TW201428862A - 半導體裝置之製造方法 - Google Patents

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Jun Ishii
Eiji Toyoda
Daisuke Uenda
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Nitto Denko Corp
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Abstract

本發明係關於一種半導體裝置之製造方法，其係包含以下步驟A至步驟C；步驟A：準備附半導體晶片之第1層合體，該附半導體晶片之第1層合體係於台座上已設置接著劑層之第1層合體上配置有複數半導體晶片者；步驟B：在附半導體晶片之第1層合體之複數半導體晶片所露出側之面上配置熱硬化性樹脂片而取得第2層合體；步驟C：藉由使2個第2層合體成對向而施加壓力，使複數之半導體晶面埋入於熱硬化性樹脂片，而取得2個具有台座與接著劑層與已埋入半導體晶片之熱硬化型樹脂片之第3層合體。

Description

半導體裝置之製造方法
本發明係關於半導體裝置之製造方法。
近年來，半導體裝置之小型化或配線之微細化有愈來愈發展之傾向，於狹窄之半導體晶片區域(以俯視透視半導體晶片時，與半導體晶片重疊之區域)中必須配置更多之I/O焊墊或通孔，同時亦須提高插腳(pin)密度。再者BGA(球柵陣列(Ball Grid Array))封裝中，由於於半導體晶片區域內預先形成許多端子，導致用以形成其他要素之區域受到限制，因此提出在半導體封裝基板上自端子拉出配線到半導體晶片區域外側之方法。
該種狀況下，由於係個別對應於半導體裝置之小型化或配線之微細化，故因增設製造產線或製造順序之複雜化等而使生產效率降低，亦無法因應於低成本化要求。
相對於此，為了半導體封裝製作之低成本化，亦已提案將經單片化之複數晶片配置在支撐體上，以一次進行樹脂密封而形成封裝之方法。例如，專利文獻1 中提出將經單片化之複數個晶片排列在於支撐體上形成之感熱性接著劑上，以覆蓋晶片與感熱性接著劑之方式形成塑膠製之共通承載體後，藉加熱埋入晶片後剝離共通承載體與感熱性接著劑之方法。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：美國專利第7,202,107號
然而，專利文獻1之半導體裝置之製造方法關於使塑膠製之共通承載體熱硬化並無記載。且，假使經熱硬化，由於亦會使共通承載體熱硬化而引起收縮，故有共通承載體整體翹曲之問題。
因此，本發明之目的係提供一種將複數個半導體晶片埋入熱硬化性樹脂片中之後，使該熱硬化性樹脂片熱硬化時，可抑制翹曲發生之半導體裝置之製造方法。
本申請案之發明人等發現藉由採用下述構成可解決前述課題，因而完成本發明。
亦即，本發明係一種半導體裝置之製造方法，其特徵係具備以下步驟A至步驟G；步驟A：準備附半導體晶片之第1層合體，該附半導 體晶片之第1層合體係於台座上已設置接著劑層之第1層合體上配置有複數半導體晶片者；步驟B：在前述步驟A中已準備之附半導體晶片之第1層合體上之前述複數之半導體晶片所露出側之面上配置熱硬化性樹脂片而取得第2層合體；步驟C：藉由使中間膜介於其中並使2個前述第2層合體之熱硬化型樹脂片之面彼此對向而施加壓力，使前述複數之半導體晶片埋入於前述熱硬化性樹脂片，而取得2個具有台座與接著劑層與已埋入半導體晶片之熱硬化型樹脂片之第3層合體；步驟D：前述步驟C之後，在使前述中間膜介於其中之2個前述第3層合體之熱硬化型樹脂片之面彼此對向之狀態下，使前述第3層合體之前述熱硬化性樹脂片熱硬化；步驟E：前述步驟D之後，從前述第3層合體剝離前述中間膜；步驟F：前述步驟E之後，從前述熱硬化性樹脂片剝離前述第1層合體；步驟G：前述步驟F之後，於前述熱硬化性樹脂片上形成配線。
依據本發明之半導體裝置之製造方法，首先，準備於台座上已設置接著劑層之第1層合體上配置複數半導體晶片之附半導體晶片之第1層合體(步驟A)。接著，在前述步驟A中已準備之附半導體晶片之第1層合 體上之前述複數之半導體晶片所露出側之面上配置熱硬化性樹脂片而取得第2層合體(步驟B)。接著，藉由使中間膜介於其中並使2個前述第2層合體之熱硬化型樹脂片之面彼此對向而施加壓力(加壓)，使前述複數之半導體晶片埋入於前述熱硬化性樹脂片，而取得2個具有台座與接著劑層與已埋入半導體晶片之熱硬化型樹脂片之第3層合體(步驟C)。前述步驟C之後，在使前述中間膜介於其中之2個前述第3層合體之熱硬化型樹脂片之面彼此對向之狀態下，使前述第3層合體之前述熱硬化性樹脂片熱硬化(步驟D)。據此，在使前述第3層合體之前述熱硬化性樹脂片熱硬化之間，係以2個台座夾持之狀態使前述熱硬化性樹脂片熱硬化。其結果，可抑制熱硬化時之前述熱硬化性樹脂片之翹曲。此外，可藉1次加壓(步驟C)、及熱硬化(步驟D)獲得2個第3層合體，故生產性優異。
前述步驟D之後，從前述第3層合體剝離前述中間膜(步驟E)。前述步驟E之後，自前述熱硬化性樹脂片剝離前述第1層合體(步驟F)。前述步驟F之後，於前述熱硬化性樹脂片上形成配線(步驟G)。藉此，可獲得將配線拉到晶片之外側之半導體裝置。
前述構成中，前述步驟D之後之前述中間膜 與前述熱硬化性樹脂片(熱硬化後之前述熱硬化性樹脂片)之剝離強度，在剝離角度180°、剝離速度300m/分之條件下較好為1000mN/cm以下。前述剝離強度為 1000mN/cm以下時，不會使熱硬化性樹脂片之表面粗糙，可適於自熱硬化性樹脂片剝離中間膜。
前述構成中，前述中間膜之表面粗度Ra較好為50nm~100μm。前述中間膜之表面粗度Ra為50nm~100μm時，可更適於自熱硬化性樹脂片剝離中間膜。
前述構成中，前述中間膜係表面經離型處理者。前述中間膜之表面經離型處理時，可更適於自熱硬化性樹脂片剝離中間膜。
前述構成中，前述中間膜係由支撐板與設置於前述支撐板之兩面上之剝離性膜所構成。前述中間膜由支撐板與設置於前述支撐板兩面之剝離性膜構成時，藉由不易變形之支撐板，可確保熱硬化性樹脂片之表面平坦性，同時藉由剝離性膜，可確保自熱硬化性樹脂片之剝離性。
前述構成中，前述熱硬化性樹脂片在熱硬化前之玻璃轉移溫度較好為50℃以上。前述熱硬化性樹脂片之熱硬化前之玻璃轉移溫度為50℃以上時，基於耐熱性方面較優異。
前述構成中，前述熱硬化性樹脂片於熱硬化後之25℃下之拉伸儲藏彈性模數較好為0.1Gpa~30Gpa之範圍內。前述熱硬化性樹脂片之熱硬化後之在25℃下之拉伸儲藏彈性模數為0.1Gpa以上時，具有某程度之強度，形狀容易維持，故處理性優異，另一方面，為30Gpa以下時，基於可緩和應力方面較優異。
前述構成中，於藉由前述步驟C所得之前述 第3層合體中，從前述埋入於熱硬化性樹脂片中之前述半導體晶片之上面(與接著劑層相反側之面)至前述熱硬化型樹脂片之前述中間膜側之面為止之距離較好為20μm~300μm之範圍內。前述距離為20μm~300μm之範圍內時，基於可防止半導體晶片露出，且可降低熱硬化性樹脂片之翹曲或施加於熱硬化性樹脂片之應力方面較優異。
前述構成中，前述步驟C中之加壓時之條件 較好為溫度70℃~130℃、壓力0.2Mpa~5Mpa、真空度0.1~20torr之範圍內，前述熱硬化型樹脂片之100℃下之黏度較好為10~5000Pa．s(帕斯卡．秒)之範圍內。前述步驟C中之加壓時條件為溫度70℃~130℃、壓力0.2Mpa~5Mpa、真空度0.1~20torr之範圍內，且前述熱硬化型樹脂片之100℃下之黏度為10~5000Pa．s之範圍內時，可適於將半導體晶片埋入熱硬化性樹脂片中。
依據本發明，將複數半導體晶片埋入於熱硬化性樹脂片中後使該熱硬化性樹脂片熱硬化時，可抑制翹曲發生。
20‧‧‧第1層合體
22‧‧‧台座
24‧‧‧接著劑層
26‧‧‧半導體晶片
26a‧‧‧電路形成面
28‧‧‧附半導體晶片之第1層合體
30‧‧‧第2層合體
40‧‧‧熱硬化性樹脂片
42‧‧‧配線
50‧‧‧中間膜
60‧‧‧第3層合體
150‧‧‧中間膜
152‧‧‧支撐板
154‧‧‧剝離性膜
圖1係用以說明本發明一實施形態之半導體裝置之製 造方法的剖面模式圖。
圖2係用以說明本發明一實施形態之半導體裝置之製造方法的剖面模式圖。
圖3係用以說明本發明一實施形態之半導體裝置之製造方法的剖面模式圖。
圖4係用以說明本發明一實施形態之半導體裝置之製造方法的剖面模式圖。
圖5係用以說明本發明一實施形態之半導體裝置之製造方法的剖面模式圖。
圖6係用以說明本發明一實施形態之半導體裝置之製造方法的剖面模式圖。
圖7係用以說明本發明一實施形態之半導體裝置之製造方法的剖面模式圖。
圖8係用以說明本發明另一實施形態之半導體裝置之製造方法的剖面模式圖。
圖9係用以說明其他實施形態之半導體裝置之製造方法的剖面模式圖。
以下，邊參照圖式邊說明本發明實施形態之一例。
本實施形態之半導體裝置之製造方法，其係至少具備以下步驟A至步驟G之半導體裝置之製造方法； 步驟A：準備附半導體晶片之第1層合體，該附半導體晶片之第1層合體係於台座上已設置接著劑層之第1層合體上配置有複數半導體晶片者(準備附半導體晶片之第1層合體之步驟)；步驟B：在前述步驟A中已準備之附半導體晶片之第1層合體之前述複數之半導體晶片所露出側之面上配置熱硬化性樹脂片而取得第2層合體(獲得第2層合體之步驟)；步驟C：藉由使中間膜介於其中並使2個前述第2層合體之熱硬化型樹脂片之面彼此對向而施加壓力，使前述複數之半導體晶片埋入於前述熱硬化性樹脂片，而取得2個具有台座與接著劑層與已埋入半導體晶片之熱硬化型樹脂片之第3層合體(獲得2個第3層合體之步驟)；步驟D：前述步驟C之後，在使前述中間膜介於其中之2個前述第3層合體之熱硬化型樹脂片之面彼此對向之狀態下，使前述第3層合體之前述熱硬化性樹脂片熱硬化(使熱硬化性樹脂片熱硬化之步驟)；步驟E：前述步驟D之後，從前述第3層合體剝離前述中間膜(剝離中間膜之步驟)；步驟F：前述步驟E之後，自前述熱硬化性樹脂片剝離前述第1層合體(剝離第1層合體之步驟)；及步驟G：於前述步驟F之後，於前述熱硬化性樹脂片上形成配線(形成配線之步驟)。
[準備附半導體晶片之第1層合體之步驟]
圖1~圖7係用以說明準備本發明一實施形態之製造方法的剖面模式圖。首先，準備附半導體晶片之第1層合體之步驟(步驟A)係如圖1所示，準備於台座22上已設置接著劑層24之第1層合體20上配置有複數之半導體晶片26的附半導體晶片之第1層合體28。
(台座)
台座22較好具有一定以上之強度。台座22並無特別限制，列舉為矽晶圓、SiC晶圓、GaAs晶圓等化合物晶圓、玻璃晶圓、SUS、6-4合金、Ni箔、Al箔等金屬箔等。採用俯視為圓形形狀時，較好為矽晶圓或玻璃晶圓。且，俯視為矩形時，較好為SUS板、或玻璃板。
又，台座22亦可使用例如低密度聚乙烯、直鏈狀聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚合聚丙烯、嵌段共聚合聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴，乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離子聚合物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚胺基甲酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯、聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚醚醚酮、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醯胺、全芳香族聚醯胺、聚苯基硫醚、聚芳醯胺(紙)、玻璃、玻璃布、氟樹脂、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、纖維素系樹脂、聚 矽氧樹脂、紙等。
台座22可單獨使用，亦可組合2種以上使用。台座之厚度並無特別限制，但例如通常為10μm~20mm左右。
(接著劑層)
構成接著劑層24之接著劑組成物並無特別限制，但係於使熱硬化性樹脂片熱硬化之步驟(步驟D)之後，可自熱硬化性樹脂片40剝離第1層合體20。因此，接著劑層24較好以在使熱硬化性樹脂片熱硬化之步驟(步驟D)之後，可展現輕剝離性之材料而形成。構成此種接著劑層24之接著劑組成物可列舉為具有醯亞胺基且至少一部分具有源自具有醚構造之二胺的構成單位之聚醯亞胺樹脂、前述聚醯亞胺樹脂之前驅物的聚醯胺酸、聚矽氧樹脂、併用熱可塑性樹脂與熱硬化性樹脂者等
前述聚醯亞胺樹脂一般可藉由使其前驅物的聚醯胺酸醯亞胺化(脫水縮合)而獲得。使聚醯胺酸醯亞胺化之方法可採用例如過去習知之加熱醯亞胺化法、共沸脫水法、化學醯亞胺化法等。其中，以加熱醯亞胺化法較佳。採用加熱醯亞胺化法時，為防止因聚醯亞胺樹脂之氧化造成之劣化，較好在氮氣氛圍下或真空中等之惰性氛圍下進行加熱處理。
前述聚醯胺酸可以實質上成為等莫耳比之方式將酸酐與二胺(含具有醚構造之二胺與不具有醚構造之 二胺兩者)饋入適當選擇之溶劑中，並反應而獲得。
前述聚醯亞胺樹脂較好具有源自具有醚構造 之二胺的構成單位。前述具有醚構造之二胺只要是具有醚構造且至少具有2個具有胺構造之末端的化合物，則無特別限制。前述具有醚構造之二胺中，以具有二醇骨架之二胺較佳。前述聚醯亞胺樹脂具有源自具有醚構造之二胺之構成單位，尤其，源自具有二醇骨架之二胺之構成單位時，將接著劑層24加熱時，可降低接著力。關於該現象，本發明人等推測係藉由加熱，使前述醚構造自構成接著劑層24之樹脂脫離，因該脫離而降低接著力。
又，前述醚構造、或前述二醇骨架自構成接著劑層24之樹脂脫離可由比較例如在300℃加熱30分鐘前後之FT-IR(傅立葉轉換紅外線光譜儀)光譜，由2800~3000cm-1之光譜在加熱前後之減少而確定。
前述具有二醇骨架之二胺可列舉為例如具有 聚丙二醇構造且兩末端各具有1個胺基之二胺、具有聚乙二醇構造且兩末端各具有1個胺基之二胺、具有聚四亞甲基二醇構造且兩末端各具有1個胺基之二胺等之具有烷二醇之二胺。且，可列舉為具有複數個該等二醇構造且兩末端各具有1個胺基之二胺。
前述具有醚構造之二胺的分子量較好在 100~5000之範圍內，更好為150~4800。前述具有醚構造之二胺之分子量在100~5000之範圍內時，低溫下之接著力高，且容易獲得在高溫下發揮剝離性之接著劑層24。
前述聚醯亞胺樹脂之形成中，除了具有醚構 造之二胺以外，亦可併用不具有醚構造之二胺。不具有醚構造之二胺可列舉為脂肪族二胺或芳香族二胺。藉由併用不具有醚構造之二胺，可控制與被著體之密著力。具有醚構造之二胺與不具有醚構造之二胺之調配比例，以莫耳比計，較好為100：0~10：90之範圍內，更好為100：0~20：80，又更好為99：1~30：70。前述具有醚構造之二胺與前述不具有醚構造之二胺之調配比例，以莫耳比計，在100：0~10：90之範圍內時，高溫之剝離性更優異。
前述脂肪族二胺列舉為例如乙二胺、六亞甲 基二胺、1,8-二胺基辛烷、1,10-二胺基癸烷、1,12-二胺基十二烷、4,9-二氧雜-1,12-二胺基十二烷、1,3-雙(3-胺基丙基)-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷(α,ω-雙胺基丙基四甲基二矽氧烷)等。前述脂肪族二胺之分子量通常為50~1,000,000，較好為100~30,000。
芳香族二胺列舉為例如4,4’-二胺基二苯基 醚、3,4’-二胺基二苯基醚、3,3’-二胺基二苯基醚、間-苯二胺、對-苯二胺、4,4’-二胺基二苯基丙烷、3,3’-二胺基二苯基甲烷、4,4’-二胺基二苯基硫醚、3,3’-二胺基二苯基硫醚、4,4’-二胺基二苯基碸、3,3’-二胺基二苯基碸、1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(3-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(4-胺基苯氧基)-2,2-二甲基丙烷、4,4’-二胺基二苯甲酮等。前述芳香族二胺之分 子量通常為50~1000，較好為100~500。前述脂肪族二胺之分子量，及前述芳香族二胺之分子量係指以GPC(凝膠滲透層析儀)測定，且以聚苯乙烯換算所算出之值(重量平均分子量)。
前述酸酐列舉為例如3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二 酐、2,2’,3,3’-聯苯四羧酸二酐、3,3’,4,4’-二苯甲酮四羧酸二酐、2,2’,3,3’-二苯甲酮四羧酸二酐、4,4’-氧基二鄰苯二甲酸二酐、2,2-雙(2,3-二羧基苯基)六氟丙烷二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐(6FDA)、雙(2,3-二羧基苯基)甲烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)甲烷二酐、雙(2,3-二羧基苯基)碸二酐、雙(3,4-二羧基苯基)碸二酐、均苯四酸二酐、乙二醇雙偏苯三酸二酐等。 該等可單獨使用，亦可併用2種以上。
前述酸酐與前述二胺反應時之溶劑可列舉為 N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基甲醯胺、環戊酮等。該等可單獨使用，亦可混合複數種使用。且，為調整原材料或樹脂之溶解性，亦可適當混合使用甲苯、或二甲苯等之非極性溶劑。
前述聚矽氧樹脂列舉為例如過氧化物交聯型 聚矽氧系黏著劑、加成反應型聚矽氧系黏著劑、脫氫反應型聚矽氧系黏著劑、濕氣硬化型聚矽氧系黏著劑等。前述聚矽氧樹脂可單獨使用1種，亦可併用2種以上。使用前述聚矽氧樹脂時，可提高耐熱性，且可成為高溫下之儲藏彈性模數或黏著力為適當之值。前述聚矽氧樹脂中，就減 少雜質之觀點而言，以加成反應型聚矽氧系黏著劑較佳。
接著劑層24中使用前述聚矽氧樹脂時，接著 劑層24中可視需要含有其他添加劑。此等其他添加劑列舉為例如難燃劑、矽烷偶合劑、離子捕捉劑等。難燃劑列舉為例如三氧化銻、五氧化銻、溴化環氧樹脂等。矽烷偶合劑列舉為例如β-(3,4-環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷等。離子捕捉劑列舉為例如水滑石(hydrotalcite)類、氫氧化鉍等。該其他添加劑可僅為1種，亦可為2種以上。
(第1層合體之形成方法)
第1層合體20可藉由於台座22上形成接著劑層24而得。接著劑層24可藉由將含有用以形成接著劑層24之組成物之溶液塗佈於台座22上之方法，將前述溶液塗佈於適當之隔離材(剝離紙等)上形成接著劑層24，且將其轉印(轉移固定)於台座22上之方法等，而獲得第1層合體20。
(附半導體晶片之第1層合體之形成方法)
附半導體晶片之第1層合體28係以使接著劑層24與半導體晶片26之電路形成面26a成對向之方式，將複數半導體晶片26配置於接著劑層24上(參照圖1)。半導體晶片26之配置可使用覆晶黏結機或晶粒黏結機(die bonder)等之習知裝置。
由上述，可準備附半導體晶片之第1層合體28。
[獲得第2層合體之步驟]
接著，如圖2所示，將熱硬化性樹脂片40配置於附半導體晶片之第1層合體28之複數半導體晶片26所露出之側之面上，獲得第2層合體30(步驟B)。
(熱硬化性樹脂片)
熱硬化性樹脂片40具有密封半導體晶片26之功能。熱硬化性樹脂片40之構成材料列舉為併用熱可塑性樹脂與熱硬化性樹脂者。此外，亦可單獨使用熱硬化性樹脂。
前述熱可塑性樹脂列舉為天然橡膠、丁基橡 膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯橡膠、聚碳酸酯樹脂、熱可塑性聚醯亞胺樹脂、6-尼龍或6,6-尼龍等聚醯胺樹脂、苯氧樹脂、丙烯酸樹脂、PET或PBT等之飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、或氟樹脂等。該等熱可塑性樹脂可單獨使用，或併用2種以上使用。該等熱可塑性樹脂中，以離子性雜質少且耐熱性高，可確保半導體晶片之信賴性之丙烯酸樹脂最佳。
前述丙烯酸樹脂並無特別限制，列舉為以具有碳數30以下，尤其是碳數4~18之直鏈或分支之烷基之 丙烯酸或甲基丙烯酸之酯的1種或2種以上作為成分之聚合物等。前述烷基列舉為例如甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基、或十二烷基等。
又，形成前述聚合物之其他單體並無特別限 制，列舉為例如如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸或巴豆酸等之含羧基之單體，如馬來酸酐或衣康酸酐等之酸酐單體，如(甲基)丙烯酸酯2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯或(4-羥基甲基環己基)-甲基丙烯酸酯等之含羥基之單體，如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酸醯胺-2-甲基丙烷磺酸、(甲基)丙烯酸醯胺丙烷磺酸、(甲基)丙烯酸磺基丙酯或(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等之含磺酸基之單體，或如2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯等之含磷酸基之單體。
前述熱硬化性樹脂列舉為酚樹脂、胺基樹 脂、不飽和聚酯樹脂、環氧樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚矽氧樹脂、或熱硬化性聚醯亞胺樹脂等。該等樹脂可單獨使用或併用2種以上使用。尤其，較好為會腐蝕半導體晶 片之離子性雜質等含量較少之環氧樹脂。且，環氧樹脂之硬化劑較好為酚樹脂。
前述環氧樹脂若為一般使用作為接著劑組成 物者即無特別限制，可使用例如雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯苯型、萘型、茀型、酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、參羥基苯基甲烷型、四羥苯基乙烷型等之二官能環氧樹脂或多官能環氧樹脂，或乙內醯脲(hydantoin)型、參縮水甘油基異氰尿酸酯型或縮水甘油基胺型等之環氧樹脂。該等可單獨使用或併用2種以上。該等環氧樹脂中以酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、參羥基苯基甲烷型樹脂或四羥苯基乙烷型環氧樹脂最佳。係因該等環氧樹脂富有與作為硬化劑之酚樹脂之反應性，而耐熱性等優異之故。
再者，前述酚樹脂係作為前述環氧樹脂之硬 化劑發揮作用者，列舉為例如酚酚醛清漆樹脂、酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基酚酚醛清漆樹脂、壬基酚酚醛清漆樹脂等之酚醛清漆型酚樹脂，甲酚型酚樹脂、聚對氧苯乙烯等之聚氧苯乙烯等。該等可單獨使用，或併用2種以上使用。該等酚樹脂中以酚酚醛清漆樹脂、酚芳烷基樹脂最佳。係因可提高半導體裝置之連接信賴性之故。
前述環氧樹脂與酚樹脂之調配比例宜為例如 以使前述環氧樹脂成分中之環氧基每1當量，酚樹脂中之 羥基成為0.5~2.0當量之方式調配。更好為0.8~1.2當量。亦即，兩者之調配比例在前述範圍以外時，無法進行充分之硬化反應，容易使環氧樹脂硬化物之特性劣化之故。
環氧樹脂與酚樹脂之熱硬化促進觸媒並無特別限制，可自習知之熱硬化性促進觸媒中適當選擇使用。熱硬化促進觸媒可單獨使用或組合2種以上使用。熱硬化促進觸媒可使用例如胺系硬化促進劑、磷系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑、硼系硬化促進劑、磷-硼系硬化促進劑等。
又，熱硬化性樹脂片40可適當調配無機填充劑。無機填充劑之調配可賦予導電性或提高熱傳導性、調節儲藏彈性模數等。
前述無機填充劑列舉為例如二氧化矽、黏土、石膏、碳酸鈣、硫酸鋇、氧化鋁、氧化鈹、碳化矽、氮化矽等陶瓷類，鋁、銅、銀、金、鎳、鉻、鉛、錫、鋅、鈀、焊料等之金屬、或合金類，其他由碳所組成之各種無機粉末。該等可單獨使用或併用2種以上使用。其中，以二氧化矽，尤其是熔融二氧化矽較適用。
無機填充劑之平均粒徑較好在0.1~30μm之範圍內，更好在0.5~25μm之範圍內。又，本發明中，亦可將平均粒徑互不相同之無機填充劑彼此組合使用。且，平均粒徑係以光度式粒度分佈計(HORIBA製，裝置名；AL-910)求出之值。
前述無機填充劑之調配量相對於有機樹脂成 分100重量份較好設定在100~1400重量份。最好為230~900重量份。無機填充劑之調配量為100重量份以上時，耐熱性或強度提高。且，藉由成為1400重量份以下，可確保流動性。藉此，可防止接著性或埋入性降低。
又，熱硬化性樹脂片40中，除前述無機填充 劑以外，亦可視需要適當調配其他添加劑。其他添加劑列舉為例如難燃劑、矽烷偶合劑、離子捕捉劑、碳黑等顏料等。前述難燃劑列舉為例如三氧化銻、五氧化銻、溴化環氧樹脂等。該等可單獨使用或併用2種以上使用。前述矽烷偶合劑列舉為例如β-(3,4-環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷等。該等化合物可單獨使用或併用2種以上使用。前述離子捕捉劑列舉為例如水滑石類、氫氧化鉍等。該等可單獨使用或併用2種以上使用。 此外，考慮高溫硬化時之黏性提高，亦可添加彈性體成分作為黏度調整用之添加劑。彈性體成分若為使樹脂增黏者即無特別限制，但列舉為例如聚丙烯酸酯等之各種丙烯酸系共聚物；聚苯乙烯-聚異丁烯系共聚物、苯乙烯丙烯酸酯系共聚物等之具有苯乙烯骨架之彈性體；丁二烯橡膠、苯乙烯-丁二烯橡膠(SBR)、乙烯-乙酸乙烯共聚物(EVA)、異戊二烯橡膠、丙烯腈橡膠等之橡膠質聚合物等。
熱硬化性樹脂片40在熱硬化前之玻璃轉移溫 度較好為50℃以上，更好為50~200℃之範圍內，又更好為80~150℃之範圍內。熱硬化性樹脂片40之熱硬化前之玻璃轉移溫度為50℃以上時，基於耐熱性方面較優異。
熱硬化性樹脂片40之熱硬化後在25℃下之拉 伸儲藏彈性模數較好在0.1Gpa~30Gpa之範圍內，更好為1Gpa~20Gpa之範圍內。熱硬化性樹脂片40之熱硬化後在25℃下之拉伸儲藏彈性模數為0.1Gpa以上時，具有某程度之強度，形狀容易維持，故操作性優異，另一方面為30Gpa以下時，基於緩和應力方面較優異。
且，熱硬化性樹脂片40在100℃下之黏度較 好為10~5000Pa．s，更好為50~3000Pa．s。前述黏度為10Pa．s以上時，可抑制熱硬化時之表面形狀大幅變形。 且，藉由成為5000Pa．s以下，可較好地使半導體晶片26埋入。
以前述步驟C獲得之第3層合體60中，自埋 入於熱硬化性樹脂片40中之半導體晶片26之上面至熱硬化性樹脂片40之中間膜50側之面為止之距離d(參照圖4)較好在20μm~300μm之範圍內，更好在25μm~200μm之範圍內。通常，半導體晶片之厚度為50μm~500μm左右。熱硬化性樹脂片40之厚度(熱硬化性樹脂片40整體之厚度)較好為70μm~800μm，更好為75μm~700μm。距離d在20μm~300μm之範圍內時，基於可防止半導體晶片之露出，且降低熱硬化性樹脂片之翹曲或施加於熱硬化性樹脂片之應力方面較優異。
形成熱硬化性樹脂片40之步驟列舉為例如進 行將熱硬化樹脂片40之構成材料的接著劑組成物溶液塗佈於離型薄膜上，形成塗佈層之步驟，隨後，進行使前述塗佈層乾燥之步驟的方法。
前述接著劑組成物溶液之塗佈方法並無特別 限制，列舉為例如使用缺角輪塗佈法、噴泉(fountain)法、凹版法等進行塗佈之方法。塗佈厚度只要以使塗佈層乾燥之最終獲得的熱硬化性樹脂片40之厚度落在10~100μm之範圍內般適當設定即可。
前述離型薄膜並無特別限制，列舉為例如於 離型薄膜中之與熱硬化性樹脂片40貼合之面形成聚矽氧層等之離型塗層者。且，離型薄膜之基材列舉為例如如透明玻璃紙之紙材、或由聚乙烯、聚丙烯、聚酯等所成之樹脂薄膜。
前述塗佈層之乾燥係藉由對塗佈層吹拂乾燥 風而進行。該乾燥風之吹拂列舉為例如以使其吹拂方向與離型薄膜之輸送方向平行般進行之方法，或以垂直於塗佈層表面般進行之方法。乾燥風之風量並無特別限制，通常為5~20m/min，較好為5~15m/min。藉由使乾燥風之風量成為5m/min以上，可防止塗佈層之乾燥不充分。另一方面，藉由使乾燥風之風量成為20m/min以下，使塗佈層表面附近之有機溶劑之濃度變均勻，故可使其蒸發均勻。結果，可形成表面狀態於面內均勻之熱硬化性樹脂片40。
乾燥時間係根據接著劑組成物溶液之塗佈厚 度適當設定，通常為1~5min，較好為2~4min之範圍內。藉由使乾燥時間成為1min以上，可抑制因硬化反應未充分進行而使未反應之硬化成分或殘留之溶劑量變多。結果，可防止後續步驟中發生氣體釋出或孔洞之問題。另一方面，為5min以內時，可抑制硬化反應過度進行。
乾燥溫度並無特別限制，通常設定在 70~160℃之範圍內。本實施形態中，較好隨著乾燥時間之經過同時階段性地提高乾燥溫度。具體而言例如乾燥初期(剛乾燥後1min以下)設定在70℃~100℃之範圍內，乾燥後期(超過1min且5min以下)設定在100~160℃之範圍內。藉此，可防止剛塗佈後於乾燥溫度急速上升時產生之塗佈層表面之針孔發生。藉此，可製造本實施形態之熱硬化性樹脂片40。
[獲得2個第3層合體之步驟]
接著，藉由實施前述步驟A及前述步驟B製造2個第2層合體30，且介隔中間膜50使該2個第2層合體30之熱硬化型樹脂片40之面彼此成對向(參照圖3)。接著，藉由自兩者之台座22側朝向熱硬化性樹脂片40施加壓力，使複數之半導體晶片26埋入於熱硬化性樹脂片40，獲得2個具有台座22、接著劑層24、與埋入有半導體晶片26之熱硬化型樹脂片40之第3層合體60(步驟C)(參照圖4)。
前述步驟C中之加壓時之條件較好為溫度 70℃~130℃、壓力0.2Mpa~5Mpa、真空度0.1~20torr之範圍內，更好為溫度80℃~120℃、壓力0.3Mpa~4Mpa、真空度0.5~18torr之範圍內。前述步驟C中之加壓時之條件在前述範圍內時，可將半導體晶片26適當地埋入熱硬化性樹脂片40中。
(中間膜)
中間膜50係於後述步驟D中，用於使熱硬化性樹脂片40彼此不接著者。該種中間膜50並無特別限制，但可列舉出聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜、聚烯烴系膜、聚甲基戊烯系膜、聚醯亞胺膜、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜等。中間膜50亦可直接使用例如熱硬化性樹脂片40之製造時所使用之隔離材。
中間膜50之熔點，就耐熱性之觀點而言，較 好為150℃以上者，更好為170℃以上者。且，前述熔點愈高愈好，列舉為例如300℃以下、250℃以下。
中間膜50之表面粗度Ra較好為 50nm~100μm，更好為60nm~90μm。中間膜50之表面粗度Ra為50nm~100μm時，後述之步驟E中，可更適於自熱硬化性樹脂片40剝離中間膜。使中間膜50之表面粗度Ra落在上述數值範圍內之方法可列舉為自具有凹凸金屬輥轉印等。
中間膜50較好為表面經離型處理者。中間膜50之表面經離型處理時，於後述之步驟E中，可更適於 自熱硬化性樹脂片剝離中間膜。前述離型處理列舉為將離型劑塗佈於中間膜50之方法。前述離型劑列舉為含有長鏈烷基之聚合物、聚矽氧系聚合物、全氟系聚合物、氟化聚烯烴、聚烯烴等。塗佈方法列舉為使離型劑溶解於溶劑中，並塗佈該溶液之方法，使離型劑於水中乳化，並塗佈該乳液之方法，使離型劑熔融，並與中間膜50層合之熱熔融法等，但最常用為使離型劑溶解於溶劑後進行塗佈之方法。該溶劑型塗佈法所使用之溶劑列舉為甲苯、乙酸乙酯、異丙醇、己烷、庚烷等。
中間膜50之厚度並無特別限制，但就強度之觀點而言，較好為20μm~1000μm之範圍內。
[使熱硬化性樹脂片熱硬化之步驟]
前述步驟C之後，在使前述中間膜50介於其中之2個第3層合體60之熱硬化型樹脂片40之面彼此對向之狀態下，使第3層合體60之熱硬化性樹脂片40熱硬化(步驟D)。在使第3層合體60之熱硬化性樹脂片40熱硬化之間，熱硬化性樹脂片40在以2個台座22夾持之狀態下熱硬化。結果，可抑制熱硬化時之熱硬化性樹脂片40之翹曲。且，由於藉1次加壓(步驟C)及熱硬化(步驟D)可獲得2個第3層合體，故生產性優異。此時之加熱溫度較好在90~200℃進行，更好在120~175℃進行。且，加熱時間較好為30~240分鐘，更好為60~180分鐘。藉由使熱硬化時之溫度及時間成為上述數值範圍內，在使熱硬 化性樹脂片熱硬化之步驟中，可適當地使熱硬化性樹脂片40熱硬化。
[剝離中間膜之步驟]
前述步驟D之後，如圖5所示，自第3層合體60剝離中間膜50(步驟E)。前述剝離方法並無特別限制，可列舉為於上下施力分離成第3層合體60、與附中間膜50之第3層合體60，隨後，自附中間膜50之第3層合體60以T撕開剝離或180°撕開剝離等剝離中間膜50之方法。藉此，可獲得2個第3層合體60。
前述步驟D之後之中間膜50與熱硬化性樹脂片40(熱硬化後之熱硬化性樹脂片40)之剝離強度在剝離角度180°、剝離速度300m/分之條件下，較好為1000mN/cm以下，更好為800mN/cm以下，又更好為100mN/cm以下。且，前述剝離強度愈小愈好，但可為例如10mN/cm以上、30mN/cm以上。前述剝離強度為1000mN/cm以下時，不會使熱硬化性樹脂片40之表面變粗，可適於自熱硬化性樹脂片40剝離中間膜50。
[剝離第1層合體之步驟]
前述步驟E之後，如圖6所示，自熱硬化性樹脂片40剝離第1層合體20(步驟F)。剝離方法可列舉出以溶劑使第1層合體20之接著劑層24溶解並降低接著力之剝離方法，預先以藉加熱而降低接著力之材料形成接著劑 層24，藉加熱降低接著力之剝離方法，以切割機或雷射等物理性切入至接著劑層24予以剝離之方法等。
[形成配線之步驟]
前述步驟F之後，如圖7所示，於熱硬化性樹脂片40上形成配線42(步驟G)。
配線42之形成方法可藉由例如利用真空成膜 法等習知方法於所露出之半導體晶片26上形成金屬種晶層，利用半加成法等習知方法形成配線42。
隨後，亦可於配線42及熱硬化性樹脂片40 上形成聚醯亞胺或PBO等絕緣層。
又，所形成之配線42上亦可進行形成凸塊之 凸塊加工。凸塊加工可以焊料球或焊料鍍敷等習知方法進行。
隨後，視需要進行由半導體晶片26、熱硬化 性樹脂片40及配線42等要素所成之層合體之切割。藉此，可獲得將配線拉出到晶片區域外側之半導體裝置。切割方法可採用過去習知之方法。
上述之實施形態係針對本發明之中間膜為1 層中間膜50之情況加以說明。然而，本發明中之中間膜並不限於該例，亦可為由支撐板與設置於前述支撐板之兩面之剝離性膜構成。
圖8係用於說明本發明另一實施形態之半導體裝置之製造方法的剖面模式圖。如圖8所示，中間膜 150係由支撐板152與設置於支撐板152兩面之剝離性膜154構成。
支撐板152較好為不易變形之材質者，可列舉為金屬板、玻璃環氧樹脂板等。
剝離性膜154可列舉出聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜、聚烯烴系膜、聚甲基戊烯系膜、聚醯亞胺膜、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜等。剝離性膜154亦可直接使用例如熱硬化性樹脂片40之製造時所使用之隔離材。該情況下，只要介隔支撐板152，使附隔離材之熱硬化性樹脂片40彼此(具有附隔離材之熱硬化性樹脂片40之第3層合體60彼此)對向施加壓力即可。亦即，不另外準備剝離性膜154，僅準備支撐板152即可。
中間膜150由於係由支撐板152與設置於支撐板152兩面之剝離性膜154構成，故藉由不易變形之支撐板152，可確保熱硬化性樹脂片40之表面平坦性，同時藉由剝離性膜154，可確保自熱硬化性樹脂片40之剝離性。又，另一實施形態之半導體裝置之製造方法，除了將中間膜50置換成中間膜150以外，餘與上述實施形態相同故此處省略說明。
上述實施形態係針對藉由使2個第2層合體之熱硬化型樹脂片面彼此對向而施加壓力，使複數之半導體晶片埋入於熱硬化性樹脂片，而獲得2個具有台座與接著劑層與已埋入半導體晶片之熱硬化型樹脂片之第3層合體(步驟C)之情況加以說明。然而，若就生產效率提高 之觀點而言，並不限於該例。圖9係用於說明另一實施形態之半導體裝置之製造方法的剖面模式圖。如圖9所示，若就生產效率提高之觀點而言，亦可使2個第2層合體30之台座22面彼此對向，以模具或平板等自二方之熱硬化性樹脂片40側朝向台座22側施加壓力，藉此將複數之半導體晶片26埋入於熱硬化性樹脂片40中，獲得2個具有由台座22與接著劑層24及埋入有半導體晶片26之熱硬化型樹脂片40之第3層合體60。該情況下，並不需要中間膜。
亦即，作為其他實施形態可列舉下述。
一種半導體裝置之製造方法，其係為含下述步驟A-1、步驟B-1、步驟C-1、步驟D-1、步驟F-1及步驟G-1之半導體裝置之製造方法；步驟A-1：準備附半導體晶片之第1層合體，該附半導體晶片之第1層合體係於台座上已設置接著劑層之第1層合體上配置有複數半導體晶片者；步驟B-1：在前述步驟A-1中已準備之附半導體晶片之第1層合體之前述複數之半導體晶片所露出側之面上配置熱硬化性樹脂片而取得第2層合體；步驟C-1：藉由使2個前述第2層合體之台座面彼此對向而施加壓力，使前述複數之半導體晶片埋入於前述熱硬化性樹脂片，而取得2個具有台座與接著劑層與已埋入半導體晶片之熱硬化型樹脂片之第3層合體；步驟D-1：前述步驟C-1之後，在使2個前述第3層 合體之台座面彼此對向之狀態下，使前述第3層合體之前述熱硬化性樹脂片熱硬化；步驟F-1：前述步驟D-1之後，從前述熱硬化性樹脂片剝離前述第1層合體；與步驟G-1：於前述步驟F-1之後，於前述熱硬化性樹脂片上形成配線。
以上，雖針對本發明之實施形態加以說明，但本發明並不受限於上述例，在本發明之構成充分之範圍內可進行適當之設計變更。
實施例
以下，例示本發明之較佳實施例詳細加以說明。但，該實施例所記載之材料或調配量等若無特別限定的記載，則不意指本發明之範圍僅限於該等。此外，所謂份意指重量份。
(台座之準備)
準備厚度700μm之8吋晶圓作為台座。
(接著劑層之準備)
在氮氣流之氛圍下，於70℃將聚醚二胺(HINZMAN製，D-4000，分子量：4023.5)365g、4,4’-二胺基二苯基醚(DDE，分子量：200.2)74g、及均苯四酸二酐(PMDA，分子量：218.1)100g混合於1257g之N,N-二甲 基乙醯胺(DMAc)中並使之反應。隨後，冷卻至室溫(23℃)，獲得聚醯胺酸溶液。以使在120℃乾燥10分鐘後之厚度成為10μm之方式將所得聚醯胺酸溶液塗佈於作為支撐體之200mm晶圓上，獲得附支撐體之聚醯胺酸薄膜。使所得附支撐體之聚醯胺酸薄膜在300℃於氮氣氛圍中熱硬化3小時，獲得附支撐體之聚醯亞胺薄膜。該聚醯亞胺薄膜係作為接著劑層。
(熱硬化性樹脂片之準備)
以混練機摻合下述(a)~(f)，且以2軸混練機在120℃之條件下混練2分鐘，接著，自模嘴擠出，獲得厚度500μm之熱硬化性樹脂片。
(a)環氧樹脂(新日鐵化學公司製，YSLV-80XY) 280份
(b)酚樹脂(明和化成公司製，MEH-7851-SS) 300份
(c)硬化促劑進(四國化成工業公司製，2P4MHZ-PW) 6份
(d)二氧化矽填料(電氣化學工業公司製，FB-9454) 3300份
(e)矽烷偶合劑(信越化學工業公司製，KBM-403) 10份
(f)碳(三菱化學公司製，#40) 10份
(中間膜之準備)
準備以聚矽氧進行離型處理之聚甲基戊烯膜(三井化學製，TPX膜，直徑8.5英吋之圓形，厚度：100μm，表面粗度Ra：0.4μm)作為中間膜。表面粗度係使用Veeco公司製之表面形狀測定裝置(Dektak8M)測定。測定條 件設為室溫(23℃)、測定速度5μm/s。
(熱硬化性樹脂片之玻璃轉移溫度測定)
測定所作成之熱硬化性樹脂片之玻璃轉移溫度之結果，為110℃。玻璃轉移溫度之測定係將熱硬化性樹脂片以切刀切出厚度500μm、寬度10mm、長度50mm之短條狀，使用動態黏彈性測定裝置(DMA)，在25℃~250℃之溫度區域以頻率1.0Hz、升溫速度10℃/分鐘之條件下測定時之Tanδ(E”(損失彈性模數)/E’(儲藏彈性模數))顯示極大值之溫度而求得
(熱硬化性樹脂片熱硬化後在25℃下之儲藏彈性模數測定)
在150℃、1小時之條件使所製作之熱硬化性樹脂片熱硬化。接著，測定熱硬化性樹脂片熱硬化後在25℃下之儲藏彈性模數之結果為3Gpa。此處之儲藏彈性模數係以切刀將熱硬化性樹脂片切出厚度500μm、寬度10mm、長度50mm之短條狀，使用動態黏彈性測定裝置(DMA)，在25℃、頻率1.0Hz之條件下測定時之拉伸儲藏彈性模數E’之值。
(熱硬化性樹脂片在100℃之黏度測定)
測定所製作之熱硬化性樹脂片於100℃之黏度之結果為2000Pa．s。此處之黏度測定係將熱硬化性樹脂片沖壓 成厚度500μm、直徑8mm之圓形，使用Rheometric Scientific公司製之黏彈性光譜儀(ARES)，以應變2%、頻率1Hz、於100℃進行，求出之複黏度(complex viscosity)η*之值。
(實施例1)
將準備之聚醯亞胺膜(接著劑層)貼合於所準備之8吋晶圓(台座)上作成第1層合體。隨後，將複數半導體晶片(5mm×5mm×厚度350μm)配置於聚醯亞胺膜上，作成附半導體晶片之第1層合體(參照圖1)。
接著，將所準備之熱硬化性樹脂片配置於附 半導體晶片之第1層合體之複數半導體晶片所露出側之面上，獲得第2層合體(參照圖2)。準備2個該第2層合體。
接著，使所準備之中間膜介於其中，使2個 第2層合體之熱硬化型樹脂片面彼此對向進行配置(參照圖3)。隨後，使用真空加壓機加熱壓著，使半導體晶片埋入於熱硬化性樹脂片中，同時製作2個第3層合體(參照圖4)。加熱壓著條件設為埋入溫度90℃，真空度10torr、埋入壓力1Mpa、埋入時間60秒。又，第3層合體60中，由埋入於熱硬化性樹脂片中之半導體晶片之上面至熱硬化型樹脂片之中間膜側之面之距離d(參照圖4)為150μm。
接著，直接在該狀態下，藉加熱2個第3層 合體使之硬化。硬化條件設為硬化溫度150℃、硬化時間1小時。由於以兩側之台座固定，故硬化後之硬化性樹脂片未確認到翹曲。
隨後，自第3層合體剝離中間膜。剝離可容 易地進行。
又，使用拉伸試驗機(島津製作所製造，Autograph)測定中間膜與熱硬化性樹脂片之剝離強度後，在剝離角度180°、剝離速度300m/分之條件下，為30mN/cm。
測定剝離第3層合體後之層合體之翹曲為 0.5mm以下。翹曲之測定係以使作為台座之8吋晶圓面朝下置於平坦之台上，以鐵尺測定距離台的距離最遠之部位。
20‧‧‧第1層合體
22‧‧‧台座
24‧‧‧接著劑層
26‧‧‧半導體晶片
26a‧‧‧電路形成面
28‧‧‧附半導體晶片之第1層合體

Claims (9)

  1. 一種半導體裝置之製造方法，其特徵為包含以下步驟A至步驟F；步驟A：準備附半導體晶片之第1層合體，該附半導體晶片之第1層合體係於台座上已設置接著劑層之第1層合體上配置有複數半導體晶片者；步驟B：在前述步驟A中已準備之附半導體晶片之第1層合體上之前述複數之半導體晶片所露出側之面上配置熱硬化性樹脂片而取得第2層合體；步驟C：藉由使中間膜介於其中並使2個前述第2層合體之熱硬化型樹脂片之面彼此對向而施加壓力，使前述複數之半導體晶片埋入於前述熱硬化性樹脂片，而取得2個具有台座與接著劑層與已埋入半導體晶片之熱硬化型樹脂片之第3層合體、步驟D：前述步驟C之後，在使前述中間膜介於其中之2個前述第3層合體之熱硬化型樹脂片之面彼此對向之狀態下，使前述第3層合體之前述熱硬化性樹脂片熱硬化；步驟E：前述步驟D之後，從前述第3層合體剝離前述中間膜；步驟F：前述步驟E後，於前述熱硬化性樹脂片上形成配線。
  2. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中前述步驟D之後之前述中間膜與前述熱硬化性樹脂片之剝離強 度，在剝離角度180°、剝離速度300m/分之條件下為1000mN/cm以下。
  3. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中前述中間膜之表面粗度Ra為50nm~100μm。
  4. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中前述中間膜係表面受到離型處理者。
  5. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中前述中間膜係由支撐板與設置於前述支撐板之兩面上之剝離性膜所構成者。
  6. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中前述熱硬化性樹脂片在熱硬化前之玻璃轉移溫度為50℃以上。
  7. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中前述熱硬化性樹脂片於熱硬化後之25℃下之拉伸儲藏彈性模數為0.1Gpa~30Gpa之範圍內。
  8. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中於藉由前述步驟C所得之前述第3層合體中，從前述埋入於熱硬化性樹脂片中之前述半導體晶片之上面至前述熱硬化型樹脂片之前述中間膜側之面為止之距離為20μm~300μm之範圍內。
  9. 如請求項1~8中任一項之半導體裝置之製造方法，其中前述步驟C中之加壓時之條件係為溫度70℃~130℃、壓力0.2Mpa~5Mpa、真空度0.1~20torr之範圍內，前述熱硬化型樹脂片之100℃下之黏度為10~5000Pa．s之範圍內。
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