JP2001345560A - 配線基板およびその製造方法、並びに電子部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 配線基板本体内に充填樹脂で固定された状態
で収容される電子部品の外部接続部を、容易に充填樹脂
外部に露出できるようにする。 【解決手段】 外部接続部１４の上端（即ち上端部１４
ａ）は第１主面３ａよりも上側にあることから、充填樹
脂４内に埋まり難い。仮に外部接続部１４の上端が埋ま
ってしまっても、充填樹脂４を研磨することにより、第
１主面３ａ側に容易に外部接続部１４を露出させること
ができる。また、素子本体１５の上端は、第１主面３ａ
よりも下側にあるので、第１主面３ａ側において充填樹
脂４を研磨する際に、素子本体１５が削られる畏れが少
ない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、電子部品を内蔵
した配線基板およびその製造方法、並びに、この配線基
板への内蔵に適した電子部品に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、集積回路素子（以下、「ＩＣ
チップ」という）が搭載される配線基板には、ＩＣチッ
プのスイッチングノイズの低減や動作電源電圧の安定化
を図るために、コンデンサ素子を配設することが行われ
ている。しかしコンデンサ素子を配線基板に設ける場
合、ＩＣチップとコンデンサ素子との間の配線長が長く
なるほど配線のインダクタンス成分が増加して、上記目
的を十分には図ることが難しくなることから、コンデン
サ素子はなるべくＩＣチップの近傍に設けるほうが望ま
しい。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】そこで、発明者らは、
配線基板の骨格となる配線基板本体にコンデンサ素子を
内蔵することを考えている。具体的には、配線基板本体
にコンデンサ素子の収容部（貫通孔或いは凹部）を設
け、その中にコンデンサ素子を入れて、充填樹脂で充填
するのである。このとき、コンデンサ素子の外部接続部
（コンデンサ素子を配線に電気的に接続するための導体
部）も充填樹脂に埋もれてしまうことが考えられるが、
その場合には、外部接続部を充填樹脂外部に露出させれ
ばよい。

【０００４】外部接続部を充填樹脂外部に露出させるに
は、硬化後の充填樹脂にレーザやドリルで孔開けする方
法も考えられる。しかし、配線基板本体に内蔵可能な電
子部品は小さいことから、その外部接続部の位置（即
ち、レーザにより孔を開けるべき位置）を探すのは容易
でない。

【０００５】なお、以上の問題は、コンデンサ素子に限
らず、各種の電子部品を配線基板に内蔵する際において
も同様である。本発明は、こうした問題に鑑みて為され
たものであり、配線基板本体内に充填樹脂で固定された
状態で収容される電子部品の外部接続部を、容易に、充
填樹脂外部に露出できるようにすることを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段及び発明の効果】上記課題
を解決するためになされた本発明（請求項１記載）の配
線基板は、第１主面および第２主面を有する板形状をな
し、電子部品を収容可能な収容部を有する配線基板本体
と、充填樹脂により前記収容部内に固定された電子部品
と、該電子部品の外部接続部の上端と接続された上側導
体層を含む配線と、を備えた配線基板であって、前記外
部接続部の上端は、前記第１主面を基準として上側にあ
ると共に、前記電子部品本体の上端は、前記第１主面を
基準として下側にあることを特徴とする。

【０００７】この様に構成された請求項１記載の配線基
板によれば、外部接続部の上端は、第１主面よりも上側
にあることから、充填樹脂内に外部接続部の上端が埋ま
り難い。また仮に埋まってしまっても、充填樹脂を研磨
することにより、第１主面側に容易に外部接続部を露出
させることができる。また、電子部品本体の上端は、第
１主面よりも下側にあるので、第１主面側において充填
樹脂を研磨する際に、電子部品本体が削られる畏れが少
ない。電子部品本体が削られると、その電子部品の電気
的特性が損なわれるなどの不具合が生じるが、その畏れ
が少ない。

【０００８】なお「配線基板本体」には、その基板内部
に導体層（導体パターン）を有するもの、例えば複数の
絶縁層と導体層とが交互に積層されたものも含まれる。
また、第１主面とは、上に向けた場合に電子部品本体お
よび外部接続部との上記の如き関係を有する面をいい、
両面ともがそれに該当する場合は、何れか一方の面を第
１主面とする。

【０００９】さて、請求項１の発明によれば、以上の様
な効果を得ることができるが、外部接続部の上端と電子
部品本体の上端との高さの差が少ないと、電子部品本体
が誤って削られる可能性を完全には無くすことができな
い。また、研磨の際や、その後のメッキ工程の際などに
電子部品本体を覆う充填樹脂に割れや剥がれが生じ、そ
の部分から薬品などが侵入して電子部品本体が侵されて
しまうなど、電子部品本体の保護が不完全となる可能性
もある。

【００１０】こうした不具合を予防するには、外部接続
部の上端が電子部品本体の上端よりもなるべく上方に位
置する方がよく、請求項２記載の様に、外部接続部の上
端が電子部品本体の上端よりも、３０μｍ以上１００μ
ｍ以下、上方に位置するようにすればよい。そうすれ
ば、後述の実験からも分かるように、上記のような不具
合を無くすことができるので好ましい。

【００１１】次に請求項３記載の配線基板においては、
前記第１主面の上方には絶縁層が形成され、前記外部接
続部の直上に、前記絶縁層を貫通するバイアホール導体
が接続されることを特徴とする。

【００１２】この様に構成された請求項３記載の配線基
板によれば、外部接続部の直上に、バイアホール導体が
形成されていることから、ＩＣチップなど配線基板表面
に設けられる素子と、当該内蔵した電子部品との接続経
路が短くなり、ノイズの侵入を抑制するなど、電気的特
性が向上する。なお、上記バイアホール導体の上に更に
バイアホール導体を形成すれば、更にＩＣチップなど配
線基板表面に設けられる素子と、当該内蔵した電子部品
との接続経路を短くすることができるので、配線基板の
電気的特性の向上を一層図ることができる。

【００１３】次に請求項４記載の配線基板においては、
前記収容部は、前記両主面の一方から他方に向けて貫通
する貫通孔であると共に、前記配線は、該電子部品の外
部接続部の下端と接続された下側導体層を有し、前記外
部接続部の下端は、前記第２主面を基準として下側にあ
ると共に、前記電子部品本体の下端は、前記第２主面を
基準として上側にあることを特徴とする。

【００１４】この様に構成された請求項４記載の配線基
板によれば、外部接続部の下端は、第２主面よりも下側
にあることから、充填樹脂内に外部接続部の上端が埋ま
り難い。仮に埋まってしまっても、充填樹脂を研磨する
ことにより、第１主面側に容易に外部接続部を露出させ
ることができる。そして、電子部品本体の上端は、第１
主面を基準として上側にあることから、充填樹脂の第２
主面側を研磨する際に、電子部品本体が削られ損傷する
畏れも少ない。電子部品本体が削られると、その電子部
品の電気的特性が損なわれるなどの不具合が生じるが、
その畏れがない。

【００１５】即ち請求項４の配線基板の構成は、両面に
電子部品の外部接続部を露出させる場合に有効な構成で
ある。また、請求項５の様に、外部接続部の下端が電子
部品本体の下端よりも、３０μｍ以上１００μｍ以下、
下方に位置するようにすれば、第２主面側においても、
請求項２と同様の効果を得ることができる。

【００１６】次に請求項６記載の配線基板においては、
前記外部接続部は、複数の導体層からなり、前記複数の
導体層及び前記上側導体層は同一の材質からなることを
特徴とする。このため、ＩＣチップの半田リフロー時な
どに発生し易い熱応力を緩和でき、断線が生じる可能性
を低くすることができる。

【００１７】次に請求項７記載の配線基板の製造方法
は、第１主面および第２主面を有する板形状をなし、電
子部品を収容可能な収容部を有する配線基板本体の前記
収容部に電子部品を配置する配置工程と、前記電子部品
が収容された前記収容部内に充填樹脂を充填し硬化させ
ることにより、該電子部品を該収容部内に固定する固定
工程と、該固定工程にて硬化された充填樹脂を研磨する
ことにより、前記第１主面側に前記電子部品の外部接続
部を露出させる研磨工程と、前記第１主面側に露出され
た前記外部接続部に接続する配線を、該第１主面の上方
に形成する配線形成工程と、を有する配線基板の製造方
法であって、前記配置工程では、前記外部接続部の上端
が前記第１主面よりも上側に位置すると共に、前記電子
部品本体の上端が該第１主面よりも下側に位置するよ
う、該電子部品を前記収容部に配置することを特徴とす
る。

【００１８】この様な請求項７記載の配線基板の製造方
法によれば、外部接続部の上端が第１主面よりも上側と
なるように電子部品を配設することから、充填樹脂内に
外部接続部の上端が埋まってしまっても、充填樹脂を研
磨することにより、第１主面側に容易に外部接続部を露
出させることができる。また、電子部品本体の上端は、
第１主面よりも下側にあるので、第１主面側において充
填樹脂を研磨する際に、電子部品本体が削られて損傷す
る畏れが少ない。

【００１９】ここで、外部接続部の上端と電子部品本体
の上端との高低差が少ないと、上述（請求項２の説明）
の様に、電子部品本体の保護が不完全となる可能性もあ
る。そこで、収容部内に配置する電子部品としては、請
求項８の様に、外部接続部が電子部品本体から３０μｍ
以上１００μｍ以下、高く形成された電子部品を用いる
と良い。そうすれば、後述の実験からも分かるように、
電子部品本体が誤って削られたり、電子部品本体を覆う
充填樹脂の剥離や割れが発生することを防止できる。ま
た、配置工程において、外部接続部の上端が第１主面よ
りも上側に位置すると共に、電子部品本体の上端が第１
主面よりも下側に位置するように電子部品を配置するこ
とが容易となる。

【００２０】次に請求項９記載の配線基板の製造方法に
おいては、前記研磨工程では、＃３２０以上の研磨布紙
（ＪＩＳ Ｒ６００４に規定）にて、前記充填樹脂を研
磨することを特徴とする。即ち、＃３２０以上の番手
（目の細かさ。番手が高いほど目が細かくなる（ＪＩＳ
Ｒ６００１に規定））の研磨布紙を用いて充填樹脂を
研磨することとすれば、後述の様に、配線基板本体の表
面（第１主面に予め導体層が形成されている場合には、
導体層の表面）にキズが付きにくい。そのため、配線形
成（例えばビルドアップ法による配線形成など）を支障
なく行うことができる。

【００２１】次に請求項１０記載の配線基板の製造方法
においては、前記研磨工程では、＃３２０以上＃６００
以下の研磨布紙にて、前記充填樹脂を研磨することを特
徴とする。即ち、＃３２０以上＃６００以下の番手の研
磨布紙を用いて充填樹脂を研磨することとすれば、請求
項７の発明による効果に加え、後述の様に、配線基板本
体の表面（第１主面）に予め導体層が形成されている場
合であっても、導体層の剥離を生じさせる可能性が少な
い。

【００２２】なお、充填樹脂には、充填樹脂よりも熱膨
張係数が小さいフィラー（例えばＳｉＯ2等）を混合
（樹脂を含む複合材料となる。）しておくと好ましい。
こうすることにより、充填樹脂とフィラーとの複合体と
しての熱膨張係数を精度良くコントロールすることが可
能となる。その結果、例えば、Ｃｕ等にて形成される配
線（導体層）やＳｉ等にて形成されるＩＣチップと配線
基板との間で、熱膨張係数の整合をとり易くなり、配線
基板上に構成される配線パターンの剥がれ等を防止で
き、熱に対する信頼性を向上させることができる。

【００２３】また特に、充填樹脂には、酸化剤に溶解し
難い成分として無機フィラーを含有させるとよい。充填
樹脂の表面は、配線パターンや電子部品との密着性を高
めるために、酸化剤により粗化処理をすることがある。
そこで、酸化剤に溶解し難い成分として無機フィラーを
含有させると、熱膨張係数の調整をすることができるほ
か、充填樹脂の硬化後において無機フィラーが骨材とし
て機能することによって、粗化処理後における充填樹脂
の形状が必要以上に崩れることを防止できる。

【００２４】酸化剤に実質的に溶解しない無機フィラー
としては、特に制限はないが、結晶性シリカ、溶融シリ
カ、アルミナ、窒化ケイ素等がよく、充填樹脂の熱膨張
係数を効果的に下げることができる。これらの無機フィ
ラーを充填材として高い充填率になるように添加し、充
填樹脂の熱膨張係数を４０ｐｐｍ／℃以下（好ましくは
３０ｐｐｍ／℃以下、より好ましくは２５ｐｐｍ／℃以
下、更に好ましくは２０ｐｐｍ／℃以下。尚、下限値と
しては、１０ｐｐｍ／℃以上である。）にすることで、
埋め込まれた電子部品と実装された半導体素子との熱膨
張係数の差に起因する応力集中を少なくすることができ
る。

【００２５】無機フィラーの形状は、充填樹脂の流動性
と充填率とを高くするために、略球状であるとよい。特
にシリカ系の無機フィラーは、容易に球状のものが得ら
れるため、好ましい。充填樹脂の低粘度、高充填率化を
さらに向上達成するためには、粒子の形状の異なる無機
フィラーを２種類以上添加するとよい。

【００２６】無機フィラーのフィラー径は、充填樹脂が
電子部品の電極間の隙間にも容易に流れ込む必要がある
ため、粗径５０μｍ以下のフィラーを使用するとよい。
この粒径の好ましい範囲は、好ましくは３０μｍ以下、
より好ましくは２０μｍ以下、更には１０μｍ以下であ
る。５０μｍを越えると、電子部品の電極間の隙間にフ
ィラーが詰まりやすくなり、充填樹脂の充填不良により
局所的に熱膨張係数の極端に異なる部分が発生する。ま
た、表面を平坦化するために研磨する際に、フィラーが
脱粒して大きな凹部が発生し、その後のメッキによる微
細配線の形成を妨げる。フィラー径の下限値としては、
０．１μｍ以上がよい。これよりも細かいと、充填樹脂
の流動性が確保しにくくなる。好ましくは０．３μｍ以
上、更に好ましくは０．５μｍ以上がよい。充填樹脂の
低粘度、高充填化を達成するためには、粒度分布を広く
するとよい。

【００２７】無機フィラーの表面は、必要に応じてカッ
プリング剤にて表面処理するとよい。無機フィラーの樹
脂成分との濡れ性が良好になり、充填樹脂の流動性を良
好にできるからである。カップリング剤の種類として
は、シラン系、チタン系、アルミニウム系等が用いられ
る。

【００２８】酸化剤に実質的に溶解しない成分として
は、他に硬化促進剤、シリコンオイル、反応性シリコン
ゲル、反応性希釈剤、消泡剤等、改質剤等を用いること
ができる。充填樹脂に熱硬化性樹脂を含む場合は、硬化
剤の添加が必要である。硬化剤の種類に特に制限はない
が、イミダゾール系、アミン系、酸無水物系、ノボラッ
ク樹脂系等を用いると良い。特に熱硬化性樹脂としてエ
ポキシ樹脂を用いた場合は、イミダゾール系、アミン系
や酸無水物系等の液状硬化剤を用いると、充填樹脂の低
粘度化が容易なため、無機フィラー等の充填材を添加す
る際に有効でよい。

【００２９】さて充填樹脂は、少なくとも配線との接触
界面において粗化されているとよい。粗化面の細かい凹
凸が、無電解メッキにより形成される配線との密着性を
高めるアンカー効果を奏するからである。粗化面は、表
面粗度Ｒｚが０．１〜１５μｍになるように調整するの
がよい。好ましくは０．５〜１０μｍ、より好ましくは
１〜８μｍ、更に好ましくは３〜７μｍ、特には５〜７
μｍである．配線は、この粗化面の細かい凹凸に実質的
に食い込んでいるのがよい。配線が凹凸に実質的に食い
込んでいないような徹細な隙間や密着不良部があると、
信頼性試験において配線フクレが発生しやすくなるから
である。

【００３０】無機フィラーを充填樹脂に含有させること
は、充填樹脂に対する粗化後の表面形状（凹凸）を調整
する上でも意義がある。即ち、充填樹脂は、少なくとも
一種類の無機フィラーを含むものであり、且つ、その無
機フィラーの含有量が３５〜６５体積％の範囲（好まし
くは４０〜６０体積％、より好ましくは４０〜５０体積
％）であるとよい。充填樹脂と配線層との界面が形成す
る凹凸の十点平均粗さＲｚが所定の範囲となる様に調製
するとともに、無機フィラーの含有量を所定の範囲に規
定することで、配線層の密着性を得るために必要なアン
カー効果がより効果的に得られるとともに、粗化処理後
の充填樹脂の形状保持を図って、配線層の下部に過大な
大きさの空孔等の潜在的欠陥の発生を抑制できる利点が
ある。

【００３１】そして特に、熱硬化性樹脂とその硬化剤と
少なくとも一種類の無機フィラーとを含む充填樹脂であ
って、その熱硬化性樹脂がビスフェノールエポキシ樹
脂、ナフタレン型エポキシ樹脂及びフェノールノボラッ
ク樹脂から選ばれる少なくとも一種であり、その無機フ
ィラーの含有量が３５〜６５体積％であり、その硬化剤
が酸無水物系の硬化剤である充填樹脂を用いるとよい。
配線層の充填樹脂に対する密着力を向上できるととも
に、耐熱衝撃試験、耐水性試験などの信頼性試験におい
て高い信頼性が得られるからである。

【００３２】次に請求項１１記載の電子部品は、電子部
品本体と、該電子部品本体からはみ出して形成された外
部接続部とを有する電子部品であって、前記外部接続部
は、複数の導体層を積層して形成され、最外層の導体層
の厚みは、内層の導体層の厚みよりも厚いことを特徴と
する。

【００３３】即ち、上記請求項１〜請求項１０の発明に
おいては、外部接続部が電子部品本体からある程度の高
さをもって、はみ出るよう構成される必要があり、その
際には、しかも電子部品本体の大きさと配線基板本体の
厚さとの関係も考慮されなければならない。この条件を
満足するには、電子部品の製造時から、外部接続部の大
きさを予め規定しておくことも考えられるが、それでは
コストが嵩む。

【００３４】そこで、請求項１１の様に、配線基板に内
蔵するための電子部品（即ち、配線基板本体の収容部に
収容するための電子部品）としては、その外部接続部を
複数層（例えば２層）の導体層で形成すると良く、そう
すれば、最外層を形成する際に、その厚さを制御するこ
とによって、容易に、上記条件を満足することができ
る。

【００３５】そして特に、請求項１２に記載の様に、外
部接続部を、電子部品本体から３０μｍ以上１００μｍ
以下、はみ出して形成すると好ましい。請求項１２の電
子部品によれば、後述の実験からも分かるように、電子
部品本体が誤って削られたり、電子部品本体を覆う充填
樹脂の剥離や割れが発生することを防止できる。また、
配置工程において、外部接続部の上端が第１主面よりも
上側に位置すると共に、電子部品本体の上端が第１主面
よりも下側に位置するように電子部品を配置することが
容易となる。

【００３６】次に請求項１３記載の電子部品において
は、前記導体層のうちの最外層は、メッキにより形成さ
れたことを特徴とする。請求項１３の電子部品によれ
ば、最外層をメッキにて形成することとしていることか
ら、その厚さの調整が容易である。

【００３７】なお、請求項１１、１２、１３の発明は、
請求項１４の様にコンデンサ素子に適用することができ
る。また、電子部品の電極の表面は、粗度Ｒｚが０．３
〜２０μｍになるように粗化処理されているとよい。電
子部品の電極の表面の粗度Ｒｚは、０．５〜１．０μｍ
がより好ましく、０．５〜５μｍが更に好ましい。充填
樹脂が電極表面の凹凸に食い込んで、密着性を向上させ
るアンカー効果を奏するからである。粗度Ｒｚの制御に
ついては、特に制約はなく、マイクロエッチング法や黒
化処理等の公知の方法で行えばよい。

【００３８】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施例を図面と
共に説明する。図１（ａ）は、実施例の方法により製造
される配線基板１の内部構成を説明する図である。な
お、本実施例の配線基板１は、分割により複数の回路基
板（縦横約４０ｍｍ×４０ｍｍ）となる多数個取りの配
線基板（縦横約３３０ｍｍ×３３０ｍｍ）である。

【００３９】図１（ａ）に示すように、この配線基板１
においては、厚さ０．８ｍｍ程の、ガラス−エポキシ樹
脂複合材料製の絶縁性基板である配線基板本体３の表裏
の両面（第１主面３ａ及び第２主面３ｂ）には、厚さ約
２５μｍ程度の第１導体層５ａ，５ｂが形成されてい
る。

【００４０】配線基板本体３には、両主面３ａ，３ｂの
一方から他方に貫通する貫通孔９の内壁にメッキが施さ
れた直径約２５０μｍ程度のスルーホール１１が形成さ
れている。このスルーホール１１により、第１主面３ａ
上の第１導体層５ａと第２主面３ｂ上の第１導体層５ｂ
とは相互に接続されている。なお、スルーホール１１の
内部には樹脂が充填されている。

【００４１】また、配線基板本体３には電子部品を配置
する「収容部」としての貫通孔２１（縦横約１２ｍｍ×
１２ｍｍ）が形成されており、その内部には電子部品と
して複数のコンデンサ素子１３（約３．２ｍｍ×１．６
ｍｍ×０．７ｍｍ）が設けられている。コンデンサ素子
１３は、ＢａＴｉＯ₃を主成分とする高誘電体セラミッ
クから成る素子本体（電子部品本体）１５と、Ｃｕから
なる外部接続部１４と、Ｎｉからなる内部電極層（図１
では図示しない）から構成されている。

【００４２】貫通孔２１の内部において、コンデンサ素
子１３は、硬化した充填樹脂４により固定されている。
コンデンサ素子１３は、配線基板１に設けられることと
なるＩＣチップ１６にて発生されるスイッチングノイズ
の抑制や、またＩＣチップ１６に供給すべき動作電源電
圧の安定化などを図るためのものである。

【００４３】そして第１導体層５ａ，５ｂの上には、第
１層間絶縁層１０３ａ，１０３ｂ（厚さ約３０μｍ程
度）が積層され、更に、第１層間絶縁層１０３ａ，１０
３ｂの上には、第２導体層１０５ａ，１０５ｂ（厚さ約
１５μｍ程度。幅約２５μｍ程度）が形成されている。
即ち、この第１導体層５ａ（５ｂ）と第２導体層１０５
ａ（１０５ｂ）とは、第１層間絶縁層１０３ａ（１０３
ｂ）を間に挟んで積層されている。また第１導体層５ａ
（５ｂ）と第２導体層１０５ａ（１０５ｂ）とは、第１
層間絶縁層１０３ａ（１０３ｂ）に形成された開口径約
５０μｍ程度のフィルドビア１０４ａ（１０４ｂ）、１
１５ａ（１１５ｂ）により接続されている。このフィル
ドビア１０４ａ（１０４ｂ）、１１５ａ（１１５ｂ）
は、請求項の「バイアホール導体」に相当する。

【００４４】そして第２導体層１０５ａ，１０５ｂの上
には更に第２層間絶縁層１０７ａ，１０７ｂが積層され
ている。この内、第１主面３ａ側の第２層間絶縁層１０
７ａの上には、破線で示すＩＣチップ１６と配線基板１
の配線とを接続するためフリップチップパッド１１１が
多数形成され、各フリップチップパッド１１１上には、
高温はんだから成る略半球状のフリップチップバンプ１
１２が形成されている。なお第１主面３ａ側の第２層間
絶縁層１０７ａ上において、フリップチップパッド１１
１の周囲には、フリップチップバンプ１１２の形成時
に、フリップチップパッド１１１の周囲に半田が流れ出
すのを防ぐためのソルダレジスト層１０９ａ（厚さ約２
０μｍ程度）が形成されている。

【００４５】一方、第２主面側の第２層間絶縁層１０７
ｂの上には、マザーボードなどの他の配線基板の配線
と、当該配線基板１の配線と接続するためのＬＧＡパッ
ド１１３が多数形成されている。そして、第２主面３ｂ
側の第２層間絶縁層１０７ｂ上において、ＬＧＡパッド
１１３の周囲にもソルダレジスト層１０９ｂが形成され
ている。

【００４６】なお、第１主面３ａ側において第２導体層
１０５ａとフリップチップパッド１１１とは、第２層間
絶縁層１０７ａに形成されたフィルドビア１１７ａによ
り互いに接続されている。そして、第２主面３ｂ側にお
いて、第２導体層１０５ｂとＬＧＡパッド１１３とは、
第２層間絶縁層１０７ｂに形成されたフィルドビア１１
７ｂを介して互いに接続されている。この様に層間接続
にフィルドビアを用いることで、コンデンサ素子の外部
接続部１４とフリップチップパッド１１１を一直線で結
ぶことができる（即ち、スタックトビアを形成でき
る）。そのため、ＩＣチップ１６とコンデンサ素子１３
とを短い距離で結ぶことが可能となり、電気的特性の向
上を図ることが可能となる。

【００４７】配線基板１は後述の各工程を経た後、タイ
シング加工等により分割され、複数の回路基板となる。
さて、本実施例においては、外部接続部１４は、素子本
体１５の一部表面にＣｕにて形成された外部電極層３０
と、この外部電極層３０を覆うようにＣｕにて形成され
た外部接続層３１との２層の導体層から構成されてい
る。即ち、外部接続層３１が、外部接続部１４を構成す
る導体層のうちの最外層を構成している。そして、外部
接続層３１が、外部接続部１４の上端部１４ａおよび下
端部１４ｂを構成している。

【００４８】また、第１導体層５ａもＣｕにより形成さ
れている。この様に電子部品（コンデンサ素子１３）の
外部接続部１４（外部電極層３０および外部接続層３
１）と配線基板１の配線とを同一材料（即ちＣｕ）によ
り形成されることで、ＩＣチップの半田リフロー時など
に発生し易い熱応力を緩和でき、断線が生じる可能性を
低くすることができる。

【００４９】外部接続部１４は、その上端（図１（ｂ）
中、Ａ１で示す）が素子本体１５の上端（Ｃ１で示す）
から５０μｍ程度高く突出するよう形成されている。そ
して、外部接続部１４の上端（Ａ１）は、配線基板本体
３の第１主面３ａを基準面（Ｂ１で示す）として上側に
位置していると共に、素子本体１５の上端（Ｃ１で示
す）は、第１主面３ａを基準面（Ｂ１）として下側に位
置している。

【００５０】また、外部接続部１４は、その下端（図１
（ｂ）中、Ａ２で示す）部分についても、素子本体１５
の下端（Ｃ２で示す）から４５μｍ程度高く突出するよ
う形成されている。そして外部接続部１４の下端（Ａ
２）は、第２主面３ｂを基準面（Ｂ２で示す）として下
側に位置していると共に、素子本体１５の下端（Ｃ２で
示す）は、第２主面３ｂを基準面（Ｂ２）として上側に
位置している。

【００５１】この外部接続部１４は、図２のようにして
形成される。図２（ａ）は、公知のコンデンサ素子を示
す図であり、素子本体１５の内部には、Ｎｉを主成分と
する内部電極３３が設けられている。具体的には、２つ
の外部電極層３０の内、一の外部電極層３０に接続され
た内部電極３３群と、他の外部電極層３０に接続された
内部電極３３群が、ＢａＴｉＯ₃の高誘電体セラミック
を間に介して互い違いに積層されている。

【００５２】この様なコンデンサ素子は、高誘電体セラ
ミックグリーンシート上にＮｉを印刷したものを多数積
み重ねてプレス圧着し、これを焼成した後、外部電極層
３０を印刷し焼き付けることにより、構成される。この
様に内部電極３３に接続された外部電極層３０は、その
まま外部の配線に接続することも可能であるが、その厚
さは薄い（本実施例では約１０μｍ）。そのため、外部
接続部１４を外部電極層３０のみで構成すると、その上
端（Ａ１）を第１主面３ａの上端面（Ｂ１）より高くす
るとともに、素子本体１５の上端（Ｃ１）を第１主面３
ａの上端面（Ｂ１）より低くすることが困難である。

【００５３】そこで、本実施例では、図２（ｂ）に示す
様に、外部電極層３０の上に、更に導体層としての外部
接続層３１を形成する。外部接続層３１は、バレルメッ
キにより、外部電極層３０の表面に形成する。具体的に
は、図２（ａ）に示したコンデンサ素子（外部電極層３
０を含む）の表面を、室温（約２０℃）にて約６０秒間
酸活性化し、２回の水洗を施した後、これを室温（約２
０℃）にて約１５秒間酸浸漬し、さらに２回の水洗を施
す。その後、所定条件（２５℃、２Ａ／ｄｍ²、４時
間）の下、電解メッキ（硫酸銅メッキ）によって、外部
電極層３０の表面に、厚さ約７０μｍのＣｕ層（即ち、
外部接続層３１）を形成し、２回の水洗を行った後、８
０℃にて約１時間乾燥させる。

【００５４】こうして、Ｃｕからなる外部接続層３１が
形成されるが、その結果、外部接続部１４は、その上端
１４ａおよび下端１４ｂにおいて、素子本体１５から５
０μｍ程度突出した状態とされる。なお電解メッキにお
いては、メディアとしてＦｅ球を使用したが、表面にＣ
ｕメッキを施した樹脂ボールを使用するなど様々な方法
をもちいることができる。

【００５５】さて、以上の構成のコンデンサ素子１３を
内蔵した配線基板１を、どの様に製造するか、その方法
について、図３を参照しながら説明する。図３は、１つ
の貫通孔２１の近傍を拡大して示している。図３（ａ）
に示す様に、配線基板本体３としては、予め銅張積層板
の一部として構成されたものを使用すると好ましい。銅
張積層板は、樹脂製の絶縁性基板の両面に銅箔を載せ、
加熱および加圧により、絶縁性基板に銅からなる導体層
２０ａ，２０ｂを積層したものである。なお、配線基板
本体３として、こうした導体層２０ａ，２０ｂが積層さ
れていない絶縁性基板を使用しても良い。

【００５６】そして、この配線基板本体３に、スルーホ
ール１１を構成するための貫通孔９を多数個形成（例え
ばドリルにより）すると共に、コンデンサ素子１３を配
置するための貫通孔２１を形成（例えばパンチングによ
り）する。貫通孔９や、貫通孔２１は、レーザ（ＣＯ
2、ＹＡＧ、エキシマ等）で穿孔することとすれば、径
を小さくすることも可能である。なお、図１（ａ）に示
す他、配線基板１には、多数の貫通孔２１が形成され
る。

【００５７】次に図３（ｂ）に示す様に、電子部品配設
用の貫通孔２１の開口部の一方（第２主面３ｂ側の開口
部２１ａ）を、片面にシリコン系の粘着剤２４を有する
ポリイミドからなるシート材２３で覆う。その際、粘着
剤２４を有する面２３ａが配線基板本体３側に向けら
れ、シート材２３は配線基板本体３に張り付けられる。

【００５８】このとき、粘着剤２４は、貫通孔２１の内
側に露出する。また、配線基板１には多数の貫通孔２１
が形成されているが、これらの開口部２１ａを１枚のシ
ート材２３で覆う。シート材２３で貫通孔２１を塞いだ
後、図３（ｃ）に示す様に、コンデンサ素子１３を、粘
着剤２４を介してシート材２３に粘着するよう、貫通孔
２１の内部に配置する。なお、これが、請求項の「配置
工程」に相当する。

【００５９】この際、コンデンサ素子１３は、その外部
接続部１４の部分にてシート材２３に粘着すると共に、
その素子本体１５とシート材２３との間には充填樹脂４
が流入可能な隙間が形成されるよう配置される。また、
外部接続部１４は互いに反対方向に向いている端部１４
ａ，１４ｂを備えており、各端部１４ａ，１４ｂが夫々
第１主面３ａ側、第２主面３ｂ側に向けられる。ここで
は、第１主面３ａ方向に向けられる端部が上端部１４ａ
であり、第２主面３ｂ側に向けられる端部が下端部１４
ｂである。

【００６０】また、コンデンサ素子１３を貫通孔２１内
に配置する際、コンデンサ素子１３の位置は、次の様に
調整される。即ち、外部接続部１４の上端（図３（ｃ）
中、Ａ１で示す）が第１主面３ａを基準面（Ｂ１で示
す）として上側に位置し、素子本体１５の上端（Ｃ１で
示す）は、第１主面３ａを基準面（Ｂ１）として下側に
位置し、そして、外部接続部１４の下端（Ａ２で示す）
が第２主面３ｂを基準面（Ｂ２で示す）として下側に位
置し、更に、素子本体１５の下端（Ｃ２で示す）が第２
主面３ｂを基準面（Ｂ２）として上側に位置する。この
ような位置関係が形成されるようコンデンサ素子１３を
配設するのである。

【００６１】以上の様にして貫通孔２１の内部にコンデ
ンサ素子１３を配置した状態とした上で、図３（ｄ）の
様に、貫通孔２１の内部に充填樹脂４を注入し、充填樹
脂４を硬化させる。これは、請求項の「固定工程」に相
当する。これにより、配線基板本体３の内部に電子部品
としてのコンデンサ素子１３が埋設されることとなる。
また、コンデンサ素子１３の素子本体１５とシート材２
３との間にも、充填樹脂４が充填される。充填樹脂４を
貫通孔２１に注入した後、硬化させる前には、充填樹脂
４から真空脱泡により気泡を抜く。

【００６２】充填樹脂４を硬化させるには、充填樹脂４
の種類に応じて様々な方法が考えられる。本実施例では
充填樹脂４として熱硬化性のエポキシ系樹脂を使用して
おり、加熱および乾燥により硬化（所謂キュア）させ
る。具体的には、貫通孔２１に充填した充填樹脂４を、
１時間〜３時間程、１００℃〜１２０℃の温度に保つこ
とによってキュアを行う。

【００６３】なお、充填樹脂４には、充填樹脂４よりも
熱膨張係数が小さいフィラー（例えばＳｉＯ２ 等）を
混合しておくと好ましい。こうすることにより、充填樹
脂４とフィラーとの複合体としての熱膨張係数を精度良
くコントロールすることが可能となる。その結果、例え
ば、Ｃｕ等にて形成される配線（導体層）やＳｉ等にて
形成されるＩＣチップ１６と配線基板１との間で、熱膨
張係数の整合をとり易くなり、配線基板１上に構成され
る配線の、熱に対する信頼性を向上させることができる
ことになる。

【００６４】また、シート材２３の表面においてコンデ
ンサ素子１３を正確な位置に載置しても、その後注入さ
れる充填樹脂４に押されることにより、その位置がずれ
たり、傾いたりする可能性がある。そうすると、コンデ
ンサ素子１３の外部接続部１４と配線パターンとの接続
が困難となることも考えられる。

【００６５】そこでコンデンサ素子１３の位置の精度を
上げるには、シート材２３の粘着力を高くした方が好ま
しい。シート材２３として８．８３Ｎ／２５ｍｍの粘着
力を有するものを使用したところ、７．１％のピース
（１ピースあたりコンデンサ素子１３が８個）におい
て、シート材からの剥がれが確認された。このことか
ら、シート材２３として、その粘着力が８．０Ｎ／２５
ｍｍ以上であるものを用いることが望ましいと考えられ
る。この粘着力は、１８０°引きはがし法（ＪＩＳＺ０
２３７）により測定されるものである。また、この単位
［Ｎ／２５ｍｍ］は、幅２５ｍｍのシート材を試料とし
て測定された力を意味する（以下同様）。

【００６６】この様にシート材２３の粘着力が高けれ
ば、コンデンサ素子１３が配置された貫通孔２１に充填
樹脂４を注入する際も、コンデンサ素子１３が動きにく
くなり、その位置の精度を高めることができる。また、
シート材２３は、機械的強度の高いものである方が好ま
しい。シート材２３の強度が低すぎると、その表面にコ
ンデンサ素子１３を載置する際にシート材２３が変形し
コンデンサ素子１３の位置ずれが生じるなどの不具合が
生じるからである。具体的には、シート材２３として
は、その引張強さ（ＪＩＳ Ｚ０２３７）が１００Ｎ／
２５ｍｍ以上であるもの（より好ましくは１５０Ｎ／２
５ｍｍ以上）を用いるとよい。

【００６７】素子本体１５（即ち電子部品本体）とシー
ト材２３との間に充填樹脂４が流入可能な隙間が形成さ
れる様にするには、シート材２３として、シート材２３
の表面の粘着剤２４の厚みが、電極の高さ（後述する）
よりも小さいものを用いた方がよい。たとえば、コンデ
ンサ素子１３（即ち電子部品）として、「電極の高さ」
が３０μｍ〜７０μｍであるものを内蔵させる場合に
は、粘着剤２４の厚さは７０μｍ未満であることが必要
である。粘着剤２４の厚みが７０μｍ以上になると、外
部接続部１４が粘着剤２４に埋まった場合に、充填樹脂
４が流入できる隙間を素子本体１５とシート材２３との
間に確保することが難しくなるためである。

【００６８】また、シート材２３の表面の粘着剤２４の
厚みが小さいと、所定の粘着力が得られ難くなる。その
ため、所定の粘着力を確保するためには、粘着剤２４の
厚みは１５μｍ以上であることが望ましい。つまり、シ
ート材２３としては、粘着剤２４の厚さが１５μｍ以上
７０μｍ未満であるものを用いるとよい。

【００６９】さて充填樹脂４を硬化させた後、次に、シ
ート材２３を、コンデンサ素子１３の外部接続部１４、
充填樹脂４および配線基板本体３（詳しくは、導体層２
０ａ）から除去し、その後、充填樹脂４および配線基板
本体３の各主面３ａ，３ｂを、ベルトサンダーにより研
磨する（図３（ｅ））。これは、請求項の「研磨工程」
に相当する。

【００７０】第１主面３ａ側における充填樹脂４の研磨
によって、外部接続部１４の上端部１４ａが、第１主面
３ａ側から充填樹脂４の外部に露出される。第２主面３
ｂ側からは、シート材２３の除去によって、外部接続部
１４の下端部１４ｂが、充填樹脂４の外部に露出され
る。また、コンデンサ素子１３の素子本体１５は、充填
樹脂４の中に埋没した状態となっている。

【００７１】また、各主面３ａ，３ｂの研磨の際には、
コンデンサ素子１３の周囲に形成した充填樹脂４が平坦
化されると共に、導体層２０ａ，２０ｂの表面と充填樹
脂４の表面との高さが揃えられる。即ち、第１主面３ａ
側において、導体層２０ａと充填樹脂４とが同一平面を
なすと共に、第２主面３ｂ側においても導体層２０ｂと
充填樹脂４とが同一平面をなすこととなる。その結果、
両主面３ａ，３ｂ上には、周知のビルドアップ法によ
り、平坦な導体層および層間絶縁層を形成することが可
能となる。

【００７２】また配線基板本体３として、導体層２０
ａ，２０ｂが積層されていない絶縁性基板を使用した場
合には、研磨の結果、第１主面３ａおよび第２主面３ｂ
の表面と充填樹脂４の表面との高さが揃えられる。即
ち、第１主面３ａと充填樹脂４とが同一平面をなすと共
に、第２主面３ｂと充填樹脂４とが同一平面をなすこと
となる。

【００７３】なお、充填樹脂４の研磨に使用する研磨布
紙は、目の細かさが＃４００のものを使用したが、好ま
しくは＃３２０又は＃３２０よりも目の細かい研磨布紙
を使用すればよく、特に＃３２０以上＃６００以下の研
磨布紙を用いると更に好ましい。理由は次の如くであ
る。

【００７４】即ち表１に示す様に、＃１２０、＃２４０
の研磨布紙にて充填樹脂４の研削を行ったところ、導体
層２０ａ、２０ｂが剥げたり、導体層２０ａ、２０ｂの
表面にキズが見られた。また、＃８００の研磨布紙を用
いたところ、導体層２０ａ、２０ｂにはキズが見られな
かったが、一部に剥げが生じたためである。これは、研
磨布紙の目が細かくなると、樹脂が削れ難くなるにもか
かわらず、その分、金属部分（本実施例では、Ｃｕ）が
相対的に削れ易くなり、導体層に剥離が生じてしまうと
考えられる。

【００７５】

【表１】

【００７６】尚、表１において、○は良好、×は不良を
示す。また本実施例では、シート材２３の粘着剤２４と
してシリコン系のものを使用したが、これは、次のよう
な実験に基づいている。表２は、シート材（基材）と粘
着剤との種々の組み合わせについて、硬化した充填樹脂
４からの剥がし易さ、およびシート材の耐熱性（２００
℃の環境における変形、変質の有無）について調べた結
果を示している。この実験において、充填樹脂４として
はエポキシ樹脂を使用し、これにシリカフィラーを混入
したものを用いた。

【００７７】

【表２】

【００７８】尚、表２において、○は良好、×は不良、
−は未確認であることを示す。表２に示す様に、基材が
ポリエステルまたはポリイミドであると、シート材２３
は耐熱性に優れたものとなり変形や変質がなく、また、
粘着剤がシリコン系である場合には、充填樹脂の硬化後
に剥がし易いことがわかる。

【００７９】本実施例では、シート材２３の基材として
ポリイミドを用い、かつシリコン系の粘着剤２４を用い
ているので、充填樹脂４を熱硬化させる際にシート材２
３に変形がなく、そのためシート材２３上に配置した電
子部品（コンデンサ素子１３）の位置ずれが少なく、高
い位置精度で電子部品を配線基板本体３内に設けること
ができる。また硬化した充填樹脂４からシート材２３を
剥がしやすいため、シート材２３の一部が残渣となって
後のビルドアップ工程に支障をきたすことを防ぐことが
できる。

【００８０】さて、以上の様に各主面３ａ，３ｂ側を研
磨した後、次に図３（ｆ）に示す様に、スルーホール１
１の形成、及び、各主面３ａ，３ｂ上への第１導体層５
ａ，５ｂの形成を行う。第１導体層５ａ，５ｂの形成
は、次の様にして行われる。即ち、貫通孔２１内にコン
デンサ素子１３を内蔵した配線基板本体３全体に、Ｃｕ
にて無電解メッキを施した後、更にＣｕにて電解メッキ
を施すことにより、配線基板本体３全体にパネルめっき
を行う。そして、エッチングによって導体層の不要部分
を除去することにより、第１導体層５ａ，５ｂを形成す
る。

【００８１】なお、パネルめっきの際には、コンデンサ
素子１３の外部接続部１４の露出部分にもメッキが形成
される。即ち、外部接続部１４は、メッキにより、配線
基板１の配線（ここでは、第１導体層５ａ，５ｂ）と接
続されることになる。しかも、その接続は、配線の形成
と同時に実現される。

【００８２】この様にコンデンサ素子１３の外部接続部
１４と導体層との接続をメッキにより行うため、以下の
効果がある。即ち、半田によりコンデンサ素子１３を実
装するときには、半田実装のための受けランドを形成す
るために所定の面積（例えば４６０μｍ×９００μｍ）
を必要とし、コンデンサ素子１３の実装密度を高くする
上での制限となる。これに対して、コンデンサ素子１３
の外部接続部１４と導体層との接続をメッキにより行う
と、受けランドを形成する必要がなく、しかも外部接続
部１４のうち導体層との接続に必要な面積は小さいので
（例えば３００μｍ×１００μｍ）、コンデンサ素子１
３を高密度に実装できる。

【００８３】また、メッキにより配線形成と同時にコン
デンサ素子１３の外部接続部１４と導体層との接続を図
ることができ、半田印刷という工程を省略できるため、
安価に実装可能である。また、半田リフローによるコン
デンサ素子１３のダメージをなくすことができる。

【００８４】また、上記のパネルめっきの際には、貫通
孔９の内周面にもメッキ層を形成し、その後貫通孔９内
部に樹脂を充填し硬化させることにより、スルーホール
１１を形成する（図３（ｆ））。なお、配線基板本体３
に貫通孔９を形成し、内周面にメッキ層を形成し、樹脂
を充填した後、貫通孔を形成し、同様にコンデンサ素子
１３を内蔵しても良い。

【００８５】以上の様な第１導体層５ａ，５ｂの形成
後、第１主面３ａ側及び第２主面３ｂ側において、充填
樹脂４、第１導体層５ａ，５ｂ並びに上端部１４ａ及び
下端部１４ｂの上に、エポキシ樹脂を主成分とするフィ
ルム化された感光性樹脂を貼付する。そして、この感光
性樹脂を露光・現像することにより、上端部１４ａ及び
下端部１４ｂを露出すべき位置にビアホールを形成し、
感光性樹脂を硬化させて、第１層間絶縁層１０３ａ，１
０３ｂを形成する。なお、ビアホールは、第１層間絶縁
層１０３ａ，１０３ｂを感光性のない樹脂で形成した
後、レーザなどを用いて穿設しても良い。

【００８６】さらに、Ｃｕにて無電解メッキおよび電解
メッキを施し、第１層間絶縁層１０３ａ、１０３ｂに形
成したビアホールに導電体を充填すると共に、パネルメ
ッキを行ってメッキ層を形成する。このメッキ層の上に
ドライフィルムを貼り付け、露光現像してエッチングレ
ジストを形成し、メッキ層の内の不要部分をエッチング
により除去する。これにより、第２導体層１０５ａ、１
０５ｂから成る配線が形成される。なお、導体層の形成
には、周知のサブトラクティブ法の他、フルアディティ
ブ法やセミアディティブ法を用いてもよい。

【００８７】以降は、同様にして第２層間絶縁層１０７
ａ，１０７ｂ、フィルドビア１１７ａ，１１７ｂ、フリ
ップチップパッド１１１（ＬＧＡパッド１１３）を順に
形成し、その後ソルダレジスト層１０９ａ，１０９ｂを
形成する。そして、ソルダレジスト層１０９ａから露出
したフリップチップパッド１１１の上には、Ｎｉ−Ａｕ
メッキ層を形成し、更にハンダペーストを塗布しリフロ
ーすることで、フリップチップバンプ１１２を形成す
る。以上、第１導体層５ａ，５ｂ、第２導体層１０５
ａ、１０５ｂなどを形成する工程が、請求項の「配線形
成工程」に相当する。なお、フィルドビア１１７ａ，１
１７ｂの一部は、フィルドビア１１５ａ，１１５ｂ等の
直上に形成される。

【００８８】以上の様にして、図１に示す構造の配線基
板１が完成されるが、ＬＧＡパッド１１３の表面には、
酸化防止のためにＮｉ−Ａｕメッキ層を形成すると良
い。なお、本実施例において、外部接続部１４の上端１
４ａおよび下端１４ｂにおいて、素子本体１５から５０
μｍ程度突出するように形成されるものとして説明した
が、これは発明者らによる試験結果に基づいている。即
ち、外部接続部１４の上端１４ａおよび下端１４ｂにお
ける、素子本体１５からの突出の高さ（以下「電極の高
さ」という）を変え、上記の工程により配線基板の製造
を行ったところ、表３に示す結果が得られた。

【００８９】

【表３】

【００９０】表３は、「電極の高さ」が夫々１０μｍ，
１５μｍ，３０μｍ，６０μｍ，１００μｍ，１２０μ
ｍとされた試料（コンデンサ素子１３）を用いた場合に
おいて、研磨工程後における不具合の発生状況と、第１
導体層５ａ，５ｂを形成するためのメッキ工程後におけ
る不具合の発生状況を示している。

【００９１】研磨工程後における不具合とは、例えば、
素子本体１５が充填樹脂４の外部に露出したり、誤って
研磨されるといったものであるとか、また素子本体１５
を覆っている充填樹脂４が割れるといったものである。
また、メッキ工程後における不具合とは、例えば素子本
体１５を覆っている充填樹脂４の浮き、脱落が発生した
り、或いは電極間の短絡（同じコンデンサ素子１３の外
部接続部１４の間における短絡、又は異なるコンデンサ
素子１３の外部接続部１４の間における短絡）が発生し
たりするといったものである。

【００９２】表３に示す様に、「電極の高さ」が１０μ
ｍである場合、研磨工程により８８％の割合で不具合が
生じた。また、「電極の高さ」が１５μｍである場合
は、研磨工程により６２％の割合で不具合が生じ、そし
て、研磨工程後には問題がなかった物のうちの６％が、
メッキ工程後に不具合を生じた。

【００９３】また「電極の高さ」が１２０μｍである場
合、メッキ工程後に電極間（特に同じコンデンサ素子１
３の外部接続部１４の間）が短絡するという不具合が発
生しやすくなった。これらの結果に対して、「電極の高
さ」が３０μｍ，６０μｍ，１００μｍである試料につ
いては、上記の様な不具合は、研磨工程後においても、
メッキ工程後においても見られなかった。こうしたこと
から、「電極の高さ」を、本実施例では５０μｍとした
のである。

【００９４】以上説明した本実施例の製造方法によれ
ば、以下の効果（１）〜（９）を奏する。 （１）外部接続部１４の上端（即ち上端部１４ａ）は、
第１主面３ａよりも上側にあることから、充填樹脂４内
に外部接続部１４の上端が埋まり難い。仮に埋まってし
まっても、充填樹脂４を研磨することにより、第１主面
３ａ側に容易に外部接続部１４を露出させることができ
る。また、素子本体１５の上端は、第１主面３ａよりも
下側にあるので、第１主面３ａ側において充填樹脂４を
研磨する際に、素子本体１５が削られる畏れが少ない。

【００９５】（２）外部接続部１４の直上に、フィルド
ビア１１５ａ，１１５ｂ（バイアホール導体）が形成さ
れていることから、ＩＣチップなど配線基板表面に設け
られる素子と、当該内蔵した電子部品との接続経路が短
くなり、ノイズの侵入を抑制するなど、電気的特性が向
上する。また、フィルドビア１１５ａ，１１５ｂの更に
直上にフィルドビア１１７ａ，１１７ｂ（バイアホール
導体）が形成されているから、電気的特性が更に向上す
る。

【００９６】（３）外部接続部１４の下端（即ち下端部
１４ｂ）は、第２主面３ｂよりも下側にあることから、
充填樹脂４内に外部接続部１４の上端が埋まり難い。仮
に埋まってしまっても、充填樹脂４を研磨することによ
り、第１主面３ａ側に容易に外部接続部１４を露出させ
ることができる。そして、素子本体１５の上端は、第１
主面３ａを基準として上側にあることから、充填樹脂４
の第２主面３ｂ側を研磨する際に、素子本体１５が削ら
れ損傷する畏れも少ない。

【００９７】（４）＃４００の研磨布紙を用いて充填樹
脂４を研磨したので、配線基板本体３の表面や導体層２
０ａ、２０ｂにキズが付きにくい。そのため、例えばビ
ルドアップ法などの、配線形成を支障なく行うことがで
きる。 （５）＃４００の研磨布紙を用いて充填樹脂４を研磨し
たので、導体層２０ａ、２０ｂの剥離を生じさせる可能
性が少ない。

【００９８】（６）外部接続部１４を複数層（本実施例
では２層）の導体層、即ち外部電極層３０および外部接
続層３１で形成するので、容易に、コンデンサ素子本体
１５からの外部接続部１４の高さを稼ぐことができる。 （７）外部接続層３１（最外層）をメッキにて形成する
こととしていることから、その厚さの調整が容易であ
る。

【００９９】（８）外部電極層３０および外部接続層３
１を同一の材料（Ｃｕ）で形成し、しかも、その材料を
第１配線層５ａ，５ｂ、フィルドビア１０５ａ、１０５
ｂ…などの、配線基板１の内部配線と同一としているこ
とから、熱応力の発生による断線を抑制できる。

【０１００】（９）「電極の高さ」を充分に大きくとっ
たため、素子本体１５が研磨されて損傷したり、充填樹
脂４のうち素子本体１５を覆う部分に割れや剥がれが生
じたりすることがない。また、電子部品１３をシート材
２３の上に配置した際、素子本体１５とシート材２３と
の間には、充填樹脂４が流入するための隙間を充分大き
く形成できることとなり、素子本体１５の表面に充填樹
脂４にて覆われない部分が生じることを防止できる。こ
の様に、素子本体１５の保護を確実に図ることができ、
電子部品１３の電気的特性の信頼性を高めることができ
る。

【０１０１】以上、本発明の一実施例について説明した
が、本発明は上記実施例に限定される物ではなく、例え
ば、以下の様な種々の態様も本発明の技術的範囲に属す
る。例えば、上記実施例では、各貫通孔２１にコンデン
サ素子１３を複数内蔵するものとして図示して説明した
が、これに限らず単数のコンデンサ素子１３を内蔵して
もよい。

【０１０２】また、上記実施例では、収容部として、貫
通孔２１を例にとって説明したが、これに限られるもの
ではなく、凹部に電子部品を収容する場合にも本発明を
適用できる。また、上記実施例では、コンデンサ素子１
３において、その外部接続部１４を、外部電極層３０と
外部接続層３１の２層により形成するものとして説明し
たが、これに限られるものではない。

【０１０３】例えば、図４（ａ）に示す様な構成のもの
でも良く、これは次のようにして構成することができ
る。まず、素子本体２１５の側面に外部電極層２３０を
Ｃｕペーストの印刷により形成する。但し、そのとき、
素子本体２１５の側面においては厚く形成できるが、配
線基板１の配線（例えば第１導体層５ａなど）と接続す
べき部位（図４では上端）においては十分な厚さ（即
ち、素子本体２１５からの高さ）が得られない場合があ
る。そうした場合には、図４（ｂ）の様に、当該部位
に、例えばＣｕペースト２３２を更に付着させ、盛り上
げるようにして、十分な厚みを得るようにする。その
後、図２と共に上述した如く、Ｎｉメッキを施し、外部
接続層２３１（例えば２μｍ程度）を形成する。これに
より、外部接続部２１４の上端部２１４ａを、素子本体
２１５から６０μｍ程度突出して形成する。

【０１０４】Ｃｕペーストを付着させる部位は、上下両
端である必要はなく、図４（ｃ）の様に、片側のみでも
よい。即ち、上記実施例では、外部接続部１４は、その
上端１４ａおよび下端１４ｂにおいて素子本体１５から
充分高く突出するよう形成されたものとして説明した
が、これに限られるものではない。

【０１０５】こうしたコンデンサ素子２１３の場合、こ
れを配線基板１に内蔵するには、図６に示す工程を採用
すればよい。使用する配線基板本体３は、図３（ａ）に
示したものと同様のものである。そして、図３（ａ）と
共に説明した様に、配線基板本体３に、スルーホール１
１を構成するための貫通孔９を多数個形成（例えばドリ
ルにより）すると共に、コンデンサ素子１３を配置する
ための貫通孔２１を形成（例えばパンチングにより）す
る。

【０１０６】そして図６（ａ）に示すように、電子部品
配設用の貫通孔２１の開口部の一方を、片面にシリコン
系の粘着剤２４を有するポリイミドからなるシート材２
３で覆う。なお、この図では、配線基板本体３を裏表反
転させ、第１主面３ａ側の開口部をシート材２３で塞
ぐ。また、その際、上記と同様に、粘着剤２４を有する
面２３ａが配線基板本体３側に向けられ、シート材２３
は配線基板本体３（詳しくは、導体層２０ａ）に張り付
けられる。

【０１０７】この様にシート材２３で貫通孔２１を塞い
だ後、図６（ａ）に示す様に、コンデンサ素子２１３
を、粘着剤２４を介してシート材２３に粘着するよう、
貫通孔２１の内部に配置する。この際、コンデンサ素子
２１３の上下を逆にして、その外部接続部２１４の上端
２１４ａにてシート材２３に粘着すると共に、その素子
本体２１５とシート材２３との間には充填樹脂４が流入
可能な隙間が形成されるよう配置する。しかも、外部接
続部１４の上端（図６（ａ）中、Ａ１で示す）が第１主
面３ａを基準面（Ｂ１で示す）として下側に位置し、素
子本体１５の上端（Ｃ１で示す）は、第１主面３ａを基
準面（Ｂ１）として上側に位置するように、コンデンサ
素子２１３を配置する。

【０１０８】以上の様にして貫通孔２１の内部にコンデ
ンサ素子２１３を配置した状態とした上で、図６（ｂ）
の様に、貫通孔２１の内部に充填樹脂４を注入し、充填
樹脂４を硬化させる。これにより、配線基板本体３の内
部に電子部品としてのコンデンサ素子１３が埋設される
こととなる。また、コンデンサ素子２１３の素子本体２
１５とシート材２３との間にも、充填樹脂４が充填され
る。そして充填樹脂４を貫通孔２１に注入した後、上記
実施例と同様にして、充填樹脂４から真空脱泡により気
泡を抜き、充填樹脂４を硬化させる。また、充填樹脂４
には、上記実施例と同様のものを用いればよい。

【０１０９】充填樹脂４を硬化させた後、次に、シート
材２３を、コンデンサ素子２１３の外部接続部２１４、
充填樹脂４および配線基板本体３（詳しくは、導体層２
０ａ）から除去し、その後、充填樹脂４および配線基板
本体３の各主面３ａ，３ｂを、ベルトサンダーにより研
磨する（図６（ｃ））。

【０１１０】シート材２３の除去によって、第１主面３
ａ側からは、外部接続部２１４の上端部２１４ａが、充
填樹脂４の外部に露出される。また、コンデンサ素子２
１３の素子本体２１５は、充填樹脂４の中に埋没した状
態となっている。なお、このコンデンサ素子２１５の外
部接続部２１４は、配線基板本体３の厚みよりも短いた
め、図６（ｃ）に示す様に、研磨工程後においても第２
主面３ｂ側から外部接続部２１４ｂが露出しない。

【０１１１】そこで、次に図６（ｄ）に示す様に、第２
主面３ｂ側からレーザを照射することにより充填樹脂４
に穴２０４（バイアを形成するための穴）を穿設して、
外部接続部２１４の下端部２１４ｂを充填樹脂４の外部
に露出させる。そして、図６（ｅ）に示す様に、各主面
３ａ，３ｂ上への第１導体層５ａ，５ｂの形成、および
スルーホール１１の形成を行う。これについては、上記
実施例と同様であり、パネルめっきの際には、コンデン
サ素子２１３の外部接続部１４の露出部分にもメッキが
形成されるが、同時に、上記穴２０４にはメッキが充填
される。

【０１１２】第１導体層５ａ，５ｂの形成後の工程につ
いては、上記実施例と同様であるので説明を省略する
が、以上の様にして、図５に示す構成の配線基板を得る
ことができる。なお、図７に示す様に、例えば、ＩＣチ
ップ１６の搭載面側に向く側の端部（図７では上端）に
おいてのみ、素子本体２１５から突出するものとして外
部接続部１４を構成しても良い。この構造の配線基板
は、図６と共に説明した製造工程から「第２主面３ｂ側
におけるレーザによる穴開け」を除いた工程により得る
ことができる。

【０１１３】また、上記実施例では、電子部品として、
コンデンサ素子１３を配線基板に内蔵するものとして説
明したが、これに限らず、チップ状の抵抗体、インダク
タ、フィルタ（ＳＡＷフィルタ、ＬＣフィルタ等）、カ
プラ、ダイプレクサ、アンテナスイッチモジュール等の
受動部品や、トランジスタ、メモリ、ローノイズアンプ
（ＬＮＡ）、ＦＥＴ等の能動部品など、各種の電子部品
を内蔵させてもよい。また、これらのうちで異種の電子
部品同士を同じ貫通孔内に内蔵してもよい。

【０１１４】また、上記実施例の説明においては、図３
（ｄ）に示す様に、第１主面３ａ側（即ち、シート材２
３で貫通孔２１を塞がない開口部の側）から、貫通孔２
１内に充填樹脂４を注入するものとして説明した。しか
し、充填樹脂４の粘性と貫通孔２１内の隙間との関係に
よっては、貫通孔２１内において、充填樹脂４が第２主
面３ｂ側にまで十分行き渡らない可能性がある。貫通孔
２１内における隙間とは、コンデンサ素子１３同士の
間、或いはコンデンサ素子１３と貫通孔２１の内壁との
間、コンデンサ素子１３の素子本体１５と、シート材２
３との間などである。そこで、シート材２３を剥がした
後、開口部２１ａ側からも、充填樹脂４を貫通孔２１内
に注入するとよい。そうすれば、隙間なく、確実に貫通
孔２１に充填樹脂４を充填することができる。

【０１１５】また、上記実施例では、配線基板本体３の
材質として、ガラス−エポキシ樹脂複合材料を用いた
が、これに限られることなく、耐熱性、機械強度、可撓
性、加工の容易さ等を考慮して選択すればよい。従っ
て、例えばガラス織布、ガラス不織布などのガラス繊維
と、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂等の樹脂
との複合材料であるガラス繊維−樹脂複合材料を用いる
ことができる。また、ポリイミド繊維などの有機繊維と
樹脂との複合材料、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３次
元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂等の樹脂を含
浸させた樹脂−樹脂複合材料などを用いることができ
る。

【０１１６】また、配線基板本体としては、導体層（導
体パターン）が内蔵されている多層基板を用いてもよ
い。例えば、図８に示す配線基板の配線基板本体３０３
の内部には、導体層３０５ａ，３０５ｂが形成されてい
る。この配線基板本体３０３は、例えば図９の様な手順
により得ることができる。

【０１１７】まず、図９（ａ）に示す様な銅張積層板を
用意する。これは、例えば、ＢＴ樹脂、ＦＲ−４、ＦＲ
−５などからなる絶縁基板３０６の両面に銅を積層して
導体層３０５ａ、３０５ｂを形成したものである。この
絶縁基板３０６の両面に形成された銅製の導体層３０５
ａ、３０５ｂをエッチングすることにより、所要のパタ
ーンを形成する（図９（ｂ）参照）。

【０１１８】次に銅張積層板の両面を粗化し、図９
（ｃ）に示す様に、両面に絶縁材３０７ａ，３０７ｂを
ラミネートする。絶縁材３０７ａ、３０７ｂは、上記の
絶縁基板３０６を構成する樹脂とは異なる材料であって
も同じ材料であってもよく、例えばエポキシ樹脂など、
種々の樹脂のものを使用できる。この様にして、内部に
導体層３０５ａ，３０５ｂを有する配線基板本体３０３
を得ることができる。

【０１１９】次に、図９（ｄ）に示す様に、ビアを形成
するための穴部３０８を絶縁材３０７ａ，３０７ｂにレ
ーザで形成したり、スルーホールを形成するためのスル
ーホール貫通孔３０９をレーザやドリルにより形成す
る。次に図９（ｅ）に示す様に、パネルめっきを施すこ
とにより、絶縁材３０７ａ，３０７ｂの表面、穴部３０
８の内面およびスルーホール貫通孔３０９の内周面に、
Ｃｕからなるメッキ層３１２を形成し、そして、図９
（ｆ）に示すように、スルーホール貫通孔３０９の内部
には、シリカフィラーを含有するエポキシ樹脂などの穴
埋樹脂３１４を充填し、硬化させる。この穴埋樹脂３１
４は、絶縁材３０７ａ，３０７ｂの表面のメッキ層３１
２と略同一面を形成するように研磨する。

【０１２０】電子部品を内蔵するためには、図９（ｇ）
に示す様に、電子部品配置用貫通孔３２１を形成し、こ
の電子部品配置用貫通孔３２１の開口部をシート材２３
で塞ぐ。そして図５と共に説明した手順によって、電子
部品を配線基板本体３０３に内蔵でき、更にビルドアッ
プ層を形成することができる。

【０１２１】また、例えば図１０に示す様に、予め内部
に導体層４０５ａ，４０５ｂを有する配線基板本体４０
３を用いてもよい。これを用いて図８と略同様な配線基
板を得るには、まず図１０（ａ）に示す配線基板本体４
０３に、スルーホール貫通孔４０７やビア形成用の穴部
（図示せず）などを形成する（図１０（ｂ））。次にパ
ネルめっきにより配線基板本体４０３の両面およびスル
ーホール貫通孔４０７の内周面にメッキ層４０９を積層
し（図１０（ｃ））、そしてスルーホール貫通孔４０７
の内部に穴埋樹脂４１１を充填する（図１０（ｄ））。
そして更に、電子部品配置用貫通孔４２１を形成する
（図１０（ｅ））。この後、電子部品配置用貫通孔３２
１の開口部をシート材で塞ぎ、図５と共に説明した手順
によって、電子部品を配線基板本体４０３に内蔵でき、
更にビルドアップ層を形成することができる。

【０１２２】以上の様に、配線基板本体として、導体層
が内蔵されているものを用いると、配線基板本体の上に
積層すべき導体層の数を減らすことができる。例えば、
図１では、配線基板本体の両主面の上に導体層を３層ず
つ積層したものを示したが、これに対し、配線基板本体
として導体層を内蔵したものを用いた場合には、図８に
示す様に、両主面の上に積層すべき導体層の数が２層ず
つに減少している。

【０１２３】そのため、電子部品とＩＣチップとの間の
導通経路を短くすることができ、ループインダクタン
ス、スイッチングノイズ、クロストークノイズなどの低
減、即ち、配線基板の電気的特性の向上を図ることが可
能となる。また、スルーホール貫通孔が配線基板本体を
貫通し、配線基板本体の両主面の上に積層すべき導体層
の数が２層ずつになっていることから、スタックトビア
（積み上げビア）を形成する必要がなくなる。そして、
スタックトビアが不要となるため、フィルドビア（導体
で完全に充填されたビア）を形成する必要がなくなり、
コンフォーマルビア（導体で完全には充填されないビ
ア）で足りることになるので、ビアの形成にかかるコス
トを抑制することができる。

【０１２４】なお、図８では、配線基板本体３０３の両
主面上に２層の導体層を積層するものとして示したが、
その層数はこれに限定されない。また、配線基板本体３
０３の内部には２層の導体層３０５ａ，３０５ｂを有す
るものとして説明したが、その層数はこれに限定される
ものではない。

【０１２５】さて、上記実施例では、研磨布紙で充填樹
脂４を研磨するものとして説明したが、研磨布紙以外の
手段を用いても良いことは明らかである。また、上記実
施例では、第１層間絶縁層１０３ａ，１０３ｂ、第２層
間絶縁層１０７ａ，１０７ｂとしてエポキシ樹脂を主成
分とするものを用いたが、耐熱性、パターン成形性等を
考慮して適宜選択すればよい。例えば、ポリイミド樹
脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂、連続気孔を有するＰＴＦＥ
など３次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂等の
樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料などを用いること
ができる。

【０１２６】また、上記実施例では、第１導体層５ａ，
５ｂ、第２導体層１０５ａ，１０５ｂ等を無電解Ｃｕメ
ッキ及び電解メッキによって形成したが、他の材質、例
えばＮｉ，Ｎｉ−Ａｕ等によって形成しても良く、さら
には、メッキによらず、導電性樹脂を塗布するなどの手
法によって形成しても良い。

【０１２７】また、上記実施例では、ＩＣチップ１６と
の接続のために、配線基板上面にフリップチップパッド
１１１やフリップチップバンプ１１２を多数設けた。し
かし、ＩＣ接続端子としては、接続するＩＣチップに形
成された端子に応じて、適切な形態のものを使用すれば
良く、フリップチップバンプを形成したものの他、フリ
ップチップパッドのみのもの、或いはワイヤボンディン
グパッドやＴＡＢ接続用のパッドを形成したものなどが
挙げられる。また、フリップチップバンプの半田には、
Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ｓ
ｂ、Ｓｎ−Ｚｎ系等の半田を使用できる。

【０１２８】また、上記実施例では、コンデンサ素子１
３の素子本体１５にＢａＴｉＯ₃を主成分とする高誘電
体セラミックを用いたが、この材質に限定されず、例え
ば、ＰｂＴｉＯ₃、ＰｂＺｒＯ₃、ＴｉＯ₂、ＳｒＴｉ
Ｏ₃、ＣａＴｉＯ₃、ＭｇＴｉＯ₃、ＫＮｂＯ₃、ＮａＴｉ
Ｏ₃、ＫＴａＯ₃、ＲｂＴａＯ₃、（Ｎａ_1/2Ｂｉ_1/2）Ｔ
ｉＯ₃、Ｐｂ（Ｍｇ_1/2Ｗ_1/2）Ｏ₃、（Ｋ_1/2Ｂｉ_1/2）Ｔ
ｉＯ₃などが挙げられ、要求されるコンデンサの静電容
量その他に応じて適宜選択すればよい。

【０１２９】また、外部接続部１４には、Ｃｕを使用し
たが、素子本体１５の材質等との適合性を考慮して選択
すれば良く、例えば、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｔ、
Ａｇ−Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ等が挙げられる。さらに、高誘
電体セラミックを主成分とする誘電体層や Ａｇ−Ｐｄ
等から成る電極層と、樹脂やＣｕメッキ、Ｎｉメッキ等
から成るビア導体や配線層とを複合させてコンデンサと
して構成したものを用いることもできる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施例の配線基板の構成を示す説
明図である。

【図２】 コンデンサ素子の構成を示す説明図である。

【図３】 配線基板の製造方法を示す説明図である。

【図４】 コンデンサ素子の他の構成例を示す説明図で
ある。

【図５】 本発明の他の実施例の配線基板の構成を示す
図である。

【図６】 図５の構成を有する配線基板の製造方法を示
す説明図である。

【図７】 本発明の他の実施例の配線基板の構成を示す
図である。

【図８】 配線基板本体の変形例を説明する図である。

【図９】 変形例の配線基板本体の製造方法を示す図で
ある。

【図１０】 配線基板本体の別の変形例を示す図であ
る。

【符号の説明】

１…配線基板 ３，３０３，４０３…配線基板本体 ３ａ…第１主面 ３ｂ…第２主面 ４…充填樹脂 ５ａ，５ｂ…第１導体層（配線） １３，２１３…コンデンサ素子（電子部品） １４，２１４…外部接続部 １５，２１５…素子本体（電子部品本体） ２１，３２１，４２１…貫通孔 ２１ａ…開口部 ２３…シート材 ２４…粘着剤 ３０，２３０…外部電極層 ３１，２３１…外部接続層 １０５ａ，１０５ｂ…第２導体層（配線） １１１…フリップチップパッド（配線） １１５，１１７…フィルドビア（配線）

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１主面および第２主面を有する板形状
   をなし、電子部品を収容可能な収容部を有する配線基板
   本体と、 充填樹脂により前記収容部内に固定された電子部品と、 該電子部品の外部接続部の上端と接続された上側導体層
   を含む配線と、 を備えた配線基板であって、 前記外部接続部の上端は、前記第１主面を基準として上
   側にあると共に、 前記電子部品本体の上端は、前記第１主面を基準として
   下側にあることを特徴とする配線基板。
2. 【請求項２】 前記外部接続部の上端は前記電子部品本
   体の上端よりも、３０μｍ以上１００μｍ以下上方に位
   置することを特徴とする請求項１記載の配線基板。
3. 【請求項３】 前記第１主面の上方には絶縁層が形成さ
   れ、 前記外部接続部の直上に、前記絶縁層を貫通するバイア
   ホール導体が接続されたことを特徴とする請求項１又は
   ２記載の配線基板。
4. 【請求項４】 前記収容部は、前記両主面の一方から他
   方に向けて貫通する貫通孔であると共に、 前記配線は、該電子部品の外部接続部の下端と接続され
   た下側導体層を有し、前記外部接続部の下端は、前記第
   ２主面を基準として下側にあると共に、 前記電子部品本体の下端は、前記第２主面を基準として
   上側にあることを特徴とする請求項１〜３の何れか一項
   記載の配線基板。
5. 【請求項５】 前記外部接続部の下端は前記電子部品本
   体の下端よりも３０μｍ以上１００μｍ以下下方に位置
   することを特徴とする請求項４記載の配線基板。
6. 【請求項６】 前記外部接続部は、複数の導体層からな
   り、前記複数の導体層及び前記上側導体層は同一の材質
   からなることを特徴とする請求項１〜５の何れか一項記
   載の配線基板。
7. 【請求項７】 第１主面および第２主面を有する板形状
   をなし、電子部品を収容可能な収容部を有する配線基板
   本体の前記収容部に電子部品を配置する配置工程と、 前記電子部品が収容された前記収容部内に充填樹脂を充
   填し硬化させることにより、該電子部品を該収容部内に
   固定する固定工程と、 該固定工程にて硬化された充填樹脂を研磨することによ
   り、前記第１主面側に前記電子部品の外部接続部を露出
   させる研磨工程と、 前記第１主面側に露出された前記外部接続部に接続する
   配線を、該第１主面の上方に形成する配線形成工程と、 を有する配線基板の製造方法であって、 前記配置工程では、前記外部接続部の上端が前記第１主
   面よりも上側に位置すると共に、前記電子部品本体の上
   端が該第１主面よりも下側に位置するよう、該電子部品
   を前記収容部に配置することを特徴とする配線基板の製
   造方法。
8. 【請求項８】 前記配置工程では、前記外部接続部が前
   記電子部品本体から３０μｍ以上１００μｍ以下高く形
   成された電子部品を、前記収容部内に配置することを特
   徴とする請求項７記載の配線基板の製造方法。
9. 【請求項９】 前記研磨工程では、＃３２０以上の研磨
   布紙にて、前記充填樹脂を研磨することを特徴とする請
   求項７又は８記載の配線基板の製造方法。
10. 【請求項１０】 前記研磨工程では、＃３２０以上＃６
    ００以下の研磨布紙にて、前記充填樹脂を研磨すること
    を特徴とする請求項７又は８記載の配線基板の製造方
    法。
11. 【請求項１１】 電子部品本体と、該電子部品本体から
    はみ出して形成された外部接続部とを有する電子部品で
    あって、 前記外部接続部は、複数の導体層を積層して形成され、
    最外層の導体層の厚みは、内層の導体層の厚みよりも厚
    いことを特徴とする電子部品。
12. 【請求項１２】 前記外部接続部は、前記電子部品本体
    から３０μｍ以上１００μｍ以下はみ出して形成された
    ことを特徴とする請求項１１記載の電子部品。
13. 【請求項１３】 前記最外層は、メッキにより形成され
    たことを特徴とする請求項１１又は１２記載の電子部
    品。
14. 【請求項１４】 前記電子部品は、コンデンサとして構
    成されたことを特徴とする請求項１０〜１３の何れか一
    項記載の電子部品。