CN106575695B - 发光组件及发光组件的制造方法 - Google Patents

发光组件及发光组件的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106575695B
CN106575695B CN201580043739.3A CN201580043739A CN106575695B CN 106575695 B CN106575695 B CN 106575695B CN 201580043739 A CN201580043739 A CN 201580043739A CN 106575695 B CN106575695 B CN 106575695B
Authority
CN
China
Prior art keywords
resin sheet
light emitting
temperature
light
emitting element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201580043739.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106575695A (zh
Inventor
卷圭一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Corp
Original Assignee
Toshiba Hokuto Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Hokuto Electronics Corp filed Critical Toshiba Hokuto Electronics Corp
Priority to CN201911343360.0A priority Critical patent/CN111081854B/zh
Publication of CN106575695A publication Critical patent/CN106575695A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106575695B publication Critical patent/CN106575695B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/005—Processes relating to semiconductor body packages relating to encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

发光组件具备：第1透光性绝缘体、设置于第1透光性绝缘体的表面上的导电电路层、与导电电路层相对配置的第2透光性绝缘体、配置在第1透光性绝缘体与第2透光性绝缘体之间且与导电电路层连接的发光元件、和配置在第1透光性绝缘体与第2透光性绝缘体之间的具有热固性的第3透光性绝缘体。

Description

发光组件及发光组件的制造方法
关联申请的引用
本申请基于2014年9月26日申请的日本专利申请2014-196387号的优先权的利益，并且，要求其利益，其内容整体通过引用而包含于此。
技术领域
本发明的实施方式涉及发光组件及发光组件的制造方法。
背景技术
使用了发光二极管(LED)等发光元件的发光组件被广泛地利用于屋内用、屋外用、固定设置用、移动用等的显示装置、显示用灯、各种开关类、信号装置、一般照明等光学装置。在使用了LED的发光组件中，作为适合于显示各种字符串、几何学图形或花纹等的显示装置和显示用灯等的装置，已知在2张透明基板间配置多个LED的透明发光组件。
由于通过使用透明树脂制的柔性基板等作为透明基板，从而减少对作为显示装置或显示用灯等的发光组件的安装面的制约，因此透明发光组件的便利性和可利用性提高。
透明发光组件例如具有如下的结构：在具有导电电路层的1对透明绝缘基板之间配置多个LED芯片的结构。多个LED芯片分别具有一对电极，这些电极与形成于透明绝缘基板上的导电电路层电连接。在1对透明绝缘基板之间，填充有具有弯曲性的透明树脂。LED芯片通过透明树脂以电极与导电电路层接触的状态被保持。
就上述的发光组件而言，要求LED芯片的电极与导电电路层的连接可靠性的提高。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012-084855号公报
发明内容
发明所要解决的问题
本发明的课题是提高发光元件的电极与导电电路层的连接可靠性。
用于解决问题的手段
实施方式所述的发光组件具备：第1透光性绝缘体、设置于第1透光性绝缘体的表面上的导电电路层、与导电电路层相对配置的第2透光性绝缘体、配置在第1透光性绝缘体与第2透光性绝缘体之间且与导电电路层连接的发光元件、和配置在第1透光性绝缘体与第2透光性绝缘体之间的具有热固性的第3透光性绝缘体。
附图说明
图1是表示实施方式所述的发光组件的概略构成的示意截面图。
图2是发光元件的立体图。
图3是将发光组件的一部分放大示出的截面图。
图4是表示导体图案与发光元件的连接例的图。
图5是示意性表示修整处理前的凸起的图。
图6A是用于说明使用夹具进行的修整处理的图。
图6B是用于说明使用夹具进行的修整处理的图。
图6C是用于说明使用夹具进行的修整处理的图。
图7A是说明使用夹具和树脂片进行的修整处理的图。
图7B是说明使用夹具和树脂片进行的修整处理的图。
图7C是说明使用夹具和树脂片进行的修整处理的图。
图8A是说明使用夹具和树脂片进行的修整处理的图。
图8B是说明使用夹具和树脂片进行的修整处理的图。
图9A是说明本实施方式所述的发光组件的制造方法的图。
图9B是说明本实施方式所述的发光组件的制造方法的图。
图9C是说明本实施方式所述的发光组件的制造方法的图。
图9D是说明本实施方式所述的发光组件的制造方法的图。
图10A是说明变形例所述的发光组件的制造方法的图。
图10B是说明变形例所述的发光组件的制造方法的图。
图10C是说明变形例所述的发光组件的制造方法的图。
图10D是说明变形例所述的发光组件的制造方法的图。
图11是表示热固化工序前的树脂片的动态粘度的图。
图12A是说明变形例所述的发光组件的制造方法的图。
图12B是说明变形例所述的发光组件的制造方法的图。
图12C是说明变形例所述的发光组件的制造方法的图。
图12D是说明变形例所述的发光组件的制造方法的图。
图13是表示热固化工序前的树脂片的动态粘度的图。
图14是表示热固化工序后的树脂片的弹性模量的图。
具体实施方式
对于本发明的第1实施方式所述的发光组件，参照附图进行说明。图1是表示实施方式所述的发光组件1的概略构成的示意截面图。
如图1中所示的那样，发光组件1具有1组透明膜4、6；形成于透明膜4、6之间的树脂层13；配置在树脂层13的内部的多个发光元件22。
透明膜4、6是以纸面横向作为长度方向的长方形的膜。透明膜4、6的厚度为50～300μm左右，相对于可见光具有透射性。透明膜4、6的总光线透射率优选为90％以上，进而更优选为95％以上。另外，总光线透射率是指依据日本工业规格JISK7375：2008而测定的总光线透射率。此外，透明膜4、6具有挠性，其弯曲弹性模量为0～320kgf/mm2左右(不包括零)。另外，弯曲弹性模量是通过例如依据ISO178(JIS K7171：2008)的方法而测定的值。
若透明膜4、6的厚度超过300μm，则透明膜4、6的挠性降低，同时总光线透射率也降低。此外，若透明膜4、6的厚度低于5μm，则在使透明膜4、6及发光元件22一体化时，有可能透明膜4、6显著变形。因此，透明膜4、6优选厚度为50～300μm左右。
作为透明膜4、6的原材料，考虑使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚丁二酸乙二醇酯(PES)、环状烯烃树脂(例如JSR公司制的ARTON(商品名))、丙烯酸树脂等。
在上述1组透明膜4、6中的透明膜4的下表面，形成有厚度为0.05μm～2μm左右的多个导体图案5。
导体图案5中，例如使用氧化铟锡(ITO)、掺氟氧化锡(FTO)、氧化锌、氧化铟锌(IZO)等透明导电材料。导体图案5例如可以通过将通过溅射法或电子束蒸镀法等而形成于透明膜4上的薄膜使用激光加工或蚀刻处理进行图案化而形成。
导体图案5例如也可以通过将平均粒径为10～300nm的透明导电材料的微粒与透明树脂粘合剂的混合物在透明膜4上进行丝网印刷而形成。此外，也可以通过在透明膜4上形成由上述混合物构成的薄膜、并将该薄膜通过激光加工或光刻进行图案化而形成。
导体图案5并不限于由透明导电材料构成的图案，也可以是使金或银、铜等不透明导电材料的微粒以网状附着在透明膜4上而成的图案。例如，也可以在透明膜4上涂布卤化银那样的不透明导电材料的感光性化合物而形成薄膜，对该薄膜实施曝光·显影处理而形成网状的导体图案5。此外，也可以通过将包含不透明导电材料微粒的浆液以丝网印刷等涂布为网状而形成导体图案5。
导体图案5优选具有使作为发光组件1整体的总光线透射率(例如JISK7105)达到1％以上那样的透光性。若作为发光组件1整体的总光线透射率低于1％，则发光点变得不会作为亮点被看到。导体图案5自身的透光性也因其构成的不同而不同，但总光线透射率优选为10～85％的范围。
树脂层13为形成于透明膜4与透明膜6之间的绝缘体。树脂层13由热固性树脂构成，具有相对于可见光的透射性。树脂层13由固化前的最低熔融粘度、固化前的最低熔融粘度时的温度、达到固化前的最低熔融粘度时的温度为止的熔融粘度变化率、固化后的维卡软化温度、固化后的拉伸储能模量、固化后的玻璃化转变温度等特性满足规定的条件的树脂构成。
本实施方式所述的树脂层13例如由作为热固性树脂的环氧系树脂构成。构成树脂层13的热固性树脂例如优选固化前的最低熔融粘度VC1在80～160℃的范围内为10～10000Pa·s的范围。此外，达到固化前的最低熔融粘度VC1时的温度T1(最软化温度)为止的熔融粘度变化率VR优选为1/1000以下(千分之一以下)。进而，树脂层13优选在通过加热而达到最低熔融粘度后、即固化后的维卡软化温度T2为80～160℃的范围，0℃到100℃的范围内的拉伸储能模量EM为0.01～1000GPa的范围。此外，若进行附记，则树脂层13优选具有100～160℃的玻璃化转变温度T3。
热固性树脂的优选的物性值例如如下所述。
最低熔融粘度VC1：10～10000Pa·s
最低熔融粘度VC1时的温度T1(最软化温度)：80～160℃
达到温度T1为止的熔融粘度变化率VR：1/1000以下
维卡软化温度T2：80～160℃
拉伸储能模量EM：0～100℃之间为0.01～1000GPa
玻璃化转变温度T3：100～160℃
另外，熔融粘度测定是按照JIS K7233中记载的方法使测定对象物的温度在50℃～180℃之间变化而求出的值。维卡软化温度是按照JIS K7206(ISO 306：2004)中记载的A50在试验载荷10N、升温速度50℃/小时的条件下求出的值。玻璃化转变温度和熔解温度是按照依据JIS K7121(ISO 3146)的方法通过差示扫描量热测定求出的值。拉伸储能模量是按照依据JlS K7244-1(ISO 6721)的方法求出的值。具体而言，是对1分钟1℃地从-100℃等速升温至200℃为止的测定对象物使用动态粘弹性自动测定器以频率10Hz进行采样而得到的值。
树脂层13没有间隙地填充于电极28、29的周围。如图1中所示的那样，设置于发光元件22的上表面的电极28、29各自的面积比发光元件22的上表面(例如发光面)的面积小。此外，电极28、29从发光元件22的上表面朝向导体图案5突出。在这样的情况下，在发光元件22的上表面与导体图案5之间产生微小空间。树脂层13优选也填充于该微小空间中。
为了使导体图案5与电极28、29良好地接触，树脂层13的厚度T2比发光元件22的高度T1小。与树脂层13密合的透明膜4具有按照配置有发光元件22的部分向外侧突出、发光元件22彼此之间的部分凹陷的方式弯曲的形状。通过透明膜4像这样弯曲，从而成为导体图案5被透明膜4压向电极28、29的状态。因此，变得能够提高导体图案5与电极28、29的电连接性和其可靠性。
另外，树脂层13优选由以具有热固性的树脂作为主要成分的材料构成，但根据需要也可以包含其他的树脂成分等。作为具有热固性的树脂，已知有环氧系树脂、丙烯酸系树脂、苯乙烯系树脂、酯系树脂、氨基甲酸酯系树脂、三聚氰胺树脂、酚醛树脂、不饱和聚酯树脂、苯二甲酸二烯丙酯树脂等。它们中，环氧系树脂由于除了透光性、电绝缘性、挠性等以外，软化时的流动性、固化后的粘接性、耐气候性等也优异，所以作为树脂层13的构成材料是适合的。当然，树脂层13也可以由除环氧系树脂以外的其他树脂构成。
图2是发光元件22的立体图。发光元件22是一边为0.3mm至3mm的正方形的LED芯片。如图2中所示的那样，发光元件22为由基底基板23、N型半导体层24、活性层25、P型半导体层26构成的LED芯片。发光元件22的额定电压为约2.5V。
基底基板23为蓝宝石基板或半导体基板。通过使用在光学上具有透射性的基板作为基底基板23，从而光从发光元件22的上下两面被放射。在基底基板23的上表面，形成有与该基底基板23相同形状的N型半导体层24。N型半导体层24例如由n-GaN构成。
在N型半导体层24的上表面，依次层叠有活性层25、P型半导体层26。活性层25例如由InGaN构成。此外，P型半导体层例如由p-GaN构成。另外，发光元件22也可以是具有双异质(DH)结构、或多量子阱(MQW)结构的发光元件。
在层叠于N型半导体层24上的活性层25、及P型半导体层26的拐角部分中形成切口，N型半导体层24的表面从该切口露出。在N型半导体层24的从活性层25和P型半导体层26露出的部分中，形成有与N型半导体层24电连接的电极29(电极焊盘(pad))。此外，在P型半导体层26的拐角部分中，形成有与P型半导体层26电连接的电极28(电极焊盘)。
电极28、29为由铜(Cu)或金(Au)构成、且在上表面形成有导电性的凸起30的焊盘电极。凸起30为由金(Au)或金合金等金属构成的金属凸起。作为凸起30，代替金属凸起，也可以使用软钎料凸起。
不包含凸起的发光元件22的厚度为约100μm，凸起30的高度为约60μm。
发光元件22按照邻接的发光元件22相互间的距离成为d的方式以等间隔配置。距离d为1500μm以下。发光组件1所具备的发光元件22的数目可以根据发光组件1的规格、例如外形尺寸、发光面积等而适当决定。
图3是将发光组件1的一部分放大示出的截面图。如图3中所示的那样，发光元件22的电极28、29介由凸起30与导体图案5电连接。
凸起30由金、AuSn合金、银、铜、镍、与除此以外的金属的合金、混合物、共晶、非晶材料等构成。凸起30也可以由软钎料或共晶软钎料、金属微粒与树脂的混合物、各向异性导电膜等构成。凸起30可以使用例如焊线机而作为线凸起形成。此外，凸起30例如也可以通过对电极28、29实施电解镀、非电解镀而形成。此外，通过将包含金属微粒的油墨喷墨印刷到电极28、29上进行烧制，也能形成凸起30。进而，可以通过将包含金属微粒的糊剂印刷或涂布到电极28、29上而形成凸起30，也可以采用球安装、丸片(pellet)安装、蒸镀溅射等技术而在电极28、29上形成凸起30。
凸起30的熔点优选为180℃以上。此外，凸起30的熔点更优选为200℃以上。作为实用的范围，上限是1100℃以下。若凸起30的熔点低于180℃，则在发光组件1的制造工序中的真空热压工序中，凸起30较大地变形而无法维持充分的厚度。此外，还认为凸起30会从电极28、29溢出。这种情况下，通过从电极28、29溢出的凸起30，妨碍来自发光元件22的光。
凸起30的熔点例如可以使用岛津制作所制DSC-60差示扫描量热计来测量。熔点的测量例如一边将约10mg的试样每分钟5℃地升温一边进行。当固相线温度与液相线温度不同时，考虑将固相线温度的值作为凸起30的熔点。
凸起30的动态硬度DHV为3以上且150以下，优选为5以上且100以下。此外，更优选为5以上且50以下。若凸起30的动态硬度DHV低于3，则在发光组件的制造工序中的真空热压工序中，凸起30较大地变形而无法维持充分的厚度。此外，还认为凸起30会从电极28、29溢出。这种情况下，通过从电极28、29溢出的凸起30，妨碍来自发光元件22的光。另一方面，若凸起30的动态硬度DHV超过150，则认为在发光组件的制造工序中的真空热压工序中，凸起30会使透明膜4变形。这种情况下，会产生发光组件1的外观不良、或发光元件22与导体图案5之间的连接不良。
凸起30的动态硬度DHV例如可以通过使用了岛津制作所制的岛津动态超微硬度计DUH-W201S的试验而求出。在该试验中，在气温为20℃的环境下，将对面角为136°的金刚石正四方锥压头(维氏压头)以负荷速度0.0948mN/秒向凸起30压入。然后，将维氏压头的压入深度(D/μm)达到0.5μm时的试验力(P/mN)代入到下式。
DHV＝3.8584P/D2＝15.4336P
凸起30的高度优选为5μm以上且80μm以下。此外，凸起30的高度更优选为10μm以上且60μm以下。若凸起30的高度低于5μm，则防止导体图案5与发光元件22的P型半导体层26或者导体图案5与N型半导体层24的短路的效果变弱。另一方面，若超过80μm，则认为在发光组件的制造工序中的真空热压工序中，凸起30会使透明膜4变形。这种情况下，会产生发光组件1的外观不良、或发光元件22与导体图案5之间的连接不良。
发光元件22的电极28、29与凸起30的接触面积优选为100μm2以上且15,000μm2以下。此外，发光元件22的电极28、29与凸起30的接触面积更优选为400μm2以上且8,000μm2以下。这些各尺寸是在室温和被测定物的温度成为20℃±2℃的稳定的环境下测量的值。
图4表示导体图案5与发光元件22的连接例。发光元件22的电极28、29分别与相互邻接的导体图案5连接。
1组透明膜4、6、树脂层13、多个发光元件22通过真空热压而一体化。因此，凸起30的至少一部分以未熔解的状态与发光元件22的电极28、29电连接。因此，电极28、29的上表面与凸起30的接触角例如成为135度以下。
发光元件22通过介由电极28、29施加的直流电压而点亮。例如，在发光组件1将7个发光元件22排列为2列而构成的情况下，发光组件1的导体图案5构成7串联2并联电路。在串联连接的发光元件22中，流动的电流在所有发光元件22中成为相同大小。
如上述那样构成的发光组件1的发光元件22具有凸起30。因此，埋设有发光元件22的柔性的发光组件1由于即使按照电极28、29侧变凸的方式弯曲，也能够通过凸起30而确保充分的高度，所以能够防止导体图案5与发光元件22之间的短路。
<制造方法>
接着，对实施方式所述的发光组件1的制造方法进行说明。
首先，准备形成有电极28和电极29(阳极电极和阴极电极或者阴极电极和阳极电极)的发光元件22。
接着，在发光元件22的电极28、29这两者上形成凸起30。由此，完成图2中所示的在电极28、29上形成有凸起30的发光元件22。凸起30的形成方法可以采用使用线凸起加工机由Au线或Au合金线制作金或金合金凸起的方法。所使用的线径优选为15μm以上且75μm以下。
在本实施方式中，使用线接合装置。通过线前端的放电，使线熔融而形成球后，通过超声波将球与电极28、29连接。然后，在球连接到电极28、29上的状态下，将线从球切离。由此，如图5中所示的那样，在电极28、29的上表面上，形成在上端部残留突起的凸起30。
<修整处理>
残留在凸起30的上端部的微小的突起可以直接保留，但也可以根据期望按压凸起30的上表面而进行凸起30的修整处理。
作为一个例子，如图5中所示的那样，在凸起30的上部，残留有在切除线时产生的突起部。该突起部被称为尾部。在将与电极28、29相接的面的直径设为A、将凸起30的高度设为B的情况下，凸起30的形状优选满足B/A＝0.2～0.7。在此，在凸起30的形状偏离该数值范围的情况下，实施修整处理。
图6A至图6C是用于说明使用冲压板500来进行修整处理的图。在形成凸起30后，在凸起接合装置(未图示)上配置发光元件22。然后，如图6A中所示的那样，将设置于凸起接合装置上的冲压板500以其下表面变得与电极28、29平行的状态定位于凸起30的上方。
接着，使冲压板500下降，如图6B中所示的那样，向凸起30的上部按压。此时，冲压板500下降至凸起的高度变成所期望的高度B为止。凸起30的尾部被冲压板500压溃。由此，如图6C中所示的那样，在凸起30的上部形成无突起的连续面。该连续面在凸起30的上端部变得平坦。
上述修整处理也可以介由树脂片对凸起30进行冲压。这种情况下，在冲压板500的下表面安装例如以PET、氟树脂、TPX、烯烃等作为原材料的树脂片501。然后，如图7A中所示的那样，将配置有树脂片501的冲压板500以其下表面变得与电极28、29平行的状态定位于凸起30的上方。
接着，使冲压板500下降，如图7B中所示的那样，将树脂片501向凸起30的上部按压。此时，冲压板500下降至凸起的高度变成所期望的高度B为止。凸起30的尾部被树脂片501压溃。由此，如图7C中所示的那样，在凸起30的上部形成无突起的连续面。通过使用了树脂片501的修整处理而形成于凸起30上的连续面成为在凸起30的上端部也向上凸的曲面。
在使用了树脂片501的修整处理中，例如如图8A中所示的那样，在发光元件22的上方配置安装有树脂片501的冲压板500，同时在发光元件22的下方配置安装有树脂片503的冲压板502。作为这些树脂片501、503，使用其厚度比发光元件22的厚度和凸起30的高度B相加的值大的树脂片。
然后，使冲压板500下降，同时使冲压板502上升，将发光元件22夹入而进行冲压。由此，如图8B中所示的那样，发光元件22变成被埋入到树脂片501、503的内部的状态。此时，发光元件22的凸起30被实施修整处理，成为尾部被压溃的状态。冲压时的冲压板500、502的移动量根据作为目标的凸起30的高度而决定。
接着，结束发光元件22的冲压，将树脂片501、503从发光元件22除去。由此，得到具有形成有由连续的曲面构成的连续面的凸起30的发光元件22。另外，也可以不使用树脂片503，而将发光元件22直接载置在冲压板502上进行冲压。
如上述那样在发光元件22的上表面形成凸起30。并不限定于此，凸起30除了使用焊线机而作为线凸起形成以外，例如也可以通过对电极28、29实施电解镀、非电解镀而形成。此外，通过将包含金属微粒的油墨喷墨印刷到电极28、29上进行烧制，也能形成凸起30。进而，可以通过将包含金属微粒的糊剂印刷或涂布到电极28、29上而形成凸起30，也可以采用球安装、丸片安装、蒸镀溅射等技术而在电极28、29上形成凸起30。此外，凸起30中可以使用金、银、铜、镍等金属、金锡合金等合金、共晶、非晶、软钎料等。
在发光元件22上形成凸起30后，准备在上表面形成有导体图案5的透明膜4。然后，如图9A中所示的那样，在透明膜4的上表面配置具有透光性的树脂片130。树脂片130也可以通过粘接剂而临时附于透明膜4上。
树脂片130以具有热固性及相对于可见光的透射性的树脂作为主要成分。作为树脂片130，例如使用由环氧系树脂构成的片材。该树脂片130被整形为与透明膜4的形状大致相同的形状。
树脂片130优选固化前的最低熔融粘度在10～10000Pa·s的范围内，树脂片130的粘度达到最低熔融粘度时的温度Mp在80～160℃的范围内。树脂片130从室温升温至达到温度Mp为止时，优选树脂片130的熔融粘度变化率为1/1000以下。树脂片130优选通过加热达到最低熔融粘度并固化后的维卡软化温度为80～160℃的范围。树脂片130优选温度为0℃～100℃的范围内的拉伸储能模量为0.01～1000GPa的范围。树脂片130优选玻璃化转变温度为100～160℃。
树脂片130只要具有能够将通过配置发光元件22而产生的透明膜4、6之间的空间充分填埋的厚度即可。在树脂片130的厚度(T)比发光元件22的高度(H)薄的情况下，只要基于它们的差(H－T)来决定树脂片130的厚度即可。
接着，如图9B中所示的那样，在树脂片130的上表面配置发光元件22。发光元件22按照形成有电极28、29的面与透明膜4相对的方式配置。此外，发光元件22按照电极28、29位于对应的导体图案5的上方的方式定位。
接着，如图9C中所示的那样，在发光元件22的上方配置透明膜6。
接着，将由透明膜4、6、树脂片130、发光元件22构成的层叠体在真空气氛中边加热边加压。
真空气氛中的层叠体的加热·加压工序(真空热压接工序)以2阶段的工序进行较佳。
在第1工序中，一边将树脂片130加热至达到温度T1(℃)为止一边进行加压。若将树脂片130的粘度达到最低熔融粘度时的温度(最软化温度)设为Mp(℃)，则温度T1为满足以下的条件式(1)的温度。另外，温度T1优选满足条件式(2)。
Mp－50℃≤T1＜Mp…(1)
Mp－30℃≤T1＜Mp…(2)
此外，也可以设为Mp－10℃≤T1＜Mp。
在第2工序中，一边将树脂片130加热至达到温度T2(℃)为止一边进行加压。温度T2为满足以下的条件式(3)的温度。另外，温度T2优选满足条件式(4)。
Mp≤T2＜Mp+50℃…(3)
Mp+10℃≤T2＜Mp+30℃…(4)
通过应用这样的加热条件，能够以使树脂片130适度软化的状态对层叠体进行加压。此外，能够介由树脂片130将配置在导体图案5上的发光元件22的电极28、29连接于导体图案5的规定的位置，并且在透明膜4与透明膜6之间填充软化后的树脂片130而形成树脂层13。
若第1工序中的温度T1低于条件式(1)中所示的下限值Mp-50℃，则树脂片130的软化变得不充分。其结果是，树脂片130相对于发光元件22的密合性降低，有可能导体图案5与发光元件22的电极28、29的连接变得不充分。
另一方面，若第1工序中的温度T1为条件式(1)的上限值Mp以上，则树脂片130固化。其结果是，树脂片130相对于发光元件22的密合性降低，有可能导体图案5与发光元件22的电极28、29的连接变得不充分。
若第2工序中的温度T2低于条件式(3)中所示的下限值Mp，则树脂片130的固化变得不充分。其结果是，有可能树脂片130相对于发光元件22的密合性降低。
另一方面，若第2工序中的温度T2为条件式(3)中所示的上限值Mp+50以上，则透明膜4、6软化，有可能层叠体整体发生变形。
<热压接工序>
层叠体的真空气氛中的热压接工序优选如以下那样实施。对上述的层叠体进行预加压而使各构成部件间密合。接着，将预加压后的层叠体所配置的作业空间抽真空至真空度达到5kPa为止后，将层叠体加热至上述那样的温度并加压。像这样，通过将预加压后的层叠体在真空气氛中进行热压接，能够如图9D中所示的那样，在透明膜4与透明膜6之间的空间中无间隙地填充软化后的树脂片130。
热压接时的真空气氛优选设定为5kPa以下。虽然也可以省去用于对层叠体进行预加压的预加压工序，但这种情况下，变得容易在层叠体中发生位置偏移等。因此，优选实施预加压工序。
若在大气气氛下或低真空下实施层叠体的热压接工序，则在热压接后的发光组件1内、尤其是发光元件22的周围容易残存气泡。残留在发光组件1内的气泡内部的空气被加压。因此，成为热压接后的发光组件1的膨胀、或者发光元件22与透明膜4、6的剥离的产生原因。进而，若在发光组件1的内部、尤其是发光元件22的附近存在气泡或膨胀，则光不均匀地散射，成为发光组件1的外观上的问题。
如以上那样操作，通过在导体图案5与发光元件22的电极28、29之间夹着树脂片130的状态下实施真空热压接工序，能够将电极28、29与导体图案5电连接，并且在发光元件22的周围形成树脂层13。进而，能够在发光元件22的上表面与导体图案5之间的空间中良好地填充树脂层13的一部分。
通过对层叠体实施上述热压接工序，完成图1中所示的发光组件1。根据本实施方式所述的制造方法，能够再现性良好地制造提高了导体图案5与发光元件22的电极28、29的电连接性和其可靠性的发光组件1。另外，在图9A～图9D中使发光元件22朝下而组装，但也可以朝上而进行制造工序。
本实施方式中，对使用1片树脂片130形成树脂层13的情况进行了说明，但也可以由多个(例如2个)树脂层构成树脂层13。
具体而言，如图10A中所示的那样，在透明膜4的上表面，按照覆盖导体图案5的方式，配置具有热固性的树脂片131。该树脂片131由与树脂片130同等的原材料构成。此外，树脂片131的厚度为发光元件22的凸起30的高度和电极28、29的高度相加的程度的大小。
接着，如图10B中所示的那样，在树脂片131的上表面配置多个发光元件22。发光元件22按照电极28、29与树脂片131相对的方式配置。
接着，如图10C中所示的那样，在发光元件22上，配置具有热固性的树脂片132和透明膜6。该树脂片132也由与树脂片130同等的原材料构成。
接着，如图10D中所示的那样，将由透明膜4、6、树脂片131、132和发光元件22构成的层叠体在真空气氛中加热并加压。通过以上的工序能够制造发光组件1。在该发光组件1中，通过由树脂片131构成的第1树脂层和由树脂片132构成的第2树脂层，形成树脂层13。
此外，此时，也可以以透明膜6作为临时的基体，对整体进行加压而将发光元件22的电极28、29与导体图案5电连接后，将透明膜6及树脂片132剥离，重新张贴具有与剥离的材料相同厚度的树脂片和最终的透明膜而制造发光组件1。
具体而言，从如图10D中所示的那样一体化的由透明膜4、6、树脂片131、132和发光元件22构成的层叠体中，除去透明膜6和树脂片132。然后，也可以重新将除去的透明膜6和树脂片132贴附到树脂片131的表面。
作为构成树脂层13的上述树脂片，也可以使用热塑性树脂。作为热塑性树脂，例如可以使用热塑性弹性体。弹性体为高分子材料的弹性体。作为弹性体，已知有丙烯酸系弹性体、烯烃系弹性体、苯乙烯系弹性体、酯系弹性体、酯系弹性体、氨基甲酸酯系弹性体等。
上述热塑性树脂例如优选维卡软化温度为80～160℃的范围、并且0℃到100℃之间的拉伸储能模量为0.01～10GPa的范围。热塑性树脂优选在维卡软化温度下不熔融，且维卡软化温度下的拉伸储能模量为0.1MPa以上。热塑性树脂优选具有180℃以上的熔解温度、或者比维卡软化温度高40℃以上的熔解温度。关于热塑性树脂，优选树脂层13具有-20℃以下的玻璃化转变温度。
在由热固性树脂片和热塑性树脂片构成树脂层13的情况下，首先，以热固性树脂片和热塑性树脂片夹持发光元件22。然后，以透明膜4、6将热固性树脂片、热塑性树脂片及发光元件22夹持，形成图10D中所示那样的层叠体。然后，将该层叠体进行加压及加热。由此，能够进行导体图案5与发光元件22的电连接、热固性树脂片的热固化、热塑性树脂片向发光元件22的上表面与透明膜4之间的空间中的填充。
导体图案5与发光元件22的电连接、热固性树脂片的热固化、热塑性树脂片的填充也可以分别通过固有的加压·加热工序而进行。此时，也可以兼顾导体图案5与发光元件22的电连接、热固性树脂片的热固化中的一者与热塑性树脂向凹凸中的填充的热工序。
或者，通过加压·加热工序，以各自的最适的温度进行利用热固性树脂的导体图案5与发光元件22的电连接和热固性树脂的热固化后，将热塑性树脂重叠。并且，也可以将该热塑性树脂进行加压·加热，在由热固性树脂和发光元件22构成的凹凸中填充热塑性树脂。
对热塑性树脂进行真空气氛中的加热·加压工序(真空热压接工序)时，例如也可以在按照相对于热塑性树脂的维卡软化温度Mp(℃)成为Mp-10(℃)≤T≤Mp+30(℃)的范围的温度T的方式将热塑性树脂加热的状态下，将层叠体进行加压。此外，温度T也可以为Mp-10(℃)≤T≤Mp+10(℃)的范围。如上所述，利用热固性树脂的导体图案5与发光元件22的电连接、热固性树脂的热固化中的一者与热固性树脂的加热可以同时进行，也可以分别进行。
本实施方式也包含下面的方式。
1)[具有热固性的树脂片为单层的情况]
起始材料为透明膜4/导体图案5/由热固性树脂形成的树脂片130/发光元件22/透明膜6，为通过以下的工序形成的发光组件。对由透明膜4、导体图案5、树脂片130、发光元件22构成的层叠体进行第1加压·加热工序，将发光元件22埋入树脂片130，同时进行发光元件22与导体图案5的连接。接着，对层叠体进行第2加压·加热工序，进行树脂片130的热固化。
2)[具有热固性的树脂片为2层的情况]
起始材料为透明膜4/导体图案5/由热固性树脂形成的树脂片131/发光元件22，为通过以下的工序形成的发光组件。对由透明膜4、导体图案5、树脂片131、发光元件22构成的层叠体进行第1加压·加热工序，通过贯穿树脂片131的凸起30，将发光元件22与导体图案5电连接。接着，对层叠体进行第2加压·加热工序，进行树脂片131的热固化。接着，在层叠体上依次层叠由热固性树脂形成的树脂片132、透明膜6。接着，对层叠体进行第3加压·加热工序，将由热固性树脂形成的树脂片132填充到基底凹凸中。接着，对层叠体进行第4加压·加热工序而使树脂片132固化。
3)[使用热固性树脂片和热塑性树脂片的情况(层叠膜)]
起始材料为透明膜4/导体图案5/由热固性树脂形成的树脂片131/发光元件22，为通过以下的工序形成的发光组件。对由透明膜4、导体图案5、树脂片131、发光元件22构成的层叠体进行第1加压·加热工序，通过贯穿树脂片131的凸起30，将发光元件22与导体图案5电连接。接着，对层叠体进行第2加压·加热工序，进行树脂片131的热固化。接着，在层叠体上依次层叠由热塑性树脂形成的树脂片132、透明膜6。接着，对层叠体进行第3加压·加热工序，将由热塑性树脂形成的树脂片132填充到基底凹凸中。
此外，根据期望，也可以采取下面的构成。
例如，起始材料为透明膜4/导体图案5/由热塑性树脂形成的树脂片131/发光元件22，为通过以下的工序形成的发光组件。对由透明膜4、导体图案5、热塑性树脂片131、发光元件22构成的层叠体进行第1加压·加热工序，通过贯穿热塑性树脂片131的凸起30，将发光元件22与导体图案5电连接。接着，在层叠体上依次层叠由热固性树脂形成的树脂片132、透明膜6。接着，对层叠体进行第2加压·加热工序，将由热固性树脂形成的树脂片132填充到基底凹凸中。根据期望，对层叠体进行第3加压·加热工序，进行由热固性树脂形成的树脂片132的热固化。
另外，在上述的实施方式中，作为发光元件22，使用如图2中所示的那样在单面具有2个电极的发光元件。然而，根据期望，可以使用在发光元件的上表面和下表面各具有1个电极的发光元件(双面电极发光元件)。此外，发光组件1也可以包含在单面具有2个电极的发光元件22和双面电极发光元件这两者。在使用双面电极发光元件的情况下，在透明膜4、6这两者上设置导电图案。在双面电极发光元件中，凸起设置于发光元件的发光面侧的电极上。
在上述的实施方式中，对如图2中所示的那样在单面具有2个电极的发光元件22的电极28、29(焊盘电极)的厚度不同的情况进行了说明。并不限定于此，例如也可以使电极28、29的厚度相同，通过在两者间改变凸起30的直径而使凸起30的表面高度一致。
在电极28、29各自的厚度、及凸起30的直径相等的情况下，电极29的凸起30的顶端变得比电极28的凸起30的顶端低。这种情况下，若通过加压·加热时的压缩，将发光元件22压入至较低侧的凸起30到达导体图案5为止，则能够谋求凸起30与导体图案5的连接。该处理可以在通过热固性树脂片来谋求凸起30与导体图案5的连接的情况、使用热塑性树脂片来进行凸起30与导体图案5的连接的情况这两者下进行。
在上述实施方式中，对例如如图9C或图10C中所示的那样通过将由透明膜4、6、树脂片130、131、132、发光元件22构成的层叠体一体加压而使发光元件22的凸起30与透明膜4的导体图案5电连接的情况进行了说明。发光组件1的制造工序可以进行各种变更。
图11表示热固化前的树脂片的动态粘度(η*)。将热固化前的热固性树脂片的粘弹性曲线以L表示，将热固性树脂片的最低熔融粘度时的温度、即最软化温度(固化温度)以Mp表示。
最软化温度Mp可以采取的值为80～160℃或80～150℃。上限例如基于PET膜的软化温度最大为180℃而决定。最软化温度Mp的更优选的范围为100～130℃，基于容易调整树脂特性(最低熔融粘度、密合性等)而决定。图11中，T1为在形成有导体图案的透明膜上介由热固性树脂片搭载单面2电极的LED芯片而进行热压时的加热·加压温度。T2为在发光元件22与导体图案导通后升温而使热固性树脂热固化时的热固化处理温度。
图11中，A～E的各点表示以下内容。
[A点]：能够配置LED的上限点(临时固定粘度、或临时固定(tack)上限粘度)··将LED配置(安装)在规定的位置(导体图案的连接焊盘的位置)后，在转移至之后的工序时，不会由于树脂的粘性过高(即树脂过于坚固)而临时固定性低所以配置的发光元件(LED)发生脱落、或偏移的上限点。即，为芯片安装上限粘度。
[C点]：能够将LED埋入的上限点(密封粘度、或密封上限粘度)··在将LED埋入的真空热压接工艺中，充分地在LED周边填充树脂的上限点。即，为填充控制上限粘度。
[D点]：能够流动控制的下限点(流动化阻止粘度、或流动化阻止下限粘度)··在将LED埋入的真空热压接工艺中，若树脂的粘度低，则在上升至固化温度时，通过压力而产生流动，树脂流动化而发光元件(LED)的位置偏移，或者在极端的情况下，发生液化从而必要的树脂从膜外形端流出(在设备结构中无法确保必要的树脂厚度)。即，为流动控制的下限粘度。
[E点]：LED能够导通的上限点(加压连接上限粘度)··在热压时，LED的凸起到达导体图案，LED与导体图案的导通可以采取的上限粘度。一般，为热压连接上限粘度。
[B点]：覆盖上述A、C、D、E的限定的下限粘度。··即，为与D点相同的粘度。
在图11中，A、B位于室温Tr、即常温(25℃)上，C、D位于最软化温度Mp上。此外，E点位于贯穿树脂而谋求LED的凸起与导体图案的导通的热压温度T1上。
在图11中，根据本发明人的见解，C和D构成工艺上的闸门。即，以温度T1进行热压后，以温度T2进行热固化时，有在最软化温度Mp下不加压的情况、继续加压的情况、降低加压水平而继续加压的情况等各种方法。因此，作为工艺设计，必须即使在加压下在D点树脂也不流动化。
此外，当从温度T1过渡至T2时，要求即使在最软化温度Mp下树脂也以一定程度柔软。因此，作为树脂的粘弹性特性，必须在最软化温度下，落入C～D的范围内。
此外，作为树脂的粘弹性特性，要求在室温Tr下，落入A～B的范围内，要求在热压温度T1下，为E以下。即，树脂的粘弹性特性曲线优选在工艺设计上落入将ABCD或ABCDE以直线连结而成的区域(即A-B-D-C-A或A-B-D-C-E-A)中。另外，用于LED的导通的热压在原理上在温度T1下在E以下且B、D以上的粘度下进行较佳。
作为实际的值，各点的动态粘度为
A：1,000,000泊··(V1)
C：10,000泊··(V2)
D：500泊··(V3)
E：50,000泊··(V4)
B：500泊。
此外，根据上述内容，C～D的范围成为500～10,000泊，但C～D的范围更优选更容易进行流动控制、能够通过低压力而埋入的2,000～5,000泊较佳。
另外，在不要求密封粘度的情况下，关于热固性树脂的最软化温度的闸门，通过具有与E点相同的粘度且在最软化温度Mp上的F点而成为A～F，通过ABFD或ABEFD来规定区域。
图12A至图12D中示出用于测定的发光组件1的制造工序的一个例子。然而，以下的测定与将LED夹入2片热固化树脂片而进行热压的方式、在厚的热固化树脂片中埋入LED的方式、此外在LED的厚度以下的热固化树脂片中使LED导通且剩余部分用热塑性树脂片埋入的方式等至此为止描述的各种实施方式是共同的。以下，以图12A至图12D的制造工序为例进行说明。
首先，如图12A中所示的那样，在重叠于透明膜4上的厚度约为60μm的树脂片131(热固性树脂片)的上表面，配置发光元件22。接着，在发光元件22上配置透明膜之前，首先，将发光元件22相对于导体图案5例如以真空度5kPa进行真空热压接(热压)。由此，如图12B中所示的那样，发光元件22的凸起30贯穿树脂片131而到达导体图案5，凸起30与导体图案5电连接。
例如在树脂片的最低熔融粘度为3000泊、且树脂片发生固化的温度Mp为130℃的情况下，在上述热压接中，将树脂片加热至约100℃，同时使0.2Mpa的压力作用于发光元件22(LED)。
接着，如图12C中所示的那样，在发光元件22上，配置具有热固性且厚度约为60μm的树脂片132和透明膜6。然后，如图12D中所示的那样，将由透明膜4、6、树脂片131、132和发光元件22构成的层叠体在真空气氛中加热并加压。
例如在树脂片的最低熔融粘度为3000泊、且树脂片发生固化的温度Mp为130℃的情况下，在上述热压接中，将层叠体加热至约140℃，同时使0.2Mpa的压力作用于层叠体。
通过以上的工序，能够制造发光组件1。
图13是表示具有热固性的树脂片130～132的初期状态、即热固化前的动态粘度的图。图13的图表的横轴表示温度(℃)，纵轴表示动态粘度(泊，poise)。图13的各曲线L1～L5表示树脂片的热固化前的粘弹性特性。动态粘度是通过动态粘弹性测定而得到的值。动态粘弹性测定表示对树脂片给予一定的周期性的正弦波应变时的该树脂片的应力。一般，动态粘度越大越坚固，动态粘度越小越柔软。
树脂片例如优选如图12A中所示的那样在载置发光元件22时也以一定程度柔软的树脂片。具体而言，例如该树脂片优选以在使用安装机等装置将发光元件22载置于树脂片上时，发光元件22的凸起30少许陷入树脂片中的程度柔软。若树脂片以一定程度柔软，则通过安装机而搭载的发光元件22成为临时固定于树脂片上的状态。由此，在使搭载有发光元件22的透明膜4移动、或者在透明膜4上重叠透明膜6时，发光元件22也不会相对于树脂片偏移，发光元件22成为精度良好地被定位的状态。
一般，由于利用安装机等的发光元件22的实装在室内温度下进行，所以例如在树脂片为25℃时，树脂片的动态粘度优选为通过点A的虚线之下的1.0E×06泊以下。
由透明膜、树脂片、发光元件等构成的层叠体的热压接在比树脂片达到最低熔融粘度的温度低的温度、即比树脂片开始固化时的温度Mp低的温度下进行。进而，进行了热压接的层叠体根据期望维持被加压至树脂片固化时的温度Mp为止的状态。因此，认为若动态粘度变得过小，则树脂片从透明膜间流动，或者发光元件22的位置与透明膜的流动一起偏移。因此，树脂片的动态粘度优选在温度Mp时为通过点D的虚线之上的500泊以上。即，树脂片的最小动态粘度为500泊以上较佳。
在透明膜4、6例如由厚度为100μm的PET构成的情况下，温度Mp优选比PET的软化温度低。由于PET的软化温度为约180℃，所以温度Mp例如为80～160℃。温度Mp更优选为80～150℃、大概为100℃～130℃。因此，在130℃时，动态粘度为500泊以上较佳。
在由透明膜、树脂片、发光元件等构成的层叠体被热压接的期间，例如必须如图9D、图10D、图12D中所示的那样，在发光元件22的周围无间隙地使树脂片蔓延。因此，树脂片必须在温度Mp时以一定程度软化。因此，树脂片的动态粘度优选在温度Mp时为通过点C的虚线之下的1.0E×04泊以下。因此，在130℃时，动态粘度为1.0E×04泊以下较佳。
本实施方式中，通过将层叠体进行热压接，发光元件22的凸起30贯穿树脂片，到达透明膜的导体图案。因此，在将层叠体进行热压接时，树脂片必须以一定程度软化。在热压接开始后，至对层叠体施加所期望的压力之前，该层叠体大概被加热至100～110℃。因此，树脂片的动态粘度优选在温度约110℃时为通过点E的虚线之下的50000泊以下。
若考虑上述条件，则优选使用具有由下述曲线表示的动态粘弹性特性的树脂片来构成发光组件1的树脂层13，所述曲线为约25℃至约130℃为止的动态粘度的推移包含于图13中由将点A、B、C、D、E连结的直线所规定的区域中的曲线。
例如，在图13中所示的例子中，使用具有以曲线L3、L4表示的动态粘弹性特性的树脂片来构成发光组件1的树脂层13较佳。此外，也可以使用具有以曲线L2表示的动态粘弹性特性的树脂片。这是由于，动态粘弹性特性以曲线L2表示的树脂片在点A～点E处，在树脂层的形成时满足必要的动态粘度的条件。
图14是表示上述的树脂片130、131等固化后的拉伸储能模量的图。如图14中所示的那样，例如具有图13的L2～L3所示的动态粘弹性的树脂片在固化后，从常温以下的温度至达到100℃为止，拉伸储能模量变得恒定而显示稳定的特性。此外，即使是在超过软化温度地被加热的情况下，虽然粘度暂时急剧地降低，但之后拉伸储能模量也变得恒定而成为稳定的特性。因此，通过使用上述的树脂片130、131等，能够提供可靠性高的发光组件1。
热固化后的树脂片的拉伸储能模量在-50～100℃下在1～10GPa的范围内，拉伸储能模量的变化为1位数(10倍)以内。
另外，作为热固性树脂片，除了环氧系树脂以外，同样也可以使用丙烯酸系树脂、苯乙烯系树脂、酯系树脂、氨基甲酸酯系树脂、三聚氰胺树脂、酚醛树脂、不饱和聚酯树脂、苯二甲酸二烯丙酯树脂等，可以相互置换。
另外，图13的动态粘弹性的测定是使用长度为20mm、宽度为7mm、厚度为0.06mm的试样作为测定试样，在拉伸模式、升温速度为2.5℃/min、测定间隔为2.5s、频率为1Hz、温度范围为60～180℃的条件下进行。图14的拉伸储能模量的测定是使用长度为20mm、宽度为7mm、厚度为0.06mm的试样作为测定试样，在拉伸模式、升温速度为2℃/min、测定间隔为3s、频率为2Hz、温度范围为-60～280℃的条件下进行。此外，图14的拉伸储能模量是按照依据上述的JIS K7244-1(ISO6721)的方法而求出的值。
另外，对本发明的几个实施方式进行了说明，但这些实施方式是作为例子而提出的，其意图并非限定发明的范围。这些新颖的实施方式能够以其他各种方式实施，在不脱离发明的主旨的范围内，可以进行各种省略、置换、变更。这些实施方式和其变形包含于发明的范围、主旨中，同时包含于权利要求书中记载的发明和其均等的范围内。
产业上的可利用性
本发明的发光组件适合于显示装置或显示用灯。
符号的说明
1 发光组件
4、6 透明膜
5 导体图案
13 树脂层
22 发光元件
23 基底基板
24 N型半导体层
25 活性层
26 P型半导体层
28、29 电极
30 凸起
130～132 树脂片

Claims (15)

1.一种发光组件的制造方法，其是在第1透光性绝缘体与第2透光性绝缘体之间具有发光元件的发光组件的制造方法，包括以下工序：
在所述第1透光性绝缘体的表面形成导电电路层的工序、
在所述第1透光性绝缘体上配置具有热固性的第1透光性绝缘树脂片的工序、
在所述第1透光性绝缘树脂片上配置发光元件的工序、
在所述发光元件上形成具有热固性或热塑性的第2透光性绝缘树脂片的工序、和
将所述第1透光性绝缘体和所述第2透光性绝缘体、所述第1透光性绝缘树脂片和所述第2透光性绝缘树脂片、所述发光元件进行加热及加压的工序。
2.根据权利要求1所述的发光组件的制造方法，其中，所述第2透光性绝缘树脂片为热固性。
3.根据权利要求1所述的发光组件的制造方法，其中，包括以下工序：
将具有热固性的所述第1透光性绝缘树脂片以比最软化温度低的第1温度进行加热、加压的第1工序、和
将具有热固性的所述第1透光性绝缘树脂片以最软化温度以上的第2温度进行加热的第2工序。
4.根据权利要求3所述的发光组件的制造方法，其中，当将所述第1温度设为T1、将所述第1透光性绝缘树脂片的最软化温度设为Mp时，所述第1温度T1满足条件式Mp－50℃≤T1＜Mp。
5.根据权利要求3所述的发光组件的制造方法，其中，当将所述第2温度设为T2时，所述第2温度T2满足条件式Mp≤T2＜Mp+50。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的发光组件的制造方法，其中，具有热固性的所述第1透光性绝缘树脂片在最软化温度下具有位于密封粘度C与流动化阻止粘度D之间的值，所述值包括C、D，所述密封粘度C为能够将发光元件埋入的上限点，所述流动化阻止粘度D为能够进行流动控制的下限点。
7.根据权利要求6所述的发光组件的制造方法，其中，具有热固性的所述第1透光性绝缘树脂片在常温下具有位于临时固定粘度A与流动化阻止粘度B之间的值，所述值包括A、B，所述临时固定粘度A为能够配置发光元件的上限点，所述流动化阻止粘度B为能够进行流动控制的下限点。
8.根据权利要求7所述的发光组件的制造方法，其中，具有热固性的所述第1透光性绝缘树脂片的特性曲线被所述临时固定粘度A、所述流动化阻止粘度B、所述密封粘度C、所述流动化阻止粘度D包围。
9.根据权利要求8所述的发光组件的制造方法，其中，具有热固性的所述第1透光性绝缘树脂片在加压、加热温度T1下具有加压连接粘度E，其特性曲线被A～E包围，所述加压连接粘度E为发光元件能够导通的上限点。
10.根据权利要求1至5中任一项所述的发光组件的制造方法，其中，具有热固性的所述第1透光性绝缘树脂片具有80～160℃的最软化温度。
11.根据权利要求1至5中任一项所述的发光组件的制造方法，其中，具有热固性的所述第1透光性绝缘树脂片在最软化温度下具有500～10,000泊的粘性。
12.根据权利要求1至5中任一项所述的发光组件的制造方法，其中，具有热固性的所述第1透光性绝缘树脂片在常温下具有500～1,000,000泊的粘性。
13.根据权利要求1至5中任一项所述的发光组件的制造方法，其中，具有热固性的所述第1透光性绝缘树脂片的特性曲线被A：常温下1,000,000泊、B：常温下500泊、C：最软化温度下10,000泊、D：最软化温度下500泊的A～D点包围。
14.根据权利要求1至5中任一项所述的发光组件的制造方法，其中，具有热固性的所述第1透光性绝缘树脂片的特性曲线被A：常温下1,000,000泊、B：常温下500泊、C：最软化温度下10,000泊、D：最软化温度下500泊、E：冲压温度下50,000泊的A～E点包围。
15.根据权利要求1至5中任一项所述的发光组件的制造方法，其中，具有热固性的所述第1透光性绝缘树脂片的热固化后的弹性模量在0～100℃中的变化为10倍以内。
CN201580043739.3A 2014-09-26 2015-09-18 发光组件及发光组件的制造方法 Active CN106575695B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201911343360.0A CN111081854B (zh) 2014-09-26 2015-09-18 发光组件

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-196387 2014-09-26
JP2014196387 2014-09-26
PCT/JP2015/004816 WO2016047134A1 (ja) 2014-09-26 2015-09-18 発光モジュール及び発光モジュールの製造方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911343360.0A Division CN111081854B (zh) 2014-09-26 2015-09-18 发光组件

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106575695A CN106575695A (zh) 2017-04-19
CN106575695B true CN106575695B (zh) 2020-01-21

Family

ID=55580681

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911343360.0A Active CN111081854B (zh) 2014-09-26 2015-09-18 发光组件
CN201580043739.3A Active CN106575695B (zh) 2014-09-26 2015-09-18 发光组件及发光组件的制造方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911343360.0A Active CN111081854B (zh) 2014-09-26 2015-09-18 发光组件

Country Status (5)

Country Link
US (2) US10319891B2 (zh)
EP (1) EP3200250B1 (zh)
JP (3) JP6401285B2 (zh)
CN (2) CN111081854B (zh)
WO (1) WO2016047134A1 (zh)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180055549A (ko) 2016-11-17 2018-05-25 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 및 이의 제조방법
TWI648871B (zh) * 2017-09-22 2019-01-21 台灣愛司帝科技股份有限公司 發光模組的製作方法
JP7338953B2 (ja) * 2018-03-30 2023-09-05 大日本印刷株式会社 自発光型表示体用の封止材シート及びそれを用いた自発光型表示体
JP7117681B2 (ja) * 2018-03-30 2022-08-15 日亜化学工業株式会社 発光モジュールの製造方法及び発光モジュール
JP7243897B2 (ja) * 2018-05-24 2023-03-22 大日本印刷株式会社 自発光型表示体
JP7256939B2 (ja) * 2018-09-03 2023-04-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP7379807B2 (ja) 2018-09-03 2023-11-15 日亜化学工業株式会社 装飾装置及び車両
CN111341743B (zh) * 2018-12-19 2024-04-16 株式会社村田制作所 电子部件
JP2020141102A (ja) * 2019-03-01 2020-09-03 東芝ホクト電子株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
WO2022044708A1 (ja) * 2020-08-27 2022-03-03 京セラ株式会社 表示装置
CN112397491A (zh) * 2020-11-16 2021-02-23 錼创显示科技股份有限公司 微型发光二极管显示元件及其制造方法
JP7368749B2 (ja) * 2021-07-26 2023-10-25 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07122787A (ja) * 1993-09-06 1995-05-12 Sharp Corp チップ部品型ｌｅｄの構造及びその製造方法
JP2008034473A (ja) * 2006-07-26 2008-02-14 Toyoda Gosei Co Ltd 面状光源
JP2010123802A (ja) * 2008-11-20 2010-06-03 Nitto Denko Corp 光半導体封止用シート
JP2011228463A (ja) * 2010-04-20 2011-11-10 Nichia Chem Ind Ltd Ｌｅｄ光源装置及びその製造方法
CN103311404A (zh) * 2012-03-06 2013-09-18 日东电工株式会社 封装片、发光二极管装置及其制造方法
CN103489988A (zh) * 2012-06-11 2014-01-01 日东电工株式会社 封装片、发光二极管装置及其制造方法

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08132672A (ja) * 1994-11-09 1996-05-28 Kyocera Corp 画像装置
EP0921577A4 (en) * 1997-01-31 2007-10-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, SEMICONDUCTOR ELECTROLUMINESCENT DEVICE, AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
JP3685633B2 (ja) * 1999-01-22 2005-08-24 三洋電機株式会社 チップ型発光素子およびその製造方法
JP2004237447A (ja) * 2000-02-08 2004-08-26 Ajinomoto Co Inc 接着フィルム及びこれを用いた多層プリント配線板の製造法
WO2001097582A1 (fr) * 2000-06-15 2001-12-20 Ajinomoto Co., Inc. Film adhesif et procede de fabrication d'un tableau de connexions imprime multicouche
JP3708490B2 (ja) * 2001-09-12 2005-10-19 株式会社東芝 光半導体装置及びその製造方法
JP3884354B2 (ja) * 2002-09-13 2007-02-21 株式会社日立製作所 コネクタと電子部品の一体モールド構造を有する電気・電子モジュール
JP2004237499A (ja) * 2003-02-04 2004-08-26 Nippon Steel Corp 加工部耐食性に優れたプレコート金属板およびこれを用いた金属部品
JP4181897B2 (ja) * 2003-02-26 2008-11-19 三菱樹脂株式会社 半導体装置内蔵多層配線基板及びその製造方法
JP2004335916A (ja) * 2003-05-12 2004-11-25 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
US20090131609A1 (en) * 2005-07-27 2009-05-21 Mitsukazu Ochi Episulfide Group-Substituted Silicon Compound and Thermosetting Resin Composition Containing Same
FR2892594B1 (fr) * 2005-10-21 2007-12-07 Saint Gobain Structure lumineuse comportant au moins une diode electroluminescente, sa fabrication et ses applications
US8217414B2 (en) * 2006-12-28 2012-07-10 Nichia Corporation Light emitting device, package, light emitting device manufacturing method, package manufacturing method and package manufacturing die
JP2009010942A (ja) * 2007-05-29 2009-01-15 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 圧電部品及びその製造方法
US7829389B2 (en) * 2007-10-05 2010-11-09 Texas Instruments Incorporated Roll-on encapsulation method for semiconductor packages
JP5346166B2 (ja) * 2007-12-26 2013-11-20 積水化学工業株式会社 電子部品用接着剤
JP5107886B2 (ja) * 2008-12-24 2012-12-26 日東電工株式会社 光半導体装置の製造方法
EP2475223A4 (en) * 2009-09-04 2015-09-16 Threebond Fine Chemical Co Ltd SEAL FOR AN ORGANIC EL ELEMENT
JP2011089094A (ja) * 2009-10-26 2011-05-06 Nitto Denko Corp 光半導体素子封止用エポキシ樹脂組成物およびその硬化体、ならびにそれを用いた光半導体装置
JP2011096901A (ja) * 2009-10-30 2011-05-12 Kitagawa Ind Co Ltd フレキシブルｌｅｄモジュール及び単体ｌｅｄモジュール
JP5670051B2 (ja) * 2009-12-25 2015-02-18 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
JP5402804B2 (ja) * 2010-04-12 2014-01-29 デクセリアルズ株式会社 発光装置の製造方法
JP5226047B2 (ja) * 2010-08-26 2013-07-03 シャープ株式会社 半導体発光素子の実装方法
JP6166863B2 (ja) * 2010-09-13 2017-07-19 東芝ホクト電子株式会社 発光装置
CN201910421U (zh) * 2010-12-01 2011-07-27 宝创科技股份有限公司 发光二极管装置的平面结构
EP2506301A2 (en) * 2011-03-31 2012-10-03 Yamaichi Electronics Co., Ltd. Luminous-body flexible board and luminous device
JP6029262B2 (ja) * 2011-04-26 2016-11-24 日本メクトロン株式会社 フレキシブル回路体
JP2012241147A (ja) * 2011-05-23 2012-12-10 Shin-Etsu Chemical Co Ltd 難燃性接着剤組成物、それを用いた接着シート及びカバーレイフィルム
JPWO2013069232A1 (ja) * 2011-11-07 2015-04-02 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 配線板とそれを用いた発光装置及びそれらの製造方法
CN103814448B (zh) * 2011-11-29 2015-07-01 夏普株式会社 发光器件的制造方法
JP2013120804A (ja) * 2011-12-06 2013-06-17 Daicel Corp シート状カバリング剤、カバリング方法又は電子デバイスの製造方法
JP6123277B2 (ja) * 2011-12-28 2017-05-10 日立化成株式会社 樹脂組成物、樹脂組成物シート及び樹脂組成物シートの製造方法、金属箔付樹脂組成物シート、ｂステージシート、半硬化の金属箔付樹脂組成物シート、メタルベース配線板材料、メタルベース配線板、ｌｅｄ光源部材、並びにパワー半導体装置
TWI499031B (zh) * 2012-03-22 2015-09-01 Kun Hsin Technology Inc 發光裝置
WO2014050876A1 (ja) * 2012-09-25 2014-04-03 シャープ株式会社 表示装置及び表示装置の製造方法
JP2014107397A (ja) * 2012-11-27 2014-06-09 Nitto Denko Corp 半導体装置の製造方法
JP2014125566A (ja) * 2012-12-26 2014-07-07 Nippon Steel & Sumikin Chemical Co Ltd エポキシシリコーン樹脂組成物
US8928014B2 (en) * 2013-03-15 2015-01-06 Cooledge Lighting Inc. Stress relief for array-based electronic devices
KR101476687B1 (ko) * 2013-10-24 2014-12-26 엘지전자 주식회사 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07122787A (ja) * 1993-09-06 1995-05-12 Sharp Corp チップ部品型ｌｅｄの構造及びその製造方法
JP2008034473A (ja) * 2006-07-26 2008-02-14 Toyoda Gosei Co Ltd 面状光源
JP2010123802A (ja) * 2008-11-20 2010-06-03 Nitto Denko Corp 光半導体封止用シート
JP2011228463A (ja) * 2010-04-20 2011-11-10 Nichia Chem Ind Ltd Ｌｅｄ光源装置及びその製造方法
CN103311404A (zh) * 2012-03-06 2013-09-18 日东电工株式会社 封装片、发光二极管装置及其制造方法
CN103489988A (zh) * 2012-06-11 2014-01-01 日东电工株式会社 封装片、发光二极管装置及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2020127050A (ja) 2020-08-20
CN111081854B (zh) 2023-11-17
WO2016047134A1 (ja) 2016-03-31
JP7085724B2 (ja) 2022-06-17
JP6401285B2 (ja) 2018-10-10
US10777720B2 (en) 2020-09-15
JP2019033264A (ja) 2019-02-28
US10319891B2 (en) 2019-06-11
CN106575695A (zh) 2017-04-19
EP3200250A1 (en) 2017-08-02
EP3200250A4 (en) 2018-03-28
EP3200250B1 (en) 2020-09-02
US20170250330A1 (en) 2017-08-31
CN111081854A (zh) 2020-04-28
US20190252588A1 (en) 2019-08-15
JP6704965B2 (ja) 2020-06-03
JPWO2016047134A1 (ja) 2017-04-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106575695B (zh) 发光组件及发光组件的制造方法
JP6732057B2 (ja) 発光装置の製造方法
CN109119412B (zh) 发光装置及其制造方法
CN107683534B (zh) 发光模块
CN108369980B (zh) 发光模块
CN110323319B (zh) 发光模块及发光模块的制造方法
US10879442B2 (en) Flexible and light-transmissible light-emitting device and method for manufacturing light-emitting device
US20200075874A1 (en) Light emitting apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20211208

Address after: Tokushima County, Japan

Patentee after: NICHIA Corp.

Address before: Hokkaido, Japan

Patentee before: TOSHIBA HOKUTO ELECTRONICS Corp.