JPH0983147A - コンデンサ内蔵ガラスセラミック基板 - Google Patents
コンデンサ内蔵ガラスセラミック基板Info
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- JPH0983147A JPH0983147A JP7256770A JP25677095A JPH0983147A JP H0983147 A JPH0983147 A JP H0983147A JP 7256770 A JP7256770 A JP 7256770A JP 25677095 A JP25677095 A JP 25677095A JP H0983147 A JPH0983147 A JP H0983147A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】同時焼成により形成され、静電容量が大きく、
静電容量の温度特性の小さい誘電体層を備えたコンデン
サ内蔵ガラスセラミック基板を提供すること。 【解決手段】低温焼成ガラスセラミックからなる絶縁体
層と、コンデンサを構成する誘電体層および電極層とを
備え、これらを同時焼成により形成したコンデンサ内蔵
ガラスセラミック基板において、誘電体層としてＣａＴ
ｉＯ3−ガラスを焼成したものを用いる。
静電容量の温度特性の小さい誘電体層を備えたコンデン
サ内蔵ガラスセラミック基板を提供すること。 【解決手段】低温焼成ガラスセラミックからなる絶縁体
層と、コンデンサを構成する誘電体層および電極層とを
備え、これらを同時焼成により形成したコンデンサ内蔵
ガラスセラミック基板において、誘電体層としてＣａＴ
ｉＯ3−ガラスを焼成したものを用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、低温焼成によって
形成されるガラスセラミック基板に関し、特に、基板中
にコンデンサを内蔵するコンデンサ内蔵ガラスセラミッ
ク基板に関する。
形成されるガラスセラミック基板に関し、特に、基板中
にコンデンサを内蔵するコンデンサ内蔵ガラスセラミッ
ク基板に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】搭載
する集積回路チップの近くでノイズを吸収し、回路動作
を安定化させるため、チップに近い基板中に誘電体層と
電極層からなるコンデンサを内蔵させることが行われ
る。一方、従来のアルミナ等を用いたセラミック基板で
は、同時焼成によって導体を形成するため、導体として
は抵抗の高いタングステンやモリブデン等を用いざるを
得なかった。そこで、高速動作や低消費電力化のため
に、低抵抗の銀や銅、パラジウム等の金属材を導体とし
て用いる低温焼成ガラスセラミック基板が注目されてい
る。
する集積回路チップの近くでノイズを吸収し、回路動作
を安定化させるため、チップに近い基板中に誘電体層と
電極層からなるコンデンサを内蔵させることが行われ
る。一方、従来のアルミナ等を用いたセラミック基板で
は、同時焼成によって導体を形成するため、導体として
は抵抗の高いタングステンやモリブデン等を用いざるを
得なかった。そこで、高速動作や低消費電力化のため
に、低抵抗の銀や銅、パラジウム等の金属材を導体とし
て用いる低温焼成ガラスセラミック基板が注目されてい
る。
【０００３】このような低温焼成ガラスセラミック基板
中にコンデンサを内蔵させるためには、誘電体層となる
材質が、絶縁体材料（ガラスセラミック）と同時焼成可
能である必要がある。即ち、低温焼成ガラスセラミック
材料の焼成温度は、通常１０００℃以下であり、誘電体
層の焼成温度をこの温度に適合させる必要があるのであ
る。更に、同時焼成の際、絶縁体材料、誘電体材料およ
び導体（電極層）材料間での元素の拡散及び反応があ
り、誘電体材料を単体で焼成した場合に比較して、誘電
体層の特性が低下、即ち、誘電率が低下し、誘電率の温
度依存性が大きくなることが多い。したがって、静電容
量ができるだけ大きく、かつ静電容量の温度特性が小さ
いコンデンサを内蔵させることが困難であった。本発明
はかかる現状に鑑みてなされたものであって、その課題
は、同時焼成により形成され、静電容量が大きく、静電
容量の温度特性の小さい誘電体層を備えたコンデンサ内
蔵ガラスセラミック基板を提供することである。
中にコンデンサを内蔵させるためには、誘電体層となる
材質が、絶縁体材料（ガラスセラミック）と同時焼成可
能である必要がある。即ち、低温焼成ガラスセラミック
材料の焼成温度は、通常１０００℃以下であり、誘電体
層の焼成温度をこの温度に適合させる必要があるのであ
る。更に、同時焼成の際、絶縁体材料、誘電体材料およ
び導体（電極層）材料間での元素の拡散及び反応があ
り、誘電体材料を単体で焼成した場合に比較して、誘電
体層の特性が低下、即ち、誘電率が低下し、誘電率の温
度依存性が大きくなることが多い。したがって、静電容
量ができるだけ大きく、かつ静電容量の温度特性が小さ
いコンデンサを内蔵させることが困難であった。本発明
はかかる現状に鑑みてなされたものであって、その課題
は、同時焼成により形成され、静電容量が大きく、静電
容量の温度特性の小さい誘電体層を備えたコンデンサ内
蔵ガラスセラミック基板を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】しかしてその解決手段
は、低温焼成ガラスセラミックからなる絶縁体層と、コ
ンデンサを構成する誘電体層および電極層を備え、これ
らを同時焼成により形成したコンデンサ内蔵ガラスセラ
ミック基板において、該誘電体層がＣａＴｉＯ3−ガラ
スを焼成したものであることを特徴とするコンデンサ内
蔵ガラスセラミック基板である。誘電体層としてガラス
にＣａＴｉＯ3を添加したものを焼成して用いると、誘
電率を有る程度の高さに維持しつつ、温度特性を小さく
することができる。ここで、前記誘電体層にもちいる前
記ガラスは、Ｎａ2Ｏ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂａ
Ｏ−Ａｌ2Ｏ3系ガラスであることが好ましい。誘電率の
温度特性が小さくなるからである。さらに、前記誘電体
層は、ＣａＴｉＯ3 を３８−４８重量％添加したガラス
を焼成したものであることが好ましい。この範囲で誘電
率の温度特性を、同様にノイズ吸収用として用いるチッ
プコンデンサの温度特性の±３００〜４００ｐｐｍと同
等またはそれ以下とすることができるからである。ま
た、前記誘電体層は、ＣａＴｉＯ3を４０〜４６重量％
含有するガラスを焼成したものであることが好ましい。
誘電率の温度特性をほぼ零にすることができるからであ
る。
は、低温焼成ガラスセラミックからなる絶縁体層と、コ
ンデンサを構成する誘電体層および電極層を備え、これ
らを同時焼成により形成したコンデンサ内蔵ガラスセラ
ミック基板において、該誘電体層がＣａＴｉＯ3−ガラ
スを焼成したものであることを特徴とするコンデンサ内
蔵ガラスセラミック基板である。誘電体層としてガラス
にＣａＴｉＯ3を添加したものを焼成して用いると、誘
電率を有る程度の高さに維持しつつ、温度特性を小さく
することができる。ここで、前記誘電体層にもちいる前
記ガラスは、Ｎａ2Ｏ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂａ
Ｏ−Ａｌ2Ｏ3系ガラスであることが好ましい。誘電率の
温度特性が小さくなるからである。さらに、前記誘電体
層は、ＣａＴｉＯ3 を３８−４８重量％添加したガラス
を焼成したものであることが好ましい。この範囲で誘電
率の温度特性を、同様にノイズ吸収用として用いるチッ
プコンデンサの温度特性の±３００〜４００ｐｐｍと同
等またはそれ以下とすることができるからである。ま
た、前記誘電体層は、ＣａＴｉＯ3を４０〜４６重量％
含有するガラスを焼成したものであることが好ましい。
誘電率の温度特性をほぼ零にすることができるからであ
る。
【０００５】
【発明の実施の形態】アルミナ−ホウケイ酸鉛ガラス粉
末を有機バインダーおよび溶剤とともに混練し、周知の
グリーンシート製法により、絶縁体シート（０．５ｍｍ
ｔ）１、１’を作成した。一方、表１に記載したように
各種の誘電体材料を４０ｗｔ％とＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−
ＭｇＯ−ＣａＯ−Ｂ2Ｏ3系ガラス（以下、Ａ系ガラスと
もいう）を６０ｗｔ％を混合し、同様に有機バインダー
および溶剤とともに混練し、周知のグリーンシート製法
により、誘電体シート（０．１ｍｍｔ）２、２’を作成
した。但し、ＰＺＴについては、ＰＺＴ９３ｗｔ％、Ａ
系ガラス７ｗｔ％とした。
末を有機バインダーおよび溶剤とともに混練し、周知の
グリーンシート製法により、絶縁体シート（０．５ｍｍ
ｔ）１、１’を作成した。一方、表１に記載したように
各種の誘電体材料を４０ｗｔ％とＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−
ＭｇＯ−ＣａＯ−Ｂ2Ｏ3系ガラス（以下、Ａ系ガラスと
もいう）を６０ｗｔ％を混合し、同様に有機バインダー
および溶剤とともに混練し、周知のグリーンシート製法
により、誘電体シート（０．１ｍｍｔ）２、２’を作成
した。但し、ＰＺＴについては、ＰＺＴ９３ｗｔ％、Ａ
系ガラス７ｗｔ％とした。
【０００６】図１に示すように、この絶縁体シート１、
１’と誘電体シート２、２’の所定の位置にスルーホー
ルＨを形成し、Ａｇペーストを充填した。さらにこれら
シートにスクリーン印刷法により所定形状の電極パター
ンＰ１、Ｐ２、Ｐ３を形成し、２層の誘電体シート２、
２’を上下の絶縁体シート１、１’で挟むようにして積
層し、これを大気雰囲気中にて約９５０℃×３０分焼成
して、図２に示すような構造を持つコンデンサ内蔵基板
１０を作製した。この基板１０は、外形寸法６０ｍｍ□
×１．０ｍｍｔであり、全体として４層構造となってお
り、上下に貫通して形成されたビアホールＶ１、Ｖ２の
うち、ビアホールＶ１に接続した電極層Ｅ２と、ビアホ
ールＶ２に接続した電極層Ｅ１およびＥ３とＥ２との間
で、誘電体層６、６’を挟んでコンデンサを形成してい
る。絶縁体層５、５’は誘電体層６、６’を挟んでい
る。この基板１０の誘電体層について、各種誘電体材
料、即ちＴｉＯ2、ＢａＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3 、ＳｒＴ
ｉＯ3、ＰＺＴ（ＰｂＴｉＯ3−ＰｂＺｒＯ3）の５種と
ガラスを用いた場合の比誘電率εｒと比誘電率の温度特
性Ｔεおよび誘電損失tanδを表１に示す。なお、測定
周波数は、１ＭＨｚである（以降も同様）。この表１か
ら明らかなように、５種の誘電体材料を用いた場合のう
ち、温度特性Ｔεの最も優れた材料は、ＣａＴｉＯ3で
あった。
１’と誘電体シート２、２’の所定の位置にスルーホー
ルＨを形成し、Ａｇペーストを充填した。さらにこれら
シートにスクリーン印刷法により所定形状の電極パター
ンＰ１、Ｐ２、Ｐ３を形成し、２層の誘電体シート２、
２’を上下の絶縁体シート１、１’で挟むようにして積
層し、これを大気雰囲気中にて約９５０℃×３０分焼成
して、図２に示すような構造を持つコンデンサ内蔵基板
１０を作製した。この基板１０は、外形寸法６０ｍｍ□
×１．０ｍｍｔであり、全体として４層構造となってお
り、上下に貫通して形成されたビアホールＶ１、Ｖ２の
うち、ビアホールＶ１に接続した電極層Ｅ２と、ビアホ
ールＶ２に接続した電極層Ｅ１およびＥ３とＥ２との間
で、誘電体層６、６’を挟んでコンデンサを形成してい
る。絶縁体層５、５’は誘電体層６、６’を挟んでい
る。この基板１０の誘電体層について、各種誘電体材
料、即ちＴｉＯ2、ＢａＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3 、ＳｒＴ
ｉＯ3、ＰＺＴ（ＰｂＴｉＯ3−ＰｂＺｒＯ3）の５種と
ガラスを用いた場合の比誘電率εｒと比誘電率の温度特
性Ｔεおよび誘電損失tanδを表１に示す。なお、測定
周波数は、１ＭＨｚである（以降も同様）。この表１か
ら明らかなように、５種の誘電体材料を用いた場合のう
ち、温度特性Ｔεの最も優れた材料は、ＣａＴｉＯ3で
あった。
【０００７】
【０００８】そこで、次に、誘電体材料としてはＣａＴ
ｉＯ3に固定し、添加するガラスの組成を変更した場合
について調査した。表２には、ガラスの組成系として、
ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−ＭｇＯ−ＣａＯ−Ｂ2Ｏ3系ガラス
（Ａ系ガラス）、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−ＰｂＯ−ＺｎＯ−
Ａｌ2Ｏ3−Ｎａ2Ｏ系ガラス（以下、Ｂ系ガラスともい
う）、およびＮａ2Ｏ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂａ
Ｏ−Ａｌ2Ｏ3系ガラス（以下、Ｃ系ガラスともいう）の
３種について同様に基板を製作した場合の、比誘電率ε
ｒおよびその温度特性Ｔεを表２に示す。表２によれ
ば、調査したところ、Ｎａ2Ｏ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−Ｚｎ
Ｏ−ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3系ガラス（Ｃ系ガラス）を用いた
場合が最も大きな比誘電率および最も小さい温度特性を
有することが判る。
ｉＯ3に固定し、添加するガラスの組成を変更した場合
について調査した。表２には、ガラスの組成系として、
ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−ＭｇＯ−ＣａＯ−Ｂ2Ｏ3系ガラス
（Ａ系ガラス）、ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−ＰｂＯ−ＺｎＯ−
Ａｌ2Ｏ3−Ｎａ2Ｏ系ガラス（以下、Ｂ系ガラスともい
う）、およびＮａ2Ｏ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂａ
Ｏ−Ａｌ2Ｏ3系ガラス（以下、Ｃ系ガラスともいう）の
３種について同様に基板を製作した場合の、比誘電率ε
ｒおよびその温度特性Ｔεを表２に示す。表２によれ
ば、調査したところ、Ｎａ2Ｏ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−Ｚｎ
Ｏ−ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3系ガラス（Ｃ系ガラス）を用いた
場合が最も大きな比誘電率および最も小さい温度特性を
有することが判る。
【０００９】 Ａ系ガラス：ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3−ＭｇＯ−ＣａＯ−Ｂ2Ｏ3 Ｂ系ガラス：ＳｉＯ2−Ｂ2Ｏ3−ＰｂＯ−ＺｎＯ−Ａｌ2Ｏ3−Ｎａ2Ｏ Ｃ系ガラス：Ｎａ2Ｏ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＺｎＯ−ｂａＯ−Ａｌ2Ｏ3
【００１０】さらに、ＣａＴｉＯ3に対するＮａ2Ｏ−Ｂ
2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＺｎＯ−ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3系ガラス
（Ｃ系ガラス）の量を変化した場合について表３に示す
ように調査を行った。また、ＣａＴｉＯ3とＣ系ガラス
の混合系について、温度特性ＴεのＣａＴｉＯ3の添加
量依存性を図３にグラフ化した。これによると、ＣａＴ
ｉＯ3が３８〜４８ｗｔ％である場合には、概略Ｔε≦
４００ｐｐｍとなり、低い温度特性を得られることが判
る。
2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＺｎＯ−ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3系ガラス
（Ｃ系ガラス）の量を変化した場合について表３に示す
ように調査を行った。また、ＣａＴｉＯ3とＣ系ガラス
の混合系について、温度特性ＴεのＣａＴｉＯ3の添加
量依存性を図３にグラフ化した。これによると、ＣａＴ
ｉＯ3が３８〜４８ｗｔ％である場合には、概略Ｔε≦
４００ｐｐｍとなり、低い温度特性を得られることが判
る。
【００１１】
【００１２】また、図３によれば、ＣａＴｉＯ3が４０
〜３０ｗｔ％に対してＣ系ガラスの量が６０〜７０ｗｔ
％と多い場合には、比誘電率の温度特性Ｔεが正の値を
示す。一方、ＣａＴｉＯ3が４６〜５０ｗｔ％でＣ系ガ
ラス添加量が比較的少ない場合には、Ｔεが負の値にな
っている。即ち、ＣａＴｉＯ3の量とＣ系ガラスの量と
を適当に組み合わせることによって、具体的には、Ｃａ
ＴｉＯ3を４０〜４６ｗｔ％、Ｃ系ガラス６０〜５４ｗ
ｔ％の範囲、更に詳しくは、ＣａＴｉＯ3を４２〜４４
ｗｔ％の範囲で、Ｔεをほぼ零にすることができること
を示している。したがって、誘電率εが高く、静電容量
が大きく、かつ比誘電率の温度特性Ｔεの小さいコンデ
ンサとすることができることが判る。
〜３０ｗｔ％に対してＣ系ガラスの量が６０〜７０ｗｔ
％と多い場合には、比誘電率の温度特性Ｔεが正の値を
示す。一方、ＣａＴｉＯ3が４６〜５０ｗｔ％でＣ系ガ
ラス添加量が比較的少ない場合には、Ｔεが負の値にな
っている。即ち、ＣａＴｉＯ3の量とＣ系ガラスの量と
を適当に組み合わせることによって、具体的には、Ｃａ
ＴｉＯ3を４０〜４６ｗｔ％、Ｃ系ガラス６０〜５４ｗ
ｔ％の範囲、更に詳しくは、ＣａＴｉＯ3を４２〜４４
ｗｔ％の範囲で、Ｔεをほぼ零にすることができること
を示している。したがって、誘電率εが高く、静電容量
が大きく、かつ比誘電率の温度特性Ｔεの小さいコンデ
ンサとすることができることが判る。
【００１３】上記の例においては、導体材料は、Ａｇペ
ーストを用いたが、その他Ａｕ、Ｃｕを用いても良い。
ただし、Ｃｕペーストを用いて配線を形成する場合に
は、Ｃｕが酸化しないように不活性雰囲気あるいは還元
雰囲気で焼成できるように、絶縁体材料と誘電体材料を
選択すべきである。また、本例では、絶縁体シートと誘
電体シートを別途形成して積層する方法について記載し
たが、絶縁体シート上に電極層を印刷後、誘電体ペース
トを塗布し、積層してコンデンサ内蔵基板としても良
い。
ーストを用いたが、その他Ａｕ、Ｃｕを用いても良い。
ただし、Ｃｕペーストを用いて配線を形成する場合に
は、Ｃｕが酸化しないように不活性雰囲気あるいは還元
雰囲気で焼成できるように、絶縁体材料と誘電体材料を
選択すべきである。また、本例では、絶縁体シートと誘
電体シートを別途形成して積層する方法について記載し
たが、絶縁体シート上に電極層を印刷後、誘電体ペース
トを塗布し、積層してコンデンサ内蔵基板としても良
い。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、絶縁基板としてガラス
セラミックを用い、同時焼成によって形成され、大きな
静電容量と、小さな静電容量の温度特性を持つ優れた特
性のコンデンサを内蔵した、コンデンサ内蔵ガラスセラ
ミック基板を得ることができる。
セラミックを用い、同時焼成によって形成され、大きな
静電容量と、小さな静電容量の温度特性を持つ優れた特
性のコンデンサを内蔵した、コンデンサ内蔵ガラスセラ
ミック基板を得ることができる。
【図１】各絶縁体シートおよび誘電体シートの電極パタ
ーンを示す斜視図である。
ーンを示す斜視図である。
【図２】本発明の実施態様にかかるコンデンサ内蔵ガラ
スセラミック基板の構造を示す断面図である。
スセラミック基板の構造を示す断面図である。
１、１’：絶縁体シート ２、２’：誘電体シート Ｈ：スルーホール Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３：電極パターン ５、５’：絶縁体層 ６、６’：誘電体層 Ｖ１、Ｖ２：ビアホール Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３：電極層 １０：コンデンサ内蔵ガラスセラミック基板
【手続補正書】
【提出日】平成７年１２月４日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】各絶縁体シートおよび誘電体シートの電極パタ
ーンを示す斜視図である。
ーンを示す斜視図である。
【図２】本発明の実施態様にかかるコンデンサ内蔵ガラ
スセラミック基板の構造を示す断面図である。
スセラミック基板の構造を示す断面図である。
【図３】温度係数ＴεのＣａＴｉＯ３の添加量依存性を
示すグラフである。
示すグラフである。
【符号の説明】 １、１’：絶縁体シート ２、２’：誘電体シート Ｈ：スルーホール Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３：電極パターン ５、５’：絶縁体層 ６、６’：誘電体層 Ｖ１、Ｖ２：ビアホール Ｅ１、Ｅ２、Ｅ３：電極層 １０：コンデンサ内蔵ガラスセラミック基板
Claims (4)
- 【請求項１】低温焼成ガラスセラミックからなる絶縁体
層と、コンデンサを構成する誘電体層および電極層とを
備え、これらを同時焼成により形成したコンデンサ内蔵
ガラスセラミック基板において、該誘電体層がＣａＴｉ
Ｏ3−ガラスを焼成したものであることを特徴とするコ
ンデンサ内蔵ガラスセラミック基板。 - 【請求項２】前記誘電体層にもちいる前記ガラスは、Ｎ
ａ2Ｏ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−ＺｎＯ−ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3系
ガラスであることを特徴とする請求項１に記載のコンデ
ンサ内蔵ガラスセラミック基板。 - 【請求項３】前記誘電体層は、ＣａＴｉＯ3を３８〜４
８重量％含有するガラスを焼成したものであることを特
徴とする請求項２に記載のコンデンサ内蔵ガラスセラミ
ック基板。 - 【請求項４】前記誘電体層は、ＣａＴｉＯ3を４０〜４
６重量％含有するガラスを焼成したものであることを特
徴とする請求項２に記載のコンデンサ内蔵ガラスセラミ
ック基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7256770A JPH0983147A (ja) | 1995-09-08 | 1995-09-08 | コンデンサ内蔵ガラスセラミック基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7256770A JPH0983147A (ja) | 1995-09-08 | 1995-09-08 | コンデンサ内蔵ガラスセラミック基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0983147A true JPH0983147A (ja) | 1997-03-28 |
Family
ID=17297213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7256770A Pending JPH0983147A (ja) | 1995-09-08 | 1995-09-08 | コンデンサ内蔵ガラスセラミック基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0983147A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000243873A (ja) * | 1999-02-22 | 2000-09-08 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板、コンデンサ内蔵コア基板、コア基板本体、コンデンサ、及びこれらの製造方法 |
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-
1995
- 1995-09-08 JP JP7256770A patent/JPH0983147A/ja active Pending
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