; 元雄浅井; Yasushi Inagaki; 靖稲垣; Touto O; 東冬王; Hideo Yahashi; 英郎矢橋; Seiji Shirai; 誠二白井; Katsutoshi Ito; 克敏伊藤
Original assignee: Ibiden Co Ltd
Current assignee: Ibiden Co Ltd
Priority date: 2000-07-21
Filing date: 2000-12-22
Publication date: 2002-04-05
Anticipated expiration: 2020-12-22
Also published as: JP4863546B2

Abstract

(57)【要約】【課題】ループインダクタンスを低減できると共に高
い信頼性を有するプリント配線板、及びその製造方法を
提供する。【解決手段】ＩＣチップ９０の直下にチップコンデン
サ２０を配置するため、ＩＣチップとコンデンサとの距
離が短くなり、ループインダクタンスを低減できる。ま
た、コア基板３０の凹部３０ａに収容されたチップコン
デンサ２０の第１、第２端子２１，２２と、層間樹脂絶
縁層４０に形成されたバイアホール４６とを、導電性バ
ンプ３１と導体回路３４とを介して接続するため、高い
接続信頼性を達成することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】ＩＣチップなどの電子部品を
載置するプリント配線板に関し、特にコンデンサを内蔵
するプリント配線板に関するのもである。

【０００２】

【従来の技術】現在、パッケージ基板用のプリント配線
板では、ＩＣチップへの電力の供給を円滑にする等の目
的のため、チップコンデンサを表面実装することがあ
る。

【０００３】チップコンデンサからＩＣチップまでの配
線のリアクタンス分は周波数に依存するため、ＩＣチッ
プの駆動周波数の増加に伴い、チップコンデンサを表面
実装させても十分な効果を得ることができなかった。こ
のため、本出願人は、特願平１１−２４８３１１号に
て、コア基板に凹部を形成し、凹部にチップコンデンサ
を収容させる技術を提案した。また、コンデンサを基板
に埋め込む技術としては、特開平６−３２６４７２号、
特開平７−２６３６１９号、特開平１０−２５６４２９
号、特開平１１−４５９５５号、特開平１１−１２６９
７８号、特開平１１−３１２８６８号等がある。

【０００４】特開平６−３２６４７２号には、ガラスエ
ポキシからなる樹脂基板に、コンデンサを埋め込む技術
が開示されている。この構成により、電源ノイズを低減
し、かつ、チップコンデンサを実装するスペースが不要
になり、絶縁性基板を小型化できる。また、特開平７−
２６３６１９号には、セラミック、アルミナなどの基板
にコンデンサを埋め込む技術が開示されている。この構
成により、電源層及び接地層の間に接続することで、配
線長を短くし、配線のインダクタンスを低減している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た特開平６−３２６４７２号、特開平７−２６３６１９
号は、ＩＣチップからコンデンサの距離をあまり短くで
きず、ＩＣチップの更なる高周波数領域においては、現
在必要とされるようにインダクタンスを低減することが
できなかった。特に、樹脂製の多層ビルドアップ配線板
においては、セラミックから成るコンデンサと、樹脂か
らなるコア基板及び層間樹脂絶縁層の熱膨張率の違いか
ら、チップコンデンサの端子とビアとの間に断線、チッ
プコンデンサと層間樹脂絶縁層との間で剥離、層間樹脂
絶縁層にクラックが発生し、長期に渡り高い信頼性を達
成することができなかった。

【０００６】一方、特願平１１−２４８３１１号の発明
では、コンデンサの配設位置ずれがあったとき、コンデ
ンサの端子とビアとの接続が正確にできず、コンデンサ
からＩＣチップへの電力供給ができなくなる恐れがあっ
た。

【０００７】また、パッケージ基板として用いられる多
層ビルドアップ配線板は、各層間樹脂絶縁層を以下の工
程を経てビルドアップしていく。まず、ロールーコータ
ーや印刷により層間絶縁樹脂を塗布、露光、現像して、
層間導通のためのバイアホール開口部を形成させて、Ｕ
Ｖ硬化、本硬化を経て層間樹脂絶縁層を形成する。さら
に、その層間絶縁層に酸や酸化剤などにより粗化処理を
施した粗化面にパラジウムなどの触媒を付ける。そし
て、薄い無電解めっき膜を形成し、そのめっき膜上にド
ライフィルムにてパターンを形成し、電解めっきで厚付
けしたのち、アルカリでドライフィルムを剥離除去し、
エッチングして導体回路を作り出させる。即ち、１層を
形成する毎に上述した工程を繰り返すこと必要があり、
層数が増大すると、工程数が増すと共に歩留まりが低下
する。

【０００８】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、その目的は、コンデンサを内蔵
し、接続信頼性を高めたプリント配線板及びプリント配
線板の製造方法を提供することにある。

【０００９】また、本発明は、ループインダクタンスを
低減でき、なおかつ、層間樹脂絶縁層の層数を削減した
プリント配線板およびプリント配線板の製造方法を提供
することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ため、請求項１では、凹部にコンデンサを収容するコア
基板に、樹脂絶縁層と導体回路とを積層してなるプリン
ト配線板であって、前記コア基板の凹部の底部に通孔が
形成され、前記コア基板の表面に、前記通孔の開口部を
塞ぐ導体回路が形成され、前記凹部に収容されたコンデ
ンサの端子と前記通孔を塞ぐ導体回路とが、前記通孔内
で導電性バンプを介して接続されていることを技術的特
徴とする。

【００１１】請求項１では、プリント配線板内にコンデ
ンサを配置するため、ＩＣチップとコンデンサとの距離
が短くなり、ループインダクタンスを低減することがで
きる。また、コンデンサの端子と導体回路とが、コア基
板の通孔内で導電性バンプを介して接続されるため、高
い接続信頼性を達成することができる。また、ヒートサ
イクル条件化などの信頼性試験を行ってもコンデンサと
導体回路との間の剥離やクラックなどを誘発しないので
ある。

【００１２】コア基板内にコンデンサを収容することが
可能となり、ＩＣチップとコンデンサとの距離が短くな
るため、プリント配線板のループインダクタンスを低減
できる。また、導体回路が形成された樹脂基板を複数枚
積層してコア基板を形成しているため、コア基板内の配
線密度が高まり、層間樹脂絶縁層の層数を減らすことが
可能となる。

【００１３】コア基板上に層間樹脂絶縁層を設けて、該
層間樹脂絶縁層にバイアホールもしくはスルーホールを
施して、導電層である導体回路を形成するビルドアップ
法によって形成する回路を意味している。それらには、
セミアディティブ法、フルアディティブ法のいずれかを
用いることができる。

【００１４】空隙には、樹脂を充填させることが望まし
い。コンデンサ、コア基板間の空隙をなくすことによっ
て、内蔵されたコンデンサが、挙動することが小さくな
るし、コンデンサを起点とする応力が発生したとして
も、該充填された樹脂により緩和することができる。ま
た、該樹脂には、コンデンサとコア基板との接着やマイ
グレーションの低下させるという効果も有する。

【００１５】また、請求項１のプリント配線板は、表層
にはフリップチップ実装により、ＩＣである半導体素子
が配設されて、コア基板に収容したコンデンサへと接続
される。そのとき、半導体素子−導体回路−導電性バン
プ−コンデンサの順で伝わる。導電性バンプが電気接続
性と基板の収容性を向上させるのである。この場合は、
コンデンサの収容位置は、ＩＣである半導体素子の直下
であることが望ましい。

【００１６】さらに、コンデンサの下面より、電気的接
続を行ってもよい。この場合は、コンデンサの上面と同
じように導電性バンプで接続を行うか、あるいはコンデ
ンサの端子部分に直接、導体層で接続させてもよい。ま
た、一つの凹部内に複数のコンデンサを収容してもよ
い。

【００１７】導電性バンプは、メッキ膜、半田ペース
ト、導電性ペースト、絶縁性樹脂に金属粒子が含浸され
たものを示唆する。メッキ膜としては、ニッケル、銅、
銀、金、チタン、スズ等の金属めっきにより形成する。
半田としては、Ｓｎ／Ｐｂ、Ｓｎ／Ｓｂ、Ｓｎ／Ａｇ、
Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕなどの合金を用いることができる。導
電性ペーストとしては、金、銀、銅、鉄などの導電性の
ある金属粒子であるものを主成分とする導電性を有する
ものを用いることができる。樹脂に金属粒子が含浸され
たもの等の導電性と接着性を兼ね備えるものを用いるこ
とができる。

【００１８】請求項２では、導電性バンプが、圧接ペー
ストから成るため、コンデンサの端子と導体回路との高
い接続信頼性を達成することができる。

【００１９】導電性バンプは、ニッケル、銅、銀、金、
チタン等の金属めっきにより形成する。これらを２層以
上の複数層で形成させてもよい。また、それ以外にも半
田（Ｓｎ／Ｐｂ、Ｓｎ／Ｓｂ、Ｓｎ／Ａｇ、Ｓｎ／Ａｇ
／Ｃｕ）、導電性ペースト（金、銀、銅などの金属粒子
をメインにしたものをペースト状にしたものを意味す
る）、あるいはエポキシ樹脂、フェノール樹脂などの絶
縁性樹脂に金属粒子が含浸されたもの等の導電性有する
ものを用いることができる。つまり、導電性と接着性を
兼ね備えるものを用いることができ、コンデンサの収容
とコンデンサとの電気的接続を行うことができるのであ
る。

【００２０】請求項３では、樹脂基板は、心材に樹脂を
含浸させてなるため、コア基板に高い強度を持たせるこ
とができる。

【００２１】請求項４では、コア基板内に複数個のコン
デンサを収容するため、コンデンサの高集積化が可能と
なる。

【００２２】請求項５では、基板内に収容したコンデン
サに加えて表面にコンデンサを配設してある。プリント
配線板内にコンデンサが収容してあるために、ＩＣチッ
プとコンデンサとの距離が短くなり、ループインダクタ
ンスを低減し、瞬時に電源を供給することができ、一
方、プリント配線板の表面にもコンデンサが配設してあ
るので、大容量のコンデンサを取り付けることができ、
ＩＣチップに大電力を容易に供給することが可能とな
る。

【００２３】請求項６では、表面のコンデンサの静電容
量は、内層のコンデンサの静電容量以上であるため、高
周波領域における電源供給の不足がなく、所望のＩＣチ
ップの動作が確保される。

【００２４】請求項７では、表面のコンデンサのインダ
クタンスは、内層のコンデンサのインダクタンス以上で
あるため、高周波領域における電源供給の不足がなく、
所望のＩＣチップの動作が確保される。

【００２５】請求項８、請求項９では、金属膜を形成し
たチップコンデンサの電極へめっきによりなるバイアホ
ールで電気的接続を取ってある。ここで、チップコンデ
ンサの電極は、メタライズからなり表面に凹凸がある
が、金属膜により表面が平滑になり、導電性バンプとの
接続させた際、隙間が形成されにくい。そのため、電気
接続性が向上される。また、信頼性試験を行っても、そ
の接続部分を起点とする剥離やクラックなどを引き起こ
さない。また、そのコンデンサの裏面から電気接続を行
うためにバイアホールを形成させたとしても、電極上に
被覆された樹脂に通孔を形成した際に、樹脂残さが残ら
ず、バイアホールと電極との接続信頼性を高めることが
できる。更に、めっきの形成された電極に、めっきによ
りバイアホールを形成するため、電極とバイアホールと
の接続性が高く、ヒートサイクル試験を実施しても、電
極とバイアホール間の断線が生じることがない。

【００２６】コンデンサの電極の金属膜には、銅、ニッ
ケル、貴金属のいずれかの金属が配設されているものが
望ましい。内蔵したコンデンサにスズや亜鉛などの層
は、バイアホールとの接続部におけるマイグレーション
を誘発しやすいからである。故に、マイグレーションの
発生を防止することも出来る。

【００２７】また、チップコンデンサの表面に粗化処理
を施してもよい。これにより、セラミックから成るチッ
プコンデンサと樹脂からなる層間樹脂絶縁層との密着性
が高く、ヒートサイクル試験を実施しても界面での層間
樹脂絶縁層の剥離が発生することがない。

【００２８】請求項１０では、絶縁性接着剤の熱膨張率
を、コア基板よりも小さく、即ち、セラミックからなる
コンデンサに近いように設定してある。このため、ヒー
トサイクル試験において、コア基板とコンデンサとの間
に熱膨張率差から内応力が発生しても、コア基板にクラ
ック、剥離等が生じ難く、高い信頼性を達成できる。

【００２９】請求項１１では、チップコンデンサの電極
の被覆層から、少なくとも一部が露出してプリント配線
板に収容し、被覆層から露出した電極に電気的接続を取
ってある。このとき、被覆層から露出した金属は、主成
分がＣｕであることが望ましい。接続抵抗を低減するこ
とができるからである。

【００３０】請求項１２では、外縁の内側に電極の形成
されたチップコンデンサを用いるため、導電性バンプを
経て導通を取っても外部電極が大きく取れ、アライメン
トの許容範囲が広がるために、接続不良がなくなる。

【００３１】請求項１３では、マトリクス状に電極が形
成されたコンデンサを用いるので、大判のチップコンデ
ンサをコア基板に収容することが容易になる。そのた
め、静電容量を大きくできるので、電気的な問題を解決
することができる。さらに、種々の熱履歴などを経ても
プリント配線板に反りが発生し難くなる。

【００３２】請求項１４では、コンデンサに多数個取り
用のチップコンデンサを複数連結させてもよい。それに
よって、静電容量を適宜調整することができ、適切にＩ
Ｃチップを動作させることができる。

【００３３】請求項１５では、コンデンサの電極に導電
性ペーストを塗布し、導電性ペーストを塗布した電極へ
めっきにより電気的接続を取ってある。導電性ペースト
が被覆されているため、電極の表面が平滑になり、製造
工程において、電極の上に層間樹脂絶縁層を設けて、レ
ーザでバイアホール用開口を形成した際に、樹脂残りが
なくなり、めっきによりバイアホールを形成した際の接
続信頼性を高めることができる。

【００３４】請求項１６のプリント配線板の製造方法
は、少なくとも以下（ａ）〜（ｆ）の工程を備えること
を技術的特徴とする：（ａ）コア基板に凹部及び、該凹部の底部に通孔を形成
する工程；（ｂ）前記コア基板の表面に、前記通孔の開口部を塞ぐ
導体回路を形成する工程；（ｃ）前記コア基板の凹部に樹脂を配設する工程；（ｄ）コンデンサの端子に導電性バンプを配設する工
程；（ｅ）前記コア基板の凹部に前記コンデンサを収容し、
前記導電性バンプを介して前記通孔の開口部を塞ぐ導体
回路と接続を取る工程：（ｆ）前記コア基板に、樹脂絶縁層と導体回路とを積層
する工程。

【００３５】請求項１６では、プリント配線板内にコン
デンサを配置するため、ＩＣチップとコンデンサとの距
離が短くなり、ループインダクタンスを低減することが
できる。また、コンデンサの端子と導体回路とが、コア
基板の通孔内で導電性バンプを介して接続されるため、
高い接続信頼性を達成することができる。

【００３６】請求項１７では、導電性バンプを介して通
孔の開口部を塞ぐ導体回路と接続を取る工程において、
超音波振動を与える。このため、コア基板の凹部に樹脂
を配置してからコンデンサを載置しても、コンデンサの
端子と導体回路との高い接続信頼性を達成することがで
きる。

【００３７】請求項１８のプリント配線板の製造方法
は、少なくとも以下（ａ）〜（ｅ）の工程を備えること
を技術的特徴とする：（ａ）コア基板に凹部及び、該凹部の底部に通孔を形成
する工程；（ｂ）前記コア基板の表面に、前記通孔の開口部を塞ぐ
導体回路を形成する工程；（ｃ）前記コア基板の通孔に導電性バンプを配設する工
程；（ｄ）前記コア基板の凹部に前記コンデンサを収容し、
前記導電性バンプを介して前記コンデンサの端子と前記
通孔の開口部を塞ぐ導体回路との接続を取る工程：（ｅ）前記コア基板に、樹脂絶縁層と導体回路とを積層
する工程。

【００３８】請求項１８では、プリント配線板内にコン
デンサを配置するため、ＩＣチップとコンデンサとの距
離が短くなり、ループインダクタンスを低減することが
できる。また、コンデンサの端子と導体回路とが、コア
基板の通孔内で導電性バンプを介して接続されるため、
高い接続信頼性を達成することができる。

【００３９】請求項１９では、導電性バンプが、圧接ペ
ーストから成るため、コンデンサの端子と導体回路との
高い接続信頼性を達成することができる。

【００４０】なお、コア基板の凹部内には、樹脂を充填
させることが望ましい。コンデンサ、コア基板間の空隙
をなくすことによって、内蔵されたコンデンサが、挙動
することが小さくなるし、コンデンサを起点とする応力
が発生したとしても、該充填された樹脂により緩和する
ことができる。また、該樹脂には、コンデンサとコア基
板との接着やマイグレーションの低下させるという効果
も有する。

【００４１】チップコンデンサの表面に粗化処理が施す
ことができる。これにより、セラミックから成るチップ
コンデンサと樹脂からなる層間樹脂絶縁層との密着性が
高く、ヒートサイクル試験を実施しても界面での層間樹
脂絶縁層の剥離が発生することがない。

【００４２】また、コンデンサの端子の周囲に銅をめっ
き等により形成することが好適である。これにより、内
蔵したコンデンサには、マイグレーションの発生するこ
とがなくなる。また、コンデンサを充填させる樹脂との
剥離やクラックがなくなり、収容性が向上される。その
ため、電気特性の低下もない。

【００４３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図を参照して説明する。先ず、本発明の第１実施形態に
係るプリント配線板の構成について図７、図８を参照し
て説明する。図７は、プリント配線板１０の断面を示
し、図８は、図７に示すプリント配線板１０にＩＣチッ
プ９０を搭載し、ドータボード９４側へ取り付けた状態
を示している。

【００４４】図７に示すようにプリント配線板１０は、
チップコンデンサ２０と、チップコンデンサ２０を収容
するコア基板３０と、ビルドアップ層８０Ａ、８０Ｂを
構成する層間樹脂絶縁層４０、層間樹脂絶縁層６０とか
らなる。コア基板３０にはチップコンデンサ２０を収容
するための凹部３０ａと、チップコンデンサ２０の第
１、第２端子２１，２２との接続を取る導電性バンプ３
１を収容するための通孔３０ｂとが形成されている。層
間樹脂絶縁層４０には、バイアホール４６及び導体回路
４８が形成され、層間樹脂絶縁層６０には、バイアホー
ル６６及び導体回路６８が形成されている。

【００４５】図８に示すように上側のビルドアップ層８
０Ａのバイアホール６６には、ＩＣチップ９０のパッド
９２Ｓ１、９２Ｓ２、９２Ｐ１，９２Ｐ２へ接続するた
めのバンプ７６が形成されている。一方、下側のビルド
アップ層８０Ｂのバイアホール６６には、ドータボード
９４のパッド９６Ｓ１、９６Ｓ２、９６Ｐ１、９６Ｐ２
へ接続するためのバンプ７６が配設されている。コア基
板３０にはスルーホール３６が形成されている。

【００４６】チップコンデンサ２０は、図９（Ａ）に示
すように第１端子２１と第２端子２２と、該第１、第２
端子に挟まれた誘電体２３とから成り、該誘電体２３に
は、第１端子２１側に接続された第１導電膜２４と、第
２端子２２側に接続された第２導電膜２５とが複数枚対
向配置されている。第１端子２１と第２端子２２は、焼
成により形成されたメタライズ層２６からなり、メタラ
イズ層２６の表面には、銅めっき等の金属被覆２９が被
せられている。この金属被覆２９により導電性バンプ３
１との電気接続性を改善でき、また、マイグレーション
の発生を防止できる。なお、図９（Ｂ）に示すように金
属被覆２９を被覆することなくメタライズ層２６を露出
させた状態で用いることも可能である。

【００４７】図８中に示すＩＣチップ９０の信号用のパ
ッド９２Ｓ２は、バンプ７６−導体回路６８−バイアホ
ール６６−スルーホール３６−バイアホール６６−バン
プ７６を介して、ドータボード９４の信号用のパッド９
６Ｓ２に接続されている。一方、ＩＣチップ９０の信号
用のパッド９２Ｓ１は、バンプ７６−バイアホール６６
−スルーホール３６−バイアホール６６−バンプ７６を
介して、ドータボード９４の信号用のパッド９６Ｓ１に
接続されている。

【００４８】ＩＣチップ９０の電源用パッド９２Ｐ１
は、バンプ７６−バイアホール６６−導体回路４８−バ
イアホール４６を介してチップコンデンサ２０の第１端
子２１へ接続されている。一方、ドータボード９４の電
源用パッド９６Ｐ１は、バンプ７６−バイアホール６６
−スルーホール３６−導体回路４８−バイアホール４６
を介してチップコンデンサ２０の第１端子２１へ接続さ
れている。

【００４９】ＩＣチップ９０の電源用パッド９２Ｐ２
は、バンプ７６−バイアホール６６−導体回路４８−バ
イアホール４６を介してチップコンデンサ２０の第２端
子２２へ接続されている。一方、ドータボード９４の電
源用パッド９６Ｐ２は、バンプ７６−バイアホール６６
−スルーホール３６−導体回路４８−バイアホール４６
を介してチップコンデンサ２０の第２端子２２へ接続さ
れている。

【００５０】本実施形態のプリント配線板１０では、Ｉ
Ｃチップ９０の直下にチップコンデンサ２０を配置する
ため、ＩＣチップとコンデンサとの距離が短くなり、電
力を瞬時的にＩＣチップ側へ供給することが可能にな
る。即ち、ループインダクタンスを決定するループ長さ
を短縮することができる。

【００５１】更に、本実施形態では、コア基板３０の凹
部３０ａに収容されたチップコンデンサ２０の第１、第
２端子２１，２２と、層間樹脂絶縁層４０に形成された
バイアホール４６とを、導電性バンプ３１と導体回路３
４とを介して接続するため、高い接続信頼性を達成する
ことができる。

【００５２】更に、チップコンデンサ２０とチップコン
デンサ２０との間にスルーホール３６を設け、チップコ
ンデンサ２０を信号線が通過しない。このため、コンデ
ンサを通過させた際に発生する高誘電体によるインピー
ダンス不連続による反射、及び、高誘電体通過による伝
搬遅延を防ぐことができる。

【００５３】また、プリント配線板の裏面側に接続され
る外部基板（ドータボード）９４とコンデンサ２０の第
１端子２１，第２端子２２とは、ＩＣチップ側の層間樹
脂絶縁層４０に設けられたバイアホール４６及びコア基
板３０に形成されたスルーホール３６を介して接続され
る。

【００５４】本実施形態では、図９（Ａ）に示すように
チップコンデンサ２０のセラミックから成る誘電体２３
の表面には粗化層２３ａが設けられている。このため、
セラミックから成るチップコンデンサ２０と樹脂からな
る層間樹脂絶縁層４０との密着性が高く、ヒートサイク
ル試験を実施しても界面での層間樹脂絶縁層４０の剥離
が発生することがない。この粗化層２３ａは、焼成後
に、チップコンデンサ２０の表面を研磨することによ
り、また、焼成前に、粗化処理を施すことにより形成で
きる。なお、本実施形態では、コンデンサの表面に粗化
処理を施し、樹脂との密着性を高めたが、この代わり
に、コンデンサの表面にシランカップリング処理を施す
ことも可能である。また、コンデンサには粗化層がなく
てもよい。

【００５５】また、本実施形態では、図７に示すように
コア基板３０の凹部３０ａの側面とチップコンデンサ２
０との間に樹脂充填材３２を介在させてある。ここで、
樹脂充填材３２の熱膨張率を、コア基板３０及び層間樹
脂絶縁層４０よりも小さく、即ち、セラミックからなる
チップコンデンサ２０に近いように設定してある。この
ため、ヒートサイクル試験において、コア基板及び層間
樹脂絶縁層４０とチップコンデンサ２０との間に熱膨張
率差から内応力が発生しても、コア基板３０及び層間樹
脂絶縁層４０にクラック、剥離等が生じ難く、高い信頼
性を達成できる。また、マイグレーションの発生を防止
することも出来る。

【００５６】ひき続き、図７を参照して上述したプリン
ト配線板の製造方法について、図１〜図５を参照して説
明する。（１）コア基板３０にザグリ加工により凹部３０ａを形
成する（図１（Ａ））。ここでは、ザグリ加工により凹
部を形成したが、通孔を有するプリプレグと通孔を有し
ないプリプレグとを積層して凹部を有するコア基板を形
成することもできる。又は、射出成形により凹部を有す
るコア基板を形成できる。コア基板３０としては、エポ
キシ樹脂をガラスクロス等の心材に含浸させたプリプレ
グを積層してなる積層板を用いることができる。エポキ
シ以外でも、ＢＴ、フェノール樹脂あるいはガラスクロ
スなどの強化材を含有しているもの等、一般的にプリン
ト配線板で使用されるものを用い得る。なお、ガラスク
ロスなどの心材を有しない樹脂基板を用いることもでき
る。しかし、コア基板をセラミックやＡＩＮなどの基板
を用いることはできなかった。該基板は外形加工性が悪
く、コンデンサを収容することができないことがあり、
樹脂で充填させても空隙が生じてしまうためである。樹
脂基板は融点が３００℃以下であるため、３５０℃を越
える温度を加えると溶解、軟化もくしは炭化してしま
う。

【００５７】（２）凹部３０ａの底部に、ドリル加工又
はレーザにより通孔３０ｂを形成する（図１（Ｂ））。
場合によっては、開口した部分をデスミア処理やプラズ
マ処理を行ってもよい。

【００５８】（３）コア基板３０の下面に、均一に銅め
っき膜を形成した後、所定のパターンにエッチングを行
い、通孔３０ｂの開口部を塞ぐ導体回路３４を形成する
（図１（Ｃ））。また、銅箔を貼り付けて、テンティン
グ法を経てパターン形成してもよい。

【００５９】（４）チップコンデンサ２０の第１端子２
１及び第２端子２２に導電性バンプ３１を形成する（図
１（Ｄ））。導電性バンプ３１は、ニッケル、銅、銀、
金、チタン等の金属めっきにより形成する。あるいは、
導電性バンプ３１として、半田（Ｓｎ／Ｐｂ、Ｓｎ／Ｓ
ｂ、Ｓｎ／Ａｇ、Ｓｎ／Ａｇ／Ｃｕ）、導電性ペース
ト、あるいは樹脂に金属粒子が含浸されたもの等の導電
性と接着性を兼ね備えるものを用いることができる。こ
の場合は、銅メッキ膜によって形成された導電性バンプ
とした。

【００６０】（５）コア基板３０の凹部３０ａに、印
刷、ポッティングによりコア基板よりも熱膨張率の小さ
な樹脂、例えばエポキシを主としてなる充填樹脂３２を
配置した後、チップコンデンサ２０を該凹部３２ａに嵌
入する（図１（Ｅ））。この状態で超音波振動を与える
ことにより、チップコンデンサ２０を凹部３０ａ内に沈
み込ませ、第１端子２１，第２端子２２の導電性バンプ
３１と導体回路３４とを接触させることで接続を取る
（図２（Ａ））。ここで、チップコンデンサ２０に上側
から圧力を加えることで導電性バンプ３１と導体回路３
４とを接触させることもできる。その後、加熱して硬化
させることで、チップコンデンサ２０を収容するコア基
板３０を形成する。充填樹脂としては、熱硬化性樹脂、
熱可塑性樹脂、もしくはその複合体を用いることができ
る。粘度調整やコア基板との熱膨張率との差を整合させ
るために、シリカ、アルミナなどの無機粒子、金属粒
子、樹脂粒子を配合させてもよい。

【００６１】（６）上記工程を経た基板に、厚さ５０μ
ｍの熱硬化型樹脂シートを温度５０〜１５０℃まで昇温
しながら圧力５ｋｇ／ｃｍ²で真空圧着ラミネートし、
層間樹脂絶縁層４０を設ける（図２（Ｂ）参照）。真空
圧着時の真空度は、１０ｍｍＨｇである。

【００６２】（７）次に、波長１０．４μｍのＣＯ²ガ
スレーザにて、ビーム径５ｍｍ、トップハットモード、
パルス幅５．０μ秒、マスクの穴径０．５ｍｍ、１ショ
ットの条件で、層間樹脂絶縁層４０に直径８０μｍのバ
イアホール用開口４３を設ける（図２（Ｃ）参照）。ま
た、クロム酸を用いて、開口４３内の樹脂残りを除去し
てもよい。なお、ここでは、クロム酸を用いて樹脂残さ
を除去したが、酸素プラズマを用いてデスミア処理を行
うことも可能である。

【００６３】（８）引き続き、層間樹脂絶縁層４０を形
成したコア基板３０に対して、ドリル、又は、レーザで
スルーホール用の通孔３３を１００〜５００μｍで穿設
する（図２（Ｄ））。

【００６４】（９）次に、クロム酸、過マンガン酸塩な
どの酸化剤等に浸漬させることによって、層間樹脂絶縁
層４０の粗化面（図示せず）を設ける。該粗化面は、
０．１〜５μｍの範囲で形成されることがよい。その一
例として、過マンガン酸ナトリウム溶液５０ｇ／ｌ、温
度６０℃中に５〜２５分間浸漬させることによって、２
〜３μｍの粗化面を設ける。上記以外には、日本真空技
術株式会社製のＳＶ−４５４０を用いてプラズマ処理を
行い、層間樹脂絶縁層４０の表面に粗化面を形成するこ
ともできる。この際、不活性ガスとしてはアルゴンガス
を使用し、電力２００Ｗ、ガス圧０．６Ｐａ、温度７０
℃の条件で、２分間プラズマ処理を実施する。

【００６５】（１０）粗化面が形成された層間樹脂絶縁
層４０上に、金属層４４を設ける（図４（Ａ）参照）。
金属層４４は、無電解めっきによって形成させる。予め
層間樹脂絶縁層４０の表層にパラジウムなどの触媒を付
与させて、無電解めっき液に５〜６０分間浸漬させるこ
とにより、０．１〜５μｍの範囲でめっき膜である金属
層５２を設ける。その一例として、〔無電解めっき水溶液〕ＮｉＳＯ₄ ０．００３ｍｏｌ／ｌ酒石酸０．２００ｍｏｌ／ｌ硫酸銅０．０３０ｍｏｌ／ｌＨＣＨＯ０．０５０ｍｏｌ／ｌＮａＯＨ０．１００ｍｏｌ／ｌ α、α′−ビピルジル１００ｍｇ／ｌポリエチレングリコール（ＰＥＧ）０．１０ｇ
／ｌ３４℃の液温度で４０分間浸漬させた。上記以外でも上
述したプラズマ処理と同じ装置を用い、内部のアルゴン
ガスを交換した後、Ｎｉ及びＣｕをターゲットにしたス
パッタリングを、気圧０．６Ｐａ、温度８０℃、電力２
００Ｗ、時間５分間の条件で行い、Ｎｉ／Ｃｕ金属層を
層間樹脂絶縁層４０の表面に形成することもできる。こ
のとき、形成されるＮｉ／Ｃｕ金属層の厚さは０．２μ
ｍである。

【００６６】（１１）上記処理を終えた基板３０に、市
販の感光性ドライフィルムを貼り付け、フォトマスクフ
ィルムを載置して、１００ｍＪ／ｃｍ²で露光した後、
０．８％炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ２５μｍの
めっきレジスト５１を設ける。次に、以下の条件で電解
めっきを施して、厚さ１８μｍの電解めっき膜４５を形
成する（図３（Ｂ）参照）。なお、電解めっき水溶液中
の添加剤は、アトテックジャパン社製のカパラシドＨＬ
である。

【００６７】〔電解めっき水溶液〕硫酸２．２４ｍｏｌ／ｌ硫酸銅０．２６ｍｏｌ／ｌ添加剤（アトテックジャパン製、カパラシドＨＬ）１９．５ｍｌ／ｌ〔電解めっき条件〕電流密度１Ａ／dm^２時間６５分温度２２±２℃

【００６８】（１２）めっきレジスト５４を５％ＮａＯ
Ｈで剥離除去した後、そのめっきレジスト下の金属層４
４を硝酸および硫酸と過酸化水素の混合液を用いるエッ
チングにて溶解除去し、金属層４４と電解めっき膜４５
からなる厚さ１６μｍの導体回路４８及びバイアホール
４６を形成し、第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチ
ング液によって、粗化面（図示せず）を形成する（図３
（Ｃ）参照）。

【００６９】（１３）次いで、上記（６）工程と同様に
基板３０に層間樹脂絶縁層６０を設ける（図４（Ａ）参
照）。

【００７０】（１４）次に、上記（７）工程と同様に層
間樹脂絶縁層４０に直径８０μｍのバイアホール用開口
６３を設け、層間樹脂絶縁層６０の粗化面（図示せず）
を設ける。（図４（Ｂ）参照）。

【００７１】（１５）層間樹脂絶縁層４０上に金属層６
４を設けた後、めっきレジスト７０を設ける（図４
（Ｃ）参照）。

【００７２】（１６）上記（１２）工程と同様に電解め
っきを施して、厚さ１５μｍの電解めっき膜６５を形成
する（図５（Ａ）参照）。

【００７３】（１７）めっきレジスト７０を剥離除去し
た後、そのめっきレジスト下の金属層６４を硝酸および
硫酸と過酸化水素の混合液を用いるエッチングにて溶解
除去し、金属層６４と電解めっき膜６５からなる厚さ１
６μｍの導体回路６８及びバイアホール６６を形成し、
第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液によっ
て、粗化面（図示せず）を形成する（図５（Ｂ）参
照）。あるいは、無電解メッキ膜や酸化還元処理によっ
て粗化層を形成させてもよい。

【００７４】（１８）次に、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるよ
うに溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した
感光性付与のオリゴマー（分子量４０００）４６．６７
重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％の
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商
品名：エピコート１００１）１５重量部、イミダゾール
硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）
１．６重量部、感光性モノマーである多官能アクリルモ
ノマー（共栄化学社製、商品名：Ｒ６０４）３重量部、
同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：
ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ
社製、商品名：Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にと
り、攪拌、混合して混合組成物を調整し、この混合組成
物に対して光重量開始剤としてベンゾフェノン（関東化
学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケト
ン（関東化学社製）０．２重量部を加えて、粘度を２５
℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物
（有機樹脂絶縁材料）を得る。粘度測定は、Ｂ型粘度計
（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合は
ローターNo.４、６ｒｐｍの場合はローターNo.３によっ
た。なお、ソルダーレジストとして市販のソルダーレジ
ストを用いることもできる。

【００７５】（１９）次に、基板３０に、上記ソルダー
レジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２
０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った
後、ソルダーレジストレジスト開口部のパターンが描画
された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層
７２に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ²の紫外線で露光
し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、２００μｍの直径の開
口７２ａを形成する（図５（Ｃ）参照）。

【００７６】（２０）次に、ソルダーレジスト層（有機
樹脂絶縁層）７２を形成した基板を、塩化ニッケル
（２．３×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、次亞リン酸ナトリウム
（２．８×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム
（１．６×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無
電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部７２
ａに厚さ５μｍのニッケルめっき層７３を形成する。さ
らに、その基板を、シアン化金カリウム（７．６×１０
^-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０^-1ｍ
ｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０^-1ｍｏ
ｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０^-1ｍｏ
ｌ／ｌ）を含む無電解めっき液に８０℃の条件で７．５
分間浸漬して、ニッケルめっき層７３上に厚さ０．０３
μｍの金めっき層７４を形成することで、半田パッド７
５を形成する（図６参照）。

【００７７】（２１）この後、ソルダーレジスト層７０
の開口部７１に、はんだペーストを印刷して、２００℃
でリフローすることにより、半田バンプ７６を形成す
る。これにより、チップコンデンサ２０を内蔵し、半田
バンプ７６を有する多層プリント配線板１０を得ること
ができる（図７参照）。

【００７８】次に、該プリント配線板へのＩＣチップの
載置及び、ドータボードへの取り付けについて、図８を
参照して説明する。完成したプリント配線板１０の半田
バンプ７６にＩＣチップ９０の半田パッド９２Ｓ１、９
２Ｓ２、９２Ｐ１、９２Ｐ２が対応するように、ＩＣチ
ップ９０を載置し、リフローを行うことで、ＩＣチップ
９０の取り付けを行う。同様に、プリント配線板１０の
半田バンプ７６にドータボード９４のパッド９６Ｓ１、
９６Ｓ２、９６Ｐ１、９６Ｐ２をリフローすることで、
ドータボード９４へプリント配線板１０を取り付ける。

【００７９】上述した実施形態では、層間樹脂絶縁層４
０、６０に熱硬化型樹脂シートを用いた。この熱硬化型
樹脂シート樹脂には、難溶性樹脂、可溶性粒子、硬化
剤、その他の成分が含有されている。それぞれについて
以下に説明する。

【００８０】第１実施形態の製造方法において使用する
熱硬化型樹脂シートは、酸または酸化剤に可溶性の粒子
（以下、可溶性粒子という）が酸または酸化剤に難溶性
の樹脂（以下、難溶性樹脂という）中に分散したもので
ある。なお、第１実施形態で使用する「難溶性」「可溶
性」という語は、同一の酸または酸化剤からなる溶液に
同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いもの
を便宜上「可溶性」と呼び、相対的に溶解速度の遅いも
のを便宜上「難溶性」と呼ぶ。

【００８１】上記可溶性粒子としては、例えば、酸また
は酸化剤に可溶性の樹脂粒子（以下、可溶性樹脂粒
子）、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子（以下、可溶
性無機粒子）、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子（以
下、可溶性金属粒子）等が挙げられる。これらの可溶性
粒子は、単独で用いても良いし、２種以上併用してもよ
い。

【００８２】上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、
球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の
形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さ
の凹凸を有する粗化面を形成することができるからであ
る。

【００８３】上記可溶性粒子の平均粒径としては、０．
１〜１０μｍが望ましい。この粒径の範囲であれば、２
種類以上の異なる粒径のものを含有してもよい。すなわ
ち、平均粒径が０．１〜０．５μｍの可溶性粒子と平均
粒径が１〜３μｍの可溶性粒子とを含有する等である。
これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、
導体回路との密着性にも優れる。なお、第１実施形態に
おいて、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い
部分の長さである。

【００８４】上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹
脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるい
は酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹
脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されな
い。上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エ
ポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフ
ェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等から
なるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるもの
であってもよいし、２種以上の樹脂の混合物からなるも
のであってもよい。

【００８５】また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴム
からなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとし
ては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウ
レタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変
性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メ
タ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられ
る。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒
子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸
を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の
酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂
粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン
酸塩でも溶解することができる。また、クロム酸を用い
た場合でも、低濃度で溶解することができる。そのた
め、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述
するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を
付与する際に、触媒が付与されなたかったり、触媒が酸
化されたりすることがない。

【００８６】上記可溶性無機粒子としては、例えば、ア
ルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合
物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群
より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げら
れる。

【００８７】上記アルミニウム化合物としては、例え
ば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記
カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、
水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物と
しては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム
化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸
マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物として
は、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独
で用いても良いし、２種以上併用してもよい。

【００８８】上記可溶性金属粒子としては、例えば、
銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、
マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より
選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられ
る。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保す
るために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。

【００８９】上記可溶性粒子を、２種以上混合して用い
る場合、混合する２種の可溶性粒子の組み合わせとして
は、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両
者とも導電性が低くいため樹脂フィルムの絶縁性を確保
することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張
の調整が図りやすく、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶
縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路
との間で剥離が発生しないからである。

【００９０】上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層
に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化
面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例
えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等
が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した
感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることに
より、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてバイア
ホール用開口を形成することできる。これらのなかで
は、熱硬化性樹脂を含有しているものが望ましい。それ
により、めっき液あるいは種々の加熱処理によっても粗
化面の形状を保持することができるからである。

【００９１】上記難溶性樹脂の具体例としては、例え
ば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、
ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン
樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は単独
で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。さらに
は、１分子中に、２個以上のエポキシ基を有するエポキ
シ樹脂がより望ましい。前述の粗化面を形成することが
できるばかりでなく、耐熱性等にも優れているため、ヒ
ートサイクル条件下においても、金属層に応力の集中が
発生せず、金属層の剥離などが起きにくいからである。

【００９２】上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型
エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ
樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエ
ン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基
を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、
トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂
等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種
以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れる
ものとなる。

【００９３】第１実施形態で用いる樹脂フィルムにおい
て、上記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に
分散されていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有
する粗化面を形成することができ、樹脂フィルムにバイ
アホールやスルーホールを形成しても、その上に形成す
る導体回路の金属層の密着性を確保することができるか
らである。また、粗化面を形成する表層部だけに可溶性
粒子を含有する樹脂フィルムを用いてもよい。それによ
って、樹脂フィルムの表層部以外は酸または酸化剤にさ
らされることがないため、層間樹脂絶縁層を介した導体
回路間の絶縁性が確実に保たれる。

【００９４】上記樹脂フィルムにおいて、難溶性樹脂中
に分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂フィルムに
対して、３〜４０重量％が望ましい。可溶性粒子の配合
量が３重量％未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形
成することができない場合があり、４０重量％を超える
と、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際
に、樹脂フィルムの深部まで溶解してしまい、樹脂フィ
ルムからなる層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁
性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。

【００９５】上記樹脂フィルムは、上記可溶性粒子、上
記難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有し
ていることが望ましい。上記硬化剤としては、例えば、
イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系
硬化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの
硬化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホ
スフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェ
ニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられ
る。

【００９６】上記硬化剤の含有量は、樹脂フィルムに対
して０．０５〜１０重量％であることが望ましい。０．
０５重量％未満では、樹脂フィルムの硬化が不十分であ
るため、酸や酸化剤が樹脂フィルムに侵入する度合いが
大きくなり、樹脂フィルムの絶縁性が損なわれることが
ある。一方、１０重量％を超えると、過剰な硬化剤成分
が樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を
招いたりしてしまうことがある。

【００９７】上記その他の成分としては、例えば、粗化
面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィ
ラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、
シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂
としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹
脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラ
ニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらの
フィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合
や耐熱性、耐薬品性の向上などを図り多層プリント配線
板の性能を向上させることができる。

【００９８】また、上記樹脂フィルムは、溶剤を含有し
ていてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、
メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、
酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトル
エン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。こ
れらは単独で用いてもよいし、２種類以上併用してもよ
い。ただし、これらの層間樹脂絶縁層は、３５０℃以上
の温度を加えると溶解、炭化をしてしまう。

【００９９】ひき続き、本発明の第１実施形態の第１改
変例に係るプリント配線板の製造方法について、図１０
を参照して説明する。図１（Ａ）〜図１（Ｃ）を参照し
て上述した工程については、第１実施形態と同様である
ため説明を省略する。

【０１００】（１）第１実施形態では、コア基板３０の
通孔３０ｂ側に導電性バンプ３１を設ける（図１０
（Ａ））。導電性バンプ３１としては、異方導電性ペー
スト、異方導電性フィルム、絶縁性ペーストのいずれか
を用いることができる。

【０１０１】異方導電性ペースト、異方導電性フィルム
に用いるものは、樹脂と異方導電粒子からなる物を用い
得る。樹脂としては、電子用途に高い実績のあるエポキ
シ樹脂を用いることが望ましが、種々の樹脂を用いるこ
とができる。異方導電粒子としては、粒子径の揃った樹
脂球に金属めっきを施したものを用い得る。異方導電粒
子に施すめっきとしては、銅、ニッケル及び貴金属めっ
きを用いれる。その中でも、金で形成するのが望まし
い。その理由としては、樹脂全体を完全にめっきで覆う
ことができ、且つ、粒子同士が接触して導通を取った際
に不都合が生じ難いからである。

【０１０２】絶縁性ペーストは、ペースト自体に導電性
を有しているものがよい。その中に、樹脂や無機粒子な
どを含浸させ、ペースト自体の熱膨張係数を整合させて
もよい。

【０１０３】（２）次に、チップコンデンサ２０の裏面
側に充填樹脂３２を塗布し、コア基板３０の凹部３０ａ
に位置決めする（図１０（Ｂ））。

【０１０４】（３）チップコンデンサ２０に上方から圧
力を加え、第１、第２端子２１，２２で導電性バンプ３
１を押圧することで、導電性を持たせ、該第１、第２端
子２１、２２と導体回路３４との接続を取る（図１０
（Ｃ））。

【０１０５】（４）チップコンデンサ２０とコア基板３
０の凹部３０ａの側壁との間に樹脂３２ａを充填する
（図１０（Ｄ））。以降の工程は、図２〜図７を参照し
て上述した第１実施形態と同様であるため説明を省略す
る。

【０１０６】この第１実施形態の第１改変例では、導電
性バンプ３１としては、異方導電性ペースト、異方導電
性フィルム、絶縁性ペーストのいずれかを用いるため、
チップコンデンサ２０の第１、第２端子２１、２２と導
体回路３４との高い接続信頼性を達成することができ
る。また、可撓性を備える異方導電性ペースト、異方導
電性フィルム、絶縁性ペーストを用いて導電性バンプ３
１と形成するため、チップコンデンサ２０とコア基板３
０の熱膨張率の違いを吸収することができ、高い信頼性
を得ることができる。

【０１０７】本発明は、コア基板３０を樹脂で形成する
ため、外形加工性が高く、チップコンデンサ２０を確実
に収容することができる。更に、チップコンデンサ２０
の充填される樹脂３２、３２ａとの熱膨張との整合を取
ることができるので、信頼性も向上する。

【０１０８】また、コア基板３０とチップコンデンサ２
０の間に樹脂３２が充填されているので、コンデンサな
どが起因する応力が発生しても緩和されるし、マイグレ
ーションの発生がない。そのために、チップコンデンサ
２０の端子２１、２２とバイアホール４６の接続部への
剥離や溶解などの影響がない。そのために、信頼性試験
を実施しても所望の性能を保つことができるのである。
また、コンデンサを銅によって被覆されている場合に
も、マイグレーションの発生を防止することができる。

【０１０９】引き続き、本発明の第２実施形態の改変例
に係るプリント配線板について、図１１を参照して説明
する。改変例のプリント配線板は、上述した第１実施形
態とほぼ同様である。但し、第１実施形態では、コア基
板３０に収容されるチップコンデンサ２０のみを備えて
いたが、改変例では、表面に大容量のチップコンデンサ
８６が実装されている。

【０１１０】ＩＣチップは、瞬時的に大電力を消費して
複雑な演算処理を行う。ここで、ＩＣチップ側に大電力
を供給するために、改変例では、プリント配線板に電源
用のチップコンデンサ２０及びチップコンデンサ８６を
備えてある。このチップコンデンサによる効果につい
て、図１２を参照して説明する。

【０１１１】図１２は、縦軸にＩＣチップへ供給される
電圧を、横軸に時間を取ってある。ここで、二点鎖線Ｃ
は、電源用コンデンサを備えないプリント配線板の電圧
変動を示している。電源用コンデンサを備えない場合に
は、大きく電圧が減衰する。破線Ａは、表面にチップコ
ンデンサを実装したプリント配線板の電圧変動を示して
いる。上記二点鎖線Ｃと比較して電圧は大きく落ち込ま
ないが、ループ長さが長くなるので、律速の電源供給が
十分に行えていない。即ち、電力の供給開始時に電圧が
降下している。また、二点鎖線Ｂは、第１実施形態に係
るチップコンデンサを内蔵するプリント配線板の電圧降
下を示している。ループ長さは短縮できているが、コア
基板３０に容量の大きなチップコンデンサを収容するこ
とができないため、電圧が変動している。ここで、実線
Ｅは、図１１を参照して上述したコア基板内のチップコ
ンデンサ２０を、また表面に大容量のチップコンデンサ
８６を実装する改変例のプリント配線板の電圧変動を示
している。ＩＣチップの近傍にチップコンデンサ２０
を、また、大容量（及び相対的に大きなインダクタン
ス）のチップコンデンサ８６を備えることで、電圧変動
を最小に押さえている。

【０１１２】引き続き、本発明の第３実施形態に係るプ
リント配線板の構成について図１３を参照して説明す
る。この第３実施形態のプリント配線板の構成は、上述
した第１実施形態とほぼ同様である。但し、コア基板３
０への収容されるチップコンデンサ２０が異なる。図１
３は、チップコンデンサの平面図を示している。図１３
（Ａ）は、多数個取り用の裁断前のチップコンデンサを
示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示している。上述し
た第１実施形態のプリント配線板では、図１３（Ｂ）に
平面図を示すようにチップコンデンサの側縁に第１電極
２１及び第２電極２２を配設してある。図１３（Ｃ）
は、第３実施形態の多数個取り用の裁断前のチップコン
デンサを示し、図中で一点鎖線は、裁断線を示してい
る。第３実施形態のプリント配線板では、図１３（Ｄ）
に平面図を示すようにチップコンデンサの側縁の内側に
第１電極２１及び第２電極２２を配設してある。

【０１１３】この第３実施形態のプリント配線板では、
外縁の内側に電極の形成されたチップコンデンサ２０を
用いるため、容量の大きなチップコンデンサを用いるこ
とができる。

【０１１４】引き続き、第３実施形態の第１改変例に係
るプリント配線板を参照して説明する。図１４（Ａ）
は、第１改変例に係るプリント配線板のコア基板に収容
されるチップコンデンサ２０の平面図を示し、図１４
（Ｂ）は断面図を示している。上述した第１実施形態で
は、複数個の小容量のチップコンデンサをコア基板に収
容したが、第１改変例では、大容量の大判のチップコン
デンサ２０をコア基板に収容してある。ここで、チップ
コンデンサ２０は、第１電極２１と第２電極２２と、誘
電体２３と、第１電極２１へ接続された第１導電膜２４
と、第２電極２２側に接続された第２導電膜２５と、第
１導電膜２４及び第２導電膜２５へ接続されていないチ
ップコンデンサの上下面の接続用の電極２７とから成
る。この電極２７を介して、コア基板のスルーホールを
同様にしてＩＣチップ側とドータボード側とが接続され
る。

【０１１５】この第１改変例のプリント配線板では、大
判のチップコンデンサ２０を用いるため、容量の大きな
チップコンデンサを用いることができる。また、大判の
チップコンデンサ２０を用いるため、ヒートサイクルを
繰り返してもプリント配線板に反りが発生することがな
い。

【０１１６】図１５を参照して第２改変例に係るプリン
ト配線板について説明する。図１５（Ａ）は、多数個取
り用の裁断前のチップコンデンサを示し、図中で一点鎖
線は、通常の裁断線を示し、図１５（Ｂ）は、チップコ
ンデンサの平面図を示している。図１５（Ｂ）に示すよ
うに、この第２改変例では、多数個取り用のチップコン
デンサを複数個（図中の例では３枚）連結させて大判で
用いている。

【０１１７】この第２改変例では、大判のチップコンデ
ンサ２０を用いるため、容量の大きなチップコンデンサ
を用いることができる。また、大判のチップコンデンサ
２０を用いるため、ヒートサイクルを繰り返してもプリ
ント配線板に反りが発生することがない。

【０１１８】上述した第３実施形態では、チップコンデ
ンサをプリント配線板に内蔵させたが、チップコンデン
サの代わりに、セラミック板に導電体膜を設けてなる板
状のコンデンサを用いることも可能である。

【０１１９】引き続き、本発明の第４実施形態に係るプ
リント配線板について図１６を参照して説明する。第４
実施形態のプリント配線板は、内蔵されるチップコンデ
ンサ２０を除き、第１〜第３実施形態と同様である。図
１６（Ａ）は、第４実施形態のチップコンデンサ２０を
示している。上述した第１実施形態では、図９（Ａ）を
参照して上述したように、チップコンデンサ２０のメタ
ライズ層２６からなる第１端子２１及び第２端子２２の
上に、銅めっきからなる金属被覆２９が形成されてい
た。これに対して、第４実施形態では、メタライズ層２
６からなる第１端子２１及び第２端子２２の上に、導電
性ペースト２７が被覆されている。ここで、メタライズ
層２６は、ニッケル、白金、銀からなり、導電性ペース
トは、粒径０．１〜１．０μｍ（好適には１〜５μｍ）
の少なくとも１種類以上の銅、ニッケル、銀粒子が含ま
れている。ここでは、１層から形成したが、種類の異な
る金属粒子からなる導電性ペーストを２層以上被覆する
ことができる。導電性ペースト２７の厚みは、１〜３０
μｍ（好適には、５〜２０μｍ）である。

【０１２０】第４実施形態では、凹凸のあるメタライズ
層２６の上に導電性ペースト２７が被覆されているた
め、第１端子２１及び第２端子２２の上の表面が平滑に
なり、製造工程において、第１端子２１及び第２端子２
２の上に層間樹脂絶縁層を設けて、レーザでバイアホー
ル用開口を形成した際に、樹脂残りがなくなり、バイア
ホールを形成した際の接続信頼性を高めることができ
る。即ち、凹凸のあるメタライズ層２６上にバイアホー
ル用開口を形成した際の樹脂残りの問題を解消すること
ができる。

【０１２１】図１６（Ｂ）は、第４実施形態の第１改変
例に係るチップコンデンサ２０を示している。第１改変
例では、導電性ペースト２７上に、無電解めっき２８ａ
及び電解めっき膜２８ｂからなるめっき層２８が形成さ
れている。第１改変例では、第１端子２１及び第２端子
２２の上の表面が完全に平滑になり、バイアホールを形
成した際の接続信頼性を高めることができる。

【０１２２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
コア基板内にコンデンサを収容することが可能となり、
ＩＣチップとコンデンサとの距離が短くなるため、プリ
ント配線板のループインダクタンスを低減できる。ま
た、導体回路が形成された樹脂基板を複数個積層してコ
ア基板を形成しているため、コア基板内の配線密度が高
まり、層間樹脂絶縁層の層数を減らすことが可能とな
る。

【０１２３】また、コア基板とコンデンサの間に樹脂が
充填されているので、コンデンサなどが起因する応力が
発生しても緩和されるし、マイグレーションの発生がな
い。そのために、コンデンサの電極とバイアホールの接
続部への剥離や溶解などの影響がない。そのために、信
頼性試験を実施しても所望の性能を保つことができるの
である。また、コンデンサを銅によって被覆されている
場合にも、マイグレーションの発生を防止することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）は、
本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程
図である。

【図２】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、本発明の
第１実施形態に係るプリント配線板の製造工程図であ
る。

【図３】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第１実施
形態に係るプリント配線板の製造工程図である。

【図４】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第１実施
形態に係るプリント配線板の製造工程図である。

【図５】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、本発明の第１実施
形態に係るプリント配線板の製造工程図である。

【図６】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の
製造工程図である。

【図７】第１実施形態に係るプリント配線板の断面図で
ある。

【図８】第１実施形態に係るプリント配線板の断面図で
ある。

【図９】（Ａ）、（Ｂ）は、チップコンデンサの断面図
である。

【図１０】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、第１実
施形態の第１改変例に係るプリント配線板の製造工程図
である。

【図１１】本発明の第２実施形態に係るプリント配線板
にＩＣチップを搭載した状態を示す断面図である。

【図１２】ＩＣチップへの供給電圧と時間との変化を示
すグラフである。

【図１３】（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、第３実
施形態のプリント配線板のチップコンデンサの平面図で
ある。

【図１４】（Ａ）は、第３実施形態に係るプリント配線
板のチップコンデンサの平面図であり、（Ｂ）は断面図
である。

【図１５】（Ａ）、（Ｂ）は、第３実施形態の改変例に
係るプリント配線板のチップコンデンサの平面図であ
る。

【図１６】（Ａ）、（Ｂ）は、第４実施形態の改変例に
係るプリント配線板のチップコンデンサの断面図であ
る。

【符号の説明】

１０プリント配線板２０チップコンデンサ２１第１端子２２第２端子３０コア基板３０ａ凹部３０ｂ通孔３２導電性接着剤３４導体回路３６スルーホール４０接続層４２回路パターン４３非貫通孔４６バイアホール６０層間樹脂絶縁層６６バイアホール６８導体回路９０ＩＣチップ９４ドータボード

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者王東冬岐阜県揖斐郡揖斐川町北方１−１イビデン株式会社大垣北工場内 (72)発明者矢橋英郎岐阜県揖斐郡揖斐川町北方１−１イビデン株式会社大垣北工場内 (72)発明者白井誠二岐阜県揖斐郡揖斐川町北方１−１イビデン株式会社大垣北工場内 (72)発明者伊藤克敏岐阜県揖斐郡揖斐川町北方１−１イビデン株式会社大垣北工場内Ｆターム(参考） 5E336 AA07 AA11 AA13 BB03 BB15 BC01 BC02 BC15 CC34 CC36 CC53 EE03 GG09 GG11 GG30 5E346 AA06 AA12 AA15 AA22 AA32 AA41 AA51 BB16 BB20 CC08 CC32 DD13 DD22 DD33 EE06 EE07 EE09 EE14 FF04 FF13 FF14 FF45 GG15 GG17 GG18 GG19 GG28 HH06 HH11

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】凹部にコンデンサを収容するコア基板
に、樹脂絶縁層と導体回路とを積層してなるプリント配
線板であって、前記コア基板の凹部の底部に通孔が形成され、前記コア基板の表面に、前記通孔の開口部を塞ぐ導体回
路が形成され、前記凹部に収容されたコンデンサの端子と前記通孔を塞
ぐ導体回路とが、前記通孔内で導電性バンプを介して接
続されていることを特徴とするプリント配線板。
【請求項２】前記導電性バンプが、圧接ペーストから
成ることを特徴とする請求項１のプリント配線板。
【請求項３】前記樹脂基板は、心材に樹脂を含浸させ
てなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載
のプリント配線板。
【請求項４】前記コンデンサは、複数個であることを
特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１に記載のプ
リント配線板。
【請求項５】前記プリント配線板の表面にコンデンサ
を実装したことを特徴とする請求項１〜４の内１に記載
のプリント配線板。
【請求項６】前記表面のチップコンデンサの静電容量
は、内層のチップコンデンサの静電容量以上であること
を特徴とする請求項５に記載のプリント配線板。
【請求項７】前記表面のチップコンデンサのインダク
タンスは、内層のチップコンデンサのインダクタンス以
上であることを特徴とする請求項５に記載のプリント配
線板。
【請求項８】前記コンデンサの電極に金属膜を形成
し、前記金属膜を形成させた電極へめっきにより電気的
接続を取ったことを特徴とする請求項１〜７のいずれか
１のプリント配線板。
【請求項９】前記コンデンサの電極に形成した金属膜
は、銅を主とするめっき膜であることを特徴とする請求
項８に記載のプリント配線板。
【請求項１０】前記コア基板にコンデンサは絶縁性接
着剤により接合され、絶縁性接着剤は、前記コア基板よ
りも熱膨張率が小さいことを特徴とする請求項１又は請
求項２に記載のプリント配線板。
【請求項１１】前記コンデンサの電極の被覆層を少な
くとも一部を露出させて、前記被覆層から露出した電極
にめっきにより電気的接続を取ったことを特徴とする請
求項１〜請求項１０の内１に記載のプリント配線板。
【請求項１２】前記コンデンサとして、外縁の内側に
電極が形成されたチップコンデンサを用いたことを特徴
とする請求項１〜請求項１１の内１に記載のプリント配
線板。
【請求項１３】前記コンデンサとして、マトリクス状
に電極を形成されたチップコンデンサを用いたことを特
徴とする請求項１〜請求項１２の内１に記載のプリント
配線板
【請求項１４】前記コンデンサとして、多数個取り用
のチップコンデンサを複数個連結させて用いたことを特
徴とする請求項１〜請求項１３の内１に記載のプリント
配線板。
【請求項１５】前記コンデンサの電極に導電性ペース
トを塗布し、前記導電性ペーストを塗布した電極へめっ
きにより電気的接続を取ったことを特徴とする請求項１
〜１４のいずれか１のプリント配線板。
【請求項１６】少なくとも以下（ａ）〜（ｆ）の工程
を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法：（ａ）コア基板に凹部及び、該凹部の底部に通孔を形成
する工程；（ｂ）前記コア基板の表面に、前記通孔の開口部を塞ぐ
導体回路を形成する工程；（ｃ）前記コア基板の凹部に樹脂を配設する工程；（ｄ）コンデンサの端子に導電性バンプを配設する工
程；（ｅ）前記コア基板の凹部に前記コンデンサを収容し、
前記導電性バンプを介して前記通孔の開口部を塞ぐ導体
回路と接続を取る工程：（ｆ）前記コア基板に、樹脂絶縁層と導体回路とを積層
する工程。
【請求項１７】前記前記導電性バンプを介して前記通
孔の開口部を塞ぐ導体回路と接続を取る工程において、
超音波振動を与えることを特徴とする請求項１６のプリ
ント配線板の製造方法。
【請求項１８】少なくとも以下（ａ）〜（ｅ）の工程
を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法：（ａ）コア基板に凹部及び、該凹部の底部に通孔を形成
する工程；（ｂ）前記コア基板の表面に、前記通孔の開口部を塞ぐ
導体回路を形成する工程；（ｃ）前記コア基板の通孔に導電性バンプを配設する工
程；（ｄ）前記コア基板の凹部に前記コンデンサを収容し、
前記導電性バンプを介して前記コンデンサの端子と前記
通孔の開口部を塞ぐ導体回路との接続を取る工程：（ｅ）前記コア基板に、樹脂絶縁層と導体回路とを積層
する工程。
【請求項１９】前記導電性バンプとして、圧接ペース
トを用いることを特徴とする請求項１８に記載のプリン
ト配線板の製造方法。