JPH11330698A - 多層プリント配線板及び多層プリント配線板の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 コア基板に形成されるスルーホールを高密度
化することで、ビルドアップ層の層数を減らし得る多層
プリント配線板及び多層プリント配線板の製造方法を提
供する。 【解決手段】 スルーホール３６のランド３６ａ上にバ
イアホール６０を設けることで、コア基板３０に配設す
るスルーホール３０の数を増大する。ここで、ランド３
６ａの半径をスルーホール用通孔１６の半径よりも８５
μｍ大きくする。これは、バイアホール径３０μｍ、ラ
ンド３６ａに対するバイアホール用開口の誤差±１５
（合計３０）μｍ、通孔１６に対するランドの誤差２５
μｍであるからである。これにより、ランド３６ａ上に
バイアホール６０を配設することが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、多層プリント配
線板に関し、とくに、層間樹脂絶縁層と導体層とが交互
に積層されたビルドアップ配線層が、コア基板の両面に
形成されてなる多層プリント配線板に関するものであ
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、ＩＣチップを実装するパッケージ
基板は、電子工業の進歩に伴う電子機器の小型化あるい
は高速化に対応し、ファインパターンによる高密度化お
よび信頼性の高いものが求められている。このようなパ
ッケージ基板として、１９９７年．１月号の「表面実装
技術」やＰＣＴ／ＪＰ９６／０２６０８号には、多層コ
ア基板の両面にビルドアップ多層配線層が形成されたも
のが開示されている。

【０００３】上掲の従来技術に係るパッケージ基板で
は、多層コア基板内の導体層とビルドアップ配線層との
接続は、多層コア基板の表面にスルーホールから配線し
た内層パッドを設け、この内層パッドにバイアホールを
接続させて行っていた。即ち、図１０（Ａ）に示すよう
にスルーホール２１６のランド２２６ａに上層へのバイ
アホール接続用の内層パッド２２６ｂを付加するか、或
いは、図１０（Ｂ）に示すようにスルーホール２１６の
ランド２２６ａに配線２２６ｃを介してバイアホール接
続用の内層パッド２２６ｂを連結していた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図１０
（Ａ）又は図１０（Ｂ）に示す従来技術のランド形状で
は、内層パッド相互の絶縁を保つためにスルーホール間
隔が広がり、多層コア基板へのスルーホールの形成数を
制限していた。

【０００５】一方、パッケージ基板では、表面側のバン
プの数よりも裏面のバンプが多く形成されている。これ
は、裏面の複数のバンプからの配線が統合されながら表
面側のバンプへ接続されるためである。例えば、信号線
に対して低抵抗であることの要求される電源線は、裏面
のバンプ（マザーボード側）にて２０本であったもの
が、表面（ＩＣチップ側）では、１本に統合される。

【０００６】ここで、コア基板の表側に形成されるビル
ドアップ配線層と、裏側に形成されるビルドアップ配線
層とで、同じペースで配線を統合できることが、上層の
ビルドアップ配線層と下層のビルドアップ配線層との層
数を等しく、即ち、層数を最小にする上で望ましい。し
かしながら、上述したように多層コア基板に形成し得る
スルーホールの数は制限される。このため、従来技術の
パッケージ基板においては、裏側のビルドアップ配線層
において或る程度配線を統合してから、多層コア基板の
スルーホールを通して、表側のビルドアップ配線層へ接
続していた。即ち、表側のビルドアップ配線層では、配
線の密度が下がっているため、本来的に裏側のビルドア
ップ配線層と同じだけの層数を必要としていない。しか
し、表裏のビルドアップ配線層の層数を異ならしめる
と、非対称性から反りが発生するため、表裏の層数を同
じにしていた。即ち、多層コア基板に形成されるスルー
ホールの数が制限されるため、裏側のビルドアップ配線
層の層数を増やさなければならないのに加えて、該層数
の増えた裏側と等しい層数に表側のビルドアップ配線層
を形成せねばならなかった。

【０００７】即ち、従来技術の多層プリント配線板（パ
ッケージ基板）においては、ビルドアップ層の層数を増
やしている為、上下層の接続の信頼性が低下すると共
に、パッケージ基板のコストが上昇し、また、パッケー
ジ基板の厚みや重さが必要以上に大きくなってしまうと
いう問題があった。

【０００８】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、その目的とするところは、コア基
板に形成されるスルーホールを高密度化することで、ビ
ルドアップ層の層数を減らし得る多層プリント配線板及
び多層プリント配線板の製造方法を提供することにあ
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】請求項１の多層プリント
配線板においては、層間樹脂絶縁層と導体層とが交互に
積層され、各導体層間がバイアホールにて接続されたビ
ルドアップ配線層が、コア基板の両面に形成されてなる
多層プリント配線板において、前記コア基板に形成され
たスルーホールに円形のランドが形成され、該ランドに
バイアホールが接続されていることを技術的特徴とす
る。

【００１０】また、請求項２の多層プリント配線板は、
請求項１において、前記スルーホールの半径が１７５μ
ｍ以下で１２５μｍ以上であり、前記ランドの半径が前
記スルーホールの半径よりも７５μｍ〜１７５μｍ大き
いことを技術的特徴とする。

【００１１】請求項３の多層プリント配線板の製造方法
においては、（ａ）多面取り用の基板にドリルでスルー
ホール用の通孔を穿設する工程、（ｂ）前記通孔内に金
属膜を形成する工程、（ｃ）前記通孔の開口部にランド
を形成する工程、（ｄ）前記基板に層間樹脂絶縁層とな
る樹脂を塗布する工程、（ｅ）前記ランドに対して位置
合わせを行い、前記ランドの上に３５μｍ以下の開口を
前記樹脂に形成する工程、（ｆ）前記開口に金属膜を形
成しバイアホールとする工程、を含み、前記ランドの半
径を、前記通孔の半径と、前記通孔に対するランドの誤
差範囲と、開口径と、前記ランドに対する開口の誤差範
囲とを合わせた値以上であって、７００μｍ以下に設定
したことを技術的特徴とする。

【００１２】請求項４の多層プリント配線板の製造方法
は、請求項３において、前記ランドの半径を２００μｍ
〜３５０μｍに設定したことを技術的特徴とする。

【００１３】請求項１の多層プリント配線板において
は、スルーホールのランド上にバイアホールを設け、該
ランドにバイアホール接続用のパッドを付加しないた
め、コア基板に配設するスルーホールの数を増やすこと
ができる。

【００１４】請求項２の多層プリント配線板では、スル
ーホールの半径が１７５μｍ以下で１２５μｍ以上であ
る。１７５μｍを越えるとコア基板へのスルーホールの
配設数が少なくなり、１２５μｍ未満では、ドリルによ
る形成が困難なためである。他方、ランドの半径がスル
ーホールの半径よりも７５μｍ〜１７５μｍ大きい。こ
れは、技術的に可能な最小値は、バイアホール径２５μ
ｍ、ランドに対するバイアホール用開口の誤差±１２．
５（合計２５）μｍ、通孔に対するランドの誤差２５μ
ｍであり、これらの合計が７５μｍだからである。他
方、経済的に量産し得る最小値は、バイアホール径３５
μｍ、ランドに対するバイアホール用開口の誤差±２０
（合計４０）μｍ、通孔に対するランドの誤差１００μ
ｍであり、これらの合計が１７５μｍであるからであ
る。即ち、スルーホールの半径よりも７５μｍ〜１７５
μｍ大きくランドを形成することで、ランド上にバイア
ホールを配設することが技術的及び経済的に可能とな
る。

【００１５】請求項３の発明では、ランドの半径を、通
孔の径と、通孔に対するランドの誤差範囲と、開口径
と、前記ランドに対する開口の誤差範囲とを合わせた値
以上に設定することで、ランドの上にバイアホールを形
成することが可能になる。ここで、ランド径を７００μ
ｍ以下にすることで、従来技術のランドにバイアホール
配設用のランドを付加する構成と比較して、スルーホー
ルの配設密度を高めることができる。

【００１６】請求項４の発明では、ランドの半径を２０
０〜３５０μｍに設定してある。これは、技術的可能な
最小値は、スルーホール半径１２５μｍ、バイアホール
径２５μｍ、ランドに対するバイアホール用開口の誤差
が±１２．５（合計２５）μｍ、通孔に対するランドの
誤差２５μｍであり、これらの合計が２００μｍであ
る。他方、経済的に量産し得る最小値は、スルーホール
半径１７５μｍ、バイアホール径３５μｍ、バイアホー
ル用開口の誤差±２０（合計４０）、通孔に対するラン
ドの誤差１００μｍであり、これらの合計（半径）が３
５０μｍである。この値に設定することで、技術的に可
能であり、経済性の高い範囲でランドの上にバイアホー
ルを配設することが可能となる。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態に係る多
層プリント配線板について図を参照して説明する。図８
は、本発明の実施形態に係る多層プリント配線板の断面
を示している。多層コア基板３０の表面及び裏面にビル
ドアップ配線層９０Ａ、９０Ｂが形成されている。該ビ
ルトアップ層９０Ａ、９０Ｂは、バイアホール６０及び
導体回路５８の形成された層間樹脂絶縁層５０と、バイ
アホール１６０及び導体回路１５８の形成された層間樹
脂絶縁層１５０とからなる。

【００１８】表面側には、ＩＣチップのバンプ（図示せ
ず）へ接続するための半田バンプ７６Ｕが形成され、裏
面側には、マザーボードのバンプ（図示せず）へ接続す
るための半田バンプ７６Ｄが形成されている。多層プリ
ント配線板内では、ＩＣチップへ接続する半田バンプ７
６Ｕからの導体回路が、マザーボード側へ接続する半田
バンプ７６Ｄへ接続されている。表側のビルトアップ層
９０Ａと裏側のビルトアップ層９０Ｂとは、コア基板３
０に形成されたスルーホール３６を介して接続されてい
る。

【００１９】該スルーホール３６の開口にはランド３６
ａが形成され、該ランド３６ａに、上層側のバイアホー
ル６０が接続され、該バイアホール６０に接続された導
体回路５８に、上層のバイアホール１６０が接続され、
バイアホール１６０へ接続された導体回路１５８に半田
バンプ７６Ｕ、７６Ｄが形成されている。

【００２０】図８中の多層プリント配線板のコア基板３
０のＢ−Ｂ断面を図９に示す。ここで、スルーホール３
６の開口に形成されるランド３６ａは、円形に形成さ
れ、図８を参照して上述したように該ランド３６ａへ直
接バイアホール６０が接続されている。このように接続
することで、ランド３６ａ直上の領域を図１０（Ａ）及
び図１０（Ｂ）を参照して上述した内層パッド２２６ｂ
として機能せしめることでデッドスペースを無くし、し
かも、ランド３６ａからバイアホール６０へ接続するた
めの内層パッド２２６ｂを付加しないので、スルーホー
ル３６のランド３６ａの形状を円形とすることができ
る。その結果、多層コア基板３０中に設けられるスルー
ホール３６の配置密度を向上させることによりスルーホ
ールの数を増やすことができる。

【００２１】また、上述したように多層プリント配線板
では、裏面の複数のバンプからの配線が統合されながら
表面側のバンプへ接続されるが、スルーホールを必要な
密度で形成することで、表側及び裏側に形成されるビル
ドアップ配線層９０Ａ、９０Ｂで、同じペースで配線の
統合を行える。これにより、表側及び裏側に形成される
ビルドアップ配線層９０Ａ、９０Ｂの層数を減らすこと
ができる。

【００２２】本実施形態の多層プリント配線板では、ラ
ンド３６ａの半径を、通孔１６の径ＴＷと、ランド３６
ａに対する通孔１６に対するランド３６ａの誤差範囲
と、開口（バイアホール）６０の径ＢＷと、開口６０の
誤差範囲２αとを合わせた値以上に設定することで、ラ
ンド３６ａの上にバイアホール６０を形成してある。一
方、ランド３６ａの直径ＲＷを７００μｍ以下にするこ
とで、図１０を参照して上述した従来技術のランドにバ
イアホール配設用のランドを付加する構成と比較して、
スルーホールの配設密度を高めてある。

【００２３】具体的数値として、スルーホール用通孔１
６の半径は、１７５μｍ以下で１２５μｍ以上であるこ
とが望ましい。１７５μｍを越えるとコア基板へのスル
ーホールの配設数が少なくなり、１２５μｍ未満では、
ドリルによる形成が困難なためである。他方、ランド３
６ａの半径がスルーホール用通孔１６の半径よりも７５
μｍ〜１７５μｍ大きいことが望ましい。これは、技術
的に可能な最小値は、バイアホール６０の径２５μｍ、
ランド３６ａに対するバイアホール用開口の誤差±１
２．５（合計２５）μｍ、通孔１６に対するランド３６
ａの誤差２５μｍであり、これらの合計が７５μｍだか
らである。他方、経済的に量産し得る最小値は、バイア
ホール６０の径３５μｍ、バイアホール用開口６０の誤
差±２０（合計４０）μｍ、通孔１６に対するランド３
６ａの誤差１００μｍであり、これらの合計が１７５μ
ｍである。即ち、スルーホールの半径よりも７５μｍ〜
１７５μｍ大きくランドを形成することで、ランド上に
バイアホールを配設することが技術的及び経済的に可能
となる。

【００２４】引き続き、多層プリント配線板の製造方法
について説明する。なお、以下に述べる方法は、セミア
ディティブ法による多層プリント配線板の製造方法に関
するものであるが、本発明における多層プリント配線板
の製造方法では、フルアディティブ法やマルチラミネー
ション法、ピンラミネーション法を採用することができ
る。先ず、本実施形態の多層プリント配線板の製造方法
に用いるＡ．無電解めっき用接着剤、Ｂ．層間樹脂絶縁
剤、Ｃ．樹脂充填剤の組成について説明する。

【００２５】Ａ．無電解めっき用接着剤調製用の原料組
成物（上層用接着剤） 〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬製、分子量２５００）の２５％アクリル化物
を８０wt％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を３５
重量部、感光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ
３１５）３. １５重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−
６５）０. ５重量部、ＮＭＰ３. ６重量部を攪拌混合し
て得る。

【００２６】〔樹脂組成物〕ポリエーテルスルフォン
（ＰＥＳ）１２重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成
製、ポリマーポール）の平均粒径１. ０μｍのものを
７. ２重量部、平均粒径０. ５μｍのものを３. ０９重
量部、を混合した後、さらにＮＭＰ３０重量部を添加
し、ビーズミルで攪拌混合して得る。

【００２７】〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤
（四国化成製、２Ｅ ４ＭＺ−ＣＮ ）２重量部、光開
始剤（チバガイギー製、イルガキュア Ｉ−９０７）２
重量部、光増感剤（日本化薬製、ＤＥＴＸ−Ｓ）０. ２
重量部、ＮＭＰ１. ５重量部を攪拌混合して得る。

【００２８】Ｂ．層間樹脂絶縁剤調製用の原料組成物
（下層用接着剤） 〔樹脂組成物〕クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
（日本化薬製、分子量２５００）の２５％アクリル化物
を８０wt％の濃度でＤＭＤＧに溶解させた樹脂液を３５
重量部、感光性モノマー（東亜合成製、アロニックスＭ
３１５）４重量部、消泡剤（サンノプコ製、Ｓ−６５）
０. ５重量部、ＮＭＰ３. ６重量部を攪拌混合して得
る。

【００２９】〔樹脂組成物〕ポリエーテルスルフォン
（ＰＥＳ）１２重量部、エポキシ樹脂粒子（三洋化成
製、ポリマーポール）の平均粒径０. ５μｍのものを１
４. ４９重量部、を混合した後、さらにＮＭＰ３０重量
部を添加し、ビーズミルで攪拌混合して得る。

【００３０】〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤
（四国化成製、２Ｅ ４ＭＺ−ＣＮ）２重量部、光開始
剤（チバガイギー製、イルガキュア Ｉ−９０７）２重
量部、光増感剤（日本化薬製、ＤＥＴＸ−Ｓ）０. ２重
量部、ＮＭＰ１. ５重量部を攪拌混合して得る。

【００３１】Ｃ．樹脂充填剤調製用の原料組成物 〔樹脂組成物〕ビスフェノールＡ型エポキシモノマー
（油化シェル製、エピコート８２８）１００重量部、表
面に平均粒径１. ５μｍのＡｌ₂ Ｏ₃ 球状粒子１５０重
量部、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）３０重量部、レ
ベリング剤（サンノプコ製、ペレノールＳ４）１. ５重
量部を攪拌混合し、その混合物の粘度を２３±１℃で４
５, ０００〜４９, ０００cps に調整する。

【００３２】〔硬化剤組成物〕イミダゾール硬化剤
（四国化成製、２Ｅ ４ＭＺ−ＣＮ）６. ５重量部。

【００３３】引き続き、プリント配線板の製造工程につ
いて図１乃至図８を参照して説明する。 （１）図１（Ａ）に示すように厚さ１mmのガラスエポキ
シ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂か
らなる基板３０の両面に１８μｍの銅箔３２がラミネー
トされている銅張積層板３０Ａを出発材料とする。ま
ず、この銅張積層板３０Ａをドリル削孔し、直径（Ｔ
Ｗ）３００μｍの通孔１６を形成する（図１（Ｂ））。
スルーホール用通孔１６の直径は、３５０μｍ以下で２
５０μｍ以上であることが望ましい。３５０μｍを越え
るとコア基板へのスルーホールの配設数が少なくなり、
２５０μｍ未満では、ドリルによる形成が困難なためで
ある。次に、基板全体に無電解めっき処理を施し、通孔
１６の内壁に無電解めっき銅膜１８を析出し、スルーホ
ール３６を形成する（図１（Ｃ））。引き続き、パター
ン状にエッチングすることでスルーホールのランド３６
ａ、導体回路３４、位置合わせマーク３３（図９参照）
を形成する（図１（Ｂ））。ここで、ランド３６ａは、
直径（ＲＷ）６００μｍに形成する。

【００３４】（２）この基板３０を水洗いし、乾燥した
後、酸化浴（黒化浴）として、ＮａＯＨ（１０ｇ／
ｌ），ＮａＣｌＯ₂ （４０ｇ／ｌ），Ｎａ₃ Ｏ₄ (６ｇ
／ｌ）、還元浴として、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ），Ｎａ
ＢＨ₄ （６ｇ／ｌ）を用いた酸化−還元処理により、図
２（Ｅ）に示すように導体回路３４、スルーホール３６
及びランド３６ａの表面に粗化層３８を設ける。 （３）上述したＣの樹脂充填剤調製用の原料組成物を混
合混練して樹脂充填剤を得る。

【００３５】（４）コア基板３０にマスクを用いて印刷
を行い、充填剤４０をスルーホール３６内へ充填すると
共に、基板３０の表面へ塗布する（図２（Ｆ）参照）。
その後に充填剤４０を熱硬化させる。

【００３６】（５）上記（４）の処理を終えた基板３０
を、＃４００のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いた
ベルトサンダー研磨により、スルーホール３６のランド
３６ａ及び導体回路３４の表面に樹脂充填剤が残らない
ように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨による
傷を取り除くためのバフ研磨をＳｉＣ砥粒にて行った。
このような一連の研磨を基板の他方の面についても同様
に行った。次いで、１００℃で１時間、１５０℃で１時
間の加熱処理を行って樹脂充填剤４０を硬化した。この
ようにして、スルーホール３６等に充填された樹脂充填
剤４０の表層部およびスルーホールランド３６ａなどの
上面の粗化層を除去して、基板３０の両面を図２（Ｇ）
に示すように平滑化した。

【００３７】（６）上記（５）の処理で露出したスルー
ホールランド３６ａ、導体回路３４上面に図２（Ｈ）に
示すように、厚さ２. ５μｍのＣｕ−Ｎｉ−Ｐ合金から
なる粗化層（凹凸層）４２を形成し、さらに、粗化層４
２の表面に厚さ０. ３μｍのＳｎ層（図示せず）を設け
た。その形成方法は以下のようである。基板３０を酸性
脱脂してソフトエッチングし、次いで、塩化パラジウム
と有機酸からなる触媒溶液で処理して、Ｐｄ触媒を付与
し、この触媒を活性化した後、硫酸銅８ｇ／ｌ、硫酸ニ
ッケル０. ６ｇ／ｌ、クエン酸１５ｇ／ｌ、次亜リン酸
ナトリウム２９ｇ／ｌ、ホウ酸３１ｇ／ｌ、界面活性剤
０. １ｇ／ｌ、ｐＨ＝９からなる無電解めっき浴にてめ
っきを施し、導体回路３４上面およびスルーホールのラ
ンド３６ａ上面にＣｕ−Ｎｉ−Ｐ合金の粗化層４２を形
成した。ついで、ホウフッ化スズ０. １mol ／ｌ、チオ
尿素１. ０mol ／ｌ、温度５０℃、ｐＨ＝１. ２の条件
でＣｕ−Ｓｎ置換反応させ、粗化層４２の表面に厚さ
０. ３μｍのＳｎ層を設けた。

【００３８】（７）上述した組成物Ｂの層間樹脂絶縁剤
調製用の原料組成物を攪拌混合し、粘度１. ５ Pa ・ｓ
に調整して層間樹脂絶縁剤（下層用）を得た。次いで、
上述した組成物Ａの無電解めっき用接着剤調製用の原料
組成物を攪拌混合し、粘度７Pa・ｓに調整して無電解め
っき用接着剤溶液（上層用）を得た。

【００３９】（８）上記（６）の基板３０（図２
（Ｈ））の両面に、図３（Ｉ）に示すように上記（７）
で得られた粘度１. ５Pa・ｓの層間樹脂絶縁剤（下層
用）４４を調製後２４時間以内にロールコータで塗布
し、水平状態で２０分間放置してから、６０℃で３０分
の乾燥（プリベーク）を行う。次いで、上記（７）で得
られた粘度７Pa・ｓの感光性の接着剤溶液（上層用）４
６を調製後２４時間以内に塗布し、水平状態で２０分間
放置してから、６０℃で３０分の乾燥（プリベーク）を
行い、厚さ３５μｍの接着剤層５０を形成する。

【００４０】（９）上記（８）で接着剤層５０を形成し
た基板３０の両面に、３０μｍφの黒円が印刷されたフ
ォトマスクフィルム（図示せず）を密着させ、超高圧水
銀灯により５００mJ／cm² で露光する。これをＤＭＴＧ
溶液でスプレー現像し、さらに、当該基板を超高圧水銀
灯により３０００mJ／cm² で露光し、１００℃で１時
間、１２０℃で１時間、その後１５０℃で３時間の加熱
処理（ポストベーク）をすることにより、図３（Ｊ）に
示すようにフォトマスクフィルムに相当する寸法精度に
優れた直径（ＢＷ）３０μｍφの開口（バイアホール形
成用開口）４８を有する厚さ３５μｍの層間樹脂絶縁層
（２層構造）５０を形成する。なお、バイアホールとな
る開口４８には、スズめっき層を部分的に露出させる。

【００４１】なお、この開口４８を形成する際のフォト
マスクフィルムの位置合わせは、図９中に示す位置合わ
せマーク３３を基準に行う。上述したスルーホール用の
通孔１６を形成は、ドリルで機械的に形成するため、位
置精度を高めることが困難である。このため、該通孔に
形成されるランド３６ａは、当該通孔に対して９０μｍ
（±４５μｍ）の位置精度で形成してある。該ランド３
６ａは、上述したように光学的に形成しているため、位
置精度が比較的高い。このため、該ランド３６ａに対す
る開口４８の位置精度は、２倍以上に設定することで±
１５μｍに設定してある。ここでは、図９中に示す位置
決めマーク３３は、ランド３６ａと同時に多面取り用の
コア基板３０に対して上述した必要精度が得られるだけ
設け、該位置決めマーク３３を基準にフォトマスクフィ
ルムの位置合わせを行うことで、位置精度を高める。例
えば、ランドを形成する際には、１枚の多面取り基板
（例えば３６基板分）の４隅の位置合わせの基準（位置
決めマーク）に対して位置合わせしたのに対して、開口
４８を形成する際には、分割される幾つかの基板（例え
ば８基板分）の４隅に配設された位置合わせの基準（位
置決めマーク）に対して、位置合わせすることで必要な
精度を達成する。

【００４２】ここで、ランド３６ａの半径がスルーホー
ル用通孔１６の半径よりも１４０μｍ以上大きく形成す
ることで、ランド３６ａ上に開口４８を形成することが
できる。これは、技術的に可能な最小値は、バイアホー
ル６０の径２５μｍ、ランドに対するバイアホール用開
口の誤差±１２．５（合計２５）μｍ、通孔１６に対す
るランド３６ａの誤差２５μｍであり、これらの合計が
７５μｍだからである。他方、ランド３６ａは１７５μ
ｍ程度大きく形成することで、多層プリント配線板を高
い歩留まりで形成できる。即ち、経済的に量産し得る最
小値は、バイアホール６０の径３５μｍ、バイアホール
用開口６０の誤差±２０（合計４０）μｍ、通孔１６に
対するランド３６ａの誤差１００μｍであり、これらの
合計が１７５μｍであるからである。本実施形態の多層
プリント配線板では、スルーホールの半径よりも１４０
μｍ〜１７５μｍ大きくランドを形成することで、ラン
ド上にバイアホールを配設することが技術的及び経済的
に可能となる。

【００４３】なお、ここでは、エッチングにより開口４
８を形成しているが、レーザ光を用いても同様に開口を
形成することができる。

【００４４】（１０）開口４８が形成された基板３０
を、クロム酸に１９分間浸漬し、層間樹脂絶縁層５０の
表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することに
より、図３（Ｋ）に示すように当該層間樹脂絶縁層５０
の表面を粗化面５１とし、その後、中和溶液（シプレイ
社製）に浸漬してから水洗いする。さらに、粗面化処理
（粗化深さ３μｍ）した該基板３０の表面に、パラジウ
ム触媒（アトテック製）を付与することにより、層間樹
脂絶縁層５０の表面およびバイアホール用開口４８の内
壁面に触媒核を付ける。

【００４５】（１１）以下に示す組成の無電解銅めっき
水溶液中に基板を浸漬して、図４（Ｌ）に示すように粗
面全体に厚さ０. ６μｍの無電解銅めっき膜５２を形成
する。 〔無電解めっき水溶液〕 ＥＤＴＡ １５０ ｇ／ｌ 硫酸銅 ２０ ｇ／ｌ ＨＣＨＯ ３０ ml ／ｌ ＮａＯＨ ４０ ｇ／ｌ α、α’−ビピリジル ８０ mg ／ｌ ＰＥＧ ０. １ ｇ／ｌ 〔無電解めっき条件〕 ７０℃の液温度で３０分

【００４６】（１２）市販のレジストフィルムを貼り付
けた後、マスクを載置して、１００ mJ ／cm² で露光、
０. ８％炭酸ナトリウムで現像処理し、図４（Ｍ）に示
すように厚さ１５μｍのめっきレジスト５４を設ける。

【００４７】（１３）以下に示す条件に従い電解銅めっ
きを施し、厚さ１５μｍの電解めっき銅膜５６を形成す
る（図５（Ｎ））。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸 １８０ ｇ／ｌ 硫酸銅 ８０ ｇ／ｌ 添加剤（アトテックジャパン製、商品名：カパラシドＧ
Ｌ）１ ｍｌ／ｌ 〔電解めっき条件〕 電流密度 １Ａ／ｄｍ² 時間 ３０分 温度 室温

【００４８】（１４）めっきレジスト５６を５％のＫＯ
Ｈで剥離除去した後、そのめっきレジスト５６下の無電
解めっき膜５２を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチン
グ処理して溶解除去し、図５（Ｏ）で示すように無電解
銅めっき膜５２と電解銅めっき膜５６からなる厚さ１５
μｍの導体回路５８及びバイアホール６０を形成する。
さらに、７０℃で８００ｇ／ｌのクロム酸に３分間浸漬
して、導体回路５８、バイアホール６０間の無電解めっ
き用接着剤層表面を１μｍエッチング処理し、表面のパ
ラジウム触媒を除去する。

【００４９】（１５）導体回路５８を形成した基板３０
を、硫酸銅８ｇ／ｌ、硫酸ニッケル０．６ｇ／ｌ、クエ
ン酸１５ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム２９ｇ／ｌ、ホ
ウ酸３１ｇ／ｌ、界面活性剤０．１ｇ／ｌからなるｐＨ
＝９の無電解めっき液に浸漬し、図６（Ｐ）に示すよう
に該導体回路５８及びバイアホール６０の表面に厚さ３
μｍの銅−ニッケル−リンからなる粗化層６２を形成す
る。ついで、ホウフッ化スズ０．１ｍｏｌ／ｌ、チオ尿
素１．０ｍｏｌ／ｌ、温度５０℃、ｐＨ＝１．２の条件
でＣｕ−Ｓｎ置換反応させ、粗化層６２の表面に０．３
μｍの厚さのＳｎ層を設ける（Ｓｎ層については図示し
ない）。

【００５０】（１６）（２）〜（１５）の工程を繰り返
すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層１５０とバ
イアホール１６０及び導体回路１５８を形成する（図６
（Ｑ））。

【００５１】（１７）上記（１６）で得た配線板の両面
に、市販のソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで
塗布する。次いで、７０℃で２０分間、７０℃で３０分
間の乾燥処理を行った後、１０００ｍＪ／ｃｍ2 の紫外
線で露光し、ＤＭＴＧ現像処理した。そしてさらに、８
０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、
１５０℃で３時間の条件で加熱処理し、パッド部分７１
が開口した（開口径２００μｍ）ソルダーレジスト層
（厚み２０μｍ）７０を形成する（図７（Ｒ）参照）。

【００５２】（１８）引き続き、ソルダーレジスト層を
補強用の樹脂組成物をソルダーレジストの開口群の周囲
に塗布し、１０００ｍＪ／ｃｍ² で露光し、さらに８０
℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１
５０℃で３時間の条件で加熱処理し、厚さ４０μｍの補
強層７８を形成する。

【００５３】（１９）次に、ソルダーレジスト層７０を
形成した基板３０を、塩化ニッケル３０ｇ／ｌ、次亜リ
ン酸ナトリウム１０ｇ／ｌ、クエン酸ナトリウム１０ｇ
／ｌからなるｐＨ＝５の無電解ニッケルめっき液に２０
分間浸漬して、開口部７１に厚さ５μｍのニッケルめっ
き層７２を形成した。さらに、その基板３０を、シアン
化金カリウム２ｇ／ｌ、塩化アンモニウム７５ｇ／ｌ、
クエン酸ナトリウム５０ｇ／ｌ、次亜リン酸ナトリウム
１０ｇ／ｌからなる無電解金めっき液に９３℃の条件で
２３秒間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に厚さ０．
０３μｍの金めっき層７４を形成する（図７（Ｓ））。

【００５４】（２０）そして、ソルダーレジスト層７０
の開口部７１に、はんだペーストを印刷して、２００℃
でリフローすることによりはんだバンプ７６Ｕ、７６Ｄ
を形成し、はんだバンプを有するプリント配線板を製造
する（図８）。

【００５５】

【発明の効果】以上説明したように本発明の多層プリン
ト配線板では、スルーホールのランド上にバイアホール
を設けることで、コア基板に配設するスルーホールの数
を増やすことができるため、ビルトアップ層の数を減ら
すことが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１（Ａ）、図１（Ｂ）、図１（Ｃ）、図１
（Ｄ）は、本発明の１実施形態に係る多層プリント配線
板の製造工程図である。

【図２】図２（Ｅ）、図２（Ｆ）、図２（Ｇ）、図２
（Ｈ）は、本発明の１実施形態に係る多層プリント配線
板の製造工程図である。

【図３】図３（Ｉ）、図３（Ｊ）、図３（Ｋ）は、本発
明の１実施形態に係る多層プリント配線板の製造工程図
である。

【図４】図４（Ｌ）、図４（Ｍ）は、本発明の１実施形
態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。

【図５】図５（Ｎ）、図５（Ｏ）は、本発明の１実施形
態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。

【図６】図６（Ｐ）、図６（Ｑ）は、本発明の１実施形
態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。

【図７】図７（Ｒ）、図７（Ｓ）は、本発明の１実施形
態に係る多層プリント配線板の製造工程図である。

【図８】本発明の１実施形態に係る多層プリント配線板
の製造方法の断面図である。

【図９】図８に示すコア基板のＢ−Ｂ断面図である。

【図１０】図１０（Ａ）、図１０（Ｂ）は、従来技術に
係る多層プリント配線板のコア基板の平面図である。

【符号の説明】

１６ 通孔 １８ 無電解めっき銅膜（金属膜） ３０ コア基板 ３６ スルーホール ３６ａ ランド ４４ 樹脂 ４６ 樹脂 ４８ 開口 ５０ 層間樹脂絶縁層 ５６ 電解めっき銅膜（金属膜） ５８ 導体回路（導体層） ６０ バイアホール ９０Ａ、９０Ｂ ビルトアップ配線層

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 層間樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層
   され、各導体層間がバイアホールにて接続されたビルド
   アップ配線層が、コア基板の両面に形成されてなる多層
   プリント配線板において、 前記コア基板に形成されたスルーホールに円形のランド
   が形成され、該ランドにバイアホールが接続されている
   ことを特徴とする多層プリント配線板。
2. 【請求項２】 前記スルーホールの半径が１７５μｍ以
   下で１２５μｍ以上であり、前記ランドの半径が前記ス
   ルーホールの半径よりも７５μｍ〜１７５μｍ大きいこ
   とを特徴とする請求項１の多層プリント配線板。
3. 【請求項３】 （ａ）多面取り用の基板にドリルでスル
   ーホール用の通孔を穿設する工程、（ｂ）前記通孔内に
   金属膜を形成する工程、（ｃ）前記通孔の開口部にラン
   ドを形成する工程、（ｄ）前記基板に層間樹脂絶縁層と
   なる樹脂を塗布する工程、（ｅ）前記ランドに対して位
   置合わせを行い、前記ランドの上に３５μｍ以下の開口
   を前記樹脂に形成する工程、（ｆ）前記開口に金属膜を
   形成しバイアホールとする工程、を含み、前記ランドの
   半径を、前記通孔の半径と、前記通孔に対するランドの
   誤差範囲と、開口径と、前記ランドに対する開口の誤差
   範囲とを合わせた値以上であって、７００μｍ以下に設
   定したことを特徴とする多層プリント配線板の製造方
   法。
4. 【請求項４】 前記ランドの半径を２００μｍ〜３５０
   μｍに設定したことを特徴とする請求項３の多層プリン
   ト配線板の製造方法。