JP3094481B2 - 電子回路装置とその製造方法 - Google Patents
電子回路装置とその製造方法Info
- Publication number
- JP3094481B2 JP3094481B2 JP03047899A JP4789991A JP3094481B2 JP 3094481 B2 JP3094481 B2 JP 3094481B2 JP 03047899 A JP03047899 A JP 03047899A JP 4789991 A JP4789991 A JP 4789991A JP 3094481 B2 JP3094481 B2 JP 3094481B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- insulating resin
- layer
- circuit elements
- electronic circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 94
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 63
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 63
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 47
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 8
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 9
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 1
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 239000012286 potassium permanganate Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/96—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being encapsulated in a common layer, e.g. neo-wafer or pseudo-wafer, said common layer being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/568—Temporary substrate used as encapsulation process aid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68363—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used in a transfer process involving transfer directly from an origin substrate to a target substrate without use of an intermediate handle substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/04105—Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/12105—Bump connectors formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bumps on chip-scale packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
- H01L2224/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
- H01L2224/241—Disposition
- H01L2224/24151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/24221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/24225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/24227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the HDI interconnect not connecting to the same level of the item at which the semiconductor or solid-state body is mounted, e.g. the semiconductor or solid-state body being mounted in a cavity or on a protrusion of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/921—Connecting a surface with connectors of different types
- H01L2224/9212—Sequential connecting processes
- H01L2224/92142—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
- H01L2224/92144—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a build-up interconnect
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01046—Palladium [Pd]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19041—Component type being a capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19042—Component type being an inductor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19043—Component type being a resistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
Description
れる電子回路装置とその製造方法に関するものである。
高機能化の要求が増加するにつれて電子回路の高密度化
が必要不可欠の要件となってきている。
度化をはかる手段としていろいろな実装方法が提案され
ているが、従来から最も一般的に行われている電子回路
装置の実装形態は図8に示すものである。
aはプリント配線板1の回路導体層、2,3は回路素
子、2a,3aは回路素子2,3の外部電極端子、4は
はんだ金属である。
に必要な各種回路素子2,3として、例えば抵抗器,コ
ンデンサ,コイル等の受動回路素子やトランジスタや半
導体IC等の能動回路素子(外部電極端子がリード線付
かまたはリードレスタイプのもの)をそれぞれプリント
配線板1の所定の位置に搭載し、はんだ付け方法によっ
て各回路素子2,3の外部電極端子2a,3aと回路導
体層1aとをはんだ金属4によって電気的に接続したも
のである。
うな従来例では、プリント配線板に各種回路素子2,3
を搭載してはんだ接続した実装構造のため、回路素子
2,3間の電気的接続の低抵抗化がはかり難いことはも
とより、構成された電子回路装置の厚さは回路素子2,
3とプリント配線板1の厚みの総和となるので、回路の
薄型化がはかりにくいばかりでなく、回路素子2,3の
プリント配線板1上でのはんだ付け面積が広くなり、電
子回路の高密度化や軽量化がはかりにくい欠点がある。
また一方、従来例では回路素子2,3ははんだ付け温度
に耐える材質や構造を有する必要があり、プリント配線
板1に実装された状態では特にリードレスタイプの回路
素子2,3では、プリント配線板1と回路素子2,3間
の熱膨脹係数に大きな差異があると熱衝撃によってはん
だ接合面にクラックが発生しやすくなり、接続の信頼性
が損なわれるという問題点を有していた。
るものであり、薄型化と共に小型高密度でかつ接続の信
頼性に優れ、使用する回路素子の制約のない電子回路装
置を提供するものである。
に本発明は、形状寸法や外部電極端子構造の異なる複数
の各種回路素子をその外部電極端子層の一部が表面の同
一面上に露出するように絶縁樹脂中の所定の位置に埋設
し、絶縁樹脂層の主面上に必要とする直接金属による配
線回路導体層を設けて各回路素子間を直接電気的に相互
接続したものである。
の異なる複数の各種回路素子をはんだ付けを必要とする
ことなく、低抵抗の金属によって回路素子間を電気的に
相互接続した電子回路装置が構成されるので、回路素子
間の接続の低抵抗化と電子回路の薄型化がはかれると共
に、小型高密度で回路素子間の接続の信頼性に優れた電
子回路装置が実現されることとなる。
回路装置について図面を参照しながら説明する。
回路装置の断面図を示すものである。図1において5,
6は電子回路を構成するのに必要な各種回路素子、5
a,6aは回路素子の外部電極端子層、7は絶縁樹脂
層、8は配線回路導体層である。
いて以下図1を用いてその実施例の詳細を説明する。
回路を構成するのに必要な各種回路素子5,6として任
意の寸法形状および外部電極端子構造を有する抵抗,コ
ンデンサ,コイル等の受動素子や、半導体IC等の能動
素子を使用し、これらの各種回路素子5,6の複数個を
絶縁樹脂7の所定の位置に埋設し、各種回路素子5,6
の外部電極端子層5a,6aを絶縁樹脂層7の表面の一
部に露出すると共に、その同一面上に必要とする接着剤
層8を介して配線回路導体層9を設けて回路素子5,6
間を電気的に相互接続することにより電子回路を構成し
たものである。
や形状寸法および外部電極端子の構造等の制約は特にな
く、リード線を有するアルミ電解コンデンサやカーボン
皮膜抵抗器、DIL型の半導体ICパッケージさらには
昨今回路の小型化にニーズ対応して急速にその需要が増
大している超小型リードレスタイプのチップ抵抗器や積
層セラミックチップコンデンサ,チップ型積層コイル,
チップキャリア型半導体IC等広範な回路素子が使用で
きる。
5として、リードレスタイプのチップ抵抗器と、回路素
子6としてチップコンデンサを使用し、これらの回路素
子5,6をエポキシ樹脂を主体とした絶縁樹脂層7の所
定の位置に埋設すると共に、回路素子5,6の外部接続
端子層5a,6aを表面の一部に露出させ、その同一面
上に無電解めっき法によって析出した金属銅によって所
望とする配線回路導体層9を設け、回路素子5,6間を
電気的に相互接続して電子回路を構成した。
6としてリード線を有する電解コンデンサと樹脂パッケ
ージされた半導体ICさらにはリードレスタイプのチッ
プ抵抗器やチップコンデンサ等を混合してこれらの各種
回路素子を絶縁樹脂7の所定の位置に埋設し、それぞれ
の外部接続端子層5a,6aを絶縁樹脂層7の表面の一
部に露出してその同一面上に接着剤層8を介して無電解
めっき法によって金属銅を析出して形成した配線回路導
体層9によって回路素子間を電気的に相互接続した電子
回路装置を構成した。
を構成するのに必要な各種回路素子5,6が絶縁樹脂7
中に埋設され、その外部電極端子層5a,5b間が接着
剤層7を介した金属銅配線によって直接相互接続された
構造となるので、配線回路導体層の接着性が向上すると
共に低抵抗で回路素子間の相互接続化がはかれる利点の
他に、電子回路装置全体の薄型化と同時に回路素子5,
6間の高密度な接続が可能となり、しかも回路素子5,
6の接続にはんだ付けを必要としないので使用する回路
素子5,6の構成材料や構造的制約がなく、膨脹係数の
異なる回路素子5,6でも接続の信頼性に優れた電子回
路装置が得られるものである。
について説明する。
回路装置の断面図である。図2において5,6は回路素
子、5a,6aは回路素子の外部電極端子層、7は絶縁
樹脂層、8は接着剤層、9は配線回路導体層で、以上は
実施例1と同様なものである。図1の構成と異なるのは
回路素子5,6を埋設した絶縁樹脂層7の主面に設ける
配線回路導体層9を層間絶縁樹脂層10を介して多層状
に構成して回路の高密度化をはかった点である。
光性を有するアクリル樹脂やエポキシ樹脂、さらにはポ
リイミド樹脂を使用し、これらの樹脂を絶縁樹脂層に形
成した第1の配線回路導体面に塗布した後、この層間絶
縁樹脂層10をレーザー光や紫外線露光によって接続を
必要とする部分に微細な穴(ブラインドスルーホール)
を開け、層間絶縁層10の表面に無電解銅めっき法によ
って第2の配線回路導体層9aを構成し微細穴を通して
層間の配線回路導体層9と9aを電気的に相互接続して
多層配線化したものである。
5,6を埋設した絶縁樹脂層7の表面に配線回路導体層
9,9aを多層状に構成することによって、電子回路の
高密度化がはかれる効果が得られるものである。
について図面を参照しながら説明する。
である。図3において5,6は回路素子、5a,6aは
回路素子の外部電極端子層、7は絶縁樹脂層、8は接着
剤層、9は配線回路導体層で、以上は図1の構成と同様
なものである。図1と異なるのは絶縁樹脂中に例えば銅
線等の金属線から成る導電体11を埋設して絶縁樹脂層
7の表裏両面にこの導電体11の両端を露出して、配線
回路導体層9を絶縁樹脂7の表裏両面層に構成した点で
ある。
線回路導体層9が回路素子5,6を埋設した絶縁樹脂層
7の両面に構成されるため、回路設計の自由度が向上す
ると共に回路の高密度化がはかれるという効果が得られ
るものである。
について図面を参照しながら説明する。
路装置の断面図である。図4において5,6は回路素
子、5a,6aは回路素子の外部電極端子層、7は絶縁
樹脂層、8は接着剤層、9は配線回路導体層で、以上は
図1の構成と同様なものである。図1と異なるのは配線
回路導体層9の任意の位置に部分的に突起状の導体層1
2を設け、電子回路装置の外部接続端子層を設けた点で
ある。
この電子回路装置を一つの機能回路ブロック体や複合回
路素子として、これを通常のマザープリント配線板(ガ
ラスエポキシ基板等)に実装して大規模な電子回路装置
を構成する場合、突起状導体層12がマザープリント配
線板への高密度はんだ接合を実現すると共に、これらの
回路ブロック体を構成する各種回路素子間がはんだ接続
された構造でないので、マザープリント配線板へのはん
だ付け温度の制約がなく、回路ブロック体の回路素子間
相互の接続の信頼性が得られるものである。
について図面を参照しながら説明する。
路装置の断面図である。図5において5,6は回路素
子、5a,6aは回路素子の外部電極端子層、7は絶縁
樹脂層、8は接着剤層、9は配線回路導体層で以上は実
施例1と同様なものである。図1の構成と異なるのは回
路素子5,6を埋設した絶縁樹脂層7の主面上に設けた
配線回路導体層9に半導体ICチップ13を搭載してそ
の外部電極端子と配線回路導体層9を金線等の金属細線
14でワイヤーボンディング法によって電気的に接続
し、半導体ICチップ13の周辺部をエポキシ樹脂等の
モールド樹脂15で被覆して電子回路を構成したもので
あり、回路素子を立体的に配置して回路の高密度化をは
かったものである。なお、本実施例では絶縁樹脂7中に
抵抗,コンデンサ,コイル等の受動回路素子5,6を埋
設したが、半導体ICチップ13を絶縁樹脂7中に埋設
し、最外層に受動回路素子5,6を搭載して配線回路導
体層9と電気的に接続した構成であってもよい。
について図面を参照しながら説明する。
路装置の断面図である。図6において5,6は回路素
子、5a,6aは回路素子の外部電極端子層、7は絶縁
樹脂層、8は接着剤層、9は配線回路導体層で、以上は
図1の構成と同様なものである。図1の構成と異なるの
は回路素子5,6を埋設した絶縁樹脂成型体を1つの回
路ブロック体として、さらに同種構造の回路ブロック体
を接着剤16を介して多段状に積層し、その積層体の所
定の位置に貫通穴17を開け、その内壁面を無電解めっ
き法によって導通化することにより双方の配線回路導体
層9間を電気的に接続した点である。
ブロックに分割して各回路ブロックを構成する回路素子
5,6をそれぞれ絶縁樹脂7に埋設してその表面に配線
回路導体層9を形成して複数の回路ブロック体を構成
し、この複数の回路ブロック体を多段状に積層し、積層
体に貫通穴17を設けてその内壁面を導通化することに
よって、回路素子5,6が多層状に立体的に配置された
電子回路が構成されるので、回路のより一層の高密度化
がはかれる効果が得られるものである。
について図面を参照しながら説明する。
例を示す電子回路装置の製造工程断面図である。図7
(A)〜(C)において5,6は回路素子、5a,6a
は回路素子の外部電極端子層、7は絶縁樹脂、8は接着
剤層、9は配線回路導体層、18は支持基板である。以
上のように構成された電子回路装置についてその製造方
法の詳細を図7(A)〜(C)にもとづいて説明する。
に、表面に離形性の塗膜を有するポリエステルフィルム
や表面が鏡面状態を有する金属基板として、例えばステ
ンレス基板から成る支持基板18の一方の主面上に、例
えばエポキシ系やアクリル系の樹脂から成る接着剤層8
を塗布する。その接着剤層8が未硬化の状態で表面に電
子回路を構成するのに必要な各種回路素子5,6とし
て、例えばリードレスタイプの積層型のセラミックコン
デンサやチップ抵抗器等をその外部電極端子層5a,6
aが支持基板18に接するように所定の位置に配置して
固定し、次いで図7(B)に示すように回路素子搭載面
に絶縁樹脂7を被覆して硬化させることにより回路素子
5,6を完全に埋設する。そして図7(C)に示すよう
に、支持基板18を絶縁樹脂7から剥離し、その剥離面
に転写され残留した接着剤層8を、例えばエキシマレー
ザーを用いて回路素子5,6の外部電極端子層5a,6
aが露出するように微細孔を開けるか、または絶縁樹脂
層の表面層を研摩して、回路素子5,6の外部電極端子
層5a,6aを露出させ、その同一面上の接着剤層8の
表面に所望とする配線回路導体層9を形成して回路素子
間を相互接続し電子回路を構成した。
イプに限定されるものではなく、例えばアルミ電解コン
デンサやDIL型の半導体ICパッケージのようなリー
ド線を外部接続端子とした回路素子をリードレスタイプ
のものと混合して使用することも可能であることはいう
までもない。
する絶縁樹脂7は、エポキシ樹脂やアクリル樹脂,フェ
ノール樹脂等の熱硬化樹脂以外に、ポリカーボネート樹
脂,ポリイミド樹脂,ポリエチレンサルファイド樹脂
(PES),ポリフェニレンサルファイド樹脂(PP
S),ポリエーテルイミド(PEI),液晶ポリマー等
の熱可塑性樹脂等幅広い樹脂が使用可能であるが、本実
施例ではこれらの樹脂の内、特にエポキシ樹脂を使用
し、硬化収縮性や熱膨脹性を改善するためにこの樹脂の
中にアルミナやシリカ等の無機質充填剤を混練したもの
を使用して注型法やトランスファー成型法によって回路
素子5,6を所定の位置に埋設した。
樹脂層7の表面層に被覆された接着剤層8をプラズマ等
の物理的方法やクロム酸や過マンガン酸カリウムによる
化学的エッチング手法によってその表面を粗面化し、そ
の後に活性化処理によって金属パラジウムの微粒子核か
ら成る無電解めっきの触媒を付与し、無電解銅めっきや
無電解ニッケルめっきを行って接着剤層8の全面を金属
化して最終的にフォトエッチング法によって必要とする
回路導体層9を形成すると同時に回路素子間を電気的に
相互接続した電子回路装置を構成してもよい。
属化するにあたっては上述した無電解めっき法以外に、
真空蒸着法,スパッタリング法,イオンプレーティング
法等の物理的手法によっても行った。
置は、回路素子を予め支持基板上の所定の位置に配置し
てから絶縁樹脂中に埋設するため、回路素子間の相対的
位置関係が正確に保たれ、かつ回路素子の形状寸法や外
部接続端子構造に関係なく絶縁樹脂中に埋設できるとい
う特徴が得られると共に、回路導体層が絶縁樹脂表面に
設けた接着剤層によって強固な密着性が実現され信頼性
に優れた電子回路装置が得られるものである。
18上に予め導電性樹脂等で所望とする配線回路導体層
を形成し、この配線回路導体面の所定の位置に回路素子
を搭載してその外部電極端子層と配線回路導体層とを電
気的に接続させてから回路素子を絶縁樹脂で埋設して、
支持基板を剥離し回路導体層を絶縁樹脂層上に転写する
と共に無電解めっきを行って導電性樹脂の表面に低抵抗
の導体層を形成する方法を実施した。この方法によれ
ば、回路素子を絶縁樹脂に埋設する前にその電気的接続
状態を確認できるので製造歩留まりが大幅に向上できる
効果が得られるものである。
するのに必要な寸法形状、外部電極端子構造の異なる各
種回路素子を絶縁樹脂の所定の位置に埋設し、その外部
電極端子層の一部を絶縁樹脂層の表面に露出してその同
一面上に金属層による所望とする配線回路導体層を直接
設けて回路素子間を電気的に相互接続して電子回路を構
成した電子回路装置である。
素子間が低抵抗の金属によって直接相互接続された構成
となるので、従来例のようにプリント配線板の回路導体
層と各種回路素子のはんだ接続に比べて接続部の低抵抗
化がはかれると共に、はんだ付け作業にまつわる種々の
問題点、例えば使用する回路素子のはんだ耐熱性や性能
劣化が解消され、かつ構成された電子装置全体の薄型化
や軽量化がはかられ、回路素子間の高密度でかつ信頼性
の高い接続を可能とする効果が得られるものである。
断面図
断面図
断面図
断面図
断面図
断面図
る電子回路装置の製造方法を説明するための製造工程断
面図
Claims (6)
- 【請求項1】 複数の回路素子をその外部端子の一部分
が表面に露出するように熱硬化性絶縁樹脂で埋設し、前
記熱硬化性絶縁樹脂の少なくとも一方の表面に無電解め
っき法で導体回路を形成し、前記回路素子間を電気的に
相互接続した電子回路装置。 - 【請求項2】 前記導体回路上の一部に突起状の導体を
設け、外部接続端子とした請求項1記載の電子回路装
置。 - 【請求項3】 前記導体回路上に絶縁樹脂層を介して導
体回路が複数層形成されてなる請求項1記載の電子回路
装置。 - 【請求項4】 前記複数層の導体回路が前記絶縁樹脂層
に設けられた貫通穴を経由して相互に接続されてなる請
求項1記載の電子回路装置。 - 【請求項5】 前記導体回路が絶縁樹脂成形体の少なく
とも一方の面に貼り付けられてなる請求項1記載の電子
回路装置。 - 【請求項6】 平滑性を有し、かつ離形性に優れた非導
電性支持体上に接着剤を塗布し、この接着剤層の所定の
位置に複数個の回路素子を搭載してその外部接続端子層
を前記支持体に接するように固定し、前記回路素子面を
熱硬化性絶縁樹脂で完全に埋設した後、前記支持体を埋
設した前記熱硬化性絶縁樹脂から剥離し、その剥離面に
前記回路素子の外部接続端子層の一部を露出させてその
表面に所望とする配線回路導体層を無電解めっき法によ
り形成し、前記回路素子間を電気的に接続したことを特
徴とする電子回路装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03047899A JP3094481B2 (ja) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | 電子回路装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03047899A JP3094481B2 (ja) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | 電子回路装置とその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04283987A JPH04283987A (ja) | 1992-10-08 |
JP3094481B2 true JP3094481B2 (ja) | 2000-10-03 |
Family
ID=12788245
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP03047899A Expired - Lifetime JP3094481B2 (ja) | 1991-03-13 | 1991-03-13 | 電子回路装置とその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3094481B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10085347B2 (en) | 2006-03-17 | 2018-09-25 | Ge Embedded Electronics Oy | Manufacture of a circuit board and circuit board containing a component |
Families Citing this family (50)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01273481A (ja) * | 1988-04-26 | 1989-11-01 | Nec Corp | ファクシミリ装置 |
JPH11126978A (ja) * | 1997-10-24 | 1999-05-11 | Kyocera Corp | 多層配線基板 |
US6038133A (en) | 1997-11-25 | 2000-03-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Circuit component built-in module and method for producing the same |
JP5505433B2 (ja) * | 1999-09-02 | 2014-05-28 | イビデン株式会社 | プリント配線板 |
CN101232775B (zh) | 1999-09-02 | 2010-06-09 | 伊比登株式会社 | 印刷布线板及其制造方法 |
JP4726285B2 (ja) * | 1999-09-02 | 2011-07-20 | イビデン株式会社 | プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 |
JP4554789B2 (ja) * | 1999-09-02 | 2010-09-29 | イビデン株式会社 | プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 |
JP2002100871A (ja) * | 1999-09-02 | 2002-04-05 | Ibiden Co Ltd | プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 |
KR101084526B1 (ko) | 1999-09-02 | 2011-11-18 | 이비덴 가부시키가이샤 | 프린트배선판 및 그 제조방법 |
JP4953499B2 (ja) * | 1999-09-02 | 2012-06-13 | イビデン株式会社 | プリント配線板 |
JP4885366B2 (ja) * | 2000-01-31 | 2012-02-29 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板の製造方法 |
JP3813402B2 (ja) * | 2000-01-31 | 2006-08-23 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4685251B2 (ja) * | 2000-02-09 | 2011-05-18 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板の製造方法 |
JP4685979B2 (ja) * | 2000-02-21 | 2011-05-18 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板 |
JP4521927B2 (ja) * | 2000-04-04 | 2010-08-11 | イビデン株式会社 | プリント配線板の製造方法 |
JP4968404B2 (ja) * | 2000-04-05 | 2012-07-04 | イビデン株式会社 | プリント配線板 |
JP4945842B2 (ja) * | 2000-04-05 | 2012-06-06 | イビデン株式会社 | プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 |
JP4651159B2 (ja) * | 2000-06-23 | 2011-03-16 | イビデン株式会社 | 多層プリント配線板および多層プリント配線板の製造方法 |
JP4863546B2 (ja) * | 2000-07-21 | 2012-01-25 | イビデン株式会社 | コンデンサ内蔵プリント配線板及びコンデンサ内蔵プリント配線板の製造方法 |
JP4695289B2 (ja) * | 2000-07-31 | 2011-06-08 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板の製造方法 |
JP5066311B2 (ja) * | 2000-10-27 | 2012-11-07 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板 |
TW511405B (en) | 2000-12-27 | 2002-11-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Device built-in module and manufacturing method thereof |
JP4810772B2 (ja) * | 2001-07-31 | 2011-11-09 | パナソニック株式会社 | 回路モジュール |
FI119215B (fi) | 2002-01-31 | 2008-08-29 | Imbera Electronics Oy | Menetelmä komponentin upottamiseksi alustaan ja elektroniikkamoduuli |
JP4489411B2 (ja) | 2003-01-23 | 2010-06-23 | 新光電気工業株式会社 | 電子部品実装構造の製造方法 |
FI115601B (fi) | 2003-04-01 | 2005-05-31 | Imbera Electronics Oy | Menetelmä elektroniikkamoduulin valmistamiseksi ja elektroniikkamoduuli |
US8704359B2 (en) | 2003-04-01 | 2014-04-22 | Ge Embedded Electronics Oy | Method for manufacturing an electronic module and an electronic module |
JP4200285B2 (ja) * | 2003-04-02 | 2008-12-24 | パナソニック株式会社 | 回路基板の製造方法 |
JP2004311768A (ja) | 2003-04-08 | 2004-11-04 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 基板の製造方法及び半導体装置用基板及び半導体装置 |
JP2004007006A (ja) * | 2003-09-16 | 2004-01-08 | Kyocera Corp | 多層配線基板 |
FI20031341A (fi) | 2003-09-18 | 2005-03-19 | Imbera Electronics Oy | Menetelmä elektroniikkamoduulin valmistamiseksi |
FI117814B (fi) | 2004-06-15 | 2007-02-28 | Imbera Electronics Oy | Menetelmä elektroniikkamoduulin valmistamiseksi |
FI117812B (fi) * | 2004-08-05 | 2007-02-28 | Imbera Electronics Oy | Komponentin sisältävän kerroksen valmistaminen |
FI117369B (fi) | 2004-11-26 | 2006-09-15 | Imbera Electronics Oy | Menetelmä elektroniikkamoduulin valmistamiseksi |
JP4736451B2 (ja) * | 2005-02-03 | 2011-07-27 | パナソニック株式会社 | 多層配線基板とその製造方法、および多層配線基板を用いた半導体パッケージと電子機器 |
FI119714B (fi) | 2005-06-16 | 2009-02-13 | Imbera Electronics Oy | Piirilevyrakenne ja menetelmä piirilevyrakenteen valmistamiseksi |
FI122128B (fi) | 2005-06-16 | 2011-08-31 | Imbera Electronics Oy | Menetelmä piirilevyrakenteen valmistamiseksi |
EP2031946A4 (en) | 2006-05-24 | 2011-07-13 | Dainippon Printing Co Ltd | PCB WITH AN INTEGRATED COMPONENT AND METHOD FOR PRODUCING A PCB WITH AN INTEGRATED COMPONENT |
JP4521017B2 (ja) * | 2007-06-06 | 2010-08-11 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板の製造方法、コンデンサ内蔵コア基板の製造方法 |
JP5058144B2 (ja) | 2008-12-25 | 2012-10-24 | 新光電気工業株式会社 | 半導体素子の樹脂封止方法 |
JP2010165940A (ja) | 2009-01-16 | 2010-07-29 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体素子の樹脂封止方法 |
JP5582597B2 (ja) * | 2009-09-30 | 2014-09-03 | セイコーインスツル株式会社 | 電子回路部品および電子機器 |
JP2010034588A (ja) * | 2009-11-09 | 2010-02-12 | Panasonic Corp | 回路部品内蔵基板の製造方法 |
JP4751474B2 (ja) * | 2010-04-05 | 2011-08-17 | 日本特殊陶業株式会社 | 配線基板、コンデンサ内蔵コア基板 |
KR20120004777A (ko) * | 2010-07-07 | 2012-01-13 | 삼성전기주식회사 | 전자 부품 모듈 및 이의 제조방법 |
JP5223893B2 (ja) * | 2010-07-13 | 2013-06-26 | 大日本印刷株式会社 | 部品内蔵配線板、部品内蔵配線板の製造方法 |
WO2014041697A1 (ja) * | 2012-09-14 | 2014-03-20 | 株式会社メイコー | 部品内蔵基板及びその製造方法 |
JP2014107397A (ja) * | 2012-11-27 | 2014-06-09 | Nitto Denko Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP6478309B2 (ja) | 2012-12-31 | 2019-03-06 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | 多層基板及び多層基板の製造方法 |
JP6467775B2 (ja) * | 2014-03-10 | 2019-02-13 | 富士通株式会社 | 部品内蔵基板の製造方法 |
-
1991
- 1991-03-13 JP JP03047899A patent/JP3094481B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10085347B2 (en) | 2006-03-17 | 2018-09-25 | Ge Embedded Electronics Oy | Manufacture of a circuit board and circuit board containing a component |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04283987A (ja) | 1992-10-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3094481B2 (ja) | 電子回路装置とその製造方法 | |
US20220053633A1 (en) | Embedding Component in Component Carrier by Component Fixation Structure | |
US4858073A (en) | Metal substrated printed circuit | |
US3777220A (en) | Circuit panel and method of construction | |
US11058007B2 (en) | Component carrier with two component carrier portions and a component being embedded in a blind opening of one of the component carrier portions | |
JPH08306737A (ja) | 適応相互接続層を有する回路モジュール及び製造方法 | |
JPS62216259A (ja) | 混成集積回路の製造方法および構造 | |
KR100257926B1 (ko) | 회로기판형성용다층필름 및 이를 사용한 다층회로기판 및 반도체장치용패키지 | |
WO2021004459A1 (zh) | 一种埋入式电路板及其制备方法 | |
KR20000006037A (ko) | 저열팽창회로보드및다층회로보드 | |
CN111372369A (zh) | 具有部件屏蔽的部件承载件及其制造方法 | |
KR100860533B1 (ko) | 금속 인쇄회로기판 제조방법 | |
EP3621107A1 (en) | Component with dielectric layer for embedding in component carrier | |
US10736222B2 (en) | Cooling component carrier material by carbon structure within dielectric shell | |
TW200833190A (en) | Adhesive sheet for capacitor and method for manufacturing printed circuit board having built-in capacitor using the same | |
CN112996271A (zh) | 制造部件承载件的方法及部件承载件 | |
KR100301107B1 (ko) | 멀티칩모듈기판및그제조방법 | |
CN113133178A (zh) | 具有中心承载件和两个相反的层堆叠体的布置结构、部件承载件及制造方法 | |
JPH02164096A (ja) | 多層電子回路基板とその製造方法 | |
JPH0653684A (ja) | 薄膜多層配線基板とそれを用いたモジュール | |
US20240021440A1 (en) | Component Carrier and Method of Manufacturing the Same | |
KR20020054112A (ko) | 수동 소자 내장형 멀티 칩 모듈 기판 제조 방법 | |
JPH01124273A (ja) | 磁電変換素子の実装構造 | |
JPS60134497A (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
KR100468195B1 (ko) | 다층 인쇄 회로 기판을 제조하는 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070804 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080804 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080804 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090804 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090804 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100804 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110804 Year of fee payment: 11 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110804 Year of fee payment: 11 |