JP3640560B2 - 配線基板、コンデンサ内蔵コア基板、及びこれらの製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、コンデンサを備える配線基板、さらに詳しくは、コンデンサをコア基板に内蔵しその上下に樹脂絶縁層及び配線層を積層した、ノイズを確実に除去できる配線基板に関する。また、この配線基板を製造するためのコンデンサ内蔵コア基板、及びこれらの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
集積回路技術の進歩によりますますＩＣチップの動作が高速化されているが、それに伴い、電源配線等にノイズが重畳されて、誤動作を引き起こすことがある。そこでノイズ除去のため、例えば図１１に示すように、ＩＣチップ１を搭載する配線基板２の上面２Ａあるいは下面２Ｂに、別途、チップコンデンサ３を搭載し、コンデンサ３の２つの電極とそれぞれ接続するコンデンサ接続配線４を配線基板２の内部に設ける。これにより、コンデンサ接続配線４及びフリップチップパッド５を経由してチップコンデンサ３をＩＣチップ１に接続することが行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の手法では、配線基板２の完成後に、別途チップコンデンサ３を搭載する必要があるため、工数がかかりコストアップとなる。また、チップコンデンサの接続の良否により配線基板全体の良否に影響が出るなどチップコンデンサ３の接続信頼性に依存して配線基板の信頼性が低下する場合がある。また、チップコンデンサ３を搭載する領域を予め確保しておく必要があり、他の電子部品の搭載や配線基板の補強のための補強部材の固着の自由度を低下させる。さらに、他の配線等に制限されて、ＩＣチップ１とチップコンデンサ３とを結ぶコンデンサ接続配線４の長さが長く、また細くなりやすいため、コンデンサ接続配線４自身の持つ抵抗やインダクタンスが大きくなりがちで、低抵抗、低インダクタンスの要請に十分に応えられない。
【０００４】
そこで、配線基板のうち、コア基板の上下に形成する樹脂絶縁層及び配線層の一部を、樹脂絶縁層を誘電体層として対向する配線層（電極層）で挟んだコンデンサ構造に形成し、コンデンサを内蔵させることが考えられる。しかし、コンデンサがショートや絶縁抵抗不良などにより不具合となった場合に、付加価値の付いた配線基板全体を廃棄することになるため、損失金額が大きくなって、結局配線基板を安価に製造することが困難である。また、樹脂絶縁層の比誘電率は、高誘電率セラミック粉末等を混入したとしても、一般に高々４０〜５０程度と見込まれるので、内蔵させるコンデンサの静電容量を十分大きくすることも困難である。
【０００５】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、コンデンサを内蔵することにより、ノイズを確実に除去でき、しかも、コンデンサに接続される配線の抵抗やインダクタンスを低くできる配線基板、さらには、コンデンサに不具合を生じても損失金額が少なく、安価で、大きな静電容量のコンデンサを内蔵可能な配線基板を提供することを目的とする。また、このようなコンデンサを内蔵した配線基板を製造するためのコンデンサ内蔵コア基板、コンデンサを内蔵するためのコア基板本体、コンデンサ、及びこれらの製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】
そしてその解決手段は、配線基板上面と配線基板下面とを有し、上記配線基板上面にＩＣチップを接続するための複数のＩＣ接続端子を、上記配線基板下面に複数の接続端子を備え、コンデンサを内蔵する配線基板であって、コア基板本体上面、コア基板本体下面、上記コア基板本体上面側に開口する有底のコンデンサ内蔵用凹部、上記凹部の底部を底面から上記コア基板本体下面まで貫通してコア基板本体下面に延出する複数の底部スルーホール導体、及び、上記コア基板本体上面とコア基板本体下面との間を貫通して形成された複数のコアスルーホール導体、を備えるコア基板本体と、コンデンサ上面、コンデンサ下面、互いに絶縁された一対の電極または電極群、上記コンデンサ上面に形成され、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通する複数の上面接続パッドであって、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の上面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の上面接続パッド、及び、上記コンデンサ下面に形成され、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通する複数の下面接続パッドであって、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の下面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の下面接続パッド、を備え、上記コア基板本体のコンデンサ内蔵用凹部内に内蔵、固定され、上記複数の下面接続パッドが対応する上記複数の底部スルーホール導体にそれぞれ導通された上記コンデンサと、上記コア基板本体上面及び上記コンデンサ上面の上方に積層された１または複数の上部樹脂絶縁層と、上記コア基板本体下面の下方に積層された１または複数の下部樹脂絶縁層と、上記上部樹脂絶縁層を貫通あるいはその層間を通って、上記配線基板上面の複数のＩＣ接続端子とこれに対応する上記コンデンサの複数の上面接続パッドとをそれぞれ接続する複数の上部コンデンサ接続配線と、上記下部樹脂絶縁層を貫通あるいはその層間を通って、上記コア基板本体下面に延出した底部スルーホール導体とこれに対応する上記配線基板下面の複数の接続端子とをそれぞれ接続する複数の下部コンデンサ接続配線と、上記上部樹脂絶縁層を貫通あるいはその層間を通って、上記配線基板上面の複数のＩＣ接続端子とこれに対応する上記コア基板本体上面の複数のコアスルーホール導体とをそれぞれ接続する複数の上部コア接続配線と、上記下部樹脂絶縁層を貫通あるいはその層間を通って、上記コア基板本体下面のコアスルーホール導体とこれに対応する上記配線基板下面の複数の接続端子とをそれぞれ接続する複数の下部コア接続配線と、を備えることを特徴とする配線基板である。
【０００７】
本発明の配線基板は、コア基板本体にコンデンサ内蔵用凹部を形成し、その中にコンデンサを内蔵し、上部樹脂絶縁層及び下部樹脂絶縁層を形成し、フリップチップパッド等のＩＣ接続端子と上面接続パッドとを上部コンデンサ接続配線で、底部スルーホール導体と接続端子とを下部コンデンサ接続配線で結んでいる。さらに、一対の電極または電極群のいずれも複数の上面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通するようにしている。また下面接続パッドも同様にされている。このため、コンデンサの両極をコンデンサの上方及び下方に取り出すことができる。したがって、上面接続パッドから上部コンデンサ接続配線を通じてＩＣ接続端子、さらにはＩＣチップに、コンデンサの両極を接続することができる。同様に、下面接続パッドから底部スルーホール導体、下部コンデンサ接続配線を通じて接続端子にコンデンサの両極を接続することができる。このため、ＩＣチップと接続するＩＣ接続端子、あるいはマザーボード等の他の配線基板の電源配線や接地配線と接続させる接続端子等からごく近い距離にコンデンサを配置することができる。したがって、上部コンデンサ接続配線も下部コンデンサ接続配線もごく短く形成することができる。
【０００８】
さらに、通常ＩＣチップにおいて、電源電位や接地電位は各所に必要となるので、ときにはＩＣチップに形成される接続端子（接続パッドや接続バンプ）群の半数近くの数とされるほど電源端子や接地端子はそれぞれ多数形成される。これに対し、このコンデンサ上面及びコンデンサ下面には、複数の上面接続パッド及び下面接続パッドを備える。したがって、ＩＣチップの電源端子や接地端子に対応させて多数の上面接続パッドを形成し、これらをそれぞれ結ぶように上部コンデンサ接続配線を多数並列に形成すれば、上部コンデンサ接続配線の持つインダクタンスや抵抗を全体としてさらに低下させることができることになる。同様に、下面接続パッドに対応する底部スルーホール導体と配線基板下面の各接続端子とを並列に接続する下部コンデンサ接続配線に関しても、同様にインダクタンスや抵抗を全体としてさらに低下させることができる。つまり、上部コンデンサ接続配線も下部コンデンサ接続配線も、その長さを短くできしかもその本数を多くできるため、抵抗やインダクタンスを低くすることができ、コンデンサによってノイズを有効、確実に除去することができる。
【０００９】
しかも、配線基板内にコンデンサを内蔵しているので、後からコンデンサを取り付ける必要が無く、チップコンデンサ搭載のための費用が不要となるため、安価な配線基板とすることができる。また、他の電子部品等の搭載や補強板の固着などの自由度も高い。さらに、コア基板本体に形成したコンデンサ内蔵用凹部にコンデンサを内蔵しているので、上部樹脂絶縁層や下部樹脂絶縁層あるいは上部コンデンサ接続配線、下部コンデンサ接続配線、上部コア接続配線、及び下部コア接続配線は、いずれも公知の樹脂絶縁層や配線層の製法を用いて形成することができる点でも安価にできる。また、内蔵させるコンデンサの静電容量を自由に選択できるので、高誘電率セラミックを用いた静電容量の大きなコンデンサを内蔵させることができ、ノイズ除去能力を一層向上させることができる。
【００１０】
なお特に、前記複数のＩＣ接続端子のうち少なくとも一部が、前記コンデンサの上方に位置することを特徴とする配線基板とするのが好ましい。フリップチップパッド等のＩＣ接続端子がコンデンサの上方に位置すると、ＩＣ接続端子とコンデンサの上面接続パッドとを結ぶ上部コンデンサ接続配線の長さを特に短くすることができる。したがって、上部コンデンサ接続配線の持つインダクタンスや抵抗をさらに低く抑えることができるので、ノイズ除去能力をさらに向上させることができる。
【００１１】
また他の解決手段は、配線基板上面と配線基板下面とを有し、上記配線基板上面にＩＣチップを接続するための複数のＩＣ接続端子を、上記配線基板下面に複数の接続端子を備え、コンデンサを内蔵する配線基板であって、コア基板本体上面、コア基板本体下面、上記コア基板本体下面側に開口する有底のコンデンサ内蔵用凹部、上記凹部の底部を底面から上記コア基板本体上面まで貫通してコア基板本体上面に延出する複数の底部スルーホール導体、及び、上記コア基板本体上面とコア基板本体下面との間を貫通して形成されたコアスルーホール導体、を備えるコア基板本体と、コンデンサ上面、コンデンサ下面、互いに絶縁された一対の電極または電極群、上記コンデンサ上面に形成され、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通する複数の上面接続パッドであって、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の上面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の上面接続パッド、及び、上記コンデンサ下面に形成され、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通する複数の下面接続パッドであって、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の下面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の下面接続パッド、を備え、上記コア基板本体のコンデンサ内蔵用凹部内に内蔵、固定され、上記複数の上面接続パッドが対応する上記複数の底部スルーホール導体にそれぞれ導通された上記コンデンサと、上記コア基板本体上面の上方に積層された１または複数の上部樹脂絶縁層と、上記コア基板本体下面及び上記コンデンサ下面の下方に積層された１または複数の下部樹脂絶縁層と、上記上部樹脂絶縁層を貫通あるいはその層間を通って、上記配線基板上面の複数のＩＣ接続端子とこれに対応し上記コア基板本体上面に延出した複数の底部スルーホール導体とをそれぞれ接続する複数の上部コンデンサ接続配線と、上記下部樹脂絶縁層を貫通あるいはその層間を通って、上記コンデンサの下面接続パッドとこれに対応する上記配線基板下面の複数の接続端子とをそれぞれ接続する複数の下部コンデンサ接続配線と、上記上部樹脂絶縁層を貫通あるいはその層間を通って、上記配線基板上面の複数のＩＣ接続端子とこれに対応する上記コア基板本体上面の複数のコアスルーホール導体とをそれぞれ接続する複数の上部コア接続配線と、上記下部樹脂絶縁層を貫通あるいはその層間を通って、上記コア基板本体下面のコアスルーホール導体と対応する上記配線基板下面の複数の接続端子とをそれぞれ接続する複数の下部コア接続配線と、を備えることを特徴とする配線基板である。
【００１２】
本発明の配線基板は、コア基板本体にコンデンサ内蔵用凹部を形成し、その中にコンデンサを内蔵し、上部樹脂絶縁層及び下部樹脂絶縁層を形成し、フリップチップパッド等のＩＣ接続端子と底面スルーホール導体とを上部コンデンサ接続配線で、下面接続パッドと接続端子とを下部コンデンサ接続配線で結んでいる。さらに、一対の電極または電極群のいずれも複数の上面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通するようにしている。また下面接続パッドも同様にされている。このため、コンデンサの両極をコンデンサの上方及び下方に取り出すことができる。したがって、上面接続パッドから底部スルーホール導体、上部コンデンサ接続配線を通じてＩＣ接続端子、さらにはＩＣチップに、コンデンサの両極を接続することができる。同様に、下面接続パッドから下部コンデンサ接続配線を通じて接続端子にコンデンサの両極を接続することができる。このため、ＩＣチップと接続するＩＣ接続端子、あるいはマザーボード等の他の配線基板の電源配線や接地配線と接続させる接続端子等からごく近い距離にコンデンサを配置することができる。したがって、上部コンデンサ接続配線も下部コンデンサ接続配線もごく短く形成することができる。
【００１３】
さらに、上述したように、通常ＩＣチップにおいては、電源端子や接地端子はそれぞれ多数形成される。これに対し、このコンデンサ上面及びコンデンサ下面には、複数の上面接続パッド及び下面接続パッドを備える。したがって、ＩＣチップの電源端子や接地端子に対応させて多数の底面スルーホール導体及び上面接続パッドを形成し、これらをそれぞれ結ぶように上部コンデンサ接続配線を多数並列に形成すれば、上部コンデンサ接続配線の持つインダクタンスや抵抗を全体としてさらに低下させることができる。同様に、下面接続パッドと配線基板下面の各接続端子とを並列に接続する下部コンデンサ接続配線に関しても、同様にインダクタンスや抵抗を全体としてさらに低下させることができる。つまり、上部コンデンサ接続配線も下部コンデンサ接続配線も、その長さを短くできしかもその本数を多くできるため、抵抗やインダクタンスを低くすることができ、コンデンサによってノイズを有効、確実に除去することができる。
【００１４】
しかも、配線基板内にコンデンサを内蔵しているので、後からコンデンサを取り付ける必要が無く、チップコンデンサ搭載のための費用が不要となるため、安価な配線基板とすることができる。また、他の電子部品等の搭載や補強板の固着などの自由度も高い。さらに、コア基板本体に形成したコンデンサ内蔵用凹部にコンデンサを内蔵しているので、上部樹脂絶縁層や下部樹脂絶縁層あるいは上部コンデンサ接続配線、下部コンデンサ接続配線、上部コア接続配線、及び下部コア接続配線は、いずれも公知の樹脂絶縁層や配線層の製法を用いて形成することができる点でも安価にできる。また、内蔵させるコンデンサの静電容量を自由に選択できるので、高誘電率セラミックを用いた静電容量の大きなコンデンサを内蔵させることができ、ノイズ除去能力を一層向上させることができる。
【００１５】
その上、本発明の配線基板では、コンデンサ内蔵用凹部の底部が上方、即ち、ＩＣ接続端子側となるので、コンデンサ内蔵用凹部が開口しないコア基板本体上面上に上部樹脂絶縁層が形成され、さらにＩＣ接続端子が形成される。したがって、上部樹脂絶縁層を平坦にしやすく、さらにはＩＣ接続端子のコプラナリティを向上させることができ、ＩＣチップとの接続信頼性をより高くすることができる。
【００１６】
なお特に、前記複数のＩＣ接続端子のうち少なくとも一部が、前記コンデンサの上方に位置することを特徴とする配線基板とするのが好ましい。このようにすると、フリップチップパッド等のＩＣ接続端子がコンデンサの上方に位置するので、ＩＣ接続端子と底部スルーホール導体とを結ぶ上部コンデンサ接続配線の長さを特に短くすることができる。したがって、上部コンデンサ接続配線の持つインダクタンスや抵抗をさらに低く抑えることができるので、ノイズ除去能力をさらに向上させることができる。
【００１７】
さらに他の解決手段は、コア基板本体上面、コア基板本体下面、上記コア基板本体上面側に開口する有底のコンデンサ内蔵用凹部、及び、上記凹部の底部を底面から上記コア基板本体下面まで貫通してコア基板本体下面に延出する複数の底部スルーホール導体、を備えるコア基板本体と、コンデンサ上面、コンデンサ下面、互いに絶縁された一対の電極または電極群、上記コンデンサ上面に形成され、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通する複数の上面接続パッドであって、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の上面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の上面接続パッド、及び、上記コンデンサ下面に形成され、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通する複数の下面接続パッドであって、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の下面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の下面接続パッド、を備え、上記コア基板本体のコンデンサ内蔵用凹部内に内蔵・固定され、上記複数の下面接続パッドが対応する上記複数の底部スルーホール導体にそれぞれ導通されたコンデンサと、を備えるコンデンサ内蔵コア基板である。
【００１８】
本発明のコンデンサ内蔵コア基板では、コア基板本体にコンデンサ内蔵用凹部を形成し、その中にコンデンサを内蔵している。さらに、一対の電極または電極群のいずれも複数の上面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通するようにしている。また下面接続パッドも同様にされている。このため、コンデンサの両極を、コンデンサ上面の上面接続パッド及びコア基板本体下面の底部スルーホール導体を通じて、コア基板の上方及び下方に取り出すことができる。
したがって、このコンデンサ内蔵コア基板を用いれば、公知の樹脂絶縁層や配線層の形成手法を用いて、容易にコンデンサを内蔵した配線基板を形成することができる。また、このようにして配線基板を形成した場合には、配線基板の搭載するＩＣチップやマザーボード等の他の配線基板とごく近い距離にコンデンサを配置し、互いにごく短い配線で結ぶことができる。したがって、内蔵コンデンサの特性を十分発揮させて、ノイズを確実に除去することができるようになる。
【００１９】
さらに、上述したように、通常ＩＣチップにおいては、電源端子や接地端子はそれぞれ多数形成される。これに対し、本発明のコンデンサ内蔵コア基板のコンデンサでは、コンデンサ上面及びコンデンサ下面に、複数の上面接続パッド及び下面接続パッドを備える。したがって、ＩＣチップの電源端子や接地端子に対応させて多数の底面スルーホール導体及び上面接続パッドを形成し、これらをそれぞれ結ぶように配線層を多数並列に形成すれば、これらの配線層の持つインダクタンスや抵抗を全体としてさらに低下させることができる。同様に、下面接続パッドと他の配線基板とを並列に接続する配線に関しても、同様にインダクタンスや抵抗を全体としてさらに低下させることができる。つまり、コンデンサ内蔵コア基板の上下に形成する配線の長さを短くできしかもその本数を多くできるため、抵抗やインダクタンスを低くすることができ、コンデンサによってノイズを有効、確実に除去することができる。また、内蔵させるコンデンサの静電容量を自由に選択できるので、高誘電率セラミックを用いた静電容量の大きなコンデンサを内蔵させることができ、ノイズ除去能力を一層向上させることができる。
【００２０】
しかも、コア基板内にコンデンサを内蔵しているので、樹脂絶縁層や配線層を形成した後に別途コンデンサを取り付ける必要が無く、チップコンデンサ搭載のための費用が不要となるため、配線基板を安価に製造することができる。
また、上面接続パッドあるいは底部スルーホール導体を通じて、内蔵したコンデンサの良否を判断できるので、ショート等の不具合を有するコンデンサが内蔵されたコア基板は、樹脂絶縁層等を形成する前に除去することができる。このため、工数が掛かる樹脂絶縁層や配線層が形成され、付加価値の高い配線基板を廃棄する危険性を少なくでき、全体としてコンデンサの不具合による損失金額も抑制して、安価な配線基板とすることができる。
【００２１】
ここで、上記コンデンサ内蔵コア基板であって、前記コンデンサ上面に、または前記コア基板本体上面及び前記コンデンサ上面に充填樹脂層を備え、上記コンデンサ上面上の充填樹脂層と、上記コア基板本体上面またはコア基板本体上面上の充填樹脂層とは略面一に整面され、前記複数の上面接続パッドがそれぞれ略面一に露出していることを特徴とするコンデンサ内蔵コア基板とすると良い。
【００２２】
このコンデンサ内蔵コア基板では、コンデンサ上面の充填樹脂層と、コア基板本体上面またはコア基板本体上面の充填樹脂層とは、略面一に整面され、しかも、複数の上面接続パッドが略面一に露出している。このため、このコア基板の上下に樹脂絶縁層や配線層を積層して配線基板を形成する際に、コンデンサ内蔵用凹部の段差や、コア基板本体上面とコンデンサ上面との高さの違いに起因して、これらの上に形成する樹脂絶縁層や配線層に段差が発生することが防止できる。したがって、樹脂絶縁層や配線層を容易に形成でき、しかも、配線層の断線やショート等の不具合も生じない。また、配線基板の上面や下面に形成するＩＣ接続端子や接続端子のコプラナリティを向上させ、ＩＣチップや他の配線基板との接続性を向上させることができる。
【００２３】
さらに、コア基板本体上面と、コア基板本体下面と、上記コア基板本体上面側に開口する有底のコンデンサ内蔵用凹部と、上記凹部の底部を底面から上記コア基板本体下面まで貫通してコア基板本体下面に延出する複数の底部スルーホール導体と、を備えるコア基板本体とするのが好ましい。
【００２４】
このコア基板本体では、コンデンサ内蔵用凹部を備えるので、この凹部内にコンデンサを内蔵させることで、コンデンサを内蔵した配線基板を容易に形成することができる。また、このコンデンサ内蔵用凹部の底部には、複数の底部スルーホール導体を有するため、この底部スルーホール導体を通じて、コア基板本体下面側にも、コンデンサの電極を引き出すことができ、コア基板本体下面側からも容易にかつ短距離でコンデンサと接続することができる。
【００２５】
さらに、コンデンサ上面と、コンデンサ下面と、互いに絶縁された一対の電極または電極群と、上記コンデンサ上面に形成され、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通する複数の上面接続パッドであって、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の上面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の上面接続パッドと、上記コンデンサ下面に形成され、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通する複数の下面接続パッドであって、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の下面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の下面接続パッドと、を備えるコンデンサとするのが好ましい。
【００２６】
このコンデンサは、コンデンサ上面に複数の上面接続パッドを、コンデンサ下面に複数の下面接続パッドを備え、しかも、一対の電極または電極群のいずれも複数の上面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通し、また、一対の電極または電極群のどちらもが複数の下面接続パッドの少なくともいずれかと導通する。このため、コンデンサ上面から、コンデンサの両極を取り出すことができる。同様に、コンデンサ下面からも、コンデンサの両極を取り出すことができる。 したがって、コンデンサ上面及びコンデンサ下面のいずれにおいても、パッドやバンプを形成したＩＣチップや配線基板、その他の電子部品の接続面との間での接続が可能となる。
【００２７】
また、コンデンサ上面とコンデンサ下面の両面から、コンデンサの両極を取り出すことができる。このため、例えば、配線基板とＩＣチップとの間に介在させることにより、配線基板からＩＣチップへ電力を供給する電源配線及び接地配線をそれぞれ接続する配線の一部としての役割を果たさせると共に、電源配線と接地配線との間をこのコンデンサで結び、これらの配線の重畳されるノイズを除去する役割をも果たさせることができる。
【００２８】
さらに、上記コンデンサ内蔵用凹部を備えたコア基板本体のコンデンサ内蔵用凹部に内蔵、固定することで、コンデンサ内蔵コア基板とし、さらに樹脂絶縁層や配線層を形成して、コンデンサを内蔵した配線基板とすることができる。
なお、上面接続パッドや下面接続パッドは、接続するＩＣチップ等の端子や配線層に対応した位置及び数で形成すればよいが、並列に接続する端子や配線層の数が多いほど、コンデンサとＩＣチップ等との間に生じる抵抗やインダクタンスを全体として抑制できるので、上面接続パッドや下面接続パッドは多数形成するのが好ましい。
【００２９】
さらに、上記のコンデンサであって、前記コンデンサ上面及びコンデンサ下面に略平行に誘電体層と電極層とが交互に積層され、上記電極層は、上記誘電体層を貫通するビア導体によりそれぞれ１層おきに導通されて、互いに絶縁された前記一対の電極群をなし、前記複数の上面接続パッドは、上記誘電体層のうち最上に位置し前記コンデンサ上面をなすトップ誘電体層の上記コンデンサ上面に形成され、上記トップ誘電体層またはトップ誘電体層及びこの下層に位置する上記誘電体層を貫通するビア導体により、上記一対の電極群のいずれかに属する上記電極層と導通されてなり、前記複数の下面接続パッドは、上記誘電体層のうち最下に位置し前記コンデンサ下面をなすボトム誘電体層の上記コンデンサ下面に形成され、上記ボトム誘電体層またはボトム誘電体層及びこの上層に位置する上記誘電体層を貫通するビア導体により、上記一対の電極群のいずれかに属する上記電極層と導通されてなることを特徴とするコンデンサとすると良い。
【００３０】
このコンデンサは、各電極層が互いにビア導体で導通された一対の電極群を有し、複数の上面接続パッド及び複数の下面接続パッドは、いずれもビア導体によりいずれかの電極群に属する電極層と導通している。このため、積層コンデンサに通常用いられているように、誘電体層と電極層を積層した後に、誘電体層の側面に電極層同士を１層おきに結ぶ共通電極を別途設ける必要もなく、安価に形成できる。
また、上面接続パッドや下面接続パッドはビア導体でいずれかの電極層と導通しているので、各上面接続パッドや下面接続パッドを任意の位置に形成して電極層と導通させることができる。つまり、各パッドの位置選択の自由度を高くすることができる。
【００３１】
さらに、上記コンデンサであって、前記誘電体層は高誘電体セラミックからなり、前記電極層、ビア導体、上部接続パッド及び下部接続パッドは金属からなり、これらはいずれも同時焼成によって形成されていることを特徴とするコンデンサとすると良い。
【００３２】
高誘電体セラミックは、比誘電率εｒが高いものでは数万となり、組成に応じて所望の静電容量を容易に得られ、また、小型でも静電容量の大きなコンデンサを構成することができる。したがって、本発明のコンデンサでは、高誘電率セラミックからなる誘電体層を用いることで、コンデンサの静電容量を十分大きなものとすることができる。さらに、このコンデンサは同時焼成によって形成されているので、焼成によって一挙に形成できるから、安価なコンデンサとすることができる。
【００３３】
さらに、上記コンデンサの製造方法であって、高誘電率セラミックを主成分とする高誘電率セラミックグリーンシートの所定位置に複数の貫通孔を形成する穿孔工程と、穿孔された上記複数の貫通孔に金属ペーストを充填して複数の未焼成ビア導体を形成する未焼成ビア導体充填工程と、上記未焼成ビア導体を形成した上記高誘電率セラミックグリーンシートの上面に、上記複数の未焼成ビア導体のうちのいずれかと接触する所定形状に金属ペーストを塗布して未焼成電極層を形成する未焼成電極層塗布工程と、上記未焼成ビア導体と未焼成電極層とが形成された高誘電率セラミックグリーンシートを所定順序に積層し、最上層に上記未焼成電極層は形成せず上記未焼成ビア導体は形成した高誘電率セラミックグリーンシートを積層し、圧着して積層体を形成する積層圧着工程と、上記積層体を焼成する焼成工程と、を備えることを特徴とするコンデンサの製造方法とするのが好ましい。
【００３４】
このコンデンサの製造方法では、高誘電率セラミックグリーンシートの穿孔し、金属ペーストを充填して未焼成ビア導体を形成し、金属ペーストを所定形状に塗布して未焼成電極層を形成し、その後、高誘電率セラミックグリーンシートを積層し、焼成して上記コンデンサを形成する。このようにすると、通常の積層コンデンサのように側面に共通電極を形成する必要が無く、安価に形成することができる。
【００３５】
さらに、底部用コア基板本体上面と底部用コア基板本体下面とを有する底部用コア基板本体のうち、凹部形成領域内に、底部用コア基板本体上面と底部用コア基板本体下面との間を貫通する複数の底部スルーホール導体を形成する底部スルーホール導体形成工程と、壁部用コア基板本体上面と壁部用コア基板本体下面とを有し、上記壁部用コア基板本体上面と壁部用コア基板本体下面との間を貫通する凹部用貫通孔を備える壁部用コア基板本体の上記壁部用コア基板本体下面と、上記底部用コア基板本体の上記底部用コア基板本体上面とを、上記凹部用貫通孔内に上記複数の底部スルーホール導体を露出させて、接着する接着工程と、を備えることを特徴とするコア基板本体の製造方法である。
【００３６】
このコア基板本体の製造方法では、底部用コア基板本体に底部スルーホール導体を形成し、その後、凹部用貫通孔を備える壁部用コア基板本体と底部用コア基板本体とを接着してコア基板本体を製造する。このように底部用コア基板本体と壁部用コア基板本体とに分けて製作し、その後両者を接着すると、容易に有底の凹部を有するコア基板本体を形成することができる。また、凹部の底部に位置する底部スルーホール導体を、公知の技術によって容易に製造することができる。
【００３７】
さらに他の解決手段は、コア基板本体上面、コア基板本体下面、上記コア基板本体上面側に開口する有底のコンデンサ内蔵用凹部、及び、上記凹部の底部を底面から上記コア基板本体下面まで貫通してコア基板本体下面に延出する複数の底部スルーホール導体、を備えるコア基板本体の、上記コンデンサ内蔵用凹部内に、コンデンサ上面、コンデンサ下面、互いに絶縁された一対の電極または電極群、上記コンデンサ上面に形成され、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通する複数の上面接続パッドであって、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の上面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の上面接続パッド、及び、上記コンデンサ下面に形成され、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通する複数の下面接続パッドであって、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の下面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の下面接続パッド、を備えるコンデンサを配置し、上記複数の下面接続パッドとこれに対応する上記複数の底部スルーホール導体とを接続する凹部内コンデンサ接続工程と、上記コンデンサ内蔵用凹部内に充填樹脂を注入し、上記充填樹脂を硬化させて、充填樹脂で上記コンデンサを上記コンデンサ内蔵用凹部内に固定するコンデンサ固定工程と、上記コア基板本体上面またはコア基板本体上面上の充填樹脂層とコア基板本体下面との間を貫通するコアスルーホール導体を形成するコアスルーホール形成工程と、を備えるコンデンサ内蔵コア基板の製造方法である。
【００３８】
本発明のコンデンサ内蔵コア基板の製造方法では、コンデンサ内蔵用凹部に接続したコンデンサを、コンデンサ内蔵用凹部に充填樹脂を充填して固定する。このため、コンデンサの下面接続パッドと底部スルーホール導体との接続が振動により破断する等の不具合が抑制され、コンデンサ内蔵コア基板の信頼性を向上させることができる。
【００３９】
さらに、上記コンデンサ内蔵コア基板の製造方法であって、前記コンデンサ固定工程は、前記コンデンサ内蔵用凹部内の他、前記コンデンサ上面及びコア基板本体上面のうち、少なくともコンデンサ上面にも充填樹脂を塗布し硬化させるコンデンサ固定−充填樹脂塗布硬化工程であり、前記コアスルーホール形成工程に先だって、上記コンデンサ上面上の、または、上記コンデンサ上面上及び前記コア基板本体上面上の、上記充填樹脂を研磨して上記複数の上面接続パッドを略面一に露出させるとともに、上記コンデンサ上面上の充填樹脂層と上記コア基板本体上面とを、または、上記コンデンサ上面上の充填樹脂層とコア基板本体上面上の充填樹脂層とを、略面一の平坦面に整面する研磨整面工程を備えることを特徴とするコンデンサ内蔵コア基板の製造方法とすると良い。
【００４０】
本発明のコンデンサ内蔵コア基板の製造方法では、コンデンサをコンデンサ内蔵用凹部内で接続し、さらに充填樹脂で固定するほか、複数の上面接続パッドを略面一に露出させ、しかも、コンデンサ上面上の充填樹脂層とコア基板本体上面とを、または、コンデンサ上面上の充填樹脂層とコア基板本体上面上の充填樹脂層とを、略面一の平坦面に整面してからコアスルーホールを形成する。このため、コア基板本体上面及びコンデンサ上面の上方に１または複数の樹脂絶縁層や配線層を形成する際に、コア基板本体上面の上方とコンデンサ上面の上方との間で段差を生じないため、樹脂絶縁層や配線層などを容易に形成することができ、あるいは、各配線層の断線やショートの不具合の発生を抑制することができる。さらに、ＩＣ接続端子や接続端子のコプラナリティを小さく抑えることができ、ＩＣチップや他の配線基板との接続性も良好にできる。
【００４１】
さらに他の解決手段は、前記コンデンサを内蔵する請求項３または請求項４に記載のコンデンサ内蔵コア基板の上記コンデンサの特性を検査し、規格外のコンデンサ内蔵コア基板を除去する特性検査工程と、規格内の上記コンデンサ内蔵コア基板の上下面に、樹脂絶縁層及び配線層を形成する絶縁層配線層形成工程と、を備えることを特徴とする配線基板の製造方法である。
【００４２】
樹脂絶縁層や配線層が形成された配線基板の状態で、コンデンサの不具合が発見されると、配線基板を廃棄せざるを得ない。しかし、一般に、コア基板に樹脂絶縁層や配線層を形成するのは、多数の工程と時間がかかるため、樹脂絶縁層や配線層が形成された配線基板は、付加価値が高くなり、配線基板を廃棄すると損失金額が大きくなる。これに対し、本発明の配線基板の製造方法では、コア基板本体のコンデンサ内蔵用凹部に、コンデンサの内蔵されたコンデンサ内蔵コア基板を用い、予めコア基板に内蔵されたコンデンサの特性を検査し、規格内のものだけ用いて樹脂絶縁層及び配線層を形成するので、配線基板製造後にコンデンサの不具合によって配線基板を廃棄する危険性を少なくし、廃棄に伴う損失金額を抑制することができる。このため、結局コンデンサを内蔵した配線基板を安価に製造することができる。
【００４３】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）
本発明の配線基板等の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。図１に示す本発明のコンデンサを内蔵した配線基板１００は、略正方形板状で、その上面（配線基板上面）１００Ａに、破線で示すＩＣチップ１と接続するためのＩＣ接続端子であるフリップチップパッド１０１が多数形成され、各フリップチップパッド１０１には、高温ハンダからなる略半球状のフリップチップバンプ１０２が形成されている。一方、配線基板下面１００Ｂには、マザーボードなどの他の配線基板と接続するための接続端子であるＬＧＡパッド１０３が多数形成されている。さらにこの配線基板１００は、コンデンサ２０を内蔵するコア基板本体１０、これらの上下に積層された樹脂絶縁層４１，４２，４３，５１，５２，５３及びこれらの層間に及び樹脂絶縁層を貫通して形成された各配線層６０，７０，８０，９０を備える。
【００４４】
このうち、コア基板本体１０は、略正方形板状で、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなり、その略中央にはコア基板本体上面１０Ａ側に開口する平面視略正方形状で有底のコンデンサ内蔵用凹部（以下単に凹部ともいう）１１を備える。このコンデンサ内蔵用凹部１１の底部１１Ｔ、即ち、底面１１Ｂとコア基板本体下面１０Ｂとの間には、この間を貫通する底部スルーホール導体１２が複数形成されている。また、この凹部１１内には、コンデンサ２０が内蔵されている。また、このコア基板本体１０の周縁部には、コア基板本体上面１０Ａとコア基板本体下面１０Ｂとの間を貫通するコアスルーホール導体３３が多数形成されている。
【００４５】
コンデンサ２０は、図２（ａ）（ｂ）に示すように、高誘電体セラミック、具体的には、ＢａＴｉＯ3を主成分とする誘電体層２４とＰｄを主成分とする電極層２５とを交互に積層した略正方形板状の積層セラミックコンデンサである。ただし、チップコンデンサなどに用いられ、積層された誘電体層及び電極層の側面からコンデンサの両極をなす２つの電極（共通電極）を取り出す通常の積層セラミックコンデンサとは、接続のための電極の取り出し方が異なる。即ち、図２（ｃ）に示すように、コンデンサ上面２０Ａ及びコンデンサ下面２０Ｂに、それぞれ多数の上面接続パッド２１（図２（ｃ）では、２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ）及び下面接続パッド２２（図２（ｃ）では、２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃ）を備えており、これらのパッド２１，２２によって、コンデンサ上面２０Ａ及びコンデンサ下面２０Ｂ内で、図中上方あるいは下方に接続可能になっている。
【００４６】
コンデンサ２０の電極層２５は、図２（ｃ）にその内部構造の概要を示すように、ビア導体２６Ｅ、２６Ｆでそれぞれ１層おきに導通された１対の電極層の群２５Ｅ，２５Ｆに分けられている。しかも、電極層の群２５Ｅ，２５Ｆは互いに絶縁されている。したがって、各誘電体層２４を挟んで対向する２つの電極群２５Ｅ，２５Ｆは、コンデンサ２０の２つの電極をなす。また、上面接続パッド２１の一部（図中右及び左のパッド２１Ａ，２１Ｃ）は、この電極層２５のうち最も上方に位置し一方の電極群２５Ｅに属するトップ電極層２５ＥＴと、誘電体層２４のうち最も上方に位置するトップ誘電体層２４Ｔを貫通するビア導体２７Ｅによって接続している。また、上部接続パッド２１の他の一部（図中中央のパッド２１Ｂ）は、上記トップ電極層２５ＥＴより下層に位置し他方の電極群２５Ｆに属する電極層２５と、ビア導体２７Ｆ及び２６Ｆによって接続している。このように、多数の上面接続パッド２１は、コンデンサの２つの電極をなす一対の電極群２５Ｅ，２５Ｆのいずれかに接続しており、しかも、この一対の電極群２５Ｅ，２５Ｆのいずれも複数の上面接続パッド２１のうちの少なくとも１つと接続している。つまり、多数の上面接続パッド２１のうちある上面接続パッド２１（例えば、２１Ａ）は、一方の電極群２５Ｅに接続している。またある上面接続パッド２１（例えば、２１Ｂ）は、他方の電極群２５Ｆと接続している。このため、コンデンサ２０の上方から、上面接続パッド２１を通じて、一対の電極群２５Ｅ，２５Ｆのいずれとも導通することができる。
【００４７】
同様に、下面接続パッド２２の一部（図中右及び左のパッド２２Ａ，２２Ｃ）は、電極層２５のうち最も下方のボトム電極層２５ＦＤより上層に位置し、一方の電極群２５Ｅに属する電極層２５と、誘電体層２４のうち最も下方に位置するボトム誘電体層２４Ｄを貫通するビア導体２８Ｆ及び２６Ｆによって接続している。また、下面接続パッド２２の他の一部（図中中央のパッド２２Ｂ）は、他方の電極群２５Ｆに属する上記ボトム電極層２５ＦＤと、ビア導体２８Ｆによって接続している。このように、多数の下面接続パッド２２は、コンデンサの２つの電極をなす一対の電極群２５Ｅ，２５Ｆのいずれかに接続しており、しかも、この一対の電極群２５Ｅ，２５Ｆのどちらもが下面接続パッド２２の少なくともいずれかと接続している。つまり、多数の下面接続パッド２２のうちある下面接続パッド２２（例えば、２２Ａ）は、一方の電極群２５Ｅに接続している。またある下面接続パッド２２（例えば、２２Ｂ）は、他方の電極群２５Ｆと接続している。このため、コンデンサ２０の下方から、下面接続パッド２２を通じて、一対の電極群２５Ｅ，２５Ｆのいずれとも導通することができる。
【００４８】
さらに、コンデンサ２０は、図１に示すように、コンデンサ下面２０Ｂにおいて、下面接続パッド２２とこれに対応する底部スルーホール導体１２とが、それぞれＡｇ−Ｓｎハンダからなるハンダ層２３によって導通、接続されている。これにより、コア基板本体１０に内蔵されたコンデンサ２０は、図中上方には上面接続パッド２１で、図中下方には下面接続パッド２２に接続する底部スルーホール導体１２でそれぞれ接続可能になっている。さらに、このコンデンサ２０は、エポキシ樹脂からなる充填樹脂３２によってコンデンサ内蔵用凹部１１内に固定されて、コア基板本体１０と一体となっている。
【００４９】
さらに、コア基板本体上面１０Ａ及びコンデンサ上面２０Ａの上方には、エポキシ樹脂を主成分とする３層の上部樹脂絶縁層４１，４２，４３を備える。一方、コア基板本体下面１０Ｂの下方には、同じく３層の下部樹脂絶縁層５１，５２，５３を備える。さらに上部樹脂絶縁層４１と４２の層間及び上部樹脂配線層４２と４３の層間には、それぞれ上部樹脂絶縁層４１，４２をも貫通し、Ｃｕメッキからなる配線層４５，４６が形成されている。同様に、下部樹脂絶縁層５１と５２の層間及び下部樹脂配線層５２と５３の層間には、それぞれ下部樹脂絶縁層５１，５２をも貫通し、Ｃｕメッキからなる配線層５５，５６が形成されている。
【００５０】
このうち、上部樹脂絶縁層４１，４２，４３の層間、及び上部樹脂絶縁層４１，４２をそれぞれ貫通して、フリップチップパッド１０１とこれに対応するコンデンサ２０の上面接続パッド２１とをそれぞれ結ぶ配線層４５，４６は、上部コンデンサ接続配線６０を構成する。また、上部樹脂絶縁層４１，４２，４３の層間、及び上部樹脂絶縁層４１，４２をそれぞれ貫通して、フリップチップパッド１０１とこれに対応するコアスルーホール導体３３とをそれぞれ結ぶ配線層４５，４６は、上部コア接続配線８０を構成する。一方、下部樹脂絶縁層５１，５２，５３の層間、及上部樹脂絶縁層５１，５２をそれぞれ貫通して、底面スルーホール導体１２とこれに対応するＬＧＡパッド１０３とをそれぞれ結ぶ配線層５５，５６は、下部コンデンサ接続配線７０を構成する。また、下部樹脂絶縁層５１，５２，５３の層間、及び下部樹脂絶縁層５１，５２をそれぞれ貫通して、コアスルーホール導体３３とこれに対応するＬＧＡパッド１０３とをそれぞれ結ぶ配線層５５，５６は、下部コア接続配線９０を構成する。
【００５１】
これにより、フリップチップバンプ１０２に接続されたＩＣチップ１は、フリップチップパッド１０１、上部コンデンサ接続配線６０、上面接続パッド２１を通じて、コンデンサ２０の一対の電極群２５Ｅ，２５Ｆとそれぞれ接続することになる。
さらに、ＬＧＡパッド１０３は、下部コンデンサ接続配線７０、底部スルーホール導体１２、下面接続パッド２２を通じて、コンデンサ２０の一対の電極群２５Ｅ，２５Ｆとそれぞれ接続している。
したがって、図２（ｄ）に示すように、フリップチップパッド１０１とＬＧＡパッド１０３との間を結び、一方の電極群２５Ｅと接続する上部コンデンサ接続配線６０及び下部コンデンサ接続配線７０と、同じく他方の電極群２５Ｆと接続する上部コンデンサ接続配線６０及び下部コンデンサ接続配線７０との間に、コンデンサ２０が挿入された状態となる。
【００５２】
このため、ＬＧＡパッド１０３に接続したマザーボードなどから供給される電源電位及び接地電位は、ＬＧＡパッド１０３から、下部コンデンサ接続配線７０、底部スルーホール導体１２、コンデンサ２０、上部コンデンサ接続配線６０、フリップチップパッド１０１、フリップチップバンプ１０２を通じて、ＩＣチップ１に供給することができるようになる。さらに、コンデンサ２０により電源電位や接地電位に重畳されるノイズを除去することができる。
しかも、コンデンサ２０は、コア基板本体１０に内蔵されているので、ＩＣチップ１のごく近くに配置することができるため、上部コンデンサ接続配線６０の長さを短くできる。したがって、コンデンサ２０によるノイズ除去能力をより高めることができる。特に、本実施形態では、コンデンサ２０を、ＩＣチップ１の直下に、したがって、フリップチップパッド１０１の直下に配置する構造としたので、上部コンデンサ接続配線６０の長さをごく短くすることができる。したがって、ＩＣチップ１とコンデンサ２０との距離をごく短くすることができるから、この間でノイズが重畳されることが少なく、特にノイズ除去に有効となる。
【００５３】
また、上部コンデンサ接続配線６０は多数形成され、多数のフリップチップパッド１０１と多数の上面接続パッド２１との間を並列に接続している。したがって、多数の上部コンデンサ接続配線６０が形成されることにより、全体として、ＩＣチップ１（フリップチップパッド１０１）とコンデンサ２０とを結ぶ上部コンデンサ接続配線６０の持つ抵抗やインダクタンスも、小さくなり、この点からも、ノイズ除去に有利となる。同様に、下部コンデンサ接続配線７０も多数形成され、多数のＬＧＡパッド１０３と多数の底部スルーホール導体１２との間を並列に接続している。したがって、多数の下部コンデンサ接続配線７０が形成されることにより、全体として、ＬＧＡパッド１０３とコンデンサ２０とを結ぶ下部コンデンサ接続配線７０及び底部スルーホール導体１２の持つ抵抗やインダクタンスも、小さくなり、この点からも、ノイズ除去に有利となる。
【００５４】
一方、信号線などコンデンサ２０に接続しないで、ＩＣチップ１とマザーボード等とを結ぶ配線は、フリップチップパッド１０１から上部コア接続配線８０を通じて、コアスルーホール導体３３に接続し、コア基板本体１０を貫通して、下部コア接続配線９０からＬＧＡパッド１０３に接続する。この構造は、スルーホール導体を形成したコア基板を用いた通常のビルドアップ配線基板と同様である。
このように、本実施形態の配線基板１００では、ＩＣチップ１のごく近くにコンデンサ２０を内蔵して、有効にノイズを除去すると共に、信号線等については、従来と同様の構造にすることができる。
【００５５】
次いで、上記配線基板１００の製造方法について、個別の部材であるコンデンサ２０、コア基板本体１０の製造方法を含めて説明する。まず、コンデンサ２０の製造方法について、図３を参照しつつ説明する。まず、図３（ａ）に示すように、公知のグリーンシート製造技術により、ＢａＴｉＯ3粉末を主成分とする高誘電体セラミックグリーンシート（以下、単にシートともいう）１２４を多数製造する。次いで、図３（ｂ）に示すように、このシート１２４の所定位置に、その表裏面１２４Ａ，１２４Ｂ間を貫通するビア孔１２４Ｈをパンチングにより形成する。
【００５６】
さらに、図３（ｃ）に示すように、各シート１２４のビア孔１２４Ｈ内に、Ｐｄペーストを充填して未焼成ビア導体１２６，１２７，１２８を形成し、さらに、各シート１２４の上面１２４Ａ側に、Ａｇ−Ｐｄペーストからなる所定形状の未焼成電極層１２５Ｅ，１２５Ｆを形成する。このうち、一方の未焼成電極層１２５Ｅは、図３（ｃ）において３つ形成した未焼成ビア導体１２６，１２７のうち、左右２つと接続し、中央の未焼成ビア導体１２６，１２７とは接続しないパターンに形成されている。他方の未焼成電極層１２５Ｆは、これとは逆に、３つ形成した未焼成ビア導体１２６，１２７のうち、中央の未焼成ビア導体１２６，１２７と接続し、左右のものとは接続しないパターンに形成されている。
【００５７】
なお、未焼成ビアパッド１２５Ｅあるいは１２５Ｆと接続しないビア１２６，１２７については、後述する積層時に確実に上下方向にビア導体同士を接触、導通させるため、各未焼成ビア導体１２６，１２７の上方に、未焼成電極層１２５Ｅ，１２５Ｆと同時にカバーパッド１２９を形成しておくと良い。
また、次述する積層時に最も上に積層する未焼成誘電体層１２４Ｄには、未焼成電極層１２５Ｅ，１２５Ｆのいずれも形成せず、各未焼成ビア導体１２８の上方に、カバーパッド１２２のみを形成するようにしている。
【００５８】
次いで、図３（ｄ）に示すように、未焼成電極層１２５Ｅが積層されたシート１２４と、１２５Ｆが積層されたシート１２４とを、交互に積み重ねるようにして積層する。そして、最も上には、未焼成電極層１２５Ｅ，１２５Ｆのいずれも形成せず、カバーパッド１２２のみを形成したシート１２４Ｄを積層し、これらを圧着して積層体１２０を形成する。これにより、未焼成誘電体層１２４と未焼成電極層１２５Ｅ，１２５Ｆとは、交互に積層され、しかも、未焼成電極層１２５Ｅと１２５Ｆとは互いに１層おきに配置された状態となる。また、未焼成電極層１２５Ｅ，１２５Ｅはそれぞれ未焼成ビア導体１２６，１２７を介して、互いに接続され、同様に、未焼成電極層１２５Ｆ，１２５Ｆもそれぞれ未焼成ビア導体１２６，１２７を介して、互いに接続される。その上、未焼成電極層１２５Ｅの群と１２５Ｆの群とは、接触することはなく、互いに絶縁された状態となる。
【００５９】
その後、この積層体１２０を上下反転させて、未焼成ビア導体１２７が露出する積層体１２０の上面にカバーパッドを形成した上で、この積層体１２０を焼成（同時焼成）して、図２に示すコンデンサ２０を形成する。コンデンサ２０をこのようにして形成したので、例えば、焼成後に誘電体層２４の側面に電極層２５Ｅ、あるいは２５Ｆと接続するための共通電極を形成する必要はなく、焼成後、直ちにコンデンサとして使用することができる。なお、ビア導体２６，２７，２８（未焼成ビア導体１２６，１２７，１２８）は、上層や下層のビア導体の位置や隣り合うビア導体２４との間隔等を考慮すれば、誘電体層２４の面内いずれの位置にも形成できる。
【００６０】
したがって、上部コンデンサ接続配線６０や下部コンデンサ接続配線７０の引き回しの容易さ、上部コンデンサ接続配線６０に接続するフリップチップパッド１０１の数や、下部コンデンサ接続配線７０に接続するＬＧＡパッド１０３の数などに応じて、上面接続パッド２１および下面接続パッド２２の位置や数も任意に選択して形成することができる。さらには、コンデンサ２０を配線基板１００に内蔵させない場合においても、上下に接続させるＩＣチップ等の電子部品の端子配置に応じて、上面接続パッド２１および下面接続パッド２２の位置や数も任意に選択して形成することができる。なお、Ｐｄからなる上面接続パッド２１あるいは下面接続パッド２２は、ハンダ付け性やＣｕからなる配線層４５との接続性を考慮して、Ｎｉ−Ａｕメッキや、Ｃｕメッキ等を施しておくこともできる。また、上面接続パッド２１、及び／または、下面接続パッド２２の周囲には、公知の手法により、セラミックや樹脂などからなるソルダーレジスト層を形成しておくこともできる。
【００６１】
完成したコンデンサ２０は、ショートの有無、静電容量値、電極群２５Ｅと２５Ｆとの間の絶縁抵抗値、各上面接続パッド２１及び各下面接続パッド２２と、電極群２５Ｅ，２５Ｆとの導通あるいは絶縁のチェック等、各種のチェックを行い、不具合のあるコンデンサ２０は廃棄する。これにより、後述する工程で不具合のあるコンデンサ２０を使用する危険性を減少させることができる。
【００６２】
次いで、コア基板本体１０およびその製造方法について説明する。コア基板本体１０は、まず、コンデンサ２０を内蔵する前に、図４に示す状態にする。即ち、図４に示すコア基板本体１０は、コア基板本体上面１０Ａとコア基板本体下面１０Ｂとを有し、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなる底部用コア基板本体１３と、同じくガラス−エポキシ樹脂複合材料からなる壁部用コア基板本体１６とが、接着層１７で接着されて形成されている。さらに、コア基板本体上面１０Ａには、壁部用コア基板本体１６を貫通する有底の凹部１１が開口しており、その底部１１Ｔには、凹部１１の底面１１Ｂとコア基板本体下面１０Ｂとの間を貫通し、Ｃｕメッキからなる底部スルーホール導体１２が、上記コンデンサ２０の下面接続パッド２２に対応した位置に形成されている。
【００６３】
なお、このコア基板本体１０は、そのコア基板本体上面１０Ａとコア基板本体下面１０Ｂとの間を貫通するコアスルーホール導体３３は形成されていない。コアスルーホール導体３３は、コア基板本体１０の凹部１１内に、上述のコンデンサ２０を内蔵してから形成するからである。
【００６４】
さらに、このコア基板本体下面１０Ｂには、底部スルーホール導体１２から延在する接続配線１５も形成されている。また、底面スルーホール導体１２は、Ｃｕメッキからなる筒状のスルーホール導体内部にＣｕ粉末を含有する充填用樹脂１４が充填され、その上下もＣｕメッキで閉塞された形状となっている。したがって、この底部スルーホール導体１２は、図１に示すように、直接ハンダ（例えばハンダ２３）を溶着してハンダ付けを行ったり、その直上あるいは直下にメッキ等によって配線層（例えば配線層５５など）を形成することができる。
【００６５】
このように、底部スルーホール導体１２の内部を導電性樹脂や絶縁性樹脂等で充填し、さらには蓋状にメッキを施すと、隣り合う底部スルーホール導体１２同士の間隔を狭くすることができ、高密度実装に適するので、狭い間隔で底部スルーホール導体１２を形成したい場合、あるいは、より多くの下面接続パッド２２や下部コンデンサ接続配線７０を、形成したい場合に好都合である。一方、底部スルーホール導体１２同士の間隔に余裕がある場合には、凹部１１の底面１１Ｂに、底部スルーホール導体１２から延在するパッドを形成して、このパッドと下面接続パッド２２とを接続させることもできる。また、コア基板本体下面１０Ｂに、底部スルーホール導体１２から延在する接続配線を形成して、この接続配線と下部コンデンサ接続配線６０（具体的には配線層５５）とを接続させることもできる。
【００６６】
このコア基板本体１０は、以下のようにして製造する。即ち、まず図５（ａ）に示すように、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなる底部用コア基板本体１３の上下両面に銅箔１３ＡＣ，１３ＢＣを備えた両面銅張り基板１３Ｐを用意する。次いで、図５（ｂ）に破線で示すように、凹部１１（図４参照）を形成する凹部形成領域１３ＲＡに、この両面銅張り基板１３Ｐを厚さ方向に貫通するスルーホール孔１３Ｈをドリルで形成する。なお、スルーホール孔１３Ｈの間隔や径を小さくしたい場合には、レーザ（ＣＯ2，ＹＡＧ等）で穿孔すると良い。
【００６７】
その後、公知のスルーホール導体形成手法により、スルーホール孔１３Ｈ内にスルーホール導体１２を形成する（図５（ｃ）参照）。例えば具体的には、無電解Ｃｕメッキ及び電解Ｃｕメッキを施して、スルーホール孔１３Ｈ内に円筒状のＣｕメッキ層を形成する。その後、スルーホール孔内の円筒状Ｃｕメッキ内部に、Ｃｕ粉末を含有する充填用樹脂１４を充填し硬化させる。その後、銅箔１３ＡＣの上面及び１３ＢＣの下面を研磨して整面した後に、この上下面に電解Ｃｕメッキを施し、充填用樹脂１４の上下に電解メッキ層で蓋をする。その後、上下面にレジスト層を形成し、露光現像して不要部分を開口させ、エッチングによって不要な銅メッキ層及び銅箔を除去することで、スルーホール孔１３Ｈ内及びその周縁にＣｕからなる底部スルーホール導体１２、及びこれから延在する接続配線１５を形成する。
【００６８】
一方、図５（ｄ）に示すように、同じくガラス−エポキシ樹脂複合材料からなり、上記底部用コア基板本体１３より厚さの厚い壁部用コア基板本体１６を用意する。この壁部用コア基板本体１６には、予め上記凹部１１に対応した位置に、凹部用貫通孔１６Ｈをパンチングにより形成しておく。
【００６９】
次いで、図５（ｅ）に示すように、底部用コア基板本体上面１３Ａと、壁部用コア基板本体下面１６Ｂとを、半硬化のエポキシ樹脂からなり、凹部用貫通孔１６Ｈに適合させて略ロ字状に成型した接着シート１７Ｒを介して挟み、加熱、圧着する。これにより、両者１３，１６は、接着層１７を介して接着され、図４に示すコア基板本体１０が作成できる。
【００７０】
本実施形態のように、凹部１１を有するコア基板本体１０を作成するのに、予め凹部１１の底部を構成する底部用コア基板本体１３と、凹部１１の壁部を構成する壁部用コア基板本体１６とに分けて製作し、その後貼り合わせるようにすると、有底の凹部１１を容易かつ正確な寸法で形成できる。さらに、底部の底部スルーホール導体１２も公知の手法を用いて容易に形成することができる。したがって安価にコア基板本体１０を形成することができる。
【００７１】
次いで、このコア基板本体１０にコンデンサ２０を内蔵させ、コアスルーホール導体３３を形成する工程を説明する。まず、図６（ａ）に示すように、コア基板本体１０の凹部１１内に、上述のコンデンサ２０をコンデンサ下面２０Ｂを下にして配置し、下面接続パッド２２と対応する底部スルーホール導体１２とをＡｇ−Ｓｎからなるハンダ２３でハンダ付け接続する。具体的には、予め下面接続パッド２２にハンダペーストを印刷しておき、底部スルーホール導体１２と重ねた後に、リフロー炉を通過させてハンダペーストを溶融させてハンダ付けする。
【００７２】
凹部１１内のフラックスを洗浄除去した後、図６（ｂ）に示すように、凹部１１内の他、コア基板本体上面１０Ａ及びコンデンサ上面２０Ａ上に、エポキシ樹脂を主成分とする充填樹脂３２を注入及び塗布し硬化させる。これにより、コンデンサ２０が底部スルーホール導体１２に接続されつつ、凹部１１内において充填樹脂３２（３２Ａ）で固定されて、コア基板本体１０に内蔵され、熱や振動等が掛かった場合に、下面接続パッド２２と底部スルーホール導体１２との間が破断する不具合が防止される。
【００７３】
さらに、図６（ｃ）に示すように、コア基板本体上面１０Ａ上及びコンデンサ上面２０Ａ上の充填樹脂層３２Ｂ，３２Ｃを平面に研磨して、上面接続パッド２１を露出させると共に、この上面接続パッド２１と、コンデンサ上面２０Ａ上及びコア基板本体上面１０Ａ上に残した充填樹脂層３２Ｂ，３２Ｃとを略面一に整面する。このようにして製作したコンデンサ内蔵コア基板では、コア基板本体１０に凹部１１を形成し、その中にコンデンサ２０を内蔵させたことによる段差の発生は吸収され、以降に形成する上部樹脂絶縁層４１等や配線層４５等が段差によって歪み、断線やショート等の不具合を生じることはなくなる。また、フリップチップパッド１０１（あるいはフリップチップバンプ１０２）への段差の影響もなくなるため、フリップチップパッド１０１等のコプラナリティも良好にできる。
【００７４】
さらに、図７に示すように、このコア基板本体１０の凹部１１の周縁に、コア基板本体上面１０Ａとコア基板本体下面１０Ｂとの間、さらには、充填樹脂層３２Ｃの上面３２ＣＵとコア基板本体下面１０Ｂとの間を貫通するコアスルーホール孔３０Ｈをドリルによって形成する。なお、孔径や間隔を小さくしたい場合などでは、レーザ（ＣＯ2，ＹＡＧ等）で穿孔すると良い。
【００７５】
次いで、公知のスルーホール導体形成手法によって、このコアスルーホール孔３０Ｈ内及びその周縁にＣｕからなるコアスルーホール導体３３を形成する。なお、充填樹脂層上面３２ＣＵ及びコア基板本体下面１０Ｂには、コアスルーホール導体３３から延在して配線層４５、５５と接続するための接続配線３４，３５も形成する。また、充填樹脂層３２Ｂと面一にした上面接続パッド２１も、Ｃｕメッキによってその厚さを増して充填樹脂層３２Ｂより上方の突出した状態とする。このようにして、コンデンサ内蔵コア基板（以下単にコア基板ともいう）３０を作成する。
【００７６】
このコア基板３０は、コア基板本体１０の他、コンデンサ２０をその凹部１１に内蔵している。しかし、コア基板上面３０Ａ（充填樹脂層上面３２ＣＵ）やコア基板３０Ｂ（コア基板本体下面１０Ｂ）には、所定部位にこれらの間を貫通するコアスルーホール導体３３、あるいは、上面接続端子２１や底部スルーホール導体１２、接続配線１５，３４，３５が形成されており、コア基板上面３０Ａ（充填樹脂層上面３２ＣＵ）は平坦にされている。したがって、コンデンサを内蔵しない通常の配線基板に用いるコア基板と同様に用いることができる。
【００７７】
コアスルーホール導体３３の具体的な製造方法は、例えば以下のようである。即ち、まずコア基板本体１０の全面に無電解Ｃｕメッキを施して、スルーホール孔３０Ｈ内、充填樹脂層上面３２ＣＵ、及びコア基板本体下面１０Ｂに無電解Ｃｕメッキ層を形成する。その後、充填樹脂層３２Ｃの上面３２ＣＵ及びコア基板本体下面１０Ｂ上にドライフィルムを貼り、露光現像してコアスルーホール孔の周縁など電解メッキ形成部分を開口させる。さらに、無電解Ｃｕメッキ層を共通電極として電流を流して電解Ｃｕメッキを施し、ドライフィルムを除去した後、不要な無電解Ｃｕメッキ層をソフトエッチングで除去してコアスルーホール導体３３、接続配線３４，３５等を形成する。なお、上面接続パッド２１にも無電解Ｃｕメッキ及び電解Ｃｕメッキを施す。一方、コア基板本体下面１０Ｂの露出する底部スルーホール導体１２及び接続配線１５は、メッキされないように予め保護フィルムを貼り付けておく。ただし、本実施形態では、コアスルーホール孔３０Ｈを形成する前に、コンデンサ２０を凹部１１内に内蔵しているので、凹部１１内の露出する底部スルーホール導体１２にメッキやエッチングが施されないように、保護フィルム等を形成しておく必要がない。あるいは、上記保護フィルムを用いずに、底部スルーホール導体及び接続配線１５上にも無電解Ｃｕメッキを施す。その後、ドライフィルムによって、底部スルーホール導体１２及び接続配線をカバーして、電解メッキがこれらの上に形成されるのを防止する。電解メッキ後、ドライフィルムを剥がし、形成された無電解Ｃｕメッキ層をソフトエッチングによって除去するようにしても良い。このようにすると、保護フィルムを貼り付ける工程が不要になる。
【００７８】
その他、本実施形態では、コアスルーホール導体３３をコアスルーホール孔３０Ｈの内周及び周縁に形成された略円筒形状に形成したが、上記した底部スルーホール導体１２と同様に、内部に充填用樹脂を充填しその上下をメッキ層で閉塞するようにしても良い。このようにすれば、接続配線３４，３５を介さず、配線層４５，５５とコアスルーホール導体３３とを直接接続することができるので、コアスルーホール導体３３の間隔を高密度に形成することができる。
【００７９】
後述するように、このコンデンサ２０を内蔵したコア基板３０に樹脂絶縁層や配線層を形成する前に、内蔵したコンデンサ２０の特性検査を行うと良い。即ち、コア基板３０に内蔵された状態で、コンデンサ２０の、ショートの有無、静電容量値、一対の電極群２５Ｅと２５Ｆと間の絶縁抵抗値、各上面接続パッド２１及び各底面スルーホール導体１２と、各電極群２５Ｅ，２５Ｆとの導通あるいは絶縁のチェック等、各種の検査を行い、不具合のあるコンデンサ２０が内蔵されたコア基板３０は廃棄する。これにより、後述するように工数の掛かる樹脂絶縁層や配線層を形成した後に、コンデンサ２０に不具合があることが判明することで、付加価値の高い配線基板１００全体を廃棄せざるを得なくなる危険性を減少させることができる。
【００８０】
その後は、このコア基板３０を用いて、公知の樹脂絶縁層形成技術、配線層形成技術を用いて樹脂絶縁層や配線層を形成し、配線基板１００を形成すればよい。 なお本実施形態では、樹脂絶縁層を形成する前に、以下の処理を行う。即ち、図８（ａ）に示すように、コアスルーホール導体３３の内部の他、充填樹脂層３２Ｂ、３２Ｃの上方や上面接続パッド２１、接続配線３４の上方、コア基板本体下面１０Ｂや底部スルーホール導体１２，接続配線１５，３５の上（図中下方）にエポキシ樹脂を主成分とする平坦化樹脂３６，３７，３８を、充填塗布し、硬化させる。あるいは、まずコアスルーホール導体３３の内部に平坦化樹脂３６を充填し硬化させた後に、平坦化樹脂３７，３８を塗布して硬化させても良い。
【００８１】
さらに、図８（ｂ）に示すように、平坦化樹脂３７，３８の上面あるいは下面を研磨して平坦にする。それと共に、上面接続パッド２１、コアスルーホール導体３３及び接続配線３４を平坦化樹脂層３７と略面一に露出させる。また、底部スルーホール導体１２，接続配線１５，３５及びコアスルーホール導体３３を平坦化樹脂層３８と略面一に露出させる。これにより、上面接続パッド２１やコアスルーホール導体３３、接続配線１５，３４，３５、底部スルーホール導体１２等が、コア基板上面３０Ａあるいはコア基板下面３０Ｂから突出して形成されているために、その上下に形成する樹脂絶縁層４１，５１等あるいは配線層４５，５５等が受ける影響を無くすことができる。したがって、配線層４５等の断線やショートの防止、あるいは、フリップチップパッド１０１等のコプラナリティの向上を図ることができる。
【００８２】
以降は、平坦化樹脂層３７の上面３７Ｕ及び平坦化樹脂層３８の下面３８Ｄに、エポキシ樹脂を主成分とする感光性フィルムを貼り付ける。さらに、露光現像して、底面にそれぞれ上面接続パッド２１、接続配線１５，３４，３５、底部スルーホール導体１２等が露出する位置にビアホール４１ＶＨ，５１ＶＨを形成し、感光性フィルムを硬化させて、図９（ａ）に示すように、樹脂絶縁層４１，５１をそれぞれ形成する。なお、樹脂絶縁層４１，５１を感光性のない樹脂で形成した後に、レーザ（ＣＯ2，ＹＡＧ等）を用いてビアホール４１ＶＨ，５１ＶＨを穿孔するようにしても良い。
【００８３】
さらに、無電解Ｃｕメッキを施し、ドライフィルムを貼り付け露光現像して電解メッキ層形成部分のみ開口させ、無電解Ｃｕメッキ層を共通電極として開口内に電解Ｃｕメッキ層を形成し、ドライフィルムを除去した後、不要な無電解Ｃｕメッキ層をソフトエッチングにより除去する。これにより、ビアホール４１ＶＨ、５１ＶＨ内に樹脂絶縁層４１，５１をそれぞれ貫通し、上面接続パッド２１等とそれぞれ接続するビア部４５Ｖ，５５Ｖを有する配線層４５，５５が、互いに絶縁されて形成される。なお、この配線層４５，５５は、さらに上部に樹脂絶縁層４２，５２が形成されると樹脂絶縁層４１と４２、あるいは樹脂絶縁層５１と５２の層間に配置されることになる。
【００８４】
以降は、同様にして樹脂絶縁層４２，５２、配線層４６，５６及びフリップチップパッド１０１、樹脂絶縁層（ソルダレジスト層）４３，５３を順に形成し、さらに、樹脂絶縁層４３から露出するフリップチップパッド１０１にハンダペーストを塗布しリフローすることで、ハンダからなるフリップチップバンプ１０２を形成する。このようにして、図１に示す配線基板１００が完成する。なお、ＬＧＡパッド１０３の表面には、酸化防止のため、Ｎｉ−Ａｕメッキ層を形成しても良い。
【００８５】
本実施形態においては、コア基板本体１０の凹部１１内にコンデンサ２０を内蔵させ充填樹脂３２で固定した後に、充填樹脂層３２Ｂ，３２Ｃの上面を研磨し整面した。さらに、コアスルーホール導体３３等を形成した後にも、平坦化樹脂層３７，３８の上面を研磨して整面した。このため、コンデンサ２０を凹部１１内に内蔵させたことによって生じる段差を解消し、さらには、コアスルーホール導体３３や上面接続パッド２１等の突出による段差も解消したので、配線層４５，５５等の断線やショート、さらには、フリップチップパッド１０１やフリップチップバンプ１０２のコプラナリティも向上させることができる。
【００８６】
また本実施形態では、上述のように樹脂絶縁層４１，４２，４３，５１，５２，５３を、感光性樹脂フィルムを用いたフォトリソグラフィ技術によって形成し、また、配線層４５，５５を、いわゆるセミアディティブ法によって形成した。しかし、樹脂絶縁層４１等を樹脂ペーストを塗布するなど他の手法で、また、配線層４５等も、サブトラクティブ法、フルアディティブ法、その他の手法で形成しても良い。即ち、公知のいずれの手法によって、樹脂絶縁層４１等及び配線層４５等を形成しても良い。
【００８７】
（実施形態２）
次いで、第２の実施の形態にかかる配線基板２００ついて、図１０を参照しつつ説明する。前記実施形態１の配線基板１００では、コンデンサ２０を内蔵するコア基板本体１０の凹部１１が、図中上方に向かって開口していた。これに対して、本実施形態の配線基板２００では、コンデンサ２２０を内蔵するコア基板本体２１０の凹部２１１が、図中下方に向かって開口している点で異なり、その他は同様であるので、異なる部分を中心に説明し、同様な部分については説明を省略あるいは簡略化する。
【００８８】
配線基板２００は、その配線基板上面２００Ａに、破線で示すＩＣチップ１との接続用のフリップチップパッド１０１及びフリップチップバンプ１０２が多数形成されている。一方、配線基板下面２００Ｂには、ＬＧＡパッド１０３が多数形成されている。さらにこの配線基板２００は、コンデンサ２２０を内蔵するコア基板本体２１０、これらの上下に積層された樹脂絶縁層４１，４２，４３，５１，５２，５３及びこれらの層間に及び樹脂絶縁層を貫通して形成された各配線層６０，７０，８０，９０を備える。
【００８９】
このうち、コア基板本体２１０は、平面視略正方形板状で、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなり、その略中央にはコア基板本体下面２１０Ｂ側に開口する有底の凹部２１１を備える。この凹部２１１の図中上方に位置する底部２１１Ｔ、即ち、底面２１１Ｂとコア基板本体上面１０Ａとの間には、この間を貫通する底部スルーホール導体２１２が複数形成されている。また、この凹部２１１内には、コンデンサ２２０が内蔵されている。また、このコア基板本体２１０の周縁部には、コア基板本体上面２１０Ａとコア基板本体下面２１０Ｂとの間を貫通するコアスルーホール導体２３３が多数形成されている。
【００９０】
コンデンサ２２０は、実施形態１で説明したコンデンサ２０と同様の材質、構造を有する積層セラミックコンデンサである（図２（ａ）（ｂ）（ｃ）参照）。コンデンサ上面２２０Ａ及びコンデンサ下面２２０Ｂには、それぞれ多数の上面接続パッド２２１及び下面接続パッド２２２を備えており、これらのパッド２２１，２２２によって、コンデンサ上面２２０Ａ及びコンデンサ下面２２０Ｂ内で、図中上方あるいは下方に接続可能になっている。
このコンデンサ２２０の上面接続パッド２２１とこれに対応する底部スルーホール導体２１２とが、それぞれＡｇ−Ｓｎハンダからなるハンダ層２２３によって導通、接続されている。これにより、コア基板本体２１０に内蔵されたコンデンサ２２０は、図中上方には上面接続パッド２２１に接続する底部スルーホール導体２１２で、図中下方には下面接続パッド２２２で、それぞれ接続可能になっている。さらに、このコンデンサ２２０は、エポキシ樹脂からなる充填樹脂２３２によって凹部２１１内に固定されて、コア基板本体２１０と一体となっている。
【００９１】
さらに、実施形態１と同様に、コア基板本体上面２１０Ａの上方には、エポキシ樹脂を主成分とする３層の上部樹脂絶縁層４１，４２，４３を備える。一方、コア基板本体下面２１０Ｂ及びコンデンサ下面２２０Ｂにも、同じく３層の下部樹脂絶縁層５１，５２，５３を備える。さらに上部樹脂絶縁層４１と４２の層間及び上部樹脂配線層４２と４３の層間には、それぞれ上部樹脂絶縁層４１，４２をも貫通し、Ｃｕメッキからなる配線層４５，４６が形成されている。同様に、下部樹脂絶縁層５１と５２の層間及び下部樹脂配線層５２と５３の層間には、それぞれ下部樹脂絶縁層５１，５２をも貫通し、Ｃｕメッキからなる配線層５５，５６が形成されている。
【００９２】
このうち、フリップチップパッド１０１とこれに対応する底部スルーホール導体２１２とをそれぞれ結ぶ配線層４５，４６は、上部コンデンサ接続配線６０を構成し、フリップチップパッド１０１とこれに対応するコアスルーホール導体３３とをそれぞれ結ぶ配線層４５，４６は、上部コア接続配線８０を構成する。一方、コンデンサ２０の下面接続パッド２２２とこれに対応するＬＧＡパッド１０３とをそれぞれ結ぶ配線層５５，５６は、下部コンデンサ接続配線７０を構成し、コアスルーホール導体３３とこれに対応するＬＧＡパッド１０３とをそれぞれ結ぶ配線層５５，５６は、下部コア接続配線９０を構成する。
【００９３】
これにより、フリップチップバンプ１０２に接続されたＩＣチップ１は、コンデンサ２２０の一対の電極群とそれぞれ接続することになる。さらに、ＬＧＡパッド１０３は、コンデンサ２２０の一対の電極群とそれぞれ接続している。
このため、ＬＧＡパッド１０３に接続したマザーボードなどから供給される電源電位及び接地電位は、ＬＧＡパッド１０３から、下部コンデンサ接続配線７０、コンデンサ２２０、底部スルーホール導体２１２、上部コンデンサ接続配線６０、フリップチップパッド１０１、フリップチップバンプ１０２を通じて、ＩＣチップ１に供給することができるようになる。さらに、コンデンサ２２０により電源電位や接地電位に重畳されるノイズを除去することができる。
【００９４】
しかも、コンデンサ２２０は、コア基板本体２１０に内蔵されているので、ＩＣチップ１のごく近くに配置することができるため、上部コンデンサ接続配線６０の長さを短くできる。したがって、コンデンサ２２０によるノイズ除去能力をより高めることができる。特に、本実施形態では、コンデンサ２２０を、ＩＣチップ１の直下に、したがって、フリップチップパッド１０１の直下に配置する構造としたので、上部コンデンサ接続配線６０の長さをごく短くすることができる。したがって、ＩＣチップ１とコンデンサ２２０との距離をごく短くすることができるから、この間でノイズが重畳されることが少なく、特にノイズ除去に有効となる。
【００９５】
また、上部コンデンサ接続配線６０は並列に多数形成されている。また同様に、下部コンデンサ接続配線７０も多数形成されている。このため、全体として、上部コンデンサ接続配線６０や下部コンデンサ接続配線７０及び底部スルーホール導体１２の持つ抵抗やインダクタンスも小さくなり、この点からもノイズ除去に有利となる。
【００９６】
一方、信号線などコンデンサ２２０に接続しないで、ＩＣチップ１とマザーボード等とを結ぶ配線は、フリップチップパッド１０１から上部コア接続配線８０を通じて、コアスルーホール導体３３に接続し、コア基板本体２１０を貫通して、下部コア接続配線９０からＬＧＡパッド１０３に接続する。この構造は、スルーホール導体を形成したコア基板を用いた通常のビルドアップ配線基板と同様である。
このように、本実施形態の配線基板２００でも、ＩＣチップ１のごく近くにコンデンサ２２０を内蔵して、有効にノイズを除去すると共に、信号線等については、従来と同様の構造にすることができる。
【００９７】
さらに、本実施形態の配線基板２００では、凹部２１１が下方に開口し、その底部２１１Ｔが図中上方に位置しているため、樹脂絶縁層４１，４２，４３及び配線層４５，４６、さらには、フリップチップパッド１０１やフリップチップバンプ１０２は、凹部２１１の影響を受けることなく形成することができる。したがって、凹部２１１やコンデンサ２２０によって段差が生じることに起因して、フリップチップパッド１０１等のコプラナリティの低下が生じることが無いから、ＩＣチップ１との安定した接続性を得ることができる。
なお、この配線基板２００は、実施形態１のコンデンサ２０や配線基板本体１０と同様のコンデンサ２２０やコア基板本体２１０を製作し、コア基板本体２１０にコンデンサ２２０を内蔵させ、上下反転させた上で実施形態１と同様に樹脂絶縁層４１等や配線層４５等を形成すれば製作できるので、その詳細な説明を省略する。
【００９８】
以上において、本発明を実施形態に即して説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適用できることはいうまでもない。
例えば、上記実施形態では、コア基板本体１０、さらにいえば、底部用コア基板本体１３及び壁部用コア基板本体１６の材質として、ガラス−エポキシ樹脂複合材料を用いたが、コア基板本体としては、耐熱性、機械的強度、可撓性、加工の容易さ等を考慮して選択すればよい。したがって、例えば、ガラス織布、ガラス不織布などのガラス繊維とエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂等の樹脂とのガラス繊維−樹脂複合材料や、ポリアミド繊維などの有機繊維と樹脂との複合材料、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂等の樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料などを用いることができる。
【００９９】
また、樹脂絶縁層４１等として、エポキシ樹脂を主成分とするものを用いたが、耐熱性、パターン成形性等を考慮して適宜選択すれば良く、例えば、ポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂等の樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料等が挙げられる。
同様に、配線層４５等を、無電解Ｃｕメッキ及び電解Ｃｕメッキによって形成したが、その他の材質、例えば、Ｎｉ、Ｎｉ−Ａｕ等によって形成しても良く、さらには、メッキによらず、導電性樹脂を塗布する等の手法によって配線層４５等を形成しても良い。
【０１００】
上記実施形態では、ＩＣチップ１との接続のために、配線基板上面１００Ａ，２００Ａにフリップチップパッド１０１及びフリップチップバンプ１０２を多数設けた。しかし、ＩＣ接続端子としては、接続するＩＣチップに形成され端子に応じて、適切な形態のものを選択すれば良く、フリップチップバンプを形成したものの他、フリップチップパッドのみのもの、あるいは、ワイヤボンディングパッドやＴＡＢ接続用のパッドを形成したものなどが挙げられる。
【０１０１】
上記実施形態では、コア基板本体の略中央に凹部を１つ設けたものを示したが、略中央に形成する必要はなく、また、必要に応じて凹部を複数設けてコンデンサを内蔵するようにしても良い。また逆に、複数の電源電位に対応するなどのため、１つの凹部内に、複数のコンデンサを内蔵するようにしても良い。
また、コンデンサ２０として、コンデンサ上面２０Ａやコンデンサ下面２０Ｂに略平行に誘電体層２４及び電極層２５を積層した積層セラミックコンデンサを示した。しかし、内蔵させるコンデンサは、コンデンサ上面２０Ａやコンデンサ下面２０Ｂに上面接続パッド２１や下面接続パッド２２が形成されたもので有ればよく、例えば、誘電体層や電極層がコンデンサ上面と略直交する方向に積層されているなど、コンデンサの積層方向や内部構造は適宜変更することができる。また、上記実施形態１では、コンデンサ内に形成したビア導体２６，２７，２８は、いずれも他のビア導体と上下方向に重なった位置に形成されたものを示したが（図２（ｃ）参照）、他のビア導体が上方あるいは下方にある位置に限定する必要はなく、各ビア導体２６等の配置あるいはその数は、適宜選択することができる。
【０１０２】
さらに、上記実施形態では、誘電体層２４にＢａＴｉＯ3を主成分とする高誘電体セラミックを用いたが、誘電体層の材質はこれに限定されず、例えば、ＰｂＴｉＯ3，ＰｂＺｒＯ3，ＴｉＯ2，ＳｒＴｉＯ3，ＣａＴｉＯ3，ＭｇＴｉＯ3，ＫＮｂＯ3，ＮａＴｉＯ3，ＫＴａＯ3，ＲｂＴａＯ3，（Ｎａ1/2Ｂｉ1/2）ＴｉＯ3，Ｐｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3，（Ｋ1/2Ｂｉ1/2）ＴｉＯ3などが挙げられ、要求されるコンデンサの静電容量その他に応じて適宜選択すればよい。
また、電極層２５やビア導体２６等には、Ｐｄを用いたが、誘電体層の材質等との適合性を考慮して選択すれば良く、例えば、Ｐｔ，Ａｇ，Ａｇ−Ｐｔ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｎｉ等が挙げられる。
さらに、高誘電体セラミックを主成分とする誘電体層やＡｇ−Ｐｄ等からなる電極層と、樹脂層やＣｕメッキ，Ｎｉメッキ等からなるビア導体や配線層とを複合させてコンデンサとしたものを用いることもできる。
【０１０３】
上記実施形態では、下面接続パッド２２または上面接続パッド２２１と底部スルーホール導体１２，２１２とをＡｇ−Ｓｎハンダで接続したが、ハンダ付けの容易さやハンダ付け温度等を考慮し、適宜ハンダの材質を選択すれば良い。例えば、Ｐｂ−Ｓｎ系高温ハンダや、Ａｕ−Ｓｉ，Ｓｎ−Ａｇ，Ｓｎ−Ｃｕ，Ｓｎ−Ｂｉ，Ｓｎ−Ｚｎ，Ｓｎ−Ａｕ，Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ，Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ，Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕなど各種のハンダが挙げられる。また、さらに、例えば、下面接続パッド２２と底部スルーホール導体１２とに挟まれた部分のみ上下方向に導通する異方性導電性樹脂シートを用い、これをコンデンサ２０（下面接続パッド２２）と底部スルーホール導体１２との間に介在させて、両者を接続しても良い。
また、上記実施形態では、凹部１１内にコンデンサ２０を内蔵した後、凹部１１内に充填樹脂３２（３２Ａ）を充填したほか、コンデンサ上面２０Ａ上及びコア基板本体上面１０Ａ上にも、充填樹脂層３２Ｂ，３２Ｃを形成した（図６参照）。しかし、少なくとも充填樹脂３２（３２Ａ）でコンデンサ２０を凹部１１内に固定できれば良い。したがって、凹部１１内にのみ充填樹脂３２を注入しても良い。
【０１０４】
あるいは、充填樹脂３２（３２Ａ）の他に充填樹脂層３２Ｂのみ形成するようにすることもできる。即ち、凹部１１やコンデンサ２０の寸法を調整しておき、コンデンサ２０を凹部１１内で接続させた状態で、コンデンサ上面２０Ａがコア基板本体上面１０Ａよりも低位となり、かつ、上面接続パッド２１がコア基板本体上面１０Ａよりも上位となるようにする。次いで、凹部１１内に充填樹脂３２を注入するほか、コンデンサ上面２０Ａにも充填樹脂層３２Ｂを形成する。その後、この充填樹脂層の上面に上面接続パッド２１が露出し、この上面がコア基板本体上面１０Ａと面一になるように整面しても良い。このようにしても、凹部１１やコンデンサ２０を内蔵したために生じる段差が解消でき、さらに上層に上部樹脂絶縁層４１等や配線層４５等を形成する際に、配線層４５等の断線やショートを防止し、あるいはフリップチップパッド１０１等のコプラナリティ低下を防止できる。
【０１０５】
また、上記実施形態では、コンデンサ２０を内蔵させた後に、コア基板本体１０にコアスルーホール導体３３を形成したが、予めコア基板本体上面１０Ａとコア基板本体下面１０Ｂとの間を貫通するコアスルーホール導体を形成しておき、その後コンデンサ２０を凹部１１内に内蔵させることもできる。即ち、底部用コア基板本体１３と壁部用コア基板本体１６とを接着した後（図４、図５参照）、コア基板本体上面１０Ａとコア基板本体下面１０Ｂとの間を貫通する貫通孔を形成し、公知の手法によりコアスルーホール導体を形成する。なおその際、底部スルーホール導体１２及び接続配線１５は、保護フィルムによってメッキやエッチングがされないように保護しておく。その後、上記と同様にして、凹部１１内にコンデンサ２０を内蔵させる。このようにすると、コンデンサ２０を内蔵した後、コアスルーホール孔３０Ｈの形成の際に発生する振動や衝撃等で、コンデンサ２０や充填樹脂３２にクラック等の不具合を生じさせる危険を回避することができる。
【０１０６】
さらに、上記実施形態においては、コアスルーホール導体３３や接続導体３４，３５を形成した後に、平坦化樹脂３６，３７，３８を形成して、コア基板３０の上下を平坦にした。しかし、上記平坦化樹脂を用いないで、即ち、図７に示す状態から、コアスルーホール導体３３内を樹脂で埋めた上で、樹脂絶縁層４１，５１を形成するようにしても良い。このようにすれば、配線基板をより安価に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施形態１にかかり、コア基板本体に形成された図中上方に開口する凹部内にコンデンサを内蔵する配線基板の断面図である。
【図２】 実施形態１にかかる配線基板に内蔵させるコンデンサの（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視図、（ｃ）はコンデンサの内部構造説明するための断面説明図、（ｄ）はコンデンサとＬＧＡパッド及びフリップチップパッドとの関係を示す回路図である。
【図３】 図２のコンデンサの製造方法を説明する説明図である。
【図４】 実施形態１にかかる配線基板において、コンデンサ内蔵するための凹部を有するコア基板本体の部分拡大断面図である。
【図５】 図４のコア基板本体の製造方法を説明する説明図である。
【図６】 図２のコンデンサを図４のコア基板本体に接続内蔵させるコンデンサ内蔵コア基板の製造方法の説明図である。
【図７】 コンデンサ内蔵コア基板の部分拡大断面図である。
【図８】 図７のコンデンサ内蔵コア基板の上下面をさらに平坦化する工程を説明する説明図である。
【図９】 図８の平坦化されたコンデンサ内蔵コア基板の上下に樹脂絶縁層および各配線層を形成する工程を示す説明図である。
【図１０】 実施形態２にかかり、コア基板本体に形成された図中下方に開口する凹部内にコンデンサを内蔵する配線基板の断面図である。
【図１１】 コンデンサを上面や下面に搭載した従来の配線基板におけるコンデンサ接続配線の様子を説明する説明図である。
【符号の説明】
１００，２００ （コンデンサ内蔵）配線基板
１００Ａ，２００Ａ 配線基板上面
１００Ｂ，２００Ｂ 配線基板下面
１０１ フリップチップパッド
１０２ フリップチップバンプ
１０３ ＬＧＡパッド（接続端子）
１０，２１０ コア基板本体
１０Ａ，２１０Ａ コア基板本体上面
１０Ｂ，２１０Ｂ コア基板本体下面
１１，２１１ コンデンサ内蔵用凹部
１１Ｂ，２１１Ｂ コンデンサ内蔵用凹部の底面
１１Ｔ，２１１Ｔ コンデンサ内蔵用凹部の底部
１２，２１２ 底部スルーホール導体
２０，２２０ コンデンサ
２０Ａ，２２０Ａ コンデンサ上面
２０Ｂ，２２０Ｂ コンデンサ下面
２１，２２１ 上面接続パッド
２２，２２２ 下面接続パッド
２３ ハンダ
２４ 誘電体層
２５ 電極層
２５Ｅ，２５Ｆ （一対の）電極群
３０ コア基板
３２，２３２ 充填樹脂
３２Ｂ，３２Ｃ 充填樹脂層
３３，２３３ コアスルーホール導体
４１，４２，４３，５１，５２，５３ 樹脂絶縁層
４５，４６，５５，５６ 配線層
６０ 上部コンデンサ接続配線
７０ 下部コンデンサ接続配線
８０ 上部コア接続配線
９０ 下部コア接続配線
【発明の属する技術分野】
本発明は、コンデンサを備える配線基板、さらに詳しくは、コンデンサをコア基板に内蔵しその上下に樹脂絶縁層及び配線層を積層した、ノイズを確実に除去できる配線基板に関する。また、この配線基板を製造するためのコンデンサ内蔵コア基板、及びこれらの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
集積回路技術の進歩によりますますＩＣチップの動作が高速化されているが、それに伴い、電源配線等にノイズが重畳されて、誤動作を引き起こすことがある。そこでノイズ除去のため、例えば図１１に示すように、ＩＣチップ１を搭載する配線基板２の上面２Ａあるいは下面２Ｂに、別途、チップコンデンサ３を搭載し、コンデンサ３の２つの電極とそれぞれ接続するコンデンサ接続配線４を配線基板２の内部に設ける。これにより、コンデンサ接続配線４及びフリップチップパッド５を経由してチップコンデンサ３をＩＣチップ１に接続することが行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の手法では、配線基板２の完成後に、別途チップコンデンサ３を搭載する必要があるため、工数がかかりコストアップとなる。また、チップコンデンサの接続の良否により配線基板全体の良否に影響が出るなどチップコンデンサ３の接続信頼性に依存して配線基板の信頼性が低下する場合がある。また、チップコンデンサ３を搭載する領域を予め確保しておく必要があり、他の電子部品の搭載や配線基板の補強のための補強部材の固着の自由度を低下させる。さらに、他の配線等に制限されて、ＩＣチップ１とチップコンデンサ３とを結ぶコンデンサ接続配線４の長さが長く、また細くなりやすいため、コンデンサ接続配線４自身の持つ抵抗やインダクタンスが大きくなりがちで、低抵抗、低インダクタンスの要請に十分に応えられない。
【０００４】
そこで、配線基板のうち、コア基板の上下に形成する樹脂絶縁層及び配線層の一部を、樹脂絶縁層を誘電体層として対向する配線層（電極層）で挟んだコンデンサ構造に形成し、コンデンサを内蔵させることが考えられる。しかし、コンデンサがショートや絶縁抵抗不良などにより不具合となった場合に、付加価値の付いた配線基板全体を廃棄することになるため、損失金額が大きくなって、結局配線基板を安価に製造することが困難である。また、樹脂絶縁層の比誘電率は、高誘電率セラミック粉末等を混入したとしても、一般に高々４０〜５０程度と見込まれるので、内蔵させるコンデンサの静電容量を十分大きくすることも困難である。
【０００５】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、コンデンサを内蔵することにより、ノイズを確実に除去でき、しかも、コンデンサに接続される配線の抵抗やインダクタンスを低くできる配線基板、さらには、コンデンサに不具合を生じても損失金額が少なく、安価で、大きな静電容量のコンデンサを内蔵可能な配線基板を提供することを目的とする。また、このようなコンデンサを内蔵した配線基板を製造するためのコンデンサ内蔵コア基板、コンデンサを内蔵するためのコア基板本体、コンデンサ、及びこれらの製造方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】
そしてその解決手段は、配線基板上面と配線基板下面とを有し、上記配線基板上面にＩＣチップを接続するための複数のＩＣ接続端子を、上記配線基板下面に複数の接続端子を備え、コンデンサを内蔵する配線基板であって、コア基板本体上面、コア基板本体下面、上記コア基板本体上面側に開口する有底のコンデンサ内蔵用凹部、上記凹部の底部を底面から上記コア基板本体下面まで貫通してコア基板本体下面に延出する複数の底部スルーホール導体、及び、上記コア基板本体上面とコア基板本体下面との間を貫通して形成された複数のコアスルーホール導体、を備えるコア基板本体と、コンデンサ上面、コンデンサ下面、互いに絶縁された一対の電極または電極群、上記コンデンサ上面に形成され、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通する複数の上面接続パッドであって、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の上面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の上面接続パッド、及び、上記コンデンサ下面に形成され、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通する複数の下面接続パッドであって、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の下面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の下面接続パッド、を備え、上記コア基板本体のコンデンサ内蔵用凹部内に内蔵、固定され、上記複数の下面接続パッドが対応する上記複数の底部スルーホール導体にそれぞれ導通された上記コンデンサと、上記コア基板本体上面及び上記コンデンサ上面の上方に積層された１または複数の上部樹脂絶縁層と、上記コア基板本体下面の下方に積層された１または複数の下部樹脂絶縁層と、上記上部樹脂絶縁層を貫通あるいはその層間を通って、上記配線基板上面の複数のＩＣ接続端子とこれに対応する上記コンデンサの複数の上面接続パッドとをそれぞれ接続する複数の上部コンデンサ接続配線と、上記下部樹脂絶縁層を貫通あるいはその層間を通って、上記コア基板本体下面に延出した底部スルーホール導体とこれに対応する上記配線基板下面の複数の接続端子とをそれぞれ接続する複数の下部コンデンサ接続配線と、上記上部樹脂絶縁層を貫通あるいはその層間を通って、上記配線基板上面の複数のＩＣ接続端子とこれに対応する上記コア基板本体上面の複数のコアスルーホール導体とをそれぞれ接続する複数の上部コア接続配線と、上記下部樹脂絶縁層を貫通あるいはその層間を通って、上記コア基板本体下面のコアスルーホール導体とこれに対応する上記配線基板下面の複数の接続端子とをそれぞれ接続する複数の下部コア接続配線と、を備えることを特徴とする配線基板である。
【０００７】
本発明の配線基板は、コア基板本体にコンデンサ内蔵用凹部を形成し、その中にコンデンサを内蔵し、上部樹脂絶縁層及び下部樹脂絶縁層を形成し、フリップチップパッド等のＩＣ接続端子と上面接続パッドとを上部コンデンサ接続配線で、底部スルーホール導体と接続端子とを下部コンデンサ接続配線で結んでいる。さらに、一対の電極または電極群のいずれも複数の上面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通するようにしている。また下面接続パッドも同様にされている。このため、コンデンサの両極をコンデンサの上方及び下方に取り出すことができる。したがって、上面接続パッドから上部コンデンサ接続配線を通じてＩＣ接続端子、さらにはＩＣチップに、コンデンサの両極を接続することができる。同様に、下面接続パッドから底部スルーホール導体、下部コンデンサ接続配線を通じて接続端子にコンデンサの両極を接続することができる。このため、ＩＣチップと接続するＩＣ接続端子、あるいはマザーボード等の他の配線基板の電源配線や接地配線と接続させる接続端子等からごく近い距離にコンデンサを配置することができる。したがって、上部コンデンサ接続配線も下部コンデンサ接続配線もごく短く形成することができる。
【０００８】
さらに、通常ＩＣチップにおいて、電源電位や接地電位は各所に必要となるので、ときにはＩＣチップに形成される接続端子（接続パッドや接続バンプ）群の半数近くの数とされるほど電源端子や接地端子はそれぞれ多数形成される。これに対し、このコンデンサ上面及びコンデンサ下面には、複数の上面接続パッド及び下面接続パッドを備える。したがって、ＩＣチップの電源端子や接地端子に対応させて多数の上面接続パッドを形成し、これらをそれぞれ結ぶように上部コンデンサ接続配線を多数並列に形成すれば、上部コンデンサ接続配線の持つインダクタンスや抵抗を全体としてさらに低下させることができることになる。同様に、下面接続パッドに対応する底部スルーホール導体と配線基板下面の各接続端子とを並列に接続する下部コンデンサ接続配線に関しても、同様にインダクタンスや抵抗を全体としてさらに低下させることができる。つまり、上部コンデンサ接続配線も下部コンデンサ接続配線も、その長さを短くできしかもその本数を多くできるため、抵抗やインダクタンスを低くすることができ、コンデンサによってノイズを有効、確実に除去することができる。
【０００９】
しかも、配線基板内にコンデンサを内蔵しているので、後からコンデンサを取り付ける必要が無く、チップコンデンサ搭載のための費用が不要となるため、安価な配線基板とすることができる。また、他の電子部品等の搭載や補強板の固着などの自由度も高い。さらに、コア基板本体に形成したコンデンサ内蔵用凹部にコンデンサを内蔵しているので、上部樹脂絶縁層や下部樹脂絶縁層あるいは上部コンデンサ接続配線、下部コンデンサ接続配線、上部コア接続配線、及び下部コア接続配線は、いずれも公知の樹脂絶縁層や配線層の製法を用いて形成することができる点でも安価にできる。また、内蔵させるコンデンサの静電容量を自由に選択できるので、高誘電率セラミックを用いた静電容量の大きなコンデンサを内蔵させることができ、ノイズ除去能力を一層向上させることができる。
【００１０】
なお特に、前記複数のＩＣ接続端子のうち少なくとも一部が、前記コンデンサの上方に位置することを特徴とする配線基板とするのが好ましい。フリップチップパッド等のＩＣ接続端子がコンデンサの上方に位置すると、ＩＣ接続端子とコンデンサの上面接続パッドとを結ぶ上部コンデンサ接続配線の長さを特に短くすることができる。したがって、上部コンデンサ接続配線の持つインダクタンスや抵抗をさらに低く抑えることができるので、ノイズ除去能力をさらに向上させることができる。
【００１１】
また他の解決手段は、配線基板上面と配線基板下面とを有し、上記配線基板上面にＩＣチップを接続するための複数のＩＣ接続端子を、上記配線基板下面に複数の接続端子を備え、コンデンサを内蔵する配線基板であって、コア基板本体上面、コア基板本体下面、上記コア基板本体下面側に開口する有底のコンデンサ内蔵用凹部、上記凹部の底部を底面から上記コア基板本体上面まで貫通してコア基板本体上面に延出する複数の底部スルーホール導体、及び、上記コア基板本体上面とコア基板本体下面との間を貫通して形成されたコアスルーホール導体、を備えるコア基板本体と、コンデンサ上面、コンデンサ下面、互いに絶縁された一対の電極または電極群、上記コンデンサ上面に形成され、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通する複数の上面接続パッドであって、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の上面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の上面接続パッド、及び、上記コンデンサ下面に形成され、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通する複数の下面接続パッドであって、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の下面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の下面接続パッド、を備え、上記コア基板本体のコンデンサ内蔵用凹部内に内蔵、固定され、上記複数の上面接続パッドが対応する上記複数の底部スルーホール導体にそれぞれ導通された上記コンデンサと、上記コア基板本体上面の上方に積層された１または複数の上部樹脂絶縁層と、上記コア基板本体下面及び上記コンデンサ下面の下方に積層された１または複数の下部樹脂絶縁層と、上記上部樹脂絶縁層を貫通あるいはその層間を通って、上記配線基板上面の複数のＩＣ接続端子とこれに対応し上記コア基板本体上面に延出した複数の底部スルーホール導体とをそれぞれ接続する複数の上部コンデンサ接続配線と、上記下部樹脂絶縁層を貫通あるいはその層間を通って、上記コンデンサの下面接続パッドとこれに対応する上記配線基板下面の複数の接続端子とをそれぞれ接続する複数の下部コンデンサ接続配線と、上記上部樹脂絶縁層を貫通あるいはその層間を通って、上記配線基板上面の複数のＩＣ接続端子とこれに対応する上記コア基板本体上面の複数のコアスルーホール導体とをそれぞれ接続する複数の上部コア接続配線と、上記下部樹脂絶縁層を貫通あるいはその層間を通って、上記コア基板本体下面のコアスルーホール導体と対応する上記配線基板下面の複数の接続端子とをそれぞれ接続する複数の下部コア接続配線と、を備えることを特徴とする配線基板である。
【００１２】
本発明の配線基板は、コア基板本体にコンデンサ内蔵用凹部を形成し、その中にコンデンサを内蔵し、上部樹脂絶縁層及び下部樹脂絶縁層を形成し、フリップチップパッド等のＩＣ接続端子と底面スルーホール導体とを上部コンデンサ接続配線で、下面接続パッドと接続端子とを下部コンデンサ接続配線で結んでいる。さらに、一対の電極または電極群のいずれも複数の上面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通するようにしている。また下面接続パッドも同様にされている。このため、コンデンサの両極をコンデンサの上方及び下方に取り出すことができる。したがって、上面接続パッドから底部スルーホール導体、上部コンデンサ接続配線を通じてＩＣ接続端子、さらにはＩＣチップに、コンデンサの両極を接続することができる。同様に、下面接続パッドから下部コンデンサ接続配線を通じて接続端子にコンデンサの両極を接続することができる。このため、ＩＣチップと接続するＩＣ接続端子、あるいはマザーボード等の他の配線基板の電源配線や接地配線と接続させる接続端子等からごく近い距離にコンデンサを配置することができる。したがって、上部コンデンサ接続配線も下部コンデンサ接続配線もごく短く形成することができる。
【００１３】
さらに、上述したように、通常ＩＣチップにおいては、電源端子や接地端子はそれぞれ多数形成される。これに対し、このコンデンサ上面及びコンデンサ下面には、複数の上面接続パッド及び下面接続パッドを備える。したがって、ＩＣチップの電源端子や接地端子に対応させて多数の底面スルーホール導体及び上面接続パッドを形成し、これらをそれぞれ結ぶように上部コンデンサ接続配線を多数並列に形成すれば、上部コンデンサ接続配線の持つインダクタンスや抵抗を全体としてさらに低下させることができる。同様に、下面接続パッドと配線基板下面の各接続端子とを並列に接続する下部コンデンサ接続配線に関しても、同様にインダクタンスや抵抗を全体としてさらに低下させることができる。つまり、上部コンデンサ接続配線も下部コンデンサ接続配線も、その長さを短くできしかもその本数を多くできるため、抵抗やインダクタンスを低くすることができ、コンデンサによってノイズを有効、確実に除去することができる。
【００１４】
しかも、配線基板内にコンデンサを内蔵しているので、後からコンデンサを取り付ける必要が無く、チップコンデンサ搭載のための費用が不要となるため、安価な配線基板とすることができる。また、他の電子部品等の搭載や補強板の固着などの自由度も高い。さらに、コア基板本体に形成したコンデンサ内蔵用凹部にコンデンサを内蔵しているので、上部樹脂絶縁層や下部樹脂絶縁層あるいは上部コンデンサ接続配線、下部コンデンサ接続配線、上部コア接続配線、及び下部コア接続配線は、いずれも公知の樹脂絶縁層や配線層の製法を用いて形成することができる点でも安価にできる。また、内蔵させるコンデンサの静電容量を自由に選択できるので、高誘電率セラミックを用いた静電容量の大きなコンデンサを内蔵させることができ、ノイズ除去能力を一層向上させることができる。
【００１５】
その上、本発明の配線基板では、コンデンサ内蔵用凹部の底部が上方、即ち、ＩＣ接続端子側となるので、コンデンサ内蔵用凹部が開口しないコア基板本体上面上に上部樹脂絶縁層が形成され、さらにＩＣ接続端子が形成される。したがって、上部樹脂絶縁層を平坦にしやすく、さらにはＩＣ接続端子のコプラナリティを向上させることができ、ＩＣチップとの接続信頼性をより高くすることができる。
【００１６】
なお特に、前記複数のＩＣ接続端子のうち少なくとも一部が、前記コンデンサの上方に位置することを特徴とする配線基板とするのが好ましい。このようにすると、フリップチップパッド等のＩＣ接続端子がコンデンサの上方に位置するので、ＩＣ接続端子と底部スルーホール導体とを結ぶ上部コンデンサ接続配線の長さを特に短くすることができる。したがって、上部コンデンサ接続配線の持つインダクタンスや抵抗をさらに低く抑えることができるので、ノイズ除去能力をさらに向上させることができる。
【００１７】
さらに他の解決手段は、コア基板本体上面、コア基板本体下面、上記コア基板本体上面側に開口する有底のコンデンサ内蔵用凹部、及び、上記凹部の底部を底面から上記コア基板本体下面まで貫通してコア基板本体下面に延出する複数の底部スルーホール導体、を備えるコア基板本体と、コンデンサ上面、コンデンサ下面、互いに絶縁された一対の電極または電極群、上記コンデンサ上面に形成され、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通する複数の上面接続パッドであって、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の上面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の上面接続パッド、及び、上記コンデンサ下面に形成され、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通する複数の下面接続パッドであって、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の下面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の下面接続パッド、を備え、上記コア基板本体のコンデンサ内蔵用凹部内に内蔵・固定され、上記複数の下面接続パッドが対応する上記複数の底部スルーホール導体にそれぞれ導通されたコンデンサと、を備えるコンデンサ内蔵コア基板である。
【００１８】
本発明のコンデンサ内蔵コア基板では、コア基板本体にコンデンサ内蔵用凹部を形成し、その中にコンデンサを内蔵している。さらに、一対の電極または電極群のいずれも複数の上面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通するようにしている。また下面接続パッドも同様にされている。このため、コンデンサの両極を、コンデンサ上面の上面接続パッド及びコア基板本体下面の底部スルーホール導体を通じて、コア基板の上方及び下方に取り出すことができる。
したがって、このコンデンサ内蔵コア基板を用いれば、公知の樹脂絶縁層や配線層の形成手法を用いて、容易にコンデンサを内蔵した配線基板を形成することができる。また、このようにして配線基板を形成した場合には、配線基板の搭載するＩＣチップやマザーボード等の他の配線基板とごく近い距離にコンデンサを配置し、互いにごく短い配線で結ぶことができる。したがって、内蔵コンデンサの特性を十分発揮させて、ノイズを確実に除去することができるようになる。
【００１９】
さらに、上述したように、通常ＩＣチップにおいては、電源端子や接地端子はそれぞれ多数形成される。これに対し、本発明のコンデンサ内蔵コア基板のコンデンサでは、コンデンサ上面及びコンデンサ下面に、複数の上面接続パッド及び下面接続パッドを備える。したがって、ＩＣチップの電源端子や接地端子に対応させて多数の底面スルーホール導体及び上面接続パッドを形成し、これらをそれぞれ結ぶように配線層を多数並列に形成すれば、これらの配線層の持つインダクタンスや抵抗を全体としてさらに低下させることができる。同様に、下面接続パッドと他の配線基板とを並列に接続する配線に関しても、同様にインダクタンスや抵抗を全体としてさらに低下させることができる。つまり、コンデンサ内蔵コア基板の上下に形成する配線の長さを短くできしかもその本数を多くできるため、抵抗やインダクタンスを低くすることができ、コンデンサによってノイズを有効、確実に除去することができる。また、内蔵させるコンデンサの静電容量を自由に選択できるので、高誘電率セラミックを用いた静電容量の大きなコンデンサを内蔵させることができ、ノイズ除去能力を一層向上させることができる。
【００２０】
しかも、コア基板内にコンデンサを内蔵しているので、樹脂絶縁層や配線層を形成した後に別途コンデンサを取り付ける必要が無く、チップコンデンサ搭載のための費用が不要となるため、配線基板を安価に製造することができる。
また、上面接続パッドあるいは底部スルーホール導体を通じて、内蔵したコンデンサの良否を判断できるので、ショート等の不具合を有するコンデンサが内蔵されたコア基板は、樹脂絶縁層等を形成する前に除去することができる。このため、工数が掛かる樹脂絶縁層や配線層が形成され、付加価値の高い配線基板を廃棄する危険性を少なくでき、全体としてコンデンサの不具合による損失金額も抑制して、安価な配線基板とすることができる。
【００２１】
ここで、上記コンデンサ内蔵コア基板であって、前記コンデンサ上面に、または前記コア基板本体上面及び前記コンデンサ上面に充填樹脂層を備え、上記コンデンサ上面上の充填樹脂層と、上記コア基板本体上面またはコア基板本体上面上の充填樹脂層とは略面一に整面され、前記複数の上面接続パッドがそれぞれ略面一に露出していることを特徴とするコンデンサ内蔵コア基板とすると良い。
【００２２】
このコンデンサ内蔵コア基板では、コンデンサ上面の充填樹脂層と、コア基板本体上面またはコア基板本体上面の充填樹脂層とは、略面一に整面され、しかも、複数の上面接続パッドが略面一に露出している。このため、このコア基板の上下に樹脂絶縁層や配線層を積層して配線基板を形成する際に、コンデンサ内蔵用凹部の段差や、コア基板本体上面とコンデンサ上面との高さの違いに起因して、これらの上に形成する樹脂絶縁層や配線層に段差が発生することが防止できる。したがって、樹脂絶縁層や配線層を容易に形成でき、しかも、配線層の断線やショート等の不具合も生じない。また、配線基板の上面や下面に形成するＩＣ接続端子や接続端子のコプラナリティを向上させ、ＩＣチップや他の配線基板との接続性を向上させることができる。
【００２３】
さらに、コア基板本体上面と、コア基板本体下面と、上記コア基板本体上面側に開口する有底のコンデンサ内蔵用凹部と、上記凹部の底部を底面から上記コア基板本体下面まで貫通してコア基板本体下面に延出する複数の底部スルーホール導体と、を備えるコア基板本体とするのが好ましい。
【００２４】
このコア基板本体では、コンデンサ内蔵用凹部を備えるので、この凹部内にコンデンサを内蔵させることで、コンデンサを内蔵した配線基板を容易に形成することができる。また、このコンデンサ内蔵用凹部の底部には、複数の底部スルーホール導体を有するため、この底部スルーホール導体を通じて、コア基板本体下面側にも、コンデンサの電極を引き出すことができ、コア基板本体下面側からも容易にかつ短距離でコンデンサと接続することができる。
【００２５】
さらに、コンデンサ上面と、コンデンサ下面と、互いに絶縁された一対の電極または電極群と、上記コンデンサ上面に形成され、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通する複数の上面接続パッドであって、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の上面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の上面接続パッドと、上記コンデンサ下面に形成され、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通する複数の下面接続パッドであって、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の下面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の下面接続パッドと、を備えるコンデンサとするのが好ましい。
【００２６】
このコンデンサは、コンデンサ上面に複数の上面接続パッドを、コンデンサ下面に複数の下面接続パッドを備え、しかも、一対の電極または電極群のいずれも複数の上面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通し、また、一対の電極または電極群のどちらもが複数の下面接続パッドの少なくともいずれかと導通する。このため、コンデンサ上面から、コンデンサの両極を取り出すことができる。同様に、コンデンサ下面からも、コンデンサの両極を取り出すことができる。 したがって、コンデンサ上面及びコンデンサ下面のいずれにおいても、パッドやバンプを形成したＩＣチップや配線基板、その他の電子部品の接続面との間での接続が可能となる。
【００２７】
また、コンデンサ上面とコンデンサ下面の両面から、コンデンサの両極を取り出すことができる。このため、例えば、配線基板とＩＣチップとの間に介在させることにより、配線基板からＩＣチップへ電力を供給する電源配線及び接地配線をそれぞれ接続する配線の一部としての役割を果たさせると共に、電源配線と接地配線との間をこのコンデンサで結び、これらの配線の重畳されるノイズを除去する役割をも果たさせることができる。
【００２８】
さらに、上記コンデンサ内蔵用凹部を備えたコア基板本体のコンデンサ内蔵用凹部に内蔵、固定することで、コンデンサ内蔵コア基板とし、さらに樹脂絶縁層や配線層を形成して、コンデンサを内蔵した配線基板とすることができる。
なお、上面接続パッドや下面接続パッドは、接続するＩＣチップ等の端子や配線層に対応した位置及び数で形成すればよいが、並列に接続する端子や配線層の数が多いほど、コンデンサとＩＣチップ等との間に生じる抵抗やインダクタンスを全体として抑制できるので、上面接続パッドや下面接続パッドは多数形成するのが好ましい。
【００２９】
さらに、上記のコンデンサであって、前記コンデンサ上面及びコンデンサ下面に略平行に誘電体層と電極層とが交互に積層され、上記電極層は、上記誘電体層を貫通するビア導体によりそれぞれ１層おきに導通されて、互いに絶縁された前記一対の電極群をなし、前記複数の上面接続パッドは、上記誘電体層のうち最上に位置し前記コンデンサ上面をなすトップ誘電体層の上記コンデンサ上面に形成され、上記トップ誘電体層またはトップ誘電体層及びこの下層に位置する上記誘電体層を貫通するビア導体により、上記一対の電極群のいずれかに属する上記電極層と導通されてなり、前記複数の下面接続パッドは、上記誘電体層のうち最下に位置し前記コンデンサ下面をなすボトム誘電体層の上記コンデンサ下面に形成され、上記ボトム誘電体層またはボトム誘電体層及びこの上層に位置する上記誘電体層を貫通するビア導体により、上記一対の電極群のいずれかに属する上記電極層と導通されてなることを特徴とするコンデンサとすると良い。
【００３０】
このコンデンサは、各電極層が互いにビア導体で導通された一対の電極群を有し、複数の上面接続パッド及び複数の下面接続パッドは、いずれもビア導体によりいずれかの電極群に属する電極層と導通している。このため、積層コンデンサに通常用いられているように、誘電体層と電極層を積層した後に、誘電体層の側面に電極層同士を１層おきに結ぶ共通電極を別途設ける必要もなく、安価に形成できる。
また、上面接続パッドや下面接続パッドはビア導体でいずれかの電極層と導通しているので、各上面接続パッドや下面接続パッドを任意の位置に形成して電極層と導通させることができる。つまり、各パッドの位置選択の自由度を高くすることができる。
【００３１】
さらに、上記コンデンサであって、前記誘電体層は高誘電体セラミックからなり、前記電極層、ビア導体、上部接続パッド及び下部接続パッドは金属からなり、これらはいずれも同時焼成によって形成されていることを特徴とするコンデンサとすると良い。
【００３２】
高誘電体セラミックは、比誘電率εｒが高いものでは数万となり、組成に応じて所望の静電容量を容易に得られ、また、小型でも静電容量の大きなコンデンサを構成することができる。したがって、本発明のコンデンサでは、高誘電率セラミックからなる誘電体層を用いることで、コンデンサの静電容量を十分大きなものとすることができる。さらに、このコンデンサは同時焼成によって形成されているので、焼成によって一挙に形成できるから、安価なコンデンサとすることができる。
【００３３】
さらに、上記コンデンサの製造方法であって、高誘電率セラミックを主成分とする高誘電率セラミックグリーンシートの所定位置に複数の貫通孔を形成する穿孔工程と、穿孔された上記複数の貫通孔に金属ペーストを充填して複数の未焼成ビア導体を形成する未焼成ビア導体充填工程と、上記未焼成ビア導体を形成した上記高誘電率セラミックグリーンシートの上面に、上記複数の未焼成ビア導体のうちのいずれかと接触する所定形状に金属ペーストを塗布して未焼成電極層を形成する未焼成電極層塗布工程と、上記未焼成ビア導体と未焼成電極層とが形成された高誘電率セラミックグリーンシートを所定順序に積層し、最上層に上記未焼成電極層は形成せず上記未焼成ビア導体は形成した高誘電率セラミックグリーンシートを積層し、圧着して積層体を形成する積層圧着工程と、上記積層体を焼成する焼成工程と、を備えることを特徴とするコンデンサの製造方法とするのが好ましい。
【００３４】
このコンデンサの製造方法では、高誘電率セラミックグリーンシートの穿孔し、金属ペーストを充填して未焼成ビア導体を形成し、金属ペーストを所定形状に塗布して未焼成電極層を形成し、その後、高誘電率セラミックグリーンシートを積層し、焼成して上記コンデンサを形成する。このようにすると、通常の積層コンデンサのように側面に共通電極を形成する必要が無く、安価に形成することができる。
【００３５】
さらに、底部用コア基板本体上面と底部用コア基板本体下面とを有する底部用コア基板本体のうち、凹部形成領域内に、底部用コア基板本体上面と底部用コア基板本体下面との間を貫通する複数の底部スルーホール導体を形成する底部スルーホール導体形成工程と、壁部用コア基板本体上面と壁部用コア基板本体下面とを有し、上記壁部用コア基板本体上面と壁部用コア基板本体下面との間を貫通する凹部用貫通孔を備える壁部用コア基板本体の上記壁部用コア基板本体下面と、上記底部用コア基板本体の上記底部用コア基板本体上面とを、上記凹部用貫通孔内に上記複数の底部スルーホール導体を露出させて、接着する接着工程と、を備えることを特徴とするコア基板本体の製造方法である。
【００３６】
このコア基板本体の製造方法では、底部用コア基板本体に底部スルーホール導体を形成し、その後、凹部用貫通孔を備える壁部用コア基板本体と底部用コア基板本体とを接着してコア基板本体を製造する。このように底部用コア基板本体と壁部用コア基板本体とに分けて製作し、その後両者を接着すると、容易に有底の凹部を有するコア基板本体を形成することができる。また、凹部の底部に位置する底部スルーホール導体を、公知の技術によって容易に製造することができる。
【００３７】
さらに他の解決手段は、コア基板本体上面、コア基板本体下面、上記コア基板本体上面側に開口する有底のコンデンサ内蔵用凹部、及び、上記凹部の底部を底面から上記コア基板本体下面まで貫通してコア基板本体下面に延出する複数の底部スルーホール導体、を備えるコア基板本体の、上記コンデンサ内蔵用凹部内に、コンデンサ上面、コンデンサ下面、互いに絶縁された一対の電極または電極群、上記コンデンサ上面に形成され、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通する複数の上面接続パッドであって、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の上面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の上面接続パッド、及び、上記コンデンサ下面に形成され、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通する複数の下面接続パッドであって、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の下面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の下面接続パッド、を備えるコンデンサを配置し、上記複数の下面接続パッドとこれに対応する上記複数の底部スルーホール導体とを接続する凹部内コンデンサ接続工程と、上記コンデンサ内蔵用凹部内に充填樹脂を注入し、上記充填樹脂を硬化させて、充填樹脂で上記コンデンサを上記コンデンサ内蔵用凹部内に固定するコンデンサ固定工程と、上記コア基板本体上面またはコア基板本体上面上の充填樹脂層とコア基板本体下面との間を貫通するコアスルーホール導体を形成するコアスルーホール形成工程と、を備えるコンデンサ内蔵コア基板の製造方法である。
【００３８】
本発明のコンデンサ内蔵コア基板の製造方法では、コンデンサ内蔵用凹部に接続したコンデンサを、コンデンサ内蔵用凹部に充填樹脂を充填して固定する。このため、コンデンサの下面接続パッドと底部スルーホール導体との接続が振動により破断する等の不具合が抑制され、コンデンサ内蔵コア基板の信頼性を向上させることができる。
【００３９】
さらに、上記コンデンサ内蔵コア基板の製造方法であって、前記コンデンサ固定工程は、前記コンデンサ内蔵用凹部内の他、前記コンデンサ上面及びコア基板本体上面のうち、少なくともコンデンサ上面にも充填樹脂を塗布し硬化させるコンデンサ固定−充填樹脂塗布硬化工程であり、前記コアスルーホール形成工程に先だって、上記コンデンサ上面上の、または、上記コンデンサ上面上及び前記コア基板本体上面上の、上記充填樹脂を研磨して上記複数の上面接続パッドを略面一に露出させるとともに、上記コンデンサ上面上の充填樹脂層と上記コア基板本体上面とを、または、上記コンデンサ上面上の充填樹脂層とコア基板本体上面上の充填樹脂層とを、略面一の平坦面に整面する研磨整面工程を備えることを特徴とするコンデンサ内蔵コア基板の製造方法とすると良い。
【００４０】
本発明のコンデンサ内蔵コア基板の製造方法では、コンデンサをコンデンサ内蔵用凹部内で接続し、さらに充填樹脂で固定するほか、複数の上面接続パッドを略面一に露出させ、しかも、コンデンサ上面上の充填樹脂層とコア基板本体上面とを、または、コンデンサ上面上の充填樹脂層とコア基板本体上面上の充填樹脂層とを、略面一の平坦面に整面してからコアスルーホールを形成する。このため、コア基板本体上面及びコンデンサ上面の上方に１または複数の樹脂絶縁層や配線層を形成する際に、コア基板本体上面の上方とコンデンサ上面の上方との間で段差を生じないため、樹脂絶縁層や配線層などを容易に形成することができ、あるいは、各配線層の断線やショートの不具合の発生を抑制することができる。さらに、ＩＣ接続端子や接続端子のコプラナリティを小さく抑えることができ、ＩＣチップや他の配線基板との接続性も良好にできる。
【００４１】
さらに他の解決手段は、前記コンデンサを内蔵する請求項３または請求項４に記載のコンデンサ内蔵コア基板の上記コンデンサの特性を検査し、規格外のコンデンサ内蔵コア基板を除去する特性検査工程と、規格内の上記コンデンサ内蔵コア基板の上下面に、樹脂絶縁層及び配線層を形成する絶縁層配線層形成工程と、を備えることを特徴とする配線基板の製造方法である。
【００４２】
樹脂絶縁層や配線層が形成された配線基板の状態で、コンデンサの不具合が発見されると、配線基板を廃棄せざるを得ない。しかし、一般に、コア基板に樹脂絶縁層や配線層を形成するのは、多数の工程と時間がかかるため、樹脂絶縁層や配線層が形成された配線基板は、付加価値が高くなり、配線基板を廃棄すると損失金額が大きくなる。これに対し、本発明の配線基板の製造方法では、コア基板本体のコンデンサ内蔵用凹部に、コンデンサの内蔵されたコンデンサ内蔵コア基板を用い、予めコア基板に内蔵されたコンデンサの特性を検査し、規格内のものだけ用いて樹脂絶縁層及び配線層を形成するので、配線基板製造後にコンデンサの不具合によって配線基板を廃棄する危険性を少なくし、廃棄に伴う損失金額を抑制することができる。このため、結局コンデンサを内蔵した配線基板を安価に製造することができる。
【００４３】
【発明の実施の形態】
（実施形態１）
本発明の配線基板等の実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。図１に示す本発明のコンデンサを内蔵した配線基板１００は、略正方形板状で、その上面（配線基板上面）１００Ａに、破線で示すＩＣチップ１と接続するためのＩＣ接続端子であるフリップチップパッド１０１が多数形成され、各フリップチップパッド１０１には、高温ハンダからなる略半球状のフリップチップバンプ１０２が形成されている。一方、配線基板下面１００Ｂには、マザーボードなどの他の配線基板と接続するための接続端子であるＬＧＡパッド１０３が多数形成されている。さらにこの配線基板１００は、コンデンサ２０を内蔵するコア基板本体１０、これらの上下に積層された樹脂絶縁層４１，４２，４３，５１，５２，５３及びこれらの層間に及び樹脂絶縁層を貫通して形成された各配線層６０，７０，８０，９０を備える。
【００４４】
このうち、コア基板本体１０は、略正方形板状で、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなり、その略中央にはコア基板本体上面１０Ａ側に開口する平面視略正方形状で有底のコンデンサ内蔵用凹部（以下単に凹部ともいう）１１を備える。このコンデンサ内蔵用凹部１１の底部１１Ｔ、即ち、底面１１Ｂとコア基板本体下面１０Ｂとの間には、この間を貫通する底部スルーホール導体１２が複数形成されている。また、この凹部１１内には、コンデンサ２０が内蔵されている。また、このコア基板本体１０の周縁部には、コア基板本体上面１０Ａとコア基板本体下面１０Ｂとの間を貫通するコアスルーホール導体３３が多数形成されている。
【００４５】
コンデンサ２０は、図２（ａ）（ｂ）に示すように、高誘電体セラミック、具体的には、ＢａＴｉＯ3を主成分とする誘電体層２４とＰｄを主成分とする電極層２５とを交互に積層した略正方形板状の積層セラミックコンデンサである。ただし、チップコンデンサなどに用いられ、積層された誘電体層及び電極層の側面からコンデンサの両極をなす２つの電極（共通電極）を取り出す通常の積層セラミックコンデンサとは、接続のための電極の取り出し方が異なる。即ち、図２（ｃ）に示すように、コンデンサ上面２０Ａ及びコンデンサ下面２０Ｂに、それぞれ多数の上面接続パッド２１（図２（ｃ）では、２１Ａ，２１Ｂ，２１Ｃ）及び下面接続パッド２２（図２（ｃ）では、２２Ａ，２２Ｂ，２２Ｃ）を備えており、これらのパッド２１，２２によって、コンデンサ上面２０Ａ及びコンデンサ下面２０Ｂ内で、図中上方あるいは下方に接続可能になっている。
【００４６】
コンデンサ２０の電極層２５は、図２（ｃ）にその内部構造の概要を示すように、ビア導体２６Ｅ、２６Ｆでそれぞれ１層おきに導通された１対の電極層の群２５Ｅ，２５Ｆに分けられている。しかも、電極層の群２５Ｅ，２５Ｆは互いに絶縁されている。したがって、各誘電体層２４を挟んで対向する２つの電極群２５Ｅ，２５Ｆは、コンデンサ２０の２つの電極をなす。また、上面接続パッド２１の一部（図中右及び左のパッド２１Ａ，２１Ｃ）は、この電極層２５のうち最も上方に位置し一方の電極群２５Ｅに属するトップ電極層２５ＥＴと、誘電体層２４のうち最も上方に位置するトップ誘電体層２４Ｔを貫通するビア導体２７Ｅによって接続している。また、上部接続パッド２１の他の一部（図中中央のパッド２１Ｂ）は、上記トップ電極層２５ＥＴより下層に位置し他方の電極群２５Ｆに属する電極層２５と、ビア導体２７Ｆ及び２６Ｆによって接続している。このように、多数の上面接続パッド２１は、コンデンサの２つの電極をなす一対の電極群２５Ｅ，２５Ｆのいずれかに接続しており、しかも、この一対の電極群２５Ｅ，２５Ｆのいずれも複数の上面接続パッド２１のうちの少なくとも１つと接続している。つまり、多数の上面接続パッド２１のうちある上面接続パッド２１（例えば、２１Ａ）は、一方の電極群２５Ｅに接続している。またある上面接続パッド２１（例えば、２１Ｂ）は、他方の電極群２５Ｆと接続している。このため、コンデンサ２０の上方から、上面接続パッド２１を通じて、一対の電極群２５Ｅ，２５Ｆのいずれとも導通することができる。
【００４７】
同様に、下面接続パッド２２の一部（図中右及び左のパッド２２Ａ，２２Ｃ）は、電極層２５のうち最も下方のボトム電極層２５ＦＤより上層に位置し、一方の電極群２５Ｅに属する電極層２５と、誘電体層２４のうち最も下方に位置するボトム誘電体層２４Ｄを貫通するビア導体２８Ｆ及び２６Ｆによって接続している。また、下面接続パッド２２の他の一部（図中中央のパッド２２Ｂ）は、他方の電極群２５Ｆに属する上記ボトム電極層２５ＦＤと、ビア導体２８Ｆによって接続している。このように、多数の下面接続パッド２２は、コンデンサの２つの電極をなす一対の電極群２５Ｅ，２５Ｆのいずれかに接続しており、しかも、この一対の電極群２５Ｅ，２５Ｆのどちらもが下面接続パッド２２の少なくともいずれかと接続している。つまり、多数の下面接続パッド２２のうちある下面接続パッド２２（例えば、２２Ａ）は、一方の電極群２５Ｅに接続している。またある下面接続パッド２２（例えば、２２Ｂ）は、他方の電極群２５Ｆと接続している。このため、コンデンサ２０の下方から、下面接続パッド２２を通じて、一対の電極群２５Ｅ，２５Ｆのいずれとも導通することができる。
【００４８】
さらに、コンデンサ２０は、図１に示すように、コンデンサ下面２０Ｂにおいて、下面接続パッド２２とこれに対応する底部スルーホール導体１２とが、それぞれＡｇ−Ｓｎハンダからなるハンダ層２３によって導通、接続されている。これにより、コア基板本体１０に内蔵されたコンデンサ２０は、図中上方には上面接続パッド２１で、図中下方には下面接続パッド２２に接続する底部スルーホール導体１２でそれぞれ接続可能になっている。さらに、このコンデンサ２０は、エポキシ樹脂からなる充填樹脂３２によってコンデンサ内蔵用凹部１１内に固定されて、コア基板本体１０と一体となっている。
【００４９】
さらに、コア基板本体上面１０Ａ及びコンデンサ上面２０Ａの上方には、エポキシ樹脂を主成分とする３層の上部樹脂絶縁層４１，４２，４３を備える。一方、コア基板本体下面１０Ｂの下方には、同じく３層の下部樹脂絶縁層５１，５２，５３を備える。さらに上部樹脂絶縁層４１と４２の層間及び上部樹脂配線層４２と４３の層間には、それぞれ上部樹脂絶縁層４１，４２をも貫通し、Ｃｕメッキからなる配線層４５，４６が形成されている。同様に、下部樹脂絶縁層５１と５２の層間及び下部樹脂配線層５２と５３の層間には、それぞれ下部樹脂絶縁層５１，５２をも貫通し、Ｃｕメッキからなる配線層５５，５６が形成されている。
【００５０】
このうち、上部樹脂絶縁層４１，４２，４３の層間、及び上部樹脂絶縁層４１，４２をそれぞれ貫通して、フリップチップパッド１０１とこれに対応するコンデンサ２０の上面接続パッド２１とをそれぞれ結ぶ配線層４５，４６は、上部コンデンサ接続配線６０を構成する。また、上部樹脂絶縁層４１，４２，４３の層間、及び上部樹脂絶縁層４１，４２をそれぞれ貫通して、フリップチップパッド１０１とこれに対応するコアスルーホール導体３３とをそれぞれ結ぶ配線層４５，４６は、上部コア接続配線８０を構成する。一方、下部樹脂絶縁層５１，５２，５３の層間、及上部樹脂絶縁層５１，５２をそれぞれ貫通して、底面スルーホール導体１２とこれに対応するＬＧＡパッド１０３とをそれぞれ結ぶ配線層５５，５６は、下部コンデンサ接続配線７０を構成する。また、下部樹脂絶縁層５１，５２，５３の層間、及び下部樹脂絶縁層５１，５２をそれぞれ貫通して、コアスルーホール導体３３とこれに対応するＬＧＡパッド１０３とをそれぞれ結ぶ配線層５５，５６は、下部コア接続配線９０を構成する。
【００５１】
これにより、フリップチップバンプ１０２に接続されたＩＣチップ１は、フリップチップパッド１０１、上部コンデンサ接続配線６０、上面接続パッド２１を通じて、コンデンサ２０の一対の電極群２５Ｅ，２５Ｆとそれぞれ接続することになる。
さらに、ＬＧＡパッド１０３は、下部コンデンサ接続配線７０、底部スルーホール導体１２、下面接続パッド２２を通じて、コンデンサ２０の一対の電極群２５Ｅ，２５Ｆとそれぞれ接続している。
したがって、図２（ｄ）に示すように、フリップチップパッド１０１とＬＧＡパッド１０３との間を結び、一方の電極群２５Ｅと接続する上部コンデンサ接続配線６０及び下部コンデンサ接続配線７０と、同じく他方の電極群２５Ｆと接続する上部コンデンサ接続配線６０及び下部コンデンサ接続配線７０との間に、コンデンサ２０が挿入された状態となる。
【００５２】
このため、ＬＧＡパッド１０３に接続したマザーボードなどから供給される電源電位及び接地電位は、ＬＧＡパッド１０３から、下部コンデンサ接続配線７０、底部スルーホール導体１２、コンデンサ２０、上部コンデンサ接続配線６０、フリップチップパッド１０１、フリップチップバンプ１０２を通じて、ＩＣチップ１に供給することができるようになる。さらに、コンデンサ２０により電源電位や接地電位に重畳されるノイズを除去することができる。
しかも、コンデンサ２０は、コア基板本体１０に内蔵されているので、ＩＣチップ１のごく近くに配置することができるため、上部コンデンサ接続配線６０の長さを短くできる。したがって、コンデンサ２０によるノイズ除去能力をより高めることができる。特に、本実施形態では、コンデンサ２０を、ＩＣチップ１の直下に、したがって、フリップチップパッド１０１の直下に配置する構造としたので、上部コンデンサ接続配線６０の長さをごく短くすることができる。したがって、ＩＣチップ１とコンデンサ２０との距離をごく短くすることができるから、この間でノイズが重畳されることが少なく、特にノイズ除去に有効となる。
【００５３】
また、上部コンデンサ接続配線６０は多数形成され、多数のフリップチップパッド１０１と多数の上面接続パッド２１との間を並列に接続している。したがって、多数の上部コンデンサ接続配線６０が形成されることにより、全体として、ＩＣチップ１（フリップチップパッド１０１）とコンデンサ２０とを結ぶ上部コンデンサ接続配線６０の持つ抵抗やインダクタンスも、小さくなり、この点からも、ノイズ除去に有利となる。同様に、下部コンデンサ接続配線７０も多数形成され、多数のＬＧＡパッド１０３と多数の底部スルーホール導体１２との間を並列に接続している。したがって、多数の下部コンデンサ接続配線７０が形成されることにより、全体として、ＬＧＡパッド１０３とコンデンサ２０とを結ぶ下部コンデンサ接続配線７０及び底部スルーホール導体１２の持つ抵抗やインダクタンスも、小さくなり、この点からも、ノイズ除去に有利となる。
【００５４】
一方、信号線などコンデンサ２０に接続しないで、ＩＣチップ１とマザーボード等とを結ぶ配線は、フリップチップパッド１０１から上部コア接続配線８０を通じて、コアスルーホール導体３３に接続し、コア基板本体１０を貫通して、下部コア接続配線９０からＬＧＡパッド１０３に接続する。この構造は、スルーホール導体を形成したコア基板を用いた通常のビルドアップ配線基板と同様である。
このように、本実施形態の配線基板１００では、ＩＣチップ１のごく近くにコンデンサ２０を内蔵して、有効にノイズを除去すると共に、信号線等については、従来と同様の構造にすることができる。
【００５５】
次いで、上記配線基板１００の製造方法について、個別の部材であるコンデンサ２０、コア基板本体１０の製造方法を含めて説明する。まず、コンデンサ２０の製造方法について、図３を参照しつつ説明する。まず、図３（ａ）に示すように、公知のグリーンシート製造技術により、ＢａＴｉＯ3粉末を主成分とする高誘電体セラミックグリーンシート（以下、単にシートともいう）１２４を多数製造する。次いで、図３（ｂ）に示すように、このシート１２４の所定位置に、その表裏面１２４Ａ，１２４Ｂ間を貫通するビア孔１２４Ｈをパンチングにより形成する。
【００５６】
さらに、図３（ｃ）に示すように、各シート１２４のビア孔１２４Ｈ内に、Ｐｄペーストを充填して未焼成ビア導体１２６，１２７，１２８を形成し、さらに、各シート１２４の上面１２４Ａ側に、Ａｇ−Ｐｄペーストからなる所定形状の未焼成電極層１２５Ｅ，１２５Ｆを形成する。このうち、一方の未焼成電極層１２５Ｅは、図３（ｃ）において３つ形成した未焼成ビア導体１２６，１２７のうち、左右２つと接続し、中央の未焼成ビア導体１２６，１２７とは接続しないパターンに形成されている。他方の未焼成電極層１２５Ｆは、これとは逆に、３つ形成した未焼成ビア導体１２６，１２７のうち、中央の未焼成ビア導体１２６，１２７と接続し、左右のものとは接続しないパターンに形成されている。
【００５７】
なお、未焼成ビアパッド１２５Ｅあるいは１２５Ｆと接続しないビア１２６，１２７については、後述する積層時に確実に上下方向にビア導体同士を接触、導通させるため、各未焼成ビア導体１２６，１２７の上方に、未焼成電極層１２５Ｅ，１２５Ｆと同時にカバーパッド１２９を形成しておくと良い。
また、次述する積層時に最も上に積層する未焼成誘電体層１２４Ｄには、未焼成電極層１２５Ｅ，１２５Ｆのいずれも形成せず、各未焼成ビア導体１２８の上方に、カバーパッド１２２のみを形成するようにしている。
【００５８】
次いで、図３（ｄ）に示すように、未焼成電極層１２５Ｅが積層されたシート１２４と、１２５Ｆが積層されたシート１２４とを、交互に積み重ねるようにして積層する。そして、最も上には、未焼成電極層１２５Ｅ，１２５Ｆのいずれも形成せず、カバーパッド１２２のみを形成したシート１２４Ｄを積層し、これらを圧着して積層体１２０を形成する。これにより、未焼成誘電体層１２４と未焼成電極層１２５Ｅ，１２５Ｆとは、交互に積層され、しかも、未焼成電極層１２５Ｅと１２５Ｆとは互いに１層おきに配置された状態となる。また、未焼成電極層１２５Ｅ，１２５Ｅはそれぞれ未焼成ビア導体１２６，１２７を介して、互いに接続され、同様に、未焼成電極層１２５Ｆ，１２５Ｆもそれぞれ未焼成ビア導体１２６，１２７を介して、互いに接続される。その上、未焼成電極層１２５Ｅの群と１２５Ｆの群とは、接触することはなく、互いに絶縁された状態となる。
【００５９】
その後、この積層体１２０を上下反転させて、未焼成ビア導体１２７が露出する積層体１２０の上面にカバーパッドを形成した上で、この積層体１２０を焼成（同時焼成）して、図２に示すコンデンサ２０を形成する。コンデンサ２０をこのようにして形成したので、例えば、焼成後に誘電体層２４の側面に電極層２５Ｅ、あるいは２５Ｆと接続するための共通電極を形成する必要はなく、焼成後、直ちにコンデンサとして使用することができる。なお、ビア導体２６，２７，２８（未焼成ビア導体１２６，１２７，１２８）は、上層や下層のビア導体の位置や隣り合うビア導体２４との間隔等を考慮すれば、誘電体層２４の面内いずれの位置にも形成できる。
【００６０】
したがって、上部コンデンサ接続配線６０や下部コンデンサ接続配線７０の引き回しの容易さ、上部コンデンサ接続配線６０に接続するフリップチップパッド１０１の数や、下部コンデンサ接続配線７０に接続するＬＧＡパッド１０３の数などに応じて、上面接続パッド２１および下面接続パッド２２の位置や数も任意に選択して形成することができる。さらには、コンデンサ２０を配線基板１００に内蔵させない場合においても、上下に接続させるＩＣチップ等の電子部品の端子配置に応じて、上面接続パッド２１および下面接続パッド２２の位置や数も任意に選択して形成することができる。なお、Ｐｄからなる上面接続パッド２１あるいは下面接続パッド２２は、ハンダ付け性やＣｕからなる配線層４５との接続性を考慮して、Ｎｉ−Ａｕメッキや、Ｃｕメッキ等を施しておくこともできる。また、上面接続パッド２１、及び／または、下面接続パッド２２の周囲には、公知の手法により、セラミックや樹脂などからなるソルダーレジスト層を形成しておくこともできる。
【００６１】
完成したコンデンサ２０は、ショートの有無、静電容量値、電極群２５Ｅと２５Ｆとの間の絶縁抵抗値、各上面接続パッド２１及び各下面接続パッド２２と、電極群２５Ｅ，２５Ｆとの導通あるいは絶縁のチェック等、各種のチェックを行い、不具合のあるコンデンサ２０は廃棄する。これにより、後述する工程で不具合のあるコンデンサ２０を使用する危険性を減少させることができる。
【００６２】
次いで、コア基板本体１０およびその製造方法について説明する。コア基板本体１０は、まず、コンデンサ２０を内蔵する前に、図４に示す状態にする。即ち、図４に示すコア基板本体１０は、コア基板本体上面１０Ａとコア基板本体下面１０Ｂとを有し、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなる底部用コア基板本体１３と、同じくガラス−エポキシ樹脂複合材料からなる壁部用コア基板本体１６とが、接着層１７で接着されて形成されている。さらに、コア基板本体上面１０Ａには、壁部用コア基板本体１６を貫通する有底の凹部１１が開口しており、その底部１１Ｔには、凹部１１の底面１１Ｂとコア基板本体下面１０Ｂとの間を貫通し、Ｃｕメッキからなる底部スルーホール導体１２が、上記コンデンサ２０の下面接続パッド２２に対応した位置に形成されている。
【００６３】
なお、このコア基板本体１０は、そのコア基板本体上面１０Ａとコア基板本体下面１０Ｂとの間を貫通するコアスルーホール導体３３は形成されていない。コアスルーホール導体３３は、コア基板本体１０の凹部１１内に、上述のコンデンサ２０を内蔵してから形成するからである。
【００６４】
さらに、このコア基板本体下面１０Ｂには、底部スルーホール導体１２から延在する接続配線１５も形成されている。また、底面スルーホール導体１２は、Ｃｕメッキからなる筒状のスルーホール導体内部にＣｕ粉末を含有する充填用樹脂１４が充填され、その上下もＣｕメッキで閉塞された形状となっている。したがって、この底部スルーホール導体１２は、図１に示すように、直接ハンダ（例えばハンダ２３）を溶着してハンダ付けを行ったり、その直上あるいは直下にメッキ等によって配線層（例えば配線層５５など）を形成することができる。
【００６５】
このように、底部スルーホール導体１２の内部を導電性樹脂や絶縁性樹脂等で充填し、さらには蓋状にメッキを施すと、隣り合う底部スルーホール導体１２同士の間隔を狭くすることができ、高密度実装に適するので、狭い間隔で底部スルーホール導体１２を形成したい場合、あるいは、より多くの下面接続パッド２２や下部コンデンサ接続配線７０を、形成したい場合に好都合である。一方、底部スルーホール導体１２同士の間隔に余裕がある場合には、凹部１１の底面１１Ｂに、底部スルーホール導体１２から延在するパッドを形成して、このパッドと下面接続パッド２２とを接続させることもできる。また、コア基板本体下面１０Ｂに、底部スルーホール導体１２から延在する接続配線を形成して、この接続配線と下部コンデンサ接続配線６０（具体的には配線層５５）とを接続させることもできる。
【００６６】
このコア基板本体１０は、以下のようにして製造する。即ち、まず図５（ａ）に示すように、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなる底部用コア基板本体１３の上下両面に銅箔１３ＡＣ，１３ＢＣを備えた両面銅張り基板１３Ｐを用意する。次いで、図５（ｂ）に破線で示すように、凹部１１（図４参照）を形成する凹部形成領域１３ＲＡに、この両面銅張り基板１３Ｐを厚さ方向に貫通するスルーホール孔１３Ｈをドリルで形成する。なお、スルーホール孔１３Ｈの間隔や径を小さくしたい場合には、レーザ（ＣＯ2，ＹＡＧ等）で穿孔すると良い。
【００６７】
その後、公知のスルーホール導体形成手法により、スルーホール孔１３Ｈ内にスルーホール導体１２を形成する（図５（ｃ）参照）。例えば具体的には、無電解Ｃｕメッキ及び電解Ｃｕメッキを施して、スルーホール孔１３Ｈ内に円筒状のＣｕメッキ層を形成する。その後、スルーホール孔内の円筒状Ｃｕメッキ内部に、Ｃｕ粉末を含有する充填用樹脂１４を充填し硬化させる。その後、銅箔１３ＡＣの上面及び１３ＢＣの下面を研磨して整面した後に、この上下面に電解Ｃｕメッキを施し、充填用樹脂１４の上下に電解メッキ層で蓋をする。その後、上下面にレジスト層を形成し、露光現像して不要部分を開口させ、エッチングによって不要な銅メッキ層及び銅箔を除去することで、スルーホール孔１３Ｈ内及びその周縁にＣｕからなる底部スルーホール導体１２、及びこれから延在する接続配線１５を形成する。
【００６８】
一方、図５（ｄ）に示すように、同じくガラス−エポキシ樹脂複合材料からなり、上記底部用コア基板本体１３より厚さの厚い壁部用コア基板本体１６を用意する。この壁部用コア基板本体１６には、予め上記凹部１１に対応した位置に、凹部用貫通孔１６Ｈをパンチングにより形成しておく。
【００６９】
次いで、図５（ｅ）に示すように、底部用コア基板本体上面１３Ａと、壁部用コア基板本体下面１６Ｂとを、半硬化のエポキシ樹脂からなり、凹部用貫通孔１６Ｈに適合させて略ロ字状に成型した接着シート１７Ｒを介して挟み、加熱、圧着する。これにより、両者１３，１６は、接着層１７を介して接着され、図４に示すコア基板本体１０が作成できる。
【００７０】
本実施形態のように、凹部１１を有するコア基板本体１０を作成するのに、予め凹部１１の底部を構成する底部用コア基板本体１３と、凹部１１の壁部を構成する壁部用コア基板本体１６とに分けて製作し、その後貼り合わせるようにすると、有底の凹部１１を容易かつ正確な寸法で形成できる。さらに、底部の底部スルーホール導体１２も公知の手法を用いて容易に形成することができる。したがって安価にコア基板本体１０を形成することができる。
【００７１】
次いで、このコア基板本体１０にコンデンサ２０を内蔵させ、コアスルーホール導体３３を形成する工程を説明する。まず、図６（ａ）に示すように、コア基板本体１０の凹部１１内に、上述のコンデンサ２０をコンデンサ下面２０Ｂを下にして配置し、下面接続パッド２２と対応する底部スルーホール導体１２とをＡｇ−Ｓｎからなるハンダ２３でハンダ付け接続する。具体的には、予め下面接続パッド２２にハンダペーストを印刷しておき、底部スルーホール導体１２と重ねた後に、リフロー炉を通過させてハンダペーストを溶融させてハンダ付けする。
【００７２】
凹部１１内のフラックスを洗浄除去した後、図６（ｂ）に示すように、凹部１１内の他、コア基板本体上面１０Ａ及びコンデンサ上面２０Ａ上に、エポキシ樹脂を主成分とする充填樹脂３２を注入及び塗布し硬化させる。これにより、コンデンサ２０が底部スルーホール導体１２に接続されつつ、凹部１１内において充填樹脂３２（３２Ａ）で固定されて、コア基板本体１０に内蔵され、熱や振動等が掛かった場合に、下面接続パッド２２と底部スルーホール導体１２との間が破断する不具合が防止される。
【００７３】
さらに、図６（ｃ）に示すように、コア基板本体上面１０Ａ上及びコンデンサ上面２０Ａ上の充填樹脂層３２Ｂ，３２Ｃを平面に研磨して、上面接続パッド２１を露出させると共に、この上面接続パッド２１と、コンデンサ上面２０Ａ上及びコア基板本体上面１０Ａ上に残した充填樹脂層３２Ｂ，３２Ｃとを略面一に整面する。このようにして製作したコンデンサ内蔵コア基板では、コア基板本体１０に凹部１１を形成し、その中にコンデンサ２０を内蔵させたことによる段差の発生は吸収され、以降に形成する上部樹脂絶縁層４１等や配線層４５等が段差によって歪み、断線やショート等の不具合を生じることはなくなる。また、フリップチップパッド１０１（あるいはフリップチップバンプ１０２）への段差の影響もなくなるため、フリップチップパッド１０１等のコプラナリティも良好にできる。
【００７４】
さらに、図７に示すように、このコア基板本体１０の凹部１１の周縁に、コア基板本体上面１０Ａとコア基板本体下面１０Ｂとの間、さらには、充填樹脂層３２Ｃの上面３２ＣＵとコア基板本体下面１０Ｂとの間を貫通するコアスルーホール孔３０Ｈをドリルによって形成する。なお、孔径や間隔を小さくしたい場合などでは、レーザ（ＣＯ2，ＹＡＧ等）で穿孔すると良い。
【００７５】
次いで、公知のスルーホール導体形成手法によって、このコアスルーホール孔３０Ｈ内及びその周縁にＣｕからなるコアスルーホール導体３３を形成する。なお、充填樹脂層上面３２ＣＵ及びコア基板本体下面１０Ｂには、コアスルーホール導体３３から延在して配線層４５、５５と接続するための接続配線３４，３５も形成する。また、充填樹脂層３２Ｂと面一にした上面接続パッド２１も、Ｃｕメッキによってその厚さを増して充填樹脂層３２Ｂより上方の突出した状態とする。このようにして、コンデンサ内蔵コア基板（以下単にコア基板ともいう）３０を作成する。
【００７６】
このコア基板３０は、コア基板本体１０の他、コンデンサ２０をその凹部１１に内蔵している。しかし、コア基板上面３０Ａ（充填樹脂層上面３２ＣＵ）やコア基板３０Ｂ（コア基板本体下面１０Ｂ）には、所定部位にこれらの間を貫通するコアスルーホール導体３３、あるいは、上面接続端子２１や底部スルーホール導体１２、接続配線１５，３４，３５が形成されており、コア基板上面３０Ａ（充填樹脂層上面３２ＣＵ）は平坦にされている。したがって、コンデンサを内蔵しない通常の配線基板に用いるコア基板と同様に用いることができる。
【００７７】
コアスルーホール導体３３の具体的な製造方法は、例えば以下のようである。即ち、まずコア基板本体１０の全面に無電解Ｃｕメッキを施して、スルーホール孔３０Ｈ内、充填樹脂層上面３２ＣＵ、及びコア基板本体下面１０Ｂに無電解Ｃｕメッキ層を形成する。その後、充填樹脂層３２Ｃの上面３２ＣＵ及びコア基板本体下面１０Ｂ上にドライフィルムを貼り、露光現像してコアスルーホール孔の周縁など電解メッキ形成部分を開口させる。さらに、無電解Ｃｕメッキ層を共通電極として電流を流して電解Ｃｕメッキを施し、ドライフィルムを除去した後、不要な無電解Ｃｕメッキ層をソフトエッチングで除去してコアスルーホール導体３３、接続配線３４，３５等を形成する。なお、上面接続パッド２１にも無電解Ｃｕメッキ及び電解Ｃｕメッキを施す。一方、コア基板本体下面１０Ｂの露出する底部スルーホール導体１２及び接続配線１５は、メッキされないように予め保護フィルムを貼り付けておく。ただし、本実施形態では、コアスルーホール孔３０Ｈを形成する前に、コンデンサ２０を凹部１１内に内蔵しているので、凹部１１内の露出する底部スルーホール導体１２にメッキやエッチングが施されないように、保護フィルム等を形成しておく必要がない。あるいは、上記保護フィルムを用いずに、底部スルーホール導体及び接続配線１５上にも無電解Ｃｕメッキを施す。その後、ドライフィルムによって、底部スルーホール導体１２及び接続配線をカバーして、電解メッキがこれらの上に形成されるのを防止する。電解メッキ後、ドライフィルムを剥がし、形成された無電解Ｃｕメッキ層をソフトエッチングによって除去するようにしても良い。このようにすると、保護フィルムを貼り付ける工程が不要になる。
【００７８】
その他、本実施形態では、コアスルーホール導体３３をコアスルーホール孔３０Ｈの内周及び周縁に形成された略円筒形状に形成したが、上記した底部スルーホール導体１２と同様に、内部に充填用樹脂を充填しその上下をメッキ層で閉塞するようにしても良い。このようにすれば、接続配線３４，３５を介さず、配線層４５，５５とコアスルーホール導体３３とを直接接続することができるので、コアスルーホール導体３３の間隔を高密度に形成することができる。
【００７９】
後述するように、このコンデンサ２０を内蔵したコア基板３０に樹脂絶縁層や配線層を形成する前に、内蔵したコンデンサ２０の特性検査を行うと良い。即ち、コア基板３０に内蔵された状態で、コンデンサ２０の、ショートの有無、静電容量値、一対の電極群２５Ｅと２５Ｆと間の絶縁抵抗値、各上面接続パッド２１及び各底面スルーホール導体１２と、各電極群２５Ｅ，２５Ｆとの導通あるいは絶縁のチェック等、各種の検査を行い、不具合のあるコンデンサ２０が内蔵されたコア基板３０は廃棄する。これにより、後述するように工数の掛かる樹脂絶縁層や配線層を形成した後に、コンデンサ２０に不具合があることが判明することで、付加価値の高い配線基板１００全体を廃棄せざるを得なくなる危険性を減少させることができる。
【００８０】
その後は、このコア基板３０を用いて、公知の樹脂絶縁層形成技術、配線層形成技術を用いて樹脂絶縁層や配線層を形成し、配線基板１００を形成すればよい。 なお本実施形態では、樹脂絶縁層を形成する前に、以下の処理を行う。即ち、図８（ａ）に示すように、コアスルーホール導体３３の内部の他、充填樹脂層３２Ｂ、３２Ｃの上方や上面接続パッド２１、接続配線３４の上方、コア基板本体下面１０Ｂや底部スルーホール導体１２，接続配線１５，３５の上（図中下方）にエポキシ樹脂を主成分とする平坦化樹脂３６，３７，３８を、充填塗布し、硬化させる。あるいは、まずコアスルーホール導体３３の内部に平坦化樹脂３６を充填し硬化させた後に、平坦化樹脂３７，３８を塗布して硬化させても良い。
【００８１】
さらに、図８（ｂ）に示すように、平坦化樹脂３７，３８の上面あるいは下面を研磨して平坦にする。それと共に、上面接続パッド２１、コアスルーホール導体３３及び接続配線３４を平坦化樹脂層３７と略面一に露出させる。また、底部スルーホール導体１２，接続配線１５，３５及びコアスルーホール導体３３を平坦化樹脂層３８と略面一に露出させる。これにより、上面接続パッド２１やコアスルーホール導体３３、接続配線１５，３４，３５、底部スルーホール導体１２等が、コア基板上面３０Ａあるいはコア基板下面３０Ｂから突出して形成されているために、その上下に形成する樹脂絶縁層４１，５１等あるいは配線層４５，５５等が受ける影響を無くすことができる。したがって、配線層４５等の断線やショートの防止、あるいは、フリップチップパッド１０１等のコプラナリティの向上を図ることができる。
【００８２】
以降は、平坦化樹脂層３７の上面３７Ｕ及び平坦化樹脂層３８の下面３８Ｄに、エポキシ樹脂を主成分とする感光性フィルムを貼り付ける。さらに、露光現像して、底面にそれぞれ上面接続パッド２１、接続配線１５，３４，３５、底部スルーホール導体１２等が露出する位置にビアホール４１ＶＨ，５１ＶＨを形成し、感光性フィルムを硬化させて、図９（ａ）に示すように、樹脂絶縁層４１，５１をそれぞれ形成する。なお、樹脂絶縁層４１，５１を感光性のない樹脂で形成した後に、レーザ（ＣＯ2，ＹＡＧ等）を用いてビアホール４１ＶＨ，５１ＶＨを穿孔するようにしても良い。
【００８３】
さらに、無電解Ｃｕメッキを施し、ドライフィルムを貼り付け露光現像して電解メッキ層形成部分のみ開口させ、無電解Ｃｕメッキ層を共通電極として開口内に電解Ｃｕメッキ層を形成し、ドライフィルムを除去した後、不要な無電解Ｃｕメッキ層をソフトエッチングにより除去する。これにより、ビアホール４１ＶＨ、５１ＶＨ内に樹脂絶縁層４１，５１をそれぞれ貫通し、上面接続パッド２１等とそれぞれ接続するビア部４５Ｖ，５５Ｖを有する配線層４５，５５が、互いに絶縁されて形成される。なお、この配線層４５，５５は、さらに上部に樹脂絶縁層４２，５２が形成されると樹脂絶縁層４１と４２、あるいは樹脂絶縁層５１と５２の層間に配置されることになる。
【００８４】
以降は、同様にして樹脂絶縁層４２，５２、配線層４６，５６及びフリップチップパッド１０１、樹脂絶縁層（ソルダレジスト層）４３，５３を順に形成し、さらに、樹脂絶縁層４３から露出するフリップチップパッド１０１にハンダペーストを塗布しリフローすることで、ハンダからなるフリップチップバンプ１０２を形成する。このようにして、図１に示す配線基板１００が完成する。なお、ＬＧＡパッド１０３の表面には、酸化防止のため、Ｎｉ−Ａｕメッキ層を形成しても良い。
【００８５】
本実施形態においては、コア基板本体１０の凹部１１内にコンデンサ２０を内蔵させ充填樹脂３２で固定した後に、充填樹脂層３２Ｂ，３２Ｃの上面を研磨し整面した。さらに、コアスルーホール導体３３等を形成した後にも、平坦化樹脂層３７，３８の上面を研磨して整面した。このため、コンデンサ２０を凹部１１内に内蔵させたことによって生じる段差を解消し、さらには、コアスルーホール導体３３や上面接続パッド２１等の突出による段差も解消したので、配線層４５，５５等の断線やショート、さらには、フリップチップパッド１０１やフリップチップバンプ１０２のコプラナリティも向上させることができる。
【００８６】
また本実施形態では、上述のように樹脂絶縁層４１，４２，４３，５１，５２，５３を、感光性樹脂フィルムを用いたフォトリソグラフィ技術によって形成し、また、配線層４５，５５を、いわゆるセミアディティブ法によって形成した。しかし、樹脂絶縁層４１等を樹脂ペーストを塗布するなど他の手法で、また、配線層４５等も、サブトラクティブ法、フルアディティブ法、その他の手法で形成しても良い。即ち、公知のいずれの手法によって、樹脂絶縁層４１等及び配線層４５等を形成しても良い。
【００８７】
（実施形態２）
次いで、第２の実施の形態にかかる配線基板２００ついて、図１０を参照しつつ説明する。前記実施形態１の配線基板１００では、コンデンサ２０を内蔵するコア基板本体１０の凹部１１が、図中上方に向かって開口していた。これに対して、本実施形態の配線基板２００では、コンデンサ２２０を内蔵するコア基板本体２１０の凹部２１１が、図中下方に向かって開口している点で異なり、その他は同様であるので、異なる部分を中心に説明し、同様な部分については説明を省略あるいは簡略化する。
【００８８】
配線基板２００は、その配線基板上面２００Ａに、破線で示すＩＣチップ１との接続用のフリップチップパッド１０１及びフリップチップバンプ１０２が多数形成されている。一方、配線基板下面２００Ｂには、ＬＧＡパッド１０３が多数形成されている。さらにこの配線基板２００は、コンデンサ２２０を内蔵するコア基板本体２１０、これらの上下に積層された樹脂絶縁層４１，４２，４３，５１，５２，５３及びこれらの層間に及び樹脂絶縁層を貫通して形成された各配線層６０，７０，８０，９０を備える。
【００８９】
このうち、コア基板本体２１０は、平面視略正方形板状で、ガラス−エポキシ樹脂複合材料からなり、その略中央にはコア基板本体下面２１０Ｂ側に開口する有底の凹部２１１を備える。この凹部２１１の図中上方に位置する底部２１１Ｔ、即ち、底面２１１Ｂとコア基板本体上面１０Ａとの間には、この間を貫通する底部スルーホール導体２１２が複数形成されている。また、この凹部２１１内には、コンデンサ２２０が内蔵されている。また、このコア基板本体２１０の周縁部には、コア基板本体上面２１０Ａとコア基板本体下面２１０Ｂとの間を貫通するコアスルーホール導体２３３が多数形成されている。
【００９０】
コンデンサ２２０は、実施形態１で説明したコンデンサ２０と同様の材質、構造を有する積層セラミックコンデンサである（図２（ａ）（ｂ）（ｃ）参照）。コンデンサ上面２２０Ａ及びコンデンサ下面２２０Ｂには、それぞれ多数の上面接続パッド２２１及び下面接続パッド２２２を備えており、これらのパッド２２１，２２２によって、コンデンサ上面２２０Ａ及びコンデンサ下面２２０Ｂ内で、図中上方あるいは下方に接続可能になっている。
このコンデンサ２２０の上面接続パッド２２１とこれに対応する底部スルーホール導体２１２とが、それぞれＡｇ−Ｓｎハンダからなるハンダ層２２３によって導通、接続されている。これにより、コア基板本体２１０に内蔵されたコンデンサ２２０は、図中上方には上面接続パッド２２１に接続する底部スルーホール導体２１２で、図中下方には下面接続パッド２２２で、それぞれ接続可能になっている。さらに、このコンデンサ２２０は、エポキシ樹脂からなる充填樹脂２３２によって凹部２１１内に固定されて、コア基板本体２１０と一体となっている。
【００９１】
さらに、実施形態１と同様に、コア基板本体上面２１０Ａの上方には、エポキシ樹脂を主成分とする３層の上部樹脂絶縁層４１，４２，４３を備える。一方、コア基板本体下面２１０Ｂ及びコンデンサ下面２２０Ｂにも、同じく３層の下部樹脂絶縁層５１，５２，５３を備える。さらに上部樹脂絶縁層４１と４２の層間及び上部樹脂配線層４２と４３の層間には、それぞれ上部樹脂絶縁層４１，４２をも貫通し、Ｃｕメッキからなる配線層４５，４６が形成されている。同様に、下部樹脂絶縁層５１と５２の層間及び下部樹脂配線層５２と５３の層間には、それぞれ下部樹脂絶縁層５１，５２をも貫通し、Ｃｕメッキからなる配線層５５，５６が形成されている。
【００９２】
このうち、フリップチップパッド１０１とこれに対応する底部スルーホール導体２１２とをそれぞれ結ぶ配線層４５，４６は、上部コンデンサ接続配線６０を構成し、フリップチップパッド１０１とこれに対応するコアスルーホール導体３３とをそれぞれ結ぶ配線層４５，４６は、上部コア接続配線８０を構成する。一方、コンデンサ２０の下面接続パッド２２２とこれに対応するＬＧＡパッド１０３とをそれぞれ結ぶ配線層５５，５６は、下部コンデンサ接続配線７０を構成し、コアスルーホール導体３３とこれに対応するＬＧＡパッド１０３とをそれぞれ結ぶ配線層５５，５６は、下部コア接続配線９０を構成する。
【００９３】
これにより、フリップチップバンプ１０２に接続されたＩＣチップ１は、コンデンサ２２０の一対の電極群とそれぞれ接続することになる。さらに、ＬＧＡパッド１０３は、コンデンサ２２０の一対の電極群とそれぞれ接続している。
このため、ＬＧＡパッド１０３に接続したマザーボードなどから供給される電源電位及び接地電位は、ＬＧＡパッド１０３から、下部コンデンサ接続配線７０、コンデンサ２２０、底部スルーホール導体２１２、上部コンデンサ接続配線６０、フリップチップパッド１０１、フリップチップバンプ１０２を通じて、ＩＣチップ１に供給することができるようになる。さらに、コンデンサ２２０により電源電位や接地電位に重畳されるノイズを除去することができる。
【００９４】
しかも、コンデンサ２２０は、コア基板本体２１０に内蔵されているので、ＩＣチップ１のごく近くに配置することができるため、上部コンデンサ接続配線６０の長さを短くできる。したがって、コンデンサ２２０によるノイズ除去能力をより高めることができる。特に、本実施形態では、コンデンサ２２０を、ＩＣチップ１の直下に、したがって、フリップチップパッド１０１の直下に配置する構造としたので、上部コンデンサ接続配線６０の長さをごく短くすることができる。したがって、ＩＣチップ１とコンデンサ２２０との距離をごく短くすることができるから、この間でノイズが重畳されることが少なく、特にノイズ除去に有効となる。
【００９５】
また、上部コンデンサ接続配線６０は並列に多数形成されている。また同様に、下部コンデンサ接続配線７０も多数形成されている。このため、全体として、上部コンデンサ接続配線６０や下部コンデンサ接続配線７０及び底部スルーホール導体１２の持つ抵抗やインダクタンスも小さくなり、この点からもノイズ除去に有利となる。
【００９６】
一方、信号線などコンデンサ２２０に接続しないで、ＩＣチップ１とマザーボード等とを結ぶ配線は、フリップチップパッド１０１から上部コア接続配線８０を通じて、コアスルーホール導体３３に接続し、コア基板本体２１０を貫通して、下部コア接続配線９０からＬＧＡパッド１０３に接続する。この構造は、スルーホール導体を形成したコア基板を用いた通常のビルドアップ配線基板と同様である。
このように、本実施形態の配線基板２００でも、ＩＣチップ１のごく近くにコンデンサ２２０を内蔵して、有効にノイズを除去すると共に、信号線等については、従来と同様の構造にすることができる。
【００９７】
さらに、本実施形態の配線基板２００では、凹部２１１が下方に開口し、その底部２１１Ｔが図中上方に位置しているため、樹脂絶縁層４１，４２，４３及び配線層４５，４６、さらには、フリップチップパッド１０１やフリップチップバンプ１０２は、凹部２１１の影響を受けることなく形成することができる。したがって、凹部２１１やコンデンサ２２０によって段差が生じることに起因して、フリップチップパッド１０１等のコプラナリティの低下が生じることが無いから、ＩＣチップ１との安定した接続性を得ることができる。
なお、この配線基板２００は、実施形態１のコンデンサ２０や配線基板本体１０と同様のコンデンサ２２０やコア基板本体２１０を製作し、コア基板本体２１０にコンデンサ２２０を内蔵させ、上下反転させた上で実施形態１と同様に樹脂絶縁層４１等や配線層４５等を形成すれば製作できるので、その詳細な説明を省略する。
【００９８】
以上において、本発明を実施形態に即して説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更して適用できることはいうまでもない。
例えば、上記実施形態では、コア基板本体１０、さらにいえば、底部用コア基板本体１３及び壁部用コア基板本体１６の材質として、ガラス−エポキシ樹脂複合材料を用いたが、コア基板本体としては、耐熱性、機械的強度、可撓性、加工の容易さ等を考慮して選択すればよい。したがって、例えば、ガラス織布、ガラス不織布などのガラス繊維とエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂等の樹脂とのガラス繊維−樹脂複合材料や、ポリアミド繊維などの有機繊維と樹脂との複合材料、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂等の樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料などを用いることができる。
【００９９】
また、樹脂絶縁層４１等として、エポキシ樹脂を主成分とするものを用いたが、耐熱性、パターン成形性等を考慮して適宜選択すれば良く、例えば、ポリイミド樹脂、ＢＴ樹脂、ＰＰＥ樹脂、連続気孔を有するＰＴＦＥなど３次元網目構造のフッ素系樹脂にエポキシ樹脂等の樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料等が挙げられる。
同様に、配線層４５等を、無電解Ｃｕメッキ及び電解Ｃｕメッキによって形成したが、その他の材質、例えば、Ｎｉ、Ｎｉ−Ａｕ等によって形成しても良く、さらには、メッキによらず、導電性樹脂を塗布する等の手法によって配線層４５等を形成しても良い。
【０１００】
上記実施形態では、ＩＣチップ１との接続のために、配線基板上面１００Ａ，２００Ａにフリップチップパッド１０１及びフリップチップバンプ１０２を多数設けた。しかし、ＩＣ接続端子としては、接続するＩＣチップに形成され端子に応じて、適切な形態のものを選択すれば良く、フリップチップバンプを形成したものの他、フリップチップパッドのみのもの、あるいは、ワイヤボンディングパッドやＴＡＢ接続用のパッドを形成したものなどが挙げられる。
【０１０１】
上記実施形態では、コア基板本体の略中央に凹部を１つ設けたものを示したが、略中央に形成する必要はなく、また、必要に応じて凹部を複数設けてコンデンサを内蔵するようにしても良い。また逆に、複数の電源電位に対応するなどのため、１つの凹部内に、複数のコンデンサを内蔵するようにしても良い。
また、コンデンサ２０として、コンデンサ上面２０Ａやコンデンサ下面２０Ｂに略平行に誘電体層２４及び電極層２５を積層した積層セラミックコンデンサを示した。しかし、内蔵させるコンデンサは、コンデンサ上面２０Ａやコンデンサ下面２０Ｂに上面接続パッド２１や下面接続パッド２２が形成されたもので有ればよく、例えば、誘電体層や電極層がコンデンサ上面と略直交する方向に積層されているなど、コンデンサの積層方向や内部構造は適宜変更することができる。また、上記実施形態１では、コンデンサ内に形成したビア導体２６，２７，２８は、いずれも他のビア導体と上下方向に重なった位置に形成されたものを示したが（図２（ｃ）参照）、他のビア導体が上方あるいは下方にある位置に限定する必要はなく、各ビア導体２６等の配置あるいはその数は、適宜選択することができる。
【０１０２】
さらに、上記実施形態では、誘電体層２４にＢａＴｉＯ3を主成分とする高誘電体セラミックを用いたが、誘電体層の材質はこれに限定されず、例えば、ＰｂＴｉＯ3，ＰｂＺｒＯ3，ＴｉＯ2，ＳｒＴｉＯ3，ＣａＴｉＯ3，ＭｇＴｉＯ3，ＫＮｂＯ3，ＮａＴｉＯ3，ＫＴａＯ3，ＲｂＴａＯ3，（Ｎａ1/2Ｂｉ1/2）ＴｉＯ3，Ｐｂ（Ｍｇ1/2Ｗ1/2）Ｏ3，（Ｋ1/2Ｂｉ1/2）ＴｉＯ3などが挙げられ、要求されるコンデンサの静電容量その他に応じて適宜選択すればよい。
また、電極層２５やビア導体２６等には、Ｐｄを用いたが、誘電体層の材質等との適合性を考慮して選択すれば良く、例えば、Ｐｔ，Ａｇ，Ａｇ−Ｐｔ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｎｉ等が挙げられる。
さらに、高誘電体セラミックを主成分とする誘電体層やＡｇ−Ｐｄ等からなる電極層と、樹脂層やＣｕメッキ，Ｎｉメッキ等からなるビア導体や配線層とを複合させてコンデンサとしたものを用いることもできる。
【０１０３】
上記実施形態では、下面接続パッド２２または上面接続パッド２２１と底部スルーホール導体１２，２１２とをＡｇ−Ｓｎハンダで接続したが、ハンダ付けの容易さやハンダ付け温度等を考慮し、適宜ハンダの材質を選択すれば良い。例えば、Ｐｂ−Ｓｎ系高温ハンダや、Ａｕ−Ｓｉ，Ｓｎ−Ａｇ，Ｓｎ−Ｃｕ，Ｓｎ−Ｂｉ，Ｓｎ−Ｚｎ，Ｓｎ−Ａｕ，Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ，Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ，Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕなど各種のハンダが挙げられる。また、さらに、例えば、下面接続パッド２２と底部スルーホール導体１２とに挟まれた部分のみ上下方向に導通する異方性導電性樹脂シートを用い、これをコンデンサ２０（下面接続パッド２２）と底部スルーホール導体１２との間に介在させて、両者を接続しても良い。
また、上記実施形態では、凹部１１内にコンデンサ２０を内蔵した後、凹部１１内に充填樹脂３２（３２Ａ）を充填したほか、コンデンサ上面２０Ａ上及びコア基板本体上面１０Ａ上にも、充填樹脂層３２Ｂ，３２Ｃを形成した（図６参照）。しかし、少なくとも充填樹脂３２（３２Ａ）でコンデンサ２０を凹部１１内に固定できれば良い。したがって、凹部１１内にのみ充填樹脂３２を注入しても良い。
【０１０４】
あるいは、充填樹脂３２（３２Ａ）の他に充填樹脂層３２Ｂのみ形成するようにすることもできる。即ち、凹部１１やコンデンサ２０の寸法を調整しておき、コンデンサ２０を凹部１１内で接続させた状態で、コンデンサ上面２０Ａがコア基板本体上面１０Ａよりも低位となり、かつ、上面接続パッド２１がコア基板本体上面１０Ａよりも上位となるようにする。次いで、凹部１１内に充填樹脂３２を注入するほか、コンデンサ上面２０Ａにも充填樹脂層３２Ｂを形成する。その後、この充填樹脂層の上面に上面接続パッド２１が露出し、この上面がコア基板本体上面１０Ａと面一になるように整面しても良い。このようにしても、凹部１１やコンデンサ２０を内蔵したために生じる段差が解消でき、さらに上層に上部樹脂絶縁層４１等や配線層４５等を形成する際に、配線層４５等の断線やショートを防止し、あるいはフリップチップパッド１０１等のコプラナリティ低下を防止できる。
【０１０５】
また、上記実施形態では、コンデンサ２０を内蔵させた後に、コア基板本体１０にコアスルーホール導体３３を形成したが、予めコア基板本体上面１０Ａとコア基板本体下面１０Ｂとの間を貫通するコアスルーホール導体を形成しておき、その後コンデンサ２０を凹部１１内に内蔵させることもできる。即ち、底部用コア基板本体１３と壁部用コア基板本体１６とを接着した後（図４、図５参照）、コア基板本体上面１０Ａとコア基板本体下面１０Ｂとの間を貫通する貫通孔を形成し、公知の手法によりコアスルーホール導体を形成する。なおその際、底部スルーホール導体１２及び接続配線１５は、保護フィルムによってメッキやエッチングがされないように保護しておく。その後、上記と同様にして、凹部１１内にコンデンサ２０を内蔵させる。このようにすると、コンデンサ２０を内蔵した後、コアスルーホール孔３０Ｈの形成の際に発生する振動や衝撃等で、コンデンサ２０や充填樹脂３２にクラック等の不具合を生じさせる危険を回避することができる。
【０１０６】
さらに、上記実施形態においては、コアスルーホール導体３３や接続導体３４，３５を形成した後に、平坦化樹脂３６，３７，３８を形成して、コア基板３０の上下を平坦にした。しかし、上記平坦化樹脂を用いないで、即ち、図７に示す状態から、コアスルーホール導体３３内を樹脂で埋めた上で、樹脂絶縁層４１，５１を形成するようにしても良い。このようにすれば、配線基板をより安価に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 実施形態１にかかり、コア基板本体に形成された図中上方に開口する凹部内にコンデンサを内蔵する配線基板の断面図である。
【図２】 実施形態１にかかる配線基板に内蔵させるコンデンサの（ａ）は平面図、（ｂ）は斜視図、（ｃ）はコンデンサの内部構造説明するための断面説明図、（ｄ）はコンデンサとＬＧＡパッド及びフリップチップパッドとの関係を示す回路図である。
【図３】 図２のコンデンサの製造方法を説明する説明図である。
【図４】 実施形態１にかかる配線基板において、コンデンサ内蔵するための凹部を有するコア基板本体の部分拡大断面図である。
【図５】 図４のコア基板本体の製造方法を説明する説明図である。
【図６】 図２のコンデンサを図４のコア基板本体に接続内蔵させるコンデンサ内蔵コア基板の製造方法の説明図である。
【図７】 コンデンサ内蔵コア基板の部分拡大断面図である。
【図８】 図７のコンデンサ内蔵コア基板の上下面をさらに平坦化する工程を説明する説明図である。
【図９】 図８の平坦化されたコンデンサ内蔵コア基板の上下に樹脂絶縁層および各配線層を形成する工程を示す説明図である。
【図１０】 実施形態２にかかり、コア基板本体に形成された図中下方に開口する凹部内にコンデンサを内蔵する配線基板の断面図である。
【図１１】 コンデンサを上面や下面に搭載した従来の配線基板におけるコンデンサ接続配線の様子を説明する説明図である。
【符号の説明】
１００，２００ （コンデンサ内蔵）配線基板
１００Ａ，２００Ａ 配線基板上面
１００Ｂ，２００Ｂ 配線基板下面
１０１ フリップチップパッド
１０２ フリップチップバンプ
１０３ ＬＧＡパッド（接続端子）
１０，２１０ コア基板本体
１０Ａ，２１０Ａ コア基板本体上面
１０Ｂ，２１０Ｂ コア基板本体下面
１１，２１１ コンデンサ内蔵用凹部
１１Ｂ，２１１Ｂ コンデンサ内蔵用凹部の底面
１１Ｔ，２１１Ｔ コンデンサ内蔵用凹部の底部
１２，２１２ 底部スルーホール導体
２０，２２０ コンデンサ
２０Ａ，２２０Ａ コンデンサ上面
２０Ｂ，２２０Ｂ コンデンサ下面
２１，２２１ 上面接続パッド
２２，２２２ 下面接続パッド
２３ ハンダ
２４ 誘電体層
２５ 電極層
２５Ｅ，２５Ｆ （一対の）電極群
３０ コア基板
３２，２３２ 充填樹脂
３２Ｂ，３２Ｃ 充填樹脂層
３３，２３３ コアスルーホール導体
４１，４２，４３，５１，５２，５３ 樹脂絶縁層
４５，４６，５５，５６ 配線層
６０ 上部コンデンサ接続配線
７０ 下部コンデンサ接続配線
８０ 上部コア接続配線
９０ 下部コア接続配線
Claims (7)
- 配線基板上面と配線基板下面とを有し、上記配線基板上面にＩＣチップと接続するための複数のＩＣ接続端子を、上記配線基板下面に複数の接続端子を備え、コンデンサを内蔵する配線基板であって、
コア基板本体上面、
コア基板本体下面、
上記コア基板本体上面側に開口する有底のコンデンサ内蔵用凹部、
上記凹部の底部を底面から上記コア基板本体下面まで貫通してコア基板本体下面に延出する複数の底部スルーホール導体、
及び、上記コア基板本体上面とコア基板本体下面との間を貫通して形成された複数のコアスルーホール導体、
を備えるコア基板本体と、
コンデンサ上面、
コンデンサ下面、
互いに絶縁された一対の電極または電極群、
上記コンデンサ上面に形成され、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通する複数の上面接続パッドであって、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の上面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の上面接続パッド、
及び、上記コンデンサ下面に形成され、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通する複数の下面接続パッドであって、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の下面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の下面接続パッド、
を備え、
上記コア基板本体のコンデンサ内蔵用凹部内に内蔵、固定され、上記複数の下面接続パッドが対応する上記複数の底部スルーホール導体にそれぞれ導通された上記コンデンサと、
上記コア基板本体上面及び上記コンデンサ上面の上方に積層された１または複数の上部樹脂絶縁層と、
上記コア基板本体下面の下方に積層された１または複数の下部樹脂絶縁層と、 上記上部樹脂絶縁層を貫通あるいはその層間を通って、上記配線基板上面の複数のＩＣ接続端子とこれに対応する上記コンデンサの複数の上面接続パッドとをそれぞれ接続する複数の上部コンデンサ接続配線と、
上記下部樹脂絶縁層を貫通あるいはその層間を通って、上記コア基板本体下面に延出した底部スルーホール導体とこれに対応する上記配線基板下面の複数の接続端子とをそれぞれ接続する複数の下部コンデンサ接続配線と、
上記上部樹脂絶縁層を貫通あるいはその層間を通って、上記配線基板上面の複数のＩＣ接続端子とこれに対応する上記コア基板本体上面の複数のコアスルーホール導体とをそれぞれ接続する複数の上部コア接続配線と、
上記下部樹脂絶縁層を貫通あるいはその層間を通って、上記コア基板本体下面のコアスルーホール導体とこれに対応する上記配線基板下面の複数の接続端子とをそれぞれ接続する複数の下部コア接続配線と、
を備えることを特徴とする配線基板。 - 配線基板上面と配線基板下面とを有し、上記配線基板上面にＩＣチップを接続するための複数のＩＣ接続端子を、上記配線基板下面に複数の接続端子を備え、コンデンサを内蔵する配線基板であって、
コア基板本体上面、
コア基板本体下面、
上記コア基板本体下面側に開口する有底のコンデンサ内蔵用凹部、
上記凹部の底部を底面から上記コア基板本体上面まで貫通してコア基板本体上面に延出する複数の底部スルーホール導体、
及び、上記コア基板本体上面とコア基板本体下面との間を貫通して形成されたコアスルーホール導体、
を備えるコア基板本体と、
コンデンサ上面、
コンデンサ下面、
互いに絶縁された一対の電極または電極群、
上記コンデンサ上面に形成され、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通する複数の上面接続パッドであって、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の上面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の上面接続パッド、
及び、上記コンデンサ下面に形成され、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通する複数の下面接続パッドであって、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の下面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の下面接続パッド、
を備え、
上記コア基板本体のコンデンサ内蔵用凹部内に内蔵、固定され、上記複数の上面接続パッドが対応する上記複数の底部スルーホール導体にそれぞれ導通された上記コンデンサと、
上記コア基板本体上面の上方に積層された１または複数の上部樹脂絶縁層と、 上記コア基板本体下面及び上記コンデンサ下面の下方に積層された１または複数の下部樹脂絶縁層と、
上記上部樹脂絶縁層を貫通あるいはその層間を通って、上記配線基板上面の複数のＩＣ接続端子とこれに対応し上記コア基板本体上面に延出した複数の底部スルーホール導体とをそれぞれ接続する複数の上部コンデンサ接続配線と、
上記下部樹脂絶縁層を貫通あるいはその層間を通って、上記コンデンサの下面接続パッドとこれに対応する上記配線基板下面の複数の接続端子とをそれぞれ接続する複数の下部コンデンサ接続配線と、
上記上部樹脂絶縁層を貫通あるいはその層間を通って、上記配線基板上面の複数のＩＣ接続端子とこれに対応する上記コア基板本体上面の複数のコアスルーホール導体とをそれぞれ接続する複数の上部コア接続配線と、
上記下部樹脂絶縁層を貫通あるいはその層間を通って、上記コア基板本体下面のコアスルーホール導体と対応する上記配線基板下面の複数の接続端子とをそれぞれ接続する複数の下部コア接続配線と、
を備えることを特徴とする配線基板。 - コア基板本体上面、
コア基板本体下面、
上記コア基板本体上面側に開口する有底のコンデンサ内蔵用凹部、
及び、上記凹部の底部を底面から上記コア基板本体下面まで貫通してコア基板本体下面に延出する複数の底部スルーホール導体、
を備えるコア基板本体と、
コンデンサ上面、
コンデンサ下面、
互いに絶縁された一対の電極または電極群、
上記コンデンサ上面に形成され、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通する複数の上面接続パッドであって、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の上面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の上面接続パッド、
及び、上記コンデンサ下面に形成され、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通する複数の下面接続パッドであって、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の下面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の下面接続パッド、
を備え、
上記コア基板本体のコンデンサ内蔵用凹部内に内蔵・固定され、上記複数の下面接続パッドが対応する上記複数の底部スルーホール導体にそれぞれ導通されたコンデンサと、
を備えるコンデンサ内蔵コア基板。 - 請求項３に記載のコンデンサ内蔵コア基板であって、
前記コンデンサ上面に、または前記コア基板本体上面及び前記コンデンサ上面に充填樹脂層を備え、
上記コンデンサ上面上の充填樹脂層と、上記コア基板本体上面またはコア基板本体上面上の充填樹脂層とは略面一に整面され、前記複数の上面接続パッドがそれぞれ略面一に露出していること
を特徴とするコンデンサ内蔵コア基板。 - コア基板本体上面、
コア基板本体下面、
上記コア基板本体上面側に開口する有底のコンデンサ内蔵用凹部、
及び、上記凹部の底部を底面から上記コア基板本体下面まで貫通してコア基板本体下面に延出する複数の底部スルーホール導体、
を備えるコア基板本体の、上記コンデンサ内蔵用凹部内に、
コンデンサ上面、
コンデンサ下面、
互いに絶縁された一対の電極または電極群、
上記コンデンサ上面に形成され、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通する複数の上面接続パッドであって、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の上面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の上面接続パッド、
及び、上記コンデンサ下面に形成され、上記一対の電極または電極群のうちのいずれかの電極または電極群とそれぞれ導通する複数の下面接続パッドであって、上記一対の電極または電極群のいずれも上記複数の下面接続パッドのうちの少なくとも１つと導通する複数の下面接続パッド、
を備えるコンデンサを配置し、
上記複数の下面接続パッドとこれに対応する上記複数の底部スルーホール導体とを接続する凹部内コンデンサ接続工程と、
上記コンデンサ内蔵用凹部内に充填樹脂を注入し、上記充填樹脂を硬化させて、充填樹脂で上記コンデンサを上記コンデンサ内蔵用凹部内に固定するコンデンサ固定工程と、
上記コア基板本体上面またはコア基板本体上面上の充填樹脂層とコア基板本体下面との間を貫通するコアスルーホール導体を形成するコアスルーホール形成工程と、
を備えるコンデンサ内蔵コア基板の製造方法。 - 請求項５に記載のコンデンサ内蔵コア基板の製造方法であって、
前記コンデンサ固定工程は、前記コンデンサ内蔵用凹部内の他、前記コンデンサ上面及びコア基板本体上面のうち、少なくともコンデンサ上面にも充填樹脂を塗布し硬化させるコンデンサ固定−充填樹脂塗布硬化工程であり、
前記コアスルーホール形成工程に先だって、上記コンデンサ上面上の、または、上記コンデンサ上面上及び前記コア基板本体上面上の、上記充填樹脂を研磨して上記複数の上面接続パッドを略面一に露出させるとともに、上記コンデンサ上面上の充填樹脂層と上記コア基板本体上面とを、または、上記コンデンサ上面上の充填樹脂層とコア基板本体上面上の充填樹脂層とを、略面一の平坦面に整面する研磨整面工程を備えること
を特徴とするコンデンサ内蔵コア基板の製造方法。 - 前記コンデンサを内蔵する請求項３または請求項４に記載のコンデンサ内蔵コア基板の上記コンデンサの特性を検査し、規格外のコンデンサ内蔵コア基板を除去する特性検査工程と、
規格内の上記コンデンサ内蔵コア基板の上下面に、樹脂絶縁層及び配線層を形成する絶縁層配線層形成工程と、
を備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
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| US7112524B2 (en) * | 2003-09-29 | 2006-09-26 | Phoenix Precision Technology Corporation | Substrate for pre-soldering material and fabrication method thereof |
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