WO2014083973A1 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

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WO2014083973A1
WO2014083973A1 PCT/JP2013/078713 JP2013078713W WO2014083973A1 WO 2014083973 A1 WO2014083973 A1 WO 2014083973A1 JP 2013078713 W JP2013078713 W JP 2013078713W WO 2014083973 A1 WO2014083973 A1 WO 2014083973A1
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thermosetting resin
resin sheet
intermediate film
semiconductor device
thermosetting
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石井　淳
豊田　英志
宇圓田　大介
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日東電工株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device.
  • a method in which a plurality of diced chips are arranged on a support and resin-encapsulated to form a package.
  • a plurality of chips separated on a heat-sensitive adhesive formed on a support are arranged, and a plastic common carrier is formed so as to cover the chips and the heat-sensitive adhesive.
  • a method of peeling the common carrier in which the chip is embedded by heating and the heat-sensitive adhesive is used.
  • Patent Document 1 does not describe thermal curing of a plastic common carrier. Moreover, even if it is thermally cured, there is a problem that the common carrier is warped as a whole because shrinkage occurs when the common carrier is thermally cured.
  • an object of the present invention is to provide a semiconductor device capable of suppressing the occurrence of warping when the thermosetting resin sheet is thermoset after embedding a plurality of semiconductor chips in the thermosetting resin sheet. It is to provide a manufacturing method.
  • the present invention is a method of manufacturing a semiconductor device, A method for manufacturing a semiconductor device, comprising: Preparing a first laminated body with a semiconductor chip in which a plurality of semiconductor chips are arranged on a first laminated body provided with an adhesive layer on a pedestal; and A step B of obtaining a second laminate by disposing a thermosetting resin sheet on the surface of the first laminate with a semiconductor chip prepared in the step A on the side where the plurality of semiconductor chips are exposed; By applying pressure with the thermosetting resin sheet surfaces of the two second laminates facing each other through an intermediate film, the plurality of semiconductor chips are embedded in the thermosetting resin sheet and bonded to the base.
  • Step C for obtaining two third laminated bodies each having an agent layer and a thermosetting resin sheet embedded with a semiconductor chip; After the step C, the thermosetting resin sheet of the third laminated body is left in a state where the thermosetting resin sheet surfaces of the two third laminated bodies are opposed to each other through the intermediate film.
  • Thermosetting step D After the step D, a step E of peeling the intermediate film from the third laminate, After the step E, a step F of peeling the first laminate from the thermosetting resin sheet; After the step F, the method includes a step G of forming a wiring on the thermosetting resin sheet.
  • thermosetting resin sheet is disposed on the surface of the first laminated body with semiconductor chips prepared in the step A on the side where the plurality of semiconductor chips are exposed to obtain a second laminated body ( Step B).
  • thermosetting resin sheet surfaces of the two second laminates are opposed to each other via an intermediate film, and pressure is applied (pressed), whereby the plurality of semiconductor chips are bonded to the thermosetting resin.
  • thermosetting resin sheet of the third laminated body is left in a state where the thermosetting resin sheet surfaces of the two third laminated bodies are opposed to each other through the intermediate film.
  • Heat cure step D. Therefore, while the thermosetting resin sheet of the third laminate is thermoset, the thermosetting resin sheet is thermoset while being sandwiched between two pedestals. As a result, warpage of the thermosetting resin sheet during thermosetting can be suppressed.
  • two 3rd laminated bodies can be obtained by one press (process C) and thermosetting (process D), it is excellent in productivity.
  • step D the intermediate film is peeled from the third laminate (step E).
  • step E the first laminate is peeled from the thermosetting resin sheet (step F).
  • step G wiring is formed on the thermosetting resin sheet (step G).
  • the said structure WHEREIN The peeling strength of the said intermediate
  • the intermediate film preferably has a surface roughness Ra of 50 nm to 100 ⁇ m.
  • the intermediate film can be more preferably peeled from the thermosetting resin sheet.
  • the intermediate film is preferably subjected to a release treatment on the surface. If the surface of the intermediate film is subjected to a release treatment, the intermediate film can be more preferably peeled from the thermosetting resin sheet.
  • the intermediate film is preferably composed of a support plate and a peelable film provided on both surfaces of the support plate.
  • the support plate which is not easily deformed ensures the flatness of the surface of the thermosetting resin sheet and is peeled off. The peelability from the thermosetting resin sheet can be ensured by the adhesive film.
  • thermosetting resin sheet has a glass transition temperature of 50 ° C. or higher before thermosetting.
  • the glass transition temperature before thermosetting of the thermosetting resin sheet is 50 ° C. or more, the heat resistance is excellent.
  • the thermosetting resin sheet has a tensile storage elastic modulus at 25 ° C. after thermosetting within a range of 0.1 Gpa to 30 Gpa.
  • the tensile storage elastic modulus at 25 ° C. after thermosetting of the thermosetting resin sheet is 0.1 Gpa or more, it has a certain degree of strength and is easy to maintain the shape. If there is, it is excellent in that stress can be relaxed.
  • the heat from the upper surface (the surface opposite to the adhesive layer) of the semiconductor chip embedded in the thermosetting resin sheet is preferably in the range of 20 ⁇ m to 300 ⁇ m.
  • the distance is in the range of 20 ⁇ m to 300 ⁇ m, it is excellent in that the semiconductor chip can be prevented from being exposed and the warp of the thermosetting resin sheet and the stress applied to the thermosetting resin sheet can be reduced.
  • the pressurizing conditions in the step C are in the range of a temperature of 70 ° C. to 130 ° C., a pressure of 0.2 Mpa to 5 Mpa, and a degree of vacuum of 0.1 to 20 torr.
  • the viscosity at 10 ° C. is preferably in the range of 10 to 5000 Pa ⁇ s (Pascal second).
  • the conditions at the time of pressurization in the step C are a temperature of 70 ° C. to 130 ° C., a pressure of 0.2 Mpa to 5 Mpa, and a vacuum degree of 0.1 to 20 torr.
  • the semiconductor chip can be suitably embedded in the thermosetting resin sheet.
  • thermosetting resin sheet when a plurality of semiconductor chips are embedded in a thermosetting resin sheet and then the thermosetting resin sheet is thermoset, the occurrence of warpage can be suppressed.
  • a manufacturing method of a semiconductor device is a manufacturing method of a semiconductor device, Step A for preparing a first laminated body with a semiconductor chip in which a plurality of semiconductor chips are arranged on a first laminated body having an adhesive layer provided on a pedestal (Step for preparing a first laminated body with a semiconductor chip)
  • Step B first step of obtaining a second laminated body by disposing a thermosetting resin sheet on the surface of the first laminated body with semiconductor chips prepared in step A on the side where the plurality of semiconductor chips are exposed.
  • Step of obtaining a laminate of 2) By applying pressure with the thermosetting resin sheet surfaces of the two second laminates facing each other through an intermediate film, the plurality of semiconductor chips are embedded in the thermosetting resin sheet and bonded to the base.
  • Step C step of obtaining two third laminates
  • the thermosetting resin sheet of the third laminated body is left in a state where the thermosetting resin sheet surfaces of the two third laminated bodies are opposed to each other through the intermediate film.
  • Thermosetting step D (step of thermosetting the thermosetting resin sheet); After the step D, a step E (step of peeling the intermediate film) of peeling the intermediate film from the third laminate, After the step E, a step F (step of peeling the first laminate) of peeling off the first laminate from the thermosetting resin sheet; After the step F, the method includes at least a step G (step of forming a wiring) for forming a wiring on the thermosetting resin sheet.
  • Step of preparing first laminated body with semiconductor chip 1 to 7 are schematic cross-sectional views for explaining a method for manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
  • step A in the step of preparing the first laminated body with semiconductor chips (step A), as shown in FIG. 1, a plurality of semiconductor chips are formed on the first laminated body 20 in which the adhesive layer 24 is provided on the pedestal 22.
  • a first stacked body 28 with a semiconductor chip in which 26 is arranged is prepared.
  • the pedestal 22 preferably has a certain level of strength.
  • the pedestal 22 is not particularly limited, and examples thereof include compound wafers such as silicon wafers, SiC wafers, and GaAs wafers, glass wafers, metal foils such as SUS, 6-4 Alloy, Ni foil, and Al foil.
  • compound wafers such as silicon wafers, SiC wafers, and GaAs wafers, glass wafers, metal foils such as SUS, 6-4 Alloy, Ni foil, and Al foil.
  • a silicon wafer or a glass wafer is preferable.
  • a SUS board or a glass plate is preferable.
  • low density polyethylene linear polyethylene, medium density polyethylene, high density polyethylene, ultra low density polyethylene, random copolymer polypropylene, block copolymer polypropylene, homopolyprolene, polybutene, polymethylpentene, etc.
  • polyesters such as polyurethane, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polycarbonate, polyimide, polyetheretherketone, polyimide, polyetherimide
  • the base 22 may be used alone or in combination of two or more.
  • the thickness of the pedestal is not particularly limited, but is usually about 10 ⁇ m to 20 mm, for example.
  • the adhesive layer 24 is formed of a material capable of expressing light releasability after the step of thermosetting the thermosetting resin sheet (step D).
  • the adhesive composition constituting the adhesive layer 24 include a polyimide resin having an imide group and a structural unit derived from a diamine having an ether structure at least in part, and a precursor of the polyimide resin. And polyamic acid, a silicone resin, and a combination of a thermoplastic resin and a thermosetting resin.
  • the polyimide resin can be generally obtained by imidizing (dehydrating and condensing) a polyamic acid that is a precursor thereof.
  • a method for imidizing the polyamic acid for example, a conventionally known heat imidization method, azeotropic dehydration method, chemical imidization method and the like can be employed. Of these, the heating imidization method is preferable.
  • the heat imidization method it is preferable to perform heat treatment under a nitrogen atmosphere or an inert atmosphere such as a vacuum in order to prevent deterioration of the polyimide resin due to oxidation.
  • the polyamic acid is charged in an appropriately selected solvent such that an acid anhydride and a diamine (including both a diamine having an ether structure and a diamine not having an ether structure) have a substantially equimolar ratio. Can be obtained by reaction.
  • the polyimide resin preferably has a structural unit derived from a diamine having an ether structure.
  • the diamine having an ether structure is not particularly limited as long as it is a compound having an ether structure and having at least two terminals having an amine structure.
  • a diamine having a glycol skeleton is preferable.
  • the ether structure or the glycol skeleton is detached from the resin constituting the adhesive layer 24, for example, FT-IR (Fourier Transform Infrared Spectroscopy) before and after heating at 300 ° C. for 30 minutes. It can be confirmed by comparing the spectra that the spectrum of 2800 to 3000 cm ⁇ 1 decreases before and after heating.
  • FT-IR Fastier Transform Infrared Spectroscopy
  • diamine having a glycol skeleton examples include a polypropylene glycol structure and a diamine having one amino group at each end, a polyethylene glycol structure, and one amino group at each end.
  • examples thereof include a diamine having a polytetramethylene glycol structure and a diamine having an alkylene glycol such as a diamine having one amino group at each end.
  • the diamine which has two or more of these glycol structures and has one amino group in both the ends can be mentioned.
  • the molecular weight of the diamine having an ether structure is preferably within the range of 100 to 5000, and more preferably 150 to 4800.
  • the molecular weight of the diamine having an ether structure is in the range of 100 to 5000, it is easy to obtain the adhesive layer 24 having high adhesive strength at low temperatures and exhibiting peelability at high temperatures.
  • a diamine having no ether structure can be used in combination with a diamine having an ether structure.
  • the diamine having no ether structure include aliphatic diamines and aromatic diamines.
  • the mixing ratio of the diamine having an ether structure and the diamine having no ether structure is preferably in the range of 100: 0 to 10:90, more preferably 100: 0 to 20: 80, more preferably 99: 1 to 30:70.
  • the thermal peelability at high temperature is excellent.
  • Examples of the aliphatic diamine include ethylenediamine, hexamethylenediamine, 1,8-diaminooctane, 1,10-diaminodecane, 1,12-diaminododecane, 4,9-dioxa-1,12-diaminododecane, , 3-bis (3-aminopropyl) -1,1,3,3-tetramethyldisiloxane ( ⁇ , ⁇ -bisaminopropyltetramethyldisiloxane) and the like.
  • the molecular weight of the aliphatic diamine is usually 50 to 1,000,000, preferably 100 to 30,000.
  • aromatic diamine examples include 4,4′-diaminodiphenyl ether, 3,4′-diaminodiphenyl ether, 3,3′-diaminodiphenyl ether, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, and 4,4′-diaminodiphenylpropane.
  • the molecular weight of the aromatic diamine is usually 50 to 1000, preferably 100 to 500.
  • the molecular weight of the aliphatic diamine and the molecular weight of the aromatic diamine are values measured by GPC (gel permeation chromatography) and calculated in terms of polystyrene (weight average molecular weight).
  • Examples of the acid anhydride include 3,3 ′, 4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2 ′, 3,3′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 2,2 ′, 3,3′-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 4,4′-oxydiphthalic dianhydride, 2,2-bis (2, 3-Dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride, 2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) hexafluoropropane dianhydride (6FDA), bis (2,3-dicarboxyphenyl) methane dianhydride Bis (3,4-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, bis (2,3-dicarboxyphenyl) sulfone dianhydride, bis
  • Examples of the solvent for reacting the acid anhydride with the diamine include N, N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylformamide, and cyclopentanone. These may be used alone or in combination. Further, in order to adjust the solubility of raw materials and resins, a nonpolar solvent such as toluene or xylene may be appropriately mixed and used.
  • silicone resin examples include peroxide cross-linked silicone pressure sensitive adhesive, addition reaction type silicone pressure sensitive adhesive, dehydrogenation reaction type silicone pressure sensitive adhesive, and moisture curable type silicone pressure sensitive adhesive.
  • the said silicone resin may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together. When the silicone resin is used, the heat resistance becomes high, and the storage elastic modulus and adhesive strength at high temperatures can be appropriate values.
  • addition reaction type silicone pressure-sensitive adhesives are preferable in terms of few impurities.
  • the adhesive layer 24 may contain other additives as necessary.
  • other additives include flame retardants, silane coupling agents, and ion trapping agents.
  • flame retardant include antimony trioxide, antimony pentoxide, and brominated epoxy resin.
  • silane coupling agent include ⁇ - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, ⁇ -glycidoxypropyltrimethoxysilane, ⁇ -glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, and the like.
  • the ion trapping agent include hydrotalcites and bismuth hydroxide. Such other additives may be only one kind or two or more kinds.
  • the first laminate 20 is obtained by forming the adhesive layer 24 on the pedestal 22.
  • the adhesive layer 24 is formed by applying a solution containing a composition for forming the adhesive layer 24 to the pedestal 22, or applying the solution on an appropriate separator (such as release paper) to form the adhesive layer 24.
  • the 1st laminated body 20 can be obtained by the method of transcribe
  • first laminated body with semiconductor chip In the first stacked body 28 with a semiconductor chip, a plurality of semiconductor chips 26 are arranged on the adhesive layer 24 so that the adhesive layer 24 and the circuit formation surface 26a of the semiconductor chip 26 face each other (see FIG. 1).
  • a known device such as a flip chip bonder or a die bonder can be used for the arrangement of the semiconductor chip 26.
  • the 1st laminated body 28 with a semiconductor chip can be prepared.
  • thermosetting resin sheet 40 is disposed on the surface of the first stacked body 28 with semiconductor chips on the side where the plurality of semiconductor chips 26 are exposed, so that the second stacked body is formed. 30 is obtained (step B).
  • thermosetting resin sheet 40 has a function of sealing the semiconductor chip 26.
  • the constituent material of the thermosetting resin sheet 40 include a combination of a thermoplastic resin and a thermosetting resin.
  • a thermosetting resin alone can also be used.
  • thermoplastic resin examples include natural rubber, butyl rubber, isoprene rubber, chloroprene rubber, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ethylene-acrylic acid ester copolymer, polybutadiene resin, polycarbonate resin, heat Examples thereof include plastic polyimide resins, polyamide resins such as 6-nylon and 6,6-nylon, phenoxy resins, acrylic resins, saturated polyester resins such as PET and PBT, polyamideimide resins, and fluorine resins. These thermoplastic resins can be used alone or in combination of two or more. Among these thermoplastic resins, an acrylic resin that has few ionic impurities and high heat resistance and can ensure the reliability of the semiconductor chip is particularly preferable.
  • the acrylic resin is not particularly limited, and includes one or more esters of acrylic acid or methacrylic acid ester having a linear or branched alkyl group having 30 or less carbon atoms, particularly 4 to 18 carbon atoms.
  • Examples include polymers as components.
  • the alkyl group include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, t-butyl group, isobutyl group, amyl group, isoamyl group, hexyl group, heptyl group, cyclohexyl group, 2 -Ethylhexyl group, octyl group, isooctyl group, nonyl group, isononyl group, decyl group, isodecyl group, undecyl group, lauryl group, tridecyl group, tetradecyl group, stearyl group, octadecyl group,
  • the other monomer forming the polymer is not particularly limited, and examples thereof include acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl acrylate, carboxypentyl acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid, and crotonic acid.
  • Carboxyl group-containing monomers maleic anhydride or acid anhydride monomers such as itaconic anhydride, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-methacrylic acid 4- Hydroxybutyl, 6-hydroxyhexyl (meth) acrylate, 8-hydroxyoctyl (meth) acrylate, 10-hydroxydecyl (meth) acrylate, 12-hydroxylauryl (meth) acrylate or (4-hydroxymethylcyclohexyl) -Methyl Hydroxyl group-containing monomers such as acrylate, styrene sulfonic acid, allyl sulfonic acid, 2- (meth) acrylamide-2-methylpropane sulfonic acid, (meth) acrylamide propane sulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate or (meth) Examples thereof include sulfonic acid group-containing monomers such as
  • thermosetting resin examples include phenol resin, amino resin, unsaturated polyester resin, epoxy resin, polyurethane resin, silicone resin, and thermosetting polyimide resin. These resins can be used alone or in combination of two or more. In particular, an epoxy resin containing a small amount of ionic impurities that corrode the semiconductor chip is preferable. Moreover, as a hardening
  • the epoxy resin is not particularly limited as long as it is generally used as an adhesive composition, for example, bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, brominated bisphenol A type, hydrogenated bisphenol A type, bisphenol AF type.
  • novolac type epoxy resins novolac type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, trishydroxyphenylmethane type resins or tetraphenylolethane type epoxy resins are particularly preferred. This is because these epoxy resins are rich in reactivity with a phenol resin as a curing agent and are excellent in heat resistance and the like.
  • the phenol resin acts as a curing agent for the epoxy resin, for example, a novolac type phenol resin such as a phenol novolac resin, a phenol aralkyl resin, a cresol novolac resin, a tert-butylphenol novolac resin, a nonylphenol novolac resin, Examples include resol-type phenolic resins and polyoxystyrenes such as polyparaoxystyrene. These can be used alone or in combination of two or more. Of these phenol resins, phenol novolac resins and phenol aralkyl resins are particularly preferred. This is because the connection reliability of the semiconductor device can be improved.
  • the compounding ratio of the epoxy resin and the phenol resin is preferably such that, for example, the hydroxyl group in the phenol resin is 0.5 to 2.0 equivalents per equivalent of the epoxy group in the epoxy resin component. More preferred is 0.8 to 1.2 equivalents. That is, if the blending ratio of both is out of the above range, sufficient curing reaction does not proceed and the properties of the cured epoxy resin are likely to deteriorate.
  • thermosetting acceleration catalyst for epoxy resin and phenol resin is not particularly limited, and can be appropriately selected from known thermosetting acceleration catalysts.
  • stimulation catalyst can be used individually or in combination of 2 or more types.
  • thermosetting acceleration catalyst for example, an amine-based curing accelerator, a phosphorus-based curing accelerator, an imidazole-based curing accelerator, a boron-based curing accelerator, a phosphorus-boron-based curing accelerator, or the like can be used.
  • an inorganic filler can be appropriately blended in the thermosetting resin sheet 40.
  • the blending of the inorganic filler makes it possible to impart conductivity, improve thermal conductivity, adjust the storage elastic modulus, and the like.
  • the inorganic filler examples include silica, clay, gypsum, calcium carbonate, barium sulfate, alumina oxide, beryllium oxide, silicon carbide, silicon nitride and other ceramics, aluminum, copper, silver, gold, nickel, chromium, lead And various inorganic powders made of metals such as tin, zinc, palladium, solder, or alloys, and other carbons. These can be used alone or in combination of two or more. Among these, silica, particularly fused silica is preferably used.
  • the average particle size of the inorganic filler is preferably in the range of 0.1 to 30 ⁇ m, and more preferably in the range of 0.5 to 25 ⁇ m. In the present invention, inorganic fillers having different average particle sizes may be used in combination.
  • the average particle size is a value determined by a photometric particle size distribution meter (manufactured by HORIBA, apparatus name: LA-910).
  • the blending amount of the inorganic filler is preferably set to 100 to 1400 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the organic resin component. Particularly preferred is 230 to 900 parts by weight.
  • the blending amount of the inorganic filler is 100 parts by weight or more, heat resistance and strength are improved.
  • liquidity is securable by setting it as 1400 weight part or less. Thereby, it can prevent that adhesiveness and embedding fall.
  • additives can be appropriately blended in the thermosetting resin sheet 40 as necessary.
  • other additives include flame retardants, silane coupling agents, ion trapping agents, pigments such as carbon black, and the like.
  • flame retardant include antimony trioxide, antimony pentoxide, brominated epoxy resin, and the like. These can be used alone or in combination of two or more.
  • silane coupling agent include ⁇ - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, ⁇ -glycidoxypropyltrimethoxysilane, ⁇ -glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, and the like.
  • an elastomer component may be added as an additive for viscosity adjustment.
  • the elastomer component is not particularly limited as long as it thickens the resin.
  • various acrylic copolymers such as polyacrylic acid ester; polystyrene-polyisobutylene copolymer, styrene acrylate copolymer, etc.
  • elastomers having a styrene skeleton rubber polymers such as butadiene rubber, styrene-butadiene rubber (SBR), ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA), isoprene rubber, and acrylonitrile rubber.
  • SBR styrene-butadiene rubber
  • EVA ethylene-vinyl acetate copolymer
  • isoprene rubber acrylonitrile rubber
  • the thermosetting resin sheet 40 preferably has a glass transition temperature before thermosetting of 50 ° C. or more, more preferably in the range of 50 to 200 ° C., and preferably in the range of 80 to 150 ° C. Further preferred. When the glass transition temperature before thermosetting of the thermosetting resin sheet 40 is 50 ° C. or more, the heat resistance is excellent.
  • the thermosetting resin sheet 40 preferably has a tensile storage modulus at 25 ° C. after thermosetting in the range of 0.1 Gpa to 30 Gpa, and more preferably in the range of 1 Gpa to 20 Gpa.
  • the tensile storage elastic modulus at 25 ° C. after thermosetting of the thermosetting resin sheet 40 is 0.1 Gpa or more, it has a certain degree of strength and is easy to maintain its shape, so that it is excellent in handling properties, while at 30 Gpa or less. If there is, it is excellent in that stress can be relaxed.
  • the viscosity of the thermosetting resin sheet 40 at 100 ° C. is preferably 10 to 5000 Pa ⁇ s, and more preferably 50 to 3000 Pa ⁇ s.
  • the viscosity is 10 Pa ⁇ s or more, the surface shape can be prevented from being greatly deformed during thermosetting.
  • the semiconductor chip 26 can be embedded suitably by setting it as 5000 Pa.s or less.
  • the distance d (from the upper surface of the semiconductor chip 26 embedded in the thermosetting resin sheet 40 to the surface of the thermosetting resin sheet 40 on the intermediate film 50 side. 4) is preferably in the range of 20 ⁇ m to 300 ⁇ m, and more preferably in the range of 25 ⁇ m to 200 ⁇ m.
  • the thickness of the semiconductor chip is about 50 ⁇ m to 500 ⁇ m.
  • the thickness of the thermosetting resin sheet 40 (the total thickness of the thermosetting resin sheet 40) is preferably 70 ⁇ m to 800 ⁇ m, and more preferably 75 ⁇ m to 700 ⁇ m.
  • thermosetting resin sheet 40 for example, a process of forming an application layer by applying an adhesive composition solution that is a constituent material of the thermosetting resin sheet 40 on a release film, Then, the method of performing the process of drying the said application layer is mentioned.
  • the coating method of the adhesive composition solution is not particularly limited, and examples thereof include a coating method using a comma coating method, a fountain method, a gravure method, and the like.
  • the coating thickness may be appropriately set so that the thickness of the thermosetting resin sheet 40 finally obtained by drying the coating layer is within the range of 10 to 100 ⁇ m.
  • the release film is not particularly limited, and examples thereof include those in which a release coat layer such as a silicone layer is formed on the surface of the release film to be bonded to the thermosetting resin sheet 40.
  • a release coat layer such as a silicone layer
  • the resin film which consists of paper materials, such as glassine paper, polyethylene, a polypropylene, polyester, etc. is mentioned, for example.
  • the drying of the coating layer is performed by blowing a drying air onto the coating layer.
  • the spraying of the dry air include a method in which the spraying direction is parallel to the conveying direction of the release film and a method in which the drying air is perpendicular to the surface of the coating layer.
  • the air volume of the drying air is not particularly limited, and is usually 5 to 20 m / min, preferably 5 to 15 m / min. By setting the air volume of the drying air to 5 m / min or more, it is possible to prevent the coating layer from being insufficiently dried.
  • thermosetting resin sheet 40 having a uniform surface state in the plane.
  • the drying time is appropriately set according to the coating thickness of the adhesive composition solution, and is usually in the range of 1 to 5 minutes, preferably 2 to 4 minutes.
  • the drying time is usually in the range of 1 to 5 minutes, preferably 2 to 4 minutes.
  • the drying temperature is not particularly limited, and is usually set within a range of 70 to 160 ° C. In the present embodiment, it is preferable to increase the drying temperature stepwise as the drying time elapses. Specifically, for example, it is set within a range of 70 ° C. to 100 ° C. in the initial stage of drying (1 min or less immediately after drying), and is set within a range of 100 to 160 ° C. in the late stage of drying (over 1 min to 5 min or less). . Thereby, generation
  • thermosetting resin sheet 40 surfaces of the two second laminated bodies 30 are bonded to the intermediate film 50. (See FIG. 3). Subsequently, by applying pressure from both the pedestal 22 side toward the thermosetting resin sheet 40 side, the plurality of semiconductor chips 26 are embedded in the thermosetting resin sheet 40, and the pedestal 22, the adhesive layer 24, Two third laminated bodies 60 having the thermosetting resin sheet 40 embedded with the semiconductor chip 26 are obtained (step C) (see FIG. 4).
  • the pressurizing conditions in the step C are preferably a temperature of 70 ° C. to 130 ° C., a pressure of 0.2 Mpa to 5 Mpa, and a degree of vacuum of 0.1 to 20 torr, more preferably a temperature of 80 ° C. to 120 ° C. ° C, pressure 0.3 Mpa to 4 Mpa, vacuum degree 0.5 to 18 torr.
  • the semiconductor chip 26 can be suitably embedded in the thermosetting resin sheet 40 when the pressing condition in the step C is within the above range.
  • the intermediate film 50 is for preventing the thermosetting resin sheets 40 from being bonded to each other in the step D described later.
  • the intermediate film 50 is not particularly limited, and examples thereof include a polyethylene terephthalate (PET) film, a polyolefin film, a polymethylpentene film, a polyimide film, and a polyethylene terephthalate (PET) film.
  • PET polyethylene terephthalate
  • the intermediate film 50 may be used as it is with a separator that has been used when the thermosetting resin sheet 40 is manufactured.
  • the melting point of the intermediate film 50 is preferably 150 ° C. or higher, more preferably 170 ° C. or higher, from the viewpoint of heat resistance. Moreover, although the said melting
  • the surface roughness Ra of the intermediate film 50 is preferably 50 nm to 100 ⁇ m, and more preferably 60 nm to 90 ⁇ m.
  • the intermediate film can be more preferably peeled from the thermosetting resin sheet 40 in step E described later.
  • Examples of the method for setting the surface roughness Ra of the intermediate film 50 within the above numerical range include transfer from a metal roll having irregularities.
  • the surface of the intermediate film 50 is preferably subjected to a release treatment.
  • the intermediate film can be more preferably peeled from the thermosetting resin sheet in the step E described later.
  • the release treatment include a method of applying a release agent to the intermediate film 50.
  • the release agent include a long chain alkyl group-containing polymer, a silicone-based polymer, a perfluoro-based polymer, a fluorinated polyolefin, and a polyolefin.
  • the mold release agent is dissolved in a solvent, the solution is applied, the mold release agent is emulsified in water, the emulsion is applied, the mold release agent is melted, and the intermediate film 50 and A laminating hot melt method can be used, but the most common method is to dissolve the release agent in a solvent and apply.
  • the solvent used in this solvent-type coating method include toluene, ethyl acetate, isopropyl alcohol, hexane, heptane and the like.
  • the thickness of the intermediate film 50 is not particularly limited, but is preferably in the range of 20 ⁇ m to 1000 ⁇ m from the viewpoint of strength.
  • thermosetting thermosetting resin sheet After the step C, the thermosetting resin sheet 40 of the third laminated body 60 is left in a state where the two thermosetting resin sheet 40 surfaces of the third laminated body 60 face each other through the intermediate film 50. Is thermally cured (step D). While the thermosetting resin sheet 40 of the third laminate 60 is thermoset, the thermosetting resin sheet 40 is thermoset while being sandwiched between the two pedestals 22. As a result, warpage of the thermosetting resin sheet 40 during thermosetting can be suppressed. Moreover, since two 3rd laminated bodies can be obtained by one press (process C) and thermosetting (process D), it is excellent in productivity.
  • the heating temperature is preferably 90 to 200 ° C., more preferably 120 to 175 ° C.
  • the heating time is preferably 30 to 240 minutes, and more preferably 60 to 180 minutes.
  • Step E the intermediate film 50 is peeled from the third laminate 60 (step E).
  • the intermediate film 50 is peeled from the third laminate 60 (step E).
  • the 3rd with the intermediate film 50 is attached.
  • a method of peeling the intermediate film 50 from the laminate 60 by T peel peeling, 180 ° peel peeling or the like can be mentioned. Thereby, the two 3rd laminated bodies 60 can be obtained.
  • the peel strength between the intermediate film 50 after the step D and the thermosetting resin sheet 40 is 1000 mN / min under the conditions of a peeling angle of 180 ° and a peeling speed of 300 m / min. It is preferably cm or less, more preferably 800 mN / cm or less, and even more preferably 100 mN / cm or less. Moreover, although the said peeling strength is so preferable that it is small, it can be 10 mN / cm or more and 30 mN / cm or more, for example. When the peel strength is 1000 mN / cm or less, the intermediate film 50 can be suitably peeled from the thermosetting resin sheet 40 without roughening the surface of the thermosetting resin sheet 40.
  • the 1st laminated body 20 is peeled from the thermosetting resin sheet 40 (process F).
  • the adhesive layer 24 of the first laminate 20 is dissolved with a solvent to reduce the adhesive force and the adhesive layer 24 is made of a material whose adhesive strength is reduced by heating.
  • the method include a method in which the adhesive strength is reduced by heating and peeling, and a method in which the adhesive layer 24 is peeled by physically cutting with a cutter, a laser, or the like.
  • step G [Process for forming wiring] After the step F, as shown in FIG. 7, wirings 42 are formed on the thermosetting resin sheet 40 (step G).
  • a metal seed layer is formed on the exposed semiconductor chip 26 using a known method such as a vacuum film forming method, and the wiring 42 is formed by a known method such as a semi-additive method. 42 can be formed.
  • an insulating layer such as polyimide or PBO may be formed on the wiring 42 and the thermosetting resin sheet 40.
  • the bumping process which forms a bump on the formed wiring 42.
  • the bumping process can be performed by a known method such as a solder ball or solder plating.
  • the laminated body composed of elements such as the semiconductor chip 26, the thermosetting resin sheet 40, and the wiring 42 is diced.
  • a semiconductor device can be obtained in which wiring is drawn outside the chip region.
  • a conventionally known method can be adopted as the dicing method.
  • the intermediate film of the present invention is one layer of the intermediate film 50
  • the intermediate film in this invention is not limited to this example, You may be comprised from the peelable film provided in the both surfaces of the support plate and the said support plate.
  • FIG. 8 is a schematic cross-sectional view for explaining a method for manufacturing a semiconductor device according to another embodiment of the present invention.
  • the intermediate film 150 includes a support plate 152 and a peelable film 154 provided on both surfaces of the support plate 152.
  • the support plate 152 is preferably made of a material that hardly deforms, and examples thereof include a metal plate and a glass epoxy resin plate.
  • the peelable film 154 examples include a polyethylene terephthalate (PET) film, a polyolefin film, a polymethylpentene film, a polyimide film, and a polyethylene telenaphthalate (PET) film.
  • PET polyethylene terephthalate
  • a separator that has been used when the thermosetting resin sheet 40 is manufactured may be used as it is.
  • the pressure may be applied with the thermosetting resin sheets 40 with separators (the third laminates 60 having the thermosetting resin sheets 40 with separators) opposed to each other via the support plate 152. That is, it is sufficient to prepare only the support plate 152 without preparing the peelable film 154 separately.
  • the intermediate film 150 is composed of the support plate 152 and the peelable film 154 provided on both surfaces of the support plate 152, the surface of the thermosetting resin sheet 40 is flattened by the support plate 152 that is not easily deformed. While ensuring, the peelability from the thermosetting resin sheet 40 can be secured by the peelable film 154.
  • the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on other embodiment is the same as that of embodiment mentioned above except having replaced the intermediate
  • FIG. 9 is a schematic cross-sectional view for explaining a method for manufacturing a semiconductor device according to another embodiment. As shown in FIG. 9, from the viewpoint of improving the production efficiency, the pedestal 22 surfaces of the two second laminated bodies 30 are opposed to each other, and from both thermosetting resin sheet 40 sides by a mold, a flat plate, or the like.
  • a method for manufacturing a semiconductor device comprising: Preparing a first laminated body with a semiconductor chip in which a plurality of semiconductor chips are arranged on a first laminated body provided with an adhesive layer on a pedestal; Step B of obtaining a second laminate by disposing a thermosetting resin sheet on the surface of the first laminate with semiconductor chips prepared in Step A-1 on the side where the plurality of semiconductor chips are exposed.
  • Step C-1 for obtaining two third laminates having a curable resin sheet;
  • step D-1 thermosetting the thermosetting resin sheet of the third laminate with the pedestal surfaces of the two third laminates facing each other;
  • step F-1 a step of peeling the first laminate from the thermosetting resin sheet;
  • step F-1 a method of manufacturing a semiconductor device including a step G-1 of forming a wiring on the thermosetting resin sheet.
  • the present invention is not limited to the above-described example, and it is possible to make design changes as appropriate within a range that satisfies the configuration of the present invention.
  • the obtained polyamic acid solution was applied to a 200 mm wafer as a support at 10 ° C. after drying at 120 ° C. for 10 minutes to obtain a polyamic acid film with a support.
  • the obtained polyamic acid film with a support was thermally cured at 300 ° C. for 3 hours in a nitrogen atmosphere to obtain a polyimide film with a support. This polyimide film was used as an adhesive layer.
  • thermosetting resin sheet (Preparation of thermosetting resin sheet) The following (a) to (f) are blended with a mixer, kneaded for 2 minutes at 120 ° C. with a twin-screw kneader, and then extruded from a die to give a thermosetting resin having a thickness of 500 ⁇ m. A sheet was obtained.
  • Epoxy resin manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., YSLV-80XY
  • phenolic resin MEH-7851-SS, manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd.
  • curing accelerator Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., 2P4MHZ-PW
  • Silica filler manufactured by Denki Kagaku Kogyo, FB-9454
  • Silane coupling agent manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., KBM-403
  • carbon Mitsubishi Chemical Corporation, # 40
  • a polymethylpentene film manufactured by Mitsui Chemicals, TPX film, circular with a diameter of 8.5 inches, thickness: 100 ⁇ m, surface roughness Ra: 0.4 ⁇ m
  • the surface roughness was measured using a surface shape measuring device (Dektak 8M) manufactured by Veeco. The measurement conditions were room temperature (23 ° C.) and a measurement speed of 5 ⁇ m / s.
  • thermosetting resin sheet It was 110 degreeC as a result of measuring the glass transition temperature of the produced thermosetting resin sheet.
  • the glass transition temperature is measured by cutting a thermosetting resin sheet into a strip having a thickness of 500 ⁇ m, a width of 10 mm, and a length of 50 mm with a cutter knife, and using a dynamic viscoelasticity measuring device (DMA) at 25 ° C. to 250 ° C. Is obtained as a temperature at which Tan ⁇ (E ′′ (loss elastic modulus) / E ′ (storage elastic modulus)) shows a maximum value when measured under the conditions of a frequency of 1.0 Hz and a temperature rising rate of 10 ° C./min. It was.
  • DMA dynamic viscoelasticity measuring device
  • thermosetting resin sheet (Storage elastic modulus measurement at 25 ° C. after thermosetting of thermosetting resin sheet)
  • the created thermosetting resin sheet was thermoset at 150 ° C. for 1 hour. Next, it was 3 GPa as a result of measuring the storage elastic modulus in 25 degreeC after the thermosetting of the thermosetting resin sheet.
  • the storage elastic modulus is a thermosetting resin sheet cut into a strip shape having a thickness of 500 ⁇ m, a width of 10 mm, and a length of 50 mm with a cutter knife, and using a dynamic viscoelasticity measuring device (DMA), 25 ° C., frequency It is the value of the tensile storage elastic modulus E ′ when measured under the condition of 1.0 Hz.
  • DMA dynamic viscoelasticity measuring device
  • thermosetting resin sheet at 100 ° C. It was 2000 Pa * s as a result of measuring the viscosity in 100 degreeC of the produced thermosetting resin sheet.
  • the viscosity is measured by punching a thermosetting resin sheet into a circle having a thickness of 500 ⁇ m and a diameter of 8 mm, and using a viscoelastic spectrometer (ARES) manufactured by Rheometric Scientific, at a strain of 2%, a frequency of 1 Hz, and 100 ° C. This is the value of the complex viscosity ⁇ * obtained by measurement.
  • RAS viscoelastic spectrometer
  • Example 1 The prepared polyimide film (adhesive layer) was bonded to an prepared 8-inch wafer (pedestal) to form a first laminate. Thereafter, a plurality of semiconductor chips (5 mm ⁇ 5 mm ⁇ thickness 350 ⁇ m) were arranged on the polyimide film to form a first laminated body with semiconductor chips (see FIG. 1).
  • thermosetting resin sheet was disposed on the surface of the first laminated body with the semiconductor chip on the side where the plurality of semiconductor chips are exposed to obtain a second laminated body (see FIG. 2). . Two such second laminates were prepared.
  • thermosetting resin sheet surfaces of the two second laminates were arranged to face each other through the prepared intermediate film (see FIG. 3).
  • thermocompression bonding was performed using a vacuum press, the semiconductor chip was embedded in a thermosetting resin sheet, and two third laminated bodies were manufactured simultaneously (see FIG. 4).
  • the thermocompression bonding conditions were an embedding temperature of 90 ° C., a vacuum degree of 10 torr, an embedding pressure of 1 MPa, and an embedding time of 60 seconds.
  • the distance d (see FIG. 4) from the upper surface of the semiconductor chip embedded in the thermosetting resin sheet to the surface on the intermediate film side of the thermosetting resin sheet is 150 ⁇ m. It was.
  • the two third laminates were cured by heating.
  • the curing conditions were a curing temperature of 150 ° C. and a curing time of 1 hour. Since it was being fixed by the base of both sides, the curvature was not confirmed by the curable resin sheet after hardening.
  • the intermediate film was peeled from the third laminate. Peeling was easy.
  • the peel strength between the intermediate film and the thermosetting resin sheet was measured using a tensile tester (manufactured by Shimadzu Corp., Autograph), and it was 30 mN / cm under the conditions of a peel angle of 180 ° and a peel speed of 300 m / min. Met.
  • Measured warpage of the laminate after peeling off the third laminate was 0.5 mm or less.
  • the warpage was measured by placing it on a flat table with the 8-inch wafer surface serving as a pedestal down, and measuring the farthest distance from the table with a metal ruler.

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Abstract

　台座上に接着剤層が設けられた第１の積層体上に複数の半導体チップが配置された半導体チップ付第１積層体を準備する工程Ａと、半導体チップ付き第１積層体の複数の半導体チップが表出している側の面上に熱硬化性樹脂シートを配置して、第２の積層体を得る工程Ｂと、２つの第２の積層体を対向させて圧力を加えることにより、複数の半導体チップを熱硬化性樹脂シートに埋め込み、台座と接着剤層と半導体チップが埋め込まれた熱硬化型樹脂シートとを有する第３の積層体を２つ得る工程Ｃとを含む半導体装置の製造方法。

Description

半導体装置の製造方法
　本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
　近年、半導体装置の小型化や配線の微細化はますます進む傾向にあり、狭い半導体チップ領域（半導体チップを平面視で透視した場合に、半導体チップと重なり合う領域）の中により多くのＩ／Ｏパッドやビアを配さなければならず、同時にピン密度も上昇してきている。さらにＢＧＡ（Ｂａｌｌ　Ｇｒｉｄ　Ａｒｒａｙ）パッケージでは、半導体チップ領域内には多数の端子が形成されており、他の要素を形成するための領域が限られていることから、半導体パッケージ基板上で半導体チップ領域の外側まで端子から配線を引き出す方法がとられている。
　このような状況下、半導体装置の小型化や配線の微細化に個別に対応していたのでは、製造ラインの増設や製造手順の煩雑化などにより生産効率が低下してしまい、低コスト化要求にも応えることができなくなる。
　これに対し、半導体パッケージ作製の低コスト化のために、個片化された複数のチップを支持体上に配置し、一括で樹脂封止してパッケージを形成する方法も提案されている。例えば、特許文献１では、支持体上に形成された感熱性接着剤上に個片化した複数のチップを配列し、チップと感熱性接着剤を覆うようにプラスチック製の共通キャリアを形成したのち、加熱によりチップを埋め込んだ共通キャリアと感熱性接着剤とを剥離する方法がとられている。
米国特許第７，２０２，１０７号
　しかしながら、特許文献１の半導体装置の製造方法では、プラスチック製の共通キャリアを熱硬化させることについて記載されていない。また、仮に熱硬化させているとしても、共通キャリアを熱硬化させると収縮が起こるため、共通キャリアが全体として反るといった問題がある。
　従って、本発明の目的は、複数の半導体チップを熱硬化性樹脂シートに埋め込んだ後に当該熱硬化性樹脂シートを熱硬化させた際、反りが発生することを抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供することにある。
　本願発明者等は、下記の構成を採用することにより、前記の課題を解決できることを見出して本発明を完成させるに至った。
　すなわち、本発明は、半導体装置の製造方法であって、
　半導体装置の製造方法であって、
　台座上に接着剤層が設けられた第１の積層体上に複数の半導体チップが配置された半導体チップ付第１積層体を準備する工程Ａと、
　前記工程Ａで準備した半導体チップ付き第１積層体の前記複数の半導体チップが表出している側の面上に熱硬化性樹脂シートを配置して、第２の積層体を得る工程Ｂと、
　２つの前記第２の積層体の熱硬化型樹脂シート面同士を、中間フィルムを介して対向させて圧力を加えることにより、前記複数の半導体チップを前記熱硬化性樹脂シートに埋め込み、台座と接着剤層と半導体チップが埋め込まれた熱硬化型樹脂シートとを有する第３の積層体を２つ得る工程Ｃと、
　前記工程Ｃの後、前記中間フィルムを介して２つの前記第３の積層体の熱硬化型樹脂シート面同士を対向させた状態のまま、前記第３の積層体の前記熱硬化性樹脂シートを熱硬化させる工程Ｄと、
　前記工程Ｄの後、前記第３の積層体から前記中間フィルムを剥離する工程Ｅと、
　前記工程Ｅの後、前記熱硬化性樹脂シートから前記第１の積層体を剥離する工程Ｆと、
　前記工程Ｆの後、前記熱硬化性樹脂シート上に、配線を形成する工程Ｇと
を含むことを特徴とする。
　本発明に係る半導体装置の製造方法によれば、まず、台座上に接着剤層が設けられた第１の積層体上に複数の半導体チップが配置された半導体チップ付第１積層体を準備する（工程Ａ）。次に、前記工程Ａで準備した半導体チップ付き第１積層体の前記複数の半導体チップが表出している側の面上に熱硬化性樹脂シートを配置して、第２の積層体を得る（工程Ｂ）。次に、２つの前記第２の積層体の熱硬化型樹脂シート面同士を、中間フィルムを介して対向させて圧力を加える（プレスする）ことにより、前記複数の半導体チップを前記熱硬化性樹脂シートに埋め込み、台座と接着剤層と半導体チップが埋め込まれた熱硬化型樹脂シートとを有する第３の積層体を２つ得る（工程Ｃ）。前記工程Ｃの後、前記中間フィルムを介して２つの前記第３の積層体の熱硬化型樹脂シート面同士を対向させた状態のまま、前記第３の積層体の前記熱硬化性樹脂シートを熱硬化させる（工程Ｄ）。従って、前記第３の積層体の前記熱硬化性樹脂シートを熱硬化させている間、前記熱硬化性樹脂シートは、２つの台座で挟持された状態で熱硬化されることになる。その結果、熱硬化時の前記熱硬化性樹脂シートの反りを抑制することができる。また、１回のプレス（工程Ｃ）、及び、熱硬化（工程Ｄ）で２つの第３の積層体を得ることができるため、生産性に優れる。
　前記工程Ｄの後、前記第３の積層体から前記中間フィルムを剥離する（工程Ｅ）。前記工程Ｅの後、前記熱硬化性樹脂シートから前記第１の積層体を剥離する（工程Ｆ）。前記工程Ｆの後、前記熱硬化性樹脂シート上に、配線を形成する（工程Ｇ）。これにより、チップの外側に配線を引き出した半導体装置を得ることができる。
　前記構成において、前記工程Ｄの後の前記中間フィルムと前記熱硬化性樹脂シート（熱硬化後の前記熱硬化性樹脂シート）との剥離強度が、剥離角度１８０°、剥離速度３００ｍ／分の条件で、１０００ｍＮ／ｃｍ以下であることが好ましい。前記剥離強度が、１０００ｍＮ／ｃｍ以下であると、熱硬化性樹脂シートの表面を荒らすことなく、好適に熱硬化性樹脂シートから中間フィルムを剥離することができる。
　前記構成において、前記中間フィルムの表面粗さＲａが５０ｎｍ～１００μｍであることが好ましい。前記中間フィルムの表面粗さＲａが５０ｎｍ～１００μｍであると、より好適に熱硬化性樹脂シートから中間フィルムを剥離することができる。
　前記構成において、前記中間フィルムは、表面が離型処理されていることが好ましい。前記中間フィルムの表面が離型処理されていると、さらに好適に熱硬化性樹脂シートから中間フィルムを剥離することができる。
　前記構成において、前記中間フィルムは、支持板と前記支持板の両面に設けられた剥離性フィルムとから構成されていることが好ましい。前記中間フィルムが支持板と前記支持板の両面に設けられた剥離性フィルムとから構成されていると、変形しにくい支持板によって、熱硬化性樹脂シートの表面の平坦性を確保するとともに、剥離性フィルムによって、熱硬化性樹脂シートからの剥離性を確保することができる。
　前記構成において、前記熱硬化性樹脂シートは、熱硬化前のガラス転移温度が５０℃以上であることが好ましい。前記熱硬化性樹脂シートの熱硬化前のガラス転移温度が５０℃以上であると、耐熱性の点で優れる。
　前記構成において、前記熱硬化性樹脂シートは、熱硬化後の２５℃における引張貯蔵弾性率が０．１Ｇｐａ～３０Ｇｐａの範囲内であることが好ましい。前記熱硬化性樹脂シートの熱硬化後の２５℃における引張貯蔵弾性率が０．１Ｇｐａ以上であると、ある程度の強度を有し、形状を維持し易いため、ハンドリング性に優れる一方、３０Ｇｐａ以下であると、応力を緩和できる点で優れる。
　前記構成においては、前記工程Ｃにより得られた前記第３の積層体において、前記熱硬化性樹脂シートに埋め込まれた前記半導体チップの上面（接着剤層とは反対側の面）から、前記熱硬化型樹脂シートの前記中間フィルム側の面までの距離が２０μｍ～３００μｍの範囲内であることが好ましい。前記距離が２０μｍ～３００μｍの範囲内であると、半導体チップの露出を防止でき、且つ、熱硬化性樹脂シートの反りや熱硬化性樹脂シートに係かかる応力を低減できる点で優れる。
　前記構成において、前記工程Ｃにおける加圧時の条件が、温度７０℃～１３０℃、圧力０．２Ｍｐａ～５Ｍｐａ、真空度０．１～２０ｔｏｒｒの範囲内であり、前記熱硬化型樹脂シートの１００℃における粘度が１０～５０００Ｐａ・ｓ（パスカル秒）の範囲内であることが好ましい。前記工程Ｃにおける加圧時の条件が、温度７０℃～１３０℃、圧力０．２Ｍｐａ～５Ｍｐａ、真空度０．１～２０ｔｏｒｒの範囲内であり、前記熱硬化型樹脂シートの１００℃における粘度が１０～５０００Ｐａ・ｓ範囲内であると、好適に半導体チップを熱硬化性樹脂シートに埋め込むことができる。
　本発明によれば、複数の半導体チップを熱硬化性樹脂シートに埋め込んだ後に当該熱硬化性樹脂シートを熱硬化させた際、反りが発生することを抑制することができる。
本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。 本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。 本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。 本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。 本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。 本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。 本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。 本発明の他の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。 他の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。
　以下、本発明の実施形態の一例を、図面を参照しつつ説明する。
　本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体装置の製造方法であって、
　台座上に接着剤層が設けられた第１の積層体上に複数の半導体チップが配置された半導体チップ付第１積層体を準備する工程Ａ（半導体チップ付第１積層体を準備する工程）と、
　前記工程Ａで準備した半導体チップ付き第１積層体の前記複数の半導体チップが表出している側の面上に熱硬化性樹脂シートを配置して、第２の積層体を得る工程Ｂ（第２の積層体を得る工程）と、
　２つの前記第２の積層体の熱硬化型樹脂シート面同士を、中間フィルムを介して対向させて圧力を加えることにより、前記複数の半導体チップを前記熱硬化性樹脂シートに埋め込み、台座と接着剤層と半導体チップが埋め込まれた熱硬化型樹脂シートとを有する第３の積層体を２つ得る工程Ｃ（第３の積層体を２つ得る工程）と、
　前記工程Ｃの後、前記中間フィルムを介して２つの前記第３の積層体の熱硬化型樹脂シート面同士を対向させた状態のまま、前記第３の積層体の前記熱硬化性樹脂シートを熱硬化させる工程Ｄ（熱硬化性樹脂シートを熱硬化させる工程）と、
　前記工程Ｄの後、前記第３の積層体から前記中間フィルムを剥離する工程Ｅ（中間フィルムを剥離する工程）と、
　前記工程Ｅの後、前記熱硬化性樹脂シートから前記第１の積層体を剥離する工程Ｆ（第１の積層体を剥離する工程）と、
　前記工程Ｆの後、前記熱硬化性樹脂シート上に、配線を形成する工程Ｇ（配線を形成する工程）とを少なくとも具備する。
　［半導体チップ付第１積層体を準備する工程］
　図１～図７は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。まず、半導体チップ付第１積層体を準備する工程（工程Ａ）では、図１に示すように、台座２２上に接着剤層２４が設けられた第１の積層体２０上に複数の半導体チップ２６が配置された半導体チップ付第１積層体２８を準備する。
　（台座）
　台座２２は、一定以上の強度を有することが好ましい。台座２２としては、特に限定されないが、シリコンウェハ、ＳｉＣウェハ、ＧａＡｓウェハ等の化合物ウェハ、ガラスウェハ、ＳＵＳ、６－４Ａｌｌｏｙ，Ｎｉ箔、Ａｌ箔等の金属箔等が挙げられる。平面視で、丸い形状を採用する場合は、シリコンウェハ又はガラスウェハが好ましい。また、平面視で矩形の場合は、ＳＵＳ板、又は、ガラス板が好ましい。
　また、台座２２として、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン－酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン－（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン－ブテン共重合体、エチレン－ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、紙等を用いることもできる。
　台座２２は、単独で使用してもよく、２種以上を組み合わせて使用しても良い。台座の厚みは、特に限定されないが、例えば、通常１０μｍ～２０ｍｍ程度である。
　（接着剤層）
　接着剤層２４を構成する接着剤組成物としては、特に限定されないが、熱硬化性樹脂シートを熱硬化させる工程（工程Ｄ）の後は、熱硬化性樹脂シート４０から第１の積層体２０を剥離する。そのため、接着剤層２４は、熱硬化性樹脂シートを熱硬化させる工程（工程Ｄ）の後には、軽剥離性を発現させることが可能な材料で形成されていることが好ましい。このような接着剤層２４を構成する接着剤組成物としては、イミド基を有し、且つ、少なくとも一部にエーテル構造を有するジアミンに由来する構成単位を有するポリイミド樹脂、前記ポリイミド樹脂の前駆体であるポリアミド酸、シリコーン樹脂、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を併用したもの等を挙げることができる。
　前記ポリイミド樹脂は、一般的に、その前駆体であるポリアミド酸をイミド化（脱水縮合）することにより得ることができる。ポリアミド酸をイミド化する方法としては、例えば、従来公知の加熱イミド化法、共沸脱水法、化学的イミド化法等を採用することができる。なかでも、加熱イミド化法が好ましい。加熱イミド化法を採用する場合、ポリイミド樹脂の酸化による劣化を防止するため、窒素雰囲気下や、真空中等の不活性雰囲気下にて加熱処理を行なうことが好ましい。
　前記ポリアミド酸は、適宜選択した溶媒中で、酸無水物とジアミン（エーテル構造を有するジアミンと、エーテル構造を有さないジアミンの両方を含む）とを実質的に等モル比となるように仕込み、反応させて得ることができる。
　前記ポリイミド樹脂は、エーテル構造を有するジアミンに由来する構成単位を有することが好ましい。前記エーテル構造を有するジアミンは、エーテル構造を有し、且つ、アミン構造を有する端末を少なくとも２つ有する化合物である限り、特に限定されない。前記エーテル構造を有するジアミンのなかでも、グリコール骨格を有するジアミンであることが好ましい。前記ポリイミド樹脂が、エーテル構造を有するジアミンに由来する構成単位、特に、グリコール骨格を有するジアミンに由来する構成単位を有している場合、接着剤層２４を加熱すると、接着力を低下させることができる。この現象について、本発明者らは、加熱されることにより、前記エーテル構造が接着剤層２４を構成する樹脂から脱離し、この脱離により接着力が低下している推察している。
　なお、前記エーテル構造、又は、前記グリコール骨格が接着剤層２４を構成する樹脂から脱離していることは、例えば、３００℃での加熱を３０分する前後におけるＦＴ－ＩＲ（ｆｏｕｒｉｅｒ　ｔｒａｎｓｆｏｒｍ　ｉｎｆｒａｒｅｄ　ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）スペクトルを比較し、２８００～３０００ｃｍ－１のスペクトルが加熱前後で減少していることにより確認できる。
　前記グリコール骨格を有するジアミンとしては、例えば、ポリプロピレングリコール構造を有し、且つ、アミノ基を両末端に１つずつ有するジアミン、ポリエチレングリコール構造を有し、且つ、アミノ基を両末端に１つずつ有するジアミン、ポリテトラメチレングリコール構造を有し、且つ、アミノ基を両末端に１つずつ有するジアミン等のアルキレングリコールを有するジアミンを挙げることができる。また、これらのグリコール構造の複数を有し、且つ、アミノ基を両末端に１つずつ有するジアミンを挙げることができる。
　前記エーテル構造を有するジアミンの分子量は、１００～５０００の範囲内であることが好ましく、１５０～４８００であることがより好ましい。前記エーテル構造を有するジアミンの分子量が１００～５０００の範囲内であると、低温での接着力が高く、且つ、高温において剥離性を奏する接着剤層２４をえやすい。
　前記ポリイミド樹脂の形成には、エーテル構造を有するジアミン以外に、エーテル構造を有さないジアミンを併用することもできる。エーテル構造を有さないジアミンとしては、脂肪族ジアミンや芳香族ジアミンを挙げることができる。エーテル構造を有さないジアミンを併用することにより、被着体との密着力をコントロールすることができる。エーテル構造を有するジアミンと、エーテル構造を有さないジアミンとの配合割合は、モル比で、１００：０～１０：９０の範囲内にあることが好ましく、より好ましくは、１００：０～２０：８０であり、さらに好ましくは、９９：１～３０：７０である。前記エーテル構造を有するジアミンと前記エーテル構造を有さないジアミンとの配合割合が、モル比で、１００：０～１０：９０の範囲内にあると、高温での熱剥離性により優れる。
　前記脂肪族ジアミンとしては、例えば、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、１，８－ジアミノオクタン、１，１０－ジアミノデカン、１，１２－ジアミノドデカン、４，９－ジオキサ－１，１２－ジアミノドデカン、１，３－ビス（３－アミノプロピル）－１，１，３，３－テトラメチルジシロキサン（α、ω－ビスアミノプロピルテトラメチルジシロキサン）などが挙げられる。前記脂肪族ジアミンの分子量は、通常、５０～１，０００，０００であり、好ましくは１００～３０，０００である。
　芳香族ジアミンとしては、例えば、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル、３，４’－ジアミノジフェニルエーテル、３，３’－ジアミノジフェニルエーテル、ｍ－フェニレンジアミン、ｐ－フェニレンジアミン、４，４’－ジアミノジフェニルプロパン、３，３’－ジアミノジフェニルメタン、４，４’－ジアミノジフェニルスルフィド、３，３’－ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’－ジアミノジフェニルスルホン、３，３’－ジアミノジフェニルスルホン、１，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）－２，２－ジメチルプロパン、４，４’－ジアミノベンゾフェノン等が挙げられる。前記芳香族ジアミンの分子量は、通常、５０～１０００であり、好ましくは１００～５００である。前記脂肪族ジアミンの分子量、及び、前記芳香族ジアミンの分子量は、ＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー）により測定し、ポリスチレン換算により算出された値（重量平均分子量）をいう。
　前記酸無水物としては、例えば、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、４，４’－オキシジフタル酸二無水物、２，２－ビス（２，３－ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、２，２－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物（６ＦＤＡ）、ビス（２，３－ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）メタン二無水物、ビス（２，３－ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）スルホン二無水物、ピロメリット酸二無水物、エチレングリコールビストリメリット酸二無水物等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
　前記酸無水物と前記ジアミンを反応させる際の溶媒としては、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、シクロペンタノン等を挙げることができる。これらは、単独で使用してもよく、複数を混合して用いてもよい。また、原材料や樹脂の溶解性を調整するために、トルエンや、キシレン等の非極性の溶媒を適宜、混合して用いてもよい。
　前記シリコーン樹脂としては、例えば、過酸化物架橋型シリコーン系粘着剤、付加反応型シリコーン系粘着剤、脱水素反応型シリコーン系粘着剤、湿気硬化型シリコーン系粘着剤等が挙げられる。前記シリコーン樹脂は、１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。前記シリコーン樹脂を用いると、耐熱性が高くなり、高温下における貯蔵弾性率や粘着力が適切な値となり得る。前記シリコーン樹脂の中でも、不純物が少ない点で、付加反応型シリコーン系粘着剤が好ましい。
　接着剤層２４に前記シリコーン樹脂を用いる場合、接着剤層２４には、必要に応じて、他の添加剤を含有し得る。このような他の添加剤としては、例えば、難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤などが挙げられる。難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂などが挙げられる。シランカップリング剤としては、例えば、β－（３、４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシランなどが挙げられる。イオントラップ剤としては、例えば、ハイドロタルサイト類、水酸化ビスマスなどが挙げられる。このような他の添加剤は、１種のみであっても良いし、２種以上であっても良い。
　（第１の積層体の形成方法）
　第１の積層体２０は、台座２２上に接着剤層２４を形成することにより得られる。接着剤層２４は、接着剤層２４を形成するための組成物を含む溶液を台座２２に塗布する方法、適当なセパレータ（剥離紙など）上に前記溶液を塗布して接着剤層２４を形成し、これを台座２２上に転写（移着）する方法などにより、第１の積層体２０を得ることができる。
　（半導体チップ付き第１積層体の形成方法）
　半導体チップ付き第１積層体２８は、接着剤層２４と半導体チップ２６の回路形成面２６ａとが対向するように、接着剤層２４上に複数の半導体チップ２６を配置する（図１参照）。半導体チップ２６の配置には、フリップチップボンダーやダイボンダーなどの公知の装置を用いることができる。
　以上により、半導体チップ付き第１積層体２８を準備することができる。
　［第２の積層体を得る工程］
　次に、図２に示すように、半導体チップ付き第１積層体２８の複数の半導体チップ２６が表出している側の面上に熱硬化性樹脂シート４０を配置して、第２の積層体３０を得る（工程Ｂ）。
　（熱硬化性樹脂シート）
　熱硬化性樹脂シート４０は、半導体チップ２６を封止する機能を有する。熱硬化性樹脂シート４０の構成材料としては、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを併用したものが挙げられる。また、熱硬化性樹脂単独でも使用可能である。
　前記熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン－酢酸ビニル共重合体、エチレン－アクリル酸共重合体、エチレン－アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６－ナイロンや６，６－ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体チップの信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。
　前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下、特に炭素数４～１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体等が挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ－ブチル基、ｔ－ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、へキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、２－エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基等が挙げられる。
　また、前記重合体を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２－ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４－ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６－ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８－ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０－ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２－ヒドロキシラウリル若しくは（４－ヒドロキシメチルシクロヘキシル）－メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２－（メタ）アクリルアミド－２－メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は２－ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。
　前記熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、又は熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。特に、半導体チップを腐食させるイオン性不純物等の含有が少ないエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。
　前記エポキシ樹脂は、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば特に限定は無く、例えばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのエポキシ樹脂のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂又はテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。
　さらに、前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ－ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。
　前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５～２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８～１．２当量である。すなわち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。
　エポキシ樹脂とフェノール樹脂の熱硬化促進触媒としては、特に制限されず、公知の熱硬化促進触媒の中から適宜選択して用いることができる。熱硬化促進触媒は単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。熱硬化促進触媒としては、例えば、アミン系硬化促進剤、リン系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、ホウ素系硬化促進剤、リン－ホウ素系硬化促進剤などを用いることができる。
　また、熱硬化性樹脂シート４０には、無機充填剤を適宜配合することができる。無機充填剤の配合は、導電性の付与や熱伝導性の向上、貯蔵弾性率の調節等を可能にする。
　前記無機充填剤としては、例えば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素等のセラミック類、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田等の金属、又は合金類、その他カーボン等からなる種々の無機粉末が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。なかでも、シリカ、特に溶融シリカが好適に用いられる。
　無機充填剤の平均粒径は、０．１～３０μｍの範囲内であることが好ましく、０．５～２５μｍの範囲内であることがより好ましい。なお、本発明においては、平均粒径が相互に異なる無機充填剤同士を組み合わせて使用してもよい。また、平均粒径は、光度式の粒度分布計（ＨＯＲＩＢＡ製、装置名；ＬＡ－９１０）により求めた値である。
　前記無機充填剤の配合量は、有機樹脂成分１００重量部に対し１００～１４００重量部に設定することが好ましい。特に好ましくは２３０～９００重量部である。無機充填剤の配合量を１００重量部以上にすると、耐熱性や強度が向上する。また、１４００重量部以下とすることにより、流動性が確保できる。これにより、接着性や埋め込み性が低下することを防止できる。
　なお、熱硬化性樹脂シート４０には、前記無機充填剤以外に、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば難燃剤、シランカップリング剤、イオントラップ剤、カーボンブラック等の顔料等が挙げられる。前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β－（３、４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。また、高温硬化時の粘性の向上を考慮し、粘度調整用の添加剤として、エラストマー成分を添加することもできる。エラストマー成分は、樹脂を増粘するものであれば、特に制限されないが、例えば、ポリアクリル酸エステルなどの各種アクリル系共重合体；ポリスチレンーポリイソブチレン系共重合体、スチレンアクリレート系共重合体などのスチレン骨格を有するエラストマー；ブタジエンゴム、スチレンーブタジエンゴム（ＳＢＲ）、エチレンー酢酸ビニルコポリマー（ＥＶＡ）、イソプレンゴム、アクリロニトリルゴムなどのゴム質重合体などが挙げられる。
　熱硬化性樹脂シート４０は、熱硬化前のガラス転移温度が５０℃以上であることが好ましく、５０～２００℃の範囲内にあることがより好ましく、８０～１５０℃の範囲内にあることがさらに好ましい。熱硬化性樹脂シート４０の熱硬化前のガラス転移温度が５０℃以上であると、耐熱性の点で優れる。
　熱硬化性樹脂シート４０は、熱硬化後の２５℃における引張貯蔵弾性率が０．１Ｇｐａ～３０Ｇｐａの範囲内であることが好ましく、１Ｇｐａ～２０Ｇｐａの範囲内であることがより好ましい。熱硬化性樹脂シート４０の熱硬化後の２５℃における引張貯蔵弾性率が０．１Ｇｐａ以上であると、ある程度の強度を有し、形状を維持し易いため、ハンドリング性に優れる一方、３０Ｇｐａ以下であると、応力を緩和できる点で優れる。
　また、熱硬化性樹脂シート４０の１００℃における粘度は１０～５０００Ｐａ・ｓが好ましく、更に５０～３０００Ｐａ・ｓがより好ましい。前記粘度が１０Ｐａ・ｓ以上であると、熱硬化時に表面形状が大きく変形することを抑制することができる。また、５０００Ｐａ・ｓ以下とすることにより、半導体チップ２６を好適に埋め込むことができる。
　前記工程Ｃにより得られた第３の積層体６０において、熱硬化性樹脂シート４０に埋め込まれた半導体チップ２６の上面から、熱硬化型樹脂シート４０の中間フィルム５０側の面までの距離ｄ（図４参照）は、２０μｍ～３００μｍの範囲内であることが好ましく、２５μｍ～２００μｍの範囲内であることがより好ましい。通常、半導体チップの厚さは５０μｍ～５００μｍ程度である。熱硬化性樹脂シート４０の厚さ（熱硬化性樹脂シート４０全体の厚さ）としては、７０μｍ～８００μｍが好ましく、７５μｍ～７００μｍがより好ましい。距離ｄが２０μｍ～３００μｍの範囲内であると、半導体チップの露出を防止でき、且つ、熱硬化性樹脂シートの反りや熱硬化性樹脂シートに係かかる応力を低減できる点で優れる。
　熱硬化性樹脂シート４０を形成する工程としては、例えば、離型フィルム上に熱硬化性樹脂シート４０の構成材料である接着剤組成物溶液を塗工して塗布層を形成する工程を行い、その後、前記塗布層を乾燥させる工程を行う方法が挙げられる。
　前記接着剤組成物溶液の塗工方法としては特に限定されず、例えば、コンマコート法、ファウンテン法、グラビア法などを用いて塗工する方法が挙げられる。塗工厚みとしては、塗布層を乾燥して最終的に得られる熱硬化性樹脂シート４０の厚さが１０～１００μｍの範囲内となる様に適宜設定すればよい。
　前記離型フィルムとしては特に限定されず、例えば、離型フィルムにおける熱硬化性樹脂シート４０との貼り合わせ面に、シリコーン層等の離型コート層が形成されたものが挙げられる。また、離型フィルムの基材としては、例えば、グラシン紙のような紙材や、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエステル等よりなる樹脂フィルムが挙げられる。
　前記塗布層の乾燥は、塗布層に乾燥風を吹き付けることにより行う。当該乾燥風の吹き付けは、例えば、その吹き付け方向を離型フィルムの搬送方向と平行となる様に行う方法や、塗布層の表面に垂直となる様に行う方法が挙げられる。乾燥風の風量は特に限定されず、通常は５～２０ｍ／ｍｉｎ、好ましくは５～１５ｍ／ｍｉｎである。乾燥風の風量が５ｍ／ｍｉｎ以上にすることにより、塗布層の乾燥が不十分になるのを防止することができる。その一方、乾燥風の風量を２０ｍ／ｍｉｎ以下にすることにより、塗布層の表面近傍における有機溶剤の濃度を均一にするので、その蒸発を均一にすることができる。その結果、表面状態が面内において均一な熱硬化性樹脂シート４０の形成が可能になる。
　乾燥時間は接着剤組成物溶液の塗工厚みに応じて適宜設定され、通常は１～５ｍｉｎ、好ましくは２～４ｍｉｎの範囲内である。乾燥時間を１ｍｉｎ以上とすることにより、硬化反応が十分に進行せず、未反応の硬化成分や残存する溶媒量が多くなることを抑制できる。その結果、後工程にてアウトガスやボイドの問題が発生することを防止できる。その一方、５ｍｉｎ以内とすることにより、硬化反応が進行しすぎることを抑制できる。
　乾燥温度は特に限定されず、通常は７０～１６０℃の範囲内で設定される。本実施形態においては、乾燥時間の経過とともに、乾燥温度を段階的に上昇させて行うことが好ましい。具体的には、例えば乾燥初期（乾燥直後から１ｍｉｎ以下）では７０℃～１００℃の範囲内で設定され、乾燥後期（１ｍｉｎを超えて５ｍｉｎ以下）では１００～１６０℃の範囲内で設定される。これにより、塗工直後に乾燥温度を急激に上昇させた場合に生じる塗布層表面のピンホールの発生を防止することができる。これにより、本実施形態に係る熱硬化性樹脂シート４０を製造することができる。
　［第３の積層体を２つ得る工程］
　次に、前記工程Ａ及び前記工程Ｂを実施することにより第２の積層体３０を２つ製造し、この２つの第２の積層体３０の熱硬化型樹脂シート４０面同士を、中間フィルム５０を介して対向させる（図３参照）。続いて、両方の台座２２側から熱硬化性樹脂シート４０側に向かって圧力を加えることにより、複数の半導体チップ２６を熱硬化性樹脂シート４０に埋め込み、台座２２と、接着剤層２４と、半導体チップ２６が埋め込まれた熱硬化型樹脂シート４０とを有する第３の積層体６０を２つ得る（工程Ｃ）（図４参照）。
　前記工程Ｃにおける加圧時の条件は、温度７０℃～１３０℃、圧力０．２Ｍｐａ～５Ｍｐａ、真空度０．１～２０ｔｏｒｒの範囲内であることが好ましく、より好ましくは、温度８０℃～１２０℃、圧力０．３Ｍｐａ～４Ｍｐａ、真空度０．５～１８ｔｏｒｒの範囲内である。前記工程Ｃにおける加圧時の条件が、前記範囲内であると、半導体チップ２６を好適に熱硬化性樹脂シート４０に埋め込むことができる。
　（中間フィルム）
　中間フィルム５０は、後述する工程Ｄにおいて、熱硬化性樹脂シート４０同士が接着しないようにするためのものである。このような中間フィルム５０としては、特に限定されないが、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）フィルム、ポリオレフィン系フィルム、ポリメチルペンテン系フィルム、ポリイミドフィルム、ポリエチレンテレナフタレート（ＰＥＴ）フィルム等を挙げることができる。中間フィルム５０は、例えば、熱硬化性樹脂シート４０の製造時に使用されていたセパレータをそるまま用いてもよい。
　中間フィルム５０の融点は、耐熱性の観点から、１５０℃以上であるものが好ましく、１７０℃以上のものがより好ましい。また、前記融点は、高いほど好ましいが、例えば、３００℃以下、２５０℃以下が挙げられる。
　中間フィルム５０の表面粗さＲａは、５０ｎｍ～１００μｍであることが好ましく、６０ｎｍ～９０μｍであることより好ましい。中間フィルム５０の表面粗さＲａが５０ｎｍ～１００μｍであると、後述する工程Ｅにおいて、より好適に熱硬化性樹脂シート４０から中間フィルムを剥離することができる。中間フィルム５０の表面粗さＲａを上記数値範囲内にする方法としては、凹凸を有する金属ロールからの転写等を挙げることができる。
　中間フィルム５０は、表面が離型処理されていることが好ましい。中間フィルム５０の表面が離型処理されていると、後述する工程Ｅにおいて、さらに好適に熱硬化性樹脂シートから中間フィルムを剥離することができる。前記離型処理としては、中間フィルム５０に離型剤を塗布する方法が挙げられる。前記離型剤としては、長鎖アルキル基含有ポリマー、シリコーン系ポリマー、パーフルオロ系ポリマー、フッ化ポリオレフィン、ポリオレフィンなどが挙げられる。塗布方法としては、離型剤を溶剤に溶解し、その溶液を塗工する方法、離型剤を水に乳化し、そのエマルションを塗工する方法、離型剤を溶融し、中間フィルム５０とラミネートするホットメルト法などが挙げられるが、離型剤を溶剤に溶解して塗工する方法が最も一般的である。この溶剤型塗布法に使用される溶剤としては、トルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、ヘキサン、ヘプタンなどが挙げられる。
　中間フィルム５０の厚さとしては、特に制限されないが、強度の観点から、２０μｍ～１０００μｍの範囲内が好ましい。
　［熱硬化性樹脂シートを熱硬化させる工程］
　前記工程Ｃの後、中間フィルム５０を介して２つの第３の積層体６０の熱硬化型樹脂シート４０面同士を対向させた状態のまま、第３の積層体６０の熱硬化性樹脂シート４０を熱硬化させる（工程Ｄ）。第３の積層体６０の熱硬化性樹脂シート４０を熱硬化させている間、熱硬化性樹脂シート４０は、２つの台座２２で挟持された状態で熱硬化されることになる。その結果、熱硬化時の熱硬化性樹脂シート４０の反りを抑制することができる。また、１回のプレス（工程Ｃ）、及び、熱硬化（工程Ｄ）で２つの第３の積層体を得ることができるため、生産性に優れる。この際の加熱温度は、９０～２００℃で行なうことが好ましく、１２０～１７５℃で行なうことがより好ましい。また、加熱時間は、３０～２４０分であることが好ましく、６０～１８０分であることがより好ましい。熱硬化時の温度及び時間を上記数値範囲内とすることにより、熱硬化性樹脂シートを熱硬化させる工程において、好適に熱硬化性樹脂シート４０を熱硬化させることができる。
　［中間フィルムを剥離する工程］
　前記工程Ｄの後、図５に示すように、第３の積層体６０から中間フィルム５０を剥離する（工程Ｅ）。前記剥離方法としては、特に制限されないが、上下に力を加えて第３の積層体６０と、中間フィルム５０付きの第３の積層体６０とに分離し、その後、中間フィルム５０付きの第３の積層体６０から、中間フィルム５０をＴピール剥離や１８０°ピール剥離等により剥離する方法を挙げることができる。これにより、２つの第３の積層体６０を得ることができる。
　前記工程Ｄの後の中間フィルム５０と熱硬化性樹脂シート４０（熱硬化後の熱硬化性樹脂シート４０）との剥離強度は、剥離角度１８０°、剥離速度３００ｍ／分の条件で、１０００ｍＮ／ｃｍ以下であることが好ましく、８００ｍＮ／ｃｍ以下であることがより好ましく、１００ｍＮ／ｃｍ以下であることがさらに好ましい。また、前記剥離強度は、小さいほど好ましいが、例えば、１０ｍＮ／ｃｍ以上、３０ｍＮ／ｃｍ以上とすることができる。前記剥離強度が、１０００ｍＮ／ｃｍ以下であると、熱硬化性樹脂シート４０の表面を荒らすことなく、好適に熱硬化性樹脂シート４０から中間フィルム５０を剥離することができる。
　［第１の積層体を剥離する工程］
　前記工程Ｅの後、図６に示すように、熱硬化性樹脂シート４０から第１の積層体２０を剥離する（工程Ｆ）。剥離方法としては、溶剤により第１の積層体２０の接着剤層２４を溶解させて接着力を低下させて剥離する方法、接着剤層２４を加熱により接着力が低下する材料で形成しておき、加熱により接着力を低下させて剥離する方法、接着剤層２４に、カッターやレーザー等により物理的な切り込みを入れて剥離する方法等を挙げることができる。
　［配線を形成する工程］
　前記工程Ｆの後、図７に示すように、熱硬化性樹脂シート４０上に、配線４２を形成する（工程Ｇ）。
　配線４２の形成方法としては、例えば、露出している半導体チップ２６上へ真空成膜法などの公知の方法を利用して金属シード層を形成し、セミアディティブ法などの公知の方法により、配線４２を形成することができる。
　かかる後に、配線４２及び熱硬化性樹脂シート４０上へポリイミドやＰＢＯなどの絶縁層を形成してもよい。
　なお、形成した配線４２上にバンプを形成するバンピング加工を行ってもよい。バンピング加工は、半田ボールや半田メッキなど公知の方法で行うことができる。
　その後、必要に応じて、半導体チップ２６、熱硬化性樹脂シート４０及び配線４２などの要素からなる積層体のダイシングを行う。これにより、チップ領域の外側に配線を引き出した半導体装置を得ることができる。ダイシング方法は、従来公知の方法を採用することができる。
　上述した実施形態では、本発明の中間フィルムが中間フィルム５０の１層である場合について説明した。しかしながら、本発明における中間フィルムは、この例に限定されず、支持板と前記支持板の両面に設けられた剥離性フィルムとから構成されていてもよい。
　図８は、本発明の他の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。図８に示すように、中間フィルム１５０は、支持板１５２と支持板１５２の両面に設けられた剥離性フィルム１５４とから構成されている。
　支持板１５２としては、変形しにくい材質のものが好ましく、金属板、ガラスエポキシ樹脂板等を挙げることができる。
　剥離性フィルム１５４としては、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）フィルム、ポリオレフィン系フィルム、ポリメチルペンテン系フィルム、ポリイミドフィルム、ポリエチレンテレナフタレート（ＰＥＴ）フィルム等を挙げることができる。剥離性フィルム１５４は、例えば、熱硬化性樹脂シート４０の製造時に使用されていたセパレータをそのまま用いてもよい。この場合、支持板１５２を介して、セパレータ付きの熱硬化性樹脂シート４０同士（セパレータ付きの熱硬化性樹脂シート４０を有する第３の積層体６０同士）を対向させて圧力を加えればよい。すなわち、剥離性フィルム１５４を別途準備しなくとも、支持板１５２のみ準備すればよい。
　中間フィルム１５０は、支持板１５２と支持板１５２の両面に設けられた剥離性フィルム１５４とから構成されているため、変形しにくい支持板１５２によって、熱硬化性樹脂シート４０の表面の平坦性を確保するとともに、剥離性フィルム１５４によって、熱硬化性樹脂シート４０からの剥離性を確保することができる。なお、他の実施形態に係る半導体装置の製造方法は、中間フィルム５０を中間フィルム１５０に置き換えた以外は、上述した実施形態と同様であるのでここでの説明は省略する。
　上述した実施形態では、２つの第２の積層体の熱硬化型樹脂シート面同士を対向させて圧力を加えることにより、複数の半導体チップを熱硬化性樹脂シートに埋め込み、台座と接着剤層と半導体チップが埋め込まれた熱硬化型樹脂シートとを有する第３の積層体を２つ得る（工程Ｃ）場合について説明した。しかしながら、生産効率の向上の観点からすれば、この例に限定されない。図９は、他の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。図９に示すように、生産効率の向上の観点からすれば、２つの第２の積層体３０の台座２２面同士を対向させ、金型や平板等により両方の熱硬化性樹脂シート４０側から台座２２側に向かって圧力を加えることにより、複数の半導体チップ２６を熱硬化性樹脂シート４０に埋め込み、台座２２と接着剤層２４と半導体チップ２６が埋め込まれた熱硬化型樹脂シート４０とを有する第３の積層体６０を２つ得てもよい。この場合、中間フィルムは不要となる
　すなわち、他の実施形態としては、下記を挙げることができる。
　半導体装置の製造方法であって、
　台座上に接着剤層が設けられた第１の積層体上に複数の半導体チップが配置された半導体チップ付第１積層体を準備する工程Ａ－１と、
　前記工程Ａ－１で準備した半導体チップ付き第１積層体の前記複数の半導体チップが表出している側の面上に熱硬化性樹脂シートを配置して、第２の積層体を得る工程Ｂ－１と、
　２つの前記第２の積層体の台座面同士を対向させて圧力を加えることにより、前記複数の半導体チップを前記熱硬化性樹脂シートに埋め込み、台座と接着剤層と半導体チップが埋め込まれた熱硬化型樹脂シートとを有する第３の積層体を２つ得る工程Ｃ－１と、
　前記工程Ｃ－１の後、２つの前記第３の積層体の台座面同士を対向させた状態のまま、前記第３の積層体の前記熱硬化性樹脂シートを熱硬化させる工程Ｄ－１と、
　前記工程Ｄ－１の後、前記熱硬化性樹脂シートから前記第１の積層体を剥離する工程Ｆ－１と、
　前記工程Ｆ－１の後、前記熱硬化性樹脂シート上に、配線を形成する工程Ｇ－１と
を含む半導体装置の製造方法。
　以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は、上述した例に限定されるものではなく、本発明の構成を充足する範囲内で、適宜設計変更を行うことが可能である。
　以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。ただし、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。また、部とあるのは、重量部を意味する。
　（台座の準備）
　台座として、厚みが７００μｍの８インチウエハを準備した。
　（接着剤層の準備）
　窒素気流下の雰囲気において、１２５７ｇのＮ，Ｎ－ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）中に、ポリエーテルジアミン（ハインツマン製、Ｄ－４０００、分子量：４０２３．５）３６５ｇ、４，４‘－ジアミノジフェニルエーテル（ＤＤＥ、分子量：２００．２）７４ｇ、及び、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ、分子量：２１８．１）１００ｇを７０℃で混合して反応させた。その後、室温（２３℃）にまで冷却し、ポリアミック酸溶液を得た。得られたポリアミック酸溶液を支持体としての２００ｍｍウェハに１２０℃で１０分乾燥した後の厚みが１０μｍとなるように塗布し、支持体付きポリアミック酸フィルムを得た。得られた支持体付きポリアミック酸フィルムを３００℃で３時間窒素雰囲気で熱硬化させ、支持体付きポリイミドフィルムを得た。このポリイミドフィルムを接着剤層とした。
　（熱硬化性樹脂シートの準備）
　下記（ａ）～（ｆ）をミキサーにてプレンドし、２軸混練機にて１２０℃の条件下で２分間混練し、続いて、ダイから押出しすることで、厚さ５００μｍの熱硬化性樹脂シートを得た。
（ａ）エポキシ樹脂（新日鐵化学社製、ＹＳＬＶ－８０ＸＹ）
　　　２８０部
（ｂ）フェノール樹脂（明和化成社製、ＭＥＨ－７８５１－ＳＳ
　　　３００部
（ｃ）硬化促進剤（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＨＺ－ＰＷ）
　　　　　６部
（ｄ）シリカフィラー（電気化学工業社製、ＦＢ－９４５４）
　　３３００部
（ｅ）シランカップリング剤（信越化学工業社製、ＫＢＭ－４０３）
　　　　１０部
（ｆ）カーボン（三菱化学社製、＃４０）
　　　　１０部
　（中間フィルムの準備）
　中間フィルムとして、シリコーンにて離型処理されたポリメチルペンテンフィルム（三井化学製、ＴＰＸフィルム、直径８．５インチの円形、厚さ：１００μｍ、表面粗さＲａ：０．４μｍ）を準備した。表面粗さは、Ｖｅｅｃｏ社製表面形状測定装置（Ｄｅｋｔａｋ８Ｍ）を用いて測定した。測定条件は、室温（２３℃）、測定速度５μｍ／ｓとした。
（熱硬化性樹脂シートのガラス転移温度測定）
　作成した熱硬化性樹脂シートのガラス転移温度を測定した結果、１１０℃であった。ガラス転移温度の測定は、熱硬化性樹脂シートを厚さ５００μｍ、幅１０ｍｍ、長さ５０ｍｍの短冊状にカッターナイフで切り出し、動的粘弾性測定装置（ＤＭＡ）を用いて、２５℃～２５０℃の温度域で周波数１．０Ｈｚ、昇温速度１０℃／分の条件下で測定したときのＴａｎδ（Ｅ”（損失弾性率）／Ｅ’（貯蔵弾性率））が極大値を示す温度として求めた。
（熱硬化性樹脂シートの熱硬化後の２５℃での貯蔵弾性率測定）
　作成した熱硬化性樹脂シートを１５０℃、１時間の条件で熱硬化させた。次に、熱硬化性樹脂シートの熱硬化後の２５℃における貯蔵弾性率を測定した結果、３ＧＰａであった。ここでの貯蔵弾性率は、熱硬化性樹脂シートを厚さ５００μｍ、幅１０ｍｍ、長さ５０ｍｍの短冊状にカッターナイフで切り出し、動的粘弾性測定装置（ＤＭＡ）を用いて、２５℃、周波数１．０Ｈｚの条件下で測定したときの引張貯蔵弾性率Ｅ’の値である。
（熱硬化性樹脂シートの１００℃での粘度測定）
　作成した熱硬化性樹脂シートの１００℃での粘度を測定した結果、２０００Ｐａ・ｓであった。ここでの粘度測定は、熱硬化性樹脂シートを厚さ５００μｍ、直径８ｍｍの円形に打ち抜き、Ｒｈｅｏｍｅｔｒｉｃ　Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ　社製の粘弾性スペクトロメーター（ＡＲＥＳ）を用いて、歪み２％、周波数１Ｈｚ、１００℃にて測定を行い、求めた複素粘度η＊の値である。
　（実施例１）
　準備したポリイミドフィルム（接着剤層）を準備した８インチウエハ（台座）に貼り合わせて第１の積層体とした。その後、ポリイミドフィルム上に複数の半導体チップ（５ｍｍ×５ｍｍ×厚み３５０μｍ）を配置し、半導体チップ付き第１積層体とした（図１参照）。
　次に、半導体チップ付き第１積層体の複数の半導体チップが表出している側の面上に、準備した熱硬化性樹脂シートを配置し、第２の積層体を得た（図２参照）。このような第２の積層体を２つ準備した。
　次に、２つの第２の積層体の熱硬化型樹脂シート面同士を、準備した中間フィルムを介して対向させて配置した（図３参照）。その後、真空プレスを用いて加熱圧着して、半導体チップを熱硬化性樹脂シートに埋め込み、第３の積層体を２つ同時に作製した（図４参照）。加熱圧着の条件は、埋め込み温度９０℃、真空度１０ｔｏｒｒ、埋め込み圧力１ＭＰａ、埋め込み時間６０秒とした。なお、第３の積層体６０において、熱硬化性樹脂シートに埋め込まれた半導体チップの上面から、熱硬化型樹脂シートの中間フィルム側の面までの距離ｄ（図４参照）は、１５０μｍとなった。
　次に、この状態のまま、２つの第３の積層体を加熱により硬化させた。硬化条件は、硬化温度１５０℃、硬化時間１時間とした。両側の台座で固定されているため、硬化後の硬化性樹脂シートには、反りは確認されなかった。
　その後、第３の積層体から中間フィルムを剥離した。剥離は容易に行なうことができた。
なお、中間フィルムと熱硬化性樹脂シートとの剥離強度を引張り試験機（島津製作所製、オートグラフ）を用いて測定したところ、剥離角度１８０°、剥離速度３００ｍ／分の条件で、３０ｍＮ／ｃｍであった。
　第３の積層体を剥離した後の積層体の反りを測定したところ、０．５ｍｍ以下であった。反りの測定は、台座としての８インチウエハ面を下にして平坦なテーブルに置き、テーブルからの距離が最も遠い箇所を金尺にて測定した。
　２０　　第１の積層体
　２２　　台座
　２４　　接着剤層
　２６　　半導体チップ
　２６ａ　回路形成面
　２８　　半導体チップ付第１積層体
　３０　　第２の積層体
　４０　　熱硬化性樹脂シート
　４２　　配線
　５０　　中間フィルム
　６０　　第３の積層体
　１５０　中間フィルム
　１５２　支持板
　１５４　剥離性フィルム

Claims (9)

  1. 　半導体装置の製造方法であって、
    　台座上に接着剤層が設けられた第１の積層体上に複数の半導体チップが配置された半導体チップ付第１積層体を準備する工程Ａと、
    　前記工程Ａで準備した半導体チップ付き第１積層体の前記複数の半導体チップが表出している側の面上に熱硬化性樹脂シートを配置して、第２の積層体を得る工程Ｂと、
    　２つの前記第２の積層体の熱硬化型樹脂シート面同士を、中間フィルムを介して対向させて圧力を加えることにより、前記複数の半導体チップを前記熱硬化性樹脂シートに埋め込み、台座と接着剤層と半導体チップが埋め込まれた熱硬化型樹脂シートとを有する第３の積層体を２つ得る工程Ｃと、
    　前記工程Ｃの後、前記中間フィルムを介して２つの前記第３の積層体の熱硬化型樹脂シート面同士を対向させた状態のまま、前記第３の積層体の前記熱硬化性樹脂シートを熱硬化させる工程Ｄと、
    　前記工程Ｄの後、前記第３の積層体から前記中間フィルムを剥離する工程Ｅと、
    　前記工程Ｅの後、前記熱硬化性樹脂シート上に、配線を形成する工程Ｆと
    を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 　前記工程Ｄの後の前記中間フィルムと前記熱硬化性樹脂シートとの剥離強度が、剥離角度１８０°、剥離速度３００ｍ／分の条件で、１０００ｍＮ／ｃｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
  3. 　前記中間フィルムの表面粗さＲａが５０ｎｍ～１００μｍであることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
  4. 　前記中間フィルムは、表面が離型処理されていることを特徴とする請求項１～３のいずれか１に記載の半導体装置の製造方法。
  5. 　前記中間フィルムは、支持板と前記支持板の両面に設けられた剥離性フィルムとから構成されていることを特徴とする請求項１～４のいずれか１に記載の半導体装置の製造方法。
  6. 　前記熱硬化性樹脂シートは、熱硬化前のガラス転移温度が５０℃以上であることを特徴とする請求項１～５のいずれか１に記載の半導体装置の製造方法。
  7. 　前記熱硬化性樹脂シートは、熱硬化後の２５℃における引張貯蔵弾性率が０．１Ｇｐａ～３０Ｇｐａの範囲内であることを特徴とする請求項１～６のいずれか１に記載の半導体装置の製造方法。
  8. 　前記工程Ｃにより得られた前記第３の積層体において、前記熱硬化性樹脂シートに埋め込まれた前記半導体チップの上面から、前記熱硬化型樹脂シートの前記中間フィルム側の面までの距離が２０μｍ～３００μｍの範囲内であることを特徴とする請求項１～７のいずれか１に記載の半導体装置の製造方法。
  9. 　前記工程Ｃにおける加圧時の条件が、温度７０℃～１３０℃、圧力０．２Ｍｐａ～５Ｍｐａ、真空度０．１～２０ｔｏｒｒの範囲内であり、
    　前記熱硬化型樹脂シートの１００℃における粘度が１０～５０００Ｐａ・ｓの範囲内であることを特徴とする請求項１～８のいずれか１に記載の半導体装置の製造方法。
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