TW201428863A - 半導體裝置之製造方法 - Google Patents

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Jun Ishii
Daisuke Uenda
Eiji Toyoda
Akira Suzuki
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Abstract

本發明提供一種半導體裝置之製造方法，其係包含以下步驟A至步驟D；步驟A：準備第3層合體，該第3層合體係將第1層合體、第2層合體及熱硬化性樹脂片予以層合而成者，該第1層合體係於第1台座上設置有第1接著劑層者，該第2層合體係於第2台座上設置有第2接著劑層者，該熱硬化性樹脂片係設置於第1層合體之第1接著劑層側之面與第2層合體之第2之接著劑層側之面之間且埋入有複數半導體晶片者；步驟B：使前述第3層合體之熱硬化性樹脂片熱硬化；步驟C：使熱硬化性樹脂片熱硬化後，以熱硬化性樹脂片與第1層合體之第1接著劑層之貼合面為界面，剝離第1層合體；步驟D：於剝離第1層合體後之熱硬化性樹脂片上形成配線。

Description

半導體裝置之製造方法
本發明係關於半導體裝置之製造方法。
近年來，半導體裝置之小型化或配線之微細化有愈來愈發展之傾向，於狹窄之半導體晶片區域(以俯視透視半導體晶片時，與半導體晶片重疊之區域)中必須配置更多之I/O焊墊或通孔，同時亦須提高插腳(pin)密度。再者BGA(球柵陣列(Ball Grid Array))封裝中，由於於半導體晶片區域內預先形成許多端子，導致用以形成其他要素之區域受到限制，因此提出在半導體封裝基板上自端子拉出配線到半導體晶片區域外側之方法。
該種狀況下，由於係個別對應於半導體裝置之小型化或配線之微細化，故因增設製造產線或製造順序之複雜化等而使生產效率降低，亦無法因應於低成本化要求。
相對於此，為了半導體封裝製作之低成本化，亦已提案將經單片化之複數晶片配置在支撐體上，以一次進行樹脂密封而形成封裝之方法。例如，專利文獻1 中提出將經單片化之複數個晶片排列在於支撐體上形成之感熱性接著劑上，以覆蓋晶片與感熱性接著劑之方式形成塑膠製之共通承載體後，藉加熱埋入晶片後剝離共通承載體與感熱性接著劑之方法。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：美國專利第7,202,107號
然而，專利文獻1之半導體裝置之製造方法關於使塑膠製之共通承載體熱硬化並無記載。且，假使經熱硬化，由於亦會使共通承載體熱硬化而引起收縮，故有共通承載體整體翹曲之問題。
因此，本發明之目的係提供一種將複數個半導體晶片埋入熱硬化性樹脂片中之後，使該熱硬化性樹脂片熱硬化時，可抑制翹曲發生之半導體裝置之製造方法。
本申請案之發明人等發現藉由採用下述構成可解決前述課題，因而完成本發明。
亦即，本發明係一種半導體裝置之製造方 法，其特徵係具備以下步驟A至步驟D；步驟A：準備第3層合體，該第3層合體係將第1層合體、第2層合體及熱硬化性樹脂片予以層合而成者，該第1層合體係於第1台座上設置有第1接著劑層者，該第2層合體係於第2台座上設置有第2接著劑層者，該熱硬化性樹脂片係設置於前述第1層合體之前述第1接著劑層側之面與前述第2層合體之前述第2之接著劑層側之面之間且埋入有複數半導體晶片者；步驟B：使前述第3層合體之前述熱硬化性樹脂片熱硬化；步驟C：使前述熱硬化性樹脂片熱硬化後，以前述熱硬化性樹脂片與前述第1層合體之前述第1接著劑層之貼合面為界面，剝離前述第1層合體；步驟D：於剝離前述第1層合體後之前述熱硬化性樹脂片上形成配線。
依據本發明之半導體裝置之製造方法，係準備第3層合體，該第3層合體係將第1層合體、第2層合體及熱硬化性樹脂片予以層合而成者，該第1層合體係於第1台座上設置有第1接著劑層者，該第2層合體係於第2台座上設置有第2接著劑層者，該熱硬化性樹脂片係設置於前述第1層合體之前述第1接著劑層側之面與前述第2層合體之前述第2之接著劑層側之面之間且埋入有複數半導體晶片者(步驟A)；使前述第3層合體之前述熱硬化性樹脂片熱硬化(步驟B)。據此，在前述第3層合體 之前述熱硬化性樹脂片熱硬化之間，前述熱硬化性樹脂片係以第1台座與第2台座夾持之狀態被熱硬化。其結果，可抑制熱硬化時前述熱硬化性樹脂片之翹曲。
且，使前述熱硬化性樹脂片熱硬化後，以前述熱硬化性樹脂片與前述第1層合體之前述第1接著劑層之貼合面為界面，剝離前述第1層合體(步驟C)；於剝離前述第1層合體後之前述熱硬化性樹脂片上形成配線(步驟D)。因此，配線之形成係在前述熱硬化性樹脂片保持在第2台座上之狀態進行。據此，即使因置於高溫環境下等，而使前述熱硬化性樹脂片軟化之情況，仍可使前述熱硬化性樹脂片之表面保持平坦。其結果，由於可在平坦表面之熱硬化性樹脂片上形成配線，故可提高所製造之半導體裝置之良率。
且，第2台座由於係為了抑制翹曲而被使用後，直接作為用以形成配線之支撐體而使用，故可簡化製造步驟。
前述構成中，前述步驟A較好具備以下步驟A-1至A-4；步驟A-1：準備附半導體晶片之第1層合體，該附半導體晶片之第1層合體係具有於第1台座上設置有第1接著劑層之第1層合體，與配置於前述第1層合體之前述第1接著劑層上之複數半導體晶片者；步驟A-2：準備於第2台座上設置有第2接著劑層之第2層合體；步驟A-3：在前述附半導體晶片之第1層合體之前述 複數半導體晶片所露出側之面與前述第2層合體之前述第2接著劑層側之面之間配置熱硬化性樹脂片；步驟A-4：藉由從前述第1台座側及前述第2台座側施加壓力，而使前述複數半導體晶片埋入於前述熱硬化性樹脂片中而取得第3層合體。
前述步驟A具備前述步驟A-1、前述步驟A-2、前述步驟A-3、及前述步驟A-4時，前述步驟A-4中，由於在使熱硬化性樹脂片與第2層合體所具備之第2接著劑層接觸之狀態下施加壓力，故在熱硬化性樹脂片與第2層合體所具備之第2接著劑層之間獲得高的密著性。其結果，於步驟C中剝離前述第1層合體時，可防止於第2層合體側剝離。
前述構成中，前述步驟A較好具備以下步驟A-1、A-2、A-5、A-6及A-7；步驟A-1：準備附半導體晶片之第1層合體，該附半導體晶片之第1層合體係具有於第1台座上設置有第1接著劑層之第1層合體，與配置於前述第1層合體之前述第1接著劑層上之複數半導體晶片者；步驟A-2：準備於第2台座上設置有第2接著劑層之第2層合體；步驟A-5：於前述附半導體晶片之第1層合體之前述複數半導體晶片所露出側之面上配置熱硬化性樹脂片；步驟A-6：將前述複數半導體晶片埋入於前述熱硬化性樹脂片； 步驟A-7：以前述第2接著劑層為界面將前述第2層合體層合於已埋入複數前述半導體晶片之前述熱硬化性樹脂片上而取得第3層合體。
前述步驟A具備前述步驟A-1、前述步驟A-2、前述步驟A-5、前述步驟A-6、及前述步驟A-7時，前述步驟A-6中，由於直接將複數半導體晶片埋入於熱硬化性樹脂片中(例如，未介隔前述第2接著劑層而直接將半導體晶片埋入於熱硬化性樹脂片中)，故可使熱硬化性樹脂片之表面更平坦而較優異。
前述構成中，前述步驟A較好具備以下步驟A-1、A-8及A-9；步驟A-1：準備附半導體晶片之第1層合體，該附半導體晶片之第1層合體係具有於第1台座上設置有第1接著劑層之第1層合體，與配置於前述第1層合體之前述第1接著劑層上之複數半導體晶片者；步驟A-8：準備第4層合體，該第4層合體係於第2台座上設置有第2接著劑層之第2層合體之前述第2接著劑層上層合熱硬化性樹脂片者；步驟A-9：使前述附半導體晶片之第1層合體之前述複數半導體晶片所露出之側之面與前述第4層合體之前述熱硬化性樹脂片成為對向後，藉由從前述第1台座側及前述第2台座側施加壓力，使前述複數半導體晶片埋入於前述熱硬化性樹脂片中，而取得第3層合體。
前述步驟A具備前述步驟A-1、前述步驟A-8、及前 述步驟A-9時，前述步驟A-9中，由於在使熱硬化性樹脂薄片與第2層合體所具備之第2接著劑層接觸之狀態下施加壓力，故在熱硬化性樹脂片與第2層合體所具備之第2接著劑層之間獲得高的密著性。其結果，在步驟C中剝離前述第1層合體時，可防止於第2層合體側剝離。
此外，若同時分別進行步驟A-1與步驟A-8等，若在步驟A-1中準備附有半導體晶片之第1層合體，另一方面於步驟A-8中準備第4層合體，則僅進行步驟A-9即可獲得第3層合體。其結果，可縮短該半導體裝置製造所花費之時間。
依據本發明，將複數半導體晶片埋入於熱硬化性樹脂片中後使該熱硬化性樹脂片熱硬化時，可抑制翹曲發生。
20‧‧‧第1層合體
22‧‧‧第1台座
24‧‧‧第1接著劑層
26‧‧‧半導體晶片
28‧‧‧附半導體晶片之第1層合體
30‧‧‧第2層合體
32‧‧‧第2台座
34‧‧‧第2接著劑層
40‧‧‧熱硬化性樹脂片
42‧‧‧配線
50‧‧‧第4層合體
100‧‧‧第3層合體
圖1係本發明一實施形態之第3層合體之剖面模式圖。
圖2係用以說明第1實施形態之準備第3層合體之方法的剖面模式圖。
圖3係用以說明第1實施形態之準備第3層合體之方法的剖面模式圖。
圖4係用以說明第1實施形態之準備第3層合體之方法的剖面模式圖。
圖5係用以說明第2實施形態之準備第3層合體之方法的剖面模式圖。
圖6係用以說明第2實施形態之準備第3層合體之方法的剖面模式圖。
圖7係用以說明第2實施形態之準備第3層合體之方法的剖面模式圖。
圖8係用以說明第3實施形態之準備第3層合體之方法的剖面模式圖。
圖9係用以說明第3實施形態之準備第3層合體之方法的剖面模式圖。
圖10係用以說明使用第3層合體之半導體裝置之製造方法的剖面模式圖。
圖11係用以說明使用第3層合體之半導體裝置之製造方法的剖面模式圖。
圖12係用以說明使用第3層合體之半導體裝置之製造方法的剖面模式圖。
以下，邊參照圖式邊說明本發明實施形態之一例。
本實施形態之半導體裝置之製造方法係一種半導體裝置之製造方法，其至少具備以下步驟A至步驟 D；步驟A：準備第3層合體，該第3層合體係將第1層合體、第2層合體及熱硬化性樹脂片予以層合而成者，該第1層合體係於第1台座上設置有第1接著劑層者，該第2層合體係於第2台座上設置有第2接著劑層者，該熱硬化性樹脂片係設置於前述第1層合體之前述第1接著劑層側之面與前述第2層合體之前述第2之接著劑層側之面之間且埋入有複數半導體晶片(準備第3層合體之步驟)；步驟B：使前述第3層合體之前述熱硬化性樹脂片熱硬化(使熱硬化性樹脂片熱硬化之步驟)；步驟C：使前述熱硬化性樹脂片熱硬化後，以前述熱硬化性樹脂片與前述第1層合體之前述第1接著劑層之貼合面為界面，剝離前述第1層合體(剝離第1層合體之步驟)；與步驟D：於剝離前述第1層合體後之前述熱硬化性樹脂片上形成配線(形成配線之步驟)。
[準備第3層合體之步驟]
圖1係本發明一實施形態之第3層合體之剖面模式圖。如圖1所示，第3層合體100具有將第1層合體20、第2層合體30及熱硬化性樹脂片40予以層合而成之構成，該第1層合體20係於第1台座22上設置有第1接著劑層24者，該第2層合體30係於第2台座32上設置有第2接著劑層34者，該熱硬化性樹脂片40係設置於第 1層合體20之第1接著劑層24側之面與第2層合體30之第2接著劑層34側之面之間且埋入有複數半導體晶片26者。
本實施形態之準備第3層合體之步驟(步驟A)係準備如上述說明之第3層合體100。以下，首先針對準備第3層合體之具體方法加以說明。
〈第1實施形態〉
第1實施形態之準備第3層合體之步驟(步驟A)係具備以下步驟A-1至A-4；步驟A-1：準備附半導體晶片之第1層合體，該附半導體晶片之第1層合體係具有於第1台座上設置有第1接著劑層之第1層合體，與配置於前述第1層合體之前述第1接著劑層上之複數半導體晶片(準備附半導體晶片之第1層合體之步驟)；步驟A-2：準備於第2台座上設置有第2接著劑層之第2層合體(準備第2層合體之步驟)；步驟A-3：在前述附半導體晶片之第1層合體之前述複數半導體晶片所露出側之面，與前述第2層合體之前述第2接著劑層側之面之間配置熱硬化性樹脂片(配置熱硬化性樹脂片之步驟)；步驟A-4：藉由從前述第1台座側及前述第2台座側施加壓力，而使前述複數半導體晶片埋入於前述熱硬化性樹脂片中而取得第3層合體(取得第3層合體之步驟 1)。
前述步驟A具備前述步驟A-1、前述步驟A-2、前述步驟A-3、及前述步驟A-4時，前述步驟A-4中，由於在使熱硬化性樹脂片與第2層合體所具備之第2接著劑層接觸之狀態下施加壓力，故在熱硬化性樹脂片與第2層合體所具備之第2接著劑層之間可獲得高的密著性。其結果，於步驟C中剝離前述第1層合體時，可防止於第2層合體側剝離。
[準備附半導體晶片之第1層合體之步驟]
圖2~圖4係用以說明第1實施形態之準備第3層合體之方法的剖面模式圖。首先，準備附半導體晶片之第1層合體之步驟(步驟A-1)係如圖2所示，準備附半導體晶片之第1層合體，其具有於第1台座22上設置第1接著劑層24之第1層合體20，與配置於第1層合體20之第1接著劑層24上之複數半導體晶片26。
(第1台座)
第1台座22較好具有一定以上之強度。第1台座22並無特別限制，但可列舉為矽晶圓、SiC晶圓、GaAs晶圓等化合物晶圓、玻璃晶圓、SUS、6-4合金、Ni箔、Al箔等金屬箔等。採用俯視為圓形形狀時，較好為矽晶圓或玻璃晶圓。且，俯視為矩形時，較好為SUS板、或玻璃板。
又，第1台座22亦可使用例如低密度聚乙烯、直鏈狀聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規共聚合聚丙烯、嵌段共聚合聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴，乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離子聚合物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚胺基甲酸酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯等聚酯、聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚醚醚酮、聚醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚醯胺、全芳香族聚醯胺、聚苯基硫醚、聚芳醯胺(紙)、玻璃、玻璃布、氟樹脂、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、纖維素系樹脂、聚矽氧樹脂、紙等。
第1台座22可單獨使用，亦可組合2種以上使用。台座之厚度並無特別限制，但例如通常為10μm~20mm左右。
(第1接著劑層)
第1接著劑層24可採用熱膨脹性黏著劑層或輻射線硬化型黏著劑層。輻射線硬化型黏著劑層可採用過去已知之輻射線硬化型之黏著劑(例如，紫外線硬化型之黏著劑)。本實施形態係針對使用熱膨脹性黏著劑層作為第1接著劑層24之情況加以說明。
(熱膨脹性黏著劑層)
熱膨脹性黏著劑層可由含聚合物成分與發泡劑之黏著劑組成物形成。聚合物成分(尤其是基底聚合物)可適當地使用丙烯酸系聚合物(有時稱為「丙烯酸聚合物A」)。至於丙烯酸聚合物A列舉為使用(甲基)丙烯酸酯作為主單體成分者。前述(甲基)丙烯酸酯列舉為例如(甲基)丙烯酸烷酯(例如，甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、第二丁酯、第三丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷酯、十二烷酯、十三烷酯、十四烷酯、十六烷酯、十八烷酯、二十烷酯等烷基之碳數1~30，尤其是碳數4~18之直鏈狀或分支鏈狀之烷酯等)及(甲基)丙烯酸環烷酯(例如，環戊酯、環己酯等)等。該等(甲基)丙烯酸酯可單獨使用或併用2種以上。
又，以凝聚力、耐熱性、交聯性等之改質為目的，前述丙烯酸聚合物A亦可視需要含有對應於可與前述(甲基)丙烯酸酯共聚合之其他單體成分之單位。此種單體成分列舉為例如丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸、丙烯酸羧基乙酯等之含有羧基之單體；馬來酸酐、衣康酸酐等含酸酐基之單體；(甲基)丙烯酸羥基乙酯、(甲基)丙烯酸羥基丙酯、(甲基)丙烯酸羥基丁酯等之含羥基之單體；(甲基)丙烯醯胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、N-丁基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基丙烷(甲基)丙烯醯胺等之(N-取代或無取代)醯胺系單體；乙酸乙烯酯、丙 酸乙烯酯等之乙烯酯系單體；苯乙烯、α-甲基苯乙烯等之苯乙烯系單體；乙烯基甲基醚、乙烯基乙基醚等之乙烯醚系單體；丙烯腈、甲基丙烯腈等之氰基丙烯酸酯系單體；(甲基)丙烯酸縮水甘油酯等之含環氧基之丙烯酸系單體；乙烯、丙烯、異戊二烯、丁二烯、異丁烯等之烯烴或二烯系單體；(甲基)丙烯酸胺基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基胺基乙酯、(甲基)丙烯酸第三丁基胺基乙酯等(取代或無取代)之含有胺基之單體；(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等之(甲基)丙烯酸烷氧基烷酯系單體；N-乙烯基吡咯啶酮、N-甲基乙烯基吡咯啶酮、N-乙烯基吡啶、N-乙烯基哌啶酮、N-乙烯基嘧啶、N-乙烯基哌啶、N-乙烯基哌嗪、N-乙烯基吡咯、N-乙烯基咪唑、N-乙烯基噁唑、N-乙烯基嗎啉、N-乙烯基己內醯胺等之具有含氮原子環之單體；N-乙烯基羧醯胺類；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺基丙酯等之含有磺酸基之單體；2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯等之含有磷酸基之單體；N-環己基馬來醯亞胺、N-異丙基馬來醯亞胺、N-月桂基馬來醯亞胺、N-苯基馬來醯亞胺等之馬來醯亞胺系單體；N-甲基衣康醯亞胺、N-乙基衣康醯亞胺、N-丁基衣康醯亞胺、N-辛基衣康醯亞胺、N-2-乙基己基衣康醯亞胺、N-環己基衣康醯亞胺、N-月桂基衣康醯亞胺等之衣康醯亞胺系單體；N-(甲基)丙烯醯氧基亞甲基丁二醯亞胺、N-(甲基)丙烯醯基-6-氧基六亞甲基丁二醯亞胺、N-(甲基)丙烯醯基-8-氧 基八亞甲基丁二醯亞胺等之丁二醯亞胺系單體；(甲基)丙烯酸聚乙二醇酯、(甲基)丙烯酸聚丙二醇酯等之二醇系丙烯酸酯單體；(甲基)丙烯酸四氫糠酯等之具有含氧原子雜環之單體；氟系(甲基)丙烯酸酯等之含有氟原子之丙烯酸酯系單體；聚矽氧系(甲基)丙烯酸酯等之含有矽原子之丙烯酸酯系單體；己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環氧基丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、胺基甲酸酯丙烯酸酯、二乙烯基苯、丁基二(甲基)丙烯酸酯、己基二(甲基)丙烯酸酯等之多官能單體等。
前述丙烯酸聚合物A可藉由使單一單體或2種以上之單體混合物進行聚合而得。聚合可藉溶液聚合(例如，自由基聚合、陰離子聚合、陽離子聚合等)、乳化聚合、塊狀聚合、懸浮聚合、光聚合(例如，紫外線(UV)聚合等)等任何方式進行。
丙烯酸聚合物A之重量平均分子量並無特別限制，但較好為35萬~100萬，更好為45萬~80萬左右。
又，熱膨脹性黏著劑中亦可適當使用外部交聯劑以調整黏著力。外部交聯方法之具體手段列舉為添加聚異氰酸酯化合物、環氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺系交聯劑等之所謂交聯劑進行反應之方法。使用外部交 聯劑時，其使用量係依據與應交聯之基底聚合物之平衡而定，進而係依據作為黏著劑之使用用途而適當決定。外部交聯劑之使用量一般相對於前述基底聚合物100重量份為20重量份以下(較好為0.1重量份~10重量份)。
熱膨脹性黏著劑層係如前述含有用於賦予熱膨脹性之發泡劑。因此，自第3層合體100剝離第1層合體20時，至少部分地加熱熱膨脹性黏著劑層(第1接著劑層24)，藉由使該經加熱之熱膨脹性黏著劑層之部分中含有之發泡劑發泡及/或膨脹，而使熱膨脹性黏著劑層至少部分膨脹，且藉由該熱膨脹性黏著劑層之至少部分膨脹，使對應於該膨脹部分之黏著面(與熱硬化性樹脂片40之界面)變形成凹凸狀，使該熱膨脹性黏著劑層與熱硬化性樹脂片40之接著面積減少，藉此，減少兩者間之接著力，而可自熱硬化性樹脂片40剝離第1層合體20。
(發泡劑)
熱膨脹性黏著劑層中所用之發泡劑並無特別限制，可自習知之發泡劑適當選擇。發泡劑可單獨使用或組合2種以上使用。發泡劑可較好地使用熱膨脹性微小球。
(熱膨脹性微小球)
熱膨脹性微小球並無特別限制，可由習知之熱膨脹性微小球(各種無機系熱膨脹性微小球，或有機系熱膨脹性微小球等)適當選擇。熱膨脹性微小球，就混合操作容易 之觀點等而言，可較好地使用經微膠囊化之發泡劑。作為此種熱膨脹性微小球，列舉為例如將異丁烷、丙烷、戊烷等之藉由加熱而容易氣化膨脹之物質內包於具有彈性之殼內而成之微小球等。前述殼大多情況係以熱熔融性物質或藉熱膨脹而破壞之物質形成。形成前述殼之物質列舉為例如偏氯乙烯-丙烯腈共聚物、聚乙烯醇、聚乙烯縮丁醛、聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯腈、聚偏氯乙烯、聚碸等。
熱膨脹性微小球可藉慣用方法，例如凝聚(coacervation)法、或界面聚合法等製造。又，熱膨脹性微小球可使用例如松本油脂製藥股份有限公司製之商品名「Matsumoto Microsphere」之系列(例如，商品名「Matsumoto Microsphere F30」、商品名「Matsumoto Microsphere F301D」、商品名「Matsumoto Microsphere F50D」、商品名「Matsumoto Microsphere F501D」、商品名「Matsumoto Microsphere F80SD」、商品名「Matsumoto Microsphere F80VSD」等)，此外亦可使用Expancel公司製之商品名「051DU」、商品名「053DU」、商品名「551DU」、商品名「551-20DU」、商品名「551-80DU」等市售品。
又，使用熱膨脹性微小球作為發泡劑時，該熱膨脹性微小球之粒徑(平均粒徑)可依據熱膨脹性黏著劑層之厚度等適當選擇。熱膨脹性微小球之平均粒徑可選自例如100μm以下(較好80μm以下，更好1μm~50μm，尤其1μm~30μm)之範圍。又，熱膨脹性微小球之粒徑的 調整可在熱膨脹性微小球之生成過程中進行，亦可在生成後，利用分級等手段進行。熱膨脹性微小球較好粒徑一致。
(其他發泡劑)
本實施形態中，作為發泡劑亦可使用熱膨脹性微小球以外之發泡劑。該種發泡劑可適當地選擇使用各種無機系發泡劑或有機系發泡劑等之各種發泡劑。無機系發泡劑之代表例列舉為例如碳酸銨、碳酸氫銨、碳酸氫鈉、亞硝酸銨、氫氧化硼鈉、各種疊氮類等。
且，有機系發泡劑之代表例列舉為例如水；三氯單氟甲烷、二氯單氟甲烷等之氯氟化烷系化合物；偶氮雙異丁腈、偶氮二醯胺、偶氮二甲酸鋇等之偶氮系化合物；對甲苯磺醯肼、二苯基碸-3,3’-二磺醯肼、4,4’-氧基雙(苯磺醯肼)、烯丙基雙(磺醯肼)等之醯肼系化合物；對-伸甲苯基磺醯基胺基脲、4,4’-氧基雙(苯磺醯基胺基脲)等之胺基脲系化合物；5-嗎啉基-1,2,3,4-硫雜三唑等之三唑系化合物；N,N’-二亞硝基五亞甲基四胺、N,N’-二甲基-N,N’-二亞硝基對苯二醯胺等之N-亞硝基系化合物等。
本實施形態為了藉加熱處理而有效且安定地減低熱膨脹性黏著劑層之接著力，故較好為體積膨脹率高達5倍以上，其中以高達7倍以上，尤其以高達10倍以上之具有不破裂之適度強度的發泡劑。
發泡劑(熱膨脹性微小球等)之調配量係依據熱膨脹性黏著劑層之膨脹倍率或接著力之降低性等適當設定，但一般相對於形成熱膨脹性黏著劑層之基底聚合物100重量份，為例如1重量份~150重量份(較好為10重量份~130重量份，更好為25重量份~100重量份)。
本實施形態中，作為發泡劑可適當地使用發泡起始溫度(熱膨脹起始溫度)(T0)為80℃~210℃之範圍者，較好為具有90℃~200℃(更好為95℃~200℃，最好為100℃~170℃)之發泡起始溫度者。藉由使發泡劑之發泡起始溫度成為80℃以上，可在未剝離第1層合體20之階段(例如，使熱硬化性樹脂片40熱硬化之步驟)，抑制因其熱使發泡劑發泡，可確保作業性或生產性。另一方面，藉由使發泡劑之發泡起始溫度成為210℃以下，在剝離第1層合體20之步驟中，可容易地剝離第1層合體20。又，發泡劑之發泡起始溫度(T0)相當於熱膨脹性黏著劑層之發泡起始溫度(T0)。
又，使發泡劑發泡之方法(亦即，使熱膨脹性黏著劑層熱膨脹之方法)可由習知之加熱發泡方法適當選擇並採用。
本實施形態中，熱膨脹性黏著劑層，就加熱處理前之適度接著力與加熱處理後之接著力降低性之均衡的觀點而言，於不含發泡劑之形態的彈性率在23℃~150℃中宜較佳為5×104Pa~1×106Pa，更好為5×104Pa~8×105Pa，最好為5×104Pa~5×105Pa。熱膨脹性黏著劑層之不 含有發泡劑之形態的彈性率(溫度：23℃~150℃)未達5×104Pa時會有熱膨脹性差，剝離性下降之情況。且，熱膨脹性黏著劑層之不含有發泡劑之形態的彈性率(溫度：23℃~150℃)大於1×106Pa時，會有初期接著性差之情況。
又，不含有發泡劑之形態的熱膨脹性黏著劑層相當於由黏著劑(不含發泡劑)形成之黏著劑層。據此，熱膨脹性黏著劑層之不含有發泡劑之形態的彈性率可使用黏著劑(不含有發泡劑)進行測定。又，熱膨脹性黏著劑層可藉由含可形成在23℃~150℃中之彈性率為5×104Pa~1×106Pa之黏著劑層之黏著劑與發泡劑之熱膨脹性黏著劑而形成。
熱膨脹性黏著劑層之不含有發泡劑之形態的彈性率係製作未添加發泡劑之形態的熱膨脹性黏著劑層(亦即，以不含發泡劑之黏著劑獲得之黏著劑層)(樣品)，使用Rheometric公司製之動態黏彈性測定裝置「ARES」，且使用樣品厚度：約1.5mm， 7.9mm平行板之治具，以剪斷模式，頻率：1Hz、升溫速度：5℃/分鐘，應力：0.1%(23℃)、0.3%(150℃)進行測定，且係設為在23℃及150℃所得之剪斷儲存彈性率G’之值。
熱膨脹性黏著劑層之彈性率可藉由調節黏著劑之基底聚合物之種類、交聯劑、添加劑等予以控制。
熱膨脹性黏著劑層之厚度並無特別限制，可依據接著力之減低性等適當選擇，例如為5μm~300μm (較好20μm~150μm)左右。但，使用熱膨脹性微小球作為發泡劑時，熱膨脹性黏著劑層之厚度較好比所含之熱膨脹性微小球之最大粒徑厚。熱膨脹性黏著劑層之厚度太薄時，會因熱膨脹性微小球之凹凸而損及表面平滑性，降低加熱前(未發泡狀態)之接著性。且，因加熱處理造成之熱膨脹性黏著劑層之變形度小，且接著力不易順利地降低。另一方面，熱膨脹性黏著劑層之厚度太厚時，因加熱處理造成之膨脹乃至發泡後，易於熱膨脹性黏著劑層產生凝聚破壞，而有在熱硬化性樹脂片40上發生糊料殘留之情況。
又，熱膨脹性黏著劑層可為單層、多層之任一種。
本實施形態中，熱膨脹性黏著劑層中亦可含各種添加劑(例如，著色劑、增黏劑、增量劑、填充劑、黏著賦予劑、可塑劑、抗老化劑、抗氧化劑、界面活性劑、交聯劑等)。
(第1層合體之形成方法)
第1層合體20可藉由於第1台座22上形成熱膨脹性黏著劑層而得。熱膨脹性黏著劑層可混合例如黏著劑(感壓接著劑)、發泡劑(熱膨脹性微小球等)、與視需要之溶劑或其他添加劑等，利用形成薄片狀層之慣用方法而形成。具體而言可例如藉由將含黏著劑、發泡劑(熱膨脹性微小球等)、及視需要之溶劑或其他添加劑之混合物塗佈 於第1台座22上之方法，將前述混合物塗佈於適當隔離材(剝離紙等)上形成熱膨脹性黏著劑層，且將其轉印(轉移固定)於第1台座22上之方法等，可獲得第1層合體。
(附半導體晶片之第1層合體之形成方法)
附半導體晶片之第1層合體28係以使第1接著劑層24與半導體晶片26之電路形成面26a成對向之方式，將複數半導體晶片配置於第1接著劑層24上(參照圖2)。半導體晶片26之配置可使用覆晶黏結機或晶粒黏結機(die bonder)等之習知裝置。
由上述，可準備附半導體晶片之第1層合體28。
[準備第2層合體之步驟]
接著，將第2接著劑層34設置於第2台座32上準備第2層合體(參照圖3)(步驟A-2)。
(第2台座)
第2台座32可使用與第1台座22該項中說明者相同者。第1台座22與第2台座32可使用相同者，亦可使用不同者。
(第2接著劑層)
構成第2接著劑層34之接著劑組成物只要選擇為在進行剝離第1層合體之步驟(步驟C)時，不會使第2接著劑層34與熱硬化性樹脂片40剝離，則無特別限制。但，在形成配線之步驟(步驟D)後，能自熱硬化性樹脂片40剝離第2層合體30。因此，第2接著劑層34較好以在形成配線之步驟(步驟D)後，可展現輕剝離性之材料而形成。構成此種第2接著劑層34之接著劑組成物可列舉為具有醯亞胺基且至少一部分具有源自具有醚構造之二胺的構成單位之聚醯亞胺樹脂、前述聚醯亞胺樹脂之前驅物的聚醯胺酸、聚矽氧樹脂、併用熱可塑性樹脂與熱硬化性樹脂者等。
前述聚醯亞胺樹脂一般可藉由使其前驅物的聚醯胺酸醯亞胺化(脫水縮合)而獲得。使聚醯胺酸醯亞胺化之方法可採用例如過去習知之加熱醯亞胺化法、共沸脫水法、化學醯亞胺化法等。其中，以加熱醯亞胺化法較佳。採用加熱醯亞胺化法時，為防止因聚醯亞胺樹脂之氧化造成之劣化，較好在氮氣氛圍下或真空中等之惰性氛圍下進行加熱處理。
前述聚醯胺酸可以實質上成為等莫耳比之方式將酸酐與二胺(含具有醚構造之二胺與不具有醚構造之二胺兩者)饋入適當選擇之溶劑中，並反應而獲得。
前述聚醯亞胺樹脂較好具有源自具有醚構造之二胺的構成單位。前述具有醚構造之二胺只要是具有醚構造且至少具有2個具有胺構造之末端的化合物，則無特 別限制。前述具有醚構造之二胺中，以具有二醇骨架之二胺較佳。前述聚醯亞胺樹脂具有源自具有醚構造之二胺之構成單位，尤其，源自具有二醇骨架之二胺之構成單位時，將第2接著劑層34加熱時，可降低接著力。關於該現象，本發明人等推測係藉由加熱，使前述醚構造自構成第2接著劑層34之樹脂脫離，因該脫離而降低接著力。
又，前述醚構造、或前述二醇骨架自構成第2接著劑層34之樹脂脫離可由比較例如在300℃加熱30分鐘前後之FT-IR(傅立葉轉換紅外線光譜儀)光譜，由2800~3000cm-1之光譜在加熱前後之減少而確定。
前述具有二醇骨架之二胺可列舉為例如具有聚丙二醇構造且兩末端各具有1個胺基之二胺、具有聚乙二醇構造且兩末端各具有1個胺基之二胺、具有聚四亞甲基二醇構造且兩末端各具有1個胺基之二胺等之具有烷二醇之二胺。且，可列舉為具有複數個該等二醇構造且兩末端各具有1個胺基之二胺。
前述具有醚構造之二胺的分子量較好在100~5000之範圍內，更好為150~4800。前述具有醚構造之二胺之分子量在100~5000之範圍內時，低溫下之接著力高，且容易獲得在高溫下發揮剝離性之第2接著劑層34。
前述聚醯亞胺樹脂之形成中，除了具有醚構造之二胺以外，亦可併用不具有醚構造之二胺。不具有醚構造之二胺可列舉為脂肪族二胺或芳香族二胺。藉由併用 不具有醚構造之二胺，可控制與被著體之密著力。具有醚構造之二胺與不具有醚構造之二胺之調配比例，以莫耳比計，較好為100：0~10：90之範圍內，更好為100：0~20：80，又更好為99：1~30：70。前述具有醚構造之二胺與前述不具有醚構造之二胺之調配比例，以莫耳比計，在100：0~10：90之範圍內時，高溫之剝離性更優異。
前述脂肪族二胺列舉為例如乙二胺、六亞甲基二胺、1,8-二胺基辛烷、1,10-二胺基癸烷、1,12-二胺基十二烷、4,9-二氧雜-1,12-二胺基十二烷、1,3-雙(3-胺基丙基)-1,1,3,3-四甲基二矽氧烷(α,ω-雙胺基丙基四甲基二矽氧烷)等。前述脂肪族二胺之分子量通常為50~1,000,000，較好為100~30,000。
芳香族二胺列舉為例如4,4’-二胺基二苯基醚、3,4’-二胺基二苯基醚、3,3’-二胺基二苯基醚、間-苯二胺、對-苯二胺、4,4’-二胺基二苯基丙烷、3,3’-二胺基二苯基甲烷、4,4’-二胺基二苯基硫醚、3,3’-二胺基二苯基硫醚、4,4’-二胺基二苯基碸、3,3’-二胺基二苯基碸、1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(4-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(3-胺基苯氧基)苯、1,3-雙(4-胺基苯氧基)-2,2-二甲基丙烷、4,4’-二胺基二苯甲酮等。前述芳香族二胺之分子量通常為50~1000，較好為100~500。前述脂肪族二胺之分子量，及前述芳香族二胺之分子量係指以GPC(凝膠滲透層析儀)測定，且以聚苯乙烯換算所算出之值(重量 平均分子量)。
前述酸酐列舉為例如3,3’,4,4’-聯苯四羧酸二酐、2,2’,3,3’-聯苯四羧酸二酐、3,3’,4,4’-二苯甲酮四羧酸二酐、2,2’,3,3’-二苯甲酮四羧酸二酐、4,4’-氧基二鄰苯二甲酸二酐、2,2-雙(2,3-二羧基苯基)六氟丙烷二酐、2,2-雙(3,4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐(6FDA)、雙(2,3-二羧基苯基)甲烷二酐、雙(3,4-二羧基苯基)甲烷二酐、雙(2,3-二羧基苯基)碸二酐、雙(3,4-二羧基苯基)碸二酐、均苯四酸二酐、乙二醇雙偏苯三酸二酐等。該等可單獨使用，亦可併用2種以上。
前述酸酐與前述二胺反應時之溶劑可列舉為N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基甲醯胺、環戊酮等。該等可單獨使用，亦可混合複數種使用。且，為調整原材料或樹脂之溶解性，亦可適當混合使用甲苯、或二甲苯等之非極性溶劑。
前述聚矽氧樹脂列舉為例如過氧化物交聯型聚矽氧系黏著劑、加成反應型聚矽氧系黏著劑、脫氫反應型聚矽氧系黏著劑、濕氣硬化型聚矽氧系黏著劑等。前述聚矽氧樹脂可單獨使用1種，亦可併用2種以上。使用前述聚矽氧樹脂時，可提高耐熱性，且可成為高溫下之儲存彈性率或黏著力為適當之值。前述聚矽氧樹脂中，就減少雜質之觀點而言，以加成反應型聚矽氧系黏著劑較佳。
第2接著劑層34中使用前述聚矽氧樹脂時，第2接著劑層34中可視需要含有其他添加劑。此等其他 添加劑列舉為例如難燃劑、矽烷偶合劑、離子捕捉劑等。難燃劑列舉為例如三氧化銻、五氧化銻、溴化環氧樹脂等。矽烷偶合劑列舉為例如β-(3,4-環氧基環己基)乙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷等。離子捕捉劑列舉為例如水滑石(hydrotalcite)、氫氧化鉍等。該其他添加劑可僅為一種，亦可為2種以上。
(第2層合體之形成方法)
第2層合體30可藉由於第2台座32上形成第2接著劑層34而得。第2接著劑層34可藉由將含有用以形成第2接著劑層34之組成物之溶液塗佈於第2台座32上之方法，將前述溶液塗佈於適當之隔離材(剝離紙等)上形成第2接著劑層34，且將其轉印(轉移固定)於第2台座32上之方法等，而獲得第2層合體30。
[配置熱硬化性樹脂片之步驟1]
接著，如圖3所示，在附半導體晶片之第1層合體28之複數半導體晶片26所露出側之面，與第2層合體30之第2接著劑層34側之面之間配置熱硬化性樹脂片40(步驟A-3)。
(熱硬化性樹脂片)
熱硬化性樹脂片40具有密封半導體晶片26之功能。 熱硬化性樹脂片40之構成材料列舉為併用熱可塑性樹脂與熱硬化性樹脂者。此外，亦可單獨使用熱硬化性樹脂。
前述熱可塑性樹脂列舉為天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯橡膠、聚碳酸酯樹脂、熱可塑性聚醯亞胺樹脂、6-尼龍或6,6-尼龍等聚醯胺樹脂、苯氧樹脂、丙烯酸樹脂、PET或PBT等之飽和聚酯樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、或氟樹脂等。該等熱可塑性樹脂可單獨使用，或併用2種以上使用。該等熱可塑性樹脂中，以離子性雜質少且耐熱性高，可確保半導體晶片之信賴性之丙烯酸樹脂最佳。
前述丙烯酸樹脂並無特別限制，列舉為以具有碳數30以下，尤其是碳數4~18之直鏈或分支之烷基之丙烯酸或甲基丙烯酸之酯的1種或2種以上作為成分之聚合物等。前述烷基列舉為例如甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、第三丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基、或十二烷基等。
又，形成前述聚合物之其他單體並無特別限制，列舉為例如如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸或巴豆酸等之含羧基之單體，如馬來酸酐或衣康酸酐等之酸酐單體，如(甲基)丙烯酸酯2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸 2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯或(4-羥基甲基環己基)-甲基丙烯酸酯等之含羥基之單體，如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酸醯胺-2-甲基丙烷磺酸、(甲基)丙烯酸醯胺丙烷磺酸、(甲基)丙烯酸磺基丙酯或(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸等之含磺酸基之單體，或如2-羥基乙基丙烯醯基磷酸酯等之含磷酸基之單體。
前述熱硬化性樹脂列舉為酚樹脂、胺基樹脂、不飽和聚酯樹脂、環氧樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚矽氧樹脂、或熱硬化性聚醯亞胺樹脂等。該等樹脂可單獨使用或併用2種以上使用。尤其，較好為會腐蝕半導體晶片之離子性雜質等含量較少之環氧樹脂。且，環氧樹脂之硬化劑較好為酚樹脂。
前述環氧樹脂若為一般使用作為接著劑組成物者即無特別限制，可使用例如雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯苯型、萘型、茀型、酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、參羥基苯基甲烷型、四羥苯基乙烷型等之二官能環氧樹脂或多官能環氧樹脂，或乙內醯脲(hydantoin)型、參縮水甘油基異氰尿酸酯型或縮水甘油基胺型等之環氧樹脂。該等可單獨使用或併用2種以上。該等環氧樹脂中以酚醛清漆型環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、參羥基苯基甲烷 型樹脂或四羥苯基乙烷型環氧樹脂最佳。係因該等環氧樹脂富有與作為硬化劑之酚樹脂之反應性，而耐熱性等優異之故。
再者，前述酚樹脂係作為前述環氧樹脂之硬化劑發揮作用者，列舉為例如酚酚醛清漆樹脂、酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、第三丁基酚酚醛清漆樹脂、壬基酚酚醛清漆樹脂等之酚醛清漆型酚樹脂，甲酚型酚樹脂、聚對氧苯乙烯等之聚氧苯乙烯等。該等可單獨使用，或併用2種以上使用。該等酚樹脂中以酚酚醛清漆樹脂、酚芳烷基樹脂最佳。係因可提高半導體裝置之連接信賴性之故。
前述環氧樹脂與酚樹脂之調配比例宜為例如以使前述環氧樹脂成分中之環氧基每1當量，酚樹脂中之羥基成為0.5~2.0當量之方式調配。更好為0.8~1.2當量。亦即，兩者之調配比例在前述範圍以外時，無法進行充分之硬化反應，容易使環氧樹脂硬化物之特性劣化之故。
環氧樹脂與酚樹脂之熱硬化促進觸媒並無特別限制，可自習知之熱硬化性促進觸媒中適當選擇使用。熱硬化促進觸媒可單獨使用或組合2種以上使用。熱硬化促進觸媒可使用例如胺系硬化促進劑、磷系硬化促進劑、咪唑系硬化促進劑、硼系硬化促進劑、磷-硼系硬化促進劑等。
又，熱硬化性樹脂片40可適當調配無機填充 劑。無機填充劑之調配可賦予導電性或提高熱傳導性、調節儲存彈性率等。
前述無機填充劑列舉為例如二氧化矽、黏土、石膏、碳酸鈣、硫酸鋇、氧化鋁、氧化鈹、碳化矽、氮化矽等陶瓷類，鋁、銅、銀、金、鎳、鉻、鉛、錫、鋅、鈀、焊料等之金屬、或合金類，其他由碳所組成之各種無機粉末。該等可單獨使用或併用2種以上使用。其中，以二氧化矽，尤其是熔融二氧化矽較適用。
無機填充劑之平均粒徑較好在0.1~30μm之範圍內，更好在0.5~25μm之範圍內。又，本發明中，亦可將平均粒徑互不相同之無機填充劑彼此組合使用。且，平均粒徑係以光度式粒度分佈計(HORIBA製，裝置名；LA-910)求出之值。
前述無機填充劑之調配量相對於有機樹脂成分100重量份較好設定在100~1400重量份。最好為230~900重量份。無機填充劑之調配量為100重量份以上時，耐熱性或強度提高。且，藉由成為1400重量份以下，可確保流動性。藉此，可防止接著性或埋入性降低。
又，熱硬化性樹脂片40中，除前述無機填充劑以外，亦可視需要適當調配其他添加劑。其他添加劑列舉為例如難燃劑、矽烷偶合劑、離子捕捉劑、碳黑等顏料等。前述難燃劑列舉為例如三氧化銻、五氧化銻、溴化環氧樹脂等。該等可單獨使用或併用2種以上使用。前述矽烷偶合劑列舉為例如β-(3,4-環氧基環己基)乙基三甲氧 基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷等。該等化合物可單獨使用或併用2種以上使用。前述離子捕捉劑列舉為例如水滑石類、氫氧化鉍等。該等可單獨使用或併用2種以上使用。此外，考慮高溫硬化時之黏性提高，亦可添加彈性體成分作為黏度調整用之添加劑。彈性體成分若為使樹脂增黏者即無特別限制，但列舉為例如聚丙烯酸酯等之各種丙烯酸系共聚物；聚苯乙烯-聚異丁烯系共聚物、苯乙烯丙烯酸酯系共聚物等之具有苯乙烯骨架之彈性體；丁二烯橡膠、苯乙烯-丁二烯橡膠(SBR)、乙烯-乙酸乙烯共聚物(EVA)、異戊二烯橡膠、丙烯腈橡膠等之橡膠質聚合物等。
且，熱硬化性樹脂片40在120℃下之黏度較好為100~10000Pa．s，更好為500~3000Pa．s。前述黏度為100Pa．s以上時，可抑制熱硬化時之表面形狀大幅變形。且，藉由成為10000Pa．s以下，可較好地使半導體晶片26埋入。
熱硬化性樹脂片40之厚度(多層時為總厚度)雖無特別限制，但考慮硬化後之樹脂強度或使半導體晶片26埋入時較好為100μm以上且1000μm以下。
形成熱硬化性樹脂片40之步驟列舉為例如進行將熱硬化樹脂片40之構成材料的接著劑組成物溶液塗佈於脫模薄膜上，形成塗佈層之步驟，隨後，進行使前述塗佈層乾燥之步驟的方法。
前述接著劑組成物溶液之塗佈方法並無特別限制，列舉為例如使用缺角輪塗佈法、噴泉(fountain)法、凹版法等進行塗佈之方法。塗佈厚度只要以使塗佈層乾燥之最終獲得的熱硬化性樹脂片40之厚度落在10~100μm之範圍內般適當設定即可。
前述脫模薄膜並無特別限制，列舉為例如於脫模薄膜中之與熱硬化性樹脂片40貼合之面形成聚矽氧層等之脫模塗層者。且，脫模薄膜之基材列舉為例如如透明玻璃紙之紙材、或由聚乙烯、聚丙烯、聚酯等所成之樹脂薄膜。
前述塗佈層之乾燥係藉由對塗佈層吹拂乾燥風而進行。該乾燥風之吹拂列舉為例如以使其吹拂方向與脫模薄膜之輸送方向平行般進行之方法，或以垂直於塗佈層表面般進行之方法。乾燥風之風量並無特別限制，通常為5~20m/min，較好為5~15m/min。藉由使乾燥風之風量成為5m/min以上，可防止塗佈層之乾燥不充分。另一方面，藉由使乾燥風之風量成為20m/min以下，使塗佈層表面附近之有機溶劑之濃度變均勻，故可使其蒸發均勻。結果，可形成表面狀態於面內均勻之熱硬化性樹脂片40。
乾燥時間係根據接著劑組成物溶液之塗佈厚度適當設定，通常為1~5min，較好為2~4min之範圍內。藉由使乾燥時間成為1min以上，可抑制因硬化反應未充分進行而使未反應之硬化成分或殘留之溶劑量變多。結果，可防止後續步驟中發生氣體釋出或孔洞之問題。另一 方面，為5min以內時，可抑制硬化反應過度進行。
乾燥溫度並無特別限制，通常設定在70~160℃之範圍內。本實施形態中，較好隨著乾燥時間之經過同時階段性地提高乾燥溫度。具體而言例如乾燥初期(剛乾燥後1min以下)設定在70℃~100℃之範圍內，乾燥後期(超過1min且5min以下)設定在100~160℃之範圍內。藉此，可防止剛塗佈後於乾燥溫度急速上升時產生之塗佈層表面之針孔發生。藉此，可製造本實施形態之熱硬化性樹脂片40。
[獲得第3層合體之步驟1]
接著，如圖4所示，藉由自第1台座22側及第2台座32側施加壓力，將複數半導體晶片26埋入於熱硬化性樹脂片40中而獲得第3層合體100(步驟A-4)。埋入可藉由使用加壓成型機、輥成型機，自熱硬化性樹脂片40之兩側(第1台座22側及第2台座32側)施加壓力而進行。藉此，可成為半導體晶片26之電路形成面26a露出，且半導體晶片26埋入於熱硬化性樹脂片40中之狀態。埋入溫度較好為60~150℃，更好為80~120℃。且，埋入壓力較好為0.02~3MPa，更好為0.05~1MPa。
本發明中，準備第3層合體之步驟(步驟A)並不限於使用圖2~圖4說明之第1實施形態之方法。本發明中準備第3層合體之步驟(步驟A)若可準備第3層合體，則具體準備方法亦可為任意方法。本發明之準備 第3層合體之步驟(步驟A)之其他例可列舉為以下之第2實施形態及第3實施形態。
〈第2實施形態〉
第2實施形態之準備第3層合體之步驟(步驟A)係具備以下步驟A-1、A-2、A-5、A-6及A-7；步驟A-1：準備附半導體晶片之第1層合體，該附半導體晶片之第1層合體係具有於第1台座上設置有第1接著劑層之第1層合體，與配置於前述第1層合體之前述第1接著劑層上之複數半導體晶片者(準備附半導體晶片之第1層合體之步驟)；步驟A-2：準備於第2台座上設置有第2接著劑層之第2層合體(準備第2層合體之步驟)；步驟A-5：於前述附半導體晶片之第1層合體之前述複數半導體晶片所露出側之面上配置熱硬化性樹脂片(配置熱硬化性樹脂片之步驟2)；步驟A-6：將前述複數半導體晶片埋入於前述熱硬化性樹脂片(將半導體晶片埋入於熱硬化性樹脂片之步驟)；步驟A-7：以前述第2接著劑層為界面將前述第2層合體層合於已埋入複數前述半導體晶片之前述熱硬化性樹脂片上而獲得第3層合體(獲得第3層合體之步驟2)。
前述步驟A具備前述步驟A-1、前述步驟A-2、前述步驟A-5、前述步驟A-6、及前述步驟A-7時，前述步驟 A-6中，由於直接將複數半導體晶片埋入於熱硬化性樹脂片中(例如，未介隔前述第2接著劑層而直接將半導體晶片加壓而埋入於熱硬化性樹脂片中)，故可使熱硬化性樹脂片之表面更平坦而較優異。
[準備附半導體晶片之第1層合體之步驟]
圖5~圖7係用以說明第2實施形態之準備第3層合體之方法的剖面模式圖。首先，準備附半導體晶片之第1層合體28，其具有在第1台座22上設置第1接著劑層24之第1層合體26，與配置於第1層合體26之第1接著劑層24上之複數半導體晶片26(步驟A-1)(參照圖2)。準備附半導體晶片之第1層合體之步驟由於與第1實施形態之準備附半導體晶片之第1層合體之步驟相同，故此處省略詳細之說明。
[準備第2層合體之步驟]
接著，準備將第2接著劑層34設置於第2台座32上而成之第2層合體30(步驟A-2)。準備第2層合體之步驟由於與實施形態1之準備第1層合體之步驟相同，故此處省略詳細之說明。
[配置熱硬化性樹脂片之步驟2]
接著，如圖5所示，在附半導體晶片之第1層合體28之複數半導體晶片26露出側之面上配置熱硬化性樹脂 片40(步驟A-5)。
[使半導體晶片埋入熱硬化性樹脂片中之步驟]
接著，如圖6所示，將複數半導體晶片26埋入熱硬化性樹脂片40(步驟A-6)。埋入可藉由使用加壓成型機、輥成型機，自熱硬化性樹脂片40之兩側施加壓力而進行。埋入可採用例如預先將保護膜(未圖示)配置於複數半導體晶片26上後，自熱硬化性樹脂片40之兩側施加壓力(例如藉由模具或平板加壓機施加壓力)之方法。且，可採用將保護膜配置在加壓成型機或輥成型機側，於加壓之同時將保護膜配置於複數半導體晶片26上之方法。藉此，可成為半導體晶片26之電路形成面26a露出，且半導體晶片26埋入於熱硬化性樹脂片40中之狀態。埋入溫度較好為60~150℃，更好為80~120℃。且，埋入壓力較好為0.02~3MPa，更好為0.05~1MPa。
上述保護膜並無特別限制，但可列舉為例如如透明玻璃紙之紙材、或由聚乙烯、聚丙烯、聚酯等所成之樹脂薄膜。保護薄膜之表面(與熱硬化性樹脂片40及半導體晶片26接觸之側的面)，就防止熱硬化樹脂片40殘留糊料於半導體晶片26之電路形成面26a之觀點而言，可施以慣用之表面處理，例如電漿處理、壓紋處理、噴砂處理等。
[獲得第3層合體之步驟2]
接著，如圖7所示，以第2接著劑層34作為界面，將第2層合體30層合於已埋入複數半導體晶片26之熱硬化性樹脂片40上，獲得第3層合體100(步驟A-7)。
以上說明第2實施形態之準備第3層合體之方法。又，第1層合體20、第1台座22、第1接著劑層24、半導體晶片26、附導體晶片之第1層合體28、第2層合體30、第2台座32、第2接著劑層34、熱硬化性樹脂片40、及第3層合體100之構造或組成等由於與第1實施形態相同故此處省略說明。
〈第3實施形態〉
第3實施形態之準備第3層合體之步驟(步驟A)係具備以下步驟A-1、A-8及A-9；步驟A-1：準備附半導體晶片之第1層合體，該附半導體晶片之第1層合體係具有於第1台座上設置有第1接著劑層之第1層合體，與配置於前述第1層合體之前述第1接著劑層上之複數半導體晶片者(準備附半導體晶片之第1層合體之步驟)；步驟A-8：準備第4層合體，該第4層合體係於第2台座上設置有第2接著劑層之第2層合體之前述第2接著劑層上層合熱硬化性樹脂片者(準備第4層合體之步驟)；步驟A-9：使前述附半導體晶片之第1層合體之前述複數半導體晶片所露出之側之面與前述第4層合體之前述 熱硬化性樹脂片成為對向後，藉由從前述第1台座側及前述第2台座側施加壓力，使前述複數半導體晶片埋入於前述熱硬化性樹脂片中，而獲得第3層合體者(獲得第3層合體之步驟3)。
前述步驟A具備前述步驟A-1、前述步驟A-8、及前述步驟A-9時，前述步驟A-9中，由於在使熱硬化性樹脂薄片與第2層合體所具備之第2接著劑層接觸之狀態下施加壓力，故在熱硬化性樹脂片與第2層合體所具備之第2接著劑層之間獲得高的密著性。其結果，於步驟C中剝離前述第1層合體時，可防止於第2層合體側剝離。
且，同時分別進行步驟A-1與步驟A-8等時，若於步驟A-1中準備附有半導體晶片之第1層合體，另一方面於步驟A-8中準備第4層合體，則僅進行步驟A-9即可獲得第3層合體。其結果，可縮短該半導體裝置製造所花費之時間。
[準備附半導體晶片之第1層合體之步驟]
圖8及圖9係用以說明第3實施形態之準備第3層合體之方法的剖面模式圖。首先，準備附半導體晶片之第1層合體28，其具有於第1台座22上設置有第1接著劑層24之第1層合體26，與配置於第1層合體26之第1接著劑層24上之複數半導體晶片26(步驟A-1)(參照圖2)。準備附半導體晶片之第1層合體之步驟由於與第1實施形態之準備附半導體晶片之第1層合體之步驟相同， 故此處省略詳細之說明。
[準備第4層合體之步驟]
接著，如圖8所示，準備第4層合體50，其係將熱硬化性樹脂片40層合於於第2台座32上設置有第2接著劑層34之第2層合體30之第2接著劑層34上(步驟A-8)。將熱硬化性樹脂片40層合於第2接著劑層34上之方法並無特別限制，可採用壓著等之過去習知方法。
[獲得第3層合體之步驟3]
接著，如圖9所示，在使附半導體晶電之第1層合體28之複數半導體晶片26所露出之側之面與第4層合體50之熱硬化性樹脂片40成對向後，藉由自第1台座22側及第2台座32側施加壓力，使複數半導體晶片26埋入於熱硬化性樹脂片40中而獲得第3層合體100(步驟A-9)。埋入方法、條件由於與第1實施形態之獲得第3層合體之步驟1相同，故此處省略說明。
以上，已說明第3實施形態之準備第3層合體之方法。又，第1層合體20、第1台座22、第1接著劑層24、半導體晶片26、附導體晶片之第1層合體28、第2層合體30、第2台座32、第2接著劑層34、熱硬化性樹脂片40及第3層合體100之構造或組成等由於與第1實施形態相同故此處省略說明。
以下，針對使用藉由準備第3層合體之步驟 (步驟A)所準備之第3層合體100之半導體裝置之製造方法加以說明。
[使熱硬化性樹脂片熱硬化之步驟]
圖10~圖12係用以說明使用第3層合體之半導體裝置之製造方法之剖面模式圖。準備第3層合體之步驟(步驟A)之後，使第3層合體100之熱硬化性樹脂片40熱硬化(步驟B)。於使第3層合體100之熱硬化性樹脂片40熱硬化之間，熱硬化樹脂片40係以由第1台座22與第2台座32夾持之狀態熱硬化。其結果，可抑制熱硬化時之熱硬化性樹脂片40之翹曲。此時之加熱溫度較好在90~200℃進行，更好在120~175℃進行。且，加熱時間較好為30~240分鐘，更好為60~180分鐘。藉由使熱硬化時之溫度及時間成為上述數值範圍內，在使熱硬化性樹脂片熱硬化之步驟中，可自熱硬化性樹脂片40剝離第1層合體20或第2層合體30，且可適當地使熱硬化性樹脂片40熱硬化。
[剝離第1層合體之步驟]
使熱硬化性樹脂片40熱硬化後，如圖10所示，以熱硬化性樹脂片40與第1層合體20之第1接著劑層24之貼合面作為界面，剝離第1層合體20(步驟C)。本實施形態由於以熱膨脹性黏著劑層構成第1接著劑層24，故可藉加熱而熱膨脹。藉此，可減少第1接著劑層24與熱 硬化性樹脂片40之接著面積，減少兩者間之接著力，且可自熱硬化性樹脂片40剝離第1層合體20。至於加熱處理方法可利用例如加熱板、熱風乾燥機、近紅外線燈、空氣烘乾機等之適宜加熱手段進行。加熱處理時之加熱溫度若為熱膨脹性黏著劑層中之發泡劑(熱膨脹性微小球等)之發泡起始溫度(熱膨脹起始溫度)以上即可，加熱處理之條件可依據因發泡體(熱膨脹性微小球等)之種類等所引起之接著面積之減少性、第1台座22、埋入有半導體晶片26之熱硬化性樹脂40之耐熱性、加熱方法(熱容量、加熱手段等)等而適當設定。一般之加熱處理條件係溫度100℃~250℃歷時1秒~90秒(加熱板等)或5分鐘~15分鐘(熱風乾燥機等)。又，加熱處理可依據使用目的適當以階段性進行。且，加熱處理時之熱源有時亦可使用紅外線燈或加熱水。又，以輻射線硬化型黏著劑層形成第1接著劑層24時，可藉由僅照射適當量之輻射線，而減少輻射線硬化型黏著劑層之接著力，可自熱硬化性樹脂片40剝離第1層合體20。
[形成配線之步驟]
接著，如圖11所示，於剝離第1層合體20後之熱硬化性樹脂片40上形成配線42(步驟D)。
配線之形成方法可藉由例如利用真空成膜等習知方法於所露出之半導體晶片26上形成金屬種晶層，利用半加成法等習知方法形成配線42。
隨後，亦可於配線42及熱硬化性樹脂片40上形成聚醯亞胺或PBO等絕緣層。
又，所形成之配線42上亦可進行形成凸塊之凸塊加工。凸塊加工可以焊料球或焊料鍍敷等習知方法進行。
本實施形態中係以熱硬化性樹脂片40與第1層合體20之第1接著劑層24之貼合面作為界面，剝離第1層合體20(步驟C)，且於剝離第1層合體20後之熱硬化性樹脂片40上形成配線42(步驟D)。因此，配線42之形成係以將熱硬化性樹脂片40保持在第2台座32上之狀態進行。據此，例如即使因置於高溫環境下等，使熱硬化性樹脂片40軟化之情況，仍可使熱硬化性樹脂片40之表面保持平坦。其結果，可於平坦表面之熱硬化性樹脂片40上形成配線42，故可提高所製造之半導體裝置之良率。
且，第2台座32由於為了抑制翹曲被使用後，直接作為用以形成配線42之支撐體使用，故可簡化製造步驟。
[剝離第2層合體之步驟]
隨後，視需要，如圖12所示，以熱硬化性樹脂片40與第2層合體30之第2接著劑層34貼合之面作為界面，剝離第2層合體30。剝離方法可列舉出以溶劑使第2接著劑層34溶解並降低接著力之剝離方法，預先以藉加熱 而降低接著力之材料形成第2接著劑層34，藉加熱降低接著力之剝離方法，以切割機或雷射等物理性切入至第2接著劑層34予以剝離之方法等。
隨後，視需要進行由半導體晶片26、熱硬化性樹脂片40及配線42等要素所成之層合體之切割。藉此，可獲得將配線拉出到晶片區域外側之半導體裝置。切割方法可採用過去習知之方法。
以上，雖針對本發明之實施形態加以說明，但本發明並不受限於上述例，在本發明之構成充分之範圍內可進行適當之設計變更。
實施例
以下，例示本發明之較佳實施例詳細加以說明。但，該實施例所記載之材料或調配量等若無特別限定的記載，則不意指本發明之範圍僅限於該等。此外，所謂份意指重量份。
(第1台座及第2台座之準備)
準備厚度700μm之8吋晶圓作為第1台座及第2台座。
(第1接著劑層之準備)
準備熱發泡膠帶(日東電工公司製，製品名：REALPHA(型號：No.3195V)，厚度：158μm)作為第1 接著劑層。
(第2接著劑層之準備)
在氮氣流之氛圍下，於70℃將聚醚二胺(HINZMAN製，D-4000，分子量：4023.5)365g、4,4’-二胺基二苯基醚(DDE，分子量：200.2)74g、及均苯四酸二酐(PMDA，分子量：218.1g)100g混合於1257g之N,N-二甲基乙醯胺(DMAc)中並使之反應。隨後，冷卻至室溫(23℃)，獲得聚醯胺酸溶液。以使在120℃乾燥10分鐘後之厚度成為10μm之方式將所得聚醯胺酸溶液塗佈於作為支撐體之200mm晶圓上，獲得附支撐體之聚醯胺酸薄膜。使所得附支撐體之聚醯胺酸薄膜在300℃於氮氣氛圍中熱硬化3小時，獲得附支撐體之聚醯亞胺薄膜。該聚醯亞胺薄膜係作為第2接著劑層。
(熱硬化性樹脂片之準備)
以混練機摻合下述(a)~(f)，且以2軸混練機在120℃之條件下混練2分鐘，接著，自模嘴擠出，獲得厚度500μm之熱硬化性樹脂片。
(a)環氧樹脂(新日鐵化學公司製，YSLV-80XY) 280份
(b)酚樹脂(明和化成公司製，MEH-7851-SS) 300份
(c)硬化促劑進(四國化成工業公司製，2P4MHZ-PW)6份
(d)二氧化矽填料(電氣化學工業公司製，FB-9454) 3300份
(e)矽烷偶合劑(信越化學工業公司製，KBM-403) 10份
(f)碳(三菱化學公司製，#40) 10份
(熱硬化性樹脂片之玻璃轉移溫度測定)
測定所作成之熱硬化性樹脂片之玻璃轉移溫度之結果，為110℃。玻璃轉移溫度之測定係將熱硬化性樹脂片以切刀切出厚度500μm、寬度10mm、長度50mm之短條狀，使用動態黏彈性測定裝置(DMA)，在25℃~250℃之溫度區域以頻率1.0Hz、升溫速度10℃/分鐘之條件下測定時之Tan δ(E”(損失彈性率)/E’(儲存彈性率))顯示極大值之溫度而求得
(熱硬化性樹脂片熱硬化後在25℃下之儲存彈性率測定)
在150℃、1小時之條件使所製作之熱硬化性樹脂片熱硬化。接著，測定熱硬化性樹脂片熱硬化後在25℃下之儲存彈性率之結果為3GPa。此處之儲存彈性率係以切刀將熱硬化性樹脂片切出厚度500μm、寬度10mm、長度50mm之短條狀，使用動態黏彈性測定裝置(DMA)，在25℃、頻率1.0Hz之條件下測定時之拉伸儲存彈性率E’之值。
(熱硬化性樹脂片在100℃之黏度測定)
測定所製作之熱硬化性樹脂片於100℃之黏度之結果為2000Pa．s。此處之黏度測定係將熱硬化性樹脂片沖壓成厚度500μm、直徑8mm之圓形，使用Rheometric Scientific公司製之黏彈性光譜儀(ARES)，以應變2%、頻率1Hz、於100℃進行，求出之複黏度(complex viscosity)η*之值。
(實施例1)
將準備之熱發泡膠帶(第1接著劑層)貼合於所準備之8吋晶圓(第1台座)上作成第1層合體。隨後，將複數半導體晶片(5mm×5mm×厚度350μm)配置於熱發泡膠帶上，作成附半導體晶片之第1層合體(參照圖2)。且，將所準備之聚醯亞胺薄膜(第2接著劑層)貼合於所準備之8吋晶圓(第2台座)上作成第2層合體。
接著，將所準備之熱硬化性樹脂片配置於附半導體晶片之第1層合體之複數半導體晶片所露出側之面上，接著，以使聚醯亞胺薄膜面為對向面之方式將第2層合體對位配置於前述熱硬化性樹脂片上(參照圖3)。隨後，使用真空加壓機加熱壓著，使半導體晶片埋入於熱硬化性樹脂片中，製作第3層合體(參照圖4)。加熱壓著條件設為埋入溫度90℃，真空度10torr、埋入壓力1MPa、埋入時間60秒。
接著，以使兩者之8吋晶圓(第1台座及第2台座)不移動般之固定狀態，藉加熱使第3層合體熱硬 化。硬化條件設為硬化溫度150℃、硬化時間1小時。由於以兩側之台座固定，故硬化後之硬化性樹脂片未確認到翹曲。
隨後，藉由加熱第3層合體使熱發泡膠帶發泡，以熱硬化性樹脂片與熱發泡膠帶貼合之面作為界面，剝離第1層合體，獲得圖10所示之層合構造之層合體。使發泡膠帶發泡時之加熱條件設為加熱溫度185℃、加熱時間30秒。又，剝離第1層合體後之層合體中，聚醯亞胺薄膜與熱硬化性樹脂片之密著性優異，剝離第1層合體時，不會於第2層合體側剝離。
測定剝離第1層合體後之層合體之翹曲後為0.5mm以下。翹曲之測定係以使作為第2台座之8吋晶圓面朝下置於平坦之台上，以鐵尺測定距離台的距離最遠之部位。
(實施例2)
使用與實施例1相同之台座、第1接著劑層、第2接著劑層、熱硬化性樹脂片及半導體晶片實施下述。
首先，與實施例1同樣地，作成附半導體晶片之第1層合體，且將所準備之熱硬化性樹脂片配置於附半導體晶片之第1層合體之複數半導體晶片所露出側之面上(參照圖5)。隨後，使用真空加壓機加熱壓著，使半導體晶片埋入於熱硬化性樹脂片中(參照圖6)。加熱壓著條件與實施例1同樣，設為埋入溫度90℃、真空度 10torr，埋入壓力1MPa，埋入時間60秒。埋入有半導體晶片之熱硬化性樹脂片之表面比實施例1平坦，表面粗糙度為0.05μm。表面粗糙度係使用Veeco公司製之表面形狀測定裝置(Dektak8M)測定。測定條件設為室溫(23℃)、測定速度5μm/s。
接著，自真空加壓機取出，以第2接著劑層為界面將第2層合體層合於埋入有半導體晶片之熱硬化性樹脂片上，獲得第3層合體(參照圖7)。貼合條件設為貼合溫度100℃、貼合壓力1MPa。
接著，以使兩者之8吋晶圓(第1台座及第2台座)不移動般之固定狀態，藉由加熱使第3層合體硬化。硬化條件與實施例1同樣，設為硬化溫度150℃、硬化時間1小時。由於以兩側之台座固定，故硬化後之硬化性樹脂片未確認到翹曲。
隨後，藉由加熱第3層合體使熱發泡膠帶發泡，以熱硬化性樹脂片與熱發泡膠帶貼合之面作為界面，剝離第1層合體，獲得圖10所示之層合構造之層合體。使發泡膠帶發泡時之加熱條件，與實施例1同樣，設為加熱溫度185℃、加熱時間30秒。又，剝離第1層合體後之層合體中，聚醯亞胺薄膜與熱硬化性樹脂片之密著性優異，於剝離第1層合體時，不會於第2層合體側剝離。
測定剝離第1層合體後之層合體的翹曲為0.5mm以下。翹曲之測定方法與實施例1相同。
(實施例3)
使用與實施例1同樣之台座、第1接著劑層、第2接著劑層、熱硬化性樹脂片及半導體晶片實施下述。
首先，與實施例1同樣，作成附半導體晶片之第1層合體。且，將所準備之聚醯亞胺薄膜(第2接著劑層)貼合於所準備之8吋晶圓(第2台座)上作成第2層合體。
接著，將所準備之熱硬化性樹脂片貼合於第2層合體之聚醯亞胺薄膜上，獲得第4層合體。貼合條件設為貼合溫度100℃、貼合壓力1MPa。
接著，使附半導體晶片之第1層合體之半導體晶面露出側之面與第4層合體之熱硬化性樹脂片成對向後(參照圖8)，使用真空加壓機加熱壓著，將半導體晶片埋入於熱硬化性樹脂片中，製作第3層合體(參照圖9)。加熱壓著條件設為埋入溫度90℃、真空度10torr、埋入壓力1MPa、埋入時間60秒。
接著，以使兩者之8吋晶圓(第1台座及第2台座)不移動般之固定狀態，藉加熱使第3層合體硬化。硬化條件與實施例1同樣，設為硬化溫度150℃、硬化時間1小時。由於以兩側之台座固定，故硬化後之硬化性樹脂片未確認到翹曲。
隨後，藉由加熱第3層合體使熱發泡膠帶發泡，以熱硬化性樹脂片與熱發泡膠帶貼合之面作為界面，剝離第1層合體，獲得圖10所示之層合構造之層合體。 使發泡膠帶發泡時之加熱條件與實施例1同樣，設為加熱溫度185℃、加熱時間30秒。又，剝離第1層合體後之層合體中，聚醯亞胺薄膜與熱硬化性樹脂片之密著性優異，剝離第1層合體時，不會於第2層合體側剝離。
測定剝離第1層合體後之層合體的翹曲為0.5mm以下。翹曲之測定方法與實施例1相同。
20‧‧‧第1層合體
22‧‧‧第1台座
24‧‧‧第1接著劑層
26‧‧‧半導體晶片
30‧‧‧第2層合體
32‧‧‧第2台座
34‧‧‧第2接著劑層
40‧‧‧熱硬化性樹脂片
100‧‧‧第3層合體

Claims (4)

  1. 一種半導體裝置之製造方法，其特徵為包含以下步驟A至步驟D；步驟A：準備第3層合體，該第3層合體係將第1層合體、第2層合體及熱硬化性樹脂片予以層合而成者，該第1層合體係於第1台座上設置有第1接著劑層者，該第2層合體係於第2台座上設置有第2接著劑層者，該熱硬化性樹脂片係設置於前述第1層合體之前述第1接著劑層側之面與前述第2層合體之前述第2之接著劑層側之面之間且埋入有複數半導體晶片者；步驟B：使前述第3層合體之前述熱硬化性樹脂片熱硬化；步驟C：使前述熱硬化性樹脂片熱硬化後，以前述熱硬化性樹脂片與前述第1層合體之前述第1接著劑層之貼合面為界面，剝離前述第1層合體；步驟D：於剝離前述第1層合體後之前述熱硬化性樹脂片上形成配線。
  2. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中前述步驟A包含以下步驟A-1至A-4；步驟A-1：準備附半導體晶片之第1層合體，該附半導體晶片之第1層合體係具有於第1台座上設置有第1接著劑層之第1層合體，與配置於前述第1層合體之前述第1接著劑層上之複數半導體晶片者；步驟A-2：準備於第2台座上設置有第2接著劑層之 第2層合體；步驟A-3：在前述附半導體晶片之第1層合體之前述複數半導體晶片所露出側之面與前述第2層合體之前述第2接著劑層側之面之間配置熱硬化性樹脂片；步驟A-4：藉由從前述第1台座側及前述第2台座側施加壓力，而使前述複數半導體晶片埋入於前述熱硬化性樹脂片中而取得第3層合體。
  3. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中前述步驟A包含以下步驟A-1、A-2、A-5、A-6及A-7；步驟A-1：準備附半導體晶片之第1層合體，該附半導體晶片之第1層合體係具有於第1台座上設置有第1接著劑層之第1層合體，與配置於前述第1層合體之前述第1接著劑層上之複數半導體晶片者；步驟A-2：準備於第2台座上設置有第2接著劑層之第2層合體；步驟A-5：於前述附半導體晶片之第1層合體之前述複數半導體晶片所露出側之面上配置熱硬化性樹脂片；步驟A-6：將前述複數半導體晶片埋入於前述熱硬化性樹脂片；步驟A-7：以前述第2接著劑層為界面將前述第2層合體層合於已埋入複數前述半導體晶片之前述熱硬化性樹脂片上而取得第3層合體。
  4. 如請求項1之半導體裝置之製造方法，其中前述步驟A包含以下步驟A-1、A-8及A-9； 步驟A-1：準備附半導體晶片之第1層合體，該附半導體晶片之第1層合體係具有於第1台座上設置有第1接著劑層之第1層合體，與配置於前述第1層合體之前述第1接著劑層上之複數半導體晶片者；步驟A-8：準備第4層合體，該第4層合體係於第2台座上設置有第2接著劑層之第2層合體之前述第2接著劑層上層合熱硬化性樹脂片者；步驟A-9：使前述附半導體晶片之第1層合體之前述複數半導體晶片所露出之側之面與前述第4層合體之前述熱硬化性樹脂片成為對向後，藉由從前述第1台座側及前述第2台座側施加壓力，使前述複數半導體晶片埋入於前述熱硬化性樹脂片中，而取得第3層合體。
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