JPH04283987A - 電子回路装置とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
れる電子回路装置とその製造方法に関するものである。
高機能化の要求が増加するにつれて電子回路の高密度化
が必要不可欠の要件となってきている。
度化をはかる手段としていろいろな実装方法が提案され
ているが、従来から最も一般的に行われている電子回路
装置の実装形態は図8に示すものである。
aはプリント配線板1の回路導体層、2,3は回路素子
、2a,3aは回路素子2,3の外部電極端子、4はは
んだ金属である。
に必要な各種回路素子2,3として、例えば抵抗器,コ
ンデンサ,コイル等の受動回路素子やトランジスタや半
導体IC等の能動回路素子(外部電極端子がリード線付
かまたはリードレスタイプのもの)をそれぞれプリント
配線板1の所定の位置に搭載し、はんだ付け方法によっ
て各回路素子2,3の外部電極端子2a,3aと回路導
体層1aとをはんだ金属4によって電気的に接続したも
のである。
うな従来例では、プリント配線板に各種回路素子2,3
を搭載してはんだ接続した実装構造のため、回路素子2
,3間の電気的接続の低抵抗化がはかり難いことはもと
より、構成された電子回路装置の厚さは回路素子2,3
とプリント配線板1の厚みの総和となるので、回路の薄
型化がはかりにくいばかりでなく、回路素子2,3のプ
リント配線板1上でのはんだ付け面積が広くなり、電子
回路の高密度化や軽量化がはかりにくい欠点がある。 また一方、従来例では回路素子2,3ははんだ付け温度
に耐える材質や構造を有する必要があり、プリント配線
板1に実装された状態では特にリードレスタイプの回路
素子2,3では、プリント配線板1と回路素子2,3間
の熱膨脹係数に大きな差異があると熱衝撃によってはん
だ接合面にクラックが発生しやすくなり、接続の信頼性
が損なわれるという問題点を有していた。
るものであり、薄型化と共に小型高密度でかつ接続の信
頼性に優れ、使用する回路素子の制約のない電子回路装
置を提供するものである。
に本発明は、形状寸法や外部電極端子構造の異なる複数
の各種回路素子をその外部電極端子層の一部が表面の同
一面上に露出するように絶縁樹脂中の所定の位置に埋設
し、絶縁樹脂層の主面上に必要とする直接金属による配
線回路導体層を設けて各回路素子間を直接電気的に相互
接続したものである。
の異なる複数の各種回路素子をはんだ付けを必要とする
ことなく、低抵抗の金属によって回路素子間を電気的に
相互接続した電子回路装置が構成されるので、回路素子
間の接続の低抵抗化と電子回路の薄型化がはかれると共
に、小型高密度で回路素子間の接続の信頼性に優れた電
子回路装置が実現されることとなる。
回路装置について図面を参照しながら説明する。
回路装置の断面図を示すものである。図1において5,
6は電子回路を構成するのに必要な各種回路素子、5a
,6aは回路素子の外部電極端子層、7は絶縁樹脂層、
8は配線回路導体層である。
いて以下図1を用いてその実施例の詳細を説明する。
回路を構成するのに必要な各種回路素子5,6として任
意の寸法形状および外部電極端子構造を有する抵抗,コ
ンデンサ,コイル等の受動素子や、半導体IC等の能動
素子を使用し、これらの各種回路素子5,6の複数個を
絶縁樹脂7の所定の位置に埋設し、各種回路素子5,6
の外部電極端子層5a,6aを絶縁樹脂層7の表面の一
部に露出すると共に、その同一面上に必要とする接着剤
層8を介して配線回路導体層9を設けて回路素子5,6
間を電気的に相互接続することにより電子回路を構成し
たものである。
や形状寸法および外部電極端子の構造等の制約は特にな
く、リード線を有するアルミ電解コンデンサやカーボン
皮膜抵抗器、DIL型の半導体ICパッケージさらには
昨今回路の小型化にニーズ対応して急速にその需要が増
大している超小型リードレスタイプのチップ抵抗器や積
層セラミックチップコンデンサ,チップ型積層コイル,
チップキャリア型半導体IC等広範な回路素子が使用で
きる。
5として、リードレスタイプのチップ抵抗器と、回路素
子6としてチップコンデンサを使用し、これらの回路素
子5,6をエポキシ樹脂を主体とした絶縁樹脂層7の所
定の位置に埋設すると共に、回路素子5,6の外部接続
端子層5a,6aを表面の一部に露出させ、その同一面
上に無電解めっき法によって析出した金属銅によって所
望とする配線回路導体層9を設け、回路素子5,6間を
電気的に相互接続して電子回路を構成した。
6としてリード線を有する電解コンデンサと樹脂パッケ
ージされた半導体ICさらにはリードレスタイプのチッ
プ抵抗器やチップコンデンサ等を混合してこれらの各種
回路素子を絶縁樹脂7の所定の位置に埋設し、それぞれ
の外部接続端子層5a,6aを絶縁樹脂層7の表面の一
部に露出してその同一面上に接着剤層8を介して無電解
めっき法によって金属銅を析出して形成した配線回路導
体層9によって回路素子間を電気的に相互接続した電子
回路装置を構成した。
を構成するのに必要な各種回路素子5,6が絶縁樹脂7
中に埋設され、その外部電極端子層5a,5b間が接着
剤層7を介した金属銅配線によって直接相互接続された
構造となるので、配線回路導体層の接着性が向上すると
共に低抵抗で回路素子間の相互接続化がはかれる利点の
他に、電子回路装置全体の薄型化と同時に回路素子5,
6間の高密度な接続が可能となり、しかも回路素子5,
6の接続にはんだ付けを必要としないので使用する回路
素子5,6の構成材料や構造的制約がなく、膨脹係数の
異なる回路素子5,6でも接続の信頼性に優れた電子回
路装置が得られるものである。
について説明する。
回路装置の断面図である。図2において5,6は回路素
子、5a,6aは回路素子の外部電極端子層、7は絶縁
樹脂層、8は接着剤層、9は配線回路導体層で、以上は
実施例1と同様なものである。図1の構成と異なるのは
回路素子5,6を埋設した絶縁樹脂層7の主面に設ける
配線回路導体層9を層間絶縁樹脂層10を介して多層状
に構成して回路の高密度化をはかった点である。
光性を有するアクリル樹脂やエポキシ樹脂、さらにはポ
リイミド樹脂を使用し、これらの樹脂を絶縁樹脂層に形
成した第1の配線回路導体面に塗布した後、この層間絶
縁樹脂層10をレーザー光や紫外線露光によって接続を
必要とする部分に微細な穴(ブラインドスルーホール)
を開け、層間絶縁層10の表面に無電解銅めっき法によ
って第2の配線回路導体層9aを構成し微細穴を通して
層間の配線回路導体層9と9aを電気的に相互接続して
多層配線化したものである。
5,6を埋設した絶縁樹脂層7の表面に配線回路導体層
9,9aを多層状に構成することによって、電子回路の
高密度化がはかれる効果が得られるものである。
について図面を参照しながら説明する。
である。図3において5,6は回路素子、5a,6aは
回路素子の外部電極端子層、7は絶縁樹脂層、8は接着
剤層、9は配線回路導体層で、以上は図1の構成と同様
なものである。図1と異なるのは絶縁樹脂中に例えば銅
線等の金属線から成る導電体11を埋設して絶縁樹脂層
7の表裏両面にこの導電体11の両端を露出して、配線
回路導体層9を絶縁樹脂7の表裏両面層に構成した点で
ある。
線回路導体層9が回路素子5,6を埋設した絶縁樹脂層
7の両面に構成されるため、回路設計の自由度が向上す
ると共に回路の高密度化がはかれるという効果が得られ
るものである。
について図面を参照しながら説明する。
路装置の断面図である。図4において5,6は回路素子
、5a,6aは回路素子の外部電極端子層、7は絶縁樹
脂層、8は接着剤層、9は配線回路導体層で、以上は図
1の構成と同様なものである。図1と異なるのは配線回
路導体層9の任意の位置に部分的に突起状の導体層12
を設け、電子回路装置の外部接続端子層を設けた点であ
る。
この電子回路装置を一つの機能回路ブロック体や複合回
路素子として、これを通常のマザープリント配線板(ガ
ラスエポキシ基板等)に実装して大規模な電子回路装置
を構成する場合、突起状導体層12がマザープリント配
線板への高密度はんだ接合を実現すると共に、これらの
回路ブロック体を構成する各種回路素子間がはんだ接続
された構造でないので、マザープリント配線板へのはん
だ付け温度の制約がなく、回路ブロック体の回路素子間
相互の接続の信頼性が得られるものである。
について図面を参照しながら説明する。
路装置の断面図である。図5において5,6は回路素子
、5a,6aは回路素子の外部電極端子層、7は絶縁樹
脂層、8は接着剤層、9は配線回路導体層で以上は実施
例1と同様なものである。図1の構成と異なるのは回路
素子5,6を埋設した絶縁樹脂層7の主面上に設けた配
線回路導体層9に半導体ICチップ13を搭載してその
外部電極端子と配線回路導体層9を金線等の金属細線1
4でワイヤーボンディング法によって電気的に接続し、
半導体ICチップ13の周辺部をエポキシ樹脂等のモー
ルド樹脂15で被覆して電子回路を構成したものであり
、回路素子を立体的に配置して回路の高密度化をはかっ
たものである。なお、本実施例では絶縁樹脂7中に抵抗
,コンデンサ,コイル等の受動回路素子5,6を埋設し
たが、半導体ICチップ13を絶縁樹脂7中に埋設し、
最外層に受動回路素子5,6を搭載して配線回路導体層
9と電気的に接続した構成であってもよい。
について図面を参照しながら説明する。
路装置の断面図である。図6において5,6は回路素子
、5a,6aは回路素子の外部電極端子層、7は絶縁樹
脂層、8は接着剤層、9は配線回路導体層で、以上は図
1の構成と同様なものである。図1の構成と異なるのは
回路素子5,6を埋設した絶縁樹脂成型体を1つの回路
ブロック体として、さらに同種構造の回路ブロック体を
接着剤16を介して多段状に積層し、その積層体の所定
の位置に貫通穴17を開け、その内壁面を無電解めっき
法によって導通化することにより双方の配線回路導体層
9間を電気的に接続した点である。
ブロックに分割して各回路ブロックを構成する回路素子
5,6をそれぞれ絶縁樹脂7に埋設してその表面に配線
回路導体層9を形成して複数の回路ブロック体を構成し
、この複数の回路ブロック体を多段状に積層し、積層体
に貫通穴17を設けてその内壁面を導通化することによ
って、回路素子5,6が多層状に立体的に配置された電
子回路が構成されるので、回路のより一層の高密度化が
はかれる効果が得られるものである。
について図面を参照しながら説明する。
例を示す電子回路装置の製造工程断面図である。図7(
A)〜(C)において5,6は回路素子、5a,6aは
回路素子の外部電極端子層、7は絶縁樹脂、8は接着剤
層、9は配線回路導体層、18は支持基板である。以上
のように構成された電子回路装置についてその製造方法
の詳細を図7(A)〜(C)にもとづいて説明する。
に、表面に離形性の塗膜を有するポリエステルフィルム
や表面が鏡面状態を有する金属基板として、例えばステ
ンレス基板から成る支持基板18の一方の主面上に、例
えばエポキシ系やアクリル系の樹脂から成る接着剤層8
を塗布する。その接着剤層8が未硬化の状態で表面に電
子回路を構成するのに必要な各種回路素子5,6として
、例えばリードレスタイプの積層型のセラミックコンデ
ンサやチップ抵抗器等をその外部電極端子層5a,6a
が支持基板18に接するように所定の位置に配置して固
定し、次いで図7(B)に示すように回路素子搭載面に
絶縁樹脂7を被覆して硬化させることにより回路素子5
,6を完全に埋設する。そして図7(C)に示すように
、支持基板18を絶縁樹脂7から剥離し、その剥離面に
転写され残留した接着剤層8を、例えばエキシマレーザ
ーを用いて回路素子5,6の外部電極端子層5a,6a
が露出するように微細孔を開けるか、または絶縁樹脂層
の表面層を研摩して、回路素子5,6の外部電極端子層
5a,6aを露出させ、その同一面上の接着剤層8の表
面に所望とする配線回路導体層9を形成して回路素子間
を相互接続し電子回路を構成した。
イプに限定されるものではなく、例えばアルミ電解コン
デンサやDIL型の半導体ICパッケージのようなリー
ド線を外部接続端子とした回路素子をリードレスタイプ
のものと混合して使用することも可能であることはいう
までもない。
する絶縁樹脂7は、エポキシ樹脂やアクリル樹脂,フェ
ノール樹脂等の熱硬化樹脂以外に、ポリカーボネート樹
脂,ポリイミド樹脂,ポリエチレンサルファイド樹脂(
PES),ポリフェニレンサルファイド樹脂(PPS)
,ポリエーテルイミド(PEI),液晶ポリマー等の熱
可塑性樹脂等幅広い樹脂が使用可能であるが、本実施例
ではこれらの樹脂の内、特にエポキシ樹脂を使用し、硬
化収縮性や熱膨脹性を改善するためにこの樹脂の中にア
ルミナやシリカ等の無機質充填剤を混練したものを使用
して注型法やトランスファー成型法によって回路素子5
,6を所定の位置に埋設した。
樹脂層7の表面層に被覆された接着剤層8をプラズマ等
の物理的方法やクロム酸や過マンガン酸カリウムによる
化学的エッチング手法によってその表面を粗面化し、そ
の後に活性化処理によって金属パラジウムの微粒子核か
ら成る無電解めっきの触媒を付与し、無電解銅めっきや
無電解ニッケルめっきを行って接着剤層8の全面を金属
化して最終的にフォトエッチング法によって必要とする
回路導体層9を形成すると同時に回路素子間を電気的に
相互接続した電子回路装置を構成してもよい。
属化するにあたっては上述した無電解めっき法以外に、
真空蒸着法,スパッタリング法,イオンプレーティング
法等の物理的手法によっても行った。
置は、回路素子を予め支持基板上の所定の位置に配置し
てから絶縁樹脂中に埋設するため、回路素子間の相対的
位置関係が正確に保たれ、かつ回路素子の形状寸法や外
部接続端子構造に関係なく絶縁樹脂中に埋設できるとい
う特徴が得られると共に、回路導体層が絶縁樹脂表面に
設けた接着剤層によって強固な密着性が実現され信頼性
に優れた電子回路装置が得られるものである。
18上に予め導電性樹脂等で所望とする配線回路導体層
を形成し、この配線回路導体面の所定の位置に回路素子
を搭載してその外部電極端子層と配線回路導体層とを電
気的に接続させてから回路素子を絶縁樹脂で埋設して、
支持基板を剥離し回路導体層を絶縁樹脂層上に転写する
と共に無電解めっきを行って導電性樹脂の表面に低抵抗
の導体層を形成する方法を実施した。この方法によれば
、回路素子を絶縁樹脂に埋設する前にその電気的接続状
態を確認できるので製造歩留まりが大幅に向上できる効
果が得られるものである。
するのに必要な寸法形状、外部電極端子構造の異なる各
種回路素子を絶縁樹脂の所定の位置に埋設し、その外部
電極端子層の一部を絶縁樹脂層の表面に露出してその同
一面上に金属層による所望とする配線回路導体層を直接
設けて回路素子間を電気的に相互接続して電子回路を構
成した電子回路装置である。
素子間が低抵抗の金属によって直接相互接続された構成
となるので、従来例のようにプリント配線板の回路導体
層と各種回路素子のはんだ接続に比べて接続部の低抵抗
化がはかれると共に、はんだ付け作業にまつわる種々の
問題点、例えば使用する回路素子のはんだ耐熱性や性能
劣化が解消され、かつ構成された電子装置全体の薄型化
や軽量化がはかられ、回路素子間の高密度でかつ信頼性
の高い接続を可能とする効果が得られるものである。
断面図
断面図
断面図
断面図
断面図
断面図
る電子回路装置の製造方法を説明するための製造工程断
面図
脂層 8 接着剤層 9 配線回路導体層 9a 第2配線回路導体層 10 層間絶縁層 11 導電体層 12 突起上導体層(外部接続端子層)13 半導
体ICチップ 14 金属細線 15 モールド樹脂 16 回路ブロック体の接着剤層 17 貫通穴 18 支持基板
Claims (10)
- 【請求項1】複数の回路素子をその外部電極端子の一部
分が表面に露出するように絶縁樹脂の所定の位置に埋設
し、前記絶縁樹脂の少なくとも一方の主面上に所望とす
る配線回路導体層を設けて回路素子間を電気的に相互接
続した電子回路装置。 - 【請求項2】回路素子はその外部電極端子がリード線を
有するかまたはリードレス構造を有し、それらの同種ま
たは異種の外部電極端子層を備えた回路素子を埋設した
請求項1記載の電子回路装置。 - 【請求項3】配線回路導体層は無電解めっき法によって
析出した導電金属層で構成された請求項1記載の電子回
路装置。 - 【請求項4】配線回路導体層は回路素子を埋設した絶縁
樹脂の一方の主面上に絶縁樹脂層を介して多層状に構成
された請求項1記載の電子回路装置。 - 【請求項5】回路素子と共に導電体層を所定の位置に埋
設した絶縁樹脂成型体の表裏両面に、所望とする配線回
路導体層を設けた請求項1記載の電子回路装置。 - 【請求項6】配線回路導体層の一部に突起状の導体層を
設け、外部接続端子とした請求項1記載の電子回路装置
。 - 【請求項7】最外層の配線回路導体面に半導体ICチッ
プを搭載して配線回路導体層と電気的に接続した請求項
1記載の電子回路装置。 - 【請求項8】複数の回路素子を所定の位置に埋設しかつ
少なくともその一方の主面上に所望とする配線回路導体
層を設けて回路素子間を相互接続した複数個の絶縁樹脂
成型体を多段状に積層し、その積層体に設けた貫通穴を
導通化して各層の配線回路導体層を電気的に相互接続し
た請求項1記載の電子回路装置。 - 【請求項9】平滑性を有しかつ離形性に優れた支持体上
に接着剤を塗布し、この接着剤層の所定の位置に複数個
の回路素子を搭載してその外部接続端子層を前記支持体
に接するように固定し、前記回路素子面を絶縁樹脂で完
全に埋設した後、前記支持体を回路素子を埋設した絶縁
樹脂から剥離し、その剥離面に回路素子の外部電極端子
層の一部を露出させてその表面に所望とする配線回路導
体層を設け、回路素子間を電気的に相互接続したことを
特徴とする電子回路装置の製造方法。 - 【請求項10】支持体上に予め所望とする配線回路導体
層を形成して、この配線回路導体層と各種回路素子を電
気的に接続した後、回路素子を埋設した絶縁樹脂層から
剥離し、配線回路導体層を合成樹脂成型体に転写したこ
とを特徴とする請求項9記載の電子回路装置の製造方法
。
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---|---|---|---|
JP03047899A JP3094481B2 (ja) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | 電子回路装置とその製造方法 |
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JPH04283987A true JPH04283987A (ja) | 1992-10-08 |
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---|---|
JP (1) | JP3094481B2 (ja) |
Cited By (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01273481A (ja) * | 1988-04-26 | 1989-11-01 | Nec Corp | ファクシミリ装置 |
JPH11126978A (ja) * | 1997-10-24 | 1999-05-11 | Kyocera Corp | 多層配線基板 |
WO2001019149A1 (fr) * | 1999-09-02 | 2001-03-15 | Ibiden Co., Ltd. | Carte de circuit imprime, procede de production associe et condensateur destine a etre incorpore dans cette carte |
JP2001217337A (ja) * | 2000-01-31 | 2001-08-10 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2001284824A (ja) * | 2000-04-04 | 2001-10-12 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板の製造方法 |
JP2001313467A (ja) * | 2000-02-21 | 2001-11-09 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板 |
JP2001345560A (ja) * | 2000-02-09 | 2001-12-14 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板およびその製造方法、並びに電子部品 |
JP2001352141A (ja) * | 2000-04-05 | 2001-12-21 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 |
JP2002009448A (ja) * | 2000-06-23 | 2002-01-11 | Ibiden Co Ltd | 多層プリント配線板および多層プリント配線板の製造方法 |
JP2002100871A (ja) * | 1999-09-02 | 2002-04-05 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 |
JP2002100875A (ja) * | 1999-09-02 | 2002-04-05 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板およびコンデンサ |
JP2002100872A (ja) * | 1999-09-02 | 2002-04-05 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 |
JP2002100876A (ja) * | 2000-07-21 | 2002-04-05 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 |
JP2002100874A (ja) * | 1999-09-02 | 2002-04-05 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 |
JP2002118368A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-04-19 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板およびその製造方法 |
JP2002134919A (ja) * | 2000-10-27 | 2002-05-10 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板 |
JP2002204045A (ja) * | 2000-01-31 | 2002-07-19 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板の製造方法 |
WO2003013200A1 (fr) * | 2001-07-31 | 2003-02-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Module de circuit |
US6625037B2 (en) | 1997-11-25 | 2003-09-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Printed circuit board and method manufacturing the same |
JP2004007006A (ja) * | 2003-09-16 | 2004-01-08 | Kyocera Corp | 多層配線基板 |
JP2004247706A (ja) * | 2003-01-23 | 2004-09-02 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電子部品実装構造及びその製造方法 |
WO2004091266A1 (ja) * | 2003-04-02 | 2004-10-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 回路基板およびその製造方法 |
US6939738B2 (en) | 2000-12-27 | 2005-09-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Component built-in module and method for producing the same |
WO2006082838A1 (ja) * | 2005-02-03 | 2006-08-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 多層配線基板とその製造方法、および多層配線基板を用いた半導体装置と電子機器 |
JP2007227976A (ja) * | 2007-06-06 | 2007-09-06 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板の製造方法、コンデンサ内蔵コア基板の製造方法、配線基板、コンデンサ内蔵コア基板 |
JP2008509549A (ja) * | 2004-08-05 | 2008-03-27 | イムベラ エレクトロニクス オサケユキチュア | 素子を含む層の形成 |
US7358114B2 (en) | 2003-04-08 | 2008-04-15 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Semiconductor device substrate, semiconductor device, and manufacturing method thereof |
JP2010034588A (ja) * | 2009-11-09 | 2010-02-12 | Panasonic Corp | 回路部品内蔵基板の製造方法 |
JP2010153521A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体素子の樹脂封止方法 |
JP2010192915A (ja) * | 2010-04-05 | 2010-09-02 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板、コンデンサ内蔵コア基板、コア基板本体 |
JP2010272880A (ja) * | 2010-07-13 | 2010-12-02 | Dainippon Printing Co Ltd | 部品内蔵配線板、部品内蔵配線板の製造方法 |
US7864542B2 (en) | 1999-09-02 | 2011-01-04 | Ibiden Co., Ltd. | Printed circuit board |
JP2011077230A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Seiko Instruments Inc | 電子回路部品および電子機器 |
US8034658B2 (en) | 2003-04-01 | 2011-10-11 | Imbera Electronics Oy | Electronic module with a conductive-pattern layer and a method of manufacturing same |
US8062537B2 (en) | 2004-11-26 | 2011-11-22 | Imbera Electronics Oy | Method for manufacturing an electronics module |
JP2012019192A (ja) * | 2010-07-07 | 2012-01-26 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 電子部品モジュール及びその製造方法 |
JP2012033949A (ja) * | 2000-04-05 | 2012-02-16 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 |
JP2012099861A (ja) * | 1999-09-02 | 2012-05-24 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板 |
US8240032B2 (en) | 2004-06-15 | 2012-08-14 | Imbera Electronics Oy | Method for manufacturing an electronics module comprising a component electrically connected to a conductor-pattern layer |
US8240033B2 (en) | 2005-06-16 | 2012-08-14 | Imbera Electronics Oy | Method for manufacturing a circuit board |
US8368235B2 (en) | 2009-01-16 | 2013-02-05 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Resin sealing method of semiconductor device |
US8368201B2 (en) | 2002-01-31 | 2013-02-05 | Imbera Electronics Oy | Method for embedding a component in a base |
US8581109B2 (en) | 2005-06-16 | 2013-11-12 | Imbera Electronics Oy | Method for manufacturing a circuit board structure |
WO2014041697A1 (ja) * | 2012-09-14 | 2014-03-20 | 株式会社メイコー | 部品内蔵基板及びその製造方法 |
US8704359B2 (en) | 2003-04-01 | 2014-04-22 | Ge Embedded Electronics Oy | Method for manufacturing an electronic module and an electronic module |
US8737085B2 (en) | 2006-05-24 | 2014-05-27 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Wiring board with a built-in component and method for manufacturing the same |
WO2014083973A1 (ja) * | 2012-11-27 | 2014-06-05 | 日東電工株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2015170814A (ja) * | 2014-03-10 | 2015-09-28 | 富士通株式会社 | 部品内蔵基板及びその製造方法 |
US9307632B2 (en) | 2012-12-31 | 2016-04-05 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayered substrate and method of manufacturing the same |
US10798823B2 (en) | 2003-09-18 | 2020-10-06 | Imberatek, Llc | Method for manufacturing an electronic module and electronic module |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FI20060256L (fi) | 2006-03-17 | 2006-03-20 | Imbera Electronics Oy | Piirilevyn valmistaminen ja komponentin sisältävä piirilevy |
-
1991
- 1991-03-13 JP JP03047899A patent/JP3094481B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (91)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01273481A (ja) * | 1988-04-26 | 1989-11-01 | Nec Corp | ファクシミリ装置 |
JPH11126978A (ja) * | 1997-10-24 | 1999-05-11 | Kyocera Corp | 多層配線基板 |
US6625037B2 (en) | 1997-11-25 | 2003-09-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Printed circuit board and method manufacturing the same |
US7068519B2 (en) | 1997-11-25 | 2006-06-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Printed circuit board and method manufacturing the same |
US7855894B2 (en) | 1999-09-02 | 2010-12-21 | Ibiden Co., Ltd. | Printed circuit board |
US7864542B2 (en) | 1999-09-02 | 2011-01-04 | Ibiden Co., Ltd. | Printed circuit board |
US8116091B2 (en) | 1999-09-02 | 2012-02-14 | Ibiden Co., Ltd. | Printed circuit board |
US7995352B2 (en) | 1999-09-02 | 2011-08-09 | Ibiden Co., Ltd. | Printed circuit board |
JP2012099861A (ja) * | 1999-09-02 | 2012-05-24 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板 |
JP2002100871A (ja) * | 1999-09-02 | 2002-04-05 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 |
JP2012114457A (ja) * | 1999-09-02 | 2012-06-14 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板 |
JP2002100872A (ja) * | 1999-09-02 | 2002-04-05 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 |
JP4726285B2 (ja) * | 1999-09-02 | 2011-07-20 | イビデン株式会社 | プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 |
JP2002100874A (ja) * | 1999-09-02 | 2002-04-05 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 |
US7978478B2 (en) | 1999-09-02 | 2011-07-12 | Ibiden Co., Ltd. | Printed circuit board |
WO2001019149A1 (fr) * | 1999-09-02 | 2001-03-15 | Ibiden Co., Ltd. | Carte de circuit imprime, procede de production associe et condensateur destine a etre incorpore dans cette carte |
US7881069B2 (en) | 1999-09-02 | 2011-02-01 | Ibiden Co., Ltd. | Printed circuit board |
US8107253B2 (en) | 1999-09-02 | 2012-01-31 | Ibiden Co., Ltd. | Printed circuit board |
US8331102B2 (en) | 1999-09-02 | 2012-12-11 | Ibiden Co., Ltd. | Printed circuit board |
KR101384035B1 (ko) * | 1999-09-02 | 2014-04-09 | 이비덴 가부시키가이샤 | 프린트배선판 및 그 제조방법 |
US8717772B2 (en) | 1999-09-02 | 2014-05-06 | Ibiden Co., Ltd. | Printed circuit board |
US8763241B2 (en) | 1999-09-02 | 2014-07-01 | Ibiden Co., Ltd. | Method of manufacturing printed wiring board |
US8780573B2 (en) | 1999-09-02 | 2014-07-15 | Ibiden Co., Ltd. | Printed circuit board |
JP2002100875A (ja) * | 1999-09-02 | 2002-04-05 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板およびコンデンサ |
CN100381026C (zh) * | 1999-09-02 | 2008-04-09 | 伊比登株式会社 | 印刷布线板及其制造方法 |
US8830691B2 (en) | 1999-09-02 | 2014-09-09 | Ibiden Co., Ltd. | Printed circuit board and method of manufacturing printed circuit board |
US7307852B2 (en) | 1999-09-02 | 2007-12-11 | Ibiden Co., Ltd. | Printed circuit board and method for manufacturing printed circuit board |
US8842440B2 (en) | 1999-09-02 | 2014-09-23 | Ibiden Co., Ltd. | Printed circuit board and method of manufacturing printed circuit board |
US9060446B2 (en) | 1999-09-02 | 2015-06-16 | Ibiden Co., Ltd. | Printed circuit board |
JP2001217337A (ja) * | 2000-01-31 | 2001-08-10 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2002204045A (ja) * | 2000-01-31 | 2002-07-19 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板の製造方法 |
JP2001345560A (ja) * | 2000-02-09 | 2001-12-14 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板およびその製造方法、並びに電子部品 |
JP4685251B2 (ja) * | 2000-02-09 | 2011-05-18 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板の製造方法 |
JP2001313467A (ja) * | 2000-02-21 | 2001-11-09 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板 |
JP4685979B2 (ja) * | 2000-02-21 | 2011-05-18 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板 |
JP2001284824A (ja) * | 2000-04-04 | 2001-10-12 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板の製造方法 |
JP4521927B2 (ja) * | 2000-04-04 | 2010-08-11 | イビデン株式会社 | プリント配線板の製造方法 |
JP2001352141A (ja) * | 2000-04-05 | 2001-12-21 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 |
JP2012033949A (ja) * | 2000-04-05 | 2012-02-16 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 |
JP2002009448A (ja) * | 2000-06-23 | 2002-01-11 | Ibiden Co Ltd | 多層プリント配線板および多層プリント配線板の製造方法 |
JP2002100876A (ja) * | 2000-07-21 | 2002-04-05 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 |
JP2002118368A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-04-19 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板およびその製造方法 |
JP4695289B2 (ja) * | 2000-07-31 | 2011-06-08 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板の製造方法 |
JP2002134919A (ja) * | 2000-10-27 | 2002-05-10 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板 |
US6939738B2 (en) | 2000-12-27 | 2005-09-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Component built-in module and method for producing the same |
US7198996B2 (en) | 2000-12-27 | 2007-04-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Component built-in module and method for producing the same |
WO2003013200A1 (fr) * | 2001-07-31 | 2003-02-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Module de circuit |
US6785147B2 (en) | 2001-07-31 | 2004-08-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Circuit module |
US8368201B2 (en) | 2002-01-31 | 2013-02-05 | Imbera Electronics Oy | Method for embedding a component in a base |
US7573135B2 (en) | 2003-01-23 | 2009-08-11 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Electronic parts packaging structure in which a semiconductor chip is mounted on a wiring substrate and buried in an insulation film |
JP4489411B2 (ja) * | 2003-01-23 | 2010-06-23 | 新光電気工業株式会社 | 電子部品実装構造の製造方法 |
JP2004247706A (ja) * | 2003-01-23 | 2004-09-02 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電子部品実装構造及びその製造方法 |
US8034658B2 (en) | 2003-04-01 | 2011-10-11 | Imbera Electronics Oy | Electronic module with a conductive-pattern layer and a method of manufacturing same |
US8704359B2 (en) | 2003-04-01 | 2014-04-22 | Ge Embedded Electronics Oy | Method for manufacturing an electronic module and an electronic module |
WO2004091266A1 (ja) * | 2003-04-02 | 2004-10-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 回路基板およびその製造方法 |
US7563650B2 (en) | 2003-04-02 | 2009-07-21 | Panasonic Corporation | Circuit board and the manufacturing method |
US7358114B2 (en) | 2003-04-08 | 2008-04-15 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Semiconductor device substrate, semiconductor device, and manufacturing method thereof |
US7402900B2 (en) | 2003-04-08 | 2008-07-22 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Semiconductor device substrate, semiconductor device, and manufacturing method thereof |
JP2004007006A (ja) * | 2003-09-16 | 2004-01-08 | Kyocera Corp | 多層配線基板 |
US11716816B2 (en) | 2003-09-18 | 2023-08-01 | Imberatek, Llc | Method for manufacturing an electronic module and electronic module |
US10798823B2 (en) | 2003-09-18 | 2020-10-06 | Imberatek, Llc | Method for manufacturing an electronic module and electronic module |
US8240032B2 (en) | 2004-06-15 | 2012-08-14 | Imbera Electronics Oy | Method for manufacturing an electronics module comprising a component electrically connected to a conductor-pattern layer |
JP2008509549A (ja) * | 2004-08-05 | 2008-03-27 | イムベラ エレクトロニクス オサケユキチュア | 素子を含む層の形成 |
US8062537B2 (en) | 2004-11-26 | 2011-11-22 | Imbera Electronics Oy | Method for manufacturing an electronics module |
GB2437465B (en) * | 2005-02-03 | 2010-11-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Multilayer wiring board, method for manufacturing such multilayer wiring board, and semiconductor device, and electronic device using multilayer wiring board |
JP4736451B2 (ja) * | 2005-02-03 | 2011-07-27 | パナソニック株式会社 | 多層配線基板とその製造方法、および多層配線基板を用いた半導体パッケージと電子機器 |
WO2006082838A1 (ja) * | 2005-02-03 | 2006-08-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 多層配線基板とその製造方法、および多層配線基板を用いた半導体装置と電子機器 |
US7821795B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-10-26 | Panasonic Corporation | Multilayer wiring board |
GB2437465A (en) * | 2005-02-03 | 2007-10-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Multilayer wiring board, method for manufacturing such multilayer wiring board, and semiconductor device, and electronic device using multilayer wiring board |
JP2006216755A (ja) * | 2005-02-03 | 2006-08-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多層配線基板とその製造方法、および多層配線基板を用いた半導体装置と電子機器 |
US11134572B2 (en) | 2005-06-16 | 2021-09-28 | Imberatek, Llc | Circuit board structure and method for manufacturing a circuit board structure |
US8581109B2 (en) | 2005-06-16 | 2013-11-12 | Imbera Electronics Oy | Method for manufacturing a circuit board structure |
US9622354B2 (en) | 2005-06-16 | 2017-04-11 | Ge Embedded Electronics Oy | Method for manufacturing a circuit board structure |
US8240033B2 (en) | 2005-06-16 | 2012-08-14 | Imbera Electronics Oy | Method for manufacturing a circuit board |
US11792941B2 (en) | 2005-06-16 | 2023-10-17 | Imberatek, Llc | Circuit board structure and method for manufacturing a circuit board structure |
US8737085B2 (en) | 2006-05-24 | 2014-05-27 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Wiring board with a built-in component and method for manufacturing the same |
JP2007227976A (ja) * | 2007-06-06 | 2007-09-06 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板の製造方法、コンデンサ内蔵コア基板の製造方法、配線基板、コンデンサ内蔵コア基板 |
JP4521017B2 (ja) * | 2007-06-06 | 2010-08-11 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板の製造方法、コンデンサ内蔵コア基板の製造方法 |
US7985629B2 (en) | 2008-12-25 | 2011-07-26 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Resin sealing method of semiconductor device |
JP2010153521A (ja) * | 2008-12-25 | 2010-07-08 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体素子の樹脂封止方法 |
US8610292B2 (en) | 2009-01-16 | 2013-12-17 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Resin sealing method of semiconductor device |
US8368235B2 (en) | 2009-01-16 | 2013-02-05 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Resin sealing method of semiconductor device |
JP2011077230A (ja) * | 2009-09-30 | 2011-04-14 | Seiko Instruments Inc | 電子回路部品および電子機器 |
JP2010034588A (ja) * | 2009-11-09 | 2010-02-12 | Panasonic Corp | 回路部品内蔵基板の製造方法 |
JP2010192915A (ja) * | 2010-04-05 | 2010-09-02 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板、コンデンサ内蔵コア基板、コア基板本体 |
JP2012019192A (ja) * | 2010-07-07 | 2012-01-26 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 電子部品モジュール及びその製造方法 |
JP2010272880A (ja) * | 2010-07-13 | 2010-12-02 | Dainippon Printing Co Ltd | 部品内蔵配線板、部品内蔵配線板の製造方法 |
WO2014041697A1 (ja) * | 2012-09-14 | 2014-03-20 | 株式会社メイコー | 部品内蔵基板及びその製造方法 |
WO2014083973A1 (ja) * | 2012-11-27 | 2014-06-05 | 日東電工株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US9307632B2 (en) | 2012-12-31 | 2016-04-05 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayered substrate and method of manufacturing the same |
JP2015170814A (ja) * | 2014-03-10 | 2015-09-28 | 富士通株式会社 | 部品内蔵基板及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3094481B2 (ja) | 2000-10-03 |
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